JP2003282954A - Led発光装置 - Google Patents

Led発光装置

Info

Publication number
JP2003282954A
JP2003282954A JP2002089129A JP2002089129A JP2003282954A JP 2003282954 A JP2003282954 A JP 2003282954A JP 2002089129 A JP2002089129 A JP 2002089129A JP 2002089129 A JP2002089129 A JP 2002089129A JP 2003282954 A JP2003282954 A JP 2003282954A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
led
emitting device
led chip
chip
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2002089129A
Other languages
English (en)
Inventor
Takashi Ueda
孝史 上田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Rohm Co Ltd
Original Assignee
Rohm Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rohm Co Ltd filed Critical Rohm Co Ltd
Priority to JP2002089129A priority Critical patent/JP2003282954A/ja
Priority to US10/394,489 priority patent/US7005683B2/en
Priority to CNB031213146A priority patent/CN1210816C/zh
Publication of JP2003282954A publication Critical patent/JP2003282954A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80Constructional details
    • H10H20/85Packages
    • H10H20/852Encapsulations
    • H10H20/853Encapsulations characterised by their shape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J9/00Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
    • H01J9/20Manufacture of screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored; Applying coatings to the vessel
    • H01J9/22Applying luminescent coatings
    • H01J9/227Applying luminescent coatings with luminescent material discontinuously arranged, e.g. in dots or lines
    • H01J9/2271Applying luminescent coatings with luminescent material discontinuously arranged, e.g. in dots or lines by photographic processes
    • H01J9/2272Devices for carrying out the processes, e.g. light houses
    • H01J9/2273Auxiliary lenses and filters
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/02Details
    • H05B33/04Sealing arrangements, e.g. against humidity
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50Bond wires
    • H10W72/531Shapes of wire connectors
    • H10W72/536Shapes of wire connectors the connected ends being ball-shaped
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50Bond wires
    • H10W72/531Shapes of wire connectors
    • H10W72/5363Shapes of wire connectors the connected ends being wedge-shaped
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/851Dispositions of multiple connectors or interconnections
    • H10W72/874On different surfaces
    • H10W72/884Die-attach connectors and bond wires
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00Package configurations
    • H10W90/701Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/731Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
    • H10W90/736Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00Package configurations
    • H10W90/701Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/751Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/756Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 出射する光の光量を増大させることができる
LED発光装置を提供する。 【解決手段】 平面視矩形状を呈したLEDチップ
(2)と、このLEDチップ(2)を内包し、このLE
Dチップ(2)が発する光に対して透光性を有する樹脂
パッケージ(3)と、を備えたLED発光装置(1)で
あって、上記樹脂パッケージ(3)には、平面視におい
て、上記LEDチップ(2)に対してその一側方に離れ
た位置に、上記LEDチップ(2)を中心とする限定さ
れた中心角の出射光利用領域(5)が設定されており、
かつ、上記LEDチップ(2)は、互いに隣接する2側
面(2a,2b)が上記出射光利用領域(5)に面する
ようになされていることを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本願発明は、たとえば、一般
的な光源や、フォトインタラプタなどのセンサにおける
発光部などに適用されるLED発光装置に関する。
【0002】
【従来の技術】この種の従来のLED発光装置の一例を
図3に示す。このLED発光装置101は、フォトイン
タラプタの発光部として形成されたものであって、LE
Dチップ102が樹脂パッケージ3に内包された構成と
されている。LEDチップ102は、発光層21cを有
するチップ本体21と、チップ本体21の下面および上
面にそれぞれ形成された下面電極22および上面電極2
3とを有しており、通電時には、発光層21cから放射
状に広がりつつ進行する光が生じる。このLEDチップ
102は、図4に示すように、平面視矩形状を呈してお
り、その1側面102aが、後述するパッケージ本体3
1と凸レンズ部6との間の境界面5に対して平行となる
ように配置されている。
【0003】樹脂パッケージ3は、透光性を有する樹脂
により形成されており、図3に示すように、直方体状の
パッケージ本体31と、パッケージ本体31の外面に形
成された凸レンズ部6とを有している。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】このLED発光装置1
01において、LEDチップ102の発光層21cで光
が生じると、図4に示すように、その一部が上記1側面
102aから発せられて上記境界面5を通り、凸レンズ
部6を透過する。発光層21cで生じた光は、平面視に
おいて、LEDチップ102の1側面102aから、放
射状に広がりつつ進行し、凸レンズ部6を透過すること
によって、平行光束光として、樹脂パッケージ3(LE
D発光装置101)の外部に出射されうる。したがっ
て、LED発光装置101から出射される出射光は、方
向性がよく、このLED発光装置101を備えたフォト
インタラプタにおける受光部に対して正確に受光されう
る。
【0005】しかしながら、上記LED発光装置101
では、LEDチップ102の発光層21cが放射状に広
がりつつ進行する光を生じ、LEDチップ102の全側
面から光を発しうるにもかかわらず、LEDチップ10
2の1側面102aのみから発せられる光の一部を外部
に出射しているに過ぎない。より詳細には、図4に示す
ように、LEDチップ102で生じた光は、上記境界面
5におけるLEDチップ102を中心とする広がり角度
(中心角)に対応する、比較的小さな角度(「放射角
度」という)α′で放射する部分光しか使用されない。
したがって、LED発光装置101が出射する光の光量
が比較的小となっていた。
【0006】本願発明は、上記した事情のもとで考え出
されたものであって、出射する光の光量を増大させるこ
とができるLED発光装置を提供することをその課題と
する。
【0007】
【発明の開示】上記課題を解決するため、本願発明で
は、次の技術的手段を講じている。
【0008】すなわち、本願発明により提供されるLE
D発光装置は、平面視矩形状を呈したLEDチップと、
このLEDチップを内包し、このLEDチップが発する
光に対して透光性を有する樹脂パッケージと、を備えた
LED発光装置であって、上記樹脂パッケージには、平
面視において、上記LEDチップに対してその一側方に
離れた位置に、上記LEDチップを中心とする限定され
た中心角の出射光利用領域が設定されており、かつ、上
記LEDチップは、互いに隣接する2側面が上記出射光
利用領域に面するようになされていることを特徴として
いる。
【0009】上記LEDチップの配置としては、平面視
において、上記LEDチップにおける1つの対角線の延
長線が上記出射光利用領域を通過するようになされた構
成とすることができる。
【0010】さらに、上記対角線の延長線が上記出射光
利用領域の中心に直交するようになされた構成とするこ
とができる。
【0011】上記樹脂パッケージとしては、上記出射光
利用領域とほぼ対応するようにして、凸レンズ部が形成
されたものを用いることができる。
【0012】上記LEDチップとしては、上面電極が全
面電極とされたものを用いることができる。
【0013】本願発明のその他の特徴および利点につい
ては、以下に行う発明の実施の形態の説明から、より明
らかになるであろう。
【0014】
【発明の実施の形態】以下、本願発明の好ましい実施の
形態について、図面を参照して具体的に説明する。
【0015】図1は、本願発明に係るLED発光装置の
一例を示す概略斜視図、図2は、図1の平面図である。
なお、これらの図において、従来例を示す図3および図
4に表された部材、部分等と同等のものにはそれぞれ同
一の符号を付してある。
【0016】図1に示すLED発光装置1は、光源とし
てのLEDチップ2が樹脂パッケージ3に内包された構
成とされている。
【0017】LEDチップ2は、複数の半導体層を積層
してなるチップ本体21と、チップ本体21の下面に形
成された下面電極22と、チップ本体21の上面に形成
された上面電極23とを有している。
【0018】チップ本体21は、たとえば、基板21a
上にp型半導体層21b、活性層21c、およびn型半
導体層21dが順次積層されてなり、通電時において、
活性層21cから放射状に光を放出する。
【0019】下面電極22は、たとえば、導電性が優れ
たAuなどの金属被膜により形成されており、チップ本
体21の下面全域に形成されている。
【0020】上面電極23は、下面電極22と同様にA
uなどの金属被膜により形成されており、本実施形態で
は、チップ本体21の上面全域に形成されている。
【0021】上記LEDチップ2は、一般的なLEDチ
ップを形成する材料として用いられるガリウムとヒ素と
の化合物を用いて形成される。このようなLEDチップ
2は、たとえば、GaAs基板上に、p型GaAlAs
クラッド層、GaAlAs活性層、およびn型GaAl
Asクラッド層を順次エピタキシャル成長させることに
より半導体ウエハを形成し、この半導体ウエハの上下面
に対して電極材料を被膜形成した後、これをダイシング
によりチップに分割することによって形成され、本実施
形態では、平面視における形状が正方形である直方体状
とされている。
【0022】本実施形態では、上記LEDチップ2は、
樹脂パッケージ3内において、第1リード41に対して
下面電極22を下にしてチップボンディングされること
により支持されており、上面電極23がワイヤ43を介
して第2リード42に接続されている。第1リード41
および第2リード42は、銅や鉄などの金属板を打ち抜
くなどして得られるリードフレームの一部として容易に
形成されうる。
【0023】上記樹脂パッケージ3は、LEDチップ2
が発する光に対して透光性を有する樹脂により形成され
ている。このような樹脂としては、たとえば、材料コス
トが比較的安価である点、ならびに加熱により容易に硬
化させることができる点などから、フィラを含有しない
透光性エポキシ樹脂などが用いられる。このような樹脂
パッケージ3の形成には、所定の形状に形成されたキャ
ビティを有する枠型を用いた注型法が採用される。すな
わち、樹脂パッケージ3は、第1リード41となる部分
にLEDチップ2がボンディングされ、かつ第2リード
42となる部分とLEDチップ2との間にワイヤボンデ
ィングを施すことによりワイヤ43が形成されたリード
フレームを、その所定の部位が上記キャビティ内に納ま
るようにしてセットした後、溶融した樹脂をこのキャビ
ティ内に注入し、これを加熱硬化させることによって形
成される。
【0024】この樹脂パッケージ3は、本実施形態で
は、直方体状のパッケージ本体31と、パッケージ本体
31の外面に形成された凸レンズ部6とを有しており、
その外表面にける凸レンズ部6のレンズ面以外の部分に
は、LEDチップ2からの光が透過しないように、光吸
収性を有する塗装などが施されている。この樹脂パッケ
ージ3には、LEDチップ2が発する光を、樹脂パッケ
ージ3の外部における所定の領域に向けて出射させるた
めの出射光利用領域5が設定されている。
【0025】出射光利用領域5は、LEDチップ2の一
側方に離れた位置に配置されており、本実施形態では、
パッケージ本体31の1側面上に位置している。この出
射光利用領域5は、平面視において、LEDチップ2か
ら見て所定の角度範囲内に広がっているように設定され
ている。すなわち、出射光利用領域5は、その広がり範
囲が、平面視において、LEDチップ2を中心とする中
心角が所定の角度となるように限定されている。
【0026】このLED発光装置1において、LEDチ
ップ2は、図2に良く表われているように、互いに隣接
する2側面2a,2bが出射光利用領域5に面するよう
に配置されている。より詳細には、平面視において、L
EDチップ2は、その1つの対角線2cの延長線が出射
光利用領域5を通るように配置されている。また、LE
Dチップ2は、上記2側面2a,2bがなす角度を2等
分する面が出射光利用領域5を2等分するように、かつ
これに直交するように配置されている。すなわち、本実
施形態では、平面視において、LEDチップ2における
1つの対角線2cの延長線が出射光利用領域5の中心P
に直交するようになされている。
【0027】上記凸レンズ部6は、出射光利用領域5と
ほぼ対応するように形成されている。より詳細には、凸
レンズ部6は、その主平面が出射光利用領域5と平行と
なるように、かつパッケージ本体31との間の境界面が
出射光利用領域5にほぼ一致するように形成されてい
る。
【0028】次に、上記構成を有するLED発光装置1
の作用を説明する。
【0029】上記LED発光装置1において、上記LE
Dチップ2の両電極22,23間に所定の電圧が負荷さ
れると、上記活性層21cで光が生じる。このとき、L
EDチップ2においては、上面電極23が全面電極とさ
れているので、これが部分電極とされた一般的なLED
チップとは異なり、活性層21cの全域に対して電流が
流れ、これにより、光量が比較的大きな光を発すること
ができる。
【0030】LEDチップ2においては、互いに隣接す
る上記2側面2a,2bが上記出射光利用領域5に面
し、平面視において、1つの対角線2cの延長線が出射
光利用領域5を通るようになされているので、図2に示
すように、2側面2a,2bが出射光利用領域5に対し
て傾斜した構成となっている。また、LEDチップ2に
おける各半導体層21b,21d(GaAlAs)およ
び活性層21c(GaAs)は、屈折率が3.5前後と
され、樹脂パッケージ3は、屈折率が1.5前後とされ
ているため、これら両者間の屈折率の差により、LED
チップ2の内部で生じた光は、LEDチップ2の側面か
ら発せられる際に、LEDチップ2の側面と樹脂パッケ
ージ3との間の境界面で屈折可能である。
【0031】これらのことにより、LED発光装置1に
おいては、図2に示すように、このような境界面での屈
折によって、LEDチップ2の側面2aから発せられた
光の一部と、LEDチップ2の側面2bから発せられた
光の一部とを出射光利用領域5に入射させることができ
る。より詳細には、このLED発光装置1においては、
LEDチップ2で生じた光のうち、側面2aに対して放
射角αaで放射される部分光と、側面2bに対して放射
角αbで放射される部分光とを、その光束同士が重ね合
わせられるようにして出射光利用領域5に入射させるこ
とができる。放射角αaと放射角αbとの和は、従来例の
ように、LEDチップの1側面のみから発せられた光の
一部を出射光利用領域(パッケージ本体31と凸レンズ
部6との間の境界面)に入射させる場合における放射角
α′(図4参照)よりも大とされうる。したがって、こ
のLED発光装置1では、従来例に比して、LED発光
装置1の外部に出射される出射光の光量を増大させるこ
とが可能となる。
【0032】その結果、このようなLED発光装置1に
おいて、所望する光量の出射光を出射させる場合、LE
Dチップ2として、光出力が比較的小さいもの、すなわ
ち安価なものを用いることができるので、LED発光装
置1の製造コストを減少させることができる。また、発
光部としてLED発光装置1を備えたフォトインタラプ
タは、受光部で受光させる光の光量を大とすることがで
きるので、誤作動が防止された良質のものとされうる。
換言すれば、このようなフォトインタラプタの品質を向
上することができ、製造時の歩留まりを向上させること
が可能となる。
【0033】また、LED発光装置1においては、LE
Dチップ2の上面電極23が、上述した金属により形成
されており、透光性を有していないので、活性層21c
で生じた光が、LEDチップ2の上面から発せられず
に、その側面のみから発せられる。より詳細には、LE
Dチップ2(チップ本体21)内において、活性層21
cで生じた光は、放射状に広がるように放出されるが、
その一部は、p型あるいはn型半導体層21b,21d
を透過した後、上面電極23あるいは基板21aで反射
するため、LEDチップ2の側面から発せられる光に
は、散乱光が含まれる。ここで、活性層21cで生じる
光が上面電極23あるいは基板21aで反射する際の反
射方向は、垂直方向であるため、LEDチップ2の側面
から発せられる光は、平面視においては、散乱せずに放
射したままの状態で進行する。したがって、平面視にお
いて、LEDチップ2の2側面2a,2bから発せられ
て出射光利用領域5に入射する光は、結束性がよい。
【0034】しかも、LEDチップ2は、平面視におい
て、対角線2cの延長線が出射光利用領域5の中心に直
交するように配置されているので、LEDチップ2の2
側面2a,2bの出射光利用領域5に対する傾斜角度は
互いに等しい。ゆえに、LEDチップ2の2側面2a,
2bのそれぞれから発せられて出射光利用領域5を通る
光の光路は、図2に示すように、平面視において、対角
線2cの延長線を中心として互いに線対称となる。これ
により、このような2系統の光が出射光利用領域5を通
ってその光束同士が互いに重なり合うことによって生じ
た光、すなわち上記した光量が増大された光(以下、
「混合光」という)は、その照射範囲が、平面視におい
て、対角線2cの延長線を中心として線対称となる。し
たがって、この混合光を、凸レンズ部6によって集束さ
せることにより、平面視における照射範囲Sが一様とな
るように出射させることが可能となる。すなわち、LE
D発光装置1から出射される出射光のうち、光量が増大
された部分を、平面視において、帯状に出射させること
ができる。
【0035】その結果、このLED発光装置1から出射
される出射光は、方向性がよく、この出射光を、LED
発光装置1の外部における所定の部位に向けて局所的に
進行させることができる。したがって、このLED発光
装置1を発光部として備えたフォトインタラプタは、発
光部の光軸と受光部の光軸とが正確に合わせられ、正確
なセンシングが可能となる。
【0036】もちろん、本願発明は、上述した実施形態
に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した
事項の範囲内でのあらゆる設計変更はすべて本願発明の
範囲に含まれる。たとえば、上記した実施の形態では、
LEDチップ2が、樹脂パッケージ3内において、第1
リード41上に実装された構成となっているが、LED
チップ2を配線基板上に実装した構成を採用してもよ
い。
【図面の簡単な説明】
【図1】本願発明に係るLED発光装置の一例を示す概
略斜視図である。
【図2】図1の平面図である。
【図3】従来のLED発光装置の一例を示す概略斜視図
である。
【図4】図3の平面図である。
【符号の説明】
1 LED発光装置 2 LEDチップ 3 樹脂パッケージ 5 出射光利用領域 6 凸レンズ部 23 上面電極

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 平面視矩形状を呈したLEDチップと、
    このLEDチップを内包し、このLEDチップが発する
    光に対して透光性を有する樹脂パッケージと、を備えた
    LED発光装置であって、 上記樹脂パッケージには、平面視において、上記LED
    チップに対してその一側方に離れた位置に、上記LED
    チップを中心とする限定された中心角の出射光利用領域
    が設定されており、かつ、 上記LEDチップは、互いに隣接する2側面が上記出射
    光利用領域に面するようになされていることを特徴とす
    る、LED発光装置。
  2. 【請求項2】 平面視において、上記LEDチップにお
    ける1つの対角線の延長線が上記出射光利用領域を通過
    するようになされている、請求項1に記載のLED発光
    装置。
  3. 【請求項3】 上記対角線の延長線は、上記出射光利用
    領域の中心に直交するようになされている、請求項2に
    記載のLED発光装置。
  4. 【請求項4】 上記樹脂パッケージには、上記出射光利
    用領域とほぼ対応するようにして、凸レンズ部が形成さ
    れている、請求項1ないし3のいずれかに記載のLED
    発光装置。
  5. 【請求項5】 上記LEDチップの上面電極は、全面電
    極とされている、請求項1ないし4のいずれかに記載の
    LED発光装置。
JP2002089129A 2002-03-27 2002-03-27 Led発光装置 Pending JP2003282954A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002089129A JP2003282954A (ja) 2002-03-27 2002-03-27 Led発光装置
US10/394,489 US7005683B2 (en) 2002-03-27 2003-03-19 Resin-packaged led light source
CNB031213146A CN1210816C (zh) 2002-03-27 2003-03-25 树脂封装型led光源

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002089129A JP2003282954A (ja) 2002-03-27 2002-03-27 Led発光装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2003282954A true JP2003282954A (ja) 2003-10-03

Family

ID=28449488

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002089129A Pending JP2003282954A (ja) 2002-03-27 2002-03-27 Led発光装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US7005683B2 (ja)
JP (1) JP2003282954A (ja)
CN (1) CN1210816C (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7968900B2 (en) * 2007-01-19 2011-06-28 Cree, Inc. High performance LED package
JP6734654B2 (ja) * 2016-01-21 2020-08-05 浜松ホトニクス株式会社 受光モジュール及び受光モジュールの製造方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4013915A (en) * 1975-10-23 1977-03-22 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Light emitting device mounting arrangement
US5607227A (en) * 1993-08-27 1997-03-04 Sanyo Electric Co., Ltd. Linear light source
JP2834984B2 (ja) * 1993-09-20 1998-12-14 ローム株式会社 ホトインタラプタの製造方法
JP2907202B1 (ja) * 1998-02-20 1999-06-21 住友電気工業株式会社 光モジュールの製造方法
US6252252B1 (en) * 1998-04-16 2001-06-26 Sanyo Electric Co., Ltd. Optical semiconductor device and optical semiconductor module equipped with the same
TW428329B (en) * 1998-10-02 2001-04-01 Rohm Co Ltd Photointerrupter and case thereof
JP4125848B2 (ja) * 1999-12-17 2008-07-30 ローム株式会社 ケース付チップ型発光装置
US6611001B2 (en) * 2001-02-06 2003-08-26 Lucent Technologies Inc. Laser package

Also Published As

Publication number Publication date
CN1210816C (zh) 2005-07-13
US7005683B2 (en) 2006-02-28
CN1447449A (zh) 2003-10-08
US20040080268A1 (en) 2004-04-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4182783B2 (ja) Ledパッケージ
US8482016B2 (en) Semiconductor light-emitting device and manufacturing method
US7230280B2 (en) Collimating light from an LED device
KR100985452B1 (ko) 발광 장치
JP5526232B2 (ja) モールドされた反射側壁コーティングを備える発光ダイオード
US7281860B2 (en) Optical transmitter
US20220140215A1 (en) Optoelectronic semiconductor component and method for producing optoelectronic semiconductor components
JP4182784B2 (ja) 発光装置およびその製造方法
JP5990651B2 (ja) オプトエレクトロニクス部品およびその製造方法
KR102183516B1 (ko) 투명한 스페이서에 의해 led로부터 분리된 인광체
JPH0918058A (ja) 発光半導体装置
KR20150127657A (ko) 광전자 컴포넌트
JP2002324917A (ja) 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法
KR101461154B1 (ko) 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법
JPS62260384A (ja) 半導体装置
JP2003209293A (ja) 発光ダイオード
JP2000277812A (ja) ライン光源装置およびその製造方法
WO2017013869A1 (ja) 発光装置及び発光モジュール
JP2016213453A (ja) Ledモジュール、および、それを用いたランプ
CN117044050A (zh) 照明装置和测距装置
JP2003282954A (ja) Led発光装置
TWI671923B (zh) 發光二極體封裝結構及其製作方法、平面光源模組
KR20190061908A (ko) 반도체소자패키지
KR101863538B1 (ko) 반도체 발광소자 및 이의 제조 방법
JP5475954B2 (ja) 発光装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20040604

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20070119

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070130

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070330

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070522

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070720

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20070821