JP2003273043A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JP2003273043A JP2003273043A JP2002076023A JP2002076023A JP2003273043A JP 2003273043 A JP2003273043 A JP 2003273043A JP 2002076023 A JP2002076023 A JP 2002076023A JP 2002076023 A JP2002076023 A JP 2002076023A JP 2003273043 A JP2003273043 A JP 2003273043A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ダイシング時のシリコン破片やダイヤモンド
微粒などによる固体撮像素子表面の傷付きやごみ付着を
少なくし、黒きず不良等の発生を低減させ、また固体撮
像素子の微細化においても、その製造歩留を向上させる
ことができる半導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】 半導体ウェハ１２に複数のＣＣＤ１１を
形成した後、ダイシングにより半導体ウェハ１２を個々
のＣＣＤ１１に分割するに際し、半導体ウェハ１２表面
にアクリル系樹脂材料でなる加工保護被膜１８を１μｍ
〜３μｍの膜厚となるよう被着した後に回転ブレード２
０によりダイシングを行ない、ダイシング後に加工保護
被膜１８をアルカリ水溶液又は有機溶剤で剥離、除去
し、該半導体ウェハ１２を個々のＣＣＤ１１に分割す
る。
微粒などによる固体撮像素子表面の傷付きやごみ付着を
少なくし、黒きず不良等の発生を低減させ、また固体撮
像素子の微細化においても、その製造歩留を向上させる
ことができる半導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】 半導体ウェハ１２に複数のＣＣＤ１１を
形成した後、ダイシングにより半導体ウェハ１２を個々
のＣＣＤ１１に分割するに際し、半導体ウェハ１２表面
にアクリル系樹脂材料でなる加工保護被膜１８を１μｍ
〜３μｍの膜厚となるよう被着した後に回転ブレード２
０によりダイシングを行ない、ダイシング後に加工保護
被膜１８をアルカリ水溶液又は有機溶剤で剥離、除去
し、該半導体ウェハ１２を個々のＣＣＤ１１に分割す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＣＣＤやＣＭＯＳ
センサ等の固体撮像素子を形成するのに好適する半導体
装置の製造方法に関する。
センサ等の固体撮像素子を形成するのに好適する半導体
装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来技術をＣＣＤの製造工程の一部工程
を示す図６乃至図８を参照して説明する。図６は第１の
工程を示す断面図であり、図７は第２の工程を示す断面
図であり、図８は第３の工程を示す断面図である。
を示す図６乃至図８を参照して説明する。図６は第１の
工程を示す断面図であり、図７は第２の工程を示す断面
図であり、図８は第３の工程を示す断面図である。
【０００３】周知の通り、ＣＣＤ（電荷結合素子）は、
先ずｐ形シリコン基板に、撮像領域上に撮像レンズ（色
フィルタ）を配した多数の画素を設けるようにして複数
形成される。そして、複数のＣＣＤが形成された半導体
ウェハは、以下の工程を経て個々のＣＣＤに分割され、
パッケージに移載される。
先ずｐ形シリコン基板に、撮像領域上に撮像レンズ（色
フィルタ）を配した多数の画素を設けるようにして複数
形成される。そして、複数のＣＣＤが形成された半導体
ウェハは、以下の工程を経て個々のＣＣＤに分割され、
パッケージに移載される。
【０００４】すなわち、図６に示す第１の工程におい
て、複数のＣＣＤ１が形成された半導体ウェハ２は、各
画素３の撮像レンズ（色フィルタ）４や外部電極５を上
面に露出させるようにして電気的特性評価を行なうダイ
ソータ等の図示しない評価装置にセットされる。続いて
半導体ウェハ２の各ＣＣＤ１の外部電極５には評価装置
のプローブ６が導通するよう押圧され、所定の電気的特
性評価が個々のＣＣＤ１について行なわれ、良品、不良
品の区別がなされる。
て、複数のＣＣＤ１が形成された半導体ウェハ２は、各
画素３の撮像レンズ（色フィルタ）４や外部電極５を上
面に露出させるようにして電気的特性評価を行なうダイ
ソータ等の図示しない評価装置にセットされる。続いて
半導体ウェハ２の各ＣＣＤ１の外部電極５には評価装置
のプローブ６が導通するよう押圧され、所定の電気的特
性評価が個々のＣＣＤ１について行なわれ、良品、不良
品の区別がなされる。
【０００５】次に、図７に示す第２の工程において、電
気的特性評価を終えた半導体ウェハ２は、要すればウェ
ハ厚が所定厚となるよう裏面側が研削され、さらに裏面
全面にＵＶテープでなるダイシングシート７が貼着さ
れ、図示しないウェハリングに取り付けられる。その
後、ダイシングシート７が貼着された半導体ウェハ２
は、図示しないダイシングマシンにセットされ、ダイシ
ングマシンのダイヤモンド微粒が貼付された回転ブレー
ド８によって、ダイシングライン９に沿ってカットさ
れ、個々のＣＣＤ１は、ダイシングシート７のみに貼り
付いている状態に分割される。
気的特性評価を終えた半導体ウェハ２は、要すればウェ
ハ厚が所定厚となるよう裏面側が研削され、さらに裏面
全面にＵＶテープでなるダイシングシート７が貼着さ
れ、図示しないウェハリングに取り付けられる。その
後、ダイシングシート７が貼着された半導体ウェハ２
は、図示しないダイシングマシンにセットされ、ダイシ
ングマシンのダイヤモンド微粒が貼付された回転ブレー
ド８によって、ダイシングライン９に沿ってカットさ
れ、個々のＣＣＤ１は、ダイシングシート７のみに貼り
付いている状態に分割される。
【０００６】次に、図８に示す第３の工程において、カ
ットされた後の半導体ウェハ２は、ウェハリングに取り
付けたまま図示しないチップマウント装置にセットされ
る。そして、ＵＶ光を当てることによって特性変化した
ダイシングシート７を引き延ばしながら裏面側から針状
の突き上げピン１０で突き上げ、個々に分割された良品
のＣＣＤ１を図示しないコレットで吸着、保持し、ダイ
シングシート７からピックアップが行なわれ、図示しな
いパッケージへの移載がなされる。
ットされた後の半導体ウェハ２は、ウェハリングに取り
付けたまま図示しないチップマウント装置にセットされ
る。そして、ＵＶ光を当てることによって特性変化した
ダイシングシート７を引き延ばしながら裏面側から針状
の突き上げピン１０で突き上げ、個々に分割された良品
のＣＣＤ１を図示しないコレットで吸着、保持し、ダイ
シングシート７からピックアップが行なわれ、図示しな
いパッケージへの移載がなされる。
【０００７】しかしながら上記の従来技術においては、
ダイシングマシンの回転ブレード８によって半導体ウェ
ハ２をカットし分割する際、基板のシリコンの破片や回
転ブレード８に貼付されているダイヤモンド微粒などが
飛び散り、ＣＣＤ１の表面に露出している撮像レンズ
（色フィルタ）４の表面に付着する。そして、撮像レン
ズ（色フィルタ）４表面に傷を付けたり、そのままごみ
として残ってしまい、これが原因でＣＣＤ１が黒きず不
良となってしまい、製品の製造歩留を低いものにしてい
た。
ダイシングマシンの回転ブレード８によって半導体ウェ
ハ２をカットし分割する際、基板のシリコンの破片や回
転ブレード８に貼付されているダイヤモンド微粒などが
飛び散り、ＣＣＤ１の表面に露出している撮像レンズ
（色フィルタ）４の表面に付着する。そして、撮像レン
ズ（色フィルタ）４表面に傷を付けたり、そのままごみ
として残ってしまい、これが原因でＣＣＤ１が黒きず不
良となってしまい、製品の製造歩留を低いものにしてい
た。
【０００８】こうした黒きず不良の原因となるシリコン
破片やダイヤモンド微粒などについては、最近のＣＣＤ
１の高精細化要求に対する画素数の増加、各セル面積の
縮小傾向からはより少なく、また有ってもより小さなも
のとする必要があった。
破片やダイヤモンド微粒などについては、最近のＣＣＤ
１の高精細化要求に対する画素数の増加、各セル面積の
縮小傾向からはより少なく、また有ってもより小さなも
のとする必要があった。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上記のような状況に鑑
みて本発明はなされたもので、その目的とするところ
は、ダイシング時のシリコン破片やダイヤモンド微粒な
どによる固体撮像素子表面の傷付きやごみ付着を少なく
し、これらによる黒きず不良の発生を低減させ、微細化
された固体撮像素子においても、その製造歩留を向上さ
せることができる半導体装置の製造方法を提供すること
にある。
みて本発明はなされたもので、その目的とするところ
は、ダイシング時のシリコン破片やダイヤモンド微粒な
どによる固体撮像素子表面の傷付きやごみ付着を少なく
し、これらによる黒きず不良の発生を低減させ、微細化
された固体撮像素子においても、その製造歩留を向上さ
せることができる半導体装置の製造方法を提供すること
にある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置の製
造方法は、半導体ウェハに複数の固体撮像素子を形成し
た後、ダイシングにより前記半導体ウェハを個々の固体
撮像素子に分割するに際し、前記半導体ウェハ表面に加
工保護被膜を被着した後にダイシングを行ない、ダイシ
ング後に前記加工保護被膜を剥離し、該半導体ウェハを
個々の固体撮像素子に分割することを特徴とする方法で
あり、さらに、前記加工保護被膜が、アクリル系樹脂膜
であることを特徴とする方法であり、さらに、前記加工
保護被膜の膜厚が、１μｍ〜３μｍであることを特徴と
する方法である。
造方法は、半導体ウェハに複数の固体撮像素子を形成し
た後、ダイシングにより前記半導体ウェハを個々の固体
撮像素子に分割するに際し、前記半導体ウェハ表面に加
工保護被膜を被着した後にダイシングを行ない、ダイシ
ング後に前記加工保護被膜を剥離し、該半導体ウェハを
個々の固体撮像素子に分割することを特徴とする方法で
あり、さらに、前記加工保護被膜が、アクリル系樹脂膜
であることを特徴とする方法であり、さらに、前記加工
保護被膜の膜厚が、１μｍ〜３μｍであることを特徴と
する方法である。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下本発明の一実施形態をＣＣＤ
における図１乃至図５を参照して説明する。図はＣＣＤ
の製造工程の一部工程を示すもので、図１は第１の工程
を示す断面図であり、図２は第２の工程を示す断面図で
あり、図３は第３の工程を示す断面図であり、図４は第
４の工程を示す断面図であり、図５は第５の工程を示す
断面図である。
における図１乃至図５を参照して説明する。図はＣＣＤ
の製造工程の一部工程を示すもので、図１は第１の工程
を示す断面図であり、図２は第２の工程を示す断面図で
あり、図３は第３の工程を示す断面図であり、図４は第
４の工程を示す断面図であり、図５は第５の工程を示す
断面図である。
【００１２】ＣＣＤ（電荷結合素子）は、図示しないが
例えば以下の工程を経ることによって、先ず複数のＣＣ
Ｄ１１が形成された半導体ウェハ１２の製造が行なわれ
る。すなわち、数Ωｃｍ〜数１０Ωｃｍのｐ形シリコン
基板１３表面部に、イオン注入法でｐ＋形のチャネル阻
止領域、ｎ形埋め込みチャネル層を形成し、さらにＳｉ
Ｏ２の厚いフィールド領域、薄いゲート領域を形成す
る。その後、所定位置に第１のポリシリコン電極を形成
し、また第１のポリシリコン電極をマスクにしてゲート
領域のＳｉＯ２を除去し、再び熱酸化によりＳｉＯ２膜
を形成する。
例えば以下の工程を経ることによって、先ず複数のＣＣ
Ｄ１１が形成された半導体ウェハ１２の製造が行なわれ
る。すなわち、数Ωｃｍ〜数１０Ωｃｍのｐ形シリコン
基板１３表面部に、イオン注入法でｐ＋形のチャネル阻
止領域、ｎ形埋め込みチャネル層を形成し、さらにＳｉ
Ｏ２の厚いフィールド領域、薄いゲート領域を形成す
る。その後、所定位置に第１のポリシリコン電極を形成
し、また第１のポリシリコン電極をマスクにしてゲート
領域のＳｉＯ２を除去し、再び熱酸化によりＳｉＯ２膜
を形成する。
【００１３】続いて、第１のポリシリコン電極をマスク
としてｐ形領域をイオン注入法により形成し、さらに第
２のポリシリコン電極を形成する。その後、第１のポリ
シリコン電極または第２のポリシリコン電極に対して自
己整合的にＣＣＤのソース、ドレイン、ＭＯＳＦＥＴの
ソース、ドレインを形成し、さらにＳｉＯ２の厚い層間
絶縁膜を堆積させ、コンタクトホールを形成し、所定パ
ターンのＡｌ配線を形成する。
としてｐ形領域をイオン注入法により形成し、さらに第
２のポリシリコン電極を形成する。その後、第１のポリ
シリコン電極または第２のポリシリコン電極に対して自
己整合的にＣＣＤのソース、ドレイン、ＭＯＳＦＥＴの
ソース、ドレインを形成し、さらにＳｉＯ２の厚い層間
絶縁膜を堆積させ、コンタクトホールを形成し、所定パ
ターンのＡｌ配線を形成する。
【００１４】またＡｌ配線上にＳｉＯ２の層間絶縁膜を
堆積させ、その上に所定パターンの遮光用Ａｌパターン
を形成する。その後、各画素１４の撮像領域上に撮像レ
ンズ（色フィルタ）１５を配するように設けて、複数の
ＣＣＤ１１が形成された半導体ウェハ１２を形成する。
そして、複数のＣＣＤ１１が形成された半導体ウェハ１
２については、以下の工程を経て個々のＣＣＤ１１に分
割し、パッケージのマウンティングパッド上に移載し、
個々の固体撮像素子となる。
堆積させ、その上に所定パターンの遮光用Ａｌパターン
を形成する。その後、各画素１４の撮像領域上に撮像レ
ンズ（色フィルタ）１５を配するように設けて、複数の
ＣＣＤ１１が形成された半導体ウェハ１２を形成する。
そして、複数のＣＣＤ１１が形成された半導体ウェハ１
２については、以下の工程を経て個々のＣＣＤ１１に分
割し、パッケージのマウンティングパッド上に移載し、
個々の固体撮像素子となる。
【００１５】そして、半導体ウェハ１２から個々のＣＣ
Ｄ１１に分割する工程は、次のように行なわれる。先
ず、図１に示す第１の工程において、複数のＣＣＤ１１
が形成された半導体ウェハ１２は、電気的特性評価を行
なうダイソータ等の図示しない評価装置にセットされ
る。半導体ウェハ１２は、各画素１４の撮像レンズ（色
フィルタ）１５や外部電極１６が上面に露出しており、
電気的特性評価を行なう際、その露出する外部電極１６
に評価装置のプローブ１７が導通するよう押圧され、ま
た導通するＣＣＤ１１を変えながら所定の電気的特性評
価が個々について行なわれ、半導体ウェハ１２全ＣＣＤ
１１について、良品、不良品の区別がなされる。
Ｄ１１に分割する工程は、次のように行なわれる。先
ず、図１に示す第１の工程において、複数のＣＣＤ１１
が形成された半導体ウェハ１２は、電気的特性評価を行
なうダイソータ等の図示しない評価装置にセットされ
る。半導体ウェハ１２は、各画素１４の撮像レンズ（色
フィルタ）１５や外部電極１６が上面に露出しており、
電気的特性評価を行なう際、その露出する外部電極１６
に評価装置のプローブ１７が導通するよう押圧され、ま
た導通するＣＣＤ１１を変えながら所定の電気的特性評
価が個々について行なわれ、半導体ウェハ１２全ＣＣＤ
１１について、良品、不良品の区別がなされる。
【００１６】次に、図２に示す第２の工程において、電
気的特性評価を終えた半導体ウェハ１２は、要すればウ
ェハ厚が所定厚となるようシリコン基板１３の裏面側が
研削される。続いて半導体ウェハ１２は、図示しない塗
布機（コータ）の回転支持台に真空チャック等による吸
着によって取り付けられ、半導体ウェハ１２を回転させ
ながら、その上全面に所定粘度の液状のアクリル系樹脂
をノズルから滴下させる。そして、半導体ウェハ１２の
上面に、所定厚、例えば１μｍ〜３μｍ程度の加工保護
被膜１８を、後述のダイシングマシンによるカット時の
水圧等で除去されず、加工屑等からの保護がなされるよ
う被着、所定の硬度に硬化させる。
気的特性評価を終えた半導体ウェハ１２は、要すればウ
ェハ厚が所定厚となるようシリコン基板１３の裏面側が
研削される。続いて半導体ウェハ１２は、図示しない塗
布機（コータ）の回転支持台に真空チャック等による吸
着によって取り付けられ、半導体ウェハ１２を回転させ
ながら、その上全面に所定粘度の液状のアクリル系樹脂
をノズルから滴下させる。そして、半導体ウェハ１２の
上面に、所定厚、例えば１μｍ〜３μｍ程度の加工保護
被膜１８を、後述のダイシングマシンによるカット時の
水圧等で除去されず、加工屑等からの保護がなされるよ
う被着、所定の硬度に硬化させる。
【００１７】次に、図３に示す第３の工程において、加
工保護被膜１８が被着された半導体ウェハ１２の裏面全
面にＵＶテープでなるダイシングシート１９が貼着さ
れ、図示しないウェハリングに取り付けられる。その
後、ダイシングシート１９が貼着された半導体ウェハ１
２は、図示しないダイシングマシンにセットされ、ダイ
シングマシンのダイヤモンド微粒が貼付された回転ブレ
ード２０によって、加工部分に水を吐出させ、加工屑を
水圧によって除去しながらダイシングライン２１に沿っ
て、シリコン基板１３の略全厚さカットを行なう。これ
により個々のＣＣＤ１１は、ダイシングシート１９のみ
に貼り付いている状態に分割される。
工保護被膜１８が被着された半導体ウェハ１２の裏面全
面にＵＶテープでなるダイシングシート１９が貼着さ
れ、図示しないウェハリングに取り付けられる。その
後、ダイシングシート１９が貼着された半導体ウェハ１
２は、図示しないダイシングマシンにセットされ、ダイ
シングマシンのダイヤモンド微粒が貼付された回転ブレ
ード２０によって、加工部分に水を吐出させ、加工屑を
水圧によって除去しながらダイシングライン２１に沿っ
て、シリコン基板１３の略全厚さカットを行なう。これ
により個々のＣＣＤ１１は、ダイシングシート１９のみ
に貼り付いている状態に分割される。
【００１８】次に、図４に示す第４の工程において、カ
ットされた後の半導体ウェハ１２は、ウェハリングに取
り付けたままの状態で、アルカリ水溶液又は有機溶剤に
よって被着されている加工保護被膜１８の剥離、除去が
行なわれる。なお、アルカリ水溶液のアルカリ濃度や有
機溶剤は、加工保護被膜１８のアクリル系樹脂の除去が
確実に行なわれるものを適宜に選定する。
ットされた後の半導体ウェハ１２は、ウェハリングに取
り付けたままの状態で、アルカリ水溶液又は有機溶剤に
よって被着されている加工保護被膜１８の剥離、除去が
行なわれる。なお、アルカリ水溶液のアルカリ濃度や有
機溶剤は、加工保護被膜１８のアクリル系樹脂の除去が
確実に行なわれるものを適宜に選定する。
【００１９】次に、図５に示す第５の工程において、加
工保護被膜１８が除去された後の半導体ウェハ１２は、
ウェハリングに取り付けたまま図示しないチップマウン
ト装置にセットされる。そして、ＵＶ光を当てることに
よって特性変化したダイシングシート１９を引き延ば
し、裏面側からピックアップするＣＣＤ１１の周囲を図
示しない固定用吸着ホルダで吸着保持しながら、針状の
突き上げピン２２で突き上げ、図示しないコレットによ
り個々に分割された良品のＣＣＤ１１が吸着、保持さ
れ、ダイシングシート１９からのピックアップが行なわ
れ、図示しないパッケージの固着部に移載される。
工保護被膜１８が除去された後の半導体ウェハ１２は、
ウェハリングに取り付けたまま図示しないチップマウン
ト装置にセットされる。そして、ＵＶ光を当てることに
よって特性変化したダイシングシート１９を引き延ば
し、裏面側からピックアップするＣＣＤ１１の周囲を図
示しない固定用吸着ホルダで吸着保持しながら、針状の
突き上げピン２２で突き上げ、図示しないコレットによ
り個々に分割された良品のＣＣＤ１１が吸着、保持さ
れ、ダイシングシート１９からのピックアップが行なわ
れ、図示しないパッケージの固着部に移載される。
【００２０】以上の通り構成することで、ダイシングマ
シンの回転ブレード２０によって半導体ウェハ１２をカ
ットし分割する際、シリコン基板１３のシリコンの破片
や回転ブレード２０に貼付されているダイヤモンド微粒
などが飛び散ったとしても、ＣＣＤ１１の表面は加工保
護被膜１８で覆われているため、加工保護被膜１８の表
面を傷付けたり、表面に付着するのみで、ダイシング後
に加工保護被膜１８を除去することによって、加工屑に
より撮像レンズ（色フィルタ）１５の表面が傷付けられ
たり、表面に付着したりする虞がなくなる。
シンの回転ブレード２０によって半導体ウェハ１２をカ
ットし分割する際、シリコン基板１３のシリコンの破片
や回転ブレード２０に貼付されているダイヤモンド微粒
などが飛び散ったとしても、ＣＣＤ１１の表面は加工保
護被膜１８で覆われているため、加工保護被膜１８の表
面を傷付けたり、表面に付着するのみで、ダイシング後
に加工保護被膜１８を除去することによって、加工屑に
より撮像レンズ（色フィルタ）１５の表面が傷付けられ
たり、表面に付着したりする虞がなくなる。
【００２１】これにより、撮像レンズ（色フィルタ）１
５の表面の傷付きや、表面に付着したごみが原因で生じ
るＣＣＤ１１の黒きず不良が低減し、製品の製造歩留を
向上させることができる。そして、ＣＣＤ１１の高精細
化要求にも対応可能となる。
５の表面の傷付きや、表面に付着したごみが原因で生じ
るＣＣＤ１１の黒きず不良が低減し、製品の製造歩留を
向上させることができる。そして、ＣＣＤ１１の高精細
化要求にも対応可能となる。
【００２２】なお、上記の実施形態では、加工保護被膜
１８の膜厚を１μｍ〜３μｍ程度としたが、シリコンの
加工屑等によって膜下の撮像レンズ（色フィルタ）１５
の表面に傷付かず、また膜の除去が確実に行なえる範囲
で適宜設定すればよく、膜硬さも同様に加工屑等で撮像
レンズ（色フィルタ）１５の表面が傷付かず、また膜の
除去が確実に行なえる範囲で適宜設定すればよい。
１８の膜厚を１μｍ〜３μｍ程度としたが、シリコンの
加工屑等によって膜下の撮像レンズ（色フィルタ）１５
の表面に傷付かず、また膜の除去が確実に行なえる範囲
で適宜設定すればよく、膜硬さも同様に加工屑等で撮像
レンズ（色フィルタ）１５の表面が傷付かず、また膜の
除去が確実に行なえる範囲で適宜設定すればよい。
【００２３】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、ダイシング時のシリコン破片やダイヤモンド
微粒などによる固体撮像素子表面の傷付きやごみ付着を
低減でき、また黒きず不良の発生を低減することがで
き、微細化された固体撮像素子の製造歩留を向上させる
ことができる等の効果を奏する。
によれば、ダイシング時のシリコン破片やダイヤモンド
微粒などによる固体撮像素子表面の傷付きやごみ付着を
低減でき、また黒きず不良の発生を低減することがで
き、微細化された固体撮像素子の製造歩留を向上させる
ことができる等の効果を奏する。
【図１】本発明の一実施形態のＣＣＤにおける第１の工
程を示す断面図である。
程を示す断面図である。
【図２】本発明の一実施形態のＣＣＤにおける第２の工
程を示す断面図である。
程を示す断面図である。
【図３】本発明の一実施形態のＣＣＤにおける第３の工
程を示す断面図である。
程を示す断面図である。
【図４】本発明の一実施形態のＣＣＤにおける第４の工
程を示す断面図である。
程を示す断面図である。
【図５】本発明の一実施形態のＣＣＤにおける第５の工
程を示す断面図である。
程を示す断面図である。
【図６】従来例のＣＣＤにおける第１の工程を示す断面
図である。
図である。
【図７】従来例のＣＣＤにおける第２の工程を示す断面
図である。
図である。
【図８】従来例のＣＣＤにおける第３の工程を示す断面
図である。
図である。
１１…ＣＣＤ
１２…半導体ウェハ
１５…撮像レンズ（色フィルタ）
１８…加工保護被膜
２０…回転ブレード
フロントページの続き
(72)発明者 永野 亮二
岩手県北上市北工業団地６番６号 岩手東
芝エレクトロニクス株式会社内
Ｆターム(参考） 4M118 AA08 AA09 AB01 BA10 BA14
DA03 EA08 EA11 FA06 FA26
GB03 GB11 GC07 GD04 GD07
HA40
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体ウェハに複数の固体撮像素子を形
成した後、ダイシングにより前記半導体ウェハを個々の
固体撮像素子に分割するに際し、前記半導体ウェハ表面
に加工保護被膜を被着した後にダイシングを行ない、ダ
イシング後に前記加工保護被膜を剥離し、該半導体ウェ
ハを個々の固体撮像素子に分割することを特徴とする半
導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 前記加工保護被膜が、アクリル系樹脂膜
であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製
造方法。 - 【請求項３】 前記加工保護被膜の膜厚が、１μｍ〜３
μｍであることを特徴とする請求項１記載の半導体装置
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002076023A JP2003273043A (ja) | 2002-03-19 | 2002-03-19 | 半導体装置の製造方法 |
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