JP2003267548A - 非接触縦型焼成（乾燥）炉 - Google Patents
非接触縦型焼成（乾燥）炉Info
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- JP2003267548A JP2003267548A JP2002121490A JP2002121490A JP2003267548A JP 2003267548 A JP2003267548 A JP 2003267548A JP 2002121490 A JP2002121490 A JP 2002121490A JP 2002121490 A JP2002121490 A JP 2002121490A JP 2003267548 A JP2003267548 A JP 2003267548A
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- 238000001035 drying Methods 0.000 title claims abstract description 37
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 82
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 81
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims abstract description 55
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 23
- 230000035699 permeability Effects 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 4
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 abstract 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 238000005339 levitation Methods 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 101100321669 Fagopyrum esculentum FA02 gene Proteins 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 2
- 101100321670 Fagopyrum esculentum FA18 gene Proteins 0.000 description 1
- 101000917858 Homo sapiens Low affinity immunoglobulin gamma Fc region receptor III-A Proteins 0.000 description 1
- 101000917839 Homo sapiens Low affinity immunoglobulin gamma Fc region receptor III-B Proteins 0.000 description 1
- 101000836394 Homo sapiens Sestrin-1 Proteins 0.000 description 1
- 102100029185 Low affinity immunoglobulin gamma Fc region receptor III-B Human genes 0.000 description 1
- 102100027288 Sestrin-1 Human genes 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 238000007665 sagging Methods 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Drying Of Solid Materials (AREA)
- Tunnel Furnaces (AREA)
- Furnace Charging Or Discharging (AREA)
- Furnace Details (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 現在のマルチ・チャンバー形式の焼成（乾
燥）炉では、流れてくるガラス基板をロボツト・ハンド
に具備した先端が鋭角のセラミツクスで救いとり焼成炉
内え挿入している。また液晶ガラス基板のサイズが１ｍ
角に近ずくと、ガラス基板の撓みを防ぐため、ガラス基
板の中間部に先端が鋭角で出来たセラミツクスの撓み防
止材に騎乗させて焼成している。ガラス基板が僅かでも
移動するとガラス基板に傷や汚れを発生さす。また、焼
成中に発生する有機ガスの排気が十分でないため、有機
ガスのガラス基板えの再付着が発生している。 【解決手段】 本発明の非接触縦型の焼成（乾燥）炉で
あれば焼成工程では非接触連続搬送が出来るので、ガラ
ス基板の炉内えの出し入れにロボツトの必要性がなく、
焼成が連続的に行える。異サイズのガラス基板が流れて
きても１台の焼成（乾燥）炉で対応出米経済的である。
８０°の角度でガラス基板を焼成しているので、ガラス
基板が大型化しても装置のフツト・プリントは増大しな
い。勿論、有機性ガスによる排気が容易であるのでトラ
ブルは無い。
燥）炉では、流れてくるガラス基板をロボツト・ハンド
に具備した先端が鋭角のセラミツクスで救いとり焼成炉
内え挿入している。また液晶ガラス基板のサイズが１ｍ
角に近ずくと、ガラス基板の撓みを防ぐため、ガラス基
板の中間部に先端が鋭角で出来たセラミツクスの撓み防
止材に騎乗させて焼成している。ガラス基板が僅かでも
移動するとガラス基板に傷や汚れを発生さす。また、焼
成中に発生する有機ガスの排気が十分でないため、有機
ガスのガラス基板えの再付着が発生している。 【解決手段】 本発明の非接触縦型の焼成（乾燥）炉で
あれば焼成工程では非接触連続搬送が出来るので、ガラ
ス基板の炉内えの出し入れにロボツトの必要性がなく、
焼成が連続的に行える。異サイズのガラス基板が流れて
きても１台の焼成（乾燥）炉で対応出米経済的である。
８０°の角度でガラス基板を焼成しているので、ガラス
基板が大型化しても装置のフツト・プリントは増大しな
い。勿論、有機性ガスによる排気が容易であるのでトラ
ブルは無い。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置のガ
ラス基板などの焼成（乾燥）炉に関するものである。
ラス基板などの焼成（乾燥）炉に関するものである。
【従来の技術】ＬＣＤ製造プロセスには、洗浄工程と同
等以上の加熱工程がある。洗浄後の乾燥、レジスト塗布
後のプリペーク、配合膜塗布後の焼成、硬化等に用いら
れる。一搬に液晶ガラス基板のサイズが小型の場合、運
搬にはバツチ方式が取られるが、サイズが大型になると
枚葉式（水平搬送）が行われる。
等以上の加熱工程がある。洗浄後の乾燥、レジスト塗布
後のプリペーク、配合膜塗布後の焼成、硬化等に用いら
れる。一搬に液晶ガラス基板のサイズが小型の場合、運
搬にはバツチ方式が取られるが、サイズが大型になると
枚葉式（水平搬送）が行われる。
【０００２】運ばれて来た液晶ガラス基板は、ロボツト
・ハンドにより多段バツチ構造（図４参照）に挿入さ
れ、加熱後は再びロボツト・ハンドに騎乗され取り出さ
れ、搬送ラインに流されている。
・ハンドにより多段バツチ構造（図４参照）に挿入さ
れ、加熱後は再びロボツト・ハンドに騎乗され取り出さ
れ、搬送ラインに流されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】液晶ガラス基板の大型
化の最大のネツクは、ガラス自身の自重による撓みの発
生である。この大型液晶ガラス基板を搬送ローラーに騎
乗させ、搬送を行うが、搬送ローラーの異常振動による
破損や、ローラー痕によるガラス基板の汚れのため歩留
りを悪くする。
化の最大のネツクは、ガラス自身の自重による撓みの発
生である。この大型液晶ガラス基板を搬送ローラーに騎
乗させ、搬送を行うが、搬送ローラーの異常振動による
破損や、ローラー痕によるガラス基板の汚れのため歩留
りを悪くする。
【０００４】搬送ローラーによつて運ばれて来た液晶ガ
ラス基板を、炉内に挿入する際ロボツト・ハンド上に装
備されたセラミツクスの△型の凸起物で支持され炉内え
搬入、搬出される。その際液晶ガラス基板の裏面にセラ
ミツクスの凸起物による傷が発生している。
ラス基板を、炉内に挿入する際ロボツト・ハンド上に装
備されたセラミツクスの△型の凸起物で支持され炉内え
搬入、搬出される。その際液晶ガラス基板の裏面にセラ
ミツクスの凸起物による傷が発生している。
【０００５】その際液晶ガラス基板の撓みをなくして搬
送するには、ガラス基板を垂直に立てて搬送すればよ
い、何故ならガラス基板の重さをガラス自身が支持する
からである。しかし、垂直搬送はガラス基板が右左に振
れて不安定である。それで、この焼成（乾燥）炉内での
液晶ガラス基板の搬送では、８０°の角度で搬送する事
にしている。８０°の角度で搬送を行えばガラス基板に
僅かの撓みが発生する、この撓みにたいして図２に示す
浮上ユニツトで防止し非接触状態で焼成（乾燥）でき
る。そうすれば液晶ガラス基板の枚葉搬送の際の破損、
汚れの原因である搬送ローラーを排除できる。
送するには、ガラス基板を垂直に立てて搬送すればよ
い、何故ならガラス基板の重さをガラス自身が支持する
からである。しかし、垂直搬送はガラス基板が右左に振
れて不安定である。それで、この焼成（乾燥）炉内での
液晶ガラス基板の搬送では、８０°の角度で搬送する事
にしている。８０°の角度で搬送を行えばガラス基板に
僅かの撓みが発生する、この撓みにたいして図２に示す
浮上ユニツトで防止し非接触状態で焼成（乾燥）でき
る。そうすれば液晶ガラス基板の枚葉搬送の際の破損、
汚れの原因である搬送ローラーを排除できる。
【０００６】液晶ガラス基板を焼成（乾燥）炉内えロボ
ツト・ハンドで出し入れする際、焼成（乾燥）炉の扉を
解放しなければならない、その時炉内の高温の気体を炉
外え逃がし炉内の温度が低下し、焼成温度が一定しな
い。本発明の非接触縦型焼成（乾燥）炉であれば、炉の
扉を解放することが無いため、炉内の温度は常に一定で
ある。
ツト・ハンドで出し入れする際、焼成（乾燥）炉の扉を
解放しなければならない、その時炉内の高温の気体を炉
外え逃がし炉内の温度が低下し、焼成温度が一定しな
い。本発明の非接触縦型焼成（乾燥）炉であれば、炉の
扉を解放することが無いため、炉内の温度は常に一定で
ある。
【０００７】
【発明の実施の形態】基本的には液晶ガラス基板を８０
°の角度に傾斜させ、搬送力はガラス基板の底辺に設け
られた搬送ローラーで搬送する。他のガラス基板部を非
接触の状態に維持するため、多孔質セラミツクスを組み
込んだ浮上ユニツトを利用する。
°の角度に傾斜させ、搬送力はガラス基板の底辺に設け
られた搬送ローラーで搬送する。他のガラス基板部を非
接触の状態に維持するため、多孔質セラミツクスを組み
込んだ浮上ユニツトを利用する。
【０００８】この傾斜した液晶ガラス基板の表面および
裏面に近接する位置に遠赤外線ヒーター（ホツト・プレ
ート）を装備し焼成（乾燥）を行う。
裏面に近接する位置に遠赤外線ヒーター（ホツト・プレ
ート）を装備し焼成（乾燥）を行う。
【０００９】この形式の炉であれば、トラバーサーによ
り非接触で８０°の角度で搬送されてきた液晶ガラス基
板の流れが連續的で、ガラス基板の炉えの出し入れの為
のロボツトは必要無い。この様式であれば、液晶ガラス
基板の傷、破損、汚れが防げる。
り非接触で８０°の角度で搬送されてきた液晶ガラス基
板の流れが連續的で、ガラス基板の炉えの出し入れの為
のロボツトは必要無い。この様式であれば、液晶ガラス
基板の傷、破損、汚れが防げる。
【００１０】液晶ガラス基板が大型化すると、搬送にし
ろ焼成（乾燥）にしろ必然的にフツト・プリントが増大
することである。また異サイズの液晶ガラス基板を処理
する場合は、それぞれのガラス基板のサイズにあつた装
置を準備しなければならない。この非接触縦型焼成（乾
燥）炉であれば、１台の焼成（乾燥）炉でサイズの異な
る液晶ガラス基板に対応出来るともに、装置の大型化が
防げる。この事は、高価なクリーン・ルームの建屋面積
の減少に繋がる。
ろ焼成（乾燥）にしろ必然的にフツト・プリントが増大
することである。また異サイズの液晶ガラス基板を処理
する場合は、それぞれのガラス基板のサイズにあつた装
置を準備しなければならない。この非接触縦型焼成（乾
燥）炉であれば、１台の焼成（乾燥）炉でサイズの異な
る液晶ガラス基板に対応出来るともに、装置の大型化が
防げる。この事は、高価なクリーン・ルームの建屋面積
の減少に繋がる。
【００１１】
【発明の形態】発明の実施の形態を実施例にもとずき図
面を参照して説明する。図１は８０°に傾斜した液晶ガ
ラス基板１を高温気体（１００°〜３００°）で非接触
状態を作り出すための浮上ユニツト９の構造図である。
面を参照して説明する。図１は８０°に傾斜した液晶ガ
ラス基板１を高温気体（１００°〜３００°）で非接触
状態を作り出すための浮上ユニツト９の構造図である。
【００１２】金属製の高温空気導入管１０を通うして高
温空気５は浮上ユニツト９のチャンバー８内に圧入され
る。（高温空気発生装置は省略）ケース３に組み込まれ
た多孔質セラミツクス２の細孔を通して、高温空気は外
部に排出される。その際多孔質セラミツクス２の表面に
液晶ガラス基板１との間に高温気体膜４を形成し、液晶
ガラス基板との間に非接触状態を作り出す。この事が非
接触の原理である。
温空気５は浮上ユニツト９のチャンバー８内に圧入され
る。（高温空気発生装置は省略）ケース３に組み込まれ
た多孔質セラミツクス２の細孔を通して、高温空気は外
部に排出される。その際多孔質セラミツクス２の表面に
液晶ガラス基板１との間に高温気体膜４を形成し、液晶
ガラス基板との間に非接触状態を作り出す。この事が非
接触の原理である。
【００１３】高温空気発生装置を使用しない場合は、ヒ
ーター６をチヤンバー８内に組み込む事がある、なお７
はヒーター６用の電線である。
ーター６をチヤンバー８内に組み込む事がある、なお７
はヒーター６用の電線である。
【００１４】図１は非接触の原理図であるが、図２は焼
成（乾燥）炉内の非接触状態での搬送装置の断面図であ
る。（ここでは加熱用ヒーター類は省略）
成（乾燥）炉内の非接触状態での搬送装置の断面図であ
る。（ここでは加熱用ヒーター類は省略）
【００１５】（９０°−θ）＝８０°に傾斜した液晶ガ
ラス基板１の下部は搬送用ローラー１２に騎乗してい
る。液晶ガラス基板１の上部は回転コロ１１で支持され
てる。ガラス基板１に発生する撓みを浮上ユニツト９の
表面で発生する高温気体膜４で支持する。
ラス基板１の下部は搬送用ローラー１２に騎乗してい
る。液晶ガラス基板１の上部は回転コロ１１で支持され
てる。ガラス基板１に発生する撓みを浮上ユニツト９の
表面で発生する高温気体膜４で支持する。
【００１６】液晶ガラス基板１の搬送力は搬送ローラー
１２の回転力を使用する。搬送ローラー１２のシャフト
１９は炉外壁１７に施置されたボール・ベアリング１３
で支持されている。シャフト１９の駆動力は炉外のモー
ター１６で行う。液晶ガラス基板１の移動方向の搬送ロ
ーラー１２はシャフト１９に装備されたコンベア・ベル
トおよびベルト・プリー１４で行う。
１２の回転力を使用する。搬送ローラー１２のシャフト
１９は炉外壁１７に施置されたボール・ベアリング１３
で支持されている。シャフト１９の駆動力は炉外のモー
ター１６で行う。液晶ガラス基板１の移動方向の搬送ロ
ーラー１２はシャフト１９に装備されたコンベア・ベル
トおよびベルト・プリー１４で行う。
【００１７】図３は非接触縦型焼成（乾燥）炉２０の断
面図である。図２の非接触縦型装置に焼成（乾燥）用の
遠赤外線ヒーター（ホツト・プレート）２２を装備した
焼成（乾燥）炉である。炉内の温度は１００°〜２５０
°の高温であるので外壁は断熱材１７で保温されてい
る。
面図である。図２の非接触縦型装置に焼成（乾燥）用の
遠赤外線ヒーター（ホツト・プレート）２２を装備した
焼成（乾燥）炉である。炉内の温度は１００°〜２５０
°の高温であるので外壁は断熱材１７で保温されてい
る。
【００１８】乾燥工程でわなく液晶ガラス基板１のレジ
スト塗布後の配合膜焼成、硬化では液晶ガラス基板１の
表面の加工であるので、遠赤外線ヒーター（ホツト・プ
レート）２２を液晶ガラス基板１の表面に近接して設置
する。この遠赤外線ヒーター（ホツト・プレート）２２
は、（９０°−θ）＝８０°の角度で設置された遠赤外
線ヒーター（ホツト・プレート）保持材２１にて保持さ
れている。（遠赤外線ヒーター等の配線は省略）
スト塗布後の配合膜焼成、硬化では液晶ガラス基板１の
表面の加工であるので、遠赤外線ヒーター（ホツト・プ
レート）２２を液晶ガラス基板１の表面に近接して設置
する。この遠赤外線ヒーター（ホツト・プレート）２２
は、（９０°−θ）＝８０°の角度で設置された遠赤外
線ヒーター（ホツト・プレート）保持材２１にて保持さ
れている。（遠赤外線ヒーター等の配線は省略）
【００１９】現在使用されている焼成（乾燥）炉は図４
に示すような多段形式である。液晶ガラス基盤１の焼
成、硬化時、塗布材の有機性ガスが発生し、その有機性
ガスを排出するためエア供給ダクト３４、排気ダクト３
５を設けて高温空気をおくつている。排気が十分でない
と、有機性ガスが液晶ガラス基板に再付着してトラブル
の原因となつている。また各チヤンバーに平均に高温空
気を送るのが難しい。
に示すような多段形式である。液晶ガラス基盤１の焼
成、硬化時、塗布材の有機性ガスが発生し、その有機性
ガスを排出するためエア供給ダクト３４、排気ダクト３
５を設けて高温空気をおくつている。排気が十分でない
と、有機性ガスが液晶ガラス基板に再付着してトラブル
の原因となつている。また各チヤンバーに平均に高温空
気を送るのが難しい。
【００２０】本焼成（乾燥）炉２０の様に、液晶ガラス
基板１を立てた状態で焼成、硬化を行えば、液晶ガラス
基板の処理面より発生する有機性ガスは上部に上昇し、
ガスの液晶ガラス基板えの再付着は考えられない。炉内
の発生有機性ガスを抜くために、炉の下部に吸気口２３
および上部に排気口２４を設けている。
基板１を立てた状態で焼成、硬化を行えば、液晶ガラス
基板の処理面より発生する有機性ガスは上部に上昇し、
ガスの液晶ガラス基板えの再付着は考えられない。炉内
の発生有機性ガスを抜くために、炉の下部に吸気口２３
および上部に排気口２４を設けている。
【００２１】液晶ガラス基板１の乾燥ではガラス基板両
面乾燥であるので、液晶ガラス基板１の裏面にも遠赤外
線ヒーター（ホツト・プレート）２２を浮上ユニツト保
持材１８の面に装備しなければならない。この場合液晶
ガラス基板１の両面に遠赤外線ヒーター（ホツト・プレ
ート）２２が装備される事となる。
面乾燥であるので、液晶ガラス基板１の裏面にも遠赤外
線ヒーター（ホツト・プレート）２２を浮上ユニツト保
持材１８の面に装備しなければならない。この場合液晶
ガラス基板１の両面に遠赤外線ヒーター（ホツト・プレ
ート）２２が装備される事となる。
【００２２】図４は現在使用されているマルチ・チヤン
バー型の焼成（乾燥）炉３０である。コンベア・ローラ
ーで流れてきた（水平枚葉搬送）液晶ガラス基板１を、
ロボツト・ハンドですくい取られ、炉内え挿入される。
炉内は高温であるので真空の吸着パツトは使用に耐えな
い。
バー型の焼成（乾燥）炉３０である。コンベア・ローラ
ーで流れてきた（水平枚葉搬送）液晶ガラス基板１を、
ロボツト・ハンドですくい取られ、炉内え挿入される。
炉内は高温であるので真空の吸着パツトは使用に耐えな
い。
【００２３】液晶ガラス基板１が小型の場合はガラス基
板の中央部には撓みは発生しないが、液晶ガラス基板１
が１ｍ角に近ずくと中央部に約８０ｍｍの撓みが発生す
る。それ故図４のマルチ・チャンバー焼成（乾燥）炉３
０の２段目に示すようなセラミツクス材の撓み防止材３
８を装備しなければならない。この先端が鋭角のセラミ
ツクス防止材３０がガラス基板１の裏面を傷つけ歩留り
を悪くする。この非接触縦型焼成（乾燥）炉２０にはそ
の心配がない。
板の中央部には撓みは発生しないが、液晶ガラス基板１
が１ｍ角に近ずくと中央部に約８０ｍｍの撓みが発生す
る。それ故図４のマルチ・チャンバー焼成（乾燥）炉３
０の２段目に示すようなセラミツクス材の撓み防止材３
８を装備しなければならない。この先端が鋭角のセラミ
ツクス防止材３０がガラス基板１の裏面を傷つけ歩留り
を悪くする。この非接触縦型焼成（乾燥）炉２０にはそ
の心配がない。
【００２４】図５は非接触状態で液晶ガラス基板１が８
０°の角度でトラバーサー（図省略）で維持され、焼成
（乾燥）炉２０内え挿入されるフローパタンを図面化し
た傾斜図である。液晶ガラス基板１は炉の左端の挿入口
より炉内え搬入される、炉内の搬送力は搬送ローラー１
２駆動用モーター１６で行う。この時液晶ガラス基板１
は浮上ユニツト３で非接触状態が維持されている。炉内
を液晶ガラス基板１が流れる間に遠赤外線ヒーター（ホ
ツト・ヒーター）２２により焼成（乾燥）が行われる。
焼成炉内部の加熱装置の配線は省略している。もちろ
ん、液晶ガラス基板１の炉外えの送り出しのためのトラ
バーサーが準備されなければならない。非接触縦型焼成
（乾燥）炉２０内の発生有機ガスを排気するための高温
空気吸気口２３が下部に、排気口２４が上部に設けられ
ている。
０°の角度でトラバーサー（図省略）で維持され、焼成
（乾燥）炉２０内え挿入されるフローパタンを図面化し
た傾斜図である。液晶ガラス基板１は炉の左端の挿入口
より炉内え搬入される、炉内の搬送力は搬送ローラー１
２駆動用モーター１６で行う。この時液晶ガラス基板１
は浮上ユニツト３で非接触状態が維持されている。炉内
を液晶ガラス基板１が流れる間に遠赤外線ヒーター（ホ
ツト・ヒーター）２２により焼成（乾燥）が行われる。
焼成炉内部の加熱装置の配線は省略している。もちろ
ん、液晶ガラス基板１の炉外えの送り出しのためのトラ
バーサーが準備されなければならない。非接触縦型焼成
（乾燥）炉２０内の発生有機ガスを排気するための高温
空気吸気口２３が下部に、排気口２４が上部に設けられ
ている。
【００２５】
【図１】液晶ガラス基板非接触の原理図
【図２】焼成（乾燥）炉内の非接触縦型搬送装置の断面
図
図
【図３】液晶ガラス基板非接触縦型焼成（乾燥）炉の断
面図
面図
【図４】多段式マルチ・チャンバー焼成（乾燥）炉
【図５】液晶ガラス基板の焼成炉内えの移載傾斜図
１ 液晶ガラス基板 １３ ベアリング
２ 多孔質セラミツクス １４ プリー
３ 浮上ユニツト １５ ベルト
４ 高温気体膜 １６ モター
５ 高温気体 １７ 断熱材
６ ヒーター １８ 浮上ユニツ
ト保持材 ７ ヒーター用電線 １９ シャフト ８ チャンバー ２０ 焼成（乾
燥）炉 ９ ケース ２１ 遠赤外線ヒ
ーター保持材 １０ 金属パイプ ２２ 遠赤外線
ヒーター １１ 回転コロ ２３ 吸気口 １２ 搬送用ローラー ２４ 排気口 ３０ マルチ・チャンバー焼成（乾燥）炉 ３２ ガラス基板支持管 ３３ 放射加熱 ３４ エアー供給ダクト ３５ 排気ダクト ３６ 断熱保温材 ３７ 壁外壁パネル ３８ 撓み防止材 ４１ 液晶ガラス基板排出口
ト保持材 ７ ヒーター用電線 １９ シャフト ８ チャンバー ２０ 焼成（乾
燥）炉 ９ ケース ２１ 遠赤外線ヒ
ーター保持材 １０ 金属パイプ ２２ 遠赤外線
ヒーター １１ 回転コロ ２３ 吸気口 １２ 搬送用ローラー ２４ 排気口 ３０ マルチ・チャンバー焼成（乾燥）炉 ３２ ガラス基板支持管 ３３ 放射加熱 ３４ エアー供給ダクト ３５ 排気ダクト ３６ 断熱保温材 ３７ 壁外壁パネル ３８ 撓み防止材 ４１ 液晶ガラス基板排出口
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｆ２７Ｄ 5/00 Ｆ２７Ｄ 5/00 ５Ｆ０３１
7/02 7/02 Ａ
11/02 11/02 Ａ
Ｇ０２Ｆ 1/13 １０１ Ｇ０２Ｆ 1/13 １０１
Ｈ０１Ｌ 21/68 Ｈ０１Ｌ 21/68 Ａ
Ｆターム(参考） 2H088 FA17 FA21 FA30 HA01 MA20
3L113 AA03 AB06 AC10 AC36 BA34
DA04
4K050 AA04 AA05 BA07 BA17 CA07
CD06 CD16 CF06 CF16 CG04
4K055 AA00 NA04
4K063 AA06 AA12 DA01 DA13 DA15
DA24 FA02
5F031 CA05 FA02 FA07 FA18 GA51
GA53 GA62 MA30 PA26
Claims (5)
- 【請求項１】通気性を有する多孔質セラミツクスを組み
込んだ圧力容器より、高温気体（１００°〜３００°）
を噴気させ、多孔質セラミツクスの表面に形成される高
温気体膜で液晶ガラス基板を浮上させる圧力ユニツト。 - 【請求項２】少なくとも１つの平面部を有する圧力ユニ
ツトを設け、圧力ユニツトの平面部が傾斜あるいは垂直
になるようにし、前記圧力ユニツトより噴出される高温
気体により液晶ガラス基板が支持されるともに、液晶ガ
ラス基板の下端部を搬送ローラーで支持搬送する手段を
設けた焼成（乾燥）炉。 - 【請求項３】圧力ユニツトにより支持され、傾斜されて
搬送されている液晶ガラス基板の表面または両面を焼成
（乾燥）するために設けた、遠赤外線ヒーターまたはホ
ツト・プレートを具備する焼成（乾燥）炉。 - 【請求項４】液晶ガラス基板の焼成（乾燥）中に発生す
る有機性ガスを排気するため、炉内の温度と同じ高温気
体を供給、排気するための機構を備えた焼成（乾燥）
炉。 - 【請求項５】遠赤外線ヒーターの代わりに、高温空気を
送り込む装備を具備した焼成（乾燥）炉。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002121490A JP2003267548A (ja) | 2002-03-18 | 2002-03-18 | 非接触縦型焼成（乾燥）炉 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002121490A JP2003267548A (ja) | 2002-03-18 | 2002-03-18 | 非接触縦型焼成（乾燥）炉 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003267548A true JP2003267548A (ja) | 2003-09-25 |
Family
ID=29208077
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002121490A Pending JP2003267548A (ja) | 2002-03-18 | 2002-03-18 | 非接触縦型焼成（乾燥）炉 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003267548A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
2002
- 2002-03-18 JP JP2002121490A patent/JP2003267548A/ja active Pending
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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| A02 | Decision of refusal |
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