JP2003270644A - 液晶装置及びその製造方法並びに接着材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 画素の劣化を招来することなく、セル厚及び
組立精度を高精度に制御しながら、対向基板と素子基板
とを貼り合わせ固着する。 【解決手段】ステップＳ21〜Ｓ23において、ＴＦＴ基板
上にシール材、上下導通材及び固定部材を形成する。固
定部材はシール材の外側に形成される。即ち、固定部材
は画素領域から十分に離間しており、ＴＦＴ基板と対向
基板とを貼り合わせ（ステップＳ25）、アライメントし
ながら固定部材を光硬化させた（ステップＳ26）場合で
も、画素に漏れ光が照射されることはない。ステップＳ
27においてシール材を熱によって本硬化させる。こうし
て、画素には漏れ光は照射されず、画素を劣化させるこ
となく、高いアライメント精度と十分な強度での貼り合
わせが可能である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、小型の液晶パネル
の貼り合わせに好適な液晶装置及びその製造方法並びに
接着剤に関する。

【０００２】

【従来の技術】液晶ライトバルブ等の液晶装置は、ガラ
ス基板、石英基板等の２枚の基板間に液晶を封入して構
成される。液晶ライトバルブでは、一方の基板に、例え
ば薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor、以下、Ｔ
ＦＴと称す）をマトリクス状に配置し、他方の基板に対
向電極を配置して、両基板間に封止した液晶層の光学特
性を画像信号に応じて変化させることで、画像表示を可
能にする。

【０００３】ＴＦＴを配置したＴＦＴ基板と、ＴＦＴ基
板に対向配置される対向基板とは、別々に製造される。
両基板は、パネル組み立て工程において高精度に貼り合
わされた後、液晶が封入される。

【０００４】パネル組み立て工程においては、先ず、各
基板工程において夫々製造されたＴＦＴ基板と対向基板
との対向面、即ち、対向基板及びＴＦＴ基板の液晶層と
接する面上に配向膜が形成され、次いでラビング処理が
行われる。

【０００５】配向膜を形成してラビング処理を施すこと
で、電圧無印加時の液晶分子の配列が決定される。配向
膜は、例えばポリイミドを約数十ナノメーターの厚さで
塗布することにより形成される。液晶層に対向する両基
板の面上に配向膜を形成することで、液晶分子を基板面
に沿って配向処理することができる。ラビング処理は、
配向膜表面に細かい溝を形成して配向異方性の膜にする
ものであり、配向膜に一定方向のラビング処理を施すこ
とで、液晶分子の配列を規定することができる。

【０００６】次に、一方の基板上の端辺に接着剤となる
シール材が形成される。ＴＦＴ基板と対向基板とをシー
ル材を用いて貼り合わせ、アライメントを施しながら圧
着硬化させる。シール材の一部には切り欠きが設けられ
ており、この切り欠きを介して液晶を封入する。

【０００７】ところで、基板の貼り合わせ処理において
は、熱硬化を利用してシール材を硬化させる方法と、光
（紫外線）硬化を利用してシール材を硬化させる方法と
がある。

【０００８】シール材を熱硬化する方法は生産性が高い
という利点を有する。しかしながら、シール材の熱膨張
率とガラスの熱膨張率との相違等によって、アライメン
トに狂いが生じてしまう。

【０００９】このため、一般的には、接着部を紫外線硬
化させる方法が採用されることが多い。紫外線硬化を採
用すると、熱を加えないことから、アライメント精度が
高いという利点がある。しかし、紫外線硬化では３００
０〜３００００ｍＪといった大光量を必要とし十分な硬
化に長時間を要してしまう。

【００１０】また、紫外線を照射した際にポリイミドに
光が照射され劣化し、液晶の配向のプレチルト角が低下
する等の問題がある。

【００１１】そこで、最近では、短時間で硬化する紫外
線硬化を仮硬化に採用し、本硬化において大光量の紫外
線による紫外線硬化及び補助的に熱硬化を採用したシー
ル材を用いることがある。短時間の仮硬化によってアラ
イメント精度を向上させると共に、大光量の紫外線を用
いた本硬化によって、十分な固着強度を得る。

【００１２】なお、シール材に紫外線を照射する場合に
は、画素への影響を回避するために、シール材以外の部
分を遮光する遮光マスクを用いるようになっている。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、遮光マ
スクだけでは画素への紫外線の入射を完全に阻止するこ
とはできない。しかも、ＵＶ露光時の光量は１０００〜
４０００ｍＪと比較的高い。このため、生産性及び組立
精度等の観点からシール材として紫外線硬化型の接着材
料を使用すると、シール材に対する紫外線硬化時にシー
ル材近傍の画素に比較的大きな光量の光が入射してしま
う。そうすると、配向膜等が劣化しやすくなり、画面品
位の低下を招来してしまうという問題点があった。

【００１４】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
のであって、対向基板と素子基板とを固着するシール材
以外に、仮硬化用の固定部材をシール材の外側に設け、
固定部材をＵＶ硬化型とし、シール材を熱硬化型とする
ことにより、セル厚及び組立精度を高精度に制御可能と
すると共に、紫外線による画素への悪影響を回避するこ
とができる液晶装置及びその製造方法並びに接着剤を提
供することを目的とする。

【００１５】

【課題を解決するための手段】本発明に係る液晶装置
は、相互に対向配置されて液晶が封入される第１及び第
２の液晶基板相互間に形成され、熱硬化することによ
り、前記第１及び第２の液晶基板同士を固着するシール
材と、前記第１及び第２の液晶基板相互間で前記第１及
び第２の液晶基板によって構成される画素領域から離間
した位置に形成され、光硬化することにより、前記第１
及び第２の液晶基板同士を仮固定する固定部材とを具備
したことを特徴とする。

【００１６】このような構成によれば、第１及び第２の
液晶基板相互間にはシール材が形成される。また、第１
及び第２の液晶基板相互間で第１及び第２の液晶基板に
よって構成される画素領域から離間した位置に固定部材
が形成される。固定部材は光硬化することによって、第
１及び第２の液晶基板同士を仮固定する。光による硬化
によって、セル厚及び組立精度を高精度に制御しなが
ら、仮固定が行われる。固定部材の光硬化に際して、画
素領域に漏れ光が照射されることはない。シール材は熱
硬化し、十分な強度で第１及び第２の液晶基板同士を固
着する。こうして、画素の劣化を招来することなく、高
精度の貼り付けが行われる。

【００１７】前記固定部材は、前記第１及び第２の液晶
基板相互間の前記シール材の外側に形成されることを特
徴とする。

【００１８】このような構成によれば、固定部材はシー
ル材の外側に形成されるので、固定部材は、少なくとも
シール材の幅以上に画素領域から離間する。これによ
り、光露光に際して、光が画素領域に照射されることが
防止される。

【００１９】また、前記固定部材は、マスク露光に際し
て、漏れ光が前記第１及び第２の液晶基板によって構成
される画素領域に照射されない位置に形成されることを
特徴とする。

【００２０】このような構成によれば、マスク露光の際
の漏れ光が画素に照射されないので、画素が劣化するこ
とを防止することができる。

【００２１】また、前記固定部材は、前記第１及び第２
の液晶基板同士を電気的に接続する上下導通材と兼用さ
れることを特徴とする。

【００２２】このような構成によれば、固定部材は上下
導通材と兼用されるので、固定部材を形成するためのス
ペースを新たに設ける必要はなく、設計の自由度が低下
することはない。

【００２３】また、前記固定部材は、前記シール材の全
外辺に沿って形成されることを特徴とする。

【００２４】このような構成によれば、シール材と同様
の形成工程によって固定部材を形成することができる。

【００２５】また、前記固定部材は、前記第１及び第２
の液晶基板のうちの一方の液晶基板の四隅に形成される
ことを特徴とする。

【００２６】このような構成によれば、第１及び第２の
液晶基板のうちの一方の液晶基板の四隅は、画素領域か
ら比較的離間した位置で比較的大きな空きスペースを有
しており、固定部材の形成位置として最適である。

【００２７】本発明に係る液晶装置の製造方法は、相互
に対向配置されて液晶が封入される第１及び第２の液晶
基板の一方に熱硬化型のシール材を形成すると共に前記
第１及び第２の液晶基板によって構成される画素領域か
ら離間した位置に光硬化型の固定部材を形成する工程
と、前記第１及び第２の液晶基板を貼り合わせて、前記
固定部材に光を照射することによって、アライメントし
ながら前記第１及び第２の液晶基板を仮固定する仮硬化
工程と、前記シール材を熱によって本硬化させて前記第
１及び第２の液晶基板を固着する工程とを具備したこと
を特徴とする。

【００２８】このような構成によれば、シール材及び固
定部材が、第１及び第２の液晶基板の一方に形成され
る。固定部材は、第１及び第２の液晶基板によって構成
される画素領域から離間した位置に形成される。第１及
び第２の液晶基板は貼り合わされ、固定部材に光を照射
して、アライメントしながら固定部材を硬化させる。こ
れにより、第１及び第２の液晶基板を仮固定する。次
に、シール材を熱によって本硬化させて第１及び第２の
液晶基板を固着する。こうして、画素の劣化を招来する
ことなく、高精度の貼り付けが行われる。

【００２９】また、前記固定部材は、前記第１及び第２
の液晶基板相互間の前記シール材の外側に形成されるこ
とを特徴とする。

【００３０】また、前記固定部材は、前記第１及び第２
の液晶基板相互間を電気的に接続する上下導通材と兼用
されることを特徴とする。

【００３１】このような構成によれば、仮硬化用の固定
部材によって、第１及び第２の液晶基板相互間を電気的
に接続することができる。また、上下導通材を形成する
工程と固定部材を形成する工程が兼用されることにな
り、工程数の増加が防止される。

【００３２】本発明に係る液晶装置の製造に用いる接着
剤は、光硬化可能な基体樹脂と、光開始材と、導通機能
を有するフィラーとを具備したことを特徴とする。

【００３３】このような構成によれば、基体樹脂は、光
開始材によって光硬化する。導通機能を有するフィラー
によって、基体樹脂の両端に接触した部材間を電気的に
接続することができる。

【００３４】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態について詳細に説明する。図１は本発明の第１
の実施の形態に係る製造方法を示すフローチャートであ
る。図２は図１の製造方法によって基板が組み立てられ
る液晶装置について、その画素領域を構成する複数の画
素における各種素子、配線等の等価回路図である。図３
は図２の液晶装置を、ＴＦＴ基板等の素子基板をその上
に形成された各構成要素と共に対向基板側から見た平面
図であり、図４は素子基板と対向基板とを貼り合わせて
液晶を封入する組み立て工程終了後の液晶装置を、図３
のＨ−Ｈ’線の位置で切断して示す断面図である。ま
た、図５は液晶装置の画素の構成を詳細に示す断面図で
ある。図６はパネル組み立て工程を示すフローチャート
である。

【００３５】本実施の形態は、有効な画素領域から十分
に離間した位置において光硬化型の仮固定用の部材によ
って対向基板と素子基板とをアライメントを施しながら
仮固定すると共に、熱硬化型のシール材を本硬化させて
対向基板と素子基板とを確実に接着固定するようにした
ものである。

【００３６】先ず、図２乃至図５を参照して、液晶装置
の構造について説明する。

【００３７】液晶装置は、図３及び図４に示すように、
ＴＦＴ基板等の素子基板１０と対向基板２０との間に液
晶５０を封入して構成される。素子基板１０上には画素
を構成する画素電極等がマトリクス状に配置される。図
２は画素を構成する素子基板１０上の素子の等価回路を
示している。

【００３８】図２に示すように、画素領域においては、
複数本の走査線３ａと複数本のデータ線６ａとが交差す
るように配線され、走査線３ａとデータ線６ａとで区画
された領域に画素電極９ａがマトリクス状に配置され
る。そして、走査線３ａとデータ線６ａの各交差部分に
対応してＴＦＴ３０が設けられ、このＴＦＴ３０に画素
電極９ａが接続される。

【００３９】ＴＦＴ３０は走査線３ａのＯＮ信号によっ
てオンとなり、これにより、データ線６ａに供給された
画像信号が画素電極９ａに供給される。この画素電極９
ａと対向基板２０に設けられた対向電極２１との間の電
圧が液晶５０に印加される。また、画素電極９ａと並列
に蓄積容量７０が設けられており、蓄積容量７０によっ
て、画素電極９ａの電圧はソース電圧が印加された時間
よりも例えば３桁も長い時間の保持が可能となる。蓄積
容量７０によって、電圧保持特性が改善され、コントラ
スト比の高い画像表示が可能となる。

【００４０】図５は、一つの画素に着目した液晶装置の
模式的断面図である。

【００４１】ガラスや石英等の素子基板１０には、溝１
１が形成されている。この溝１１上に遮光膜１２及び第
１層間絶縁膜１３を介してＬＤＤ構造をなすＴＦＴ３０
が形成されている。溝１１によって、ＴＦＴ基板の液晶
５０との境界面が平坦化される。

【００４２】ＴＦＴ３０は、チャネル領域１ａ、ソース
領域１ｄ、ドレイン領域１ｅが形成された半導体層に絶
縁膜２を介してゲート電極をなす走査線３ａが設けられ
てなる。なお、遮光膜１２は、ＴＦＴ３０の形成領域に
対応する領域、後述するデータ線６ａ及び走査線３ａ等
の形成領域、即ち各画素の非表示領域に対応した領域に
形成されている。この遮光膜１２によって、反射光がＴ
ＦＴ３０のチャネル領域１ａ、ソース領域１ｄ及びドレ
イン領域１ｅに入射することが防止される。

【００４３】ＴＦＴ３０上には第２層間絶縁膜１４が積
層され、第２層間絶縁膜１４上には中間導電層１５が形
成されている。中間導電層１５上には誘電体膜１７を介
して容量線１８が対向配置されている。容量線１８は、
容量層と遮光層とからなり、中間導電層１５との間で蓄
積容量を構成すると共に、光の内部反射を防止する遮光
機能を有する。半導体層に比較的近接した位置に中間導
電層１５を形成しており、光の乱反射を効率よく防止す
ることができる。

【００４４】容量線１８上には第３層間絶縁膜１９が配
置され、第３層間絶縁膜１９上にはデータ線６ａが積層
される。データ線６ａは、第３及び第２層間絶縁膜１
９，１４を貫通するコンタクトホール２４ａ，２４ｂを
介してソース領域１ｄに電気的に接続される。データ線
６ａ上には第４層間絶縁膜２５を介して画素電極９ａが
積層されている。画素電極９ａは、第４〜第２層間絶縁
膜２５，１９，１４を貫通するコンタクトホール２６
ａ，２６ｂにより容量線１８を介してドレイン領域１ｅ
に電気的に接続される。画素電極９ａ上にはポリイミド
系の高分子樹脂からなる配向膜１６が積層され、所定方
向にラビング処理されている。

【００４５】走査線３ａ（ゲート電極）にＯＮ信号が供
給されることで、チャネル領域１ａが導通状態となり、
ソース領域１ｄとドレイン領域１ｅとが接続されて、デ
ータ線６ａに供給された画像信号が画素電極９ａに与え
られる。

【００４６】一方、対向基板２０には、ＴＦＴアレイ基
板のデータ線６ａ、走査線３ａ及びＴＦＴ３０の形成領
域に対向する領域、即ち各画素の非表示領域において第
１遮光膜２３が設けられている。この第１遮光膜２３に
よって、対向基板２０側からの入射光がＴＦＴ３０のチ
ャネル領域１ａ、ソース領域１ｄ及びドレイン領域１ｅ
に入射することが防止される。第１遮光膜２３上に、対
向電極（共通電極）２１が基板２０全面に亘って形成さ
れている。対向電極２１上にポリイミド系の高分子樹脂
からなる配向膜２２が積層され、所定方向にラビング処
理されている。

【００４７】そして、素子基板１０と対向基板２０との
間に液晶５０が封入されている。これにより、ＴＦＴ３
０は所定のタイミングでデータ線６ａから供給される画
像信号を画素電極９ａに書き込む。書き込まれた画素電
極９ａと対向電極２１との電位差に応じて液晶５０の分
子集合の配向や秩序が変化して、光を変調し、階調表示
を可能にする。

【００４８】図３及び図４に示すように、対向基板２０
には表示領域を区画する額縁としての遮光膜４２が設け
られている。遮光膜４２は例えば遮光膜２３と同一又は
異なる遮光性材料によって形成されている。

【００４９】遮光膜４２の外側の領域には、液晶を封入
するシール材４１が、素子基板１０と対向基板２０間に
形成されている。シール材４１は対向基板２０の輪郭形
状に略一致するように配置され、素子基板１０と対向基
板２０を相互に固着する。本実施の形態においては、シ
ール材４１としては熱硬化型の接着材料が用いられる。

【００５０】更に、本実施の形態においては、シール材
４１の外側の領域には、仮固定用の固定部材４３が形成
されている。固定部材４３は、素子基板１０と対向基板
２０間に形成されて、素子基板１０と対向基板２０を相
互に固着する。固定部材４３としてはＵＶ硬化型の接着
材料が用いられる。

【００５１】シール材４１及び固定部材４３は、素子基
板１０の１辺の一部において欠落しており、貼り合わさ
れた素子基板１０及び対向基板２０相互の間隙には、液
晶５０を注入するための液晶注入口７８が形成される。
液晶注入口７８より液晶が注入された後、液晶注入口７
８を封止材７９で封止するようになっている。

【００５２】素子基板１０の固定部材４３の外側の領域
には、データ線駆動回路６１及び実装端子６２が素子基
板１０の一辺に沿って設けられており、この一辺に隣接
する２辺に沿って、走査線駆動回路６３が設けられてい
る。素子基板１０の残る一辺には、画面表示領域の両側
に設けられた走査線駆動回路６３間を接続するための複
数の配線６４が設けられている。また、対向基板２０の
コーナー部の少なくとも１箇所においては、素子基板１
０と対向基板２０との間を電気的に導通させるための上
下導通材６５が設けられている。

【００５３】次に、固定部材４３の具体例について説明
する。

【００５４】本実施の形態においては、固定部材４３と
しては、光硬化可能な基体樹脂を採用する。例えば、ア
クリル酸エステル、メタクリル酸エステルのモノマー又
はオリゴマー、ビスフェノール変性アクリレート、ビス
フェノール変性メタクリレート、シリコン変性アクリレ
ート、ウレタン変性アクリレート、ふっ素アクリレー
ト、アリルモノマー、アリルオリゴマー等の光ラジカル
発生剤で重合可能な樹脂であればよい。

【００５５】固定部材４３の光開始剤としては、ベンゾ
フェノン、２，２−ジエトキシアセトフェノン、ベンゾ
イルイソプロピルエーテル、ベンジルジメチルケター
ル、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、チ
オキサントン等の光ラジカル発生剤が考えられる。

【００５６】一方、シール材４１としては、熱シール剤
が用いられる。シール材４１の基本組成としては、エポ
キシ系の基体樹脂、硬化剤又は硬化触媒とセルギャップ
を形成するフィラー剤がある。必要に応じて、接着付与
剤、平坦化剤を添加する。

【００５７】シール材４１の基体樹脂としては、ビスフ
ェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキ
シ樹脂、環式脂肪族エポキシ樹脂、各種変性エポキシ樹
脂等が考えられる。

【００５８】シール材４１の硬化剤としては、アミン系
硬化剤、ウレタン系硬化剤又はメラミン系硬化剤等、基
体樹脂と硬化反応するものであれば制限はない。

【００５９】また、シール材４１の硬化触媒（エポキシ
単体で硬化させる場合）としては、各種の金属触媒、酸
触媒等が考えられる。

【００６０】また、シール材４１のフィラーとしては、
ガラスビーズ、ガラスフィラー等の各種のセラミックビ
ーズ又はファイバー又はウイスカーが考えられる。

【００６１】このような液晶装置は、例えば、図６に示
すパネル組み立て工程によって組み立てられる。素子基
板１０（ＴＦＴ基板）と対向基板２０とは、別々に製造
される。ステップＳ1 ，Ｓ6 で夫々用意されたＴＦＴ基
板及び対向基板２０に対して、次のステップＳ2 ，Ｓ7
では、配向膜１６，２２となるポリイミド（ＰＩ）を塗
布する。次に、ステップＳ3 ，Ｓ8 において、素子基板
１０表面の配向膜１６及び対向基板２０表面の配向膜２
２に対して、ラビング処理を施す。

【００６２】次に、ステップＳ4 ，Ｓ9 において、洗浄
工程を行う。この洗浄工程は、ラビング処理によって生
じた塵埃を除去するためのものである。洗浄工程が終了
すると、ステップＳ5 において、シール材４１及び固定
部材４３（図２参照）を形成する。次に、ステップＳ10
で、素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせ、ステ
ップＳ11でアライメントを施しながら圧着し、固定部材
４３を硬化させ、更にシール材４１を硬化させる。最後
に、ステップＳ12において、シール材４１の一部に設け
た切り欠きから液晶を封入し、切り欠きを塞いで液晶を
封止する。

【００６３】図１は図６の接着剤形成工程、貼り合わせ
工程及びアライメント・圧着硬化工程を具体的に示して
いる。

【００６４】図１のステップＳ20，Ｓ24において、夫
々、ラビング処理後のＴＦＴ基板及び対向基板が投入さ
れる。ステップＳ21〜Ｓ23では、例えばディスペンス方
式によって、ＴＦＴ基板表面にシール材４１、上下導通
材６５及び固定部材４３が形成される。シール材４１は
画素領域の縁辺部に形成され、上下導通材６５は対向基
板２０の四隅に形成され、固定部材４３はシール材４１
の外側に形成される。シール材４１は例えば約５００μ
ｍの幅に形成される。

【００６５】次のステップＳ25では、ＴＦＴ基板と対向
基板とが貼り合わされる。次に、ステップＳ26におい
て、アライメントを施しながら、固定部材４３を仮硬化
させる。この場合には、固定部材４３以外の部分を遮光
マスクでマスキングして、紫外線によってマスク露光す
る。固定部材４３として、感度が高い光ラジカル硬化型
の樹脂を採用しており、ＵＶ光量が約２０００ｍＪ以下
という比較的低い光量での硬化が可能である。

【００６６】次のステップＳ27においては、シール材４
１に対して熱硬化を施す。例えば、約摂氏１８０度の熱
をシール材４１に印加することで、シール材４１を強固
に本硬化させる。

【００６７】このように構成された実施の形態において
は、硬化工程では、ＵＶを用いた仮硬化と熱による本硬
化とが行われる。仮硬化においては、アライメントを施
しながら比較的低い光量で、短時間に固定部材４３を硬
化させる。これにより、セル厚及び組立精度を高精度に
制御することができる。固定部材４３の内側にはシール
材４１が形成されており、従って、固定部剤４３の内側
の縁辺は画素端辺より少なくとも５００μｍ以上離間し
ている。

【００６８】マスク露光時には、マスクよりも外側に約
２００μｍ程度は紫外線が照射されてしまう。しかし、
この場合でも、固定部材４３から画素端辺までは約５０
０μｍ以上離間しているので、露光に用いた紫外線が画
素領域に照射されることはない。即ち、仮硬化時におい
て画素領域に漏れ光が照射されることはない。

【００６９】シール材４１に対する本硬化は、熱硬化に
よって行われる。熱硬化によって、シール材４１はＴＦ
Ｔ基板と対向基板とを強固に固着する。また、ＵＶ硬化
を採用していないので、本硬化時においても、画素領域
にはＵＶ光は照射されない。

【００７０】このように、本実施の形態においては、仮
硬化において、画素領域から十分に離間した位置の固定
部材に対するＵＶ硬化を行っており、高いアライメント
精度での短時間の硬化を可能にし、本硬化において、シ
ール材に対する熱硬化によって十分な接着強度での固着
を可能にしている。これにより、紫外線による画素への
悪影響を回避しながら、セル厚及び組立精度を高精度に
制御した液晶装置を得ることができる。

【００７１】なお、上記実施の形態においては、固定部
材はシール材を囲むように、シール材の全ての縁辺の外
側に帯状に形成した。しかし、固定部材は、ＴＦＴ基板
と対向基板とを仮固定するための強度を有していればよ
く、シール材の外側の一部に形成するようにしてもよ
い。例えば、シール材の対向する辺の外側の２カ所に線
状（壁状）又は点状（柱状）に形成してもよい。また例
えば、シール材の外側であれば、固定部材を対向基板の
四隅に設けてもよい。

【００７２】図７及び図８は本発明の第２の実施の形態
に係り、図７はＴＦＴ基板等の素子基板をその上に形成
された各構成要素と共に対向基板側から見た平面図であ
り、図８は素子基板と対向基板とを貼り合わせて液晶を
封入する組み立て工程終了後の液晶装置を、図７のＡ−
Ａ’線の位置で切断して示す断面図である。

【００７３】本実施の形態はＵＶ硬化型の固定部材を上
下導通材と兼用した例であって、上下導通材を対向基板
の四隅に設けた例を示している。

【００７４】本実施の形態は、図３及び図４の固定部材
４１及び上下導通材６５に代えて、上下導通材８２を採
用した点が第１の実施の形態と異なる。シール材８１は
図３及び図４のシール材４１と同様の構成である。な
お、ディスペンス方式でシール材を形成した場合、実際
には、シール材の四隅は図７に示すように円弧状に曲が
った平面形状となる。この四隅の位置に、上下導通材８
２を配置する。

【００７５】本実施の形態においては、上下導通材８２
をＵＶ硬化型の仮固定部材としても用いる。即ち、上下
導通材８２としては低光量で光硬化可能で、且つ必要な
上下導通機能を有したものを採用する。基本組成として
は光硬化可能な基体樹脂、光開始材、上下導通機能を有
するフィラーが必要であり、上下導通剤の貯蔵性向上を
目的とした分散剤、耐久性向上を目的とした熱硬化樹脂
/硬化剤、また平坦化剤、付着付与剤等を添加してもよ
い。

【００７６】このような上下導通材８２としては、第１
の実施の形態における固定部材４３に導通機能を有する
フィラーを混合することで実現することができる。

【００７７】上下導通機能を有するフィラーとしては、
金めっき、銅めっき、クロムニッケルメッキ等の金属め
っきガラスビーズ又はガラスファイバー又はウイスカー
に必要に応じて、金粉、銀粉等の金属分を混合したもの
が考えられる。

【００７８】上下導通材８２は上端が端子８３を介して
対向基板２０の図示しない電極に電気的に接続され、下
端が端子８４を介して素子基板１０の図示しない電極に
電気的に接続される。

【００７９】本実施の形態における液晶装置は、図９に
示す貼り合わせ工程によって対向基板２０と素子基板１
０とが貼り合わされる。即ち、上下導通材８２を上下導
通材としてだけでなく固定部材としても使用しているの
で、固定部材の形成工程は不要である。ステップＳ21，
Ｓ31において、例えば、ディスペンス方式によって、シ
ール材８１及び上下導通材８２を形成する。

【００８０】ステップＳ25において素子基板１０と対向
基板２０とを貼り合わせた後、ステップＳ32において、
アライメントを施しながら、上下導通材８２をＵＶ仮硬
化させる。この場合には、上下導通材８２以外の部分を
遮光マスクでマスキングして、紫外線によってマスク露
光する。この仮硬化では、約２０００ｍＪ以下という比
較的低い光量での硬化が可能である。

【００８１】上下導通材８２は、端子８３，８４を介し
て素子基板１０上の電極と対向基板２０上の電極とを電
気的に接続する。また、上下導通材８２は、比較的短時
間で硬化して、素子基板１０と対向基板２０とを仮固定
する。これにより、セル厚及び組立精度を高精度に制御
することが可能である。ステップＳ27においてシール材
８１を熱によって本硬化させることは第１の実施の形態
と同様である。

【００８２】このように、本実施の形態においては、対
向基板の四隅に設けた上下導通材によって、対向基板と
素子基板とをＵＶ露光によって仮固定し、熱硬化型のシ
ール材の本硬化によって対向基板と素子基板とを強固に
固着するようになっており、第１の実施の形態と同様の
効果を得ることができる。更に、シール材の外側に新た
に固定部材を形成する必要が無く、工程数を削減すると
共に、固定部材によって設計の自由度が制限されること
を阻止することができる。

【００８３】なお、上記各実施の形態においては、固定
部材はシール材の外側に配置するものとして説明した。
しかし、マスク露光に際して紫外線が画素領域に照射さ
れない位置に固定部材を配置すればよく、例えば、シー
ル部材が比較的広幅である場合には、シール部材内に固
定部材を配置するようにしてもよいことは明らかであ
る。

【００８４】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、対
向基板と素子基板とを固着するシール材以外に、仮硬化
用の固定部材をシール材の外側に設け、固定部材をＵＶ
硬化型とし、シール材を熱硬化型とすることにより、セ
ル厚及び組立精度を高精度に制御可能とすると共に、紫
外線による画素への悪影響を回避することができるとい
う効果を有する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態に係る製造方法を示
すフローチャート。

【図２】図１の製造方法によって基板が組み立てられる
液晶装置について、その画素領域を構成する複数の画素
における各種素子、配線等の等価回路図。

【図３】図２の液晶装置を、ＴＦＴ基板等の素子基板を
その上に形成された各構成要素と共に対向基板側から見
た平面図。

【図４】素子基板と対向基板とを貼り合わせて液晶を封
入する組み立て工程終了後の液晶装置を、図３のＨ−
Ｈ’線の位置で切断して示す断面図。

【図５】液晶装置の画素の構成を詳細に示す断面図。

【図６】パネル組み立て工程を示すフローチャート。

【図７】ＴＦＴ基板等の素子基板をその上に形成された
各構成要素と共に対向基板側から見た平面図。

【図８】素子基板と対向基板とを貼り合わせて液晶を封
入する組み立て工程終了後の液晶装置を、図７のＡ−
Ａ’線の位置で切断して示す断面図。

【図９】第２の実施の形態における貼り合わせ工程を示
すフローチャート。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H088 FA01 FA03 FA04 FA21 HA01 HA02 HA03 HA04 HA08 HA14 HA21 MA02 MA20 2H089 LA24 NA39 NA42 NA43 NA44 NA45 NA51 PA13 PA15 QA12 QA16 TA01 TA02 TA04 TA07 TA09 TA13 TA17 2H092 GA28 GA29 JA24 JA37 JA41 JA46 JB11 JB22 JB51 JB56 MA10 NA25 PA01 PA02 PA04 PA06 PA09

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 相互に対向配置されて液晶が封入される
   第１及び第２の液晶基板相互間に形成され、熱硬化する
   ことにより、前記第１及び第２の液晶基板同士を固着す
   るシール材と、 前記第１及び第２の液晶基板相互間で前記第１及び第２
   の液晶基板によって構成される画素領域から離間した位
   置に形成され、光硬化することにより、前記第１及び第
   ２の液晶基板同士を仮固定する固定部材とを具備したこ
   とを特徴とする液晶装置。
2. 【請求項２】 前記固定部材は、前記第１及び第２の液
   晶基板相互間の前記シール材の外側に形成されることを
   特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
3. 【請求項３】 前記固定部材は、マスク露光に際して、
   漏れ光が前記第１及び第２の液晶基板によって構成され
   る画素領域に照射されない位置に形成されることを特徴
   とする請求項１に記載の液晶装置。
4. 【請求項４】 前記固定部材は、前記第１及び第２の液
   晶基板同士を電気的に接続する上下導通材と兼用される
   ことを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
5. 【請求項５】 前記固定部材は、前記シール材の全外辺
   に沿って形成されることを特徴とする請求項１に記載の
   液晶装置。
6. 【請求項６】 前記固定部材は、前記第１及び第２の液
   晶基板のうちの一方の液晶基板の四隅に形成されること
   を特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
7. 【請求項７】 相互に対向配置されて液晶が封入される
   第１及び第２の液晶基板の一方に熱硬化型のシール材を
   形成すると共に前記第１及び第２の液晶基板によって構
   成される画素領域から離間した位置に光硬化型の固定部
   材を形成する工程と、 前記第１及び第２の液晶基板を貼り合わせて、前記固定
   部材に光を照射することによって、アライメントしなが
   ら前記第１及び第２の液晶基板を仮固定する仮硬化工程
   と、 前記シール材を熱によって本硬化させて前記第１及び第
   ２の液晶基板を固着する工程とを具備したことを特徴と
   する液晶装置の製造方法。
8. 【請求項８】 前記固定部材は、前記第１及び第２の液
   晶基板相互間の前記シール材の外側に形成されることを
   特徴とする請求項７に記載の液晶装置の製造方法。
9. 【請求項９】 前記固定部材は、前記第１及び第２の液
   晶基板相互間を電気的に接続する上下導通材と兼用され
   ることを特徴とする請求項７に記載の液晶装置の製造方
   法。
10. 【請求項１０】 光硬化可能な基体樹脂と、 光開始材と、 導通機能を有するフィラーとを具備したことを特徴とす
    る液晶装置の製造に用いる接着剤。