JP2003264455A - 出力回路装置 - Google Patents
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- H03K17/082—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit
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Abstract
護し、電源効率の高い出力回路装置を提供する。 【解決手段】 出力回路装置は、電源供給部1と、共に
電源供給部1に接続された出力用MISトランジスタ6
及び常にオン状態の参照用MISトランジスタ18と、
参照電圧Vrefを発生させるための電流供給部9と、
負荷回路2に電流を供給するための出力端子5と、コン
パレータ10と、論理回路17と、出力用MISトラン
ジスタ6のオン・オフを制御するための制御回路14と
を備えている。出力用MISトランジスタ6及び参照用
MISトランジスタ18のオン抵抗を利用して参照電圧
Vrefと出力端子電圧Voutとを比較し、出力電流
の大きさを検出する。出力電流が目標値を越えると出力
用MISトランジスタ6をオフさせることで出力用MI
Sトランジスタ6を過大電流から保護する。
Description
り、特に、スイッチング電源装置、モータ駆動装置等の
コイル負荷を駆動する出力回路装置に関するものであ
る。
り、電源装置やモータ駆動装置をディジタル制御して装
置全体の省電力化が図られるようになっている。この流
れの中で、スイッチング電源装置やモータ駆動装置等の
出力回路において、負荷回路への電流供給を制御するた
めにMISトランジスタが使われるようになってきてい
る。
負荷回路に供給する電圧を一定値に保つように制御する
制御回路を備えている。この制御回路は、出力端子がグ
ラウンドと短絡した場合、電源供給部から出力端子への
電流供給量を増やして、出力端子電圧が低下しないよう
に制御するため、出力用MISトランジスタを通じて流
す電流が設定値以上の過大な電流になる。このことが、
出力用MISトランジスタを破壊する要因となってい
た。このような現象は、負荷回路の抵抗値が小さくなっ
た場合(言い換えると過負荷状態)や、電源起動時に出
力キャパシタの過大な充電電流が流れる場合にも起きて
いた。
大電流からの保護を確実にするために、出力電流を制限
する機能が出力回路装置に付加されている。出力電流を
制限するためには、出力回路からの出力電流を検出する
必要があるが、該出力電流の検出方法としては、電流の
流れる経路に抵抗を入れて検出する方法が一般的であ
る。
以下に図を用いて説明する。
す回路図である。
は、本装置に電圧を供給するための電源供給部101
と、外部の負荷回路102に電力を供給するための出力
端子105と、電源供給部101と出力端子105との
間に順に介設された第1の抵抗107,中間ノード11
5,及びPチャネル型MISトランジスタである出力用
MISトランジスタ106と、一端が接地に接続されて
他端が電源供給部101に接続された電流供給部109
と、電流供給部109と電源供給部101との間に順に
介設された参照ノード116及び基準電圧を発生させる
ための第2の抵抗108と、入力部が参照ノード116
及び中間ノード115に接続されたコンパレータ110
と、コンパレータ110の出力部,電源供給部101及
び出力用MISトランジスタのゲート電極に接続された
制御回路114とを備えている。ここで、出力用MIS
トランジスタ106は、出力端子105への電力の供給
をオンまたはオフに切り替えるためのものである。
110からの出力信号が入力されるタイマー回路111
と、駆動回路112と、タイマー回路111の出力信号
で制御され、電源供給部101の電圧または駆動回路1
12の出力信号のどちらか一方を選択して出力用MIS
トランジスタ106のゲート電極に入力するスイッチ回
路113とを有している。
等を有する負荷回路102に接続され、出力端子105
と負荷回路102との間にはノード117と電磁エネル
ギーを発生させるためのコイル103とが順に配置され
ている。そして、ノード117は入力側が接地に接続さ
れたダイオード104の出力側に接続されている。ここ
で、負荷回路102は、モータ回路など、種々の回路の
総称である。また、負荷回路102,コイル103及び
ダイオード104は通常出力回路装置の外部に設けられ
る。
ランジスタ106が導通する際に出力端子から出力する
電流をモニターするために第1の抵抗107を設けてい
る。これにより、中間ノード115の電位が参照電圧よ
り下がったときに出力用MISトランジスタをオフにす
る制御が可能になり、出力用MISトランジスタ106
及び負荷回路102に過大電流が流れるのを防いでい
る。
概略的に説明する。
ジスタ106がオンの際には、電源供給部101から供
給された電圧が、第1の抵抗及び出力用MISトランジ
スタ106を経て出力端子電圧Voutが出力端子10
5から出力される。このとき、コイル103には電磁エ
ネルギーが蓄積され、負荷回路102内のキャパシタ
(図示せず)には電荷が蓄積される。
オフの際には、出力端子105からの電圧供給は停止
し、コイル103に蓄積されたエネルギーが放出され
る。具体的には、ダイオード104が導通して回生動作
をする一方、コイル103から放出されたエネルギー
は、キャパシタを含む負荷回路102で平滑されて直流
出力端VDCに直流電圧の形で放出される。
オン・オフの切替えは制御回路114から出力される制
御電圧VGによって制御されており、制御電圧がローレ
ベルの場合にオンするようになっている。通常動作時の
出力回路装置では、PWM信号の発生回路(図示せず)
を有する駆動回路によって出力用MISトランジスタ1
06のオン・オフが制御されている。
オン状態にあるときの出力電流は、中間ノード115の
電圧である検出電圧VMの形で検出される。すなわち、
第2の抵抗108と電流供給部109から供給する電流
とにより参照ノード116の電圧である参照電圧Vre
fを発生させ、その参照電圧Vrefと検出電圧VMと
をコンパレータ110でレベル比較することにより電流
検出を行っている。
出方法について、図11および図12を参照しながら詳
しく説明する。
装置における各部の電圧または電流波形のタイミングチ
ャートを示す図であり、横軸を時間tとして各部の動作
波形を示している。
ら出力される制御電圧VGの波形を示している。この従
来例では、出力用MISトランジスタ106がPチャン
ネル型MISトランジスタであるため、制御電圧VGが
ローレベルになる期間は出力用MISトランジスタ10
6がオンする期間に該当し、制御電圧VGがハイレベル
になる期間は出力用MISトランジスタ106がオフす
る期間に該当している。なお、T0時点では、出力用M
ISトランジスタ106のゲート電極は、制御回路11
4中の駆動回路112に接続されている。
鎖線で示し、中間ノード115の電圧である検出電圧V
Mを実線で示している。ここで、参照電圧Vrefは、
第2の抵抗108と電流供給部109の電流値とにより
決定されるので、ほぼ一定であり、過大電流とする出力
電流レベルに対応した値に設定されている。
ンジスタ106がオフのときには第1の抵抗107を流
れる電流が無くなるので、電源供給部101の電圧Vc
cに等しくなる。そして、出力用MISトランジスタ1
06がオンすると、第1の抵抗107で電圧降下が生じ
るため、検出電圧VMは電源電圧Vccの電位より低下
する。これに加えて、検出電圧VMは、出力電流の大き
さに対して依存性があり、出力電流が大きくなると出力
電流の大きさにほぼ比例して低下する。
流の波形図である。なお、図12(c)に示す電流波形
は、簡単のために出力回路装置が動作した後速やかに目
標値に達するようになっているが、実際には電流波形の
増加はもう少し緩やかであり、目標値に到達するまでに
は、出力用MISトランジスタ106のオン・オフの切
り替えが複数回行われる。
は、コイル103が出力用MISトランジスタ106の
負荷として働くため、スイッチング動作をし始めたT0
時点では、出力用MISトランジスタ106が完全にオ
ンしていても、コイル103の逆起電力の影響でコイル
103のインピーダンスが瞬間的に大きくなり、コイル
103に流れる電流は速やかには増大しない。そのた
め、検出電圧VMはほぼ電源電圧Vccに近い電圧から
スタートする。そして、時間が経つにつれてコイル10
3に電磁エネルギーが蓄積されていくと、コイル103
のインピーダンスが小さくなっていき、出力電流IO が
増大して検出電圧VMは徐々に低下する。検出電圧VM
の低下に伴い、コイル103を流れる電流は逆に増大す
る。
ンジスタ106がオフすると、検出電圧VMは電源供給
部の電圧Vccに等しくなる。この際、出力用MISト
ランジスタ106のオフ期間(T1からT2までの期
間)はダイオード104が導通して回生動作を行い、そ
れまでコイル103に蓄積したエネルギーを放出する。
コイル103を流れる電流は、T1時点から連続的に減
少していく(図12(c)参照)。
スタ106が再びオンすると、検出電圧VMは出力用M
ISトランジスタ106のオフ期間中にコイル103が
蓄積エネルギーの全てを放出していなければ、図12
(b)に示すように検出電圧VMは電源電圧Vccから
下がり出すのでなく、電源供給部の電圧Vccより少し
下がった電圧値から下がり出す。そして、再びコイル1
03に電磁エネルギーが蓄積され、時間の経過と共に検
出電圧VMが徐々に低下していく。このように、出力用
MISトランジスタ106は制御電圧VGに応じてスイ
ッチング動作する。なお、T3時点からT5時点までの
動作については後述する。
力電圧波形を示す図である。同図に示すように、コンパ
レータ110は、検出電圧VMと参照電圧Vrefとを
比較して、VM<Vrefの時にハイレベルを出力し、
逆にVM>Vrefの時にローレベルを出力する。
力電圧波形を示す図である。同図に示すように、タイマ
ー回路111はコンパレータ110の出力電圧の立ち上
がりエッジに応答して動作し、回路内部に含まれる時定
数回路(図示せず)によって一定時間ハイレベルを出力
する。
力を防ぐ、T3からT5までの期間の動作について以下
に詳述する。
状態が続くと、検出電圧VMが徐々に低下して、やがて
参照電圧Vrefよりも低下する。このとき、コイル1
03を流れる電流は図12(c)に示す目標値を越え
る。すると、コンパレータ110の出力がハイレベルに
なり、タイマー回路111が動作してハイレベルを出力
する。
定期間ハイレベルを出力するので、T3からT5までの
期間中、スイッチ回路113が駆動回路112の出力信
号を遮断するとともに出力用MISトランジスタ106
のゲート電極に電源供給部101の電位を与えるように
切り替える。これにより、出力用MISトランジスタ1
06の制御電圧VGは強制的にハイレベルにされる。そ
の結果、出力用MISトランジスタ106は、タイマー
回路111の動作で決定される所定時間の間オフするた
め、出力用MISトランジスタ106での電力消費が無
くなり、出力用MISトランジスタ106は過大電流か
ら保護される。
がオフになると、検出電圧VMが再び参照電圧を越える
ので、コンパレータ110の出力はローレベルに戻る。
に立ち上がるまでの応答時間、タイマー回路111がハ
イレベルを出力してからスイッチ回路113がハイレベ
ルに切り替わるまでの応答時間、出力用MISトランジ
スタ106がオフに切り替わるまでの応答時間がそれぞ
れ存在するため、コンパレータ110のハイレベル波形
は微分パルスの様な波形となる。すなわち、タイマー回
路111の立ち上がり応答時間、スイッチ回路113の
切り替わり応答時間、および出力用MISトランジスタ
106の応答時間を加算した時間によって、コンパレー
タ110のハイレベル出力のパルス幅が決定される。
うな動作によって過大電流から出力用MISトランジス
タを保護していた。
出力回路装置では、出力用MISトランジスタ106と
電源供給部101との間に過大電流検出用の第1の抵抗
107を挿入するため、第1の抵抗107による電圧降
下が発生して、負荷回路が利用できる電圧範囲が狭くな
るという不具合があった。電圧降下の影響は、乾電池等
の比較的電圧の低い電源を使用する場合では、特に大き
くなる。それ以外の電源を用いる場合でも、第1の抵抗
107による電圧降下を見込んで負荷回路の駆動に必要
な電圧より高い電源電圧に設定する必要があった。
は電流値)分の電力損失が発生するため、従来の出力回
路装置では電力消費が大きく、余分な電力が必要であっ
た。
の従来構成では、集積化に向かないという不具合もあっ
た。即ち、問題とされる過大電流のレベルが1A前後の
電流値であるため、抵抗値が例えば1Ω以下となるよう
な第1の抵抗107が必要になるが、シート抵抗が10
0Ω/□を越える材料を用いて第1の抵抗107を形成
すると第1の抵抗107の面積が大きくなり過ぎて、出
力回路装置を集積化するのは困難であった。
り、過大電流から出力用MISトランジスタを保護する
とともに、電源効率が高い出力回路装置を提供すること
にある。
装置は、外部の負荷回路に電力を供給するための出力ノ
ードと、第1の電源供給部と、上記第1の電源供給部と
上記出力ノードとの間に介設され、上記出力ノードへの
上記電力の供給をオンまたはオフにするための出力用M
ISトランジスタと、電流供給部と、上記電流供給部に
接続された参照ノードと、上記電源供給部と上記参照ノ
ードとの間に介設され、抵抗体として機能するように一
定電圧が印加されるゲート電極を有する参照用MISト
ランジスタと、入力部が上記参照ノードと上記出力ノー
ドに接続されたコンパレータと、上記コンパレータの出
力部に接続され、少なくとも上記出力ノードの電位が上
記参照ノードの電位を下回った際に上記出力用MISト
ランジスタを所定期間オフにするように上記出力用MI
Sトランジスタのオン・オフを制御するための制御回路
とを備えている。
ドの電位を比較することで、出力用MISトランジスタ
と第1の電源供給部との間に電流検出用の抵抗体を設け
なくても出力電流を検出することができ、出力用MIS
トランジスタに所定値以上の電流が流れることを防ぐこ
とにより、出力用MISトランジスタを過大電流から保
護することができる。また、電流検出用の抵抗体を設け
ないことにより、従来の出力回路装置に比べて抵抗体に
おける電力損失を低減するとともに、本発明の出力回路
装置を搭載する機器の省電力化を図ることができる。加
えて、形状が大きくなる電流検出用の抵抗体が不要にな
るため、装置面積の縮小化を図ることができ、出力回路
装置全体の集積化も可能になる。
トランジスタとの間には、上記出力ノードから出力され
る出力電流をモニターするための抵抗体が設けられてい
ないことにより、上述したように出力回路装置における
電力損失を低減するとともに、装置面積の縮小化を図る
ことができる。
MISトランジスタはゲート電極を有するPチャネル型
MISトランジスタであることにより、Nチャネル型M
ISトランジスタを用いる場合に比べて回路構成を単純
にすることができ、装置面積を低減することができる。
らの電源供給により作動する駆動回路と、上記コンパレ
ータの出力信号に応じて、上記駆動回路の出力信号が上
記出力用MISトランジスタのゲート電極に入力される
か、遮断されるかを切り換えるためのスイッチ回路とを
有していることにより、上述の出力用MISトランジス
タのオン・オフの制御を比較的簡単な構成で実現するこ
とができる。
位が上記参照ノードの電位より高い時には、上記駆動回
路の出力信号が上記出力用MISトランジスタのゲート
電極に印加され、上記出力ノードの電位が上記参照ノー
ドの電位を下回った時には、所定期間上記第1の電源供
給部の電圧が上記出力用MISトランジスタのゲート電
極に印加されるように切り換えることにより、出力電流
を検知し、出力MISトランジスタに所定値以上の電流
が流れるのを防ぐことができる。
ンパレータの出力信号によりリセット状態にされ,上記
パルス発生器の出力信号によりセット状態にされるラッ
チ回路とを有し、上記ラッチ回路の出力信号で上記出力
用MISトランジスタをスイッチング制御することによ
り、スイッチ回路を用いる場合に比べてコイル等に由来
する飛来ノイズの影響を受けにくい出力用MISトラン
ジスタの制御を実現することができる。
フロップであることにより、飛来ノイズの影響を受けに
くい出力用MISトランジスタの制御を簡単な構成によ
り実現することができる。
MISトランジスタはゲート電極を有するNチャネル型
MISトランジスタであり、上記第1の電源供給部より
も高い電圧を、少なくとも上記参照用MISトランジス
タのゲート電極に与えるための第2の電源供給部をさら
に備えることにより、出力用及び参照用のMISトラン
ジスタを完全なオン状態にすることができ、Pチャネル
型MISトランジスタと同様にオン抵抗による電流検出
を行って、出力電流を所定値で制限することが可能にな
る。また、Nチャネル型MISトランジスタはPチャネ
ル型MISトランジスタよりも電流駆動力が大きいの
で、Pチャネル型MISトランジスタを用いる場合に比
べて出力回路装置の出力電流を大きくすることができ
る。
いることにより、例えば第1の電源電圧から供給された
電圧を第2の電源供給部で昇圧して参照用MISトラン
ジスタのゲート電極に供給することができるので、第1
の電源供給部と同一の電源を用いてNチャネル型MIS
トランジスタを用いた出力回路装置を実現することがで
きる。
はチャージポンプ回路であることにより、第1の電源供
給部と同一の電源を用いてNチャネル型MISトランジ
スタを用いた出力回路装置を容易に実現することができ
る。
らの電源供給により作動する駆動回路と、上記コンパレ
ータの出力信号に応じて、上記駆動回路の出力信号が上
記出力用MISトランジスタのゲート電極に入力される
か、遮断されるかを切り換えるためのスイッチ回路とを
有していることにより、上述の出力用MISトランジス
タのオン・オフの制御を比較的簡単な構成で実現するこ
とができる。
電位を下回った際には、上記出力用MISトランジスタ
のゲート電極に所定期間接地電位が印加されることによ
り、出力電流を検知し、出力MISトランジスタに所定
値以上の電流が流れるのを防ぐことができる。
ンパレータの出力信号によりリセット状態にされ、上記
パルス発生器の出力信号によりセット状態にされるラッ
チ回路とを有し、上記ラッチ回路の出力信号で上記出力
用MISトランジスタをスイッチング制御することによ
り、タイマー回路を用いる場合に比べて飛来ノイズの影
響を受けにくい出力用MISトランジスタの制御を実現
することができる。
プであることにより、飛来ノイズの影響を受けにくい出
力用MISトランジスタの制御を簡単な構成により実現
することができる。
直列に接続された複数のMISトランジスタから構成さ
れていることにより、参照用MISトランジスタと出力
用トランジスタとのオン抵抗の相対比を参照用MISト
ランジスタの個数で調節することができるので、出力電
流を検出するレベルを調節することも、バイアス電流を
削減することも可能になる。また、オン抵抗の相対比を
確保しながら、出力電流を精度良く検出して出力用MI
Sトランジスタに流れる出力電流値を制限することもで
きる。これにより、出力用MISトランジスタを保護す
ることができる。
用MISトランジスタとは共に同一チップ内に集積化さ
れて設けられていることにより、装置面積を縮小するこ
とができると共に、製造工程を共通にすることで出力用
MISトランジスタと参照用MISトランジスタの電気
的特性を揃えることができる。そのため、例えば各MI
Sトランジスタのゲート幅を調節することでオン抵抗の
相対比を調節することができるようになる。その結果、
出力電流の制限値を精度良く設定することが可能にな
る。また、例えば出力用MISトランジスタのゲート幅
を参照用MISトランジスタのゲート幅よりも大きくす
ることで、参照用MISトランジスタに流れるバイアス
電流を出力電流に比べて小さくすることができるので、
一層の省電力化を図ることができる。
荷回路に電力を供給するための出力ノードと、第1の電
源供給部と、上記第1の電源供給部と上記出力ノードと
の間に介設され、上記出力ノードへの上記電力の供給を
オンまたはオフにするための出力用MISトランジスタ
と、電流供給部と、上記電流供給部に接続された参照ノ
ードと、上記電源供給部と上記参照ノードとの間に介設
され、抵抗体として機能するように一定電圧が印加され
るゲート電極を有すると共に上記出力用MISランジス
タと同一チップ内に集積化された参照用MISトランジ
スタと、入力部が上記参照ノードと上記出力ノードに接
続されたコンパレータと、上記コンパレータの出力部に
接続され、少なくとも上記出力ノードの電位が上記参照
ノードの電位を下回った際に上記出力用MISトランジ
スタを所定期間オフにするように上記出力用MISトラ
ンジスタのオン・オフを制御する制御回路とを備えてい
る。
ドの電位を比較することで、出力用MISトランジスタ
と第1の電源供給部との間に電流検出用の抵抗体を設け
ることなく出力用MISトランジスタに所定値以上の電
流が流れることを防ぐことができるので、出力用MIS
トランジスタを過大電流から保護することができる。ま
た、電流検出用の抵抗体を設けないことにより、従来の
出力回路装置に比べて抵抗体における電力損失を低減す
るとともに発熱を防ぐことができるので、本発明の出力
回路装置を搭載する機器の省電力化及び動作の安定化を
図ることができる。また、出力用MISトランジスタと
参照用MISトランジスタとは共に同一チップ内に集積
化されて設けられているので、製造工程を共通にするこ
とで出力用MISトランジスタと参照用MISトランジ
スタの電気的特性を揃えることができる。その結果、出
力電流値の制限を精度良く行なうことが可能になる。
が上記参照用MISトランジスタのゲート幅よりも大き
いことにより、参照用MISトランジスタに流れるバイ
アス電流を出力電流に比べて小さくすることができるの
で、一層の省電力化を図ることができる。
記参照用MISトランジスタのゲート電極に供給するた
めの第2の電源供給部をさらに備えることにより、出力
用MISトランジスタ及び参照用MISトランジスタを
Nチャネル型トランジスタで構成することが可能にな
り、出力電流の大きい出力回路装置を実現することがで
きる。
明の第1の実施形態に係る出力回路装置の構成を示す回
路図である。本実施形態は、出力用MISトランジスタ
6としてPチャネル型のMISトランジスタを用いた出
力回路装置である。同図から分かるように、本実施形態
の出力回路装置が従来のものと大きく異なる点は、出力
用MISトランジスタ6と電源供給部1との間に抵抗が
設けられていない点と、参照電圧を生じさせるための第
2の抵抗108の代わりに参照用MISトランジスタ1
8が設けられている点である。
装置は、本装置に電圧を供給するための電源供給部1
と、電源供給部1に接続され、外部の負荷回路2に電力
を供給するための出力端子5と、電源供給部1と出力端
子5との間に介設されたPチャネル型MISトランジス
タである出力用MISトランジスタ6と、一端が接地に
接続されて他端が電源供給部1に接続された電流供給部
9と、電流供給部9と電源供給部1との間に順に介設さ
れた参照ノード36及びPチャネル型MISトランジス
タである参照用MISトランジスタ18と、入力部が参
照ノード36及び出力端子5に接続されたコンパレータ
10と、入力部の一端がコンパレータ10の出力部に接
続された論理回路17と、論理回路17の出力部,電源
供給部1及び出力用MISトランジスタ6のゲート電極
にそれぞれ接続され、出力用MISトランジスタ6のオ
ン・オフを制御するための制御回路14と、制御回路1
4と出力用MISトランジスタ6のゲート電極との間に
介設された第2のノード37とを備えている。ここで、
出力用MISトランジスタ6は、従来の出力回路装置と
同様に、出力端子5への電源電圧の供給をオンまたはオ
フにするためのものである。そして、参照用MISトラ
ンジスタ18は、そのゲート電極が接地に接続されて常
にオン状態にあり、電流供給部9から供給される一定の
バイアス電流と参照用MISトランジスタ18のオン抵
抗とによって参照ノード36に生じる電圧(参照電圧V
ref)は一定となっている。
は、入力側が第2のノード37に接続されたインバータ
15と、入力部にそれぞれコンパレータ10の出力信号
及びインバータ15の出力信号が入力されるAND回路
16とを有している。
からの出力信号が入力されるタイマー回路11と、電源
供給部1からの電源供給により作動する駆動回路12
と、タイマー回路11からの信号に応じて、駆動回路1
2の出力信号が出力用MISトランジスタ6のゲート電
極に入力されるか、遮断されるかを切り替えるためのス
イッチ回路13とを有している。ここで、タイマー回路
11は、AND回路16の出力信号の立ち上がりを検知
して一定時間ハイレベルを出力する回路であり、ワンシ
ョットマルチバイブレータや、一定周期のクロック信号
をカウントして計時動作するディジタル回路などが好ま
しく用いられる。
て、出力用MISトランジスタ6と参照用MISトラン
ジスタ18とは同一導電型のMISトランジスタである
ので、同一チップ内に集積化することが可能となってい
る。これにより、出力回路装置全体も同一チップ内に集
積化が可能となっている。
有する負荷回路2に接続され、出力端子5と負荷回路2
との間には負荷回路側ノード38と電磁エネルギーを発
生させるためのコイル3とが順に配置されている。そし
て、負荷回路側ノード38は、入力側が接地に接続され
たダイオード4の出力側に接続されている。ここで、負
荷回路2とは、モータ回路など、種々の回路の総称であ
り、キャパシタを有し、電気信号によって駆動される回
路のことである。なお、負荷回路2,コイル3及びダイ
オード4は通常出力回路装置の外部に設けられる。ダイ
オード4としては、ショットキーダイオードが好ましく
よく用いられる。
回路装置においては、出力用MISトランジスタ6と電
源供給部1との間に抵抗体が設けられていないので、従
来の出力回路装置に比べ余分な電力を消費することがな
い。加えて抵抗体による電圧降下が起きないため、負荷
回路2に供給する電圧の範囲を広げることが可能にな
る。その上、面積の大きい過大電流検出用の抵抗体を省
けるため、半導体チップ内に集積した場合の出力回路装
置の面積を大幅に縮小することが可能となる。
は、参照用MISトランジスタ18として出力用MIS
トランジスタ6と同じ導電型のMISトランジスタを用
いているので、共通の製造工程により同一チップ内に集
積化されることが可能になっている。また、これによ
り、素子の種類による特性の違いを無くせる上、製造工
程の違いによる素子特性のバラツキを無くすこともでき
る。このため、出力用MISトランジスタ6と参照用M
ISトランジスタ18とのオン抵抗の相対比は、電源供
給部1の電圧変化や温度変化によってほとんど変化しな
い。しかも、同じ素子構造を有するMISトランジスタ
のオン抵抗は、ほぼゲート幅に反比例する。
給する電流は、省電力の観点から極力小さくすることが
好ましいため、出力用MISトランジスタ6のゲート幅
は、参照用MISトランジスタ18のゲート幅よりも大
きく、例えば100〜数千倍の大きさとなっている。
ついて説明する。
ランジスタ6がオンの際には、電源供給部1から供給さ
れた電流が、出力用MISトランジスタ6を経て出力端
子5から出力される。ここで、出力端子電圧をVout
とする。このとき、コイル3には電磁エネルギーが蓄積
され、負荷回路2内のキャパシタ(図示せず)には電荷
が蓄積される。
の際には、出力端子5からの電圧供給は停止し、コイル
3に蓄積されたエネルギーが放出される。具体的には、
ダイオード4が導通して回生動作をする一方、コイル3
から放出されたエネルギーは、キャパシタを含む負荷回
路2で平滑されて直流出力端VDCに直流電圧の形で放
出される。
・オフの切替えは制御回路14から出力される制御電圧
VGによって制御されており、制御電圧VGがローレベ
ルの場合にオンするようになっている。通常動作時の出
力回路装置では、例えばPWM信号の発生回路(図示せ
ず)を有する駆動回路によって出力用MISトランジス
タ6のオン・オフが制御されている。
用MISトランジスタ6がオン状態にあるときの出力電
流は、出力端子5の電圧を参照電圧Vrefと比較する
ことで検出される。すなわち、参照用MISトランジス
タ18のオン抵抗と電流供給部9から供給される電流と
により参照ノード36に一定の参照電圧Vrefを生じ
させ、その参照電圧Vrefと出力端子電圧とをコンパ
レータ10でレベル比較することにより電流検出を行っ
ている。ここで、出力用MISトランジスタ6がオンの
期間には、出力用MISトランジスタ6に流れる出力電
流が大きくなると、出力端子電圧が出力電流の大きさに
応じて低下するので、出力端子電圧を検出することで、
過大電流を検出することができる。なお、出力端子電圧
が出力電流の大きさに応じて変化するのは、出力用MI
Sトランジスタのオン抵抗が電流検出用の抵抗として作
用しているためである。
ついて、以下、図1および図2を参照しながら詳しく説
明する。
回路装置における各部の電圧または電流波形のタイミン
グチャートを示す図であり、横軸を時間tとして示して
いる。
される出力用MISトランジスタ6の制御電圧VGを示
している。本実施形態では、出力用MISトランジスタ
6がPチャンネル型MISトランジスタであるため、制
御電圧VGがローレベルになる期間は出力用MISトラ
ンジスタ6がオンする期間に該当し、制御電圧VGがハ
イレベルになる期間は出力用MISトランジスタ6がオ
フする期間に該当している。なお、T0時点では、出力
用MISトランジスタ6のゲート電極は、制御回路14
中の駆動回路12の出力信号が入力されている。
端子電圧Voutと参照電圧Vrefの波形を示す図、
及びコイル3を流れる電流波形を示す図である。図2
(b)において、参照電圧Vrefは一点鎖線で示し、
出力端子5の出力端子電圧Voutは実線で示してい
る。ここで、参照電圧Vrefは、上述のように、電源
電圧Vccより参照用MISトランジスタ18のオン抵
抗分だけ電圧降下した電圧である。そして、出力端子電
圧Voutは、出力用MISトランジスタ6がオンした
直後では電源電圧Vccに近い電位(ハイレベル)にな
り、出力用MISトランジスタ6がオフすると接地電位
(ローレベル)に近くなる。出力端子電圧Voutがハ
イレベルの際には、出力用MISトランジスタ6がオン
した時のドレイン・ソース間は抵抗とほぼ同じ特性を示
し、出力端子電圧の降下は出力電流の増大にほぼ比例し
ている。
形態においては、コイル3が出力用MISトランジスタ
6の負荷となっているため、スイッチング動作を開始し
たT0時点では、出力用MISトランジスタ6が完全に
オンしていても、コイル3の逆起電力の影響でコイル3
のインピーダンスが瞬間的に大きくなり、出力用MIS
トランジスタ6のドレイン電流はあまり流れない。つま
り、出力電圧Voutはほぼ電源供給部1の電圧Vcc
に近い電圧からスタートする。そして、時間が経つにつ
れてコイル3に電磁エネルギーが蓄積されていくと、コ
イル3のインピーダンスが小さくなっていき、出力端子
5から出力する出力電流IO が増大して、出力端子電圧
Voutは徐々に低下する。
ランジスタ6がオフすると、出力電圧Voutは接地電
位に近いローレベルになる。この際、出力用MISトラ
ンジスタ6のオフ期間(T1からT2までの期間)はダ
イオード4が導通して回生動作を行い、それまでコイル
3に蓄積したエネルギーを放出する。コイル3を流れる
電流は、T1時点から連続的に減少していく。
点で出力用MISトランジスタ6が再びオンすると、出
力電圧Voutはハイレベルに戻るが、出力用MISト
ランジスタ6のオフ期間中にコイル3が蓄積エネルギー
の全てを放出していなければ、出力電圧Voutは電源
電圧Vccの電位までは戻らず、電源電圧Vccより少
し下がった電位まで戻る。そして、再びコイル3に電磁
エネルギーを蓄積する動作が始まり、時間の経過と伴に
出力電圧Voutが徐々に低下していく。
ため、コイル3を流れる電流は、T2時点では0mAま
で下がらず、出力用MISトランジスタ6がオンした時
の電流はそこから次第に増加する。
は制御電圧VGに応じてスイッチング動作する。T0時
点からT3時点までは制御回路14中の駆動回路12に
よって出力用MISトランジスタ6は制御されている。
なお、T3時点からT5時点までの動作については後述
する。
圧波形を示す図であり、同図で示すようにコンパレータ
10は、出力端子5の出力端子電圧Voutと参照電圧
Vrefとを比較して、Vout<Vrefの時にハイ
レベルを出力し、逆にVout>Vrefの時にローレ
ベルを出力する。
形を示す図である。同図に示すように、論理回路17は
インバータ15とAND回路16とから構成され、出力
用MISトランジスタ6のオン期間、すなわち制御電圧
VGがローレベルの時には、コンパレータ10の出力信
号を論理回路17の出力側に伝達する。そして、出力用
MISトランジスタ6のオフ期間(T1〜T2の期間ま
たはT4以降の期間)、すなわち制御電圧VGがハイレ
ベルの時には、出力電圧をローレベルにしてコンパレー
タ10の出力信号が論理回路17の出力側に伝達されな
いように禁止している。
出力回路装置と異なり、出力用MISトランジスタ6が
オフの期間に検出される電圧が0Vに近くなるため、論
理回路17は出力用MISトランジスタ6がオン状態の
ときにのみコンパレータ10の出力信号を出力側に伝達
するように構成されている。
形を示す図である。同図に示すように、タイマー回路1
1は論理回路17の出力電圧の立ち上がりエッジに応答
して動作し、回路内部に含まれる時定数回路(図示せ
ず)によって一定時間ハイレベルを出力する。なお、こ
こではタイマー回路がワンショットマルチバイブレータ
の場合を示すが、タイマー回路11として一定周期のク
ロック信号をカウントして計時動作するディジタル回路
を用いることもできる。
力を防ぐ、T3からT5までの期間の動作について以下
に詳述する。
状態が続くと、出力端子電圧Voutが徐々に低下し、
やがて参照電圧Vrefよりも低下する。すると、コン
パレータ10の出力がハイレベルになる。このT3時点
では、論理回路17の禁止機能が働いていないため、論
理回路17はコンパレータ10の出力に応じてハイレベ
ルの信号を出力する。すると、タイマー回路11が動作
してハイレベルを一定期間出力する。ここで、タイマー
回路11がハイレベルを出力するT3からT5までの期
間中、スイッチ回路13が切り替わり、出力用MISト
ランジスタ6のゲート電極は、強制的にハイレベルにさ
れる。その結果、出力用MISトランジスタ6がタイマ
ー回路の動作で決定される所定時間の間オフするため、
出力用MISトランジスタ6での電力消費が無くなり、
コイル3を流れる電流は、目標値をやや越えたところか
ら徐々に低下する。これにより、出力用MISトランジ
スタ6は過大電流から保護される。
スタ6がオフになると、出力端子電圧Voutは再び0
Vに近くなり、論理回路17の出力はローレベルに戻
る。ここで、論理回路17のハイレベル波形は微分パル
スに似た波形となり、そのパルス幅は、タイマー回路1
1の立ち上がり応答時間、スイッチ回路13の切り替わ
り応答時間、および論理回路17の応答時間を加算した
時間によって決定される。
おいては、出力電流を検出するための抵抗体を設けなく
ても、出力端子電圧Voutを所定の参照電圧と比較す
ることにより、目標値以上の出力電流が流れないように
出力用MISトランジスタ6をオフすることができる。
このため、出力用MISトランジスタ6を過大電流から
保護するとともに、出力用MISトランジスタ6の発熱
を予防する機能を持ち合わせている。
きの出力電圧Voutと参照電圧Vrefとの関係につ
いて詳述する。
抵抗をRON1 、出力用MISトランジスタ6がオンした
時に流れる出力電流をIO とすると、出力用MISトラ
ンジスタ6がオン状態にある期間の出力端子電圧Vou
tは次式(1)で表せる。
ON18、参照用MISトランジスタ18を流れる電流の値
をI1 とすると、参照電圧Vrefは次式で表せる。
とを比較して、次式(3)が成り立つ時に、コンパレー
タ10の出力はローレベルであり、この期間は出力用M
ISトランジスタ6から電流を供給できる。
する。
Sトランジスタ18を流れる電流の値と、出力用MIS
トランジスタ6、参照用MISトランジスタ18のオン
抵抗比で決まる値になる。
て、MISトランジスタの電流能力はゲート幅(図示せ
ず)に比例して大きくなり、オン抵抗はゲート幅に反比
例して小さくなることは周知の事実である。そのため、
出力用MISトランジスタ6と参照用MISトランジス
タ18のオン抵抗の比は、共通の製造工程(不純物拡散
工程など)で用いるマスクの形状やサイズを調節するこ
とによって、容易に調節される。従って、電気的特性の
相対比を確保するためには、出力用MISトランジスタ
6と参照用MISトランジスタ18とをそれぞれ同様の
素子構造とした上で、チップ上の隣接した位置に配置
し、それらの配置方向を同じにすることが好ましい。こ
のことにより、出力電流の検出精度を高めることが可能
になる。
によれば、電流検出用の抵抗体を用いることなく出力用
MISトランジスタ6に目標値以上の電流が流れるのを
防ぐことができる。よって、上述のように、消費電力の
低減と、電源電圧の利用範囲の拡大とを図ることができ
る。その上、出力回路装置を集積化することが可能にな
るので、本出力回路装置を用いた装置全体のサイズを縮
小することができる。
て、出力用MISトランジスタ6及び参照用MISトラ
ンジスタ18が共にPチャネル型MISトランジスタで
あることにより、Nチャネル型トランジスタを用いる場
合に比べて回路設計を容易に行なうことができるという
利点がある。
は、論理回路17はAND回路16とインバータ15か
ら構成されていたが、この構成に限らず、出力用MIS
トランジスタ6がオンで且つ出力端子電圧Voutが参
照電圧Vrefを下回る期間のみ検出信号を出力するよ
うな構成であればよい。
した構成に限らず、少なくとも出力用MISトランジス
タ6がオンで且つ出力端子電圧Voutが参照電圧Vr
efを下回る期間に出力用MISトランジスタ6をオフ
させるように制御することが可能な構成であればよい。
れるスイッチ回路13は論理回路を組み合わせて設けら
れることが多いが、単純な機構スイッチであってもよ
い。
は外部電源に接続された電源供給線または外部電源その
ものを指すものとする。
実施形態に係る出力回路装置として、出力用MISトラ
ンジスタと参照用MISトランジスタを共にNチャネル
型MISトランジスタで構成した例について説明する。
構成を示す図である。
装置は、本装置に電圧を供給するための主電源供給部4
1と、主電源供給部41よりも高い電圧を供給するため
の第2の電源供給部21と、外部の負荷回路2に電力を
供給するための出力端子5と、主電源供給部41と出力
端子5との間に介設されたNチャネル型MISトランジ
スタである出力用MISトランジスタ19と、一端が接
地に接続されて他端が主電源供給部41に接続された電
流供給部9と、電流供給部9と主電源供給部41との間
に順に介設された参照ノード36及びNチャネル型MI
Sトランジスタである参照用MISトランジスタ20
と、入力部が参照ノード36及び出力端子5に接続され
たコンパレータ10と、入力部にコンパレータ10の出
力部が接続された論理回路17と、論理回路17の出力
部,第2の電源供給部41,接地及び出力用MISトラ
ンジスタ19のゲート電極にそれぞれ接続され、出力用
MISトランジスタ19のオン・オフを制御するための
制御回路14と、制御回路14と出力用MISトランジ
スタ19のゲート電極との間に介設された第2のノード
37とを備えている。ここで、参照用MISトランジス
タ20のゲート電極は第2の電源供給部21に接続され
て常にオン状態にあり、電流供給部9から供給される一
定のバイアス電流と参照用MISトランジスタ20のオ
ン抵抗とによって参照ノード36に生じる電圧(参照電
圧Vref)は一定となっている。
は、入力部にコンパレータ10の出力部及び第2のノー
ド37がそれぞれ接続されたAND回路16を有してい
る。
からの出力信号が入力されるタイマー回路11と、第2
の電源供給部21に接続された駆動回路12と、タイマ
ー回路11からの信号に応じて、駆動回路12の出力信
号が出力用MISトランジスタ19のゲート電極に入力
されるか、遮断されるかを切り替えるためのスイッチ回
路13とを有している。ここで、タイマー回路11は、
AND回路16の出力信号の立ち上がりを検知して一定
時間ハイレベルを出力する回路であり、ワンショットマ
ルチバイブレータや、一定周期のクロック信号をカウン
トして計時動作するディジタル回路などが好ましく用い
られる。
も、第1の実施形態と同様に、出力用MISトランジス
タ19と参照用MISトランジスタ20とは同一チップ
内に集積化することが可能となっている。これにより、
出力回路装置全体も同一チップ内に集積化が可能となっ
ている。
有する負荷回路2に接続され、出力端子5と負荷回路2
との間には負荷回路側ノード38と電磁エネルギーを発
生させるためのコイル3とが順に配置されている。そし
て、負荷回路側ノード38は、入力側が接地に接続され
たダイオード4の出力側に接続されている。ここで、負
荷回路2とは、モータ回路など、種々の回路の総称であ
り、キャパシタを有し、電気信号によって駆動される回
路のことである。なお、負荷回路2,コイル3及びダイ
オード4は通常出力回路装置の外部に設けられる。
態と異なる点は、出力用MISトランジスタ及び参照用
MISトランジスタをNチャネル型MISトランジスタ
に変更し、主電源供給部41よりも高い電圧を供給する
第2の電源供給部21を追加している点である。
構成は、次の点で第1の実施形態の出力回路装置と異な
っている。
1からの電源供給によって作動させ、駆動回路12の出
力電圧のハイレベルを主電源供給部41の電圧より大き
な値で出力している点。(2)第1の実施形態ではPチ
ャネル型MISトランジスタでソース接地の増幅器を構
成したのに対し、第2の実施形態ではNチャネル型MI
Sトランジスタでソースフォロワ回路を構成している
点。(3)参照用MISトランジスタ20を常時オン状
態にするために、そのゲート電極を第2の電源供給部2
1に接続している点。(4)タイマー回路11の動作に
よって制御電圧VGを接地電位にする点。
のは、出力用MISトランジスタ19及び参照用MIS
トランジスタ20のゲート電位を主電源供給部の電圧ま
で持ち上げただけでは十分なオン状態にならないため、
参照用MISトランジスタ20を完全にオン状態にする
ために、より高い電圧をそのゲート電極に印加する必要
があるからである。
装置における出力用MISトランジスタ19は、制御回
路14の出力電圧がハイレベルの期間にオン状態にな
り、ローレベルの期間にオフ状態になる。この点を除け
ば、出力用MISトランジスタ19のオン/オフに合わ
せて、コンパレータ10、タイマー回路11およびスイ
ッチ回路13等の回路は第1の実施形態と同じように動
作する。
について簡単に説明する。
の実施形態と同様に、出力用MISトランジスタ6がオ
ン状態にあるときの出力電流は、出力端子5の出力端子
電圧Voutを参照電圧Vrefと比較することで検出
される。
電圧Voutが参照電圧Vrefを下回る期間には、コ
ンパレータ10からハイレベルの信号が出力される。次
に、コンパレータ10からの出力と出力用MISトラン
ジスタ19のゲート電極に印加される制御電圧VGとは
AND回路16に入力され、出力用MISトランジスタ
19がオン状態で、且つ出力端子5から出力される電流
の電圧Voutが参照電圧を下回ったときにのみハイレ
ベルの信号がタイマー回路11から出力される。する
と、タイマー回路11が一定期間ハイレベルの信号を出
力し、スイッチ回路13は、その期間中出力用MISト
ランジスタ19のゲート電極を接地電位にする。これに
より、出力端子5から出力される電流値は目標値以下に
減少していく。
よれば、第1の実施形態と同様、設定値を越える電流が
出力用MISトランジスタ19に流れるのを防ぐことが
できる。その上、主電源供給部41と出力用MISトラ
ンジスタ19との間に抵抗体を設ける必要がないので、
従来の出力回路装置に比べて消費電力を小さくすること
ができる。また、出力回路装置の同一チップ内への集積
化も可能になるので、本実施形態の出力回路装置を組み
込んだ機器のサイズの縮小を図ることもできる。また、
出力用MISトランジスタ19及び参照用MISトラン
ジスタ20は共に素子構造を同じNチャネル型MISト
ランジスタとすることで、共通の不純物拡散工程により
製造することができ、互いの電気的特性を揃えることが
できる。これにより、両トランジスタのオン抵抗の相対
精度が高められ、出力電流の検出精度を高めることが可
能になる。
タは一般にPチャネル型MISトランジスタよりもオン
抵抗を小さくすることが可能であり、且つ電流駆動能力
を大きくすることができる。このため、本実施形態の出
力回路装置において、出力用MISトランジスタ19及
び参照用MISトランジスタ20としてNチャネル型M
ISトランジスタを用いることにより、Pチャネル型M
ISトランジスタを用いる場合に比べて、出力電流を大
きくすることができる。また、ICの電源電圧が低電圧
化される場合にも、本実施形態の出力回路装置を用いる
ことが好ましい。
がハイレベルの時に参照用MISトランジスタ20及び
出力用MISトランジスタ19を十分なオン状態にする
には、第2の電源供給部21の出力電圧(ブートストラ
ップ回路の場合はハイレベル電圧)が主電源供給部41
の電圧よりも両MISトランジスタの閾値電圧以上大き
くなるように設定すればよい。
電源供給部41とは別の直流電源回路を用いても良い
し、主電源供給部41からの出力電圧を昇圧するための
チャージポンプ回路を用いてもよい。また、出力端子5
に結合されたキャパシタ(図示せず)に直流電圧を保持
させて出力電圧の変化に応じて電源供給するようなブー
ストラップ回路を用いてもよい。
ポンプ回路50を用いた場合の本実施形態の出力回路装
置を示す回路図である。
れたチャージポンプ回路50は、キャパシタ51,52
及びスイッチ素子53,54,55,56を有してお
り、クロックパルス発生器57から出力される正パルス
φ及びその反転パルスNφによって制御される。
3,54がオンする一方、反転パルスNφによってスイ
ッチ素子55,56がオフするときには、キャパシタ5
2が第1の電源供給部1の端子間に接続され、キャパシ
タ52に電荷が蓄積される。
チ素子53,54がオフする一方、反転パルスNφの反
転によってスイッチ素子55,56がオンするときに
は、キャパシタ52の低電位側の端子が第1の電源供給
部に接続される一方、高電位側の端子がキャパシタ51
に接続される。この時、キャパシタ52に蓄積された電
荷はキャパシタ51に向けて流れ込み、キャパシタ51
の端子間電圧を昇圧する。
て、第1の電源供給部1の電圧よりも高い電圧をキャパ
シタ51の端子間に発生させる。なお、図4に示すのは
第2の電源供給部21を構成するための具体例の1つで
あり、これ以外の回路でも同様な出力回路装置は実現可
能である。
ートストラップ回路60(破線で示す部分)を用いた場
合の本実施形態の出力回路装置を示す回路図である。こ
こで、ブートストラップ回路とは、出力端子の出力電圧
の変動に応じて変動する電源電圧を発生する回路のこと
である。
路装置におけるブートストラップ回路60は、第1の電
源供給部1に接続されたダイオード62と、ダイオード
62のカソードと出力端子5との間に接続されたキャパ
シタ61とを有している。この回路は、以下のように動
作する。
Sトランジスタ19がオフして、出力端子5の電位が接
地電位になるとき、ダイオード62を介してキャパシタ
61に電流が流れ込み、第1の電源供給部1の電圧とほ
ぼ等しい電圧がキャパシタ61の端子間に充電される。
ンして、出力端子5の電位がハイレベルになるとき、ダ
イオード62は非導通となり、第1の電源供給部1の電
圧よりも高く昇圧された電源電圧が参照用MISトラン
ジスタ20のゲート電極及び駆動回路12に供給され
る。
ルに応じて第2の電源供給部21の電源電圧が変動する
ので、出力MISトランジスタ19及び参照用MISト
ランジスタ20は、十分オンにする必要がある。この実
施形態によれば、出力端子5の電位がハイレベルになる
ときに、参照用MISトランジスタ20のゲート電極及
び駆動回路12に昇圧した電源電圧を供給することがで
きる。また、出力端子5の電位がローレベル(接地電
位)となるときには、第2の電源供給部21の電源電圧
が第1の電源供給部1の電圧よりも0.7V(順方向ダ
イオード電圧)低い電位になるが、出力用MISトラン
ジスタ19がオフする期間であるため、過大電流状態ま
たは短絡状態の検出動作や、本来の電源回路としての回
路動作はなんら支障なく機能する。
態に係る出力回路装置は、参照電圧を発生させるための
バイアス電流(参照用MISトランジスタに流れる電
流)を小さくし、消費電力の低減を図るための構成を有
している。
構成を示す図である。同図に示すように、本実施形態の
出力回路装置は、第1の実施形態とほぼ同様の構成を有
しているが、Pチャネル型MISトランジスタである参
照用MISトランジスタ18と参照ノード36との間に
共にPチャネル型トランジスタである第2の参照用MI
Sトランジスタ22及び第3の参照用MISトランジス
タ23がさらに介設されている点が異なっている。
の出力回路装置は、本装置に電圧を供給するための電源
供給部1と、外部の負荷回路2に電力を供給するための
出力端子5と、電源供給部1と出力端子5との間に介設
されたPチャネル型MISトランジスタである出力用M
ISトランジスタ6と、一端が接地に接続されて他端が
電源供給部1に接続された電流供給部9と、電流供給部
9と電源供給部1との間に順に介設された参照ノード3
6,第3の参照用MISトランジスタ23,第2の参照
用MISトランジスタ22,及び参照用MISトランジ
スタ18と、入力部が参照ノード36及び出力端子5に
接続されたコンパレータ10と、入力部の一端がコンパ
レータ10の出力部に接続された論理回路17と、論理
回路17の出力部,電源供給部1及び出力用MISトラ
ンジスタ6のゲート電極にそれぞれ接続され、出力用M
ISトランジスタ6のオン・オフを制御するための制御
回路14と、制御回路14と出力用MISトランジスタ
6のゲート電極との間に介設された第2のノード37と
を備えている。ここで、参照用MISトランジスタ1
8,第2の参照用MISトランジスタ22及び第3の参
照用MISトランジスタ23のゲート幅並びに素子構成
は、第1の実施形態の参照用MISトランジスタと互い
に等しいものとする。また、これらのMISトランジス
タは、そのゲート電極がそれぞれ接地に接続されること
により、常時オン状態となっている。
用MISトランジスタ18,第2の参照用MISトラン
ジスタ22及び第3の参照用MISトランジスタ23の
オン抵抗をそれぞれRON18,RON22,RON23、電流供給
部9のバイアス電流I1 とすると、参照ノードの電圧V
refは、 Vref=Vcc−I1 ×(RON18+RON22+RON23) (5) で表せる。式(5)と、上述の式(1)、(3)より、
次式が成立する。
照用MISトランジスタ22及び第3の参照用MISト
ランジスタ23のオン抵抗は等しいので、 IO < (3RON18/RON1)×I1 (7) よって、本実施形態の出力回路装置において、式(7)
より、第1の実施形態と同じ大きさの出力電流IO を検
知するために、1/3のバイアス電流で出力電流を検知
することができ、回路動作に必要な消費電流を少なくで
きることが分かる。また、式(5)から分かるように、
バイアス電流を固定して参照電圧Vrefを調節するこ
ともできる。
を3個用いた例を示したが、必要に応じて使用するMI
Sトランジスタの個数は自由に変えることができる。つ
まり、本実施形態の出力回路装置によれば、使用するM
ISトランジスタの個数の比で出力電流を検出するレベ
ルを設定することも、バイアス電流を削減することも可
能である。また、オン抵抗の相対比を確保しながら、出
力電流を精度良く検出して出力用MISトランジスタに
流れる出力電流値を制限することもできる。これによ
り、出力用MISトランジスタを保護することができ
る。
て、参照用MISトランジスタの個数をさらに増やすこ
とにより、参照電圧Vrefを変化させない場合にはバ
イアス電流を低減してさらなる省電力化を図ることがで
き、バイアス電流を変化させない場合には、参照電圧V
refの値を下げ、検出する出力電流の目標値を大きく
することができる。
イアス電流、参照電圧を変化させない場合、トランジス
タのオン抵抗の相対比の精度を上げることができる。例
えば、第1の実施形態において、出力用MISトランジ
スタと参照用MISトランジスタのオン抵抗の比を1:
300にしたい場合、出力用MISトランジスタのゲー
ト幅は参照用MISトランジスタのゲート幅の300倍
に設定する。しかしながら、ゲート幅が大きく異なる場
合、同じサイズのトランジスタの場合に比べて電気的特
性を揃えることが難しい。そこで、本実施形態のよう
に、参照用MISトランジスタを3個にすることで、出
力用MISトランジスタとそれぞれの参照用MISトラ
ンジスタとのゲート幅の比を1:100とすることがで
き、よりトランジスタの電気的特性を揃えることができ
るようになる。これにより、より精度良く出力電流値の
制限を行なうことが可能となる。
は、互いに等しいゲート幅を有する参照用MISトラン
ジスタを複数個設けたが、必要に応じてゲート幅の異な
るMISトランジスタを複数個設けてもよい。
態に係る出力回路装置は、第3の実施形態の出力回路装
置における出力用MISトランジスタ及び参照用MIS
トランジスタをNチャネル型MISトランジスタで構成
したものであり、第2の実施形態の出力回路装置の参照
用MISトランジスタを3個に増やしたものである。
構成を示す図である。同図において、図1,3と同じ構
成要素は同じ符号を付与している。
装置は、本装置に電圧を供給するための主電源供給部4
1と、主電源供給部41よりも高い電圧を供給するため
の第2の電源供給部21と、外部の負荷回路2に電力を
供給するための出力端子5と、主電源供給部41と出力
端子5との間に介設されたNチャネル型MISトランジ
スタである出力用MISトランジスタ19と、一端が接
地に接続されて他端が主電源供給部41に接続された電
流供給部9と、電流供給部9と主電源供給部41との間
に順に介設された参照ノード36,Nチャネル型MIS
トランジスタである第3の参照用MISトランジスタ2
5,第2の参照用MISトランジスタ24及び参照用M
ISトランジスタ20と、入力部が参照ノード36及び
出力端子5に接続されたコンパレータ10と、入力部に
コンパレータ10の出力部が接続された論理回路17
と、論理回路17の出力部,第2の電源供給部41,接
地及び出力用MISトランジスタ19のゲート電極にそ
れぞれ接続され、出力用MISトランジスタ19のオン
・オフを制御するための制御回路14と、制御回路14
と出力用MISトランジスタ19のゲート電極との間に
介設された第2のノード37とを備えている。ここで、
第3の参照用MISトランジスタ25,第2の参照用M
ISトランジスタ24及び参照用MISトランジスタ2
0は、それぞれのゲート電極が第2の電源供給部21に
接続されることにより常時オン状態になっている。ま
た、これら参照用MISトランジスタ20,24,25
のゲート幅並びに素子構成は、第2の実施形態の参照用
MISトランジスタ20と互いに等しいものとする。
9及び参照用MISトランジスタ20,24,25とし
てNチャネル型MISトランジスタを用いた場合でも、
出力電流IO ,参照電圧Vref及び各参照用MISト
ランジスタのオン抵抗を第2の実施形態と同じとする
と、バイアス電流I1 を低減することができ、消費電力
を小さくすることができる。
び各参照用MISトランスタのオン抵抗を第2の実施形
態と同じとした場合には、参照電圧を下げ、検出する出
力電流の目標値を大きくすることができる。
O,バイアス電流I1,参照電圧Vrefを変化させない
場合、MISトランジスタのオン抵抗の相対比の精度を
上げることができ、より精度良く出力電流値を検出する
ことが可能となる。
力用MISトランジスタ19及び参照用MISトランジ
スタ20,24,25としてNチャネル型トランジスタ
を用いているので、第3の実施形態に比べて、負荷回路
を低電圧で駆動する出力回路装置に好ましく用いること
ができる。また、電流検出する出力電流のレベルをより
大きくすることができる。
も、参照用MISトランジスタの数は3個に限らなくて
もよい。また、必要に応じてゲート幅の異なるトランジ
スタを参照用MISトランジスタとして用いてもよい。
態に係る出力回路装置として、制御回路にラッチ回路と
してのセット・リセットのフリップフロップ(以下、S
R型FFと称する)を用いた例について説明する。
構成を示す図である。
装置は、本装置に電圧を供給するための電源供給部1
と、外部の負荷回路2に電力を供給するための出力端子
5と、電源供給部1と出力端子5との間に介設されたP
チャネル型MISトランジスタである出力用MISトラ
ンジスタ6と、一端が接地に接続されて他端が電源供給
部1に接続された電流供給部9と、電流供給部9と電源
供給部1との間に順に介設された参照ノード36及びP
チャネル型MISトランジスタである参照用MISトラ
ンジスタ18と、入力部が参照ノード36及び出力端子
5に接続されたコンパレータ10と、入力部の一端がコ
ンパレータ10の出力信号の立ち上がりを検出するエッ
ジ検出回路29と、一定周期のトリガパルスを発生させ
るパルス発生器30と、リセット入力部にエッジ検出回
路29からの信号が入力され、セット入力部にパルス発
生器30からのトリガパルスが入力されるSR型FF3
1とを備えている。また、出力用MISトランジスタ6
は、SR型FF31の反転出力部NQから出力される制
御信号VGによりオン・オフが制御されている。そし
て、参照用MISトランジスタ18のゲート電極は接地
に接続されて常にオン状態にあり、参照ノード36にか
かる参照電圧Vrefは一定となっている。
路29は、入力部がコンパレータ10に接続されたイン
バータ26と、インバータ26の出力信号を一定時間遅
延させてから出力する遅延回路27と、入力部がコンパ
レータ10の出力部及び遅延回路27の出力に接続され
たAND回路28とを有している。そして、AND回路
28の出力がSR型FF31のリセット入力部に入力さ
れる。
を有する負荷回路2に接続され、出力端子5と負荷回路
2との間には負荷回路側ノード38と電磁エネルギーを
発生させるためのコイル3とが順に配置されている。そ
して、負荷回路側ノード38は、入力側が接地に接続さ
れたダイオード4の出力側に接続されている。ここで、
負荷回路2とは、モータ回路など、種々の回路の総称で
あり、電気信号によって駆動する回路のことである。な
お、負荷回路2,コイル3及びダイオード4は通常出力
回路装置の外部に設けられる。
概略は以下のとおりである。
トリガパルスを発生して、SR型FF31をセットす
る。SR型FF31にトリガパルスが入力されると、反
転出力部NQは低い電圧(ローレベル)になり、出力用
MISトランジスタ6をオン状態にさせる。
ン状態になると、出力端子5に接続したコイル3と負荷
2とにより出力電流が徐々に増加する。出力電流が増加
すると、出力端子電圧Voutは、出力用MISトラン
ジスタ6のソース・ドレイン間の電圧降下が大きくなる
ために参照用MISトランジスタ18のドレイン電圧V
refより低くなる。
レータ10の出力はローレベルからハイレベルに切り替
わる。この際に、エッジ検出回路29は、コンパレータ
10からの出力信号の立ち上がりを検出し、立上りのタ
イミングとほぼ同時に短いパルスをSR型FF31のリ
セット入力部に入力する。このパルスによりSR型FF
31の出力(制御電圧)VGはハイレベルになり、出力
用MISトランジスタ6はオフする。
法について、以下、図8および図10を参照しながら詳
しく説明する。
力回路装置における各部の電圧または電流波形のタイミ
ングチャートを示す図であり、横軸を時間tとして示し
ている。
ら出力される信号を示している。パルス発生器30から
の信号がハイレベルの期間に、SR型FF31の出力は
セットされ、反転出力部NQはローレベルとなる。
参照電圧Vrefの波形を示す図である。同図中、参照
電圧Vrefを一点鎖線で示し、出力端子電圧Vout
を実線で示している。ここで、参照電圧Vrefは、参
照用MISトランジスタ18のオン抵抗と電流供給部9
からの定電流とで生じる電圧降下の分だけ電源電圧Vc
cから低くなった電圧である。一方、出力端子電圧Vo
utは、出力用MISトランジスタ6がオン状態になる
と電源電圧Vccに近い値(ハイレベル)を示し、出力
用MISトランジスタ6がオフすると接地電位に近い値
(ローレベル)を示す。また、出力用MISトランジス
タ6がオン状態のときの出力端子電圧Voutは、出力
電流の大きさに対して依存性があり、出力電流が大きく
なると出力電流の大きさにほぼ比例して低下する傾向を
示す。つまり、出力用MISトランジスタ6がオンした
時のドレイン・ソース間は抵抗とほぼ同じ特性を示す。
電流波形を示す図である。
コイル3が出力用MISトランジスタ6の負荷となって
いるため、スイッチング動作を開始したT0時点では、
出力用MISトランジスタ6が完全にオン状態にあって
も、コイル3の逆起電力の影響でコイル3のインピーダ
ンスが瞬間的に大きくなり、出力用MISトランジスタ
6のドレイン電流はあまり流れない。そのため、出力用
MISトランジスタ6がオンになった直後には、出力端
子電圧Voutはほぼ電源電圧Vccに等しくなる。そ
して、時間が経つにつれてコイル3に電磁エネルギーが
蓄積されていくと、コイル3のインピーダンスが小さく
なっていき、出力電流IO が増大するので出力端子電圧
Voutは徐々に低下する。このとき、コイル3を流れ
る電流は直線的に増加していく。
出力波形を示す図であり、図10(e)はエッジ検出回
路29の出力波形を示す図である。エッジ検出回路29
に入力された信号は二手に分けられ、一方は直接AND
回路28に入力され、他方はインバータ26で反転され
た後、遅延回路27により一定時間遅延されてからAN
D回路に入力される。これにより、図10(d),
(e)に示すように、エッジ検出回路29は、コンパレ
ータ10からの出力の立ち上がりに合わせてパルス信号
を出力し、遅延回路で遅らせた時間がその信号のパルス
幅となっている。
に示す。
に、T0の時点で、パルス発生器30の出力がハイレベ
ルになると、SR型FF31がセットされて、SR型F
F31の出力はローレベルになる。すると、出力用MI
Sトランジスタ6がオン状態となり、出力端子電圧Vo
utは電源電圧Vccに近いハイレベルになる。このと
き、Vout>Vrefであるのでコンパレータ10の
出力はローレベルになる。エッジ検出回路29は立下り
エッジには反応しないので、エッジ検出回路29の出力
はローレベルのままである。
時点でパルス発生器30の出力がハイレベルからローレ
ベルに変ってもSR型FFの出力は変化しないので、出
力用MISトランジスタ6はオン状態のままであり、出
力電流が増加しつづけるため出力端子電圧Voutは下
がりつづける。
の時点で出力端子電圧Voutが参照電圧Vrefより
低くなると、コンパレータ10の出力はローレベルから
ハイレベルに切換わる。そして、図10(e)に示すよ
うに、コンパレータ10の出力がローレベルからハイレ
ベルになると、エッジ検出回路29は遅延回路27で遅
らせた時間分だけの幅で出力がハイレベルになる。
の出力がSR型FF31のリセット入力部に入力される
と、セット状態にあったSR型FF31はリセットされ
て、反転出力部NQはハイレベルになり、出力用MIS
トランジスタ6はオフ状態になる。これにより、出力端
子電圧Voutはローレベルになる。そして、出力用M
ISトランジスタ6がオフ状態となるT3からT4まで
の期間中、ダイオード4が導通して回生動作を行い、そ
れまでコイル3に蓄積したエネルギーを放出する。
びハイレベルの信号が出力されて、SR型FF31をセ
ットすると、出力用MISトランジスタ6がオン状態と
なり、T0からT3と同じ動作が再び繰り返される。
力回路装置においては、出力用MISトランジスタ6に
制限電流以上の電流が流れないように制御されている。
動作は、上述したように出力用MISトランジスタ6の
制御をSR型FF31で行う点を除けば、出力用MIS
トランジスタ6のオン抵抗を利用して電流検出を行って
電流制限する点で第1〜第4の実施例と同じである。
実施形態の出力回路装置よりも優れている点は、外部の
コイルなどから飛来してくるノイズの影響を受けにくい
点である。タイマー回路に飛来ノイズが入った場合、即
座に誤動作してハイレベルの信号を出力する可能性があ
る。これに対し、SR型FF31の入力部に飛来ノイズ
が入っても誤動作してハイレベルを出力する確率はタイ
マー回路よりも低い。このため、本実施形態の出力回路
装置は、タイマー回路を有する出力回路に比べて信頼性
が高くなっている。
〜4の実施形態に係る出力回路装置と同様に同一チップ
内に集積化することができる。これにより、出力回路装
置を有する機器のサイズの縮小化も図ることができる。
MISトランジスタ6及び参照用MISトランジスタ1
8にはPチャネル型トランジスタが用いられたが、これ
に代えてNチャネル型トランジスタを用いてもよい。
を用いる場合の本実施形態の出力回路装置の構成を示す
図である。同図に示すように、出力用MISトランジス
タ6及び参照用MISトランジスタ18をNチャネル型
MISトランジスタで構成した場合には、第2の実施形
態のように、主電源供給部に加えて主電源供給部よりも
高い電圧を供給可能な第2の電源供給部21を設けると
共に、SR型FFの出力部(Q)からの出力を出力用M
ISトランジスタ6のゲート電極に印加すればよい。
て、参照用MISトランジスタ18は1つであるが、第
3の実施形態のように、複数の参照用MISトランジス
タを互いに直列に設けてもよい。これにより、消費電力
の低減を図ることができる。加えて、出力用MISトラ
ンジスタと参照用MISトランジスタの電気的特性を揃
えることができるので、両トランジスタの相対比を取る
ことで出力電流の制限を精度良く実現することが可能に
なる。
力用MISトランジスタ6のオン・オフを制御するため
のラッチ回路としてSR型フリップフロップを用いた
が、これに限らず、D型フリップフロップによりラッチ
回路を構成してもよいし、J−K型フリップフロップに
よりラッチ回路を構成してもよい。
MISトランジスタと電源供給部との間に電流検出用の
抵抗体を挿入することなく、出力電流を制限することが
できる。特に、相対比の良い出力用MISトランジスタ
と参照用MISトランジスタのオン抵抗を調節すること
により、出力電流の検出レベルを所望の値に設定するこ
とや、バイアス電流の低減による省電力化を図ることが
できる。また、参照用MISトランジスタの個数を変更
することによっても、出力電流の検出レベルを変えた
り、バイアス電流を低減したりすることができる。ま
た、サイズの大きい電流検出用の抵抗体を不要にしたの
で、本実施形態の出力回路装置は1つのチップに集積化
することができる。
構成を示す回路図である。
における各部の電圧または電流波形のタイミングチャー
トを示す図である。
構成を示す回路図である。
た場合の第2の実施形態に係る出力回路装置の構成を示
す回路図である。
いた場合の第2の実施形態に係る出力回路装置の構成を
示す回路図である。
構成を示す回路図である。
構成を示す回路図である。
構成を示す回路図である。
Nチャネル型MISトランジスタを用いた場合の構成を
示す回路図である。
力回路装置における各部の電圧または電流波形のタイミ
ングチャートを示す図である。
る。
ける各部の電圧または電流波形のタイミングチャートを
示す図である。
9)
ンパレータの出力信号によりリセット状態にされ,上記
パルス発生器の出力信号によりセット状態にされるラッ
チ回路とを有し、上記ラッチ回路の出力信号で上記出力
用MISトランジスタをスイッチング制御することによ
り、スイッチ回路を用いる場合に比べてコイル等の電磁
誘導に起因する飛来ノイズの影響を受けにくい出力用M
ISトランジスタの制御を実現することができる。
直列に接続された複数のMISトランジスタから構成さ
れていることにより、参照用MISトランジスタと出力
用トランジスタとのオン抵抗の相対比を参照用MISト
ランジスタの個数で調節することができるので、直列接
続するMISトランジスタの個数に応じて出力電流を検
出するレベルを調節することも、バイアス電流を削減す
ることも可能になる。また、オン抵抗の相対比を確保し
ながら、出力電流を精度良く検出して出力用MISトラ
ンジスタに流れる出力電流値を制限することもできる。
これにより、出力用MISトランジスタを保護すること
ができる。
用MISトランジスタとは共に同一チップ内に集積化さ
れて設けられていることにより、装置面積を縮小するこ
とができると共に、製造工程を共通にすることで出力用
MISトランジスタと参照用MISトランジスタの電気
的特性を揃えることができる。そのため、例えば各MI
Sトランジスタのゲート幅を調節することでオン抵抗の
相対比を調節することができるようになる。その結果、
出力電流の制限値を精度良く微調整することが可能にな
る。また、例えば出力用MISトランジスタのゲート幅
を参照用MISトランジスタのゲート幅よりも大きくす
ることで、参照用MISトランジスタに流れるバイアス
電流を出力電流に比べて小さくすることができるので、
一層の省電力化を図ることができる。
状態が続くと、出力端子電圧Voutが徐々に低下し、
やがて参照電圧Vrefよりも低下する。すると、コン
パレータ10の出力がハイレベルになる。このT3時点
では、論理回路17の禁止機能が働いていないため、論
理回路17はコンパレータ10の出力に応じてハイレベ
ルの信号を出力する。すると、タイマー回路11が動作
してハイレベルを一定期間出力する。ここで、タイマー
回路11がハイレベルを出力するT3からT5までの期
間中、スイッチ回路13が切り替わり、出力用MISト
ランジスタ6の制御電圧VGは、強制的にハイレベルに
される。その結果、出力用MISトランジスタ6がタイ
マー回路の動作で決定される所定時間の間オフするた
め、出力用MISトランジスタ6での電力消費が無くな
り、コイル3を流れる電流は、目標値をやや越えたとこ
ろから徐々に低下する。これにより、出力用MISトラ
ンジスタ6は過大電流から保護される。
態に係る出力回路装置として、制御回路にラッチ回路と
してのセット・リセット機能を有するフリップフロップ
(以下、SR型FFと称する)を用いた例について説明
する。
Claims (19)
- 【請求項1】 外部の負荷回路に電力を供給するための
出力ノードと、 第1の電源供給部と、 上記第1の電源供給部と上記出力ノードとの間に介設さ
れ、上記出力ノードへの上記電力の供給をオンまたはオ
フにするための出力用MISトランジスタと、 電流供給部と、 上記電流供給部に接続された参照ノードと、 上記電源供給部と上記参照ノードとの間に介設され、抵
抗体として機能するように一定電圧が印加されるゲート
電極を有する参照用MISトランジスタと、 入力部が上記参照ノードと上記出力ノードに接続された
コンパレータと、 上記コンパレータの出力部に接続され、少なくとも上記
出力ノードの電位が上記参照ノードの電位を下回った際
に上記出力用MISトランジスタを所定期間オフにする
ように上記出力用MISトランジスタのオン・オフを制
御するための制御回路とを備えている出力回路装置。 - 【請求項2】 請求項1に記載の出力回路装置におい
て、 上記第1の電源供給部と上記出力用MISトランジスタ
との間には、上記出力ノードから出力される出力電流を
モニターするための抵抗体が設けられていないことを特
徴とする出力回路装置。 - 【請求項3】 請求項1または2に記載の出力回路装置
において、 上記出力用MISトランジスタ及び参照用MISトラン
ジスタはゲート電極を有するPチャネル型MISトラン
ジスタであることを特徴とする出力回路装置。 - 【請求項4】 請求項1〜3のうちいずれか1つに記載
の出力回路装置において、 上記制御回路は、 上記第1の電源供給部からの電源供給により作動する駆
動回路と、 上記コンパレータの出力信号に応じて、上記駆動回路の
出力信号が上記出力用MISトランジスタのゲート電極
に入力されるか、遮断されるかを切り換えるためのスイ
ッチ回路とを有していることを特徴とする出力回路装
置。 - 【請求項5】 請求項3に記載の出力回路装置におい
て、 上記スイッチ回路は、上記出力ノードの電位が上記参照
ノードの電位より高い時には、上記駆動回路の出力信号
が上記出力用MISトランジスタのゲート電極に印加さ
れ、上記出力ノードの電位が上記参照ノードの電位を下
回った時には、所定期間上記第1の電源供給部の電圧が
上記出力用MISトランジスタのゲート電極に印加され
るように切り換えることを特徴とする出力回路装置。 - 【請求項6】 請求項3に記載の出力回路装置におい
て、 上記制御回路は、 パルス発生器と、 上記コンパレータの出力信号によりリセット状態にさ
れ,上記パルス発生器の出力信号によりセット状態にさ
れるラッチ回路とを有し、 上記ラッチ回路の出力信号で上記出力用MISトランジ
スタをスイッチング制御することを特徴とする出力回路
装置。 - 【請求項7】 請求項6に記載の出力回路装置におい
て、 上記ラッチ回路は、SR型フリップフロップであること
を特徴とする出力回路装置。 - 【請求項8】 請求項1または2に記載の出力回路装置
において、 上記出力用MISトランジスタ及び参照用MISトラン
ジスタはゲート電極を有するNチャネル型MISトラン
ジスタであり、 上記第1の電源供給部よりも高い電圧を、少なくとも上
記参照用MISトランジスタのゲート電極に与えるため
の第2の電源供給部をさらに備えることを特徴とする出
力回路装置。 - 【請求項9】 請求項8に記載の出力回路装置におい
て、 上記第2の電源供給部は昇圧回路を有していることを特
徴とする出力回路装置。 - 【請求項10】 請求項9に記載の出力回路装置におい
て、 上記昇圧回路はブートストラップ回路またはチャージポ
ンプ回路であることを特徴とする出力回路装置。 - 【請求項11】 請求項8〜10のうちいずれか1つに
記載の出力回路装置おいて、 上記制御回路は、 上記第2の電源供給部からの電源供給により作動する駆
動回路と、 上記コンパレータの出力信号に応じて、上記駆動回路の
出力信号が上記出力用MISトランジスタのゲート電極
に入力されるか、遮断されるかを切り換えるためのスイ
ッチ回路とを有していることを特徴とする出力回路装
置。 - 【請求項12】 請求項11に記載の出力回路装置おい
て、 上記出力ノードの電位が上記参照ノードの電位を下回っ
た際には、上記出力用MISトランジスタのゲート電極
に所定期間接地電位が印加されることを特徴とする出力
回路装置。 - 【請求項13】 請求項8〜10のうちいずれか1つに
記載の出力回路装置において、 上記制御回路は、 パルス発生器と、 上記コンパレータの出力信号によりリセット状態にさ
れ、上記パルス発生器の出力信号によりセット状態にさ
れるラッチ回路とを有し、 上記ラッチ回路の出力信号で上記出力用MISトランジ
スタをスイッチング制御することを特徴とする出力回路
装置。 - 【請求項14】 請求項13に記載の出力回路装置にお
いて、 上記ラッチ回路は、SR型フリップフロップであること
を特徴とする出力回路装置。 - 【請求項15】 請求項1〜14のうちいずれか1つに
記載の出力回路装置において、 上記参照用MISトランジスタは、互いに直列に接続さ
れた複数のMISトランジスタから構成されていること
を特徴とする出力回路装置。 - 【請求項16】 請求項1〜15のうちいずれか1つに
記載の出力回路装置において、 上記出力用MISトランジスタと上記参照用MISトラ
ンジスタとは共に同一チップ内に集積化されて設けられ
ていることを特徴とする出力回路装置。 - 【請求項17】 外部の負荷回路に電力を供給するため
の出力ノードと、 第1の電源供給部と、 上記第1の電源供給部と上記出力ノードとの間に介設さ
れ、上記出力ノードへの上記電力の供給をオンまたはオ
フにするための出力用MISトランジスタと、 電流供給部と、 上記電流供給部に接続された参照ノードと、 上記電源供給部と上記参照ノードとの間に介設され、抵
抗体として機能するように一定電圧が印加されるゲート
電極を有すると共に上記出力用MISトランジスタと同
一チップ内に集積化された参照用MISトランジスタ
と、 入力部が上記参照ノードと上記出力ノードに接続された
コンパレータと、 上記コンパレータの出力部に接続され、少なくとも上記
出力ノードの電位が上記参照ノードの電位を下回った際
に上記出力用MISトランジスタを所定期間オフにする
ように上記出力用MISトランジスタのオン・オフを制
御する制御回路とを備えている出力回路装置。 - 【請求項18】 請求項17に記載の出力回路装置にお
いて、 上記出力用MISトランジスタのゲート幅が上記参照用
MISトランジスタのゲート幅よりも大きいことを特徴
とする出力回路装置。 - 【請求項19】 請求項17または18に記載の出力回
路装置において、 上記第1の電源供給部よりも高い電圧を上記参照用MI
Sトランジスタのゲート電極に供給するための第2の電
源供給部をさらに備えることを特徴とする出力回路装
置。
Priority Applications (4)
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|---|---|---|---|
| JP2002062036A JP2003264455A (ja) | 2002-03-07 | 2002-03-07 | 出力回路装置 |
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