JP2003295226A

JP2003295226A - 液晶表示装置

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Publication number: JP2003295226A
Application number: JP2002096458A
Authority: JP
Inventors: Katsuhiko Kumakawa; 克彦熊川; Kenji Nakao; 健次中尾
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 2002-03-29
Filing date: 2002-03-29
Publication date: 2003-10-15
Anticipated expiration: 2022-03-29
Also published as: JP3971222B2

Abstract

(57)【要約】【課題】ベンド配向方式の液晶表示装置において、表
示エリアの外周部でスプレイ配向からベンド配向への転
移特性が不足することによる表示欠陥の発生を防止す
る。また、液晶表示装置の立ち上げ時間を短縮する。【解決手段】表示エリアの周辺部にダミー電極を設け
て、表示エリア最外周の画素電極とダミー電極の間に電
極近接部を設ける、あるいは、ダミー電極相互の間に電
極近接部を設ける、あるいは、ダミー電極に切り欠きを
設ける。転移操作時に、これらの部分で電界集中部や電
界歪部を形成し、表示エリアの最外周画素、あるいは表
示エリア外周部における転移性能を向上させる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置、特に
高速応答特性や広視野角特性を有するベンド配向させた
ＯＣＢ（ＯｐｔｉｃａｌｌｙＣｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ
Ｂｅｎｄ、または、ＯｐｔｉｃａｌｌｙＣｏｍｐｅ
ｎｓａｔｅｄＢｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）液晶モー
ドを利用した液晶表示装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ−
Ｆｉｌｍ−Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を用いたアクティブ
マトリクス型液晶ディスプレイは薄型化、軽量化、低電
圧駆動可能などの長所によりカムコーダ用のディスプレ
イ、パーソナルコンピューター、パーソナルワードプロ
セッサーのディスプレイなど種々の分野で利用されてお
り、大きな市場を形成している。

【０００３】特に近年では、従来のパソコン等での静止
画表示に加えて、動画表示やＴＶ用途への利用が広がり
つつあり、こうした動画表示に適した液晶表示装置への
要求が高まってきている。これに対応し、高速応答性能
を向上させる液晶素子としてベンド配向させたＯＣＢ液
晶表示素子が特開平７−８４２５４等で提案されてい
る。このＯＣＢ液晶表示素子は電圧に対する液晶の変化
が従来のＴＮモードに比べて早く、動画表示やＴＶ用途
に適した高速応答を実現出来る。さらに、このベンド配
向型の液晶表示素子は液晶分子が上下基板間でベンド配
向しているため、光学位相差を自己補償でき、かつフィ
ルム位相差板で位相差補償をするため視野角特性にも優
れている。

【０００４】しかし、ＯＣＢ液晶素子は、初期には図２
０（ａ）に示すようなスプレイ配向と呼ばれる表示に適
さない配向状態になっており、表示動作をさせるために
はこれを図２０（ｂ）に示すようなベンド配向状態に均
一に転移させておく必要がある。図２０（ａ）、（ｂ）
は、ＯＣＢ液晶素子の断面図であり、基板１０と１１の
間に挟まれた液晶層１２における液晶分子１３の配向状
態を示したものである。ベンド配向状態への転移は、表
示駆動するよりも高い電圧を液晶に印加することによっ
て実現することができるが、その際、基板の一部にスプ
レイ配向からベンド配向への転移核がまず発生し、それ
が液晶層全体に広がり基板全体がベンド配向に転移する
というプロセスを経る。転移核が発生する場所は、基板
内の不均一な所、例えば分散されたスペーサの周囲や配
向のムラなど多様であり、しかも再現性が不十分なの
で、往々にしてベンド配向への転移が不均一になって表
示欠陥が残ることがある。再現性よく転移核を発生させ
るには、局所的に液晶に高電界を印加する方法が有効で
あることが知られている。特開２００１−３３０８６２
号公報には、隣接電極間や電極の切り欠き部に横電界を
形成し、これを転移核として用いる技術が開示されてい
る。

【０００５】液晶に局所的な電界を印加する具体的な方
法として、隣接する画素電極の一部を近接させてその間
に電圧を印加することが効果的である。この構成を用い
た液晶表示装置の画素構成の一例を図２１に示す。図２
１（ａ）は画素の電極構成を示す平面図、図２１（ｂ）
は図２１（ａ）のＡ−Ｂ経路に沿った断面図、図２１
（ｃ）は図２１（ａ）の画素構成の等価回路を示したも
のである。この液晶表示装置は、基板１０上に、Ｘ２、
Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５などのゲート線１４と、Ｙｍ、Ｙｍ＋
１、Ｙｍ＋２など（ｍは任意の整数）のソース線１５が
マトリクス状に配置され、それら交点に対応してスイッ
チング素子であるＴＦＴ１６と画素電極１７−３、１７
−４、１７−５などが形成されている。そして、ソース
線方向（図２１（ａ）の上下方向）に隣接する画素電極
間の一部を近接させて強い電界を発生しやすくしてい
る。このようなマトリクスアレイが形成された基板１０
と、対向電極が形成された対向基板（図示せず）の間に
液晶層（図示せず）を挟んで液晶表示装置とする。対向
電極には基準電位Ｖｃｏｍが印加されており、スイッチ
ング素子（ＴＦＴ）１６を介してソース線１５から供給
された画像電圧と基準電位Ｖｃｏｍとの電位差が液晶層
（図２１（ｃ）において容量Ｃｌｃで表示）に印加され
て液晶層の光学特性が変調され画像表示が行われるもの
である。

【０００６】図面の複雑化を避けるため図２１（ａ）に
おいては、スイッチング素子（ＴＦＴ）１６は簡略して
描かれている。その具体的な構造は、図２１（ｂ）に示
すように、ゲート電極１４ａ、ゲート絶縁膜２１、アモ
ルファスシリコン半導体層２２、ソース電極１５ａおよ
びドレイン電極１９ａで構成されている。ドレイン電極
１９ａと画素電極１７−４とは平坦化層２３に開けたコ
ンタクトホール１８を介して接続されている。表示に先
立って、隣接する画素電極１７−４、１７−５間に数ボ
ルト〜数十ボルト程度の電圧を印加して強電界を液晶層
内に作ることによって転移核を発生させ、スプレイ配向
からベンド配向へ転移させておく。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、隣接す
る画素電極の一部を近接させてその間に電圧を印加する
ことにより転移を促進する場合には、最外周にある画素
にはその外側に隣接する画素がないため、この部分での
転移特性が十分でなく、これが表示欠陥となって残るこ
とがあった。また、この表示欠陥を避けるために最外周
画素の確実な転移を待って表示動作を行う場合には、液
晶表示装置の立ち上げ時間が長くなり、機器ユーザーの
待ち時間が長くなって、利便性に欠けるという課題が生
じていた。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記目的を実現するため
に本発明の液晶表示装置は以下の構成を有している。

【０００９】すなわち、本発明の液晶表示装置は、表示
エリア最外周の画素のさらに外側にダミー電極が形成さ
れており、表示エリア最外周の画素とこのダミー電極の
間に近接部を有するという構成を持つものである。

【００１０】これにより、表示エリアの最外周の画素に
おいても転移核が不足することがなく、スプレイ配向か
らベンド配向への転移が容易に行われる。この結果、表
示エリア外周部に未転移部分が残り、これが表示欠陥に
結びつくことがない。また、この部分の転移に時間がか
かるため、液晶表示装置の立ち上げ時間が長くなるとい
う課題も生じない。

【００１１】さらに、表示エリア最外周にある画素電極
とその外側のダミー電極の間に、通常の画素間とは形状
あるいは方向が異なる電極間近接部を形成すれば、表示
エリア外周部での転移特性をより一層向上させることが
できる。より具体的には、この近接部を形成するよう
に、表示エリア最外周にある画素電極、あるいはその外
側のダミー電極を繰り返しパターンから変形させれば、
表示エリア外周部での転移特性をより一層向上させるこ
とができる。

【００１２】本発明の別の液晶表示装置は、表示エリア
最外周の画素のさらに外側にダミー電極が形成されてお
り、ダミー電極相互の間に近接部を有するという構成を
持つものである。

【００１３】これにより、表示エリアの外側にも転移核
を形成し、ここで生じたスプレイ配向からベンド配向へ
の転移を表示エリア内部に伝播することができる。この
結果、表示エリア外周部での転移特性を高めることがで
き、表示エリア外周部に未転移部分が残って表示欠陥に
なったり、この部分の転移に時間がかかって装置の立ち
上げ時間が長くなったりすることがない。

【００１４】このために、ダミー電極間において、通常
の画素電極間の近接部とは形状や方向が異なる近接部を
設けてもよい。

【００１５】また、ダミー電極を複数列、あるいは複数
行形成して２重構造あるいはそれ以上（２行以上、ある
いは２列以上）のダミー電極が表示エリア周辺に配置さ
れるようにしてもよい。

【００１６】本発明の別の液晶表示装置は、表示エリア
最外周の画素のさらに外側に、切り欠き部が形成された
ダミー電極を有するものである。

【００１７】この切り欠き部には電界が集中するので、
電極近接部と同様に、スプレイ配向からベンド配向への
転移を促進する。これにより、表示エリアの外側にも転
移核を形成し、ここで生じたスプレイ配向からベンド配
向への転移を表示エリア内部に伝播することができる。
この結果、表示エリア周辺での転移特性を高めることが
でき、表示エリア外周部に未転移部分が残って表示欠陥
になったり、この部分の転移に時間がかかって装置の立
ち上げ時間が長くなったりすることがない。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下本発明の液晶表示装置につい
て図面を用いてより具体的に説明する。但し、以降の図
面の説明においては前述の従来例で用いた構成と同じ部
分には重複を避け、同じ符号を付けて説明する。

【００１９】（実施の形態１）図１は実施の形態１の液
晶表示装置におけるアレイ基板上の画素電極構成を表す
平面図である。図１において、一点鎖線の右下にある領
域（図中に１０１で示す）は、表示エリアであり画素電
極１７が配置されている。一方、一点鎖線の左あるいは
上にある領域（図中に１０２で示す）は、表示エリアの
周囲にある周辺部（いわゆる額縁部）であり、ダミー電
極１９が配置されている。ダミー電極は表示を行うもの
ではないが、必要に応じて電圧制御できるものとなって
いる。

【００２０】本図では、ダミー電極１９は画素電極１７
と同一の工程で製造され、ほぼ同一のパターン形状をし
ている。また、上下に隣接する画素電極間に近接部が形
成されるとともに、上下に隣接するダミー電極と画素電
極の間にも近接部が形成されている。Ｐ（ｘ，ｙ）は画
素電極あるいはダミー電極を表すもので、ｘとｙは画面
上のアドレス（座標）に対応している。アドレスの少な
くともいずれかが０であるものはダミー電極である。

【００２１】図２は液晶表示装置の主要部分を示す平面
図（ａ）および側面図（ｂ）である。図２において１０
３と１０４は基板であり、図示しないがこの間に液晶層
があり、これらが液晶パネルを構成している。１０５は
走査側の駆動回路、１０６は信号側の駆動回路、１０７
と１０８はこれらの駆動回路と液晶パネルを接続するた
めの接続部である。場合によっては、駆動回路の一部あ
るいは全部がポリシリコンなどによって基板上に作製さ
れていることもある。なお、パネルには偏光板等が貼付
けられているが、図示を省略している。

【００２２】図２の液晶パネルにおいて、１０１は表示
エリアであり、ほぼ全面にわたって画素電極が配置され
ている。１０２は周辺部であり、その一部あるいは全部
に、図１のダミー電極１９が配置されている。図１は図
２に破線で示すＡの部分を拡大したものに相当する。

【００２３】以下の説明で、表示エリアの外周部とは表
示エリア１０１のうち周辺部（額縁部）１０２に近接し
た数画素から十数画素程度の領域を指し、表示エリアの
最外周にある画素とは表示エリア１０１にある画素のう
ち周辺部（額縁部）１０２と接するものを指す。

【００２４】この液晶表示装置は、スプレイ配向からベ
ンド配向への転移操作を行なった後、各画素に映像信号
に対応する信号を書きこんで表示を行なわせる。

【００２５】転移操作の一例を以下に示す。第１のステ
ップとして、図１における偶数行のゲート線Ｘ０、Ｘ
２、Ｘ４……を選択状態とし、０行目のゲート線に接続
されている電極Ｐ（０，０）、Ｐ（０，１）、Ｐ（０，
２）……、２行目のゲート線に接続されている電極Ｐ
（２，０）、Ｐ（２，１）、Ｐ（２，２）……に正の電
圧を書きこむ。４行目、６行目等も同様である。次い
で、奇数行のゲート線Ｘ１、Ｘ３、Ｘ５……を選択状態
として、１行目のゲート線に接続されている電極Ｐ
（１，０）、Ｐ（１，１）、Ｐ（１，２）……、３行目
のゲート線に接続されている電極Ｐ（３，０）、Ｐ
（３，１）、Ｐ（３，２）……に負の電圧を書きこむ。
５行目、７行目等も同様である。このとき、ダミー電極
及び画素電極の双方に電圧が書きこまれている。電圧レ
ベルは正負ともに５ボルトから十数ボルト程度である。
こうすることにより、図１のＡ−Ｂ断面では、図３の電
気力線が示すように、画素電極１７の相互の間、および
画素電極１７とダミー電極１９の間に局所的な高電界を
発生させることができる。その後、第２のステップとし
て、対向電極３１に例えばマイナス数ボルトからマイナ
ス３０ボルト程度の電圧を印加すると、図１のＡ−Ｂ断
面では、図４のような電気力線が得られ、縦方向の電界
が印加される。このとき、第１のステップで転移核を形
成し、第２のステップで転移を液晶層全体に広げてい
る。顕微鏡による観察では、電極の上下にある電界集中
部で発生したベンド部が画素中央に向かって広がってい
くことが多い。この際の電圧のかけ方については、上記
の２つの操作を繰り返したり、この繰り返しにおいて各
部の電圧極性を逆にして交流としたりしてもよい。

【００２６】表示時には、通常の駆動と同じく、Ｘ１、
Ｘ２、Ｘ３……というふうに、ゲート線を順次選択（走
査）し、各行の画素電極に表示信号を書きこんでいけば
よいが、特に限定するものではない。このとき、ダミー
電極のみが接続されているゲート線Ｘ０は走査しなくて
もよいが、毎フレームあるいは数フレームに１度走査し
て何らかの電圧を書きこんでおけば、静電気などによる
不要な電圧がダミー電極に帯電して表示異常をおこすこ
とがない。

【００２７】本実施の形態１の液晶表示装置において
は、ダミー電極を設けることにより、表示エリアの１行
目にある画素電極Ｐ（１，１）、Ｐ（１，２）……の上
側にも電極間近接部を用いた転移核を形成することがで
きる。従来の液晶表示装置ではこれらの画素には下部に
しか転移核が形成されていないので、パターン不良など
により近接部が形成されなかった場合や、転移核が形成
されてもそれが機能しなかった場合、あるいはパネル中
に混入したゴミなどの異物により転移部（ベンド配向
部）の広がりが画素の途中で止まってしまった場合に
は、未転移部を含む画素が残ってしまい表示不良につな
がっていた。本実施の形態１のように上下に転移核を形
成しておけば、仮にいずれかの転移核が形成されなかっ
たり正常に動作しなかったりした場合でも、他方の核を
起点としたベンド配向部が画素全面に広がるし、異物が
存在して一方の転移核からのベンド配向部の進行が止ま
っても他方の転移核からのベンド配向部が残りの部分を
覆うように広がっていく。従って、未転移部を含む画素
が残って、これが表示欠陥や表示不良となることがな
い。

【００２８】本実施の形態１の液晶表示装置において
は、また、表示エリアの１列目にある画素電極Ｐ（１，
１）、Ｐ（２，１）……の左側にもダミー電極を設け
て、ここにも電極間近接部を形成している。これによ
り、ここにも転移核を形成できる。この転移核はダミー
電極間（例えば、Ｐ（１，０）とＰ（２，０））の間に
形成されるので、ベンド配向部は、まずダミー電極に広
がった後に、ソース線１５を越えて表示エリアに広がっ
ていく。従って、表示エリアの上側にあるダミー電極の
様に、画素電極との間に転移核を形成し、そこからのベ
ンド配向が直接に広がるものではないので、効果はやや
劣るが、表示エリア左側の転移不良を防止する。

【００２９】なお、これらのダミー画素は、表示エリア
の上側・左側のいずれかのみに形成しても単独で効果を
奏するし、表示エリアの下側や右側に形成すれば、その
端における転移特性を改善する。また、必ずしもある辺
の全長に形成すべきものではなく、一部分にのみ形成し
てもよい。この場合は、ダミー画素を形成した部分で転
移特性が向上する。

【００３０】また、ダミー電極は画素電極との間に近接
部を形成するものであればよく、必ずしも画素電極と同
じ形状でなくてもよい。ダミー電極を画素電極より小さ
くしておけば、シール材などのパターン設計にも依存す
るが、場合により額縁を小さくできる。

【００３１】以上のように、本実施の形態１の液晶表示
装置では、表示エリアの最外周の画素においても転移核
が不足することがなく、スプレイ配向からベンド配向へ
の転移が容易に行われる。この結果、従来のもののよう
に表示エリア外周部に未転移部分が残り、これが表示欠
陥に結びつくことがない。

【００３２】また、従来の液晶表示装置では、表示エリ
ア外周部は画面中央部に比べて転移が完了するのに時間
がかかる場合があり、未転移による表示欠陥を防止する
には、外周部の転移時間を見越して立ち上げ時間を設定
せねばならないケースが生じていた。これは、実用上は
液晶表示装置の立ち上げ時間、即ちユーザーの待ち時間
が長くなるという課題に結びつく。本実施の形態１の液
晶表示装置では、表示エリア外周部の転移完了時間を画
面中央部と同等にするか、もしくは従来のものに比べて
短い時間で完了させることができるので、ユーザーの待
ち時間を短くできるという利点もある。

【００３３】（実施の形態２）図５は実施の形態２の液
晶表示装置におけるアレイ基板上の画素電極構成を表す
平面図である。図中の記号は実施の形態１で説明した図
１と同じ構成要素を示すものであるので、重複部分の説
明は省略する。図１との違いは、１列目の画素電極とそ
の左側のダミー電極の形状を、表示エリア中央部の画素
電極における繰り返しパターンの形状とは異ならせて、
横方向に隣接する画素電極とダミー電極の間にも近接部
を形成したことにある。

【００３４】転移操作を行なう際に、左右に隣接する画
素電極とダミー電極の間、例えばＰ（１，０）とＰ
（１，１）の間や、Ｐ（２，０）とＰ（２，１）の間に
逆極性の電圧を充電し、その後に液晶層に縦方向の電界
が印加されるようにすれば、第１の実施形態で図３と図
４を用いて説明したのと同様にして、この部分にも転移
核を生じさせて、容易に転移を行わせることができる。
上記逆極性電圧の充電には、転移操作時にソース線Ｙ０
とＹ１に逆極性の電圧を与えればよい。

【００３５】このようにすれば、１列目の画素電極の左
側にも転移核を形成することができる。ここで発生した
ベンド配向部は直接１列目の画素電極領域に広がるの
で、表示エリア左端での転移特性を第１の実施形態のも
のに比べてさらに向上させることができる。

【００３６】本実施の形態２の液晶表示装置は、図６の
ように構成することもできる。即ち、ダミー電極を広げ
てソース線を越えるような形状にしたものである。この
構成では、さらに表示エリアに近い位置に転移核（近接
部）を形成できるので転移特性はさらに向上する。この
場合、表示時にはソース線Ｙ０とＹ１に同一の信号電圧
を与えるようにし、ダミー電極と１列目の画素電極が同
一電位となるようにしておけば、近接部でディスクリネ
ーションが発生して表示を乱すことがなくなるので好ま
しい。転移操作時の動作は上記と同様である。

【００３７】以上のように、本実施の形態２では、表示
エリア最外周の画素電極とその外側のダミー電極の間
に、通常の画素間に形成されているものとは形状や方向
が異なる電極近接部を形成することにより、第１の実施
形態の構成と比較して、さらに新たな転移核を加えて、
表示エリア外周部での転移特性を向上させている。

【００３８】なお、上記の説明では、最外周にある画素
電極とそれに隣接するダミー電極の双方が繰り返しパタ
ーンと異なるものを用いたが、通常の画素間に形成され
ているものとは異なる電極近接部を形成できるものであ
れば、繰り返しパターンから変形させる電極はいずれか
一方であっても構わない。

【００３９】（実施の形態３）図７は実施の形態３の液
晶表示装置におけるアレイ基板上の画素電極構成を表す
平面図である。図中の記号は実施の形態１で説明した図
１と同じ構成要素を示すものであるので、重複部分の説
明は省略する。図１との違いは、０行目で左右に隣接し
ているダミー電極（Ｐ（０，０）、Ｐ（０，１）、Ｐ
（０，２）……）の間にも近接部を形成したことにあ
る。

【００４０】実施の形態１では、０行目のダミー電極と
１行目の画素電極の間に形成された近接部に転移核を発
生させたが、本実施の形態３では以下のようにして、さ
らに０行目のダミー電極相互の間にも転移核を発生させ
ている。

【００４１】転移操作を行う際に、左右に隣接するダミ
ー電極相互の間、例えばＰ（０，０）とＰ（０，１）の
間や、Ｐ（０，１）とＰ（０，２）の間に逆極性の電圧
を充電し、その後に液晶層に縦方向の電界が印加される
ようにすれば、第１の実施形態で図３と図４を用いて説
明したのと同様にして、この部分にも転移核を形成し、
容易に転移を行わせることができる。上記逆極性電圧の
充電には、例えば、転移操作時に、奇数行のＴＦＴをオ
ン状態にした場合には奇数列のソース線に正、偶数列の
ソース線に負の電圧を与え、偶数行のＴＦＴをオン状態
にした場合には奇数列のソース線に負、偶数列のソース
線に正の電圧を与えて、図８のような極性の電位を各電
極に充電しておけばよい。こうすれば、上下電極間の近
接部と、左右電極間の近接部の双方で図３に示した電界
集中部を得ることができ、有効に転移核を発生させるこ
とができる。

【００４２】本実施の形態３の液晶表示装置では、ダミ
ー電極間に近接部を形成して、表示エリアの外側にある
周辺部（額縁部）においても転移核を発生させている。
ここで生じたスプレイ配向からベンド配向への転移が、
表示エリア内部に伝播されて表示エリア外周部の転移特
性が高められる。

【００４３】表示エリアの外周部は、パネル周辺を被う
シール材からの溶出物のため基板界面や液晶が汚染され
やすく、転移特性が劣る場合がある。また、液晶パネル
の周辺部は中央部に比べてセル厚むらが生じやすく、こ
れが表示エリア外周部の転移特性を損なう場合もある。
本実施の形態３の構成により、表示エリア外周部での転
移特性を表示エリア中央部より高めておけば、このよう
な表示エリア外周部での転移特性の低下を補うことがで
き、表示エリア外周部に未転移部分が残って表示欠陥に
なったり、この部分の転移に時間がかかって装置の立ち
上げ時間が長くなったりすることがない。

【００４４】この効果は、表示エリアの最外周の画素電
極とダミー電極の間に近接部が形成されていない場合に
も得ることができる。仮に、図７において、表示エリア
の最外周の画素電極とダミー電極の間に近接部を形成し
なかったとしても、ダミー電極間に近接部を形成してお
けば、周辺部で発生したベンド配向部が表示エリア内部
に広がって、表示エリア外周部の転移特性を向上させ
る。もちろん、両者を併用すればさらに高い効果が得ら
れる。

【００４５】なお、両者を併用する際に、図７では表示
エリアの最外周の画素電極とダミー電極の間においては
通常の画素間と同様に上下方向に近接部が形成され、ダ
ミー電極間にはさらにこれとは異なる方向（左右方向）
に近接部を設けている。左右の電極間に発生する電界と
上下の電極間に発生する電界は方向が異なるし、また左
右の電極間と上下の電極間では電位差が異なる場合も多
い。そこで、このように異なる方向に近接部を設けれ
ば、転移核形成の方向性が互いに補完し合い、より有効
に転移を行なわせることができる。ダミー電極間に形成
される近接部の方向が画素電極間の近接部と同じであっ
ても、パターン設計等を工夫してこの近接部の形状を画
素電極間近接部と異ならせておけば、電界の発生方向を
異ならせたり、近接部の密度を向上させたりすることが
できて、転移性能が向上して同様の効果を得ることがで
きる。

【００４６】最も単純な構成例としては、ダミー電極間
近接部における電極エッジの屈曲回数を画素電極間にお
ける屈曲回数より多くすればよい。

【００４７】（実施の形態４）図９は実施の形態４の液
晶表示装置におけるアレイ基板上の画素電極構成を表す
平面図である。図中の記号は実施の形態１で説明した図
１と同じ構成要素を示すものであるので、重複部分の説
明は省略する。図１との違いは、表示エリア上端の画素
電極１７（Ｐ（１，１）、Ｐ（１，２）……）の外側に
２行のダミー電極１９（Ｐ（０，１）、Ｐ（０，２）…
…と、Ｐ（−１，１）、Ｐ（−１，２）……）を形成
し、上下に隣接するダミー電極相互の間にも近接部を形
成した点にある。

【００４８】転移時の各電極への電圧の与え方は実施の
形態１で説明したものに準じればよい。本実施の形態４
では、図１に比べてさらに１行のダミー電極（Ｐ（−
１，０）、Ｐ（−１，１）、Ｐ（−１，２）、……）が
追加されているが、これを奇数行と考えて、実施の形態
１と同じような画素電位を書き込めば、これらのダミー
電極（−１行目）と１つ下の行にあるダミー電極（０行
目）との間の電圧符号が逆となり、例えば、Ｐ（−１，
１）とＰ（０，１）の間、Ｐ（−１，２）とＰ（０，
２）の間にある近接部にも転移核を形成することができ
る。

【００４９】本実施の形態４の液晶表示装置は、第１の
実施形態のものに比べて、表示エリアの外側にも新たに
電極間近接部が形成されている。これが転移核として動
作するので、ここで生じたスプレイ配向からベンド配向
への転移を表示エリア内部に伝播することができる。そ
の結果、表示エリア外周部の転移特性が高められる。第
３の実施形態でも説明したように、表示エリアの外周部
はシール材やセル厚むらの影響で転移特性が低下する場
合がある。本実施の形態４の構成を用いて、表示エリア
外周部での転移特性を表示エリア中央部より高めておけ
ば、このような表示エリア外周部での転移特性の低下を
補うことができ、表示エリア外周部に未転移部分が残っ
て表示欠陥になったり、この部分の転移に時間がかかっ
て装置の立ち上げ時間が長くなったりすることがない。

【００５０】この効果は、表示エリアの最外周の画素電
極とダミー電極の間に近接部が形成されていない場合に
も得ることができる。仮に、図９において、表示エリア
の最外周の画素電極とダミー電極の間に近接部を形成し
なかったとしても、ダミー電極間に近接部を形成してお
けば、周辺部で発生したベンド配向部が表示エリア内部
に広がって、表示エリア外周部の転移特性を向上させ
る。もちろん、両者を併用すればさらに高い効果が得ら
れる。

【００５１】これらの効果は、ダミー電極を画素電極と
同じ形状とした場合にも得られるが、図９のように−１
行目と０行目のダミー電極を画素電極より小さくしてお
けば、さらに効果的である。その理由は、このようにす
れば表示エリアのすぐ外側で電極間近接部の密度、即ち
転移核の発生密度を高めることができ、ここで発生した
ベンド配向部が表示エリア外周部に容易に伝播して、こ
の外周部の転移性能をさらに高めることができるからで
ある。また、ダミー電極を小さくしておけば、他の部分
の構成や設計にもよるが、場合により額縁を小さくでき
る。

【００５２】また、図９では２重のダミー電極を配置し
た例をあげて説明したが、ダミー電極は３重や４重、あ
るいはそれ以上に配置してもよく、その場合は転移性能
がさらに向上する。また、図９で画面の左側に複数の列
からなるダミー電極を設ければ、左側の外周部での転移
特性が向上する。

【００５３】なお、上記の第１から第４の実施形態での
説明では、画素間近接部に逆極性の電圧を印加して電界
集中部を作りだし、これを転移核として用いた。駆動回
路などの関係でこのような電圧を印加するのが困難な場
合は、直接図４のような電界を液晶層に印加して転移を
行わせることもできる。この場合、電極エッジにおける
電界の歪がスプレイからベンドへの転移を誘起するが、
電界集中に比べるとその効果が弱いので対向電極への印
加電圧を高めたり、電圧印加時間を長く設定したりする
必要がある。

【００５４】（実施の形態５）図１０は実施の形態５の
液晶表示装置におけるアレイ基板上の画素電極構成を表
す平面図（ａ）と、Ａ−Ｂ線における断面図（ｂ）であ
る。図中の記号は実施の形態１での説明に用いた図１と
同じ構成要素を示すものであるので、重複部分の説明は
省略する。本実施の形態５の液晶表示装置は画素間近接
部の下にこれらとは別の層からなる電極を設けた構成を
持つ。

【００５５】図１０において、２０は蓄積容量線であり
蓄積容量形成用電極３０との間に蓄積容量を形成してい
る。蓄積容量形成用電極３０はソース線１５と同レベル
の導電層で形成されている。蓄積容量形成用電極３０
は、平坦化層２３に開けたコンタクトホール３２を介し
て、画素電極１７あるいはダミー電極１９と接続されて
いる。画素電極相互の近接部、あるいは画素電極とダミ
ー電極の近接部では、少なくとも一部分に蓄積容量形成
用電極３０が形成されておらず、蓄積容量線の電位がシ
ールドされずに、電界がこの近接部に達するようになっ
ている。

【００５６】転移操作の一例を以下に示す。第１のステ
ップとして、図１０における全てのゲート線Ｘ０、Ｘ
１、Ｘ２……を選択状態とし、全ての画素電極と全ての
ダミー電極の電位を０ボルトとする。対向電極の電位も
０ボルトとし、蓄積容量線の電位はマイナス数ボルトか
らマイナス３０ボルト程度にしておく。図１１は図１０
のＣ−Ｄ線の断面に対応するもので、このときの電気力
線を模式的に示したものである。電極間近接部に大きく
歪んだ電界が集中しており、これが転移核を形成する。
その後、第２のステップとして対向電極の電位をマイナ
ス数ボルトからマイナス３０ボルト程度にすれば、図４
に類似した電気力線が得られる。第１の実施形態と同様
に、顕微鏡による観察では、電界集中部で発生したベン
ド部が画素中央に向かって広がっていくことが多い。こ
の際の電圧のかけ方については、上記の２つの操作を繰
り返したり、この繰り返しにおいて各部の電圧極性を逆
にして交流としたりしてもよい。また、転移操作時に画
素電極と全てのダミー電極の電位は同一である必要はな
く、近接部を形成する２つの電極と蓄積容量線、さらに
対向電極の電位を調整して、この部分に電界が集中する
ように、あるいは歪んだ電界が印加される様にすればよ
い。

【００５７】本実施の形態５特有の効果は以下のような
ものである。第１には、電極近接部の下に別の電極層を
設けて、この電位を転移核形成に用いているので、転移
時の電界制御の自由度が高いことである。駆動回路の制
約等により隣接画素間に強電界を発生させるような電圧
を各画素に与えられない場合や、ダミー電極にはＴＦＴ
を設けずに一括で電位を与える場合などに、図４に示し
た画素エッジの電界の歪のみで転移核形成すると、高い
対向電圧が必要になったり、長い転移時間が必要になっ
たりする。本実施の形態５のように、電極近接部の下に
別の電極層を設けて、この電位を転移核形成に用いれ
ば、このような場合にも有効に電界集中や電界歪を生じ
させることができて、低い対向電圧で、短い時間で転移
を完了することができる。第２の効果は、この電極を不
透明物質で形成しておけば、近接部を遮光できることで
ある。ブラックマトリクスなどによる遮光が不充分な場
合は、表示時に電極間の近接部からの光もれのためコン
トラストが低下する場合があるが、本実施の形態５の構
成ではこの部分が電極により遮光されるので、この光も
れによるコントラスト低下を防止することができる。

【００５８】電極近接部の下に設ける電極層を蓄積容量
線にしておけば、ゲート走査電圧や画素信号電圧に関係
なく電位を設定できるので都合がよいが、特に限定され
るものではない。ゲート線やソース線を用いる場合でも
信号の印加タイミングを調整すれば、近接部への電界集
中や電界歪を発生させることができる。また、蓄積容量
線やゲート線、あるいはソース線と同層ではあるがこれ
らとは異なる電極を設けてもよいし、さらに別の層の電
極を用いることもできる。

【００５９】図１０の構成をもつ液晶表示装置によれ
ば、第１の実施形態で述べたのと同様の効果を得ること
ができる。即ち、ダミー画素を設けることにより表示エ
リアの１行目にある画素電極Ｐ（１，１）、Ｐ（１，
２）……の上側にも電極間近接部を用いた転移核を形成
し、１行目の画素にも上下に転移核が形成される。そこ
で、仮にいずれかの転移核が形成されなかったり正常に
動作しなかったりした場合でも、他方の核を起点とした
ベンド配向部が画素全面に広がるし、異物が存在して一
方の転移核からのベンド配向部の進行が止まっても他方
の転移核からのベンド配向部が残りの部分を覆うように
広がっていく。従って、未転移部を含む画素が残って、
これが表示欠陥や表示不良となることがない。

【００６０】また、表示エリアの１列目にある画素電極
Ｐ（１，１）、Ｐ（２，１）……の左側にもダミー電極
を設けて、ここにも転移核を形成できるようにしてい
る。第１の実施形態での説明と同様に、この転移核は直
接に画素部につながっていないので、その転移特性向上
効果は表示エリアの上側に形成したダミー電極に比べる
とやや劣るが、表示エリア左側の転移不良を防止する。

【００６１】なお、これらのダミー画素は表示エリアの
いずれの辺に形成しても単独で効果を奏すること、辺の
一部分にのみ形成してもよいこと、画素電極との間に近
接部を形成するものであれば必ずしも画素電極と同じ形
状でなくてもよいこと、そして、ダミー電極を画素電極
より小さくしておけば場合により額縁を小さくできるこ
とも第１の実施形態での説明と同様である。

【００６２】画素間近接部の下に別の電極層を設けた構
成は、第１から第４の実施形態で説明した構成のいずれ
とも組み合わせることができる。このとき、図１０で例
示説明したように、周辺部にある近接部と表示エリア内
部にある近接部の下の双方に別の電極層を設けてもよい
し、次に示すように周辺部（額縁部）にあるダミー電極
の近接部にのみ別の電極層を設けてもよい。

【００６３】周辺部（額縁部）にある近接部にのみ別の
電極層を設けた例を図１２に示す。図７の構成の０行目
に電極４１を追加して、図１１に示す電気力線の形成を
可能にし、電界を集中させて、この部分の転移核形成を
容易にしている。これにより、転移時の画素電圧極性が
図１３のように行反転であった場合でも、０行目に転移
核形成できるようになる。

【００６４】以上のように、本実施の形態５の液晶表示
装置においても、表示エリアの最外周の画素においても
転移核が不足することがなく、スプレイ配向からベンド
配向への転移が容易に行われる。この結果、表示エリア
外周部に未転移部分が残り、これが表示欠陥に結びつく
ことがない。

【００６５】また、本実施の形態５の液晶表示装置で
は、表示エリア外周部の転移完了時間を画面中央部と同
等にするか、もしくは従来のものに比べて短い時間で完
了させることができるので、表示エリア全面で転移が完
了するまでの時間を短縮することができ、ユーザーの待
ち時間を短くできるという利点もある。

【００６６】本実施の形態５固有の効果としては、個々
の画素電圧に対する制約が低く、様々な駆動回路やＴＦ
Ｔアレイの構成においても十分な転移特性が得られ、設
計の自由度が高いという利点がある。また、近接部に設
けた電極を不透明物質で形成しておけば、場合によって
はその遮光効果によりコントラストが向上するという利
点もある。

【００６７】（実施の形態６）図１４は実施の形態６の
液晶表示装置におけるアレイ基板上の画素電極構成を表
す平面図（ａ）と、Ａ−Ｂ線における断面図（ｂ）であ
る。図中の記号は実施の形態１での説明に用いた図１と
同じ構成要素を示すものであるので、重複部分の説明は
省略する。本実施の形態６の液晶表示装置は、周辺部の
ダミー電極に切り欠き部を設けた構成を持つ。

【００６８】図１４において、ダミー電極１９の一部
が、そのパターニング時にエッチングにより除去されて
おり、スリット状の切り欠き部５１を形成している。そ
の下には、平坦化層２３とゲート絶縁膜２１を挟んで、
ダミー電極とは別の層からなる電極４１、あるいは蓄積
容量線２０が形成されている。上下に隣接するダミー電
極１９の相互間、画素電極１７の相互間、あるいは画素
電極１７とダミー電極１９の間には近接部が形成されて
いる。

【００６９】本実施の形態６の液晶表示装置は、転移操
作時には第５の実施形態のものと同様に駆動される。即
ち、第１ステップでは、全ての画素電極と全てのダミー
電極の電位を０ボルト、対向電極の電位を０ボルトと
し、蓄積容量線２０および電極４１の電位はマイナス数
ボルトからマイナス３０ボルト程度にしておく。電極間
の近接部は、第５の実施形態と同様に電気力線が図１１
のような状態となり、ここが転移核として機能する。図
１５は図１４のＡ−Ｂ線の断面図における電気力線を模
式的に示したものである。このように、スリット状の切
り欠き部５１に歪んだ電界が集中して転移核を形成す
る。電極４１がない場合には、対向電極に電圧印加した
としても、この部分の電気力線は図１６のようなものと
なる。この場合、図１５に比べると電界の歪量が少な
く、転移性能は低いものである。従って、電極４１に
は、電界集中や電圧歪の増加により０行目のダミー画素
における転移性能を向上させるという効果がある。第２
ステップでは、画素電極と対向電極との間にマイナス数
ボルトからマイナス３０ボルト程度の電圧を印加して、
液晶層に縦方向の電界がかかるようにする。これにより
ベンド転移した部分を表示エリア全体に広げていく。第
１の実施形態と同様に、顕微鏡による観察では、電界集
中部で発生したベンド部が画素中央に向かって広がって
いくことが多い。この際の電圧のかけ方については、上
記の２つの操作を繰り返したり、この繰り返しにおいて
各部の電圧極性を逆にして交流としたりしてもよい。

【００７０】本実施の形態６の液晶表示装置は、第３の
実施形態や第４の実施形態で説明したものと同様に、表
示エリアの外側にも新たに電極間近接部が形成されてい
る。これが転移核として動作するので、ここで生じたス
プレイ配向からベンド配向への転移を表示エリア内部に
伝播することができる。その結果、表示エリア外周部の
転移特性が高められる。第３の実施形態でも説明したよ
うに、表示エリアの外周部はシール材やセル厚むらの影
響で転移特性が低下する場合がある。本実施の形態６の
構成を用いて、表示エリア外周部での転移特性を表示エ
リア中央部より高めておけば、このような表示エリア外
周部での転移特性の低下を補うことができ、表示エリア
外周部に未転移部分が残って表示欠陥になったり、この
部分の転移に時間がかかって装置の立ち上げ時間が長く
なったりすることがない。

【００７１】本実施の形態６の特長は、転移核の数を増
加しやすいことにある。即ち、隣接電極との間の近接部
で転移核を形成する場合には、隣接電極や配線との位置
関係による制約が多く、転移核を増やしにくいが、本実
施の形態６ではダミー電極の切り欠きで転移核を構成し
ているので、これらの位置関連を考えることなく転移核
を形成できる。特に、表示に直接関係のない周辺部にお
いては、図１４における電極４１を太くしても開口率低
下などの弊害がなく、切り欠きによる転移核を形成でき
る場所が多く存在する。

【００７２】また、周辺部（額縁部）において、電極間
の近接部で転移核形成した場合、製造時のパターニング
不良などによりこの部分のパターンがショートすると、
隣接電極とのショートとなる。隣接電極が画素電極であ
る場合には、これが点欠陥として見えてしまう。また、
ダミー電極同士であっても、電圧書きこみ時にショート
した電極を介して隣接ソース線がショートする場合があ
る。本実施の形態６のように、電極の切り欠きで転移核
形成すれば、ここにパターンショートが生じても、上記
のような問題が発生することがない。

【００７３】なお、切り欠き部の形状は、図１４の形状
と配置に限定されるものではなく、図１７に示すよう
に、（ａ）の長方形のスリットのほか、（ｂ）のような
屈曲型、（ｃ）のようなＶ字型のスリットでも構わな
い。特に、（ｂ）や（ｃ）においては方向の異なる電界
が近接して生じるので転移特性が向上することが多い。
また、場合によっては（ｄ）のように、電極の一辺から
切り込みを入れた形でもよい。さらに、これ以外の形状
のものでもよい。

【００７４】（実施の形態７）第１から第６の実施形態
においては、表示エリア内部の転移核は画素電極近接部
で形成されるものとしたが、これを画素電極の切り欠き
に代えても構わない。図１８に一例を示す。図１８にお
いて、周辺部の転移核は第６の実施形態と同様に画素電
極の切り欠き部で形成されている。第６の実施形態とは
異なり、表示エリア内部においては蓄積容量線２０と画
素電極１７が重なっている部分に、蓄積容量形成用電極
３０が形成されていない領域を設け、ここに画素電極の
切り欠き部５１を配置している。図１８では切り欠きは
長方形状のスリットであるが、これは図１７に例示した
ものをはじめとする別の形状でも構わない。

【００７５】本実施の形態７の液晶表示装置において
も、表示エリア外周部の転移性能を向上させているの
で、表示エリア外周部に未転移部分が残って表示欠陥に
なったり、この部分の転移に時間がかかって装置の立ち
上げ時間が長くなったりすることがない。

【００７６】また、表示エリアにおいて電極間の近接部
で転移核形成した場合、製造時のパターニング不良など
によりこの部分のパターンがショートすると、隣接画素
のショートとなって、点欠陥として見えてしまう。本実
施の形態７のように、電極の切り欠きで転移核形成すれ
ば、ここにパターンショートが生じても、上記のような
点欠陥が発生することがない。

【００７７】なお、周辺部の構成は画素電極の切り欠き
により転移核形成するものに限るわけではなく、表示エ
リアが画素電極の切り欠きで転移核形成し、周辺部は電
極間近接部で転移核形成しても構わない。

【００７８】本発明の液晶表示装置において周辺部に転
移核形成する場合は、周辺部の転移核密度が表示エリア
の転移核密度より高くなるようにするのが望ましい。周
辺部は直接に表示を行うものではないので、転移核密度
を向上させるために種々のパターンを形成しても表示性
能に影響することなく表示エリア周辺での転移性能を向
上することができるからである。例えば、図５に示すよ
うにダミー電極間に新たな近接部を設けてもよいし、図
９のように画素電極より小さなダミー電極を２重配置し
て、その間に近接部を設けてもよい。電極の切り欠き部
で転移核形成する場合は、図１４や図１８、そして図１
９のように周辺部の切り欠き密度を高くしておけばよ
い。

【００７９】以上の第１から第７の実施形態での説明で
は、ダミー電極はＴＦＴに接続されるものとしている
が、必ずしもＴＦＴに接続する必要はない。一例をあげ
て説明する。図１９は、図１４の０行目に相当する部分
を一つにまとめて、連続したダミー電極１９−ｂとした
ものである。図示しないが、ダミー電極１９−ｂには、
駆動回路から基板上のＴＦＴを介することなく電位が供
給されている。転移時の動作は第５あるいは第６の実施
形態での説明とほぼ同等である。この部分は表示を行わ
ないので画素構造をとる必要がなく、このように構成す
ることができる。０列目のダミー電極１９−ａはＴＦＴ
に接続されているが、これもまとめて連続した一つの電
極としてもよい。また、ダミー電極を構成する導電層は
画素電極と同じである必要もなく、場合によりゲート線
やソース線のレベルにある導電層を用いることもでき
る。

【００８０】また、以上の実施形態においては、画素電
極とＴＦＴとが重ならない状態を図示して説明したが、
これは図面の複雑化を避けるためにそのようにしたもの
であり、実際には画素電極は開口率を大きくするために
ＴＦＴと重ねることが望ましい。

【００８１】その他、図示した例はあくまで本発明の概
念の理解を助けるためのものであり本発明はこれらに限
定されるものではない。例えば、スイッチング素子はア
モルファスシリコン半導体によるボトムゲート型ＴＦＴ
を用いたが、これに代えてポリシリコンによるトップゲ
ート型ＴＦＴを用いてもよい。また、平坦化層２３はカ
ラーフィルタ層と兼用してもよい。また、図１０（ｂ）
など、アレイ基板の断面図において、通常は平坦化層２
３とその下の層（ソース線と同じレベルの層である蓄積
容量形成用電極３０など）の間には保護絶縁層がさらに
存在するが、図面の複雑化を避けるため表示していな
い。

【００８２】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、ベンド配
向方式の液晶表示装置において、表示エリアの周辺部に
ダミー電極を設けて、表示エリア最外周の画素電極とダ
ミー電極の間に電極近接部を設ける、あるいは、ダミー
電極相互の間に電極近接部を設ける、あるいは、ダミー
電極に切り欠きを設けることにより、表示エリアの外周
部における転移性能を向上させることができる。

【００８３】これにより、表示エリアの外周部に未転移
画素が残り、これが表示欠陥となって残ることがなくな
る。また、表示エリア外周部の転移時間が早まるため、
液晶表示装置の立ち上げ時間を短くすることができ、機
器ユーザーの待ち時間が短くなって利便性が向上すると
いう効果もある。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施の形態１に係る液晶表示装置における画素
電極構成を表す平面図

【図２】実施の形態１に係る液晶表示装置の主要部分を
示す平面図と側面図

【図３】実施の形態１に係る液晶表示装置の電気力線を
模式的に示す断面図

【図４】実施の形態１に係る液晶表示装置の電気力線を
模式的に示す断面図

【図５】実施の形態２に係る液晶表示装置における画素
電極構成を表す平面図

【図６】実施の形態２に係る液晶表示装置における画素
電極構成を表す平面図

【図７】実施の形態３に係る液晶表示装置における画素
電極構成を表す平面図

【図８】実施の形態３に係る液晶表示装置における画素
電極電位極性を表す平面図

【図９】実施の形態４に係る液晶表示装置における画素
電極構成を表す平面図

【図１０】実施の形態５に係る液晶表示装置における画
素電極構成を表す平面図と断面図

【図１１】実施の形態５に係る液晶表示装置の電気力線
を模式的に示す断面図

【図１２】実施の形態５に係る液晶表示装置における画
素電極構成を表す平面図

【図１３】実施の形態５に係る液晶表示装置における画
素電極電位極性を表す平面図

【図１４】実施の形態６に係る液晶表示装置における画
素電極構成を表す平面図と断面図

【図１５】実施の形態６に係る液晶表示装置の電気力線
を模式的に示す断面図

【図１６】実施の形態６に係る液晶表示装置の電気力線
を模式的に示す断面図

【図１７】実施の形態６に係り、切り欠き形状の例を説
明するための平面図

【図１８】実施の形態７に係る液晶表示装置の電気力線
を模式的に示す断面図

【図１９】ダミー電極の別の構成を説明するための液晶
表示装置の画素電極構成を表す平面図

【図２０】液晶層の配向状態を説明する断面図

【図２１】従来の液晶表示パネルにおける画素電極構成
を表す平面図、断面図と等価回路図

【符号の説明】１０，１１基板１２液晶層１３液晶分子１４ゲート線１４ａゲート電極１５ソース線１５ａソース電極１６スイッチング素子（ＴＦＴ）１７画素電極１８，３２コンタクトホール１９ダミー電極１９ａドレイン電極２０蓄積容量線２１ゲート絶縁膜２２半導体層２３平坦化層３０蓄積容量形成用電極３１対向電極４１電極５１切り欠き部１０１表示エリア１０２周辺部（額縁部）１０３，１０４基板１０５走査側駆動回路１０６信号側駆動回路１０７，１０８接続部

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】液晶層を挟持して対向する２枚の基板の
うち、一方の基板の対向面側に、走査信号が供給される
複数のゲート線及び画素信号が供給される複数のソース
線、前記ゲート線とソース線の各交差点に対応して設け
られたスイッチング素子、前記スイッチング素子に接続
された画素電極、他方の基板上に形成された対向電極
と、を少なくとも備えた液晶表示装置であって、前記液
晶表示装置は、表示エリアの最外周にある画素電極の外
側にダミー電極が形成されており、前記最外周にある画
素電極と前記ダミー電極の間に電極間近接部が形成され
たことを特徴とするＯＣＢモードで動作する液晶表示装
置。
【請求項２】画素電極間に電極間近接部が形成されて
いる請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項３】表示エリアの最外周にある画素電極とそ
の外側に形成されたダミー電極の間に、画素電極間の近
接部とは形状あるいは方向が異なった電極間近接部が形
成されている請求項２記載の液晶表示装置。
【請求項４】ダミー電極相互の間に、電極間近接部が
形成されている請求項１から３のいずれか１項に記載の
液晶表示装置。
【請求項５】ダミー電極相互の間に形成された電極間
近接部が、画素電極間の近接部とは形状あるいは方向が
異なっている請求項４記載の液晶表示装置。
【請求項６】２行以上、あるいは２列以上のダミー電
極が形成されており、異なる行あるいは列のダミー電極
間に近接部が形成されている請求項４または５記載の液
晶表示装置。
【請求項７】電極間近接部の少なくとも一部に、前記
電極とは異なる層にある電極が形成されている請求項１
から６のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項８】画素電極に切り欠き部が形成されている
請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項９】ダミー電極相互の間に、電極間近接部が
形成されている請求項８記載の液晶表示装置。
【請求項１０】２行以上、あるいは２列以上のダミー
電極が形成されており、異なる行あるいは列のダミー電
極間に近接部が形成されている請求項７から９のいずれ
か１項に記載の液晶表示装置。
【請求項１１】電極間近接部と電極切り欠き部の、少
なくとも一方の、少なくとも一部に、前記電極とは異な
る層にある電極が形成されている請求項８から１０のい
ずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項１２】液晶層を挟持して対向する２枚の基板
のうち、一方の基板の対向面側に、走査信号が供給され
る複数のゲート線及び画素信号が供給される複数のソー
ス線、前記ゲート線とソース線の各交差点に対応して設
けられたスイッチング素子、前記スイッチング素子に接
続された画素電極、他方の基板上に形成された対向電極
と、を少なくとも備えた液晶表示装置であって、前記液
晶表示装置は、表示エリアの最外周にある画素電極の外
側にダミー電極が形成されており、前記ダミー電極に切
り欠き部が形成されたことを特徴とするＯＣＢモードで
動作する液晶表示装置。
【請求項１３】画素電極間に電極間近接部が形成され
ている請求項１２記載の液晶表示装置。
【請求項１４】電極間近接部と電極切り欠き部の、少
なくとも一方の、少なくとも一部に、前記電極とは異な
る層にある電極が形成されている請求項１３記載の液晶
表示装置。
【請求項１５】画素電極に切り欠き部が形成されてい
る請求項１２記載の液晶表示装置。
【請求項１６】ダミー電極の切り欠き部と画素電極の
切り欠き部の、少なくとも一方の、少なくとも一部に、
前記電極とは異なる層にある電極が形成されている請求
項１５記載の液晶表示装置。