JP2003297967A - 高周波信号伝送用積層構造およびそれを用いた高周波半導体パッケージ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】高周波伝送特性を改善する。 【解決手段】内層接地用貫通導体を形成した高周波信号
伝送用積層構造であって、表層信号用貫通導体を信号配
線接続導体の長さが短くなるように最上層および最下層
の直上または直下の内層接地導体非形成領域の外周部に
配置する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はマイクロ波帯・ミリ
波帯といった高周波において使用される積層構造および
半導体素子を収容する高周波半導体パッケージに関し、
特に高周波の伝送特性が良好な高周波信号伝送積層構造
およびそれを用いた高周波半導体パッケージに関する。

【０００２】

【従来の技術】上記高周波伝送積層構造として、従来、
図１７に示したような構造がある。

【０００３】図１７において、１は誘電体層であり、こ
れらを積層することで積層板としている。11および21は
信号配線導体であり、13および23の信号配線接続導体を
介して、14および24の表層信号用貫通導体にそれぞれ接
続している。内層には34の内層信号用貫通導体とそれら
を接続する33の信号用貫通導体接続導体が形成され、表
層信号用貫通導体14,24との間を接続しており、32の内
層接地導体の内側には36に示す円形状の内層接地導体非
形成領域が形成され、内層接地導体非形成領域36の外周
近傍に35に示す内層接地用貫通導体が形成されている。
そして、表層信号用貫通導体14,24と内層信号用貫通導
体34ならびに表面接地導体非形成領域16,26と内層接地
導体非形成領域36とは中心を共有して重ねた、いわゆる
同軸線路構造をなし、高周波信号伝送用積層構造として
いた。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
従来の高周波信号伝送用積層構造においては、信号配線
接続導体13,23の長さが長く、ここを伝搬する高周波信
号から見てグランドまでの距離が遠いためにこの部分が
インダクタンスとして働くこととなり、高周波伝送特性
が劣化するという問題があった。

【０００５】本発明者等は、例えば、図１７の構造をな
す従来の高周波信号伝送用積層構造として、比誘電率が
9.2で厚みが0.2mmの誘電体層１を９層積層し積層板と
し、信号配線導体11の幅を0.21mmで形成し、信号配線接
続導体13の幅を0.21mmにて形成し、表層信号用貫通導体
14,24および内層信号用貫通導体34を直径0.1mmの円形状
に形成し、信号用貫通導体接続導体を直径0.16mmの円形
状とし、表面接地導体非形成領域16,26および内層接地
内層接地導体非形成領域36は直径1.24mmの円形状に、内
層接地用貫通導体は直径0.1mmの円形状にて、直径1.40m
mの円周上における正八角形の頂点を中心として配置す
ることで構成した。そして、表層信号配線導体11,21の
信号配線接続導体13,23と反対側の端部間を上方から見
て2.0mmとして、この間の高周波特性を電磁界シミュレ
ーションにて抽出すると、図１９に線図で示すような周
波数特性の特性曲線が得られた。図１９において、横軸
は周波数（単位：ＧＨｚ）、縦軸は入力した信号のうち
の反射された量の評価指標としての反射係数（単位：ｄ
Ｂ）を示しており、特性曲線は反射係数の周波数特性を
示している。

【０００６】図１９における特性曲線は、周波数が高く
なるにつれて反射が大きくなっていることを示してお
り、特に高周波では信号配線接続導体13,23のインダク
タンスの影響が強く現れ反射が増大しており、高周波信
号の伝送に劣化を及ぼしていることが判明した。

【０００７】なお、図１７の例と同様の構成として、た
だし、内層接地用貫通導体35を取り除いたことが異なる
場合の例として、図１８に示すような構造の場合につい
ても、上記と同一の設計値にて電磁界シミュレーション
で高周波特性を抽出すると、図２０に示すような特性曲
線が得られた。図２０(a)は入射した高周波信号のうち
反射されて戻ってきた信号の割合を示す反射係数（単
位：ｄＢ）の周波数特性を、図２０(b)は入射した高周
波信号のうち透過されて伝送された信号の割合を示す透
過係数（単位：ｄＢ）の周波数特性をそれぞれ示してい
る。図２０から、内層接地用貫通導体35を取り除いたこ
とにより、高周波における反射は多少小さくなっている
が、透過されて伝送される信号が非常に少なく、内層接
地導体32の間を通じて放射されてしまっていることがわ
かる。このように、内層接地用貫通導体35を適切に配置
しない場合には内層部に電磁遮蔽空間を設けることがで
きないために、高周波信号の漏れが生じて放射損失の増
大を招くこととなり、高周波伝送特性の劣化を及ぼすこ
ととなる。

【０００８】そこで本発明は、上記従来技術における問
題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、高周波
伝送特性が良好な高周波信号伝送用積層構造およびそれ
を用いた高周波半導体パッケージを提供することにあ
る。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に係る
高周波信号伝送用積層構造は、４層以上の誘電体層を積
層して成る積層基板の最上層および最下層のそれぞれに
形成した信号配線導体が、互いに一端から逆方向に延び
る関係にあり、これら各信号配線導体の一端と、前記最
上層および前記最下層の誘電体層を上下に貫く表層信号
用貫通導体とを、信号配線接続導体を介して接続し、前
記最上層および前記最下層を除く内層の各層に、平面形
状が２軸対称形状を成す内層接地導体非形成領域と、内
層接地導体とを形成し、前記内層接地導体非形成領域に
は、前記内層の各層を上下に貫く内層信号用貫通導体に
接続する信号用貫通導体接続導体を形成し、前記内層接
地導体非形成領域の外周部に、前記内層の各層を上下に
貫く内層接地用貫通導体、および前記表層接地導体と前
記内層接地導体との間を上下に貫く表層接地用貫通導体
を形成した高周波信号伝送用積層構造であって、前記表
層信号用貫通導体を前記信号配線接続導体の長さが短く
なるように直上または直下の前記内層接地導体非形成領
域の外周部に配置したことを特徴とする。

【００１０】また、請求項１３の高周波半導体パッケー
ジによれば、前記高周波信号伝送用積層構造を備えた前
記積層基板の上面に枠体および蓋体を設けることによ
り、高周波半導体素子を収容する構造としたことを特徴
とする。

【００１１】ここで、本発明の高周波信号伝送用積層構
造においては、特に、内層の誘電体層の厚みおよび内層
接地用貫通導体の間隔を、使用する最高周波数の管内波
長の半分よりも小さく設定するのが望ましい。この理由
は、従来の例で示したように、内層に電磁遮蔽空間を形
成しない場合に内層において電磁波が漏れてしまい、放
射損失となってしまうことを防止するためである。すな
わち、内層の上下の接地導体と接地用貫通導体がなす矩
形を矩形導波管として捉えると、矩形導波管の最低次の
伝送モード（基本モード）はTE10モードであり、このモ
ードの遮断波長は矩形の長辺の２倍の実効長に等しい。
したがって、使用する周波数帯域内において内層部に電
磁遮蔽空間を形成するためには、内層の誘電体層の厚み
および内層接地用貫通導体の間隔は使用する最高周波数
の管内波長の半分よりも小さくすることが必要であり、
より好適には４分の１波長以下に設定するのが望まし
い。したがって、製造上の困難が生じない範囲で上記範
囲を満たすことも重要である。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下、模式的に示した図面に基づ
いて本発明を詳細に説明する。なお、本発明は以下の例
に限定されるものではなく、本発明の主旨を逸脱しない
範囲で変更・改良を施すことは何ら差し支えない。

【００１３】図１は本発明の請求項１および2に係る、
第１の高周波信号伝送用積層構造の例を示す図であり、
（a）は平面図、(b)は（a）のＡ−Ａ線断面図である。
図１において、１は誘電体層でありそれぞれを積層する
ことで積層板としている。11および21は信号配線導体で
あり13ならびに23の信号配線接続導体を介して14ならび
に24の表層信号用貫通導体にそれぞれ接続している。な
お、本発明において信号配線接続導体とは直下もしくは
直上の内層接地導体32と重ならない信号導体をいう。内
層には34の内層信号用貫通導体とそれらを接続する33の
信号用貫通導体接続導体が形成され、表層信号用貫通導
体14,24との間を接続しており、32の内層接地導体の内
側には36の楕円形状の内層接地導体非形成領域が形成さ
れ、内層接地導体非形成領域36の外周近傍に35の内層接
地用貫通導体が形成されている。そして、内層接地導体
非形成領域36はそれぞれ上下に重ねて配置しており、表
層信号用貫通導体14,24の間を内層信号用貫通導体34お
よび信号用貫通導体接続導体33によりなめらかに接続す
るように順次ずらして配置する。

【００１４】さらに、表層信号用貫通導体14、24を直上
または直下の前記内層接地導体非形成領域36の外周部に
配置し、前記信号配線接続導体33の長さが短くなるよう
にしている。

【００１５】これにより、従来、信号配線接続導体の長
さが長く、ここを伝搬する高周波信号から見て信号配線
接続導体からグランドまでの距離が遠いためにこの部分
がインダクタンスとして働くことにより高周波伝送特性
の劣化が生じる場合と比較して、信号配線接続導体のイ
ンダクタンスを小さくすることができるために、良好な
高周波伝送特性とすることができる。その結果、高周波
の伝送特性が良好な高周波信号伝送用積層構造となる。
特に表層信号用貫通導体14,24の間を内層信号用貫通導
体34および信号用貫通導体接続導体33によりなめらかに
接続するように順次ずらして配置した場合、高周波信号
伝送用積層構造を成す領域（寸法）を、内層接地導体非
形成領域を順次ずらして配置する場合よりも小さくで
き、さらに、内層接地導体非形成領域の形状を順次変化
させて配置する場合よりもインピーダンス変化を小さく
することができるためにインピーダンスの整合性が良好
となるという作用・効果がある。

【００１６】次に、図２は本発明の請求項４に係る、第
２の高周波信号伝送用積層構造の例を示す図であり、
（a）は平面図、(b)は（a）のＡ−Ａ線断面図である。

【００１７】図２において、図１と同様の箇所には同じ
符号を付してあり、１は誘電体層であり、11および21は
信号配線導体、12および22は表層接地導体、13および23
は信号配線接続導体、14および24は表層信号用貫通導
体、32は内層接地導体、33は信号用貫通導体接続導体、
34は内層信号用貫通導体、35は内層接地用貫通導体、36
は内層接地導体非形成領域である。そして、内層信号用
貫通導体34は上下方向の中央（積層された内層のうち真
ん中の層）に近づくにしたがってずれが小さくなってい
る。

【００１８】これにより、表層から内層へ（もしくは内
層から表層へ）向かう電磁波の直進性に対して伝搬モー
ドを安定に維持したままに伝搬方向を変えることができ
るので、表層と内層との間の高周波信号の伝搬における
インピーダンスの不連続性を小さくすることができるこ
とから、さらに良好な高周波伝送特性とすることができ
る。その結果、高周波の伝送特性が良好な高周波信号伝
送用積層構造となる。

【００１９】次に、図３は本発明の請求項4に係る、第
３の高周波信号伝送用積層構造の例を示す図であり、
（a）は平面図、(b)は（a）のＡ−Ａ線断面図である。

【００２０】すなわち、図３において、図１と同様の箇
所には同じ符号を付してあり、１は誘電体層であり、11
および21は信号配線導体、12および22は表層接地導体、
13および23は信号配線接続導体、14および24は表層信号
用貫通導体、32は内層接地導体、33は信号用貫通導体接
続導体、34は内層信号用貫通導体、35は内層接地用貫通
導体、36は内層接地導体非形成領域である。そして、内
層接地導体非形成領域36を上下になめらかに接続するよ
う順次ずらして配置している。

【００２１】これにより、内層接地導体非形成領域の形
状を順次変化させて配置する場合よりもインピーダンス
変化を小さくすることができるためにインピーダンスの
整合性が良好となるという作用・効果がある。

【００２２】次に、図４は本発明の請求項5に係る、第
４の高周波信号伝送用積層構造の例を示す図であり、
（a）は平面図、(b)は（a）のＡ−Ａ線断面図である。

【００２３】図４において、図１と同様の箇所には同じ
符号を付してあり、１は誘電体層であり、11および21は
信号配線導体、12および22は表層接地導体、13および23
は信号配線接続導体、14および24は表層信号用貫通導
体、32は内層接地導体、33は信号用貫通導体接続導体、
34は内層信号用貫通導体、35は内層接地用貫通導体、36
は内層接地導体非形成領域である。そして、内層接地導
体非形成領域36は上下方向の中央に近づくにしたがって
ずれが小さくなっている。

【００２４】これにより、表層と内層との間の高周波信
号の伝搬におけるインピーダンスの不連続性を小さくす
ることができることから、さらに良好な高周波伝送特性
とすることができる。その結果、高周波の伝送特性が良
好な高周波信号伝送用積層構造となる。

【００２５】次に、図５は本発明の請求項6に係る、第
５の高周波信号伝送用積層構造の例を示す図であり、
（a）は平面図、(b)は（a）のＡ−Ａ線断面図である。

【００２６】図５において、図１と同様の箇所には同じ
符号を付してあり、１は誘電体層であり、11および21は
信号配線導体、12および22は表層接地導体、13および23
は信号配線接続導体、14および24は表層信号用貫通導
体、32は内層接地導体、33は信号用貫通導体接続導体、
34は内層信号用貫通導体、35は内層接地用貫通導体、36
は内層接地導体非形成領域である。そして、内層接地導
体非形成領域36を、上下なめらかに接続するように形状
を変化させて配置している。

【００２７】これにより、高周波信号伝送用積層構造を
成す領域（寸法）を、内層接地導体非形成領域を順次ず
らして配置する場合よりも小さくできるという作用・効
果がある。

【００２８】次に、図６は本発明の請求項7に係る、第
６の高周波信号伝送用積層構造の例を示す図であり、
（a）は平面図、(b)は（a）のＡ−Ａ線断面図である。

【００２９】図６において、図１と同様の箇所には同じ
符号を付してあり、１は誘電体層であり、11および21は
信号配線導体、12および22は表層接地導体、13および23
は信号配線接続導体、14および24は表層信号用貫通導
体、32は内層接地導体、33は信号用貫通導体接続導体、
34は内層信号用貫通導体、35は内層接地用貫通導体、36
は内層接地導体非形成領域である。そして、内層接地導
体非形成領域36は上下方向の中央に近づくにしたがって
形状変化が小さくなっている。

【００３０】これにより、表層と内層との間の高周波信
号の伝搬におけるインピーダンスの不連続性を小さくす
ることができることから、さらに良好な高周波伝送特性
とすることができる。その結果、高周波の伝送特性が良
好な高周波信号伝送用積層構造となる。

【００３１】次に、図７は本発明の請求項8に係る、第
７の高周波信号伝送用積層構造の例を示す図であり、
（a）は平面図、(b)は（a）のＡ−Ａ線断面図である。
図７において、図１と同様の箇所には同じ符号を付して
あり、１は誘電体層であり、11および21は信号配線導
体、12および22は表層接地導体、13および23は信号配線
接続導体、14および24は表層信号用貫通導体、32は内層
接地導体、33は信号用貫通導体接続導体、34は内層信号
用貫通導体、35は内層接地用貫通導体、36は内層接地導
体非形成領域である。そして、表層信号用貫通導体14,2
4と内層信号用貫通導体34ならびに表層接地導体非形成
領域16,26と内層接地導体非形成領域36とは中心を共有
して重ねた、いわゆる同軸線路構造とし、表層接地導体
非形成領域16を内層接地導体非形成領域36よりも小さく
している。

【００３２】これにより、高周波信号伝送用積層構造を
成す領域（寸法）を、内層接地導体非形成領域を順次ず
らして配置する場合よりも小さくできるという作用・効
果がある。

【００３３】次に、図８は本発明の請求項9に係る第８
の高周波信号伝送用積層構造の例を示す図であり、
（a）は平面図、(b)は（a）のＡ−Ａ線断面図である。

【００３４】図８において、図１と同様の箇所には同じ
符号を付してあり、１は誘電体層であり、11および21は
信号配線導体、12および22は表層接地導体、13および23
は信号配線接続導体、14および24は表層信号用貫通導
体、32は内層接地導体、33は信号用貫通導体接続導体、
34は内層信号用貫通導体、35は内層接地用貫通導体、36
は内層接地導体非形成領域である。そして、信号配線接
続導体13,23の幅は信号配線導体11,21の幅よりも広くな
っている。

【００３５】これにより、信号配線接続導体13,23の幅
は信号配線導体11,21の幅よりも広くなっていることに
より、信号配線接続導体13,23のインダクタンスをさら
に小さくすることができ、インピーダンスの整合性が良
好となるという作用・効果がある。

【００３６】ところで、本発明の高周波信号伝送用積層
構造において、前記信号配線接続導体における前記表層
信号配線導体から前記表層信号用貫通導体までの長さ
は、前記最上層または最下層の直上または直下の前記内
層接地導体非形成領域の厚み以下であることが好ましい
（第９の高周波信号伝送用積層構造）。これは、信号配
線接続導体の長さが短いほどインダクタンスを小さくす
ることができることに基づくが、その長さが最上層また
は最下層の前記誘電体層の厚み以下とすることによって
そのインダクタンスは極僅かに維持されることによる。

【００３７】次に、図９は本発明の請求項１０に係る第
１０の高周波信号伝送用積層構造の例を示す図であり、
（a）は平面図、(b)は（a）のＡ−Ａ線断面図である。

【００３８】図９において、図１と同様の箇所には同じ
符号を付してあり、１は誘電体層であり、11および21は
信号配線導体、13および23は信号配線接続導体、14およ
び24は表層信号用貫通導体、32は内層接地導体、33は信
号用貫通導体接続導体、34は内層信号用貫通導体であ
る。そして、積層基板1の上面または下面には表層信号
用貫通導体14および信号配線接続導体13を取囲む状態
で、信号配線導体11に対し所定間隔をあけて12の表面接
地導体を形成し、さらにこの表面接地導体12と内層接地
導体32との間を上下に貫く15の表層接地用貫通導体によ
り接続することで、従来、信号配線接続導体の長さが長
く、ここを伝搬する高周波信号から見てグランドまでの
距離が遠いためにこの部分がインダクタンスとして働く
ことにより高周波伝送特性の劣化が生じる場合と比較し
て、信号配線接続導体のインダクタンスを小さくするこ
とができ、さらに、入出力線路としてコプレナ線路とし
て構成することで、外部配線がコプレナ線路の場合に、
外部配線との接続におけるインピーダンスの不連続性を
小さくすることができる構造となるために、良好な高周
波伝送特性とすることができる。その結果、高周波の伝
送特性が良好な高周波信号伝送用積層構造となる。

【００３９】図21は本発明の請求項１２に係る、第１１
の高周波信号伝送用積層構造の例を示す図であり、
（a）は平面図、(b)は（a）のＡ−Ａ線断面図である。

【００４０】図21に示す高周波信号伝送用積層構造は、
上下面のいずれかにおいて、前記表層接地導体12の全体
を前記信号配線接続導体13における前記信号配線導体11
とは反対側の端よりも前記信号配線導体11の側に配置し
たものである。この図21の構成によれば表層接地導体を
信号配線導体の両脇のみに形成したことから、表層から
内層へ（もしくは内層から表層へ）向かう電磁波の直進
性に対して伝搬モードを安定に維持したままに伝搬方向
を変えることが安定してできるので、反射が生じにく
く、インピーダンス整合が良好に行なえる高周信号波伝
送用積層構造となる。

【００４１】また、上記高周波信号伝送用積層構造を高
周波半導体パッケージに適用が可能である。すなわち、
上記積層構造の上面に高周波半導体素子を収容するよう
に枠体および蓋体を形成し、積層構造の下面の信号配線
導体の信号配線接続導体と反対側に外部との信号入出力
のための入出力信号配線接続導体を形成することによ
り、高周波の伝送特性が良好な高周波半導体パッケージ
となる。

【００４２】図22はこのような高周波半導体パッケージ
を示し、第１の高周波信号伝送用積層構造の例に対し
て、41の枠体ならびに42の蓋体を設けることで高周波半
導体パッケージとして構成している。

【００４３】このような本発明の高周波信号伝送用積層
構造またはそれを用いた高周波半導体パッケージにおい
て、誘電材料としては、例えばアルミナやムライト、窒
化アルミ等のセラミックス材料、いわゆるガラセラ（ガ
ラス＋セラミック）材料が広く用いられ、信号配線導体
や接地導体といった導体パターンは、高周波配線導体用
の金属材料、例えば、CuやMoMn+Ni+Au、W+Ni+Au、Cr+C
u、Cr+Cu+Ni+Au、Ta2N+NiCr+Au、Ti+Pd+Au、NiCr+Pd+Au
などを用いて厚膜印刷法あるいは各種の薄膜形成方法や
メッキ処理法などにより形成される。また、その厚みや
幅も伝送される高周波信号の周波数や使用する特性イン
ピーダンスなどに応じて誘電体の誘電率や厚みとともに
設定される。また、枠体や蓋体に金属を用いる場合に
は、Fe-Ni-CoやFe-Ni42アロイ等のFe-Ni合金・無酸素銅
・アルミニウム・ステンレス・Cu-W合金・Cu-Mo合金な
どから成る材料を用い、金属構造物間の接合には、ハン
ダ・AuSnロウやAuGeロウ等の高融点金属ロウ・シームウ
ェルド（溶接）等により取着することによって気密封止
し、また、誘電体基板と金属構造物とは、AgCuロウ・Au
Snロウ・AuGeロウ等の高融点金属ロウにより接合するこ
とによって、半導体素子を収容することで良好な伝送特
性を有する高周波半導体パッケージを提供できる。

【００４４】

【実施例】次に、本発明の高周波信号伝送用積層構造に
ついて具体例を説明する。 〔例１〕まず、本発明の請求項１および２に係る第１の
高周波信号伝送用積層構造を示す図１と同様の構成に
て、比誘電率が9.2で厚みが0.2mmの誘電体層１を９層積
層して積層板とし、信号配線導体11の幅を0.21mmで形成
し、信号配線接続導体13,23の幅を0.21mmで信号配線導
体11,21と表面信号用貫通導体14,24までの距離を0.13mm
にて形成し、表層信号用貫通導体14,24および内層信号
用貫通導体34を直径0.1mmの円形状に形成し、信号用貫
通導体接続導体を幅0.16mmの矩形状とし、内層接地内層
接地導体非形成領域36は直径が1.24mmの円形状に、内層
接地用貫通導体35は直径0.1mmの円形状にて内層接地導
体非形成領域36の外周より中心が0.08mmだけ離れた位置
の円周上の８箇所に配置することで構成し、そして、表
層信号用貫通導体14,24および内層信号用貫通導体34の
９層間のずれを0.11mmずつずらし、表層信号配線導体1
1,21の信号配線接続導体13,23と反対側の端部間を上方
から見て2.0mmとすることにより、本発明の高周波信号
伝送用積層構造の試料Ａを得た。

【００４５】また、本発明の請求項３に係る第２の高周
波信号伝送用積層構造を示す図２と同様の構成にて、上
記の試料Ａと同様に、ただし、表層信号用貫通導体14,2
4および内層信号用貫通導体34の９層間のずれを表面側
から0.195mm, 0.115mm, 0.075mm, 0.055mm, 0.055mm,
0.075mm, 0.115mm, 0.195mmとすることにより、本発明
の高周波信号伝送用積層構造の試料Ｂを得た。

【００４６】そして、これらの試料Ａ・Ｂについて下面
の信号配線導体21の端部から上面の信号配線導体11の端
部間の電気的特性を電磁界シミュレーションにより抽出
すると、図１０に線図で示すような周波数特性の特性曲
線が得られた。図１０において、横軸は周波数（単位：
ＧＨｚ）、縦軸は入力した信号のうちの反射された量の
評価指標としての反射係数（単位：ｄＢ）を示してお
り、特性曲線は反射係数の周波数特性を示している。ま
た、特性曲線に付記したＡ・Ｂは各々試料Ａ・Ｂの特性
曲線であることを示している。

【００４７】この結果から、本発明の高周波信号伝送用
積層構造である試料Ａ・Ｂは、高周波においても反射が
小さく、良好な電気的特性を有する高周波信号伝送用積
層構造であることが分かる。特に、試料Ｂは、内層信号
用貫通導体が内層接地導体非形成領域の中心に近づくに
したがってずれが小さくなっていることにより、インピ
ーダンスの不連続性がより小さくなるために、さらに整
合が良好に行なえる結果、反射が小さい良好な電気的特
性を有する高周波信号伝送用積層構造として機能してい
ることが分かる。 〔例２〕まず、本発明の請求項４に係る第３の高周波信
号伝送用積層構造を示す図３と同様の構成にて、上記
〔例１〕の試料Ａと同様に、ただし、表層信号用貫通導
体14,24および内層信号用貫通導体34を互いに上下に重
ね、内層接地導体非形成領域36の８層間のずれを0.11mm
ずつずらすことにより、本発明の高周波信号伝送用積層
構造の試料Ｃを得た。

【００４８】また、本発明の請求項５に係る第４の高周
波信号伝送用積層構造を示す図４と同様の構成にて、上
記の試料Ｃと同様に、ただし、内層接地導体非形成領域
36の８層間のずれを表面側から0.18mm, 0.14mm, 0.10m
m, 0.04mm, 0.10mm, 0.14mm,0.18mmとすることにより、
本発明の高周波信号伝送用積層構造の試料Ｄを得た。

【００４９】そして、これらの試料Ｃ・Ｄについて下面
の信号配線導体21の端部から上面の信号配線導体11の端
部の間の電気的特性を電磁界シミュレーションにより抽
出すると、図１１に線図で示すような周波数特性の特性
曲線が得られた。図１１において、横軸は周波数（単
位：ＧＨｚ）、縦軸は入力した信号のうちの反射された
量の評価指標としての反射係数（単位：ｄＢ）を示して
おり、特性曲線は反射係数の周波数特性を示している。
また、特性曲線に付記したＣ・Ｄは各々試料Ｃ・Ｄの特
性曲線であることを示している。

【００５０】この結果から、本発明の高周波信号伝送用
積層構造である試料Ｃ・Ｄは、高周波においても反射が
小さく、良好な電気的特性を有する高周波信号伝送用積
層構造であることが分かる。特に、試料Ｄは、内層接地
導体非形成領域が内層接地導体非形成領域の中心が内層
信号用貫通導体に近づくにしたがってずれが小さくなっ
ていることにより、インピーダンスの不連続性がより小
さくなるために、さらに整合が良好に行なえる結果、反
射が小さい良好な電気的特性を有する高周波信号伝送用
積層構造として機能していることが分かる。 〔例３〕まず、本発明の請求項６に係る第５の高周波信
号伝送用積層構造を示す図５と同様の構成にて、上記
〔例１〕の試料Ａと同様に、ただし、表層信号用貫通導
体14,24および内層信号用貫通導体34を互いに上下に重
ね、内層接地導体非形成領域36は矩形に形成し、矩形の
長辺の長さは1.16mmで短辺の長さを上面側から８層を順
に0.76mm, 0.86mm, 0.96mm, 1.06mm, 1.06mm, 0.96mm,
0.86mm, 0.76mmとすることにより、本発明の高周波信号
伝送用積層構造の試料Ｅを得た。

【００５１】また、本発明の請求項７に係る第６の高周
波信号伝送用積層構造を示す図６と同様の構成にて、上
記の試料Ｅと同様に、ただし、内層接地導体非形成領域
36の矩形の短辺の長さを上面側から８層を順に0.76mm,
0.89mm, 1.00mm, 1.09mm, 1.09mm, 1.00mm, 0.89mm, 0.
76mmとすることにより、本発明の高周波信号伝送用積層
構造の試料Ｆを得た。

【００５２】そして、これらの試料Ｅ・Ｆについて下面
の信号配線導体21の端部から上面の信号配線導体11の端
部の間の電気的特性を電磁界シミュレーションにより抽
出すると、図１２に線図で示すような周波数特性の特性
曲線が得られた。図１２において、横軸は周波数（単
位：ＧＨｚ）、縦軸は入力した信号のうちの反射された
量の評価指標としての反射係数（単位：ｄＢ）を示して
おり、特性曲線は反射係数の周波数特性を示している。
また、特性曲線に付記したＥ・Ｆは各々試料Ｅ・Ｆの特
性曲線であることを示している。

【００５３】この結果から、本発明の高周波信号伝送用
積層構造である試料Ｅ・Ｆは、高周波においても反射が
小さく、良好な電気的特性を有する高周波信号伝送用積
層構造であることが分かる。特に、試料Ｆは、内層接地
導体非形成領域がこの内層接地導体非形成領域の中心が
内層信号用貫通導体に近づくにしたがって形状変化が小
さくなっていることにより、インピーダンスの不連続性
がより小さくなるために、さらに整合が良好に行なえる
結果、反射が小さい良好な電気的特性を有する高周波信
号伝送用積層構造として機能していることが分かる。 〔例４〕本発明の請求項８の実施形態を示す第７の高周
波信号伝送用積層構造を示す図７と同様の構成にて、上
記〔例１〕の試料Ａと同様に、ただし、表層信号用貫通
導体14,24および内層信号用貫通導体34ならびに円形状
の内層接地導体非形成領域36を中心を同一に構成し、内
層接地導体非形成領域36のうち、最上層および最下層の
直径を0.46mmとし、その他の６層は直径1.24mmとして構
成することにより、本発明の高周波信号伝送用積層構造
の試料Ｇを得た。

【００５４】そして、この試料Ｇについて下面の信号配
線導体21の端部から上面の信号配線導体11の端部の間の
電気的特性を電磁界シミュレーションにより抽出する
と、図１３に線図で示すような周波数特性の特性曲線が
得られた。図１３において、横軸は周波数（単位：ＧＨ
ｚ）、縦軸は入力した信号のうちの反射された量の評価
指標としての反射係数（単位：ｄＢ）を示しており、特
性曲線は反射係数の周波数特性を示している。また、特
性曲線に付記したＧは試料Ｇの特性曲線であることを示
している。

【００５５】この結果から、本発明の高周波信号伝送用
積層構造である試料Ｇは、高周波においても反射が小さ
く、良好な電気的特性を有する高周波信号伝送用積層構
造であることが分かる。 〔例５〕本発明の請求項９に係る第８の高周波信号伝送
用積層構造を示す図８と同様の構成にて、上記〔例１〕
の試料Ｂと同様に、ただし、信号配線接続導体13,23の
幅を0.30mmとすることにより、本発明の高周波信号伝送
用積層構造の試料Ｈを得た。

【００５６】そして、この試料Ｈについて下面の信号配
線導体21の端部から上面の信号配線導体11の端部の間の
電気的特性を電磁界シミュレーションにより抽出する
と、図１４に線図で示すような周波数特性の特性曲線が
得られた。図１４において、横軸は周波数（単位：ＧＨ
ｚ）、縦軸は入力した信号のうちの反射された量の評価
指標としての反射係数（単位：ｄＢ）を示しており、特
性曲線は反射係数の周波数特性を示している。また、特
性曲線に付記したＢ・Ｈは各々〔例１〕で得た試料Ｂと
試料Ｈの特性曲線であることを示している。

【００５７】この結果から、本発明の高周波信号伝送用
積層構造である試料Ｂ・Ｈは、高周波においても反射が
小さく、良好な電気的特性を有する高周波信号伝送用積
層構造であることが分かる。特に、試料Ｈは、インピー
ダンスの不連続性がより小さくなるために、さらに整合
が良好に行なえる結果、反射が小さい良好な電気的特性
を有する高周波信号伝送用積層構造として機能している
ことが分かる。 〔例６〕まず、本発明の請求項１０に係る第９の高周波
信号伝送用積層構造を示す図１と同様の構成にて、上記
〔例１〕の試料Ａと同様に、ただし、信号配線接続導体
13,23の長さが0.20mmで、表層信号用貫通導体14,24およ
び内層信号用貫通導体34の９層間のずれを0.0925mmずつ
ずらすことにより、本発明の高周波信号伝送用積層構造
の試料Ｉを得た。

【００５８】また、比較として試料Ｉと同様の構成に
て、ただし、信号配線接続導体13,23の長さが0.29mm
で、表層信号用貫通導体14,24および内層信号用貫通導
体34の９層間のずれを0.07mmずつずらすことにより、比
較の試料Ｊを得た。

【００５９】そして、これらの試料Ｉ・Ｊについて下面
の信号配線導体21の端部から上面の信号配線導体11の端
部の間の電気的特性を電磁界シミュレーションにより抽
出すると、図１５に線図で示すような周波数特性の特性
曲線が得られた。図１５において、横軸は周波数（単
位：ＧＨｚ）、縦軸は入力した信号のうちの反射された
量の評価指標としての反射係数（単位：ｄＢ）を示して
おり、特性曲線は反射係数の周波数特性を示している。
また、特性曲線に付記したＡ・Ｉ・Ｊは各々〔例１〕の
試料Ａおよび試料Ｉ・Ｊの特性曲線であることを示して
いる。

【００６０】この結果から、本発明の高周波信号伝送用
積層構造である試料Ａ・Ｉは、高周波においても反射が
小さく、良好な電気的特性を有する高周波信号伝送用積
層構造であることが分かる。一方、比較例として得た試
料Ｊについては、信号配線接続導体の長さが長くなりす
ぎるためにインダクタンスとしての働きが強く現れるた
めに高周波の反射が大きくなってしまう結果、電気的特
性に劣化が生じることが分かる。したがって、信号配線
接続導体における表面信号配線導体から表面信号用貫通
導体までの長さを最上層または最下層の誘電体層の厚み
以下とすることにより、信号配線接続導体のインダクタ
ンスを確実に小さくすることができるために、さらに確
実に良好な高周波伝送特性とすることができる。 〔例７〕まず、本発明の請求項１１に係る第１０の高周
波信号伝送用積層構造を示す図９と同様の構成にて、上
記〔例１〕の試料Ｂと同様に、ただし、積層基板1の上
面には表層信号用貫通導体14および信号配線接続導体13
を取囲む状態で内層接地導体非形成領域と形状を一致さ
せて、信号配線導体11に対し0.10mmの間隔をあけて表面
接地導体12を形成し、さらにこの表面接地導体12と内層
接地導体32との間を上下に貫く直径0.1mmの表層接地用
貫通導体15により接続することにより、本発明の高周波
信号伝送用積層構造の試料Ｋを得た。

【００６１】そして、この試料Ｋについて下面の信号配
線導体21の端部から上面の信号配線導体11の端部の間の
電気的特性を電磁界シミュレーションにより抽出する
と、図１６に線図で示すような周波数特性の特性曲線が
得られた。図１６において、横軸は周波数（単位：ＧＨ
ｚ）、縦軸は入力した信号のうちの反射された量の評価
指標としての反射係数（単位：ｄＢ）を示しており、特
性曲線は反射係数の周波数特性を示している。また、特
性曲線に付記したＫは試料Ｋの特性曲線であることを示
している。

【００６２】この結果から、本発明の高周波信号伝送用
積層構造である試料Ｋは、高周波においても反射が小さ
く、良好な電気的特性を有し、さらに、入出力線路とし
てコプレナ線路として構成することで、外部配線がコプ
レナ線路の場合に、外部配線との接続におけるインピー
ダンスの不連続性を小さくすることができる構造となる
ために、良好な高周波伝送特性を有する高周波信号伝送
用積層構造であることが分かる。

【００６３】なお、以上はあくまで本発明の実施形態の
例示であって、本発明はこれらに限定されるものではな
く、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更や改良
を加えることは何ら差し支えない。

【００６４】例えば、本発明の実施形態の例示では、表
面接地導体非形成領域ならびに内層接地導体非形成領域
の形状として、円形状・矩形を示したが、その他、楕円
形状・偶多角形状等の２軸対称形状を用いることも可能
である。

【００６５】また、積層基板の上面または下面に表面接
地導体を設ける場合には、表面接地導体は信号配線導体
の両側に所定幅をあけて形成することで高周波伝送線路
として成すことが主たる目的であり、必ずしも信号配線
接続導体を取り囲んでいなくとも高周波特性に優れる
が、信号配線接続導体を取り囲んだ構造に近づけること
でより好適な高周波伝送特性を有する構造となる。

【００６６】

【発明の効果】以上のように、請求項１の高周波信号伝
送用積層構造によれば、４層以上の誘電体層を積層して
成る積層基板の最上層および最下層のそれぞれに形成し
た信号配線導体が、互いに一端から逆方向に延びる関係
にあり、これら各信号配線導体の一端と、前記最上層お
よび前記最下層の誘電体層を上下に貫く表層信号用貫通
導体とを、信号配線接続導体を介して接続し、前記最上
層および前記最下層を除く内層の各層に、平面形状が２
軸対称形状を成す内層接地導体非形成領域と、内層接地
導体とを形成し、前記内層接地導体非形成領域には、前
記内層の各層を上下に貫く内層信号用貫通導体に接続す
る信号用貫通導体接続導体を形成し、前記内層接地導体
非形成領域の外周部に、前記内層の各層を上下に貫く内
層接地用貫通導体、および前記表層接地導体と前記内層
接地導体との間を上下に貫く表層接地用貫通導体を形成
した高周波信号伝送用積層構造であって、前記表層信号
用貫通導体を前記信号配線接続導体の長さが短くなるよ
うに直上または直下の前記内層接地導体非形成領域の外
周部に配置したことことから、信号配線接続導体の長さ
を短くすることができ、この部分のインダクタンスが小
さくなることにより高周波伝送特性を向上することが可
能となるので、その結果、高周波において反射が増大す
るという問題点を解決することができる。

【００６７】また、請求項２の高周波信号伝送用積層構
造によれば、表層信号用貫通導体の間を内層信号貫通導
体および信号用貫通導体接続導体によりなめらかに接続
するよう順次ずらして配置したことから、高周波信号伝
送用積層構造を成す領域（寸法）を、内層接地導体非形
成領域の形状を変化させて配置する場合よりもインピー
ダンス変化を小さくすることができるのでインピーダン
スの整合性が良好となる。

【００６８】また、請求項３の高周波信号伝送用積層構
造によれば、請求項２の高周波信号伝送用積層構造にお
いて、内層信号用貫通導体は内層接地導体非形成領域の
中心に近づくにしたがってずれが小さくなっていること
から、表層と内層との間の高周波信号の伝搬におけるイ
ンピーダンスの不連続性を小さくすることができ、さら
に良好な高周波伝送特性とすることができる。

【００６９】また、請求項４の高周波信号伝送用積層構
造によれば、請求項１の高周波信号伝送用積層構造にお
いて、内層の最上層および最下層の内層接地導体非形成
領域は信号配線接続導体の長さが短くなるようにこの内
層接地導体非形成領域の外周を表層信号用貫通導体の近
傍に配置するとともに、内層の最上層および最下層を除
く内層接地導体非形成領域を内層の最上層および最下層
の内層接地導体非形成領域の間をなめらかに接続するよ
うに順次ずらして配置したことから、内層設置導体非形
成領域の形状を順次変化させて配置する場合よりもイン
ピーダンス変化を小さくすることができ、これによりイ
ンピーダンスの整合性が良好となる。

【００７０】また、請求項５の高周波信号伝送用積層構
造によれば、請求項４の高周波信号伝送用積層構造にお
いて、内層接地導体非形成領域は内層接地導体非形成領
域の中心が内層信号用貫通導体に近づくにしたがってず
れが小さくなっていることから、表層と内層との間の高
周波信号の伝搬におけるインピーダンスの不連続性を小
さくすることができる、さらに良好な高周波伝送特性と
することができる。

【００７１】また、請求項６の高周波信号伝送用積層構
造は、請求項１の高周波信号伝送用積層構造において内
層の最上層および最下層の内層接地導体非形成領域は信
号配線接続導体の長さが短くなるようにこの内層接地導
体非形成領域の外周を表層信号用貫通体の近傍に配置す
るとともに、内層の最上層および最下層の内層接地導体
非形成領域の間をなめらかに接続するように形状を変化
させて配置したことにより、高周波信号伝送用積層構造
を成す領域（寸法）を、内層接地導体非形成領域を順次
ずらして配置する場合よりも小さくすることができる。

【００７２】また、請求項７の高周波信号伝送用積層構
造は、請求項６の高周波信号伝送用積層構造において、
内層接地導体非形成領域はこの内層接地導体非形成領域
の中心が内層信号用貫通導体に近づくにしたがって形状
変化が小さくなっていることから、表層と内層との間の
高周波信号の伝搬におけるインピーダンスの不連続性を
小さくすることができ、さらに良好な高周波伝送特性と
することができる。

【００７３】また、請求項８の高周波信号伝送用積層構
造によれば、請求項１の高周波信号伝送用積層構造にお
いて、内層の最上層および最下層の内層接地導体非形成
領域は内層の最上層および最下層を除く内層接地導体非
形成領域よりも小さくしたことから、高周波信号伝送用
積層構造を成す領域（寸法）を、内層接地導体非形成領
域を順次ずらして配置する場合よりも小さくすることが
できる。

【００７４】また、本発明の請求項９の高周波信号伝送
用積層構造によれば、請求項１乃至８の高周波信号伝送
用積層構造において、信号配線接続導体の幅は信号配線
導体の幅よりも広くなっていることから、信号配線接続
導体の幅が広がることでこの部分のインダクタンスがよ
り小さくなり、インピーダンスの整合性が良好となる。

【００７５】また、請求項１０の高周波信号伝送用積層
構造によれば、請求項１乃至９の高周波信号伝送用積層
構造において、信号配線導体から前記表層信号用貫通導
体までの長さが、前記最上層と最下層の直上または直下
の前記内層表層接地導体非形成領域の厚み以下であるこ
とから、インダクタンスを極僅かに抑えることができ
る。

【００７６】また、請求項１１の高周波信号電波用積層
構造によれば、前記積層基板の上下面のいずれかに表層
接地導体非形成領域と前記信号配線導体に対し所定間隔
を有する表層接地導体を形成するとともに、前記信号配
線接続導体の長さが短くなるように前記信号配線導体を
前記表層接地導体非形成領域の外周部に配置し、且つ、
前記表層接地領域が前記信号配線導体を取り囲むことか
ら、従来、信号配線接続導体の長さが長く、ここを伝搬
する高周波信号から見てグランドまでの距離が遠いため
にこの部分がインダクタンスとして働くことにより高周
波伝送特性の劣化が生じる場合と比較して、信号配線接
続導体のインダクタンスを小さくすることができ、さら
に、入出力線路としてコプレナ線路として構成すること
で、外部配線がコプレナ線路の場合に、外部配線との接
続におけるインピーダンスの不連続性を小さくすること
ができる構造となるために、良好な高周波伝送特性とす
ることができる。その結果、高周波の伝送特性が良好な
高周波信号伝送用積層構造となる。

【００７７】また、請求項１２の高周波信号伝送用積層
構造によれば、前記積層基板の上下面のいずれかに表層
接地導体非形成領域と前記信号配線導体に対し所定間隔
を有する表層接地導体とを形成するとともに、前記信号
配線接続導体の長さが短くなるように前記信号配線導体
を前記表層接地導体非形成領域の外周部に配置し、且
つ、前記表層接地導体の全体を前記信号配線接続導体に
おける前記信号配線導体とは反対側の端よりも前記信号
配線導体の側に配置したことから、表層接地導体を信号
配線導体の両脇のみに設けたので、表層から内層へ（も
しくは内層から表層へ）向かう電磁波の直進性に対して
伝搬モードを安定に維持したままに伝搬方向を変えるこ
とが安定してできるので、反射が生じにくく、インピー
ダンス整合が良好に行なえる高周信号波伝送用積層構造
となる。

【００７８】さらに、請求項１３の高周波半導体パッケ
ージによれば、例えば請求項１乃至１2の高周波信号伝
送用積層構造を有する積層基板の上面に高周波半導体素
子を収容するように枠体および蓋体を形成し、積層基板
の下面の信号配線導体の信号配線接続導体と反対側に外
部との信号入出力のための入出力信号配線接続導体を形
成したことにより、高周波の伝送特性が良好な高周波半
導体パッケージとして提供できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る第１の高周波信号伝送用積層構造
の一例を模式的に示す図であり、（a）は平面図、（b）
は（a）のA-A線断面図である。

【図２】本発明に係る第２の高周波信号伝送用積層構造
の一例を模式的に示す図であり、（a）は平面図、（b）
は（a）のA-A線断面図である。

【図３】本発明に係る第３の高周波信号伝送用積層構造
の一例を模式的に示す図であり、（a）は平面図、（b）
は（a）のA-A線断面図である。

【図４】本発明に係る第４の高周波信号伝送用積層構造
の一例を模式的に示す図であり、（a）は平面図、（b）
は（a）のA-A線断面図である。

【図５】本発明に係る第５の高周波信号伝送用積層構造
の一例を模式的に示す図であり、（a）は平面図、（b）
は（a）のA-A線断面図である。

【図６】本発明に係る第６の高周波信号伝送用積層構造
の一例を模式的に示す図であり、（a）は平面図、（b）
は（a）のA-A線断面図である。

【図７】本発明に係る第７の高周波信号伝送用積層構造
の一例を模式的に示す図であり、（a）は平面図、（b）
は（a）のA-A線断面図である。

【図８】本発明に係る第８の高周波信号伝送用積層構造
の一例を模式的に示す図であり、（a）は平面図、（b）
は（a）のA-A線断面図である。

【図９】本発明の第１０の高周波信号伝送用積層構造の
一例を模式的に示す図であり、（a）は平面図、（b）は
（a）のA-A線断面図である。

【図１０】本発明の第１および第２の高周波信号伝送用
積層構造の高周波特性を示す線図である。

【図１１】本発明の第３および第４の高周波信号伝送用
積層構造の高周波特性を示す線図である。

【図１２】本発明の第５および第６の高周波信号伝送用
積層構造の高周波特性を示す線図である。

【図１３】本発明の第７の高周波信号伝送用積層構造の
高周波特性を示す線図である。

【図１４】本発明の第８の高周波信号伝送用積層構造の
高周波特性を示す線図である。

【図１５】本発明の第９の高周波信号伝送用積層構造の
高周波特性を示す線図である。

【図１６】本発明の第１０の高周波信号伝送用積層構造
の高周波特性を示す線図である。

【図１７】（ａ）（ｂ）は、従来の高周波信号伝送用積
層構造の例を示す平面図ならびに断面図である。

【図１８】（ａ）（ｂ）は、従来の高周波信号伝送用積
層構造の他の例を示す平面図ならびに断面図である。

【図１９】従来の高周波信号伝送用積層構造の例の高周
波特性を示す線図である。

【図２０】従来の高周波信号伝送用積層構造の他の例の
高周波特性を示す線図である。

【図２１】本発明に係る第１０の高周波信号伝送用積層
構造の一例を模式的に示す図であり、（a）は平面図、
（b）は（a）のA-A線断面図である。

【図２２】本発明に係る高周波信号伝送用積層構造を用
いた高周波半導体パッケージの一例を模式的に示す断面
図である。

【符号の説明】

１・・・・・誘電体層 11,21・・・・・信号配線導体 12,22・・・・・表層接地導体 13,23・・・・・信号配線接続導体 14,24・・・・・表層信号用貫通導体 15,25・・・・・表層接地用貫通導体 16,26・・・・・表層接地導体非形成領域 32・・・・・内層接地導体 33・・・・・信号用貫通導体接続導体 34・・・・・内層信号用貫通導体 35・・・・・内層接地用貫通導体 36・・・・・内層接地導体非形成領域 41・・・・・枠体 42・・・・・蓋

Claims (13)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】４層以上の誘電体層を積層して成る積層基
   板の最上層および最下層のそれぞれに形成した信号配線
   導体が、互いに一端から逆方向に延びる関係にあり、こ
   れら各信号配線導体の一端と、前記最上層および前記最
   下層の誘電体層を上下に貫く表層信号用貫通導体とを、
   信号配線接続導体を介して接続し、前記最上層および前
   記最下層を除く内層の各層に、平面形状が２軸対称形状
   を成す内層接地導体非形成領域と、内層接地導体とを形
   成し、前記内層接地導体非形成領域には、前記内層の各
   層を上下に貫く内層信号用貫通導体に接続する信号用貫
   通導体接続導体を形成し、前記内層接地導体非形成領域
   の外周部に、前記内層の各層を上下に貫く内層接地用貫
   通導体、および前記表層接地導体と前記内層接地導体と
   の間を上下に貫く表層接地用貫通導体を形成した高周波
   信号伝送用積層構造であって、前記表層信号用貫通導体
   を前記信号配線接続導体の長さが短くなるように直上ま
   たは直下の前記内層接地導体非形成領域の外周部に配置
   したことを特徴とする高周波信号伝送用積層構造。
2. 【請求項２】前記内層信号用貫通導体を前記表層信号用
   貫通導体間で上下なめらかに接続するように順次ずらし
   て配置したことを特徴とする請求項１記載の高周波信号
   伝送用積層構造。
3. 【請求項３】前記内層信号用貫通導体は、上下方向の中
   央に近づくにしたがってずれが小さいことを特徴とする
   請求項２記載の高周波信号伝送用積層構造。
4. 【請求項４】前記内層接地導体非形成領域を、上下なめ
   らかに接続するように順次ずらして配置したことを特徴
   とする請求項１記載の高周波信号伝送用積層構造。
5. 【請求項５】前記内層接地導体非形成領域は、上下方向
   の中央に近づくにしたがってずれが小さいことを特徴と
   する請求項４記載の高周波信号伝送用積層構造。
6. 【請求項６】前記内層接地導体非形成領域を、上下なめ
   らかに接続するように形状を変化させて配置したことを
   特徴とする請求項１記載の高周波信号伝送用積層構造。
7. 【請求項７】前記内層接地導体非形成領域は、上下方向
   の中央に近づくにしたがって形状変化が小さいことを特
   徴とする請求項６記載の高周波信号伝送用積層構造。
8. 【請求項８】前記最上層と最下層の直上または直下の前
   記内層表層接地導体非形成領域は、他の前記内層接地導
   体非形成領域よりも小さいことを特徴とする請求項１記
   載の高周波信号伝送用積層構造。
9. 【請求項９】前記信号配線接続導体の幅は前記信号配線
   導体の幅よりも広くなっていることを特徴とする請求項
   １乃至８記載の高周波信号伝送用積層構造。
10. 【請求項１０】前記信号配線導体から前記表層信号用貫
    通導体までの長さが、前記最上層と最下層の直上または
    直下の前記内層表層接地導体非形成領域の厚み以下であ
    ることを特徴とする請求項１乃至請求項９記載の高周波
    信号伝送用積層構造。
11. 【請求項１１】前記積層基板の上下面のいずれかに表層
    接地導体非形成領域と前記信号配線導体に対し所定間隔
    を有する表層接地導体を形成するとともに、前記信号配
    線接続導体の長さが短くなるように前記信号配線導体を
    前記表層接地導体非形成領域の外周部に配置し、且つ、
    前記表層接地領域が前記信号配線導体を取り囲むことを
    特徴とする請求項１乃至１０記載の高周波信号伝送用積
    層構造。
12. 【請求項１２】前記積層基板の上下面のいずれかに表層
    接地導体非形成領域と前記信号配線導体に対し所定間隔
    を有する表層接地導体とを形成するとともに、前記信号
    配線接続導体の長さが短くなるように前記信号配線導体
    を前記表層接地導体非形成領域の外周部に配置し、且
    つ、前記表層接地導体の全体を前記信号配線接続導体に
    おける前記信号配線導体とは反対側の端よりも前記信号
    配線導体の側に配置してなる請求項１乃至１０記載の高
    周波信号伝送用積層構造。
13. 【請求項１３】請求項１乃至請求項１2記載の高周波信
    号伝送用積層構造を備えた前記積層基板の上面に枠体お
    よび蓋体を設けることにより高周波半導体素子を収容す
    る構造としたことを特徴とする高周波半導体パッケー
    ジ。