JP2003297972A

JP2003297972A - 高周波モジュール

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Publication number: JP2003297972A
Application number: JP2002096584A
Authority: JP
Inventors: Hiroaki Senda; 宏明仙田; Kazuya Ozawa; 一也小沢
Original assignee: Anritsu Corp
Current assignee: Anritsu Corp
Priority date: 2002-03-29
Filing date: 2002-03-29
Publication date: 2003-10-17
Anticipated expiration: 2022-03-29
Also published as: JP3916988B2

Abstract

(57)【要約】【課題】共振構造領域に共振周波数を実用周波数帯域
よりも高域に移動させる。【解決手段】高周波モジュール１は、絶縁性基板４
と、その上に形成される主信号線８と主信号線８の両側
に設けられた一対の接地導体９，９からなるコープレー
ナ型伝送線路５と、主信号線８上に設けられる回路素子
６と、からなるコープレーナ型集積回路３を有する。コ
ープレーナ型集積回路３は絶縁性基板４と接続されて導
電性基台２に実装される。接地導体９と導電性基台２と
の間の共振構造領域２３に誘電体２２が設けられてい
る。誘電体２２が設けられている共振構造領域２３Ｂの
比誘電率は、誘電体２２が設けられていない共振構造領
域２３Ａの比誘電率よりも低い。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、絶縁性基板の上に
形成されたコープレーナ型伝送線路と、その伝送線路上
に設けられる回路素子と、からなるコープレーナ型集積
回路が実装された高周波モジュールに関する。

【０００２】

【従来の技術】集積回路半導体素子、特に砒化ガリウム
電界効果トランジスタ（以下ＧａＡｓＦＥＴと称す）を
能動素子とするマイクロ波集積回路半導体素子（ＧａＡ
ｓ Microwave Monolithic Integrated Circuit,以下Ｇ
ａＡｓＭＭＩＣと称す）は、動作周波数が１ギガヘルツ
（ＧＨｚ）を超える高周波モジュールのキー・コンポー
ネントとして広く利用されている。

【０００３】ＧａＡｓＭＭＩＣは絶縁性基板上に形成さ
れた能動素子例えばＧａＡｓＦＥＴと、信号を伝送する
伝送線路から構成されている。伝送線路としては、従来
は絶縁性基板の表面に信号線、裏面に接地導体を有する
マイクロストリップ型伝送線路が用いられていたが、最
近はオンウエーハでの測定評価が可能なコープレーナ型
伝送線路、即ち絶縁性基板の表面に、信号線と接地導体
の両方を形成した伝送線路が注目され、特に製品レベル
においては広く用いられ始めている。

【０００４】図１０は電力増幅用ＧａＡｓＭＭＩＣ３０
の概略斜視図である。このＧａＡｓＭＭＩＣ３０は、例
えば厚み０．２ｍｍの絶縁性砒化ガリウム基板３１の表
面に、ＧａＡｓＦＥＴ３２と、幅０．０３ｍｍの信号線
３３と該信号線３３の両側に０．０３ｍｍ離れて形成さ
れた一対の接地導体３４と、が形成されて、コープレー
ナ型伝送線路３５を構成する。なお、ＧａＡｓＭＭＩＣ
３０の裏面３６の面積は例えば１．５ｍｍ×３ｍｍであ
る。このＧａＡｓＭＭＩＣ３０の裏面３６には、通常、
ＧａＡｓＭＭＩＣ３０をモジュールの導電性基台に半田
付けするための裏面導体３７が形成されている。

【０００５】図１１は、従来例におけるマイクロ波集積
回路半導体素子（ＧａＡｓＭＭＩＣ３０）の高周波モジ
ュール３８ヘの実装状態を示す斜視図である。

【０００６】ＧａＡｓＭＭＩＣ３０の入出力側に、厚み
０．３ｍｍの誘電体基板３９の表面に形成された幅０．
５ｍｍの信号線４０と該誘電体基板３９の裏面全面に形
成された接地導体４１からなるマイクロストリップ型伝
送線路４２とが、導電性基台４３の上に固定されてい
る。なお、マイクロストリップ型伝送線路４２上には直
流分を遮断するためのキャバシタ、直流電源供給用のイ
ンダクタが設けられるがここでは省略されている。Ｇａ
ＡｓＭＭＩＣ３０は、通常、放熱を考慮して、導電性基
台４３に直接半田付け等により固定される。

【０００７】高周波モジュールにおいては、ＧａＡｓＭ
ＭＩＣ３０の表面のコープレーナ型伝送線路３５の信号
線３３とマイクロストリップ型伝送線路４２の信号線４
０が、また該コープレーナ型伝送線路３５の接地導体３
４と該マイクロストリップ型伝送線路４２の接地導体４
１（導電性基台４３）が金属リボン４４により電気的に
連結され高周波モジュール３８を形成している。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の高周波モジュール３８では、ＧａＡｓＭＭＩＣ
３０を形成するコープレーナ型伝送線路３５の接地導体
３４と裏面導体３７で挟まれた砒化ガリウムＧａＡｓ３
１で満たされた領域、及び、ワイヤー１９をＭＭＩＣ３
０の周囲に無数に渡って密着させて配線したと仮定した
場合のワイヤー１９より内側の領域が、共振器として作
用する（以下、この共振器として作用する領域を共振構
造領域と呼ぶ）。そして、この共振構造領域の形状，比
誘電率で決まる固有の共振が発生し、ＭＭＩＣ３０の伝
送特性上の特定の周波数で電力利得の急激な変化（ディ
ップ）が生じて、出力波形上にいわゆるリンギング等が
生じることを発見した。

【０００９】この原因は以下の様に説明できる。即ち、
従来技術の様にコープレーナ型伝送線路３５の直下（絶
縁性基板の裏面３６）に裏面導体３７がある場合には、
チップ表面に形成されたコープレーナ型伝送線路３５の
接地導体３４と裏面導体３７との間に挟まれた共振構造
領域の寸法，形状及び絶縁性砒化ガリウム基板３１の比
誘電率によって決まる、ある共振点を生じることとな
る。そして、共振周波数においては、通常の伝送モード
とは違う共振モードの電流が各導体表面に流れ、その電
気抵抗による損失が生じる。結果として、通常の伝送モ
ードとは違う伝送ロスが共振点にて生じることとなる。

【００１０】この状態で、ＧａＡｓＭＭＩＣ３０の入出
力に例えば５０Ωの特性インピーダンスを持ったマイク
ロストリップ型伝送線路４２を接続した場合、総ての電
界がコープレーナ型伝送線路３５の信号線３３、接地導
体３４に集中せず、信号線３３及び裏面導体３７間にも
供給されてしまう。すなわち、共振構造領域に入出力路
を接続してしまうこととなり、ある特定の周波数におい
てＧａＡｓＭＭＩＣ３０内で共振状態が生じる。

【００１１】高周波モジュールの周波数特性を見たと
き、その共振周波数での異常な振る舞い、即ち前述の電
力利得の急激な変化（デイップ）が生じる。また、やパ
ルス波形においては、リンギング等が発生する。

【００１２】図１２に従来技術を用いた時の増幅器の場
合の高周波モジュール３８の周波数特性例を示す。図の
様に特定の周波数（約３１ＧＨｚ）で顕著な電力利得の
落ち込み（４ｄＢのデイップ）が生じ、高周波モジュー
ル３８の３ｄＢ帯域幅を約３０ＧＨｚに制限しており、
これは、ＭＭＩＣ本来の特性と共振構造領域の共振特性
が重なり合った特性であることが判明した。したがっ
て、約３１ＧＨｚ付近での共振構造領域での共振の影響
により、高周波モジュール３８の実用周波数帯域が決定
されている。

【００１３】そこで、上記問題点を解消するために、本
発明の目的は、ＭＭＩＣの実装上、やむを得ず生じてし
まう共振構造領域の共振の周波数、レベルを制御するこ
とにより、ＭＭＩＣを実装することにより、ＭＭＩＣが
本来持つ特性の劣化を最小限とし、そのまま高周波モジ
ュールの特性として引き出すことができる高周波モジュ
ールを提供することにある。

【００１４】すなわち、共振構造領域の共振周波数が、
（ユーザーの）必要とする実用周波数帯域内に依存する
場合は、共振構造領域に共振周波数の上昇を招く材料を
設け、この共振周波数を実用周波数帯域よりも高域に移
動させることにある。

【００１５】あるいは、共振構造領域に共振モードの発
生を阻害する材料を設け、この共振による影響の抑制を
図ることにある。また更に、この共振構造領域への入出
力路を断つことにより、この共振による影響を抑制し、
（ユーザーの）必要とする実用周波数帯域の確保を図る
ことにある。

【００１６】

【課題を解決するための手段】次に、上記の課題を解決
するための手段を、実施の形態に対応する図面を参照し
て説明する。

【００１７】請求項１記載の高周波モジュールは、絶縁
性基板４と、該絶縁性基板４上に形成される主信号線８
と該主信号線８の両側に設けられた一対の接地導体９，
９からなるコープレーナ型伝送線路５と、前記主信号線
８上に設けられる回路素子６と、からなるコープレーナ
型集積回路３と、前記絶縁性基板４と接続されて、前記
コープレーナ型集積回路３が実装される導電性基台２
と、を備える高周波モジュールであって、前記接地導体
９と前記導電性基台２との間の共振構造領域２３に誘電
体２２を設けたことを特徴とする。

【００１８】請求項１によれば、共振状態が生じる共振
周波数ｆを高帯域側にシフトすることができ、高周波モ
ジュールの実用周波数帯域を拡張することができる。

【００１９】請求項２記載の高周波モジュールは、請求
項１記載の高周波モジュールにおいて、前記誘電体２２
が設けられている共振構造領域２３Ｂの比誘電率が、前
記誘電体２２が設けられていない共振構造領域２３Ａの
比誘電率よりも低いことを特徴とする。

【００２０】請求項２によれば、高周波モジュールを適
用するデバイスに応じて誘電体２２の比誘電率ｋを適宜
選択することにより、共振周波数ｆを好適な値にシフト
設定することができ、必要とする実用周波数帯域を確保
することができる。

【００２１】請求項３記載の高周波モジュールは、絶縁
性基板４と、該絶縁性基板４上に形成される主信号線８
と該主信号線８の両側に設けられた一対の接地導体９，
９からなるコープレーナ型伝送線路５と、前記主信号線
８上に設けられる回路素子６と、からなるコープレーナ
型集積回路３と、前記絶縁性基板４と接続されて、前記
コープレーナ型集積回路３が実装される導電性基台２
と、を備える高周波モジュールであって、前記接地導体
９と前記導電性基台２との間の共振構造領域２３に電波
吸収体２５を設けたことを特徴とする。

【００２２】請求項３によれば、共振構造領域２３に電
波吸収体２５を設けることにより、共振モードを回避す
ることができ、コープレーナ型集積回路３の本来の実用
周波数帯域を確保することができる。

【００２３】請求項４記載の高周波モジュールは、絶縁
性基板４と、該絶縁性基板上に形成される主信号線８と
該主信号線の両側に設けられた一対の接地導体９，９か
らなるコープレーナ型伝送線路５と、前記主信号線８上
に設けられる回路素子６と、からなるコープレーナ型集
積回路３と、前記絶縁性基板４と接続されて、前記コー
プレーナ型集積回路５が実装される導電性基台２と、を
備える高周波モジュール１であって、該高周波モジュー
ル１の入力端１０及び出力端１１と前記主信号線８とを
接続するとともに、前記接地導体９と前記導電性基台２
とを接続する導電性ワイヤ１９を設け、前記絶縁性基板
４と前記導電性ワイヤ１９との間に電波吸収体２６を設
けたことを特徴とする。

【００２４】請求項４によれば、絶縁性基板４と導電性
ワイヤ１９との間の共振構造領域に電波吸収体２６を設
けることにより、導電性基台２と導電性ワイヤ１９との
間に生じる電界を吸収することができ、特に入出力側の
電波吸収体２６は、共振構造領域への入出力を遮断する
作用によって共振モードの影響を抑制することができ、
必要とするコープレーナ型集積回路３の実用周波数帯域
を確保することができる。

【００２５】

【発明の実施の形態】本発明の高周波モジュールの第一
実施の形態について説明する。図１は、コープレーナ型
集積回路３を導電性基台２に実装した高周波モジュール
を示す概略斜視図である。

【００２６】高周波モジュール１は、導電性基台２に、
例えば電力増幅用ＧａＡｓＭＭＩＣ等のコープレーナ型
集積回路３が実装されたものである。コープレーナ型集
積回路３は、絶縁性基板４と、絶縁性基板４上に形成さ
れるコープレーナ型伝送線路５と、回路素子６と、で構
成される。

【００２７】絶縁性基板４としては、例えば砒化ガリウ
ム（ＧａＡｓ）基板（比誘電率ｋが約１３）が用いら
れ、その表面４ａには、コープレーナ型伝送線路５と回
路素子６が形成されている。裏面４ｂの中央部、即ち、
導電性基台２と直接接していない部分には、裏面導体７
は形成されていない。また裏面４ｂの一部、ここでは、
伝送方向の両端縁４ｃ，４ｃには、図に示すように、導
電性基台２の底面２ａと導電接続するための裏面導体７
が形成されていてもよい。

【００２８】コープレーナ型伝送線路５は、絶縁性基板
４上に形成される主信号線８と、その主信号線８の両側
に設けられた一対の接地導体９，９と、で構成される。
また主信号線８の中央には、例えば、ＧａＡｓＦＥＴ等
の回路素子６が設けられている。

【００２９】導電性基台２は、略コ字状に形成されてい
る。図において、屈曲した左側は入力端１０であり、右
側が出力端１１となる。入力端１０及び出力端１１に
は、各屈曲片を貫通する一対の同軸線路１２，１３が設
けられている。また、入力端１０及び出力端１１側の底
面２ａ上には、例えば厚さ０．３ｍｍの誘電体基板１
４，１５が設けられている。両誘電体基板１４，１５上
には、それぞれ入力端信号線１６及び出力端信号線１８
が形成されており、それぞれ同軸線路１２，１３に接続
されている。

【００３０】入力端信号線１６は、導電性ワイヤとして
の金属リボン１９により、コープレーナ型伝送線路５の
主信号線８の一端と接続されている。また出力端信号線
１８は、金属リボン１９により、コープレーナ型伝送線
路５の主信号線８の他端と接続されている。

【００３１】更に、各接地導体９の入力端の一端は、金
属リボン１９により、絶縁性基板４と入力端１０側の誘
電体基板１４との間における導電性基台２の底面２ａと
電気的に接続されている。また、各接地導体９の他端
は、金属リボン１９により、絶縁性基板４と出力端１１
側の誘電体基板１５との間における導電性基台２の底面
２ａと電気的に接続されている。更に、各接地導体の中
途部は、金属リボン１９（例えば図のように各２本）に
より、導電性基台２の側面と電気的に接続されている。
なお、図示はしないが、他にも適宜、接地導体９と導電
性基台２の間に接続されている。

【００３２】導電性基台２の底面２ａ中途部には、凹部
２０が形成されている。凹部２０の深さは例えば０．５
ｍｍである。凹部２０の開口部には裏面導体７は存在し
ない。凹部２０の開口縁部は、裏面導体７を介して絶縁
性基板４と接続されているか、又は裏面導体７無しで絶
縁基板４と接続されている。また、凹部２０には、誘電
体２２として、例えば、比誘電率ｋ＝１の空気２２ａが
満たされている。すなわち、凹部底面２１と接地導体９
との間の共振構造領域２３（２３Ｂ）が、絶縁性基板４
と凹部２０内の空気２２ａとされている。

【００３３】この共振構造領域２３（２３Ｂ）では、導
電性基台２の底面２ａから接地導体９に向かう電界が生
じており、この電界の影響により、コープレーナ型集積
回路６固有の共振周波数ｆで共振状態となる。なお、共
振周波数ｆについては後述する。

【００３４】また、凹部２０の誘電体２２は空気２２ａ
に限定されることはない。図２は、凹部２０に空気２２
ａ以外の誘電体２２として、例えばダイヤ，ガラスエポ
キシや石英ガラス等の誘電体２２ｂを充填した例であ
る。この場合、絶縁性基板４の裏面４ｂには裏面導体７
には被着されていない。また、絶縁性基板４の両端の導
電性基台２に接する所の裏面導体７の有無は、特性に影
響を与えない。

【００３５】図３は、導電性基台２の凹部開口が、コー
プレーナ型集積回路３の底面よりも広い場合の例であ
る。この場合は、絶縁性基板４を底面２ａで支持するこ
とができないため、絶縁性基板４の裏面４ｂに支柱２４
を設け、凹部底面２１に固着したものである。

【００３６】この支柱２４は、図３では、絶縁性基板４
の裏面４ｂの四隅に設けられている。この場合、絶縁性
基板４の裏面４ｂには裏面導体７には被着されない。な
お、支柱２４の本数は４本に限定されることは無く、コ
ープレーナ型集積回路３が安定して取り付けられていれ
ば、５本以上又は４本未満であってもよい。また、図示
はしないが、絶縁性基板４の裏面４ｂの重心位置に若干
太めの支柱２４を設けて凹部底面２１と接続することと
してもよい。

【００３７】更に、支柱２４は、導体であっても誘電体
であってもよい。支柱が導体の場合、絶縁性基板４と接
する部分には、裏面導体７を有することとしてもよい。
しかしながら、導体部分の割合が多くなるにしたがっ
て、共振周波数を高域側へ移動させる効果は減少するこ
ととなる。

【００３８】また図４は、図３において、凹部２０に、
上述した空気２２ａ以外の誘電体２２として、放熱を考
慮してダイヤ，ガラスエポキシや石英ガラス等の誘電体
２２ｂを設けた例である。この場合、絶縁性基板４の裏
面４ｂには裏面導体７は無い方がよい。裏面導体７があ
る場合は、共振周波数を広域側へ移動させる効果が減少
することとなる。

【００３９】次に、コープレーナ型集積回路３固有の共
振周波数ｆと、接地導体９と導電性基台２との間の共振
構造領域２３との関係について説明する。まず、本発明
者は、この共振周波数を表す計算式が、空洞共振器の計
算式をもってほぼ表現できることに着目した。

【００４０】まず、図１０に示すような、ＭＭＩＣに使
用される絶縁性基板３１の外周の総ての６平面を導電性
の面で覆うと、空洞共振器の構造となり、ここに発生す
る共振周波数ｆは、下記式（１）で表される。

【００４１】

【式１】

【００４２】ここで、ｆは、コープレーナ型集積回路固
有の共振周波数ｆである。ｃは光速、εは真空誘電率で
ある。また、ｘ，ｙ，ｚは直方体の絶縁性基板３１の寸
法であり、ｘは信号の伝送方向幅、ｙは伝送方向に対し
直交する方向の幅，ｚは高さ方向幅である。ｌ，ｍ，ｎ
は任意の整数である。なお、図１２に示すように、この
共振周波数ｆが最小 (図では３１ＧHz）となる基本共振
モードはｘ，ｙ＞ｚのとき、ｌ＝ｍ＝１，ｎ＝０である
ことが知られている。

【００４３】式１は、絶縁性基板３１の６平面が導電性
の面で覆われた場合の空洞共振器の共振周波数の計算式
である。実際の実装においては、絶縁性基板３１の上面
にはコープレーナ回路、側面には導電性の面の代用とな
る最低でも入出力部の４本のワイヤがあり、実際の共振
周波数を算出するには、ワイヤの本数、ワイヤの配線場
所等、関与する多数のパラメータが予想されるが、概
ね、式１の計算結果が使用でき、他のパラメータによる
共振周波数の変動は僅かであることが、実験により確認
されている。

【００４４】ここで、上述した従来例を式１に当ては
め、基本共振モードについて解くと、共振周波数ｆ₁は
式２で求めることができる。

【００４５】

【式２】

【００４６】ここで、ｋ₁は、図１１に示す共振構造領
域２３Ａとしての絶縁性基板３１の比誘電率である。ま
た、ｘ₁，ｙ₁，ｚ₁は、共振構造領域２３Ａとしての
絶縁性基板３１の寸法である。なお、実際のコープレー
ナ型集積回路３では、共振構造領域２３Ａの厚さｚ
₁は、絶縁性基板３１の伝送方向幅ｘ₁及び直交方向幅
ｙ ₁に比べて極めて小さいため、式１にてｎ＝０を代入
することにより式２には現れない。

【００４７】また、実際の実装形態では、図１０及び図
１１に示すように、接地導体３４と、導電性基台４３の
絶縁性基板３１より外側を、ワイヤで接続するため、ｘ
₁，ｙ₁は大きめの値を代入することとなる。

【００４８】したがって、ｘ₁，ｙ₁＞ｚ₁の範囲であ
れば、ｎ＝０となり、式２にｚ₁項が現れないため、共
振構造領域２３Ａの厚みを増すことによる共振周波数ｆ
の変動は起こらない。

【００４９】一方、図１〜図４に示すように、共振構造
領域２３Ｂにおいて、絶縁性基板４の厚み及びその比誘
電率ｋ₁と、絶縁性基板４と導電性基台２との間に挿入
される比誘電体２２の厚み及びその誘電率ｋ₂と、を積
層することによって、下記式３により合成された比誘電
率ｋ₁₂が決まる。この比誘電率ｋ₁₂が小さくなる分、そ
の共振周波数ｆ₁₂が高域側に変動することとなる。

【００５０】

【式３】

【００５１】すなわち、式３よりｋ₁＞ｋ₁₂であれば、
ｆ₁＜ｆ₁₂となるため、図５に示すように、共振周波数
ｆが上昇し、その分ディップが高域に出現することとな
る。図１２と図５を比較すると、誘電体２２（例えば空
気２２ａ）を０．１ｍｍ挿入したことにより、共振周波
数は約６３ＧHzへ移動し、約３０ＧHz付近で制限されて
いた３ｄＢ帯域幅が、ＭＭＩＣの本来の実用周波数帯
域、即ち、３ｄＢ帯域で約５５ＧHzを確保することが可
能となった。

【００５２】なお、共振周波数ｆの高帯域側への移動量
は、挿入する誘電体２２の比誘電率ｋ₂に依存するた
め、誘電体２２を適宜選択して、ｋ₁＞ｋ₁₂とすること
により、共振周波数ｆは高帯域側へシフトされ、具体的
に言えば、高周波モジュール１において電力利得が急激
に落ち込む周波数は、高域側へ移動することになり、実
用周波数帯域をより広く確保することが可能となる。

【００５３】具体例として、比誘電率ｋ₂＝３．６，厚
さ０．２ｍｍの石英ガラス２２ｂを挿入すると共振周波
数ｆ₁₂は５６ＧHzとなる。すなわち、比誘電率ｋ₂は高
くなるほど共振周波数ｆ₁₂の高域への移動量は小さくな
り、ｋ₂＞（２／３）・ｋ₁となると、移動量は５ＧHz
を下回り、十分な効果を得ることができない。

【００５４】次に第二実施の形態について説明する。本
実施の形態は、図２〜図４に示すように、絶縁性基板４
と導電性基台２との間に、誘電体２２に換えて、電波吸
収体２５を設けた例である。

【００５５】電波吸収体２５とは電波を吸収する材料で
あり、導電性基台２から接地導体９に向かう電界を吸収
する。電波吸収体２５は、主に抵抗体タイプと焼結フェ
ライトタイプの２種類がある。

【００５６】図２、図４の場合、この電波吸収体２５を
凹部２０に挿入することにより、導電性基台２から接地
導体９へ向かう電界を吸収することで共振状態が低減さ
れ、また、ワイヤ１９と導電性基台２間に生じた電界も
ＭＭＩＣに供給されると同時に吸収されるため、共振構
造領域２３への入出力を遮断する効果を併せ持つ。この
場合は、特に、絶縁性基板４の底面に裏面導体７が存在
しても、入出力遮断の機能により、ある程度の効果を期
待できる。

【００５７】図６はその結果であり、３１ＧＨｚ近辺の
利得の落ち込み量はＭＭＩＣの本来の特性まで改善さ
れ、３ｄＢ帯域幅として約５５ＧＨｚが達成された。

【００５８】図２、図４の例は、導電性基台２の凹部２
０に電波吸収体２５を完全に埋め込んだ場合であるが、
凹部２０の一部のみに電波吸収体２５（厚みが例えば
０．３ｍｍ）を挿入することも可能である。この場合に
は、改善量は少ないが電波吸収体２５の寸法精度（厚み
精度）が要求されないので、製造上は好ましい。

【００５９】以上のことから、本実施の形態によれば、
実用周波数帯域内に共振周波数ｆが存在していたとして
も、電波吸収体２５の特性により、共振モードを回避す
ることができ、電力利得が急激に落ち込むディップ状の
特性は、実用周波数帯域から除去されることとなる。

【００６０】なお、上述の第二実施の形態では、絶縁性
基板４と導電性基台２との間に電波吸収体２５を設けた
例について述べたが、図７に示すように、絶縁性基板４
側面と金属リボン１９との間の共振構造領域２３に、例
えば板状の電波吸収体２６を設けてもよい。この板状電
波吸収体２６は絶縁性基板４側面に張り付けてもよく、
また、張り付けずに所定の間隔で導電性基台２表面に立
設してもよい。また、図８及び図９に示すように、第二
実施の形態の高周波モジュールに、上述のように、絶縁
性基板４の側面に電波吸収体２６を設けてもよい。

【００６１】これにより、金属リボン１９と導電性基台
２間に生じる電界を吸収することができ、共振構造への
入出力を遮断することにより、実用周波数帯域内でモジ
ュール１のディップの無い増幅特性が得られることとな
る。

【００６２】また、上述したいずれの実施の形態におい
ても、高周波モジュール１の入力端１０として、同軸線
路１２，入力側誘電体基板１４及び入力信号線１６から
なる入力側マイクロストリップ型伝送線路を構成してい
るが、入力側マイクロストリップ型伝送線路を介さず
に、同軸線路１２と主信号線８の一端を直接接続するこ
ととしてもよい。同様に、高周波モジュール１の出力端
１１として、同軸線路１３，出力側誘電体基板１５及び
出力信号線１８からなる出力側マイクロトリップ型伝送
線路を構成しているが、出力側マイクロストリップ型伝
送線路を介さずに、同軸線路１３と主信号線８の他端を
直接接続することとしてもよい。

【００６３】

【発明の効果】以上説明したように、請求項１によれ
ば、共振状態が生じる共振周波数を高帯域側にシフトす
ることができ、高周波モジュールの実用周波数帯域を拡
張することができる。

【００６４】また、請求項２によれば、高周波モジュー
ルを適用するデバイスに応じて誘電体の比誘電率を適宜
選択することにより、共振周波数を好適な値にシフト設
定することができ、必要とする実用周波数帯域を確保す
ることができる。

【００６５】更に、請求項３によれば、共振構造領域に
電波吸収体を設けることにより、共振モードを避け、共
振が生じない本来のコープレーナ型集積回路の実用周波
数帯域を確保することができる。

【００６６】また、請求項４によれば、絶縁性基板と導
電性ワイヤとの間の空隙に電波吸収体を設けることによ
り、導電性基台と導電性ワイヤとの間に生じる電界を吸
収することができ、共振構造領域への入出力を遮断し
て、共振が生じない本来のコープレーナ型集積回路の実
用周波数帯域を確保することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による高周波モジュールの第一実施の形
態を示す斜視図である。

【図２】本発明による高周波モジュールの第一実施の形
態の第一変形例及び第二実施の形態を示す斜視図であ
る。

【図３】本発明による高周波モジュールの第一実施の形
態の第二変形例を示す斜視図である。

【図４】本発明による高周波モジュールの第一実施の形
態の第三変形例及び第二実施の形態の第二変形例を示す
斜視図である。

【図５】本発明による第一実施の形態の高周波モジュー
ルの電力利得の周波数特性を示すグラフである。

【図６】本発明による第二実施の形態の高周波モジュー
ルの電力利得の周波数特性を示すグラフである。

【図７】本発明による高周波モジュールの第二実施の形
態の第一変形例を示す斜視図である。

【図８】本発明による高周波モジュールの第二実施の形
態の第二変形例を示す斜視図である。

【図９】本発明による高周波モジュールの第二実施の形
態の第三変形例を示す斜視図である。

【図１０】従来のＭＭＩＣチップを示す斜視図である。

【図１１】従来の高周波モジュールを示す斜視図であ
る。

【図１２】従来の高周波モジュールの電力利得の周波数
特性を示すグラフである。

【符号の説明】

１…高周波モジュール２…導電性基台３…コープレーナ型集積回路４…絶縁性基板５…コープレーナ型伝送線路６…回路素子８…主信号線９…接地導体１０…入力端１１…出力端１９…導電性ワイヤ２２（２２ａ，２２ｂ）…誘電体２３（２３Ａ，２３Ｂ）…共振構造領域２５，２６…電波吸収体ｆ，ｆ₁，ｆ₁₂…共振周波数ｋ，ｋ₁，ｋ₂，ｋ₁₂…比誘電率

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】絶縁性基板（４）と、該絶縁性基板上に
形成される主信号線（８）と該主信号線の両側に設けら
れた一対の接地導体（９，９）からなるコープレーナ型
伝送線路（５）と、前記主信号線上に設けられる回路素
子（６）と、からなるコープレーナ型集積回路（３）
と、前記コープレーナ型集積回路が実装される導電性基台
（２）と、を備える高周波モジュールであって、前記接地導体と前記導電性基台との間の共振構造領域
（２３）に誘電体（２２）を設けたことを特徴とする高
周波モジュール。
【請求項２】前記誘電体が設けられている共振構造領
域（２３Ｂ）の比誘電率が、前記誘電体が設けられてい
ない共振構造領域（２３Ａ）の比誘電率よりも低いこと
を特徴とする請求項１記載の高周波モジュール。
【請求項３】絶縁性基板（４）と、該絶縁性基板上に
形成される主信号線（８）と該主信号線の両側に設けら
れた一対の接地導体（９，９）からなるコープレーナ型
伝送線路（５）と、前記主信号線上に設けられる回路素
子（６）と、からなるコープレーナ型集積回路（３）
と、前記絶縁性基板と接続されて、前記コープレーナ型集積
回路が実装される導電性基台（２）と、を備える高周波
モジュールであって、前記接地導体と前記導電性基台との間の共振構造領域
（２３）に電波吸収体（２５）を設けたことを特徴とす
る高周波モジュール。
【請求項４】絶縁性基板（４）と、該絶縁性基板上に
形成される主信号線（８）と該主信号線の両側に設けら
れた一対の接地導体（９，９）からなるコープレーナ型
伝送線路（５）と、前記主信号線上に設けられる回路素
子（６）と、からなるコープレーナ型集積回路（３）
と、前記絶縁性基板と接続されて、前記コープレーナ型集積
回路が実装される導電性基台（２）と、を備える高周波
モジュールであって、該高周波モジュールの入力端（１０）及び出力端（１
１）と前記主信号線とを接続するとともに、前記接地導
体と前記導電性基台とを接続する導電性ワイヤ（１９）
を設け、前記絶縁性基板と前記導電性ワイヤとの間に電波吸収体
（２６）を設けたことを特徴とする高周波モジュール。