JP2003308976A - 発光装置 - Google Patents

発光装置

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JP2003308976A JP2003033891A JP2003033891A JP2003308976A JP 2003308976 A JP2003308976 A JP 2003308976A JP 2003033891 A JP2003033891 A JP 2003033891A JP 2003033891 A JP2003033891 A JP 2003033891A JP 2003308976 A JP2003308976 A JP 2003308976A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 TFT基板の作製工程で、カラーフィルター
層を同じ合わせ精度で作り込むことも考えられるが、そ
の耐熱温度は200℃程度であるので、TFTにおける
450℃程度のプロセス温度に耐えることができなかっ
た。 【解決手段】 透光性の電極と非透光性の電極とから成
る一対の電極間に発光性を有する有機化合物層が形成さ
れた発光素子とTFTとがマトリクス状に配列して画素
部が形成され、各画素に対応して設けられるカラーフィ
ルターの着色層は、発光素子とTFTとの間にある無機
又は有機材料から成る平坦化絶縁膜の平坦面に接して設
けられ、隣接する着色層の境界領域は、TFTに信号を
送るゲート信号線又はデータ線と重畳して設けられ、透
光性の電極は着色層の内側に重畳して設けられているも
のである。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、有機化合物から成
る層(以下、有機化合物層という)を有する発光素子を
備えた発光装置の作製方法に関し、特に多色表示機能に
関する。
【0002】
【従来の技術】一対の電極間に有機化合物層を介在させ
た発光素子を用いた自発光型の表示装置は視野角が広
く、視認性も優れることから次世代の表示装置として注
目されている。
【0003】発光素子の発光機構は、一対の電極の一方
である陽極から注入された正孔と、他方である陰極から
注入された電子とが発光性有機化合物層(発光層)で再
結合して励起子を形成し、その励起子が基底状態に戻る
時に光を放出する現象として考えられている。この発光
は電界発光(エレクトロルミネッセンス)と呼ばれてい
る。電界発光には蛍光と燐光とがあり、それらは励起状
態における一重項状態からの発光(蛍光)と、三重項状
態からの発光(燐光)がある。発光による輝度は数千〜
数万cd/m2におよぶことから、原理的に表示装置等への
応用が可能であると考えられている。
【0004】このような発光素子において、通常、有機
薄膜は1μmを下回るほどの薄膜で形成される。また、発
光素子は、有機薄膜そのものが光を放出する自発光型の
素子であるため、従来の液晶ディスプレイに用いられて
いるようなバックライトも必要ない。したがって、発光
素子は極めて薄型軽量に作製できることが大きな利点で
ある。
【0005】また、アクティブマトリクス駆動と呼ばれ
る方式は、各画素毎に薄膜トランジスタ(TFT)を設
け、発光素子の発光を個々に制御することにより高精細
でクロストークのない画像表示を可能としていた。
【0006】カラー表示をする方式においては、発光層
の材料又は添加物を異ならせ、各画素毎に発光色を赤、
緑、青の異ならせて配列させる方式と、白色光を発する
発光素子を用い、カラーフィルターと組み合わせる方式
などが知られていた。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかし、カラーフィル
ターと、発光素子を各画素に設けた画素マトリクスとを
別々に形成すると、両者を高い精度で位置合わせをして
組み立てることが必要であり、この精度が低い場合には
実際上の開口率が低下するという問題があった。
【0008】勿論、TFT基板の作製工程で、カラーフ
ィルターの着色層を同じ合わせ精度で作り込むことも考
えられるが、その耐熱温度は200℃程度であるので、
TFTにおける450℃程度のプロセス温度に耐えるこ
とができなかった。
【0009】また、カラーフィルターの着色層を形成す
る際に用いるカラーレジストと呼ばれる材料はかなり高
価な材料であり、TFT工程とカラーフィルター工程と
の歩留まりが積算されるようなプロセスは、製造コスト
の増加要因となり適していないという問題点があった。
【0010】本発明は、このような問題点を解決するも
のであり、高精細で且つ製造コストの低減を可能とする
発光装置を提供することを目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに、本発明の構成は、基板上にTFTと、カラーフィ
ルターの着色層と、一対の電極間に発光性を有する有機
化合物層が形成された発光素子とを有した発光装置であ
り、カラーフィルターの着色層はTFT上の無機又は有
機材料で形成される絶縁膜の平坦面上に形成され、発光
素子の発光は該着色層を通して放射されるものである。
【0012】本発明は、基板上に形成されたTFTを覆
う無機又は有機材料から成る平坦化絶縁膜が形成され、
絶縁膜の平坦面上にカラーフィルターの着色層が設けら
れ、着色層上に一対の電極間に発光性を有する有機化合
物層が形成された発光素子が設けられ、発光素子の発光
は着色層を通して放射されるものである。
【0013】本発明は、基板上に形成されたTFTを覆
う無機又は有機材料から成る平坦化絶縁膜が形成され、
絶縁膜の平坦面上にカラーフィルターの着色層が設けら
れ、着色層上に一対の電極間に発光性を有する有機化合
物層が形成された発光素子が設けられ、TFTと発光素
子は、絶縁膜及び着色層を貫通する配線により電気的に
接続され、発光素子の発光は着色層を通して放射される
ものである。
【0014】本発明は、一対の電極間に発光性を有する
有機化合物層が形成された発光素子とTFTとがマトリ
クス状に配列して画素部が形成され、各画素に対応して
設けられるカラーフィルターの着色層は、発光素子とT
FTとの間にある無機又は有機材料から成る平坦化絶縁
膜の平坦面に接して設けられ、隣接する着色層の境界領
域は、TFTに信号を送るゲート信号線又はデータ線と
重畳して設けられているものである。
【0015】本発明は、透光性の電極と非透光性の電極
とから成る一対の電極間に発光性を有する有機化合物層
が形成された発光素子とTFTとがマトリクス状に配列
して画素部が形成され、各画素に対応して設けられるカ
ラーフィルターの着色層は、発光素子とTFTとの間に
ある無機又は有機材料から成る平坦化絶縁膜の平坦面に
接して設けられ、隣接する着色層の境界領域は、TFT
に信号を送るゲート信号線又はデータ線と重畳して設け
られ、透光性の電極は着色層の内側に重畳して設けられ
ているものである。
【0016】無機又は有機材料から成る平坦化絶縁膜は
酸化珪素などの無機絶縁膜、又はポリイミド、アクリル
などで形成する。着色層はこの平坦化絶縁膜上に形成し
ても良いし、その間に窒化珪素などの無機絶縁膜を介在
させても良い。カラーフィルターの着色層上には各画素
毎に個別電極として形成する透光性電極(陽極)を形成
する。また、この透光性電極(陽極)と着色層との間に
窒化珪素膜などの無機絶縁膜を形成しても良い。
【0017】発光素子はこの透光性電極(陽極)を一方
の電極として有機化合物層を積層させ、さらにその上層
に透光性電極(陽極)と対向する他方の電極を形成す
る。このような発光素子の構造とすることで発光は透光
性電極(陽極)側から放射され、即ちカラーフィルター
の着色層を透過させて外部に取り出すことができる。
【0018】隣接する着色層の境界領域は、画素部に配
設されるゲート信号線又はデータ線号線と重畳する位置
に設け、配線を遮光膜として利用することができ、開口
率を向上させることができる。
【0019】有機化合物層は、陽極側にある正孔注入輸
送層、陰極側にある電子注入輸送層、発光層等を適宜組
み合わせた構造である。正孔注入輸送層又は電子注入輸
送層は、電極からの正孔又は電子の注入効率と、輸送性
(移動度)が特に重要な特性として着目されるものであ
るが、さらに発光層としての機能も兼ね備えた発光性電
子注入輸送層などを組み合わせても良い。
【0020】これらの各層を形成する有機化合物は、短
分子系有機化合物と高分子系有機化合物の両者が知られ
ている。短分子系有機化合物の一例は、正孔注入輸送層
として銅フタロシアニン(CuPc)芳香族アミン系材
料であるα−NPD(4,4'-ビス-[N-(ナフチル)-N-フェ
ニル-アミノ]ビフェニル)やMTDATA(4,4',4"-ト
リス(N-3-メチルフェニル-N-フェニル-アミノ)トリフェ
ニルアミン)、電子注入輸送層又は発光性電子注入輸送
層としてトリス−8−キノリノラトアルミニウム錯体
(Alq3)等が知られている。高分子有機発光材料で
は、ポリアニリンやポリチオフェン誘導体(PEDO
T)等が知られている。
【0021】カラーフィルターの着色層は、樹脂バイン
ダー中の顔料、染料を分散させたものを塗布法により形
成し、光露光工程を用いて所定のパターンに形成する。
この場合、無機又は有機材料から成る平坦化面上にカラ
ーフィルターの着色層を各色毎に形成することにより、
高い位置合わせ精度をもって各着色層を配列させること
ができる。
【0022】また、アルカリ水溶性現像液でパターン形
成する着色層は、平坦化絶縁層にコンタクトホールを形
成する前に配列させることにより、アルカリ成分や顔
料、染料などにより半導体膜が汚染されることがない。
【0023】また、平坦化膜と着色層との間に窒化珪素
などの無機絶縁膜を介在させることにより、着色層に含
まれる顔料などの成分がTFT側に拡散するのを防ぐこ
とができる。また、この透光性電極(陽極)と着色層と
の間に窒化珪素膜などの無機絶縁膜を形成することによ
り、発光素子側に着色層に含まれる顔料などの成分が拡
散するのを防ぐことができる。
【0024】また、カラーフィルターの着色層の表面を
研磨し平坦化を行っても良い。これにより、カラーフィ
ルターの歩留まりを向上させると同時に、その上に形成
する透光性電極(陽極)表面の平坦性を向上させること
ができ、発光素子の短絡を防止することができる。
【0025】いずれにしても、平坦化層上にカラーフィ
ルターの着色層を形成することにより、この段階で着色
層のピンホール検査などをすることができ、所定の基準
に達しないものは着色層を剥離して再加工することがで
きる。剥離の方法は、溶剤で洗浄除去しても良いし、機
械的に研磨して削り落としても良い。いずれにしても平
坦化膜があることで、TFTにダメージを与えることな
く再加工を施すことができる。
【0026】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して詳細に説明する。図5は基板900には画素
部902、ゲート信号側駆動回路901a、901b、
データ信号側駆動回路901c、入出力端子部935、
配線又は配線群917が備えられた発光装置の一形態を
示している。シールパターン940はゲート信号線側駆
動回路901a、901b、データ信号線側駆動回路9
01c及び当該駆動回路部と入力端子とを接続する配線
又は配線群917と一部が重なっていても良い。このよ
うにすると、表示パネルの額縁領域(画素部の周辺領
域)の面積を縮小させることができる。外部入力端子部
には、FPC936が固着されている。
【0027】画素部902はTFTと発光素子が画素毎
に設けられ、それがマトリクス状に配列して構成された
ものである。その画素の上面図を図6に示す。尚、図6
は説明のため、発光素子を形成する各層及び隔壁層は省
略して示している。
【0028】図6はR(赤)、G(緑)、B(青)カラ
ー表示を行う画素配列の一例であり、R画素10、G画
素20、B画素30の配列を示している。各画素にはT
FT13、23、33と配線110〜112によってT
FTと接続する透光性電極(陽極)113〜115が設
けられている。カラーフィルターの着色層107〜10
9(Rフィルター107、Gフィルター108、Bフィ
ルター109)はゲート信号線(走査信号線)102〜
104より上層であり、データ信号線11、12、2
1、22、31よりも下層側に形成されている。そし
て、隣接する各着色層の境界領域は、ゲート信号線及び
データ線号線と重畳して設けられている。また、透光性
電極113〜115は、各着色層107〜109の内側
に重畳して設けられている。この画素構造において、A
−A'線に対応する縦断面図を図1に示す。
【0029】図1において、R画素10、G画素20、
B画素30にはTFT13、23、33と、発光素子1
5、25、35が備えられ、その間に無機又は有機材料
で形成される平坦化絶縁膜105が形成されている。平
坦化絶縁膜105は平坦な表面を有し、その表面上にカ
ラーフィルターの着色層107〜109が形成されてい
る。カラーフィルターの着色層は、樹脂バインダー中の
顔料、染料を分散させたものを塗布法により形成し、光
露光工程を用いて所定のパターンに形成したものであ
る。
【0030】この着色層107〜109と平坦化絶縁膜
105との間には、窒化珪素などのバリア性の絶縁膜1
06を形成しておく。これにより、着色層に含まれる顔
料などの成分がTFT側に拡散するのを防ぐことができ
る。また、アルカリ水溶性現像液でパターン形成する際
に、平坦化絶縁膜105やその下層のTFTがアルカリ
成分で劣化するのを防ぐことができる。さらに、無機又
は有機材料から成る平坦化面上にカラーフィルターの着
色層を各色毎に形成することにより、高い位置合わせ精
度をもって各着色層を配列させることができる。尚、こ
こでいうバリア性絶縁膜の機能は、イオン性不純物、水
分、金属不純物、アルカリ金属などを遮蔽し拡散を阻止
する機能を有している。
【0031】また、平坦化絶縁膜105とTFT13、
23、33の間には窒化珪素、窒酸化珪素、窒化アルミ
ニウム、窒酸化アルミニウムから選ばれた材料で形成さ
れる無機絶縁膜103が形成される。これによりカラー
フィルターの着色層の成分などがTFT内に拡散するの
を防ぐことができる。
【0032】発光素子15、25、35は、それそれ透
光性電極(陽極)113〜115と非透光性電極(陰
極)119との間に発光性を有する有機化合物層118
を形成したものである。透光性電極(陽極)113〜1
15は酸化インジウムスズ(ITO)、酸化亜鉛(Zn
O)、酸化インジウム亜鉛(IZO)など透光性導電膜
を抵抗加熱蒸着法で形成する。非透光性電極(陰極)1
18はアルカリ金属又はアルカリ土類金属のフッ化物な
どで形成する。
【0033】有機化合物層は様々な構成が可能である
が、陽極側にある正孔注入輸送層、陰極側にある電子注
入輸送層、発光層等を適宜組み合わせた構造となってい
る。正孔注入輸送層又は電子注入輸送層は、電極からの
正孔又は電子の注入効率と、輸送性(移動度)が特に重
要な特性として着目されるものであるが、さらに発光層
としての機能も兼ね備えた発光性電子注入輸送層なども
あるとされている。
【0034】これらの有機発光媒体又は各有機層は1種
又は複数種の有機材料によって形成されるが、有機発光
材料と電子注入輸送性材料及び又は正孔注入輸送材料と
の混合物や、当該混合物若しくは有機発光材料又は金属
錯体を分散させた高分子材料などで形成されていれば良
い。
【0035】これらの各層を形成する有機化合物は、短
分子系有機化合物と高分子系有機化合物の両者が知られ
ている。短分子系有機化合物の一例は、正孔注入輸送層
として銅フタロシアニン(CuPc)芳香族アミン系材
料であるα−NPD(4,4'-ビス-[N-(ナフチル)-N-フェ
ニル-アミノ]ビフェニル)やMTDATA(4,4',4"-ト
リス(N-3-メチルフェニル-N-フェニル-アミノ)トリフェ
ニルアミン)、電子注入輸送層又は発光性電子注入輸送
層としてトリス−8−キノリノラトアルミニウム錯体
(Alq3)等が知られている。高分子系有機化合物材
料では、ポリアニリンやポリチオフェン誘導体(PED
OT)等が適用できる。
【0036】高分子系有機化合物材料で発光層を形成す
る場合には、π共役系材料を用いる。代表的な材料とし
ては、ポリパラフェニレンビニレン(PPV)系、ポリ
ビニルカルバゾール(PVK)系、ポリフルオレン系な
どである。具体的には、R画素にシアノポリフェニレン
ビニレン、G画素にシアノポリフェニレンビニレン、B
画素にシアノポリフェニレンビニレン又はポリアルキル
フェニレンを用いれば良い。尚、以上の材料は発光層と
して適用できる一例でありこれに限定される必要はな
い。勿論、白色の発光する材料で発光層を形成しても良
い。
【0037】白色発光を得る方法は、光の3原色である
R(赤)G(緑)B(青)の各色を発光する発光層を積
層して加法混色する方式と、2色の補色の関係を利用す
る方式とがある。補色を用いる場合には、青−黄色又は
青緑−橙色の組み合わせが知られている。特に、後者の
方が比較的視感度の高い波長領域の発光を利用できる点
で有利であると考えられている。
【0038】白色発光を呈する発光素子の一例は、一対
の陰極と陽極の間に、電子注入輸送層、赤色発光層、緑
色発光層、正孔輸送層、青色発光層、第2電極を積層し
た構造である。正孔輸送層として1,2,4-トリアゾール誘
導体(p−EtTAZ)、緑色発光層として用いるトリ
ス(8−キノリラト)アルミニウム(Alq3)、青色
発光層としてTPDの青色にAlq3の緑色が混ざった
青緑色の発光が得る。この発光に赤色を加え白色発光を
実現するには赤色発光層としてAlq3かTPDのどち
らかに赤色発光色素をドープすれば良い。赤色発光色素
としてはナイルレッドなどを適用することができる。
【0039】また、他の構成として、電子注入輸送層、
電子輸送層、発光層、正孔輸送層、正孔注入輸送層とす
ることもできる。この場合適した材料の組み合わせは、
電子注入輸送層としてAlq3を用い、電子輸送層とし
てフェニルアントラセン誘導体を形成する。発光層はテ
トラアリールベンジジン誘導体とフェニルアントラセン
誘導体とが体積比1:3で混合し、且つスチリルアミン
誘導体を3体積%含ませる第1発光層と、テトラアリー
ルベンジジン誘導体と10,10'−ビス[2-ビフェニルイル]
−9,9'−ビアンスリル(フェニルアントラセン誘導体)
とを体積比1:3で混合し、且つナフタセン誘導体を3
重量%含ませる第2発光層とを積層させた構成とする。
正孔輸送層はN,N,N',N'−テトラキス−(3-ビフェニル-
1-イル)ベンジジン(テトラアリールベンジジン誘導
体)を形成し、正孔注入層としてN,N'−ジフェニル-N,
N'−ビス[N-フェニル-N-4-トリル(4-アミノフェニ
ル)]ベンジジンを形成する。
【0040】また、他の構成として、電子注入輸送層と
して電子輸送性の高いAlq3を用い、その上に高分子
系有機発光媒体を用い、TAZ及びPVK(ポリ(N-ビ
ニルカルバゾール))を形成した3層構造とする。注入
された電子及び正孔の再結合はPVKで起こり、短波長
にピークを持つカルバゾール基が励起され発光する。こ
れに長波長光の発光を加えるために適当な色素をドープ
すると白色発光を得ることができる。例えば、1,1,4,4-
テトラフェニル-1,3-ブタジエニン(TPB)を2〜3m
ol%ドープすることにより450nmの発光が得られ、緑
や赤もクマリン6やDCM1をドープすることにより得
ることができる。いずれにしても白色発光を得るには多
種の色素をPVK中にドープして可視光域全体をカバー
すれば良い。この構造において、電子注入輸送層203
を無機電子注入輸送層を用いても良い。無機電子輸送層
としてはn型化したダイヤモンドライクカーボン(DL
C)を適用することができる。DLC膜のn型化には燐
などを適宜ドープすれば良い。その他に、アルカリ金属
元素、アルカリ土類金属元素、及びランタノイド系元素
から選択される一種の酸化物と、Zn、Sn、V、R
u、Sm、Inから選択される1種以上の無機材料を適
用することができる。
【0041】また、他の構成として、4,4'-ビス-[N-(ナ
フチル)-N-フェニル-アミノ]ビフェニル(α−NPD)
のみから成る正孔注入輸送層を形成し、その上にα−N
PDと電子輸送性材料であるBAlqを混合させた発光
層を形成し、その上にBAlqのみから成る電子注入輸
送層を形成した構成としても良い。この発光層は青色の
発光をするので、第2の発光材料として黄色蛍光色素で
あるルブレンを添加した領域を形成する。これにより白
色発光を得ることができる。
【0042】いずれにしても、視覚的に自然な白色発光
を実現し、より高品質な多色表示をしようとする場合に
は、各色に発光する有機発光素子とカラーフィルターの
組み合わせを最適化して色バランスを考慮する必要があ
る。また、発光輝度が経時変化する場合に対応して駆動
回路側で便宜を図る必要がある。
【0043】2色の補色の関係を利用する方式では、青
−黄色又は青緑−橙色の組み合わせが通常適用されるの
で、それぞれに色の光を発光する有機発光素子が経時変
化により劣化することにより色バランスが崩れるといっ
た問題点がある。また、それぞれの有機発光素子の発光
効率が違うので、同じ駆動電圧又は駆動電流を印加する
のでは色バランスが崩れるといった問題点がある。
【0044】通常はカラーフィルターの着色層の厚さを
変えて透過光量を制御したり、画素の面積を変えて光量
を制御したりする方法がある。しかし、着色層の厚さを
変える場合には数μmの割合でその厚さを変える必要が
あり、対向基板として固着する場合に平坦化膜を厚くす
るかシール材の厚さを厚くする必要があり、封止構造に
おける信頼性を損なう可能性がある。また、画素の面積
を変える場合には、TFTの配置やサイズに制限があ
り、面積を有効に活用できないという弊害がある。
【0045】隔壁層116は隣接する画素を分離するた
めのものであり、また透光性電極113〜115の端部
で発光素子が短絡不良を起こすのを防いでいる。この形
態において適した有機化合物層の構成は、PEDOT/
PSSのような導電性ポリマー117を全面に塗布し、
その上に発光層を含む有機化合物層118を形成したも
のである。この場合、導電性ポリマー117の厚さ形状
は、隔壁116の影響によりその上部で薄く、隔壁層1
16の端部(即ち、隔壁層と透光性電極の接する部分)
で厚くなる。これにより隔壁層上部における横方向の抵
抗が高くなり、クロストークを防ぐことができる。さら
に当該端部近傍においてが厚くなるため、電界集中を緩
和し、画素端部からの劣化を防ぐことができる。またこ
こにPEDOT/PSSのような導電性ポリマーを用い
ることにより、正孔注入特性が改善され、発光効率を向
上させることができる。
【0046】そして、発光素子15、25、35は、配
線110〜112は、着色層107〜109、平坦化絶
縁膜105、106を貫通してTFT13、23、33
とそれぞれ接続している。
【0047】さらに非透光性電極119上には保護膜1
20を窒化珪素又はダイヤモンドライクカーボン、水素
化又はハロゲン化された、アモルファスカーボン(a−
C:H)膜、アモルファスシリコン(a−Si)膜、ダ
イヤモンドライクカーボン(DLC)膜、アモルファス
窒化シリコン膜などで被覆すると共に、これらの被膜を
プラズマCVD法により形成して、プラズマ中の水素又
はハロゲンにより有機化合物層を水素又はハロゲン化し
て欠陥を補償し、安定化させることができる。
【0048】発光素子で発光する光は、カラーフィルタ
ーの着色層を透過して、基板101側から放射され視認
することができる。基板は発光光を透過するものであれ
ば様々なものが適用可能である。ガラスでは市販されて
いる無アルカリガラスなどの透明ガラスが好ましく、表
面を酸化珪素膜で被覆したアルカリガラスを適用するこ
ともできる。プラスチックを用いる場合には、ポリエチ
レンナフタレート(PEN)、ポリエチレンテレフタレ
ート(PET)、ポリエーテルサルフォン(PES)、
透光性のポリイミドなどを適用することができる。その
他、透光性アルミナ、ZnS焼結体などの透明セラミッ
クを適用することもできる。基板の形態は板状物、フィ
ルム状物、シート状物のいずれの形態であっても良く、
単層構造又は積層構造のいずれの構造を有していても良
い。
【0049】発光性を有する有機化合物層を発光させる
場合、その分光スペクトルは比較的広い波長範囲に渡っ
て分布して色純度が低下する。これを補正するためにカ
ラーフィルターを用いることで、その色純度を向上させ
ることが可能となる。勿論、発光素子が白色に発光する
場合には、このカラーフィルターによりカラー表示を行
うことができる。さらに、カラーフィルターを設けるこ
とで、非透光性電極の光反射により、図5で示すような
形態の発光装置において、画素部が鏡面化するのを防ぐ
ことができる。
【0050】図4は図1の構成において、バリア性の絶
縁膜121を着色層107〜109上に形成した例を示
している。着色層上にバリア性の絶縁膜121を形成す
ることにより、以降の工程において着色層に傷が付きに
くくなり、また顔料成分が発光素子に拡散して素子を劣
化させるのを防ぐことができる。
【0051】一方、カラーフィルターの着色層の表面に
は微細な突起や、隣接する着色層どうしが重なり合う境
界領域は、その厚さが他の領域より厚くなり凸部が形成
される。特に前者が発光素子形成領域上、即ち画素面内
にあるとそれに起因して短絡不良、黒点不良など好まし
くない現象が発生し、特に高精細の表示画面を形成する
場合においては表示品質の低下をもたらす原因となる。
【0052】図2(A)は、無機又は有機絶縁材料によ
る平坦化絶縁膜105及びバリア性の絶縁膜106上に
着色層107〜109が形成され、前述の突起や凸部が
形成された状態を示している。前述の突起や凸部を除去
するためには、着色層を形成した後、機械的研磨、又は
スラリーなどを併用して化学的機械研磨により突起や凸
部を取り除いてしまうことが望ましい。図2(B)は研
磨後の状態を示している。
【0053】この状態で着色層のピンホール、ひび割
れ、欠け、パターンずれなどの検査を行い、不良品を選
別して再加工を行うことができる。
【0054】その後、図3(A)に示すように窒化珪素
などで形成するバリア性の無機絶縁膜121を、シリコ
ンをターゲットとした高周波スパッタリング法で形成す
る。この窒化珪素膜を形成することで、着色層に含まれ
る顔料などの不純物が発光素子の有機化合物層に拡散
し、素子特性を劣化させるのを防ぐことができる。
【0055】図3(B)は発光素子まで形成した状態で
あり、その構成は図1と同様である。差異として、PE
DOT/PSSのような導電性ポリマー117上に形成
する発光層を含む有機化合物層118を、赤色発光用有
機化合物層130、緑色発光用有機化合物層131、青
色発光用有機化合物層132と個別に形成しても良い。
非透光性電極(陰極)119と保護膜120の構成は図
1と同様である。
【0056】
【発明の効果】以上のように本発明において発光装置が
基板上にTFT、カラーフィルター、発光素子が組み合
わされ一体形成され、最高温度プロセスはTFTの構成
部材である半導体層を結晶化させる600℃程度の温
度、又は水素化を行う350〜450℃の温度であり、
即ち平坦化膜の形成前である。従って、耐熱性が200
℃程度しかないカラーフィルターの着色層は何ら問題な
く作り込むことができる。また、TFT工程とカラーフ
ィルター工程との歩留まりが積算されることなく、高精
細で且つ製造コストの低減を可能とする発光装置を提供
することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明のカラーフィルター着色層を備えた発
光装置の構成を示す縦断面図。
【図2】 本発明のカラーフィルター着色層を備えた発
光装置の作製工程を示す縦断面図。
【図3】 本発明のカラーフィルター着色層を備えた発
光装置の作製工程を示す縦断面図。
【図4】 本発明のカラーフィルター着色層を備えた発
光装置の構成を示す縦断面図。
【図5】 発光装置の構成を示す上面図。
【図6】 本発明のカラーフィルター着色層を備えた発
光装置の画素の構成を示す上面図。

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】基板上に薄膜トランジスタと、カラーフィ
    ルターの着色層と、一対の電極間に発光性を有する有機
    化合物層が形成された発光素子とを有し、前記カラーフ
    ィルターの着色層は、前記薄膜トランジスタの上層にお
    いて無機又は有機材料で形成される絶縁膜の平坦面上に
    形成され、前記発光素子の発光は、前記着色層を通して
    放射されることを特徴とする発光装置。
  2. 【請求項2】基板上に薄膜トランジスタを覆う無機又は
    有機材料から成る平坦化絶縁膜が形成され、前記絶縁膜
    の平坦面上にカラーフィルターの着色層が設けられ、前
    記着色層上に、一対の電極間に発光性を有する有機化合
    物層が形成された発光素子が設けられ、前記発光素子の
    発光は、前記着色層を通して放射されることを特徴とす
    る発光装置。
  3. 【請求項3】基板上に薄膜トランジスタを覆う無機又は
    有機材料から成る平坦化絶縁膜が形成され、前記絶縁膜
    の平坦面上にカラーフィルターの着色層が設けられ、前
    記着色層上に、一対の電極間に発光性を有する有機化合
    物層が形成された発光素子が設けられ、前記薄膜トラン
    ジスタと前記発光素子は、前記絶縁膜及び着色層を貫通
    する配線により電気的に接続され、前記発光素子の発光
    は、前記着色層を通して放射されることを特徴とする発
    光装置。
  4. 【請求項4】一対の電極間に発光性を有する有機化合物
    層が形成された発光素子と薄膜トランジスタとがマトリ
    クス状に配列して画素部が形成され、各画素に対応して
    設けられるカラーフィルターの着色層は、前記発光素子
    と薄膜トランジスタとの間にある無機又は有機材料から
    成る平坦化絶縁膜の平坦面に接して設けられ、隣接する
    着色層の境界領域は、前記薄膜トランジスタに信号を送
    るゲート信号線又はデータ信号線と重畳して設けられて
    いることを特徴とする発光装置。
  5. 【請求項5】透光性の電極と非透光性の電極とから成る
    一対の電極間に発光性を有する有機化合物層が形成され
    た発光素子と薄膜トランジスタとがマトリクス状に配列
    して画素部が形成され、各画素に対応して設けられるカ
    ラーフィルターの着色層は、前記発光素子と薄膜トラン
    ジスタとの間にある無機又は有機材料から成る平坦化絶
    縁膜の平坦面に接して設けられ、隣接する着色層の境界
    領域は、前記薄膜トランジスタに信号を送るゲート信号
    線又はデータ信号線と重畳して設けられ、前記透光性の
    電極は、前記着色層の内側に重畳して設けられているこ
    とを特徴とする発光装置。
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Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006171739A (ja) * 2004-12-10 2006-06-29 Samsung Sdi Co Ltd 有機電界発光素子および有機電界発光素子の製造方法
JP2006252775A (ja) * 2005-03-07 2006-09-21 Ricoh Co Ltd ディスプレイ装置
KR100755398B1 (ko) 2004-05-21 2007-09-04 엘지전자 주식회사 유기전계발광표시소자 및 그 제조방법
JP2010040520A (ja) * 2008-07-10 2010-02-18 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置及び電子機器
US7675078B2 (en) 2005-09-14 2010-03-09 Chunghwa Picture Tubes, Ltd. Pixel structure
US7687153B2 (en) 2003-11-29 2010-03-30 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Donor substrate for laser transfer and organic electroluminescence display device manufactured using the same
KR20130074655A (ko) * 2011-12-26 2013-07-04 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
JP2015109190A (ja) * 2013-12-04 2015-06-11 株式会社ジャパンディスプレイ 有機エレクトロルミネッセンス表示装置
US9553114B2 (en) 2013-10-18 2017-01-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device with a color filter
JP2019145509A (ja) * 2009-10-21 2019-08-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2020205263A (ja) * 2004-05-20 2020-12-24 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
JP2022060491A (ja) * 2010-04-16 2022-04-14 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置

Cited By (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7687153B2 (en) 2003-11-29 2010-03-30 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Donor substrate for laser transfer and organic electroluminescence display device manufactured using the same
US11683952B2 (en) 2004-05-20 2023-06-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element and display device
JP2020205263A (ja) * 2004-05-20 2020-12-24 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
KR100755398B1 (ko) 2004-05-21 2007-09-04 엘지전자 주식회사 유기전계발광표시소자 및 그 제조방법
JP2006171739A (ja) * 2004-12-10 2006-06-29 Samsung Sdi Co Ltd 有機電界発光素子および有機電界発光素子の製造方法
JP2006252775A (ja) * 2005-03-07 2006-09-21 Ricoh Co Ltd ディスプレイ装置
US7675078B2 (en) 2005-09-14 2010-03-09 Chunghwa Picture Tubes, Ltd. Pixel structure
KR20150055099A (ko) * 2008-07-10 2015-05-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광장치 및 전자기기
KR102042037B1 (ko) 2008-07-10 2019-11-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광장치 및 전자기기
US9006965B2 (en) 2008-07-10 2015-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and electronic device using the same
JP2014041836A (ja) * 2008-07-10 2014-03-06 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置および電子機器
US12191312B2 (en) 2008-07-10 2025-01-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and electronic device using the same
JP2015159125A (ja) * 2008-07-10 2015-09-03 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
KR101553691B1 (ko) * 2008-07-10 2015-09-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광장치
KR101656843B1 (ko) * 2008-07-10 2016-09-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광장치 및 전자기기
TWI852730B (zh) * 2008-07-10 2024-08-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 發光裝置以及使用該發光裝置的電子裝置
KR101811782B1 (ko) * 2008-07-10 2018-01-25 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광장치 및 전자기기
KR20180114968A (ko) * 2008-07-10 2018-10-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광장치 및 전자기기
KR101910451B1 (ko) 2008-07-10 2018-10-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광장치 및 전자기기
TWI813984B (zh) * 2008-07-10 2023-09-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 發光裝置以及使用該發光裝置的電子裝置
KR20190086057A (ko) * 2008-07-10 2019-07-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광장치 및 전자기기
JP2010040520A (ja) * 2008-07-10 2010-02-18 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置及び電子機器
KR102040563B1 (ko) 2008-07-10 2019-11-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광장치 및 전자기기
KR20190125529A (ko) * 2008-07-10 2019-11-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광장치 및 전자기기
US8760046B2 (en) 2008-07-10 2014-06-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and electronic device using the same
US10483288B2 (en) 2008-07-10 2019-11-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and electronic device using the same
US10529741B2 (en) 2008-07-10 2020-01-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and electronic device using the same
KR102078248B1 (ko) 2008-07-10 2020-02-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광장치 및 전자기기
KR20200018716A (ko) * 2008-07-10 2020-02-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광장치 및 전자기기
KR102112799B1 (ko) 2008-07-10 2020-05-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광장치 및 전자기기
US11631702B2 (en) 2008-07-10 2023-04-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and electronic device using the same
US10916567B2 (en) 2008-07-10 2021-02-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and electronic device using the same
KR102383642B1 (ko) 2008-07-10 2022-04-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광장치 및 전자기기
KR20210074420A (ko) * 2008-07-10 2021-06-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광장치 및 전자기기
US10957714B2 (en) 2009-10-21 2021-03-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Analog circuit and semiconductor device
JP2019145509A (ja) * 2009-10-21 2019-08-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US12199104B2 (en) 2009-10-21 2025-01-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Analog circuit and semiconductor device
JP2022060491A (ja) * 2010-04-16 2022-04-14 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
KR20130074655A (ko) * 2011-12-26 2013-07-04 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR101950830B1 (ko) 2011-12-26 2019-04-26 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
US9553114B2 (en) 2013-10-18 2017-01-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device with a color filter
JP2015109190A (ja) * 2013-12-04 2015-06-11 株式会社ジャパンディスプレイ 有機エレクトロルミネッセンス表示装置

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