JP2003282003A

JP2003282003A - 画像形成装置の製造方法

Info

Publication number: JP2003282003A
Application number: JP2002083557A
Authority: JP
Inventors: Ryoji Tanaka; 良二田中; Kenji Niihori; 憲二新堀; Kazuyuki Ueda; 和幸上田; 宣之 ▲高▼橋; Noriyuki Takahashi
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 2002-03-25
Filing date: 2002-03-25
Publication date: 2003-10-03

Abstract

(57)【要約】【課題】画像形成装置の気密容器内のスペーサの、接
着剤の硬化収縮の差異に基づく張力の不均一による変形
や破損と、位置ずれとを防ぐ。【解決手段】気密容器を構成するリアプレート１０１
５上に、スペーサ１０２０を、画像形成領域とその周辺
領域を跨ぐように配置し、画像形成領域外で、スペーサ
１０２０の両側部をリアプレート１０１５に接着した後
に、画像形成領域内の数か所で、スペーサ１０２０の中
間部をリアプレート１０１５に接着する。その後フェー
スプレートを固定して気密容器を完成させる。画像形成
領域外でスペーサ１０２０の両側部をリアプレート１０
１５に接着する固着部には、スペーサ１０２０を支持し
得るように大量の接着剤１０２１ａを用い、画像形成領
域内でスペーサ１０２０の中間部をリアプレート１０１
５に接着する固着部には、電子軌道に影響を与えないよ
うに少量の接着剤１０２１ｂを用いる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】電子源を有する第１のプレー
トと、電子源から放出された電子が照射されて画像を形
成する画像形成領域を有する第２のプレートと、これら
の２つのプレートを互いに対向するように固定する枠状
の側壁とからなる気密容器と、気密容器の内部で２つの
プレートの間に挟まれるように配置されたスペーサとを
有する画像形成装置の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、ブラウン管型表示装置に代わる表
示装置として、薄型かつ軽量である平面型表示装置が注
目されている。特に、電子放出素子と、電子ビームの照
射により発光する蛍光体とを組み合わせて用いる表示装
置は、従来の他の方式の表示装置よりも優れた特性が期
待されており、例えば、近年普及してきた液晶表示装置
と比較すると、自発光型であるためバックライトを必要
としない点や、視野角が広い点で優れている。

【０００３】この表示装置に用いられる電子放出素子と
しては、熱陰極素子と冷陰極素子の２種類が知られてい
る。冷陰極素子は、熱陰極素子と比べて低温で電子を放
出することができるため、加熱用ヒータを必要としな
い。従って、冷陰極素子は、熱陰極素子よりも構造が単
純であり、微細に形成可能である。また、冷陰極素子
は、多数の素子を基板上に高密度で配置しても、基板の
熱溶融などの問題が発生しにくい。さらに、熱陰極素子
がヒータの加熱により動作するため応答速度が遅いのに
対して、冷陰極素子は応答速度が速いという利点も有し
ている。

【０００４】冷陰極素子としては、例えば表面伝導型放
出素子や、電界放出型素子（ＦＥ型素子）や、金属／絶
縁層／金属型放出素子（ＭＩＭ型素子）などが知られて
いる。そのうち、表面伝導型放出素子は、基板上に形成
された小面積の薄膜に膜面に平行に電流を流すことによ
って電子が放出される現象を利用するものであり、冷陰
極素子の中でも特に構造が単純で製造が容易であるた
め、大面積にわたり多数の素子を形成できる利点があ
る。表面伝導型放出素子としては、例えば、ＳｎＯ ₂薄
膜を有するもの（「Radio Eng. Electron Phys.」１
０，１２９０（M. I. Elinson：１９６５年発行）に開
示）や、Ａｕ薄膜を有するもの（「Thin Solid Films」
９，３１７（G. Dittmer：１９７２年発行）に開示）
や、Ｉｎ₂Ｏ₃／ＳｎＯ₂薄膜を有するもの（「IEEE Tran
s. ED Conf.」，５１９（M. Hartwell and C. G. Fonst
ad：１９７５年発行）に開示）や、カーボン薄膜を有す
るもの（「真空」第２６巻第１号、２２（荒木久他：
１９８３年発行）に開示）等が報告されている。

【０００５】表面伝導型放出素子の素子構成の一般的な
構成が、図２１に示されている。この表面伝導型放出素
子では、基板３００１上に、金属酸化物からなる導電性
薄膜３００４が、平面形状がＨ字型になるようにスパッ
タで形成されており、導電性薄膜３００４に通電フォー
ミングと呼ばれる通電処理を施すことにより、電子放出
部３００５が形成されている。Ｈ字型の導電性薄膜３０
０４の中間部の長さＥは０．５〜１［ｍｍ］で、その幅
Ｆは０．１［ｍｍ］である。なお、便宜上、導電性薄膜
３００４の中央に矩形の電子放出部３００５が形成され
ているように図示されているが、これは模式的なもので
あり、実際の電子放出部の位置や形状を忠実に表現して
いるわけではない。

【０００６】このような表面伝導型放出素子が多数マト
リクス状に配列されて、例えば特開昭６４−３１３３２
号公報等に開示されているような方法により駆動され
る、画像表示装置や画像記録装置などの画像形成装置
や、荷電ビーム源等の電子線装置が構成されている。例
えば、米国特許第５，０６６，８８３号や特開平２−２
５７５５１号公報や特開平４−２８１３７号公報には、
表面伝導型放出素子と電子の衝突により発光する蛍光体
とを組み合わせて用いる画像表示装置が開示されてい
る。

【０００７】図２２は、平面型の画像表示装置をなす表
示パネル部の一例を示す斜視図であり、内部構造を示す
ためにパネルの一部を切り欠いて示している。リアプレ
ート３１１５と、側壁３１１６と、フェースプレート３
１１７により、表示パネルの内部を真空に維持するため
の外囲器（気密容器）が形成されている。

【０００８】リアプレート３１１５には基板３１１１が
固定され、この基板３１１１上には、冷陰極素子３１１
２がＮ×Ｍ個マトリックス状に形成されている（Ｎ、Ｍ
は２以上の正の整数であり、所望の表示画素数に応じて
適宜設定される）。Ｎ×Ｍ個の冷陰極素子３１１２は、
Ｍ本の行方向配線３１１３とＮ本の列方向配線３１１４
に接続されている。これら基板３１１１、冷陰極素子３
１１２、行方向配線３１１３、および列方向配線３１１
４によって、マルチ電子ビーム源が構成されている。な
お、行方向配線３１１３と列方向配線３１１４の交差す
る部分には図示しない絶縁層が形成されており、電気的
な絶縁が保たれている。

【０００９】フェースプレート３１１７の下面には、蛍
光体からなる蛍光膜３１１８が形成されており、赤
（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３原色の蛍光体（不図
示）が塗り分けられている。また、蛍光膜３１１８をな
す上記各色蛍光体の間には黒色体（不図示）が設けてあ
り、さらに蛍光膜３１１８のリアプレート３１１５側の
面には、Ａｌ等からなるメタルバック３１１９が形成さ
れている。

【００１０】この表示パネルと不図示の電気回路とを電
気的に接続するために、気密構造の電気接続用端子Ｄ_x1
〜Ｄ_xMおよびＤ_y1〜Ｄ_yNおよびＨｖが設けられている。
端子Ｄ_x1〜Ｄ_xMはマルチ電子ビーム源の行方向配線３１
１３と、端子Ｄ_y1〜Ｄ_yNはマルチ電子ビーム源の列方向
配線３１１４と、端子Ｈｖはメタルバック３１１９とそ
れぞれ電気的に接続されている。

【００１１】気密容器の内部は１．３×１０^-3［Ｐａ］
（１０^-6［Torr］）程度の真空に保持されており、画像
表示装置の表示面積が大きくなるに従って、気密容器内
部と外部の気圧差によりリアプレート３１１５やフェー
スプレート３１１７が変形したり破損したりするおそれ
がある。それを防止するためにリアプレート３１１５お
よびフェースプレート３１１６を厚くすると、画像表示
装置の重量を増加させるのみならず、斜め方向から見た
ときの画像のゆがみや視差の原因となる。そこで、図２
２に示す構成では、比較的薄いガラス板からなり大気圧
を支えるための、スペーサと呼ばれる構造支持体３１２
０が設けられている。このようにして、マルチビーム電
子源が形成された基板３１１１と蛍光膜３１１８が形成
されたフェースプレート３１１６との間は、通常サブミ
リないし数ミリに保たれ、気密容器内部は高真空に保持
されている。

【００１２】以上説明した表示パネルからなる画像表示
装置において、容器外の端子Ｄ_x1〜Ｄ_xMおよびＤ_y1〜Ｄ
_yNから各冷陰極素子３１１２に電圧を印加すると、各冷
陰極素子３１１２から電子が放出される。それと同時に
メタルバック３１１９に端子Ｈｖから数百〜数千［Ｖ］
の高圧を印加して、冷陰極素子３１１２から放出された
電子を加速させ、フェースプレート３１１７の内面に衝
突させる。これにより、蛍光膜３１１８をなす各色の蛍
光体が励起されて発光し、画像が表示される。

【００１３】表示パネル内に設置されたスペーサ３１２
０は、以下の問題を解決するために、フェースプレート
３１１７とリアプレート３１１５との間に印加される高
電圧に耐えるだけの高い絶縁性とともに高い帯電抑制性
が要求される。

【００１４】第１に、スペーサ３１２０の近傍の冷陰極
素子３１１２から放出された電子の一部がスペーサ３１
２０に当たることにより、あるいは冷陰極素子３１１２
からフェースプレート３１１７に到達し反射した電子の
一部がスペーサ３１２０に当たることにより２次電子の
放出が起こり、スペーサ３１２０の帯電を引き起こすお
それがある。これまでに本出願人が得た知見では、ほと
んどの場合、スペーサ３１２０の表面に引き起こされる
帯電は正帯電である。このスペーサ３１２０の帯電によ
り、冷陰極素子３１１２から放出された電子はその軌道
を曲げられ、フェースプレート３１１７に設けられた蛍
光体上の適正な位置とは異なる場所に到達し、スペーサ
３１２０近傍に形成される画像がゆがんで表示されてし
まう。

【００１５】第２に、冷陰極素子３１１２から放出され
た電子を加速させるために、マルチ電子ビーム源とフェ
ースプレート３１１７との間には数百［Ｖ］以上の高電
圧（すなわち、１［ｋＶ／ｍｍ］以上の高電界）が印加
されるため、スペーサ３１２０の表面で面に沿って放電
するおそれがある。特に、前記のようにスペーサ３１２
０が帯電している場合は、放電が誘発される可能性が高
い。

【００１６】これらの問題点を解決するために、スペー
サ３１２０に微小電流が流れるようにして帯電を除去す
る提案がなされている（特開昭５７−１１８３５５号公
報および特開昭６１−１２４０３１号公報に開示）。す
なわち、絶縁性のスペーサ３１２０の表面に帯電防止膜
として高抵抗薄膜を形成することにより、スペーサ３１
２０表面に微小電流が流れる構成である。ここで用いら
れている帯電防止膜は、酸化スズ、あるいは酸化スズと
酸化インジウムの混晶の薄膜や、島状に形成された金属
膜である。また、高抵抗膜が被覆されたスペーサ３１２
０をマルチ電子ビーム源およびフェースプレート３１１
７と電気的に良好に接続するために、スペーサ３１２０
の、マルチ電子ビーム源およびフェースプレート３１１
７との接続部に、低抵抗膜を形成する構成も開示されて
いる。そして、このように高抵抗膜および低抵抗膜が被
覆されたスペーサ３１２０が、導電性を有するフリット
ガラスを用いて、マルチ電子ビーム源およびフェースプ
レート３１１７に電気的に接続されるとともに、機械的
に固定されている。

【００１７】導電性を有するフリットガラスを用いてス
ペーサ３１２０を固定する時に、フリットガラスの塗布
高さが不均一になることや、フリットガラスが所定の接
着位置からはみ出してしまうことがある。その場合、電
位の乱れが発生するという問題を生じる。この問題を解
決するために、特開２０００−３１１６３３号公報に
は、長尺スペーサを用いて、この長尺スペーサが画像領
域内ではマルチ電子ビーム源やフェースプレートに接着
されず、画像領域外でのみ接着される構成が開示されて
いる。

【００１８】

【発明が解決しようとする課題】前記した従来の画像形
成装置においては、画像領域外でのみ固定されている長
尺スペーサが、搬送時の振動やフェースプレートとリア
プレートの封止作業の影響で、最初に組み付けた位置か
らずれてしまう可能性がある。大画面の画像形成装置に
おいてはその傾向はより顕著である。

【００１９】これに対し、特開平１０−１４４２０３号
公報には、画像領域内でスペーサを部分的に固着する方
法が開示されている。この方法では、張力を加えてスペ
ーサを矯正しながら両側部と中間部を同時に接着するた
め、接着部の硬化収縮により張力が不均一になる可能性
が高い。すなわち、スペーサの両側部の接合部には多量
の接着剤を付与し、画像形成領域内のスペーサの中間部
の接合部には、電子軌道に影響を及ぼさないように少量
の接着剤を付与するため、体積が大きく硬化収縮量の大
きい両側部の接着剤の影響を多大に受けて、スペーサの
各部分における張力が不均一になり、変形や破損等が発
生するおそれがある。

【００２０】そこで本発明の目的は、画像形成装置の気
密容器を形成する際の、熱に起因する接着剤の硬化収縮
によるスペーサの張力の不均一を防止し、スペーサの変
形や破損が発生せず、しかも、スペーサが固定されたプ
レートの搬送時の振動やフェースプレートとリアプレー
トの封止作業の影響でスペーサが最初に組み付けた位置
からずれてしまうことがない、画像形成装置の製造方法
を提供することにある。

【００２１】

【課題を解決するための手段】本発明の特徴は、電子源
を有する第１のプレートと、電子源から放出された電子
が照射されて画像を形成する画像形成領域を有する第２
のプレートと、２つのプレートを互いに対向するように
固定する枠状の側壁とからなる気密容器と、気密容器の
内部で２つのプレートの間に挟まれるように配置された
スペーサとを有する画像形成装置の製造方法において、
スペーサを画像形成領域とその周辺領域を跨ぐように配
置し、画像形成領域外で、スペーサの両側部を２つのプ
レートのうちのいずれか一方に固着した後に、画像形成
領域内で、スペーサの中間部を一方のプレートに部分的
に固着するところにある。

【００２２】さらに、画像形成領域内でスペーサの中間
部を一方のプレートに部分的に固着した後に、２つのプ
レートを互いに対向するように固定して気密容器を形成
する。

【００２３】画像形成領域内でのスペーサの一方のプレ
ートへの固着は、無機系の接着剤を用いて行うことが好
ましい。

【００２４】スペーサは薄板状であり、２つのプレート
間の間隔を規定するスペーサの高さをＨとし、スペーサ
の２つのプレートに接合される面の長さをＬ、幅をＷと
した場合に、Ｌ／Ｗ＞５×１０²とＬ／Ｈ＞５０の少な
くともどちらか一方の関係を満たすように形成されてい
ることが好ましい。

【００２５】電子源は、電子を放出するために８［ｋ
Ｖ］より大きい直流電圧Ｖ_aが供給されることが好まし
い。

【００２６】スペーサの画像形成領域内での一方のプレ
ートへの固着では、画像形成領域外での一方のプレート
への固着に比べて、固着部１個所あたりに付与される接
着剤の体積が小さいことが好ましい。

【００２７】従来は、張力を加えてスペーサの形状を矯
正した後、その両側部と中間部を同時に接着させるた
め、接着部の硬化収縮の違いによる張力の不均一が発生
し易い。しかし、前記した方法によれば、まず、接着剤
の体積が大きく硬化収縮量の大きいスペーサの両側部を
先に接着して張力を安定させ、その後で、体積が小さく
硬化収縮量の小さい中間部を接着することにより、張力
不均一を防止し、スペーサの変形や破損を防ぐことがで
きる。

【００２８】さらに、本発明の方法によると、画像形成
領域内でスペーサは部分的に固着されているため、スペ
ーサが固定されたプレートの搬送時の振動や、フェース
プレートとリアプレートの封止作業の影響等によって、
スペーサが最初に組み付けた位置からずれることがな
い。

【００２９】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。

【００３０】［表示パネル］本発明の製造方法により製
造される画像形成装置の全体構成について簡単に説明す
る。図１には、本実施形態の画像形成装置である表示パ
ネルが、内部構造を示すために一部を切り欠いた状態の
斜視図で示されている。この表示パネルにおいては、リ
アプレート（第１のプレート）１０１５と、枠状の側壁
１０１６と、フェースプレート（第２のプレート）１０
１７により、内部が真空に維持できる外囲器（気密容
器）が構成されており、この気密容器の内部に耐大気圧
構造体であるスペーサ１０２０が設けられている。リア
プレート１０１５には、冷陰極素子１０１２と行方向配
線１０１３と列方向配線１０１４とを含むマルチ電子ビ
ーム源（電子源）が設けられている。フェースプレート
１０１７には、メタルバック１０１９および蛍光膜１０
１８が設けられており、蛍光膜１０１８が設けられてい
る部分が画像形成領域になり、それ以外の部分が周辺領
域になる。スペーサ１０２０は、表示パネルの画像形成
領域と周辺領域とを跨いで設けられており、画像形成領
域外において両側部が接着剤１０２１ａにより固着され
ているとともに、画像形成領域内において接着剤１０２
１ｂにより部分的に固着されている。スペーサ１０２０
の詳細な固着方法については後述する。

【００３１】この表示パネルを図示しない電気回路に電
気的に接続するために、気密構造の電気接続用端子Ｄ_x1
〜Ｄ_xMおよびＤ_y1〜Ｄ_yNおよびＨｖが設けられている。
端子Ｄ_x1〜Ｄ_xMは行方向配線１０１３と、端子Ｄ_y1〜Ｄ
_yNは列方向配線１０１４と、端子Ｈｖはメタルバック１
０１９とそれぞれ電気的に接続されている。

【００３２】この表示パネル（画像形成装置）におい
て、外部から端子Ｄ_x1〜Ｄ_xm，Ｄ_y1〜Ｄ_ynおよび配線１
０１３，１０１４を介して冷陰極素子１０１２に電圧が
印加されると、各冷陰極素子１０１２から電子が放出さ
れる。それと同時に、外部から端子Ｈｖを介してメタル
バック１０１９に数百〜数千［Ｖ］の高電圧が印加さ
れ、その電圧によって電子が加速し、フェースプレート
１０１７の内面に衝突する。すると、フェースプレート
１０１７の内面に設けられている蛍光膜１０１８をなす
各色の蛍光体が励起されて発光し、画像が表示される。
なお、本実施形態では、冷陰極素子１０１２として表面
伝導型放出素子が用いられ、その印加電圧は１２〜１６
［Ｖ］程度、メタルバック１０１９と冷陰極素子１０１
２との距離ｄは０．１〜８［ｍｍ］程度、メタルバック
１０１９と冷陰極素子１０１２間の電圧は０．１〜１０
［ｋＶ］程度である。

【００３３】［リアプレート］次に、本実施形態の表示
パネルの気密容器を構成するリアプレート１０１５の詳
細な構成について説明する。リアプレート１０１５に
は、Ｎ×Ｍ個の冷陰極素子１０１２がマトリクス状に形
成されている基板（電子源基板）１０１１が固定されて
いる。なお、ＮとＭは２以上の正の整数であり、所望の
表示画素数に応じて適宜設定される。例えば、高品位テ
レビジョンである表示装置においては、Ｎ＝３０００，
Ｍ＝１０００以上であることが望ましい。そして、Ｎ×
Ｍ個の冷陰極素子１０１２は、Ｍ本の行方向配線１０１
３とＮ本の列方向配線１０１４により単純マトリクス配
線されている。行方向配線１０１３と列方向配線１０１
４の交差する部分には、図示しない絶縁層が形成されて
おり、電気的な絶縁が保たれている。このように、基板
１０１１と、冷陰極素子１０１２と、行方向配線１０１
３と、列方向配線１０１４によって、マルチ電子ビーム
源が構成されている。図２は、図１に示す表示パネルの
マルチ電子ビーム源の平面図であり、図３は、そのＡ−
Ａ線に沿った断面図である。なお、このような構造のマ
ルチ電子ビーム源は、基板１０１１上に、行方向配線１
０１３、列方向配線１０１４、電極間絶縁層（不図
示）、および冷陰極素子（例えば表面伝導型放出素子）
１０１２の素子電極１１０２，１１０３と導電性薄膜１
１０４（図３参照）を予め形成した後、行方向配線１０
１３および列方向配線１０１４を介して各冷陰極素子１
０１２に給電して、後述する通電フォーミング処理およ
び通電活性化処理を行うことにより製造されている。

【００３４】本実施形態のマルチ電子ビーム源では、各
冷陰極素子１０１２の１対の素子電極１１０２，１１０
３が行方向配線１０１３と列方向配線１０１４に接続さ
れた単純マトリクス配線が採用されているが、冷陰極素
子１０１２を並列に配置して、個々の冷陰極素子１０１
２の両端を接続する配線が設けられているはしご型配線
を採用することもできる。はしご型配線を採用する場
合、冷陰極素子１０１２からの電子の飛翔を制御する制
御電極（グリッド電極）を設ける必要がある。また、冷
陰極素子１０１２としては、例えば、表面伝導型放出素
子、ＦＥ型素子、ＭＩＭ型素子などを用いることができ
る。

【００３５】［フェースプレート］次に、フェースプレ
ート１０１７の詳細な構成について説明する。フェース
プレート１０１７の下面には、蛍光膜１０１８が形成さ
れている。本実施形態の表示パネルはカラー表示装置で
あるため、蛍光膜１０１８として、ＣＲＴ（陰極線管）
の３原色である赤、緑、青の蛍光体Ｒ，Ｇ，Ｂが塗り分
けられている。本実施形態では、各色の蛍光体Ｒ，Ｇ，
Ｂは図４（ａ）に示すようにストライプ状に塗り分けら
れ、蛍光体Ｒ，Ｇ，Ｂのストライプの間には黒色の導電
体１０１０が設けられている。黒色の導電体１０１０
は、電子ビームの照射位置に多少のずれがあっても表示
色にずれが生じないようにしたり、外光の反射を防止し
て表示コントラストの低下を防いだり、電子ビームによ
る蛍光膜１０１８のチャージアップを防止するといった
機能を有し、その主成分は、黒鉛や、前記した機能を有
するその他の様々な材料からなる。

【００３６】蛍光膜１０１８のリアプレート１０１５側
の面には、公知のメタルバック１０１９が設けられてい
る。具体的には、メタルバック１０１９は、フェースプ
レート１０１７上に蛍光膜１０１８を形成した後、蛍光
膜１０１８の表面を平滑化処理し、その上にＡｌを真空
蒸着することにより形成されている。メタルバック１０
１９は、蛍光膜１０１８が発する光の一部を鏡面反射し
て光利用率を向上させ、負イオンの衝突から蛍光膜１０
１８を保護し、電子ビーム加速電圧を印加するための電
極として作用し、蛍光膜１０１８を励起した電子の導電
路として作用するなどの機能を有している。

【００３７】なお、蛍光膜１０１８を構成する３原色の
蛍光体Ｒ，Ｇ，Ｂの塗り分け方は、前記した図４（ａ）
に示すストライプ状の配列方法に限られず、例えば図４
（ｂ）に示すデルタ状の配列方法や、例えば図４（ｃ）
に示すようなその他の配列方法であってもよい。一方、
モノクロームの表示パネルの場合には、単色の蛍光体材
料により蛍光膜１０１８が形成され、黒色の導電体１０
１０は必ずしも設けられなくてもよい。低電圧用の蛍光
体材料により蛍光膜１０１８が形成される場合には、メ
タルバック１０１９は形成されない。また、図示しない
が、加速電圧の印加や蛍光膜１０１８の導電性向上のた
めに、フェースプレート基板１０１７と蛍光膜１０１８
との間に、例えば、ＩＴＯ（インジウム・ティン・オキ
サイド）からなる透明電極を設けてもよい。

【００３８】［スペーサ］次に、スペーサ１０２０の詳
細な構成について説明する。図５は、図１のＢ−Ｂ線に
沿う模式的な断面図である。スペーサ１０２０は、絶縁
牲部材１の表面に、帯電防止のための高抵抗膜（帯電防
止膜）１１が形成され、さらに、フェースプレート１０
１７（メタルバック１０１９）および基板１０１１（行
方向配線１０１３）に接する上下端面３と、その近傍部
５に、低抵抗膜２１が形成されたものである。スペーサ
１０２０は、１０^-6［Torr］程度の真空に保持される気
密容器が大気圧や不意の衝撃などにより破壊されないよ
うに、必要な数だけ必要な間隔をおいて配置され、フェ
ースプレート１０１７および基板１０１１の内側に、後
述する接着剤１０２１ａ，１０２１ｂにより固定されて
いる。

【００３９】高抵抗膜１１は、絶縁性部材１の表面のう
ち、少なくとも気密容器内の真空中に露出している面に
成膜されており、スペーサ１０２０上の低抵抗膜２１お
よび接着剤１０２１ａ，１０２１ｂを介して、フェース
プレート１０１７の内側（メタルバック１０１９）およ
び基板１０１１の表面（行方向配線１０１３）に電気的
に接続される。本実施形態では、スペーサ１０２０は薄
板状であり、行方向配線１０１３上に配置されて電気的
に接続されている。

【００４０】スペーサ１０２０は、基板１０１１上の行
方向配線１０１３および列方向配線１０１４と、フェー
スプレート１０１７内面のメタルバック１０１９との間
に印加される高電圧に耐えるだけの絶縁性を有し、かつ
スペーサ１０２０の表面への帯電を防止する程度の導電
性を有する必要がある。

【００４１】そしてこのスペーサは、高さをＨ、長さを
Ｌ、幅をＷとすると、Ｌ／Ｗ＞５×１０²およびＬ／Ｈ
＞５０となる寸法に形成されることが好ましい。

【００４２】［スペーサの絶縁性部材］スペーサ１０２
０の絶縁性部材１は、例えば、石英ガラス、Ｎａ等の不
純物含有量の少ないガラス、ソーダライムガラス、アル
ミナ等のセラミックス部材等からなる。なお、絶縁性部
材１は、気密容器および基板１０１１を構成する材料と
近い熱膨張率を有することが好ましい。

【００４３】［スペーサの高抵抗膜］高抵抗膜１１に
は、高電位側のフェースプレート１０１７（メタルバッ
ク１０１９）に印加される加速電圧Ｖ_aを、帯電防止膜
である高抵抗膜１１の抵抗値Ｒ_sで除した値の電流が流
される。抵抗値Ｒ_sは、帯電防止および消費電力から望
ましい範囲に設定される。帯電防止の観点から、高抵抗
膜１１の表面抵抗Ｒ／□は１０¹⁴［Ω］以下であること
が好ましく、より十分な帯電防止効果を得るためには１
０¹³［Ω］以下であることがさらに好ましい。表面抵抗
の下限は、スペーサ１０２０の形状と印加される電圧に
より左右されるが、１０⁷［Ω］以上であることが好ま
しい。なお、加速電圧Ｖ_aは８［ｋＶ］より大きいこと
が好ましい。

【００４４】この高抵抗膜１１の膜厚ｔについて考察す
ると、材料の表面エネルギーおよび基板との密着性や基
板温度によっても異なるが、一般的に１０［ｎｍ］以下
の薄膜は島状に形成され、抵抗が不安定で再現性に乏し
い。一方、膜厚ｔが１［μｍ］以上では膜応力が大きく
なって膜の剥離の危険性が高まり、かつ成膜時間が長く
なるため生産性が悪い。従って、高抵抗膜１１の膜厚ｔ
は１０［ｎｍ］〜１［μｍ］であることが望ましく、５
０〜５００［ｎｍ］であることがより望ましい。表面抵
抗Ｒ／□＝ρ／ｔであるので、前記した表面抵抗Ｒ／□
と膜厚ｔの好ましい範囲から、高抵抗膜１１の比抵抗ρ
は１０〜１０¹⁰［Ωｃｍ］であることが好ましく、より
好ましくはρ＝１０⁴〜１０⁸［Ωｃｍ］である。

【００４５】さらに、高抵抗膜１１に電流が流れること
と、ディスプレイ全体が動作中に発熱することにより、
スペーサ１０２０の温度は上昇する。高抵抗膜１１の抵
抗温度係数が、絶対値の大きな負の値であると、温度が
上昇した時に抵抗値が減少し、スペーサ１０２０に流れ
る電流が増加し、さらに温度上昇をもたらす。そして電
流は電源の限界を越えるまで増加し続ける。このような
電流の暴走が発生する条件は、以下に示す一般式（ξ）
で定義される抵抗温度係数ＴＣＲ（Temperature Coeffi
cient of Resistance）により求められる。

【００４６】ＴＣＲ＝ΔＲ／ΔＴ／Ｒ×１００［％／℃］………一般式（ξ）但し、ΔＴとΔＲは、室温に対する実駆動状態のスペー
サ１０２０の温度Ｔおよび抵抗値Ｒの増加分である。

【００４７】電流の暴走が発生するのは、ＴＣＲが−１
［％／℃］以下の場合であることが経験的に知られてい
る。すなわち、帯電防止膜の抵抗温度係数ＴＣＲは−１
［％／℃］より大であることが望ましい。

【００４８】このような帯電防止特性を有する高抵抗膜
１１の材料としては、例えば金属酸化物を用いることが
できる。金属酸化物の中でも、クロム、ニッケル、銅の
酸化物が好ましい材料である。その理由は、これらの酸
化物は二次電子放出効率が比較的小さく、冷陰極素子１
０１２から放出された電子がスペーサ１０２０に当たっ
た場合においても帯電しにくいからである。また、金属
酸化物以外であっても、炭素は二次電子放出効率が小さ
く好ましい材料である。特に、非晶質カーボンは高抵抗
であり、スペーサの抵抗を所望の値に制御しやすい。ま
た、帯電防止特性を有する高抵抗膜１１のその他の材料
としては、ゲルマニウムと遷移金属合金の窒化物や、ア
ルミニウムと遷移金属合金の窒化物は、遷移金属の組成
を調整することにより良伝導体から絶縁体まで広い範囲
に抵抗値を制御でき、後述する表示装置の作製工程にお
いて抵抗値の変化が少なく安定し、さらに抵抗温度係数
が−１［％／℃］より大であるので、実用的に使いやす
い。遷移金属元素としてはＷ、Ｔｉ，Ｃｒ，Ｔａ等が用
いられる。合金窒化膜は、スパッタ、窒素ガス雰囲気中
での反応性スパッタ、電子ビーム蒸着、イオンプレーテ
ィング、イオンアシスト蒸着法等の薄膜形成方法によ
り、絶縁性部材上に形成される。金属酸化膜の場合は、
前記した薄膜形成方法において窒素ガスに代えて酸素ガ
スを使用する方法や、ＣＶＤ法やアルコキシド塗布法な
どにより形成できる。カーボン膜は蒸着法、スパッタ
法、ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法などで作製され、特に
非晶質カーボンを作製する場合には、成膜中の雰囲気に
水素が含まれるようにするか、成膜ガスに炭化水素ガス
を使用する。

【００４９】［スペーサの低抵抗膜］スペーサ１０２０
の低抵抗膜２１は、高抵抗膜１１を、高電位側のフェー
スプレート１０１７（メタルバック１０１９）および低
電位側の基板１０１１（配線１０１３、１０１４）と電
気的に接続するために設けられたものであり、中間電極
層（中間層）とも呼ばれる。この低抵抗膜２１は以下に
列挙する機能を有する。

【００５０】（１）高抵抗膜１１をフェースプレート１
０１７および基板１０１１に電気的に接続する。

【００５１】前記したように、スペーサ１０２０表面で
の帯電を防止するために高抵抗膜１１が設けられている
が、高抵抗膜１１をフェースプレート１０１７（メタル
バック１０１９）および基板１０１１（配線１０１３、
１０１４）と直接あるいは接着剤１０２１ａ，１０２１
ｂを介して接続した場合、接続部界面に大きな接触抵抗
が発生し、スペーサ１０２０の表面に発生した電荷を速
やかに除去できなくなる可能性がある。そこで、フェー
スプレート１０１７、基板１０１１、および接着剤１０
２１ａ，１０２１ｂと接触するスペーサ１０２０の上下
端面３および近傍部５に、低抵抗膜（中間層）２１を設
け、抵抗を小さくしてスペーサ１０２０の表面に発生し
た電荷を速やかに除去できるようにする。

【００５２】（２）高抵抗膜１１の電位分布を均一化す
る。

【００５３】冷陰極素子１０１２より放出された電子
は、フェースプレート１０１７と基板１０１１の間の電
位分布に従う電子軌道を形成する。スペーサ１０２０の
近傍で電子軌道に乱れが生じないようにするためには、
高抵抗膜１１の電位分布を全域にわたって制御する必要
がある。高抵抗膜１１をフェースプレート１０１７（メ
タルバック１０１９）および基板１０１１（配線１０１
３、１０１４）と直接あるいは接着剤１０２１ａ，１０
２１ｂを介して接続した場合、接続部界面の接触抵抗の
ために、接続状態のむらが発生し、高抵抗膜１１の電位
分布が所望の値からずれてしまう可能性がある。これを
避けるために、スペーサ１０２０がフェースプレート１
０１７および基板１０１１と当接するスペーサ端部（上
下端面３およびその近傍部５）の全長にわたって低抵抗
膜（中間層）２１を設け、この低抵抗膜２１に所望の電
位を印加することによって、高抵抗膜１１全体の電位を
制御可能にした。

【００５４】（３）放出電子の軌道を制御する。

【００５５】前記の通り、冷陰極素子１０１２より放出
された電子は、フェースプレート１０１７と基板１０１
１の間の電位分布に従う電子軌道を通る。しかし、スペ
ーサ１０２０の近傍の冷陰極素子１０１２は、スペーサ
１０２０を設置することに伴う制約（配線や素子の形成
位置の変更等）を受ける場合があり、その冷陰極素子１
０１２から放出された電子は、所望の軌道を描かない可
能性がある。このような場合、歪みやむらの無い画像を
形成するためには、放出された電子の軌道を制御してフ
ェースプレート１０１７上の所望の位置に電子を導く必
要がある。そこで、スペーサ１０２０がフェースプレー
ト１０１７および基板１０１１と当接する近傍部５に低
抵抗膜（中間層）２１を設けることにより、スペーサ１
０２０の周辺の電位分布を調整し、電子軌道を制御する
ことができる。

【００５６】このような機能を有する低抵抗膜２１は、
高抵抗膜１１に比べ十分に低い抵抗値を有する材料から
なり、例えば、Ｎｉ，Ｃｒ，Ａｕ，Ｍｏ，Ｗ，Ｐｔ，Ｔ
ｉ，Ａｌ，Ｃｕ，Ｐｄ等の金属あるいは合金、Ｐｄ，Ａ
ｇ，Ａｕ，ＲｕＯ₂，Ｐｄ−Ａｇ等の金属や金属酸化物
とガラス等から構成される印刷導体、あるいはＩｎ₂Ｏ₃
−ＳｎＯ₂等の透明導体およびポリシリコン等の半導体
材料等より適宜選択される。

【００５７】［接着剤］接着剤１０２１ａ，１０２１ｂ
は、スペーサ１０２０が行方向配線１０１３およびメタ
ルバック１０１９と電気的に接続するように、導電性を
有している。その材料としては、導電性接着剤や金属粒
子や導電性フィラーを添加したフリットガラスが好適で
ある。

【００５８】［スペーサの固着方法］次に本発明の主な
特徴であるスペーサの固着方法について説明する。スペ
ーサ１０２０は画像形成領域と周辺領域を跨いで形成さ
れており、その両側部は、画像形成領域外で、接着剤１
０２１ａによってリアプレート１０１５に固着されてい
る。また、スペーサ１０２０の組み付け位置からのずれ
を防止する目的で、スペーサ１０２０の中間部は、画像
形成領域内において、接着剤１０２１ｂによってリアプ
レート１０１５に部分的に固着されている。

【００５９】このスペーサ１０２０を、行方向配線１０
１３上に接着する方法について説明すると、まず、図６
に示すように、表示パネルの大画面化に伴い長尺化され
ているスペーサ１０２０の両側部または一側部を外側に
引っ張り、張力を発生させてその形状を矯正する。次
に、図７に示すように、張力を保持したまま、スペーサ
１０２０を行方向配線１０１３上の所定の位置に配置す
る。そして、スペーサ１０２０の両側部に接着剤１０２
１ａを付与し、この接着剤１０２１ａによって周辺領域
の行方向配線１０１３上に接着する。両側部の接着剤１
０２１ａは、スペーサ１０２０を支持するのに十分な体
積を有する。スペーサ１０２０の両側部が接着されて張
力が安定した後で、図８に示すように、画像形成領域内
の数か所において、スペーサ１０２０と行方向配線１０
１３との接合部に接着剤１０２１ｂを付与して接着す
る。

【００６０】中間部の接着位置は画像形成領域内にあ
り、冷陰極素子１０１２からの電子軌道にあまり影響を
及ぼさないように、接着剤１０２１ｂは少量であり、ス
ペーサ１０２０の両側部の接着剤１０２１ａよりも少量
である。仮に、スペーサ１０２０を両側部と中間部で同
時に接着した場合、体積が大きい両側部の接着剤１０２
１ａの硬化収縮量が、体積が小さい中間部の接着剤１０
２１ｂの硬化収縮量よりも大きいため、各接着部間にお
けるスペーサ１０２０の張力が不均一になり、スペーサ
１０２０が変形や破損を生じるおそれがあるが、本実施
形態では、接着剤１０２１ａによりスペーサ１０２０の
両側部を固定して、接着剤１０２１ａの硬化収縮が完了
し張力が安定した後で、接着剤１０２１ｂを用いてスペ
ーサ１０２０の中間部を固定する。すなわち、スペーサ
１０２０の両側部の接着剤１０２１ａと、中間部の接着
剤１０２１ｂが同時に硬化収縮するのではないため、両
接着剤１０２１ａ，１０２１ｂの体積比に基づく硬化収
縮の差によるスペーサ１０２０の張力の不均一が生じ
ず、スペーサ１０２０の変形や破損を防止できる。

【００６１】また、画像形成領域内にも接着部が設けら
れているので、スペーサ１０２０が固定されたリアプレ
ート１０１５の搬送時の振動や、フェースプレート１０
１７とリアプレート１０１５の封止作業による、スペー
サ１０２０の組み付け位置からのずれを防止することが
できる。特に、表示パネルの大画面化に伴いスペーサ１
０２０が長尺化された場合に有効である。

【００６２】［気密容器の組立方法］このようにして、
スペーサ１０２０が固着されたリアプレート１０１５
に、側壁１０１６とフェースプレート１０１７が接合さ
れて、図１に示すような気密容器が組み立てられる。気
密容器を組み立てるにあたっては、各部材の接合部に十
分な強度と気密性を保持させるために封着する必要があ
る。例えば、フリットガラスを各部材の接合部に塗布
し、大気中あるいは窒素雰囲気中で摂氏４００〜５００
度で１０分間以上焼成することにより封着を行う。こう
して気密容器を組み立てた後、図示しない排気管に真空
ポンプを接続し、気密容器内部を１０^-7［Torr］程度の
真空度まで排気する。その後、排気管を封止するが、気
密容器内の真空度を維持するために、排気管の封止の直
前あるいは封止の後に、気密容器内の所定の位置に図示
しないゲッター膜を形成する。ゲッター膜は、例えばＢ
ａを主成分とするゲッター材料をヒーターによる加熱ま
たは高周波加熱を行って蒸着した膜であり、このゲッタ
ー膜の吸着作用により、気密容器内は１０^-5〜１０
^-7［Torr］の真空度に維持される。

【００６３】［マルチ電子ビーム源の冷陰極素子］以
上、表示パネルの気密容器の組立方法について簡単に説
明したが、この気密容器を構成するリアプレート１０１
５のマルチ電子ビーム源について、改めて詳細に説明す
る。

【００６４】本実施形態の画像形成装置のマルチ電子ビ
ーム源は、冷陰極素子１０１２を単純マトリクス配線し
た電子源であれば、冷陰極素子１０１２の材料や形状や
製法に制限はない。したがって、例えば、表面伝導型放
出素子やＦＥ型素子やＭＩＭ型素子などの様々な冷陰極
素子を採用することができる。

【００６５】ただし、表示画面が大きくてしかも安価な
表示装置が求められる場合には、これらの冷陰極素子１
０１２の中でも、表面伝導型放出素子が特に好ましい。
ＦＥ型素子では、エミッタコーンとゲート電極の相対位
置や形状が電子放出特性を大きく左右するため、極めて
高精度の製造技術が必要であり、このことは大面積化や
製造コストの低減の障害になる。また、ＭＩＭ型素子で
は、絶縁層と上部電極の膜厚を薄く、かつ均一にする必
要があり、このことも大面積化や製造コストの低減の障
害になる。これに対し、表面伝導型放出素子は、製造方
法が比較的単純なため、大面積化や製造コストの低減が
容易である。また、本発明者らは、表面伝導型放出素子
の中でも、電子放出部もしくはその周辺部を微粒子膜に
より形成したものが、とりわけ電子放出特性に優れ、し
かも製造が容易に行えることを見出している。したがっ
て、高輝度で大画面の画像形成装置を実現するには、電
子放出部もしくはその周辺部が微粒子膜により形成され
た表面伝導型放出素子を用いてマルチ電子ビーム源を構
成することが、最も好適である。

【００６６】そこで、本実施形態の表示パネルにおいて
は、電子放出部もしくはその周辺部を微粒子膜から形成
した表面伝導型放出素子を冷陰極素子１０１２として用
いた。以下に、この表面伝導型放出素子の基本構成と製
造方法と特性を説明し、次いで多数の表面伝導型放出素
子を単純マトリクス配線したマルチ電子ビーム源の構造
について述べる。

【００６７】［表面伝導型放出素子］電子放出部もしく
はその周辺部を微粒子膜から形成する表面伝導型放出素
子の代表的な構成には、平面型と垂直型の２種類があげ
られる。

【００６８】［平面型の表面伝導型放出素子の構成と製
造方法］まず、平面型の表面伝導型放出素子の素子構成
と製法について説明する。図９（ａ），（ｂ）に示すよ
うに、平面型の表面伝導型放出素子においては、基板１
１０１上に、対向する１対の素子電極１１０２，１１０
３が設けられ、素子電極１１０２，１１０３間に導電性
薄膜１１０４が設けられている。そして、導電性薄膜１
１０４に設けられたスリット状部分に、通電活性化処理
により形成された薄膜１１１３が被覆され、この部分
が、通電フォーミング処理により形成された電子放出部
１１０５になっている。

【００６９】基板１１０１は、例えば、石英ガラスや青
板ガラスをはじめとする各種ガラス基板や、アルミナを
はじめとする各種セラミクス基板、あるいは上述の各種
基板上に例えばＳｉＯ₂を材料とする絶縁層を積層した
基板などからなる。

【００７０】素子電極１１０２と１１０３は、導電性を
有する材料によって形成されている。例えば、Ｎｉ，Ｃ
ｒ，Ａｕ，Ｍｏ，Ｗ，Ｐｔ，Ｔｉ，Ｃｕ，Ｐｄ，Ａｇ等
の金属やこれらの金属の合金、Ｉｎ₂Ｏ₃−ＳｎＯ₂をは
じめとする金属酸化物、ポリシリコンなどからなる半導
体などの中から適宜材料を選択して用いて形成すること
ができる。この素子電極１１０２，１１０３は、例え
ば、真空蒸着などの製膜技術とフォトリソグラフィーや
エッチングなどのパターニング技術を組み合わせること
により容易に製造できる。ただし、それ以外の方法、例
えば印刷技術を用いた方法によって製造することもでき
る。素子電極１１０２，１１０３の形状は、表面伝導型
放出素子の用途に合わせて適宜設計される。一般的に
は、電極間隔Ｅは通常は数百［Å］から数百［μｍ］の
範囲内に設計され、特に画像表示装置に使用するために
好ましいのは数［μｍ］から数十［μｍ］の範囲であ
る。また、素子電極の厚さＧは、通常は、数百［Å］か
ら数［μｍ］の範囲内に設定される。

【００７１】導電性薄膜１１０４としては、前記した微
粒子膜が用いられる。この微粒子膜とは、構成要素とし
て多数の微粒子を含んだ膜（島状の集合体も含む）のこ
とをさす。微粒子膜は、微視的に見ると、通常は、個々
の微粒子が離間して配置された構造か、あるいは微粒子
が互いに隣接した構造か、あるいは微粒子が互いに重な
り合った構造である。微粒子膜を構成する微粒子の粒径
は、数［Å］から数千［Å］の範囲に含まれるものであ
るが、なかでも好ましいのは１０〜２００［Å］の範囲
のものである。また、微粒子膜の膜厚は諸条件を考慮し
て、すなわち、素子電極１１０２，１１０３と電気的に
良好に接続可能であり、後述する通電フォーミングを良
好に行うことができ、後述するように微粒子膜自身の電
気抵抗が適切な値になるように設定される。具体的に
は、微粒子の粒径は数［Å］から数千［Å］の範囲内に
設定され、特に好ましくは１０〜５００［Å］に設定さ
れる。この微粒子膜を形成するために用いられる材料
は、例えば、Ｐｄ，Ｐｔ，Ｒｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ｔｉ，Ｉ
ｎ，Ｃｕ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ｔａ，Ｗ，Ｐｂな
どの金属や、ＰｄＯ，ＳｎＯ₂，Ｉｎ₂Ｏ₃，ＰｂＯ，Ｓ
ｂ₂Ｏ₃などの酸化物や、ＨｆＢ₂，ＺｒＢ₂，ＬａＢ₆，
ＣｅＢ₆，ＹＢ₄，ＧｄＢ₄などの硼化物や、ＴｉＣ，Ｚ
ｒＣ，ＨｆＣ，ＴａＣ，ＳｉＣ，ＷＣなどの炭化物や、
ＴｉＮ，ＺｒＮ，ＨｆＮなどの窒化物や、Ｓｉ，Ｇｅな
どの半導体や、カーボンなどの中から適宜選択される。
そしてこの微粒子膜からなる導電性薄膜１１０４のシー
ト抵抗値は、１０³〜１０⁷［Ω／ｓｑ］の範囲内に設定
されている。

【００７２】導電性薄膜１１０４と素子電極１１０２，
１１０３とは、電気的に良好に接続されるのが望ましい
ため、互いの一部が重なりあうような構造である。その
重なり方については、図９（ｂ）の例では、下から、基
板１１０１、素子電極１１０２，１１０３、導電性薄膜
１１０４の順番に積層されているが、場合によっては、
下から、基板１１０１、導電性薄膜１１０４、素子電極
１１０２，１１０３の順番で積層されていてもよい。

【００７３】電子放出部１１０５は、導電性薄膜１１０
４の一部に形成されたスリット状の部分であり、電気的
には周囲の導電性薄膜１１０４よりも高抵抗な性質を有
している。スリットは、導電性薄膜１１０４に対して、
後述する通電フォーミング処理を行うことにより形成す
る。スリット内には、数［Å］〜数百［Å］の粒径の微
粒子を配置する場合がある。なお、実際の電子放出部１
１０５の位置や形状を精密かつ正確に図示するのは困難
なため、図９（ａ），（ｂ）においては模式的に示し
た。

【００７４】薄膜１１１３は、通電フォーミング処理後
に後述する通電活性化処理を行うことにより形成され、
電子放出部１１０５およびその近傍を被覆している。薄
膜１１１３は、炭素もしくは炭素化合物からなり、具体
的には、単結晶グラファイト、多結晶グラファイト、非
晶質カーボンのいずれか、もしくはその混合物であり、
膜厚は５００［Å］以下、より好ましくは３００［Å］
以下である。なお、実際の薄膜１１１３の位置や形状を
精密に図示するのは困難なため、図９（ａ），（ｂ）に
おいては模式的に示した。また、表面伝導型放出素子の
平面図（図９（ａ））においては、薄膜１１１３の一部
を除去した状態が示されている。

【００７５】以上、表面伝導型放出素子の好ましい構成
について説明したが、その具体例を以下に述べる。基板
１１０１として青板ガラスを用い、素子電極１１０２，
１１０３はＮｉ薄膜により形成した。素子電極１１０
２，１１０３の厚さＧは１０００［Å］、電極間隔Ｅは
２［μｍ］とした。導電性薄膜１１０４となる微粒子膜
の主要材料としてＰｄもしくはＰｄＯを用い、微粒子膜
の厚さは約１００［Å］、幅Ｗは１００［μｍ］とし
た。

【００７６】この平面型の表面伝導型放出素子の製造方
法について説明する。図１０（ａ）〜（ｄ）は、表面伝
導型放出素子の製造工程を説明するための断面図であ
る。

【００７７】（１）まず、あらかじめ洗剤、純水、有機
溶剤を用いて十分に洗浄された基板１１０１に素子電極
の材料を堆積させることにより、図１０（ａ）に示すよ
うに、基板１１０１上に素子電極１１０２，１１０３を
形成する。材料の堆積方法としては、例えば蒸着法やス
パッタ法などの真空成膜技術が採用でき、その後、堆積
された電極材料をフォトリソグラフィー・エッチング技
術を用いてパターニングして、図１０（ａ）に示す１対
の素子電極１１０２，１１０３が形成される。

【００７８】（２）次に、図１０（ａ）に示す基板１１
０１に有機金属溶液を塗布して乾燥させ、加熱焼成処理
して微粒子膜を成膜した後、フォトリソグラフィー・エ
ッチングにより所定の形状にパターニングして、図１０
（ｂ）に示す導電性薄膜１１０４を形成する。有機金属
溶液とは、導電性薄膜１１０４を構成する微粒子の材料
を主要元素とする有機金属化合物の溶液である。具体的
には、主要元素としてＰｄを用いディッピング法により
塗布されている。ただし、塗布方法としては、スピンナ
ー法やスプレー法も採用できる。また、微粒子膜からな
る導電性薄膜の成膜方法としては、前記した有機金属溶
液の塗布による方法以外に、例えば真空蒸着法やスパッ
タ法や化学的気相堆積法などを用いることもできる。

【００７９】（３）次に、図１０（ｃ）に示すように、
フォーミング用電源１１１０から素子電極１１０２と１
１０３の間に適宜の電圧を印加して、通電フォーミング
処理を行い、電子放出部１１０５を形成する。

【００８０】通電フォーミング処理は、微粒子膜からな
る導電性薄膜１１０４に通電を行って、その一部を適宜
に破壊、変形、もしくは変質させ、電子放出を行うのに
好適な構造に変化させる処理である。微粒子膜からなる
導電性薄膜１１０４のうち電子放出を行うのに好適な構
造に変化した部分（電子放出部１１０５）においては、
導電性薄膜１１０４に適当な亀裂（スリット）が形成さ
れている。なお、電子放出部１１０５が形成される前と
比較すると、形成された後は、素子電極１１０２と１１
０３の間で計測される電気抵抗が大幅に増加する。

【００８１】この通電フォーミング方法をより詳しく説
明するために、図１１に、フォーミング用電源１１１０
から印加する電圧波形の一例を示す。微粒子膜からなる
導電性薄膜１１０４をフォーミングする場合には、パル
ス状の電圧が好ましく、ここでは図１１に示すようにパ
ルス幅Ｔ₁の三角波パルスをパルス間隔Ｔ₂で連続的に印
加した。その際には、三角波パルスの波高値Ｖ_pfを順次
昇圧した。また、電子放出部１１０５の形成状況をモニ
ターするためのモニターパルスＰ_mを適宜の間隔で三角
波パルスの間に挿入し、その際に流れる電流を電流計１
１１１で計測した。例えば、１０^-5［Torr］程度の真空
雰囲気下において、パルス幅Ｔ₁を１［ｍｓ］、パルス
間隔Ｔ₂を１０［ｍｓ］とし、波高値Ｖ_pfを１パルスご
とに０．１［Ｖ］ずつ昇圧した。そして、三角波を５パ
ルス印加するたびに１回の割合で、モニターパルスＰ_m
を挿入した。通電フォーミング処理に悪影響を及ぼすこ
とがないように、モニターパルスＰ_mの電圧Ｖ_pmは０．
１［Ｖ］に設定した。そして、素子電極１１０２と１１
０３の間の電気抵抗が１×１０⁶［Ω］になった段階、
すなわちモニターパルスＰ_mの印加時に電流計１１１１
で計測される電流が１×１０^-7［Ａ］以下になった段階
で、電圧印加を停止し通電フォーミング処理を終了し
た。

【００８２】なお、前記した方法は、表面伝導型放出素
子における好ましい通電フォーミング処理方法の一例で
あり、例えば微粒子膜の材料や膜厚、あるいは素子電極
間隔Ｅなど、表面伝導型放出素子の設計を変更した場合
には、それに応じて通電の条件を適宜変更するのが望ま
しい。

【００８３】（４）次に、図１０（ｄ）に示すように、
活性化用電源１１１２から素子電極１１０２と１１０３
の間に適宜の電圧を印加し、通電活性化処理を行って、
電子放出特性の改善を行う。

【００８４】通電活性化処理とは、前記した通電フォー
ミング処理により形成された電子放出部１１０５に適宜
の条件で通電を行って、電子放出部１１０５の近傍に炭
素もしくは炭素化合物を堆積させる処理のことであり、
炭素もしくは炭素化合物の堆積により薄膜１１１３が形
成される。なお、通電活性化処理を行うことにより、処
理前と比較して、同じ印加電圧における放出電流を１０
０倍以上に増加させることができる。具体的には、１０
^-4〜１０^-5［Torr］の範囲内の真空雰囲気中で、電圧パ
ルスを定期的に印加することにより、真空雰囲気中に存
在する有機化合物から炭素もしくは炭素化合物、例えば
単結晶グラファイト、多結晶グラファイト、非晶質カー
ボンのいずれか、もしくはその混合物を、５００［Å］
以下、より好ましくは３００［Å］以下の厚さに堆積す
る。

【００８５】通電活性化処理方法をより詳しく説明する
ために、図１２に、活性化用電源１１１２から印加する
電圧波形の一例を示している。この例では、一定電圧の
矩形波を定期的に印加して通電活性化処理を行ってお
り、具体的には、電圧Ｖ_acは１４［Ｖ］、パルス幅Ｔ₃
は１［ｍｓ］、パルス間隔Ｔ₄は１０［ｍｓ］の矩形波
を印加した。図１０（ｄ）に示すように、表面伝導型放
出素子から放出される放出電流Ｉ_eを捕捉するためのア
ノード電極１１１４を、直流高電圧電源１１１５および
電流計１１１６に接続する。なお、基板１１０１を、表
示パネルの中に組み込んでから活性化処理を行う場合に
は、表示パネルの蛍光面がアノード電極１１１４として
用いられる。活性化用電源１１１２から電圧を印加する
間、電流計１１１６で放出電流Ｉ_eを計測して通電活性
化処理の進行状況をモニターし、活性化用電源１１１２
の動作を制御する。電流計１１１６で計測された放出電
流Ｉ_eの一例を図１３に示す。活性化電源１１１２から
パルス電圧を印加しはじめると、時間の経過とともに放
出電流Ｉ_eは増加するが、やがて飽和してほとんど増加
しなくなる。このように、放出電流Ｉ_eがほぼ飽和した
時点で活性化用電源１１１２からの電圧印加を停止し、
通電活性化処理を終了する。なお、前記した方法は、表
面伝導型放出素子における好ましい通電活性化処理方法
の一例であり、表面伝導型放出素子の設計を変更した場
合には、それに応じて処理方法および条件を適宜変更す
るのが望ましい。

【００８６】以上のようにして、図９に示す平面型の表
面伝導型放出素子を製造した。

【００８７】［垂直型の表面伝導型放出素子］次に、電
子放出部もしくはその周辺を微粒子膜から形成した表面
伝導型放出素子のもうひとつの代表的な構成、すなわち
垂直型の表面伝導型放出素子の構成について説明する。
図１４に示すように、垂直型の表面伝導型放出素子にお
いては、基板１２０１上に段差形成部材１２０６が設け
られ、基板１２０１上と段差形成部材１２０６上に、互
いに対向する１対の素子電極１２０２，１２０３が設け
られ、素子電極１２０２，１２０３にわたって導電性薄
膜１２０４が設けられている。そして、導電性薄膜１２
０４に設けられたスリット状部分に、通電活性化処理に
より形成された薄膜１２１３が被覆され、この部分が、
通電フォーミング処理により形成された電子放出部１２
０５になっている。この垂直型の表面伝導型放出素子が
先に説明した平面型の表面伝導型放出素子と異なる点
は、素子電極１２０２，１２０３の一方（図１４の例で
は素子電極１２０２）が段差形成部材１２０６上に設け
られており、導電性薄膜１２０４が段差形成部材１２０
６の側面を被覆しているところである。したがって、図
９の平面型における素子電極間隔Ｅに相当するのは、図
１４の垂直型では段差形成部材１２０６の段差高さＥ_s
である。なお、基板１２０１と、素子電極１２０２，１
２０３と、微粒子膜からなる導電性薄膜１２０４につい
ては、前記した平面型の表面伝導型放出素子と実質的に
同一である。段差形成部材１２０６としては、例えばＳ
ｉＯ₂のような電気的に絶縁性を有する材料が用いられ
る。

【００８８】次に、この垂直型の表面伝導型放出素子の
製造方法について説明する。図１５（ａ）〜（ｆ）は、
その製造工程を説明するための断面図である。前記した
平面型の表面伝導型放出素子の製造方法と同一の部分に
ついては説明を省略する。

【００８９】（１）まず、図１５（ａ）に示すように、
基板１２０１上に素子電極１２０３を形成する。

【００９０】（２）次に、図１５（ｂ）に示すように、
段差形成部材１２０６を形成するための絶縁層１２０６
ａを積層する。絶縁層１２０６ａは、例えばＳｉＯ₂を
スパッタ法で積層すればよいが、例えば真空蒸着法や印
刷法などの他の成膜方法を用いて積層してもよい。

【００９１】（３）次に、図１５（ｃ）に示すように、
絶縁層１２０６ａの上に素子電極１２０２を形成する。

【００９２】（４）次に、図１５（ｄ）に示すように、
絶縁層１２０６ａの一部を例えばエッチング法を用いて
除去して段差形成部材１２０６とし、素子電極１２０３
を露出させる。

【００９３】（５）次に、図１５（ｅ）に示すように、
微粒子膜からなる導電性薄膜１２０４を形成する。その
形成方法は、前記した平面型の表面伝導型放出素子の場
合と同じく塗布法などの成膜技術を用いればよい。

【００９４】（６）次に、前記したのと同様な通電フォ
ーミング処理を行い、電子放出部１２０５を形成する。

【００９５】（７）次に、前記したのと同様な通電活性
化処理を行い、電子放出部１２０５の近傍に炭素もしく
は炭素化合物を堆積させ薄膜１２１３を形成する。

【００９６】以上のようにして、図１５（ｆ）に示す垂
直型の表面伝導型放出素子を製造した。

【００９７】［表示装置に用いた表面伝導型放出素子の
特性］以上、平面型と垂直型の表面伝導型放出素子につ
いて素子構成と製造方法を説明したが、次にこれらの表
面伝導型放出素子を画像表示装置に用いた場合の特性に
ついて述べる。

【００９８】図１６に、画像表示装置に用いられた表面
伝導型放出素子の放出電流Ｉ_eと素子印加電圧Ｖ_fの関係
の一例を、図１７にその素子電流Ｉ_fと素子印加電圧Ｖ_f
の関係の一例をそれぞれ示している。なお、放出電流Ｉ
_eは素子電流Ｉ_fに比べて著しく小さく、同一尺度で図示
するのが困難であるうえ、これらの特性は素子の大きさ
や形状等の設計パラメータを変更することにより変化す
るものであるため、２つのグラフの軸の目盛りは異なっ
ている。

【００９９】この図１６，１７から判るように、画像表
示装置に用いられた表面伝導型放出素子は、放出電流Ｉ
_eに関して以下に述べる３つの特性を有している。

【０１００】第１に、ある電圧（閾値電圧Ｖ_th）以上の
大きさの電圧が印加されると急激に放出電流Ｉ_eが増加
するが、閾値電圧Ｖ_th未満の電圧では放出電流Ｉ_eはほ
とんど検出されない。すなわち、この表面伝導型放出素
子は、放出電流Ｉ_eに関して、明確な閾値電圧Ｖ_thを持
った非線形素子である。

【０１０１】第２に、放出電流Ｉ_eは、表面伝導型放出
素子に印加される電圧Ｖ_fに依存して変化するため、電
圧Ｖ_fで放出電流Ｉ_eの大きさを制御できる。

【０１０２】第３に、表面伝導型放出素子に印加される
電圧Ｖ_fに対して放出電流Ｉ_eの応答速度が速いため、電
圧Ｖ_fを印加する時間の長さによって表面伝導型放出素
子から放出される電子の電荷量を制御できる。

【０１０３】以上のような特性を有するため、表面伝導
型放出素子を画像表示装置に好適に用いることができ
た。例えば、図１，２に示す画像表示装置に前記した表
面伝導型放出素子（冷陰極素子）１０１２を表示画面の
画素に対応して多数設けることができる。この画像表示
装置では、前記した第１の特性によって、表示画面を順
次走査して表示を行うことが可能である。すなわち、駆
動中の表面伝導型放出素子１０１２には所望の発光輝度
に応じて閾値電圧Ｖ_th以上の電圧を適宜印加し、非選択
状態の表面伝導型放出素子１０１２には閾値電圧Ｖ_th未
満の電圧を印加する。駆動する表面伝導型放出素子１０
１２を順次切り替えてゆくことにより、表示画面を順次
走査して表示を行うことが可能である。また、第２の特
性や第３の特性を利用して発光輝度を制御することがで
きるため、階調表示を行うことが可能である。

【０１０４】なお、図１，２に示す構成では、気密容器
のリアプレート１０１５に、表面伝導型放出素子（冷陰
極素子１０１２）を有するマルチ電子ビーム源の基板１
０１１が固定されているが、マルチ電子ビーム源の基板
１０１１が十分な強度を有するものである場合には、マ
ルチ電子ビーム源の基板１０１１自体を気密容器のリア
プレートとして用いてもよい。

【０１０５】

【実施例】次に、前記した画像形成装置のより具体的な
実施例について説明する。

【０１０６】［第１実施例］本実施例では、図１に示し
た表示パネルを作製する場合について説明する。

【０１０７】（電子源作製）まず、前記の通り、あらか
じめ基板１１０１上に行方向配線１０１３、列方向配線
１０１４、電極間絶縁層（不図示）、および表面伝導型
電子放出素子１０１２の素子電極１１０２，１１０３と
導電性薄膜１１０４を形成した。

【０１０８】（スペーサの絶縁性部材の作製）次に、図
５に示すように、表示パネルの耐大気圧構造体であるス
ペーサ１０２０の絶縁性部材１を、ソーダライムガラス
により３００［ｍｍ］×２［ｍｍ］×０．２［ｍｍ］の
寸法に作製した。具体的には、加熱延伸法によって断面
が２［ｍｍ］×０．２［ｍｍ］の長いソーダライムガラ
ス板を成形し、３００［ｍｍ］ごとに切断した。便宜
上、ここでは絶縁性基材１の最も広い面（３００［ｍ
ｍ］×２［ｍｍ］）を主面と呼び、フェースプレート１
０１７とリアプレート１０１５に当接する２面（２［ｍ
ｍ］×０．２［ｍｍ］）を上下端面３と呼び、その他の
２面（３００［ｍｍ］×０．２［ｍｍ］）を側端面と呼
ぶ。

【０１０９】（スペーサの高抵抗膜と電極成膜の作製）
スペーサの絶縁性部材１のうち、気密容器の画像形成領
域内にかかる４面（側端面を除く面）に高抵抗膜１１を
成膜し、上下端面３と、主面のフェースプレート１０１
７とリアプレート１０１５に接する辺から０．１［ｍ
ｍ］の高さまでの領域（近傍部５）に導電性の低抵抗膜
２１を形成した。高抵抗膜１１としては、ＣｒおよびＡ
ｌのターゲットを同時に高周波電源でスパッタリングす
ることにより形成したＣｒ−Ａｌ合金窒化膜（厚さ：２
００［ｎｍ］、表面抵抗：約１０９［Ω／□］）を用い
た。低抵抗膜２１は、前記した通り、スペーサ１０２０
に成膜された高抵抗膜１１とフェースプレート１０１７
やリアプレート１０１５の電気的接続を確保するととも
に、スペーサ１０２０周辺の電場を抑制し表面伝導型放
出素子１０１２からの電子線の軌道制御を行う。

【０１１０】（スペーサ固定の接着部材）スペーサ１０
２０を固定する接着剤１０２１ａ，１０２１ｂとして
は、アルミナを母体とする無機系接着剤を用いる。スペ
ーサ１０２０の両側部にはアルミナの粒子径１００［μ
ｍ］の接着剤１０２１ａが塗布され、スペーサ１０２０
の中間部には、少量しか塗布することができないため、
アルミナの粒子径５０［μｍ］の接着剤１０２１ｂが塗
布された。

【０１１１】（スペーサの組み付け）スペーサ１０２０
の両側部を引っ張り、張力を保持した状態で、行方向配
線１０１３の所定の位置にスペーサ１０２０を接触させ
る。その後両側部を周辺領域に接着剤１０２１ａにて接
着する。次に、スペーサ１０２０の中間部を接着剤１０
２１ｂにより行方向配線１０１３に固定する。接着部の
間隔がそれぞれ等間隔となるように５個所で接着した
（図８参照）。

【０１１２】（リアプレートとフェースプレートの封
着）その後、図１に示すように、リアプレート１０１５
上に側壁１０１６をフリットガラスを介して設置し、さ
らに側壁１０１６の端面にもフリットガラスを塗布し
て、列配線（Ｙ方向）に延びるストライプ形状の各色蛍
光体からなる蛍光膜１０１８とメタルバック１０１９が
内面に付設されているフェースプレート１０１７を側壁
１０１６上に配設した。

【０１１３】（電子源プロセスおよび封止）以上のよう
にして完成した気密容器内を図示しない排気管を通じ真
空ポンプにて排気し、十分な真空度に達した後、容器外
から端子Ｄ_x1〜Ｄ_xmおよびＤ_y1〜Ｄ _ynと行方向配線電極
１０１３および列方向配線電極１０１４を介して、各表
面伝導型電子放出素子（冷陰極素子）１０１２に給電し
て、前記した通電フォーミング処理と通電活性化処理を
行うことにより、マルチ電子ビーム源を製造した。次
に、１０^-6［Torr］程度の真空度で、不図示の排気管を
ガスバーナーで熱して溶着させ外囲器（気密容器）の封
着を行った。最後に、封止後の真空度を維持するため
に、ゲッター処理を行った。

【０１１４】（画像形成）以上のように完成した、図１
に示す表示パネルを含む画像形成装置において、容器外
の信号発生手段から端子Ｄ_x1〜Ｄ_xmとＤ_y1〜Ｄ_ynを通
じ、各冷陰極素子（表面伝導型電子放出素子）１０１２
に走査信号および変調信号をそれぞれ印加することによ
り電子を放出させ、高圧端子Ｈｖを通じてメタルバック
１０１９に高電圧を印加することにより放出電子ビーム
を加速させ、蛍光膜１０１８に電子を衝突させ、各色蛍
光体を励起させ発光させて画像を表示する。なお、高圧
端子Ｈｖへの印加電圧Ｖ_aは３〜１０［ｋＶ］、各配線
１０１３、１０１４間への印加電圧Ｖ_fは１４［Ｖ］と
した。このとき、スペーサ１０２０に近い位置にある冷
陰極素子１０１２からの放出電子による発光スポットも
含め、二次元上に等間隔の発光スポット列が形成され、
鮮明で色再現性の良いカラー画像表示ができた。

【０１１５】［第２実施例］表示パネルの他の組み立て
例を図１８〜２０を参照して説明する。本実施例では、
スペーサ１０２０の両端に支持部材１０３０を設けてい
る。

【０１１６】（スペーサ支持部材）スペーサ１０２０に
固定される支持部材１０３０は、図１８に示すように、
５［ｍｍ］×５［ｍｍ］×０．５［ｍｍ］の板状であ
り、中央部にスペーサ１０２０が入る、幅０．２５［ｍ
ｍ］長さ２［ｍｍ］の溝１０３１が形成されている。

【０１１７】（スペーサと支持部材の組み立て）スペー
サ１０２０の両側部を、支持部材１０３０の溝１０３１
に差し込み、第１実施例と同様な接着剤により固定し、
図１９に示すように支持部材１０３０によりスペーサ１
０２０が自立できる形態とする。それから、第１実施例
と同様な手順でスペーサ組み付け工程を行う（図２０参
照）ことにより、張力不均一化を防止することができ
た。

【０１１８】なお、前記した２つの実施例では、接着剤
を加熱することによって硬化させているが、本発明の接
着剤の硬化方法は特に限定されない。

【０１１９】

【発明の効果】以上説明したように、本発明では、スペ
ーサをプレートに固着する際に、まず接着剤の体積が大
きく硬化収縮量の大きいスペーサの両側部を先に接着し
て張力を安定させ、その後に、接着剤の体積が小さく硬
化収縮量の小さいスペーサの中間部を接着することによ
り、張力不均一を防止しスペーサの変形や破損を防ぐこ
とができる。さらに、スペーサは、画像形成領域外のみ
ならず画像形成領域内にも部分的に固着されているた
め、スペーサが固定されたプレートの搬送時の振動や、
２つのプレートを互いに固定する作業などの影響によっ
てスペーサが最初に組み付けた位置からずれることがな
くなる。従って、スペーサの位置ずれが、配線近傍にお
いて電子源から放出された電子の軌道に干渉したり、ス
ペーサの近傍の電場を乱すことによって電子軌道が歪ん
で画像表示に影響を与えることを防止することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に基づいて製造された画像形成装置の一
部切欠斜視図である。

【図２】図１に示す画像形成装置の電子源の平面図であ
る。

【図３】図２のＡ−Ａ線断面図である。

【図４】図１に示す画像形成装置の蛍光膜を示す平面図
である。

【図５】図１のＢ−Ｂ線断面図である。

【図６】スペーサ固着工程において張力をかけた状態を
説明する正面図である。

【図７】スペーサ固着工程においてスペーサの両側部を
接着した状態を説明する平面図である。

【図８】スペーサ固着工程においてスペーサの中間部を
接着した状態を説明する平面図である。

【図９】平面型の表面伝導型放出素子の構成を説明する
ための図で、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。

【図１０】図９に示す平面型の表面伝導型放出素子の製
造工程を示す断面図である。

【図１１】図１０に示す製造工程中の通電フォーミング
処理における印加電圧波形を示すグラフである。

【図１２】図１０に示す製造工程中の通電活性化処理に
おける印加電圧波形を示すグラフである。

【図１３】図１０に示す製造工程中の通電活性化処理に
おける放出電流の変化を示すグラフである。

【図１４】垂直型の表面伝導型放出素子の構成を説明す
る断面図である。

【図１５】図１４に示す垂直型の表面伝導型放出素子の
製造工程を示す断面図である。

【図１６】本発明の画像形成装置に用いた表面伝導型放
出素子の放出電流と素子電圧との関係を示すグラフであ
る。

【図１７】本発明の画像形成装置に用いた表面伝導型放
出素子の素子電流と素子電圧との関係を示すグラフであ
る。

【図１８】スペーサ支持部材を示す斜視図である。

【図１９】スペーサを支持部材に固定した状態を示す正
面図である。

【図２０】スペーサを支持部材に固定してリアプレート
に接着した状態を説明する正面図である。

【図２１】従来の表面伝導型放出素子の構成を説明する
平面図である。

【図２２】従来の画像表示装置の一部切欠斜視図であ
る。

【符号の説明】

１絶縁性部材３上下端面５近傍部１１高抵抗膜（帯電防止膜）２１低抵抗膜（中間層）１０１０黒色導電体１０１１基板１０１２冷陰極素子（表面伝導型放出素子）１０１３行方向配線１０１４列方向配線１０１５リアプレート（第１のプレート）１０１６枠状の側壁１０１７フェースプレート（第２のプレート）１０１８蛍光膜１０１９メタルバック１０２０スペーサ１０２０ａ絶縁性部材１０２０ｂ高抵抗膜１０２０ｃ低抵抗膜１０２１ａスペーサの両側部に付与される接着剤１０２１ｂスペーサの中間部に付与される接着剤１０３０支持部材１０３１支持部材のスペーサの入る溝１１０１，１２０１基板１１０２，１１０３，１２０２，１２０３素子電極１１０４，１２０４導電性薄膜１１０５，１２０５電子放出部１１１０フォーミング用電源１１１１，１１１６電流計１１１２活性化用電源１１１３，１２１３薄膜１１１４アノード電源１１１５直流高電圧電源１２０６段差形成部材１２０６ａ絶縁層Ｒ，Ｇ，Ｂ蛍光体

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者上田和幸東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内 (72)発明者 ▲高▼橋宣之東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内Ｆターム(参考） 5C012 AA01 BB07

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】電子源を有する第１のプレートと、前記
電子源から放出された電子が照射されて画像を形成する
画像形成領域を有する第２のプレートと、前記２つのプ
レートを互いに対向するように固定する枠状の側壁とか
らなる気密容器と、前記気密容器の内部で前記２つのプ
レートの間に挟まれるように配置されたスペーサとを有
する画像形成装置の製造方法において、前記スペーサを前記画像形成領域とその周辺領域を跨ぐ
ように配置し、前記画像形成領域外で、前記スペーサの
両側部を前記２つのプレートのうちのいずれか一方に固
着した後に、前記画像形成領域内で、前記スペーサの中
間部を前記一方のプレートに部分的に固着することを特
徴とする画像形成装置の製造方法。
【請求項２】前記画像形成領域内で前記スペーサの中
間部を前記一方のプレートに部分的に固着した後に、前
記２つのプレートを互いに対向するように固定して前記
気密容器を形成する、請求項１に記載の画像形成装置の
製造方法。
【請求項３】前記画像形成領域内での前記スペーサの
前記一方のプレートへの固着は、無機系の接着剤を用い
て行う、請求項１または２に記載の画像形成装置の製造
方法。
【請求項４】前記スペーサは薄板状であり、前記２つ
のプレート間の間隔を規定する前記スペーサの高さをＨ
とし、前記スペーサの前記２つのプレートに接合される
面の長さをＬ、幅をＷとした場合に、Ｌ／Ｗ＞５×１０
²とＬ／Ｈ＞５０の少なくともどちらか一方の関係を満
たすように形成されている、請求項１〜３のいずれか１
項に記載の画像形成装置の製造方法。
【請求項５】前記電子源は、電子を放出するために８
［ｋＶ］より大きい直流電圧Ｖ_aが供給されるものであ
る、請求項１〜４のいずれか１項に記載の画像形成装置
の製造方法。
【請求項６】前記スペーサの前記画像形成領域内での
前記一方のプレートへの固着では、前記画像形成領域外
での前記一方のプレートへの固着に比べて、固着部１か
所あたりに付与される接着剤の体積が小さい、請求項１
〜５のいずれか１項に記載の画像形成装置の製造方法。