JP2003304595A - ダイヤフラム型トランスデューサ - Google Patents
ダイヤフラム型トランスデューサInfo
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- JP2003304595A JP2003304595A JP2002107614A JP2002107614A JP2003304595A JP 2003304595 A JP2003304595 A JP 2003304595A JP 2002107614 A JP2002107614 A JP 2002107614A JP 2002107614 A JP2002107614 A JP 2002107614A JP 2003304595 A JP2003304595 A JP 2003304595A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 圧電定数の電圧依存性を低く抑えたダイヤフ
ラム型トランスデューサを提供することを目的とする。 【解決手段】 シリコンからなる支持体１１上に下部電
極１４、この下部電極１４上に圧電薄膜１５、この圧電
薄膜１５上に上部電極１６を設け、上記支持体１１と下
部電極１４との間または上記上部電極１６上のいずれか
に設けた振動体層１３からなるダイヤフラム型トランス
デューサにおいて、上記圧電薄膜１５の結晶配向が（０
０１）方位の菱面体晶構造からなるダイヤフラム型トラ
ンスデューサであり、圧電定数の電圧依存性を低く抑え
た圧電薄膜１５を設けたことによりダイヤフラム型トラ
ンスデューサの特性を向上させる。
ラム型トランスデューサを提供することを目的とする。 【解決手段】 シリコンからなる支持体１１上に下部電
極１４、この下部電極１４上に圧電薄膜１５、この圧電
薄膜１５上に上部電極１６を設け、上記支持体１１と下
部電極１４との間または上記上部電極１６上のいずれか
に設けた振動体層１３からなるダイヤフラム型トランス
デューサにおいて、上記圧電薄膜１５の結晶配向が（０
０１）方位の菱面体晶構造からなるダイヤフラム型トラ
ンスデューサであり、圧電定数の電圧依存性を低く抑え
た圧電薄膜１５を設けたことによりダイヤフラム型トラ
ンスデューサの特性を向上させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は各種電子機器に使用
されるスピーカ、ブザー、マイクロホン等のダイヤフラ
ム型トランスデューサに関するものである。
されるスピーカ、ブザー、マイクロホン等のダイヤフラ
ム型トランスデューサに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】携帯電話やいわゆるコードレスホン等に
使用される圧電型トランスデューサは、円板形のケース
本体の内部に圧電振動体を設けたものであり、この圧電
振動体は真鍮や燐青銅等の金属薄板からなる円板状のシ
ム材の一方又は両方の主面にシム材より小さい形状の圧
電素子を貼り付けたユニモルフまたはバイモルフ構造で
構成されている。
使用される圧電型トランスデューサは、円板形のケース
本体の内部に圧電振動体を設けたものであり、この圧電
振動体は真鍮や燐青銅等の金属薄板からなる円板状のシ
ム材の一方又は両方の主面にシム材より小さい形状の圧
電素子を貼り付けたユニモルフまたはバイモルフ構造で
構成されている。
【０００３】図７は従来のダイヤフラム型トランスデュ
ーサの構造を示す断面図である。
ーサの構造を示す断面図である。
【０００４】図７に示すように金属振動板１は導電ペー
スト８とリード線６より駆動電源７に接続され、圧電振
動子２の上部電極４も同様に導電ペースト８とリード線
６より駆動電源７に接続され、駆動電源７よりリード線
６を通して金属振動板１および圧電振動子２の上部電極
４に電圧が印加され、その結果、圧電振動子２に機械的
応力（振動）が生じ、この振動が圧電振動子２に密着す
る金属振動板１へ伝播し、可聴音域の音が再生されると
いう仕組みになっている。尚３は圧電振動体であり、ケ
ース５により支持されている。
スト８とリード線６より駆動電源７に接続され、圧電振
動子２の上部電極４も同様に導電ペースト８とリード線
６より駆動電源７に接続され、駆動電源７よりリード線
６を通して金属振動板１および圧電振動子２の上部電極
４に電圧が印加され、その結果、圧電振動子２に機械的
応力（振動）が生じ、この振動が圧電振動子２に密着す
る金属振動板１へ伝播し、可聴音域の音が再生されると
いう仕組みになっている。尚３は圧電振動体であり、ケ
ース５により支持されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、圧電薄
膜からなる圧電振動子２を用いたダイヤフラム型トラン
スデューサにおいて、圧電振動子２に印加する駆動電圧
が大きくなるに従い圧電定数が高くなり圧電定数に電圧
依存性が生じ、ダイヤフラム型トランスデューサの特性
が劣化するという課題があった。
膜からなる圧電振動子２を用いたダイヤフラム型トラン
スデューサにおいて、圧電振動子２に印加する駆動電圧
が大きくなるに従い圧電定数が高くなり圧電定数に電圧
依存性が生じ、ダイヤフラム型トランスデューサの特性
が劣化するという課題があった。
【０００６】例えばダイヤフラム型トランスデューサを
スピーカとして使用した場合、印加する駆動電圧と音圧
が非線形となり、再生音に大きな歪を生じてしまうもの
であった。
スピーカとして使用した場合、印加する駆動電圧と音圧
が非線形となり、再生音に大きな歪を生じてしまうもの
であった。
【０００７】本発明は上記従来の課題を解決するもの
で、圧電定数の電圧依存性を低い状態で保持したダイヤ
フラム型トランスデューサを提供するものである。
で、圧電定数の電圧依存性を低い状態で保持したダイヤ
フラム型トランスデューサを提供するものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、以下の構成を有するものである。
めに、以下の構成を有するものである。
【０００９】本発明の請求項１に記載の発明は、シリコ
ンからなる支持体上に下部電極、この下部電極上に圧電
薄膜、この圧電薄膜上に上部電極を設け、上記支持体と
下部電極との間または上記上部電極上のいずれかに設け
た振動体層からなるダイヤフラム型トランスデューサに
おいて、上記圧電薄膜の結晶配向が（００１）方位の菱
面体晶構造からなるダイヤフラム型トランスデューサで
あり、圧電定数の電圧依存性を低く抑えることができ
る。
ンからなる支持体上に下部電極、この下部電極上に圧電
薄膜、この圧電薄膜上に上部電極を設け、上記支持体と
下部電極との間または上記上部電極上のいずれかに設け
た振動体層からなるダイヤフラム型トランスデューサに
おいて、上記圧電薄膜の結晶配向が（００１）方位の菱
面体晶構造からなるダイヤフラム型トランスデューサで
あり、圧電定数の電圧依存性を低く抑えることができ
る。
【００１０】請求項２に記載の発明は、下部電極または
振動体層のいずれかと支持体の間に絶縁層を設けた請求
項１に記載のダイヤフラム型トランスデューサであり、
シリコンからなる支持体と下部電極または振動体層との
絶縁ができシリコンからなる基板からの影響を受けなく
なる。
振動体層のいずれかと支持体の間に絶縁層を設けた請求
項１に記載のダイヤフラム型トランスデューサであり、
シリコンからなる支持体と下部電極または振動体層との
絶縁ができシリコンからなる基板からの影響を受けなく
なる。
【００１１】請求項３に記載の発明は、シリコンからな
る支持体の表面を熱酸化してＳｉＯ 2層の絶縁層および
振動体層を設けた請求項２に記載のダイヤフラム型トラ
ンスデューサであり、上記ＳｉＯ2層を絶縁層および振
動体層として用いたことにより振動体層の工程の簡略化
と構造の簡素化が図れる。
る支持体の表面を熱酸化してＳｉＯ 2層の絶縁層および
振動体層を設けた請求項２に記載のダイヤフラム型トラ
ンスデューサであり、上記ＳｉＯ2層を絶縁層および振
動体層として用いたことにより振動体層の工程の簡略化
と構造の簡素化が図れる。
【００１２】請求項４に記載の発明は、下部電極が白金
とチタンの合金またはイリジウムとチタンの合金のいず
れかからなる請求項１に記載のダイヤフラム型トランス
デューサであり、下部電極をアニール処理して白金の表
面にチタン酸化物を形成することで圧電薄膜の結晶配向
を（００１）方位に形成でき圧電定数の圧電依存性を低
く抑えることができる。
とチタンの合金またはイリジウムとチタンの合金のいず
れかからなる請求項１に記載のダイヤフラム型トランス
デューサであり、下部電極をアニール処理して白金の表
面にチタン酸化物を形成することで圧電薄膜の結晶配向
を（００１）方位に形成でき圧電定数の圧電依存性を低
く抑えることができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】（実施の形態１）以下、本発明の
実施の形態１におけるダイヤフラム型トランスデューサ
について図を用いて説明する。
実施の形態１におけるダイヤフラム型トランスデューサ
について図を用いて説明する。
【００１４】図１は本発明の実施の形態１におけるダイ
ヤフラム型トランスデューサの構造を示す断面図、図２
（ａ）〜（ｆ）は製造プロセスを示す工程図である。
ヤフラム型トランスデューサの構造を示す断面図、図２
（ａ）〜（ｆ）は製造プロセスを示す工程図である。
【００１５】図１において、１７はシリコンから形成さ
れる枠状の支持体、１２はこの支持体１７上の全面に形
成されたＳｉＯ2層からなる絶縁層、１３はこの絶縁層
１２上に形成されたクロム、タングステン、銅等からな
る振動体層、１４はこの振動体層１３上に形成された白
金とチタンの合金またはイリジウムとチタンの合金から
なる下部電極、１５はこの下部電極１４上に形成された
ＰＺＴからなる圧電薄膜、１６はこの圧電薄膜１５の上
面の一部に形成された上部電極であり、これらでダイヤ
フラム型トランスデューサを構成している。
れる枠状の支持体、１２はこの支持体１７上の全面に形
成されたＳｉＯ2層からなる絶縁層、１３はこの絶縁層
１２上に形成されたクロム、タングステン、銅等からな
る振動体層、１４はこの振動体層１３上に形成された白
金とチタンの合金またはイリジウムとチタンの合金から
なる下部電極、１５はこの下部電極１４上に形成された
ＰＺＴからなる圧電薄膜、１６はこの圧電薄膜１５の上
面の一部に形成された上部電極であり、これらでダイヤ
フラム型トランスデューサを構成している。
【００１６】この構成において、振動体層１３または下
部電極１４と上部電極１６に駆動電源から電圧を印加す
ることによって絶縁層１２から上部電極１６までの積層
体からなる圧電振動体が振動して所定の音を再生するよ
うになっている。
部電極１４と上部電極１６に駆動電源から電圧を印加す
ることによって絶縁層１２から上部電極１６までの積層
体からなる圧電振動体が振動して所定の音を再生するよ
うになっている。
【００１７】次に上記ダイヤフラム型トランスデューサ
の製造プロセスについて図２（ａ）〜（ｆ）を用いて説
明する。
の製造プロセスについて図２（ａ）〜（ｆ）を用いて説
明する。
【００１８】図２（ａ）に示すようにダイヤフラム型ト
ランスデューサはシリコンからなる基板１１の上に熱酸
化、ＣＶＤ、スパッタによりＳｉＯ2層からなる絶縁層
１２を形成し、図２（ｂ）に示すように絶縁層１２の上
にクロム、タングステン、銅等のいずれかからなる振動
体層１３を形成する。なお、図２（ａ）に示すＳｉＯ 2
層からなる絶縁層１２はシリコンからなる基板１１から
の絶縁と振動体層１３に用いることができ、図２（ｂ）
に示すように振動体層１３の工程の簡略化と構造の簡素
化が図れる。
ランスデューサはシリコンからなる基板１１の上に熱酸
化、ＣＶＤ、スパッタによりＳｉＯ2層からなる絶縁層
１２を形成し、図２（ｂ）に示すように絶縁層１２の上
にクロム、タングステン、銅等のいずれかからなる振動
体層１３を形成する。なお、図２（ａ）に示すＳｉＯ 2
層からなる絶縁層１２はシリコンからなる基板１１から
の絶縁と振動体層１３に用いることができ、図２（ｂ）
に示すように振動体層１３の工程の簡略化と構造の簡素
化が図れる。
【００１９】次に図２（ｃ）に示すように振動体層１３
の上に蒸着、スパッタにより白金とチタンの合金または
イリジウムとチタンの合金からなる下部電極１４を形成
する。この合金のチタン含有量は１５％以下が望ましく
白金とチタンの合金またはイリジウムとチタンの合金の
いずれかからなる下部電極１４の表面に温度３００℃程
度のアニール処理によりチタン酸化物を形成し、図２
（ｄ）に示すように下部電極１４の上にスパッタ、蒸着
によりＰＺＴからなる圧電薄膜１５を形成する。この圧
電薄膜１５はチタン酸化物上に形成されるため結晶配向
が（００１）方位とすることができ、さらに結晶配向が
（００１）方位とする菱面体晶を得るためにＰＺＴから
なる圧電薄膜１５の場合はＭＰＢ（モノトロピックフェ
ーズバウンダリー）よりジルコニア含有量が少ない組成
のＰＺＴを用いる。
の上に蒸着、スパッタにより白金とチタンの合金または
イリジウムとチタンの合金からなる下部電極１４を形成
する。この合金のチタン含有量は１５％以下が望ましく
白金とチタンの合金またはイリジウムとチタンの合金の
いずれかからなる下部電極１４の表面に温度３００℃程
度のアニール処理によりチタン酸化物を形成し、図２
（ｄ）に示すように下部電極１４の上にスパッタ、蒸着
によりＰＺＴからなる圧電薄膜１５を形成する。この圧
電薄膜１５はチタン酸化物上に形成されるため結晶配向
が（００１）方位とすることができ、さらに結晶配向が
（００１）方位とする菱面体晶を得るためにＰＺＴから
なる圧電薄膜１５の場合はＭＰＢ（モノトロピックフェ
ーズバウンダリー）よりジルコニア含有量が少ない組成
のＰＺＴを用いる。
【００２０】次に図２（ｅ）に示すように圧電薄膜１５
の上にメタルマスクを用いて上部電極１６を蒸着して所
定のパターンを形成し、図２（ｆ）に示すようにシリコ
ンからなる基板１１をエッチングして所定の形状の支持
体１７に形成する。
の上にメタルマスクを用いて上部電極１６を蒸着して所
定のパターンを形成し、図２（ｆ）に示すようにシリコ
ンからなる基板１１をエッチングして所定の形状の支持
体１７に形成する。
【００２１】図３に結晶配向が（００１）方位した菱面
体晶構造の圧電薄膜１５の分極構造を示す。分極は８方
向に取り得るが（００１）方位と分極軸とがなす角度は
５４．７°である。
体晶構造の圧電薄膜１５の分極構造を示す。分極は８方
向に取り得るが（００１）方位と分極軸とがなす角度は
５４．７°である。
【００２２】例えば（１１１）方位の菱面体晶構造の圧
電薄膜１５を分極処理すると（１１１）、（−１１
１）、（１−１１）、（１１−１）の４つの分極軸のみ
を持ち、この圧電薄膜１５に印加する電圧を高くしてい
くと（−１１１）、（１−１１）、（１１−１）の分極
が（１１１）方位に回転し始め圧電定数も大きくなる。
電薄膜１５を分極処理すると（１１１）、（−１１
１）、（１−１１）、（１１−１）の４つの分極軸のみ
を持ち、この圧電薄膜１５に印加する電圧を高くしてい
くと（−１１１）、（１−１１）、（１１−１）の分極
が（１１１）方位に回転し始め圧電定数も大きくなる。
【００２３】一方（００１）方位の菱面体晶構造の圧電
薄膜１５を分極処理すると（１１１）、（−１１１）、
（１−１１）、（−１−１１）の４つの分極軸のみ持
ち、この４つの分極状態は（００１）方位に対して等価
（分極軸との角度がすべて５４．７°）であるため圧電
定数の電圧依存性を低く抑えることができる。
薄膜１５を分極処理すると（１１１）、（−１１１）、
（１−１１）、（−１−１１）の４つの分極軸のみ持
ち、この４つの分極状態は（００１）方位に対して等価
（分極軸との角度がすべて５４．７°）であるため圧電
定数の電圧依存性を低く抑えることができる。
【００２４】図４（ａ）に従来の圧電薄膜１５に印加す
る電圧と圧電定数の関係を示し、図４（ｂ）に本発明の
実施の形態１の圧電薄膜に印加する電圧と圧電定数の関
係を示す。
る電圧と圧電定数の関係を示し、図４（ｂ）に本発明の
実施の形態１の圧電薄膜に印加する電圧と圧電定数の関
係を示す。
【００２５】この結果より圧電薄膜１５の結晶配向が
（００１）方位の菱面体晶構造とすることにより圧電定
数の電圧依存性を低く抑えることができこの圧電薄膜１
５を設けたダイヤフラム型トランスデューサの特性を向
上させることができる。
（００１）方位の菱面体晶構造とすることにより圧電定
数の電圧依存性を低く抑えることができこの圧電薄膜１
５を設けたダイヤフラム型トランスデューサの特性を向
上させることができる。
【００２６】（実施の形態２）以下、本発明の実施の形
態２におけるダイヤフラム型トランスデューサについて
図を用いて説明する。
態２におけるダイヤフラム型トランスデューサについて
図を用いて説明する。
【００２７】図５は本発明の実施の形態２におけるダイ
ヤフラム型トランスデューサの構造を示す断面図、図６
（ａ）〜（ｆ）は製造プロセスを示す工程図である。
ヤフラム型トランスデューサの構造を示す断面図、図６
（ａ）〜（ｆ）は製造プロセスを示す工程図である。
【００２８】図５において、実施の形態１の図１に示す
ものと異なる点は、支持体１７上の全面に形成した絶縁
層１２に下部電極１４、圧電薄膜１５、上部電極１６を
設け、この上に振動体層１３を形成した積層構成を変え
たところにある。
ものと異なる点は、支持体１７上の全面に形成した絶縁
層１２に下部電極１４、圧電薄膜１５、上部電極１６を
設け、この上に振動体層１３を形成した積層構成を変え
たところにある。
【００２９】この構成としても実施の形態１と同様の動
作をさせることができる。
作をさせることができる。
【００３０】また、この構成のダイヤフラム型トランス
デューサの製造プロセスについて図６（ａ）〜（ｆ）を
用いて説明する。
デューサの製造プロセスについて図６（ａ）〜（ｆ）を
用いて説明する。
【００３１】図６（ａ）に示すようにダイヤフラム型ト
ランスデューサはシリコンからなる基板１１の上に熱酸
化、ＣＶＤ、スパッタによりＳｉＯ2層からなる絶縁層
１２を形成し、図６（ｂ）に示すように絶縁層１２の上
に蒸着、スパッタにより白金とチタンの合金またはイリ
ジウムとチタンの合金からなる下部電極１４を形成す
る。この合金のチタン含有量は１５％以下が望ましく白
金とチタンの合金またはイリジウムとチタンの合金のい
ずれかからなる下部電極１４では温度３００℃程度のア
ニール処理により白金表面にチタン酸化物を形成するこ
とで下部電極１４の上に形成し、図６（ｃ）に示すよう
に下部電極１４の上にスパッタ、蒸着によりＰＺＴから
なる圧電薄膜１５の結晶配向を（００１）方位とする菱
面体晶構造に配列するように形成する。
ランスデューサはシリコンからなる基板１１の上に熱酸
化、ＣＶＤ、スパッタによりＳｉＯ2層からなる絶縁層
１２を形成し、図６（ｂ）に示すように絶縁層１２の上
に蒸着、スパッタにより白金とチタンの合金またはイリ
ジウムとチタンの合金からなる下部電極１４を形成す
る。この合金のチタン含有量は１５％以下が望ましく白
金とチタンの合金またはイリジウムとチタンの合金のい
ずれかからなる下部電極１４では温度３００℃程度のア
ニール処理により白金表面にチタン酸化物を形成するこ
とで下部電極１４の上に形成し、図６（ｃ）に示すよう
に下部電極１４の上にスパッタ、蒸着によりＰＺＴから
なる圧電薄膜１５の結晶配向を（００１）方位とする菱
面体晶構造に配列するように形成する。
【００３２】さらに結晶配向が（００１）方位とする菱
面体晶を得るためにＰＺＴからなる圧電薄膜１５の場合
はＭＰＢ（モノトロピックフェーズバウンダリー）より
ジルコニア含有量が少ない組成のＰＺＴを用いる。図６
（ｄ）に示すように圧電薄膜１５の上にメタルマスクを
用いて上部電極１６を蒸着し所定のパターンを形成し、
図６（ｅ）に示すように上部電極１６の上にクロム、タ
ングステン、銅等からなる振動体層１３を形成し、図６
（ｆ）に示すようにシリコンからなる基板１１をエッチ
ングにより所定の形状の支持体１７に形成することで実
施の形態１と同様の効果を引き出すことができる。
面体晶を得るためにＰＺＴからなる圧電薄膜１５の場合
はＭＰＢ（モノトロピックフェーズバウンダリー）より
ジルコニア含有量が少ない組成のＰＺＴを用いる。図６
（ｄ）に示すように圧電薄膜１５の上にメタルマスクを
用いて上部電極１６を蒸着し所定のパターンを形成し、
図６（ｅ）に示すように上部電極１６の上にクロム、タ
ングステン、銅等からなる振動体層１３を形成し、図６
（ｆ）に示すようにシリコンからなる基板１１をエッチ
ングにより所定の形状の支持体１７に形成することで実
施の形態１と同様の効果を引き出すことができる。
【００３３】
【発明の効果】以上のように本発明のダイヤフラム型ト
ランスデューサは構成されるため、圧電定数の電圧依存
性を低く抑えることができこの圧電薄膜を設けたダイヤ
フラム型トランスデューサの特性を向上させることがで
きる。
ランスデューサは構成されるため、圧電定数の電圧依存
性を低く抑えることができこの圧電薄膜を設けたダイヤ
フラム型トランスデューサの特性を向上させることがで
きる。
【図１】本発明の実施の形態１におけるダイヤフラム型
トランスデューサを示す断面図
トランスデューサを示す断面図
【図２】（ａ）〜（ｆ）本発明の実施の形態１における
ダイヤフラム型トランスデューサの製造プロセスを示す
工程図
ダイヤフラム型トランスデューサの製造プロセスを示す
工程図
【図３】本発明の内装される圧電薄膜の結晶配向（００
１）方位の菱面体晶構造の分極構造を説明する説明図
１）方位の菱面体晶構造の分極構造を説明する説明図
【図４】（ａ）従来の圧電薄膜の印加電圧と圧電定数の
特性図 （ｂ）本発明の圧電薄膜の印加電圧と圧電定数の特性図
特性図 （ｂ）本発明の圧電薄膜の印加電圧と圧電定数の特性図
【図５】本発明の実施の形態２におけるダイヤフラム型
トランスデューサの構造を示す断面図
トランスデューサの構造を示す断面図
【図６】（ａ）〜（ｆ）本発明の実施の形態２における
ダイヤフラム型トランスデューサの製造プロセスを示す
工程図
ダイヤフラム型トランスデューサの製造プロセスを示す
工程図
【図７】従来のダイヤフラム型トランスデューサの構造
を示す断面図
を示す断面図
１１ シリコンからなる基板
１２ 絶縁層
１３ 振動体層
１４ 下部電極
１５ 圧電薄膜
１６ 上部電極
１７ シリコンからなる支持体
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０４Ｒ 31/00 Ｈ０１Ｌ 41/18 １０１Ｚ
Claims (4)
- 【請求項１】 シリコンからなる支持体上に下部電極、
この下部電極上に圧電薄膜、この圧電薄膜上に上部電極
を設け、上記支持体と下部電極との間または上記上部電
極上のいずれかに設けた振動体層からなるダイヤフラム
型トランスデューサにおいて、上記圧電薄膜の結晶配向
が（００１）方位の菱面体晶構造からなるダイヤフラム
型トランスデューサ。 - 【請求項２】 支持体と下部電極または振動体層のいず
れかとの間に絶縁層を設けた請求項１に記載のダイヤフ
ラム型トランスデューサ。 - 【請求項３】 シリコンからなる支持体の表面を熱酸化
して形成したＳｉＯ2層の絶縁層および振動体層を設け
た請求項２に記載のダイヤフラム型トランスデューサ。 - 【請求項４】 下部電極が白金とチタンの合金またはイ
リジウムとチタンの合金のいずれかからなる請求項１に
記載のダイヤフラム型トランスデューサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002107614A JP3945292B2 (ja) | 2002-04-10 | 2002-04-10 | ダイヤフラム型トランスデューサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2002107614A JP3945292B2 (ja) | 2002-04-10 | 2002-04-10 | ダイヤフラム型トランスデューサ |
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