JP2003270395A - 放射線画像変換パネル - Google Patents

放射線画像変換パネル

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JP2003270395A
JP2003270395A JP2002066693A JP2002066693A JP2003270395A JP 2003270395 A JP2003270395 A JP 2003270395A JP 2002066693 A JP2002066693 A JP 2002066693A JP 2002066693 A JP2002066693 A JP 2002066693A JP 2003270395 A JP2003270395 A JP 2003270395A
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JP2002066693A
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Osamu Morikawa
修 森川
Satoru Honda
哲 本田
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Konica Minolta Inc
Original Assignee
Konica Minolta Inc
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 蛍光体輝度の低下が無く、且つ、剛性の点で
優れ、画像読みとり時の振動による横筋発生がない放射
線画像変換パネルの提供。 【解決手段】 支持体上に輝尽性蛍光体層を有する放射
線画像変換パネルにおいて、支持体と輝尽性蛍光体層と
の間にアルカリ溶出防止層を設け、該支持体がガラス支
持体であることを特徴とする放射線画像変換パネル。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は放射線画像変換パネ
ルに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、輝尽性蛍光体を利用した放射線画
像変換パネルにより放射線像を画像化する方法が用いら
れるようになってきた。
【０００３】これは、例えば、米国特許第３，８５９，
５２７号及び特開昭５５−１２１４４号等に開示された
様に支持体上に輝尽性蛍光体層を形成した放射線画像変
換パネルを使用するものである。この放射線画像変換パ
ネルの輝尽性蛍光体層に被写体を透過した放射線を当て
て、被写体各部の放射線透過度に対応する放射線エネル
ギーを輝尽性蛍光体層に蓄積させて潜像（蓄積像）を形
成し、この輝尽性蛍光体層を輝尽励起光（レーザー光が
用いられる）で走査することによって各部に蓄積された
放射線エネルギーを放射させて光に変換し、この光の強
弱を読みとって画像を得る。この画像はＣＲＴ等各種の
ディスプレイ上に再生してもよいし、又ハードコピーと
して再生してもよい。
【０００４】この放射線画像変換方法に用いられる放射
線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層には、放射線吸収率
及び光変換率が高いこと、画像の粒状性がよく、高鮮鋭
性であることが要求される。
【０００５】通常、放射線輝度を高くするには輝尽性蛍
光体層の膜厚を厚くする必要があるが、余り厚くなりす
ぎると、輝尽性蛍光体粒子間での輝尽発光の散乱のため
発光が外部に出てこなくなる現象があり限界がある。
【０００６】また、鮮鋭性については、輝尽性蛍光体層
を薄層化するほど向上するが、薄すぎると輝度の減少が
大きくなる。
【０００７】また、粒状性についても画像の粒状性は放
射線量子数の場所的ゆらぎ（量子モトル）或いは放射線
画像変換パネルの輝尽性蛍光体層の構造的乱れ（構造モ
トル）等によって決定されるので、輝尽性蛍光体層の層
厚が薄くなると輝尽性蛍光体層に吸収される放射線量子
数が減少してモトルが増加したり、構造的乱れが顕在化
して構造モトルが増加したりして画質の低下を生ずる。
従って画像の粒状性を向上させるためには輝尽性蛍光体
層の層厚が厚い必要があった。
【０００８】この様に様々な要因により、放射線画像変
換パネルを用いた放射線画像変換方法の画質及び輝度は
決定される。これらの輝度や画質に関する複数の因子を
調整して輝度、画質を改良するため、これまで様々な検
討がされてきた。
【０００９】それらのなかで、放射線画像の鮮鋭性改善
の為の手段として、例えば、形成される輝尽性蛍光体の
形状そのものをコントロールし輝度及び鮮鋭性の改良を
図る試みがされている。
【００１０】これらの試みの１つとして、例えば特開昭
６１−１４２４９７号等において行われている様な、微
細な凹凸パターンを有する支持体上に輝尽性蛍光体を堆
積させ形成した微細な擬柱状ブロックからなる輝尽性蛍
光体層を用いる方法がある。
【００１１】又、特開昭６１−１４２５００号に記載の
ように微細なパターンを有する支持体上に、輝尽性蛍光
体を堆積させて得た柱状ブロック間のクラックをショッ
ク処理を施して更に発達させた輝尽性蛍光体層を有する
放射線画像変換パネルを用いる方法、更には、特開昭６
２−３９７３７号に記載されたような、支持体の面に形
成された輝尽性蛍光体層にその表面側から亀裂を生じさ
せ擬柱状とした放射線画像変換パネルを用いる方法、更
には、特開昭６２−１１０２００号に記載のように、支
持体の上面に蒸着により空洞を有する輝尽性蛍光体層を
形成した後、加熱処理によって空洞を成長させ亀裂を設
ける方法等も提案されている。
【００１２】又、特開平２−５８０００号においては、
気相堆積法によって支持体上に、支持体の法線方向に対
し一定の傾きをもった細長い柱状結晶を形成した輝尽性
蛍光体層を有する放射線画像変換パネルが提案されてい
る。
【００１３】これらの輝尽性蛍光体層の形状をコントロ
ールする試みにおいては、いずれも輝尽性蛍光体層を柱
状とすることで、輝尽励起光（又輝尽発光）の横方向へ
の拡散を抑える（クラック（柱状結晶）界面において反
射を繰り返しながら支持体面まで到達する）ことができ
るため、輝尽発光による画像の鮮鋭性を著しく増大させ
ることができるという特徴がある。
【００１４】しかしながら、これらの気相成長（堆積）
により形成した輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換
パネルにおいても、前記の様に、輝度と鮮鋭性の関係は
充分な特性を有しているとはいえず、更に改良が必要で
ある。
【００１５】これらの気相成長（堆積）法により形成さ
れた輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルにお
いて、更に画質特に鮮鋭性を改善しようとする試みが特
開平１−１３１４９８号において行われている。これは
前記擬柱状輝尽性蛍光体結晶からなる蛍光体層と低屈折
率層を組み合わせることによって、放射線画像変換パネ
ル中の層界面での反射や屈折を抑え、画質を更に向上さ
せるものである。
【００１６】放射線像記録再生方法における読み取り工
程では一般に、放射線画像変換パネルの一方の表面側か
ら励起光を照射し、蛍光体粒子から発せられる輝尽光
（輝尽発光光）を、その励起光照射側に備えた集光ガイ
ドで取り出し、光電変換して読み取る方法が利用されて
いる。しかし、輝尽性蛍光体粒子から発せられる輝尽光
をできるだけ多く取り出したい場合、あるいは輝尽性蛍
光体層内に形成された放射線エネルギーの蓄積像が該層
内でその深さ方向でエネルギー強度分布が変化している
時にそのエネルギー強度分布の変化を放射線画像情報と
して得たい場合などには、放射線画像変換パネルの両側
から輝尽光を集光する方法（両面集光読取方法）を利用
することがある。この両面集光読取方法については、た
とえば特開昭５５−８７９７０号公報に記載がある。
【００１７】また、上記記載の気相成長（堆積）により
形成した、アルカリ土類金属型蛍光体を用いた輝尽性蛍
光体層を有する放射線画像変換パネルにおいては、ガラ
スを支持体として用いる際、加熱工程時にガラス中に含
有されるアルカリ成分が溶出し蛍光体輝度を低下させる
問題があった。また、ガラス厚が薄くなると（例えば、
０．３ｍｍ未満）剛性の点、画像読みとり時の振動によ
る横筋の発生の点で問題があった。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、蛍光
体輝度（以下、感度ともいう）の低下が無く、且つ、剛
性の点で優れ、画像読みとり時の振動による横筋発生が
ない放射線画像変換パネルを提供することにある。
【００１９】
【課題を解決するための手段】本発明の上記目的は以下
の構成により達成される。
【００２０】１．支持体上に輝尽性蛍光体層を有する放
射線画像変換パネルにおいて、支持体と輝尽性蛍光体層
との間にアルカリ溶出防止層を設け、該支持体がガラス
支持体であることを特徴とする放射線画像変換パネル。
【００２１】２．ガラス支持体の厚さが０．３ｍｍ以上
であることを特徴とする前記１に記載の放射線画像変換
パネル。
【００２２】３．ガラス支持体の厚さが０．５ｍｍ以上
であることを特徴とする前記１に記載の放射線画像変換
パネル。
【００２３】４．ガラス支持体の厚さが０．７ｍｍ以上
であることを特徴とする前記１に記載の放射線画像変換
パネル。
【００２４】５．前記アルカリ溶出防止層の厚さが１０
０Å以上であることを特徴とする前記１〜４の何れか１
項に記載の放射線画像変換パネル。
【００２５】６．前記アルカリ溶出防止層の厚さが５０
０Å以上であることを特徴とする前記１〜４の何れか１
項に記載の放射線画像変換パネル。
【００２６】７．前記アルカリ溶出防止層の厚さが８０
０Å以上であることを特徴とする前記１〜４の何れか１
項に記載の放射線画像変換パネル。
【００２７】８．前記アルカリ溶出防止層がＳｉＯ2及
びＳｉ3Ｎ4から選ばれる少なくとも１種の化合物を含有
することを特徴とする前記１〜７の何れか１項に記載の
放射線画像変換パネル。
【００２８】９．輝尽性蛍光体層が、前記一般式（１）
で表される輝尽性蛍光体を含有し、該輝尽性蛍光体層が
気相成長法（気相堆積法ともいう）により５０μｍ以上
の膜厚になるように形成されることを特徴とする前記１
〜８の何れか１項に記載の放射線画像変換パネル。
【００２９】１０．一般式（１）におけるＭ1がＫ、Ｒ
ｂおよびＣｓの各原子から選ばれる少なくとも一種のア
ルカリ金属原子であることを特徴とする前記９に記載の
放射線画像変換パネル。
【００３０】１１．一般式（１）におけるＸがＢｒ原子
及びＩ原子から選ばれる少なくとも一種のハロゲン原子
であることを特徴とする前記９又は１０に記載の放射線
画像変換パネル。
【００３１】１２．一般式（１）におけるＭ2がＢｅ、
Ｍｇ、Ｃａ、ＳｒおよびＢａの各原子から選ばれる少な
くとも一種の二価金属原子であることを特徴とする前記
９〜１１の何れか１項に記載の放射線画像変換パネル。
【００３２】１３．一般式（１）におけるＭ3がＹ、Ｃ
ｅ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ａｌ、Ｌａ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｇａおよび
Ｉｎの各原子から選ばれる少なくとも一種の三価金属原
子であることを特徴とする前記９〜１２の何れか１項に
記載の放射線画像変換パネル。
【００３３】１４．一般式（１）におけるｂが０≦ｂ≦
１０-2であることを特徴とする前記９〜１３の何れか１
項に記載の放射線画像変換パネル。
【００３４】１５．一般式（１）におけるＡが、Ｅｕ、
Ｃｅ、Ｓｍ、Ｔｌ及びＮａの各原子から選ばれる少なく
とも１種の金属原子であることを特徴とする前記９〜１
４の何れか１項に記載の放射線画像変換パネル。
【００３５】１６．輝尽性蛍光体が柱状結晶を有するこ
とを特徴とする前記１〜１５の何れか１項に記載の放射
線画像変換パネル。
【００３６】１７．柱状結晶が主成分として前記一般式
（２）で表される輝尽性蛍光体を有することを特徴とす
る前記１６に記載の放射線画像変換パネル。
【００３７】以下、本発明を更に詳細に述べる。本発明
の放射線画像変換パネルの支持体について述べる。
【００３８】本発明の放射線画像変換パネルの支持体は
ガラス支持体で、該ガラス厚が０．３ｍｍ以上であるこ
とが好ましく、より好ましくは０．５ｍｍ以上、更に好
ましくは０．７ｍｍ以上である。尚上限は取り扱い上５
ｍｍが好ましい。
【００３９】上記の範囲にすることにより、剛性が良好
で、画像読みとり時の振動による横筋の発生がなく、画
像読みとりに適している。
【００４０】ガラスの具体例としては、ほうケイ酸ガラ
ス（ＢＬＣ（日本電気硝子社製）、７７４０（コーニン
グ社製）、ｔｅｍｐａｘ（ショット社製））、低アルカ
リガラス（ＡＬ（旭硝子社製）、Ｄ２６３（ショット社
製））、ソーダガラス（Ａｓ（旭硝子社製））が好まし
い。
【００４１】また、本発明はガラス支持体上に気層堆積
法により輝尽性蛍光体を形成した放射線画像変換パネル
において、ガラス支持体と後述する輝尽性蛍光体層との
間にアルカリ溶出防止層を設けることを特徴とする放射
線画像変換パネルである。
【００４２】前記アルカリ溶出防止層の厚さは１００Å
以上であることが好ましく、より好ましくは５００Å以
上であり、特に好ましくは８００Å以上である。尚、厚
さは厚い程好ましいが、実用面からして、上限は６００
０Å未満である。
【００４３】尚、アルカリ溶出防止層を有する放射線画
像変換パネル層の断面図は、図示してないが、例えば、
図１（ａ）において、支持体１と柱状結晶２を有する輝
尽性蛍光体層ｂの間に上記の厚さになるようにアルカリ
溶出防止層を設けることができる。
【００４４】ガラス支持体上にアルカリ溶出防止層を設
ける方法は、塗布法、蒸着法（気層堆積法）の何れの方
法でも設けることができるが、本発明は蒸着法（気層堆
積法）が好ましい。
【００４５】尚、上記蒸着法において、好ましいガラス
支持体の温度としては２５０℃を超えない範囲が好まし
く、真空度は、１．３×１０-3Ｐａ以下であることが好
ましい。
【００４６】また、本発明においては、上記アルカリ溶
出防止層を支持体上に蒸着し、さらに、該アルカリ溶出
防止層上に連続して後述する輝尽性蛍光体を下記条件で
蒸着し、輝尽性蛍光体層を形成してもよい。
【００４７】本発明は、上記アルカリ溶出防止層を設
け、該層の厚さを上記の範囲にすると、加熱工程時のガ
ラス支持体からのアルカリ溶出がなくなり、本発明の目
的である蛍光体感度の低下がなくなり、本発明の効果を
より奏する点で好ましい。
【００４８】また、前記アルカリ溶出防止層がＳｉＯ2
及びＳｉ3Ｎ4から選ばれる少なくとも１種の化合物を有
することが、本発明の効果を特に奏する点でより好まし
い。
【００４９】次に、本発明の輝尽性蛍光体層について述
べる。図１は、本発明の支持体上に形成した柱状結晶形
状の一例を示す概略図である。図１のａ）、ｂ）におい
て、２は気相堆積法により、支持体１上に形成された輝
尽性蛍光体の柱状結晶であり、その結晶先端部におい
て、結晶成長方向の中心を通る垂線３と結晶先端断面部
の接線４とのなす角度（θ）が２０度〜８０度であるこ
とが好ましく、より好ましくは４０度〜８０度である。
【００５０】図１のａ）は、柱状結晶のほぼ中心部に尖
角部を有する一例であり、また図１のｂ）は、柱状結晶
の先端部が一定の傾斜を有し、柱状結晶の側面部に尖角
部を有する一例である。
【００５１】本発明において、先端形状として、本発明
で規定する角度（θ）とするには、特に制限はないが、
例えば、後述の気相堆積法により結晶成長時の支持体の
温度、真空度、結晶成長速度、輝尽性蛍光体の種類等を
適宜選択することにより得ることができる。
【００５２】また、本発明においては、柱状結晶の平均
結晶径が０．５〜５０μｍであることが好ましく、より
好ましくは１〜５０μｍである。
【００５３】上記で規定する柱状結晶の平均結晶径とす
ることにより、輝尽性蛍光体層ｂのヘイズ率を低下する
ことができ、結果として優れた鮮鋭性を実現することが
できる。
【００５４】柱状結晶の平均結晶径とは、柱状結晶を支
持体と平行な面から観察したときの各柱状結晶の断面積
の円換算した直径の平均値であり、少なくとも１００個
以上の柱状結晶を視野中に含む電子顕微鏡写真から計算
する。
【００５５】柱状結晶径は、支持体温度、真空度、蒸気
流入射角度等によって影響を受け、これらを制御するこ
とによって所望の太さの柱状結晶を形成することができ
る。
【００５６】例えば、支持体温度については、温度が低
くなるほど細くなる傾向にあるが、低すぎると柱状状態
の維持が困難となる。好ましい支持体の温度としては、
１００〜３００℃であり、より好ましくは１５０〜２７
０℃である。蒸気流の入射角度としては、０〜５°が好
ましい。また、真空度については、１．３×１０-1Ｐａ
以下であることが好ましい。
【００５７】次いで気相堆積法について詳細に説明す
る。気相堆積法で形成する輝尽性蛍光体層で用いること
のできる輝尽性蛍光体としては、例えば、特開昭４８−
８０４８７号に記載されているＢａＳＯ4：Ａｘで表さ
れる蛍光体、特開昭４８−８０４８８号記載のＭｇＳＯ
4：Ａｘで表される蛍光体、特開昭４８−８０４８９号
に記載されているＳｒＳＯ4：Ａｘで表される蛍光体、
特開昭５１−２９８８９号に記載されているＮａ2Ｓ
Ｏ4、ＣａＳＯ4及びＢａＳＯ4等にＭｎ、Ｄｙ及びＴｂ
の中少なくとも１種を添加した蛍光体、特開昭５２−３
０４８７号に記載されているＢｅＯ、ＬｉＦ、ＭｇＳＯ
4及びＣａＦ2等の蛍光体、特開昭５３−３９２７７号に
記載されているＬｉ2Ｂ4Ｏ7：Ｃｕ，Ａｇ等の蛍光体、
特開昭５４−４７８８３号に記載されているＬｉ2Ｏ・
（Ｂｅ2Ｏ2）ｘ：Ｃｕ，Ａｇ等の蛍光体、米国特許第
３，８５９，５２７号に記載されているＳｒＳ：Ｃｅ，
Ｓｍ、ＳｒＳ：Ｅｕ，Ｓｍ、Ｌａ2Ｏ2Ｓ：Ｅｕ，Ｓｍ及
び（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ｍｎｘで表される蛍光体があげら
れる。
【００５８】また、特開昭５５−１２１４２号に記載さ
れているＺｎＳ：Ｃｕ，Ｐｂ蛍光体、一般式がＢａＯ・
ｘＡｌ2Ｏ3：Ｅｕであげられるアルミン酸バリウム蛍光
体及び一般式がＭ（II）Ｏ・ｘＳｉＯ2：Ａで表される
アルカリ土類金属珪酸塩系蛍光体があげられる。
【００５９】また、特開昭５５−１２１４３号に記載さ
れている一般式が（Ｂａ1-x-yＭｇxＣａy）Ｆx：Ｅｕ2+
で表されるアルカリ土類フッ化ハロゲン化物蛍光体、特
開昭５５−１２１４４号に記載されている一般式がＬｎ
ＯＸ：ｘＡで表される蛍光体、特開昭５５−１２１４５
号に記載されている一般式が（Ｂａ1-xＭ（II）x）
Ｆ x：ｙＡで表される蛍光体、特開昭５５−８４３８９
号に記載されている一般式がＢａＦＸ：ｘＣｅ，ｙＡで
表される蛍光体、特開昭５５−１６００７８号に記載さ
れている一般式がＭ（II）ＦＸ・ｘＡ：ｙＬｎで表され
る希土類元素賦活二価金属フルオロハライド蛍光体、一
般式ＺｎＳ：Ａ、ＣｄＳ：Ａ、（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ａ，
Ｘで表される蛍光体、特開昭５９−３８２７８号に記載
されている下記の何れかの一般式で表される蛍光体、 一般式 ｘＭ3（ＰＯ4）2・ＮＸ2：ｙＡ ｘＭ3（ＰＯ4）2：ｙＡ 特開昭５９−１５５４８７号に記載されている下記の何
れかの一般式で表される蛍光体。
【００６０】一般式 ｎＲｅＸ3・ｍＡＸ′2：ｘＥｕ ｎＲｅＸ3・ｍＡＸ′2：ｘＥｕ，ｙＳｍ で表される蛍光体、特開昭６１−７２０８７号に記載さ
れている下記一般式、 Ｍ（Ｉ）Ｘ・ａＭ（II）Ｘ′2・ｂＭ（III）Ｘ″3：ｃ
Ａ で表されるアルカリハライド蛍光体及び特開昭６１−２
２８４００号に記載されている一般式Ｍ（Ｉ）Ｘ：ｘＢ
ｉで表されるビスマス賦活アルカリハライド蛍光体等が
あげられる。特に、アルカリハライド蛍光体は、蒸着、
スパッタリング等の方法で柱状の輝尽性蛍光体層を形成
させやすく好ましい。
【００６１】次に、本発明の前記一般式（１）で表され
る輝尽性蛍光体について説明する。本発明の前記一般式
（１）で表される輝尽性蛍光体において、ＭIは、Ｎ
ａ、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓ等の各原子から選ばれる少なくと
も１種のアルカリ金属原子を表し、中でもＲｂ及びＣｓ
の各原子から選ばれる少なくとも１種のアルカリ土類金
属原子が好ましく、更に好ましくはＣｓ原子である。
【００６２】Ｍ2はＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚ
ｎ、Ｃｄ、Ｃｕ及びＮｉ等の各原子から選ばれる少なく
とも１種の二価の金属原子を表すが、中でも好ましく用
いられるのは、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ及びＢａ等の各
原子から選ばれる二価の金属原子である。
【００６３】Ｍ3はＳｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎ
ｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅ
ｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎ等の各原子
から選ばれる少なくとも１種の三価の金属原子を表す
が、中でも好ましく用いられるのはＹ、Ｃｅ、Ｓｍ、Ｅ
ｕ、Ａｌ、Ｌａ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｇａ及びＩｎ等の各原子
から選ばれる三価の金属原子である。
【００６４】ＡはＥｕ、Ｔｂ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｃｅ、Ｔ
ｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｌ
ｕ、Ｓｍ、Ｙ、Ｔｌ、Ｎａ、Ａｇ、Ｃｕ及びＭｇの各原
子から選ばれる少なくとも１種の金属原子である。
【００６５】輝尽性蛍光体の輝尽発光輝度向上の観点か
ら、Ｘ、Ｘ′及びＸ″はＦ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩの各原子
から選ばれる少なくとも１種のハロゲンで原子を表す
が、Ｆ、Ｃｌ及びＢｒから選ばれる少なくとも１種のハ
ロゲン原子が好ましく、Ｂｒ及びＩの各原子から選ばれ
る少なくとも１種のハロゲン原子が更に好ましい。
【００６６】また、一般式（１）において、ｂ値は０≦
ｂ＜０．５を表すが、好ましくは、０≦ｂ≦１０-2であ
る。
【００６７】本発明の一般式（１）で表される輝尽性蛍
光体は、例えば以下に述べる製造方法により製造され
る。
【００６８】蛍光体原料としては、 （ａ）ＮａＦ、ＮａＣｌ、ＮａＢｒ、ＮａＩ、ＫＦ、Ｋ
Ｃｌ、ＫＢｒ、ＫＩ、ＲｂＦ、ＲｂＣｌ、ＲｂＢｒ、Ｒ
ｂＩ、ＣｓＦ、ＣｓＣｌ、ＣｓＢｒ及びＣｓＩから選ば
れる少なくとも１種もしくは２種以上の化合物が用いら
れる。
【００６９】（ｂ）ＭｇＦ2、ＭｇＣｌ2、ＭｇＢｒ2、
ＭｇＩ2、ＣａＦ2、ＣａＣｌ2、ＣａＢｒ2、ＣａＩ2、
ＳｒＦ2、ＳｒＣＩ2、ＳｒＢｒ2、ＳｒＩ2、ＢａＦ2、
ＢａＣｌ2、ＢａＢｒ2、ＢａＢｒ2・２Ｈ2Ｏ、Ｂａ
Ｉ2、ＺｎＦ2、ＺｎＣｌ2、ＺｎＢｒ2、ＺｎＩ2、Ｃｄ
Ｆ2、ＣｄＣｌ2、ＣｄＢｒ2、ＣｄＩ2、ＣｕＦ2、Ｃｕ
Ｃｌ2、ＣｕＢｒ2、ＣｕＩ、ＮｉＦ2、ＮｉＣｌ2、Ｎｉ
Ｂｒ2及びＮｉＩ2の化合物から選ばれる少なくとも１種
又は２種以上の化合物が用いられる。
【００７０】（ｃ）前記一般式（１）において、Ｅｕ、
Ｔｂ、Ｉｎ、Ｃｓ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎ
ｄ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｓｍ、Ｙ、Ｔｌ、Ｎａ、
Ａｇ、Ｃｕ及びＭｇ等の各原子から選ばれる金属原子を
有する化合物が用いられる。
【００７１】一般式（Ｉ）で表される化合物において、
ａは０≦ａ＜０．５、好ましくは０≦ａ＜０．０１、ｂ
は０≦ｂ＜０．５、好ましくは０≦ｂ≦１０-2、ｅは０
＜ｅ≦０．２、好ましくは０＜ｅ≦０．１である。
【００７２】上記の数値範囲の混合組成になるように前
記（ａ）〜（ｃ）の蛍光体原料を秤量し、乳鉢、ボール
ミル、ミキサーミル等を用いて充分に混合する。
【００７３】次に、得られた蛍光体原料混合物を石英ル
ツボ又はアルミナルツボ等の耐熱性容器に充填して電気
炉中で焼成を行う。
【００７４】焼成温度は３００〜１０００℃が適当であ
る。焼成時間は原料混合物の充填量、焼成温度等によっ
て異なるが、一般には０．５〜６時間が適当である。
【００７５】焼成雰囲気としては少量の水素ガスを含む
窒素ガス雰囲気、少量の一酸化炭素を含む炭酸ガス雰囲
気等の弱還元性雰囲気、窒素ガス雰囲気、アルゴンガス
雰囲気等の中性雰囲気或いは少量の酸素ガスを含む弱酸
化性雰囲気が好ましい。
【００７６】尚、前記の焼成条件で一度焼成した後、焼
成物を電気炉から取り出して粉砕し、しかる後、焼成物
粉末を再び耐熱性容器に充填して電気炉に入れ、前記と
同じ焼成条件で再焼成を行えば蛍光体の発光輝度を更に
高めることができ好ましい。
【００７７】また、焼成物を焼成温度より室温に冷却す
る際、焼成物を電気炉から取り出して空気中で放冷する
ことによっても所望の蛍光体を得ることができるが、焼
成時と同じ、弱還元性雰囲気又は中性雰囲気のままで冷
却してもよい。
【００７８】また、焼成物を電気炉内で加熱部より冷却
部へ移動させて、弱還元性雰囲気、中性雰囲気もしくは
弱酸化性雰囲気で急冷することにより、得られた蛍光体
の輝尽による発光輝度をより一層高めることができる。
【００７９】また、本発明の輝尽性蛍光体層は気相成長
法によって形成されることを特徴としている。
【００８０】輝尽性蛍光体の気相成長法としては蒸着
法、スパッタリング法、ＣＶＤ法、イオンプレーティン
グ法、その他の方法を用いることができる。
【００８１】本発明においては、例えば、以下の方法が
挙げられる。第１の方法の蒸着法は、まず、支持体を蒸
着装置内に設置した後、装置内を排気して１．３３３×
１０-4Ｐａ程度の真空度とする。
【００８２】次いで、前記輝尽性蛍光体の少なくとも一
つを抵抗加熱法、エレクトロンビーム法等の方法で加熱
蒸発させて前記支持体表面に輝尽性蛍光体を所望の厚さ
に成長させる。
【００８３】この結果、結着剤を含有しない輝尽性蛍光
体層が形成されるが、前記蒸着工程では複数回に分けて
輝尽性蛍光体層を形成することも可能である。
【００８４】また、前記蒸着工程では複数の抵抗加熱器
あるいはエレクトロンビームを用いて共蒸着し、支持体
上で目的とする輝尽性蛍光体を合成すると同時に輝尽性
蛍光体層を形成することも可能である。
【００８５】蒸着終了後、必要に応じて前記輝尽性蛍光
体層の支持体側とは反対の側に保護層を設けることによ
り本発明の放射線画像変換パネルが製造されることが好
ましい。尚、保護層上に輝尽性蛍光体層を形成した後、
支持体を設ける手順をとってもよい。
【００８６】さらに、前記蒸着法においては、蒸着時、
必要に応じて被蒸着体（支持体、保護層又は中間層）を
冷却あるいは加熱してもよい。
【００８７】また、蒸着終了後輝尽性蛍光体層を加熱処
理してもよい。また、前記蒸着法においては必要に応じ
てＯ2、Ｈ2等のガスを導入して蒸着する反応性蒸着を行
ってもよい。
【００８８】第２の方法としてのスパッタリング法は、
蒸着法と同様、保護層又は中間層を有する支持体をスパ
ッタリング装置内に設置した後、装置内を一旦排気して
１．３３３×１０-4Ｐａ程度の真空度とし、次いでスパ
ッタリング用のガスとしてＡｒ、Ｎｅ等の不活性ガスを
スパッタリング装置内に導入して１．３３３×１０-1Ｐ
ａ程度のガス圧とする。次に、前記輝尽性蛍光体をター
ゲットとして、スパッタリングすることにより、前記支
持体上に輝尽性蛍光体層を所望の厚さに成長させる。
【００８９】前記スパッタリング工程では蒸着法と同様
に各種の応用処理を用いることができる。
【００９０】第３の方法としてＣＶＤ法があり、又、第
４の方法としてイオンプレーティング法がある。
【００９１】また、前記気相成長における輝尽性蛍光体
層の成長速度は０．０５μｍ／分〜３００μｍ／分であ
ることが好ましい。成長速度が０．０５μｍ／分未満の
場合には本発明の放射線画像変換パネルの生産性が低く
好ましくない。また成長速度が３００μｍ／分を越える
場合には成長速度のコントロールがむずかしく好ましく
ない。
【００９２】放射線画像変換パネルを、前記の真空蒸着
法、スパッタリイング法などにより得る場合には、結着
剤が存在しないので輝尽性蛍光体の充填密度を増大で
き、感度、解像力の上で好ましい放射線画像変換パネル
が得られ、好ましい。
【００９３】前記輝尽性蛍光体層の膜厚は、放射線画像
変換パネルの使用目的によって、また輝尽性蛍光体の種
類により異なるが、本発明の効果を得る観点から５０μ
ｍ〜１ｍｍであることが好ましく、より好ましくは１０
０〜６００μｍであり、更に好ましくは３００〜６００
μｍである。
【００９４】上記の気相成長法による輝尽性蛍光体層の
作製にあたり、輝尽性蛍光体層が形成される支持体の温
度は、１００℃以上に設定することが好ましく、更に好
ましくは、１５０℃以上であり、特に好ましくは１５０
〜４００℃である。
【００９５】本発明の放射線画像変換パネルの輝尽性蛍
光体層は、支持体上に前記一般式（１）で表される輝尽
性蛍光体を気相成長させて形成されることが好ましく、
層形成時に該輝尽性蛍光体が柱状結晶を形成することが
より好ましい。
【００９６】蒸着、スパッタリング等の方法で柱状の輝
尽性蛍光体層を形成するためには、前記一般式（１）で
表される化合物（輝尽性蛍光体）が用いられるが、中で
もＣｓＢｒ系蛍光体が特に好ましく用いられる。
【００９７】また、本発明においては、柱状結晶が、主
成分として下記一般式（２）で表される輝尽性蛍光体を
有することが好ましい。
【００９８】一般式（２） ＣｓＸ：Ａ 一般式（２）において、ＸはＢｒ又はＩを表し、ＡはＥ
ｕ、Ｉｎ、Ｔｂ又はＣｅを表す。
【００９９】ガラス支持体（以下、単に支持体ともい
う）上に、気相堆積法により蛍光体層を形成する方法と
しては、輝尽性蛍光体の蒸気又は該原料を供給し、蒸着
等の気相成長（堆積）させる方法によって独立した細長
い柱状結晶からなる輝尽性蛍光体層を得ることができ
る。
【０１００】これらの場合において、支持体と坩堝との
最短部の間隔は輝尽性蛍光体の平均飛程に合わせて通常
１０〜６０ｃｍに設置するのが好ましい。
【０１０１】蒸発源となる輝尽性蛍光体は、均一に溶解
させるか、プレス、ホットプレスによって成形して坩堝
に仕込まれる。この際、脱ガス処理を行うことが好まし
い。蒸発源から輝尽性蛍光体を蒸発させる方法は電子銃
により発した電子ビームの走査により行われるが、これ
以外の方法にて蒸発させることもできる。
【０１０２】また、蒸発源は必ずしも輝尽性蛍光体であ
る必要はなく、輝尽性蛍光体原料を混和したものであっ
てもよい。
【０１０３】また、蛍光体の母体に対して賦活剤を後か
らドープしてもよい。例えば、母体であるＲｂＢｒのみ
を蒸着した後、賦活剤であるＴｌをドープしてもよい。
即ち、結晶が独立しているため、膜が厚くとも充分にド
ープ可能であるし、結晶成長が起こりにくいので、ＭＴ
Ｆは低下しないからである。
【０１０４】ドーピングは形成された蛍光体の母体層中
にドーピング剤（賦活剤）を熱拡散、イオン注入法によ
って行うことが出来る。
【０１０５】また、各柱状結晶間の間隙の大きさは３０
μｍ以下がよく、更に好ましくは５μｍ以下がよい。即
ち、間隙が３０μｍを越える場合は蛍光体層中のレーザ
ー光の散乱が増加し、鮮鋭性が低下してしまう。
【０１０６】次に、本発明の輝尽性蛍光体層の形成を図
２を用いて説明する。図２は、支持体上に輝尽性蛍光体
層が蒸着により形成される様子を示す図であるが、輝尽
性蛍光体蒸気流１６を支持体面の法線方向に対する入射
角度として０〜５°の範囲で入射することにより、柱状
結晶が形成される。
【０１０７】この様にして支持体上に形成した輝尽性蛍
光体層は、結着剤を含有していないので、指向性に優れ
ており、輝尽励起光及び輝尽発光の指向性が高く、輝尽
性蛍光体を結着剤中に分散した分散型の輝尽性蛍光体層
を有する放射線画像変換パネルより層厚を薄くすること
ができる。更に輝尽励起光の輝尽性蛍光体層中での散乱
が減少することで像の鮮鋭性が向上する。
【０１０８】また、柱状結晶間の間隙に結着剤等充填物
を充填してもよく、輝尽性蛍光体層の補強となるほか、
高光吸収の物質、高光反射率の物質等を充填してもよ
い、これにより前記補強効果をもたせるほか、輝尽性蛍
光体層に入射した輝尽励起光の横方向への光拡散の低減
に有効である。
【０１０９】高反射率の物質とは、輝尽励起光（５００
〜９００ｎｍ、特に６００〜８００ｎｍ）に対する反射
率の高いものをいい例えばアルミニウム、マグネシウ
ム、銀、インジウムその他の金属など、白色顔料及び緑
色から赤色領域の色材を用いることができる。
【０１１０】高感度である放射線画像変換パネルを得る
観点から、本発明の輝尽性蛍光体層の反射率は２０％以
上であることが好ましく、より好ましくは３０％以上で
あり、特に好ましくは４０％以上である。尚、上限は１
００％である。
【０１１１】高反射率の物質とは、輝尽励起光（５００
〜９００ｎｍ、特に６００〜８００ｎｍ）に対する反射
率の高いものをいい例えばアルミニウム、マグネシウ
ム、銀、インジウムその他の金属など、白色顔料及び緑
色から赤色領域の色材を用いることができる。
【０１１２】本発明においては、基板上にアルミニウム
等の光を反射するような鏡面処理（例えば、蒸着等）が
行われている場合は、輝尽性蛍光体層の反射率を測定す
る。
【０１１３】ここで、反射率の測定は、下記の測定装置
を用い、同様の測定条件にて行うことができる。
【０１１４】装置：ＨＩＴＡＣＨＩ５５７型、Ｓｐｅｃ
ｔｒｏｐｈｏｔｏｍｅｔｅｒ （測定条件） 測定光の波長 ：６８０ｎｍ スキャンスピード：１２０ｎｍ／ｍｉｎ 繰り返し回数 ：１０回 レスポンス ：自動設定 白色顔料は輝尽発光も反射することができる。白色顔料
として、ＴｉＯ2（アナターゼ型、ルチル型）、Ｍｇ
Ｏ、ＰｂＣＯ3・Ｐｂ（ＯＨ）2、ＢａＳＯ4、Ａｌ
2Ｏ3、Ｍ（II）ＦＸ（但し、Ｍ（II）はＢａ、Ｓｒ及び
Ｃａの中の少なくとも一種であり、ＸはＣｌ、及びＢｒ
のうちの少なくとも一種である。）、ＣａＣＯ 3、Ｚｎ
Ｏ、Ｓｂ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＺｒＯ2、リトポン（ＢａＳＯ
4・ＺｎＳ）、珪酸マグネシウム、塩基性珪硫酸塩、塩
基性燐酸鉛、珪酸アルミニウムなどがあげられる。これ
らの白色顔料は隠蔽力が強く、屈折率が大きいため、光
を反射したり、屈折させることにより輝尽発光を容易に
散乱し、得られる放射線画像変換パネルの感度を顕著に
向上さることができる。
【０１１５】また、高光吸収率の物質としては、例え
ば、カーボンブラック、酸化クロム、酸化ニッケル、酸
化鉄など及び青の色材が用いられる。このうちカーボン
ブラックは輝尽発光も吸収する。
【０１１６】また、色材は、有機若しくは無機系色材の
いずれでもよい。有機系色材としては、ザボンファース
トブルー３Ｇ（ヘキスト製）、エストロールブリルブル
ーＮ−３ＲＬ（住友化学製）、Ｄ＆ＣブルーＮｏ．１
（ナショナルアニリン製）、スピリットブルー（保土谷
化学製）、オイルブルーＮｏ．６０３（オリエント
製）、キトンブルーＡ（チバガイギー製）、アイゼンカ
チロンブルーＧＬＨ（保土ヶ谷化学製）、レイクブルー
ＡＦＨ（協和産業製）、プリモシアニン６ＧＸ（稲畑産
業製）、ブリルアシッドグリーン６ＢＨ（保土谷化学
製）、シアンブルーＢＮＲＣＳ（東洋インク製）、ライ
オノイルブルーＳＬ（東洋インク製）等が用いられる。
またカラーインデクスＮｏ．２４４１１、２３１６０、
７４１８０、７４２００、２２８００、２３１５４、２
３１５５、２４４０１、１４８３０、１５０５０、１５
７６０、１５７０７、１７９４１、７４２２０、１３４
２５、１３３６１、１３４２０、１１８３６、７４１４
０、７４３８０、７４３５０、７４４６０等の有機系金
属錯塩色材もあげられる。無機系色材としては群青、コ
バルトブルー、セルリアンブルー、酸化クロム、ＴｉＯ
2−ＺｎＯ−Ｃｏ−ＮｉＯ系顔料があげられる。
【０１１７】また、本発明の輝尽性蛍光体層は、保護層
を有していても良い。保護層は、保護層用塗布液を輝尽
性蛍光体層上に直接塗布して形成してもよいし、あらか
じめ別途形成した保護層を輝尽性蛍光体層上に接着して
もよい。あるいは別途形成した保護層上に輝尽性蛍光体
層を形成する手順を取ってもよい。保護層の材料として
は酢酸セルロース、ニトロセルロース、ポリメチルメタ
クリレート、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマ
ール、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリエチレン
テレフタレート、ポリエチレン、ポリ塩化ビニリデン、
ナイロン、ポリ四フッ化エチレン、ポリ三フッ化−塩化
エチレン、四フッ化エチレン−六フッ化プロピレン共重
合体、塩化ビニリデン−塩化ビニル共重合体、塩化ビニ
リデン−アクリロニトリル共重合体等の通常の保護層用
材料が用いられる。他に透明なガラス基板を保護層とし
てもちいることもできる。また、この保護層は蒸着法、
スパッタリング法等により、ＳｉＣ、ＳｉＯ2、Ｓｉ
Ｎ、Ａｌ2Ｏ3などの無機物質を積層して形成してもよ
い。これらの保護層の層厚は一般的には０．１〜２００
０μｍ程度が好ましい。
【０１１８】図３は、本発明の放射線画像変換パネル及
び放射線画像読み取り装置の構成の１例を示す概略図で
ある。
【０１１９】図３において２１は放射線発生装置、２２
は被写体、２３は輝尽性蛍光体を含有する可視光ないし
赤外光輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネル、
２４は放射線画像変換パネル２３の放射線潜像を輝尽発
光として放出させるための輝尽励起光源、２５は放射線
画像変換パネル２３より放出された輝尽発光を検出する
光電変換装置、２６は光電変換装置２５で検出された光
電変換信号を画像として再生する画像再生装置、２７は
再生された画像を表示する画像表示装置、２８は輝尽励
起光源２４からの反射光をカットし、放射線画像変換パ
ネル２３より放出された光のみを透過させるためのフィ
ルタである。尚、図３は被写体の放射線透過像を得る場
合の例であるが、被写体２２自体が放射線を放射する場
合には、前記放射線発生装置２１は特に必要ない。
【０１２０】また、光電変換装置２５以降は放射線画像
変換パネル２３からの光情報を何らかの形で画像として
再生できるものであればよく、前記に限定されない。
【０１２１】図３に示されるように、被写体２２を放射
線発生装置２１と放射線画像変換パネル２３の間に配置
し放射線Ｒを照射すると、放射線Ｒは被写体２２の各部
の放射線透過率の変化に従って透過し、その透過像ＲＩ
（すなわち放射線の強弱の像）が放射線画像変換パネル
２３に入射する。この入射した透過像ＲＩは放射線画像
変換パネル２３の輝尽性蛍光体層に吸収され、これによ
って輝尽性蛍光体層中に吸収された放射線量に比例した
数の電子及び／又は正孔が発生し、これが輝尽性蛍光体
のトラップレベルに蓄積される。すなわち放射線透過像
のエネルギーを蓄積した潜像が形成される。次にこの潜
像を光エネルギーで励起して顕在化する。すなわち可視
あるいは赤外領域の光を照射する輝尽励起光源２４によ
って輝尽性蛍光体層に照射してトラップレベルに蓄積さ
れた電子及び／又は正孔を追い出し、蓄積されたエネル
ギーを輝尽発光として放出せしめる。この放出された輝
尽発光の強弱は蓄積された電子及び／又は正孔の数、す
なわち放射線画像変換パネル２３の輝尽性蛍光体層に吸
収された放射線エネルギーの強弱に比例しており、この
光信号を例えば光電子増倍管等の光電変換装置２５で電
気信号に変換し、画像再生装置２６によって画像として
再生し、画像表示装置２７によってこの画像を表示す
る。画像再生装置２６は単に電気信号を画像信号として
再生するのみでなく、いわゆる画像処理や画像の演算、
画像の記憶、保存等が出来るものを使用するとより有効
である。
【０１２２】また、光エネルギーで励起する際、輝尽励
起光の反射光と輝尽性蛍光体層から放出される輝尽発光
とを分離する必要があることと、輝尽性蛍光体層から放
出される発光を受光する光電変換器は一般に６００ｎｍ
以下の短波長の光エネルギーに対して感度が高くなると
いう理由から、輝尽性蛍光体層から放射される輝尽発光
はできるだけ短波長領域にスペクトル分布を持ったもの
が望ましい。本発明にの輝尽性蛍光体の発光波長域は３
００〜５００ｎｍであり、一方輝尽励起波長域は５００
〜９００ｎｍであるので前記の条件を同時に満たすが、
最近、診断装置のダウンサイジング化が進み、放射画像
変換パネルの画像読み取りに用いられる励起波長は高出
力で且つ、コンパクト化が容易な半導体レーザーが好ま
れ、そのレーザー光の波長は６８０ｎｍであり、本発明
の放射線画像変換パネルに組み込まれた輝尽性蛍光体
は、６８０ｎｍの励起波長を用いた時に、極めて良好な
鮮鋭性を示すものである。
【０１２３】すなわち、本発明の輝尽性蛍光体はいずれ
も５００ｎｍ以下に主ピークを有する発光を示し、輝尽
励起光の分離が容易でしかも受光器の分光感度とよく一
致するため、効率よく受光できる結果、受像系の感度を
固めることができる。
【０１２４】輝尽励起光源２４としては、放射線画像変
換パネル２３に使用される輝尽性蛍光体の輝尽励起波長
を含む光源が使用される。特にレーザー光を用いると光
学系が簡単になり、又、輝尽励起光強度を大きくするこ
とができるために輝尽発光効率をあげることができ、よ
り好ましい結果が得られる。
【０１２５】本発明においては、輝尽性蛍光体層に照射
されるレーザー径が１００μｍ以下であることが好まし
く、より好ましくは８０μｍ以下である。
【０１２６】レーザーとしては、Ｈｅ−Ｎｅレーザー、
Ｈｅ−Ｃｄレーザー、Ａｒイオンレーザー、Ｋｒイオン
レーザー、Ｎ2レーザー、ＹＡＧレーザー及びその第２
高調波、ルビーレーザー、半導体レーザー、各種の色素
レーザー、銅蒸気レーザー等の金属蒸気レーザー等があ
る。通常はＨｅ−ＮｅレーザーやＡｒイオンレーザーの
ような連続発振のレーザーが望ましいが、パネル１画素
の走査時間とパルスを同期させればパルス発振のレーザ
ーを用いることもできる。又、フィルタ２８を用いずに
特開昭５９−２２０４６号に示されるような、発光の遅
延を利用して分離する方法によるときは、連続発振レー
ザーを用いて変調するよりもパルス発振のレーザーを用
いる方が好ましい。
【０１２７】上記の各種レーザー光源の中でも、半導体
レーザーは小型で安価であり、しかも変調器が不要であ
るので特に好ましく用いられる。
【０１２８】フィルタ２８としては放射線画像変換パネ
ル２３から放射される輝尽発光を透過し、輝尽励起光を
カットするものであるから、これは放射線画像変換パネ
ル２３に含有する輝尽性蛍光体の輝尽発光波長と輝尽励
起光源２４の波長の組合わせによって決定される。
【０１２９】例えば、輝尽励起波長が５００〜９００ｎ
ｍで輝尽発光波長が３００〜５００ｎｍにあるような実
用上好ましい組合わせの場合、フィルタとしては、例え
ば、東芝社製Ｃ−３９、Ｃ−４０、Ｖ−４０、Ｖ−４
２、Ｖ−４４、コーニング社製７−５４、７−５９、ス
ペクトロフィルム社製ＢＧ−１、ＢＧ−３、ＢＧ−２
５、ＢＧ−３７、ＢＧ−３８等の紫〜青色ガラスフィル
タを用いることができる。又、干渉フィルタを用いる
と、ある程度、任意の特性のフィルタを選択して使用で
きる。光電変換装置２５としては、光電管、光電子倍増
管、フォトダイオード、フォトトランジスタ、太陽電
池、光導電素子等光量の変化を電子信号の変化に変換し
得るものなら何れでもよい。
【０１３０】
【実施例】以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明
するが、本発明の実施態様はこれらに限定されるもので
はない。
【０１３１】実施例 《放射線画像変換パネル試料１〜８（但し表１中では試
料１〜８と記載する）の作製》表１に示した条件で、
０．３ｍｍ厚のソーダガラス（旭ガラス（株）製）支持
体上に図４に示した蒸着装置を用いて輝尽性蛍光体（Ｃ
ｓＢｒ：Ｅｕ）を有する輝尽性蛍光体層を形成した。
【０１３２】図４に示した蒸着装置を使用し、アルミニ
ウム製のスリットを用い、支持体とスリットとの距離ｄ
を６０ｃｍとして、上記ガラス支持体と平行な方向にガ
ラス支持体を搬送しながら蒸着を行ない、輝尽性蛍光体
層の厚みが３００μｍになるように調整した。
【０１３３】尚、蒸着にあたっては、前記支持体を蒸着
器内に設置し、次いで、蛍光体原料（ＣｓＢｒ：Ｅｕ）
を蒸着源としてプレス成形し水冷したルツボにいれた。
【０１３４】その後、蒸着器内を一旦排気し、その後Ｎ
2ガスを導入し０．１３３Ｐａに真空度を調整した後、
支持体の温度（基板温度ともいう）を約２４０℃に保持
しながら、蒸着した。
【０１３５】輝尽性蛍光体層の膜厚が３００μｍとなっ
たところで蒸着を終了させ輝尽性蛍光体層を得た。乾燥
空気の雰囲気内で、支持体及び硼珪酸ガラスからなる保
護層周縁部を接着剤で封入して輝尽性蛍光体層が密閉さ
れた構造の放射線画像変換パネル試料１を得た。
【０１３６】放射線画像変換パネル試料１の作製におい
て、表１に記載の条件にした以外は同様にして、放射線
画像変換パネル試料を各々作製した。
【０１３７】尚、アルカリ溶出防止層は上記ソーダガラ
ス（旭ガラス（株）製）支持体上に表１に示す化合物
を、図４の装置を用いて、真空度１．３×１０-3Ｐａ、
ガラス支持体の温度を２００℃に保持しながら、表１に
示す膜厚になるように調整し蒸着した。
【０１３８】《放射線画像変換パネルの評価》以上のよ
うにして作製した各放射線画像変換パネル試料につい
て、下記の方法に従って、輝度及び横筋発生の評価を行
った。
【０１３９】（輝度の評価）作製した各放射線画像変換
パネル試料に管電圧８０ｋＶｐのＸ線を均一に照射した
後、蛍光体層を設けた面側から、レーザービーム径が８
０μｍの半導体レーザー光（６９０ｎｍ）で走査して励
起し、各蛍光体層から放射される輝尽発光を受光器（分
光感度Ｓ−５の光電子像倍管）で受光し、その強度を測
定してこれを輝度と定義し、放射線画像変換パネル試料
１を１．０とし相対値で表示した。
【０１４０】（振動による横筋発生の評価）各試料を傾
き３．０の直線階調処理の画像処理を行った後、レーザ
ーイメージャーを用いて平均光学濃度１．０としてフィ
ルム出力を行った。これをシャーカステンを用いて目視
で５段階評価した。（１（悪い）〜５（優れている））
【０１４１】
【表１】
【０１４２】
【発明の効果】実施例で実証した如く、本発明による放
射線画像変換パネルは、蛍光体輝度の低下が無く、且
つ、剛性の点で優れ、画像読みとり時の振動による横筋
発生がなく優れた効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】支持体上に形成した柱状結晶形状の一例を示す
概略図である。
【図２】支持体上に輝尽性蛍光体層が蒸着により形成さ
れる様子の一例を示す概略図。
【図３】本発明の放射線画像変換パネル及び放射線画像
読み取り装置の構成の１例を示す概略図。
【図４】蒸着により支持体上に輝尽性蛍光体層を形成す
る方法の一例を示す概略図。
【符号の説明】 １ 支持体 ２ 柱状結晶 ３ 結晶成長方向の中心を通る垂線 ４ 結晶先端断面部の接線 ５ 柱状結晶の結晶径 １５ 支持体ホルダ ２１ 放射線発生装置 ２２ 被写体 ２３ 放射線画像変換パネル ２４ 輝尽励起光源 ２５ 光電変換装置 ２６ 画像再生装置 ２７ 画像表示装置 ２８ フィルタ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０９Ｋ 11/61 ＣＰＦ Ｃ０９Ｋ 11/61 ＣＰＦ 11/85 11/85 Ｇ０１Ｔ 1/00 Ｇ０１Ｔ 1/00 Ｂ Ｆターム(参考） 2G083 AA03 BB01 CC03 CC04 CC08 DD01 DD02 DD11 EE02 EE03 EE07 4H001 CA02 CA04 CA08 CC11 CF01 XA00 XA03 XA04 XA09 XA11 XA12 XA13 XA17 XA19 XA20 XA21 XA28 XA29 XA30 XA31 XA35 XA37 XA38 XA39 XA48 XA49 XA53 XA55 XA56 YA00 YA11 YA12 YA29 YA47 YA58 YA62 YA63 YA81

Claims (17)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 支持体上に輝尽性蛍光体層を有する放射
    線画像変換パネルにおいて、支持体と輝尽性蛍光体層と
    の間にアルカリ溶出防止層を設け、該支持体がガラス支
    持体であることを特徴とする放射線画像変換パネル。
  2. 【請求項２】 ガラス支持体の厚さが０．３ｍｍ以上で
    あることを特徴とする請求項１に記載の放射線画像変換
    パネル。
  3. 【請求項３】 ガラス支持体の厚さが０．５ｍｍ以上で
    あることを特徴とする請求項１に記載の放射線画像変換
    パネル。
  4. 【請求項４】 ガラス支持体の厚さが０．７ｍｍ以上で
    あることを特徴とする請求項１に記載の放射線画像変換
    パネル。
  5. 【請求項５】 前記アルカリ溶出防止層の厚さが１００
    Å以上であることを特徴とする請求項１〜４の何れか１
    項に記載の放射線画像変換パネル。
  6. 【請求項６】 前記アルカリ溶出防止層の厚さが５００
    Å以上であることを特徴とする請求項１〜４の何れか１
    項に記載の放射線画像変換パネル。
  7. 【請求項７】 前記アルカリ溶出防止層の厚さが８００
    Å以上であることを特徴とする請求項１〜４の何れか１
    項に記載の放射線画像変換パネル。
  8. 【請求項８】 前記アルカリ溶出防止層がＳｉＯ2及び
    Ｓｉ3Ｎ4から選ばれる少なくとも１種の化合物を含有す
    ることを特徴とする請求項１〜７の何れか１項に記載の
    放射線画像変換パネル。
  9. 【請求項９】 輝尽性蛍光体層が、下記一般式（１）で
    表される輝尽性蛍光体を含有し、該輝尽性蛍光体層が気
    相成長法（気相堆積法ともいう）により５０μｍ以上の
    膜厚になるように形成されることを特徴とする請求項１
    〜８の何れか１項に記載の放射線画像変換パネル。 一般式（１） Ｍ1Ｘ・ａＭ2Ｘ′2・ｂＭ3Ｘ″3：ｅＡ 〔式中、Ｍ1はＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓの各原子
    から選ばれる少なくとも１種のアルカリ金属原子であ
    り、Ｍ2はＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｃ
    ｄ、Ｃｕ及びＮｉの各原子から選ばれる少なくとも１種
    の二価金属原子であり、Ｍ3はＳｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、
    Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈ
    ｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎの各
    原子から選ばれる少なくとも１種の三価金属原子であ
    り、Ｘ、Ｘ′、Ｘ″はＦ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩの各原子か
    ら選ばれる少なくとも１種のハロゲンで原子であり、Ａ
    はＥｕ、Ｔｂ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、
    Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｓｍ、Ｙ、Ｔ
    ｌ、Ｎａ、Ａｇ、Ｃｕ及びＭｇの各原子から選ばれる少
    なくとも１種の金属原子であり、また、ａ、ｂ、ｅはそ
    れぞれ０≦ａ＜０．５、０≦ｂ＜０．５、０＜ｅ≦０．
    ２の範囲の数値を表す。〕
  10. 【請求項１０】 一般式（１）におけるＭ1がＫ、Ｒｂ
    およびＣｓの各原子から選ばれる少なくとも一種のアル
    カリ金属原子であることを特徴とする請求項９に記載の
    放射線画像変換パネル。
  11. 【請求項１１】 一般式（１）におけるＸがＢｒ原子及
    びＩ原子から選ばれる少なくとも一種のハロゲン原子で
    あることを特徴とする請求項９又は１０に記載の放射線
    画像変換パネル。
  12. 【請求項１２】 一般式（１）におけるＭ2がＢｅ、Ｍ
    ｇ、Ｃａ、ＳｒおよびＢａの各原子から選ばれる少なく
    とも一種の二価金属原子であることを特徴とする請求項
    ９〜１１の何れか１項に記載の放射線画像変換パネル。
  13. 【請求項１３】 一般式（１）におけるＭ3がＹ、Ｃ
    ｅ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ａｌ、Ｌａ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｇａおよび
    Ｉｎの各原子から選ばれる少なくとも一種の三価金属原
    子であることを特徴とする請求項９〜１２の何れか１項
    に記載の放射線画像変換パネル。
  14. 【請求項１４】 一般式（１）におけるｂが０≦ｂ≦１
    ０-2であることを特徴とする請求項９〜１３の何れか１
    項に記載の放射線画像変換パネル。
  15. 【請求項１５】 一般式（１）におけるＡが、Ｅｕ、Ｃ
    ｅ、Ｓｍ、Ｔｌ及びＮａの各原子から選ばれる少なくと
    も１種の金属原子であることを特徴とする請求項９〜１
    ４の何れか１項に記載の放射線画像変換パネル。
  16. 【請求項１６】 輝尽性蛍光体が柱状結晶を有すること
    を特徴とする請求項１〜１５の何れか１項に記載の放射
    線画像変換パネル。
  17. 【請求項１７】 柱状結晶が主成分として下記一般式
    （２）で表される輝尽性蛍光体を有することを特徴とす
    る請求項１６に記載の放射線画像変換パネル。 一般式（２） ＣｓＸ：Ａ 〔式中、ＸはＢｒまたはＩを表し、ＡはＥｕ、Ｉｎ、Ｇ
    ａまたはＣｅを表す。〕
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005222023A (ja) * 2004-01-06 2005-08-18 Konica Minolta Medical & Graphic Inc 放射線画像読取方法及び放射線画像読取装置並びに輝尽性蛍光体プレート
JP2006084267A (ja) * 2004-09-15 2006-03-30 Konica Minolta Medical & Graphic Inc 放射線像変換パネル及び放射線像撮影方法
JP2015001387A (ja) * 2013-06-13 2015-01-05 株式会社東芝 放射線検出器の製造方法

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