JP2003309205A - セラミックパッケージ - Google Patents
セラミックパッケージInfo
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- JP2003309205A JP2003309205A JP2002111492A JP2002111492A JP2003309205A JP 2003309205 A JP2003309205 A JP 2003309205A JP 2002111492 A JP2002111492 A JP 2002111492A JP 2002111492 A JP2002111492 A JP 2002111492A JP 2003309205 A JP2003309205 A JP 2003309205A
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- Japan
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- ceramic package
- cavity
- semiconductor element
- ceramic
- mounting
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 取り付け部材に対してキャビティダウン型に
表面実装方式で接合できる安価なセラミックパッケージ
を提供する。 【解決手段】 一方を開口とする箱型形状のキャビティ
部11を設け、取り付け部材21に表面実装方式で取り
付けるためのメタライズパターンからなる外部接続端子
13を有するセラミックパッケージ10、10a、10
bにおいて、キャビティ部11の開口の外周内縁部に、
半導体素子17が実装され気密に封止する蓋体19を接
合するための絶縁体からなる段差部12を有し、しか
も、開口側の表面に取り付け部材21にキャビティダウ
ン型に接合するための外部接続端子13を有する。
表面実装方式で接合できる安価なセラミックパッケージ
を提供する。 【解決手段】 一方を開口とする箱型形状のキャビティ
部11を設け、取り付け部材21に表面実装方式で取り
付けるためのメタライズパターンからなる外部接続端子
13を有するセラミックパッケージ10、10a、10
bにおいて、キャビティ部11の開口の外周内縁部に、
半導体素子17が実装され気密に封止する蓋体19を接
合するための絶縁体からなる段差部12を有し、しか
も、開口側の表面に取り付け部材21にキャビティダウ
ン型に接合するための外部接続端子13を有する。
Description
【0001】
【発明が属する技術分野】本発明は、キャビティ部に半
導体素子を気密に封止するためのセラミックパッケージ
に係り、より詳細には、取り付け部材に表面実装方式で
取り付けるセラミックパッケージに関する。
導体素子を気密に封止するためのセラミックパッケージ
に係り、より詳細には、取り付け部材に表面実装方式で
取り付けるセラミックパッケージに関する。
【0002】
【従来の技術】従来より、セラミックパッケージは、例
えば、アルミナ(Al2O3)等からなるシート状のセ
ラミックグリーンシートに、上、下層の導通を形成する
ためのビア導体や、表面に配線パターン導体を印刷して
メタライズパターンを形成したり、キャビティ部用の孔
を穿設したりして、複数枚を重ね合わせて積層し、焼成
して形成している。
えば、アルミナ(Al2O3)等からなるシート状のセ
ラミックグリーンシートに、上、下層の導通を形成する
ためのビア導体や、表面に配線パターン導体を印刷して
メタライズパターンを形成したり、キャビティ部用の孔
を穿設したりして、複数枚を重ね合わせて積層し、焼成
して形成している。
【0003】図5(A)〜(D)に示すように、このよ
うに形成したセラミックパッケージ50には、キャビテ
ィ部51に半導体素子52が取り付けられ、ボンディン
グワイヤ53で接続して半導体素子52とセラミックパ
ッケージ50に形成されたワイヤボンディングパッドと
を導通状態にしている。そして、キャビティ部51を気
密に封止するために、通常、次の4通の方法が採られて
いる。(1)キャビティ部51の中を封止樹脂54で満
たして気密に封止する(図5(A)参照)。(2)セラ
ミック板、樹脂板、金属板等からなる蓋体55をセラミ
ックパッケージ50の上表面にガラス56で接合してキ
ャビティ部51内を気密に封止する(図5(B)参
照)。(3)セラミック板や、金属板からなる蓋体55
aをセラミックパッケージ50の上表面に形成されたメ
タライズパターンにAu−Sn等のろう材57で接合し
てキャビティ部51内を気密に封止する(図5(C)参
照)。(4)薄い金属板からなる蓋体55bをセラミッ
クパッケージ50の上表面にろう付け接合して形成され
た金属製のシールリング58にシーム溶接59をして接
合しキャビティ部51内を気密に封止する(図5(D)
参照)。
うに形成したセラミックパッケージ50には、キャビテ
ィ部51に半導体素子52が取り付けられ、ボンディン
グワイヤ53で接続して半導体素子52とセラミックパ
ッケージ50に形成されたワイヤボンディングパッドと
を導通状態にしている。そして、キャビティ部51を気
密に封止するために、通常、次の4通の方法が採られて
いる。(1)キャビティ部51の中を封止樹脂54で満
たして気密に封止する(図5(A)参照)。(2)セラ
ミック板、樹脂板、金属板等からなる蓋体55をセラミ
ックパッケージ50の上表面にガラス56で接合してキ
ャビティ部51内を気密に封止する(図5(B)参
照)。(3)セラミック板や、金属板からなる蓋体55
aをセラミックパッケージ50の上表面に形成されたメ
タライズパターンにAu−Sn等のろう材57で接合し
てキャビティ部51内を気密に封止する(図5(C)参
照)。(4)薄い金属板からなる蓋体55bをセラミッ
クパッケージ50の上表面にろう付け接合して形成され
た金属製のシールリング58にシーム溶接59をして接
合しキャビティ部51内を気密に封止する(図5(D)
参照)。
【0004】そして、半導体素子52がキャビティ部内
に気密に封止されたセラミックパッケージ50は、キャ
ビティ部51を上向きにしたキャビティアップ型にし
て、セラミックパッケージ50の底面に形成されたメタ
ライズパターンからなる外部接続端子60で、プリント
回路基板等の樹脂ボードからなる取り付け部材61に、
半田を介して接合される。なお、外部接続端子60はセ
ラミックパッケージ50に形成された配線パターンによ
ってワイヤボンディングパッドと導通状態にあるので、
半導体素子52と電気的導通状態となっており、更に、
取り付け部材61と半導体素子52とが導通状態となっ
ている。
に気密に封止されたセラミックパッケージ50は、キャ
ビティ部51を上向きにしたキャビティアップ型にし
て、セラミックパッケージ50の底面に形成されたメタ
ライズパターンからなる外部接続端子60で、プリント
回路基板等の樹脂ボードからなる取り付け部材61に、
半田を介して接合される。なお、外部接続端子60はセ
ラミックパッケージ50に形成された配線パターンによ
ってワイヤボンディングパッドと導通状態にあるので、
半導体素子52と電気的導通状態となっており、更に、
取り付け部材61と半導体素子52とが導通状態となっ
ている。
【0005】また、最近の半導体素子52の高集積化に
伴い半導体素子52からの発熱が大きくなっており、放
熱性向上の要求が強い。これに対応するためにセラミッ
クパッケージ50をキャビティ部51を下向きにしたキ
ャビティダウン型にして、セラミックパッケージ50の
下面側(キャビティダウンの状態でみれば上面側)に放
熱フィンや、放熱板等からなるヒートシンクを取り付け
て半導体素子52からの発熱を放熱させる構造が求めら
れている。しかしながら、図6(A)〜(D)に示すよ
うに、キャビティ部51の中を封止樹脂54で満たして
気密に封止する場合(図6(A)参照)には、構造的に
セラミックパッケージ50が取り付け部材61に接触し
ないので、表面実装が可能であるが、蓋体55、55
a、55bや、金属リング58がセラミックパッケージ
50の上面から飛び出る場合(図6(B)〜(D)参
照)には、表面実装が行えないので、例えば、リードフ
レーム62をセラミックパッケージ50にろう付けして
間隔を確保して実装している。
伴い半導体素子52からの発熱が大きくなっており、放
熱性向上の要求が強い。これに対応するためにセラミッ
クパッケージ50をキャビティ部51を下向きにしたキ
ャビティダウン型にして、セラミックパッケージ50の
下面側(キャビティダウンの状態でみれば上面側)に放
熱フィンや、放熱板等からなるヒートシンクを取り付け
て半導体素子52からの発熱を放熱させる構造が求めら
れている。しかしながら、図6(A)〜(D)に示すよ
うに、キャビティ部51の中を封止樹脂54で満たして
気密に封止する場合(図6(A)参照)には、構造的に
セラミックパッケージ50が取り付け部材61に接触し
ないので、表面実装が可能であるが、蓋体55、55
a、55bや、金属リング58がセラミックパッケージ
50の上面から飛び出る場合(図6(B)〜(D)参
照)には、表面実装が行えないので、例えば、リードフ
レーム62をセラミックパッケージ50にろう付けして
間隔を確保して実装している。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
たような従来のセラミックパッケージは、次のような問
題がある。 (1)取り付け部材にセラミックパッケージを接合する
ために、セラミックパッケージにリードフレームをろう
付け接合するのは、取り付け等に材料と時間がかかりセ
ラミックパッケージのコスト高となっている。 (2)図7(A)〜(C)に示すように、蓋体55、5
5a、55bや、金属リング58がセラミックパッケー
ジ50の上面から飛び出る状態で、セラミックパッケー
ジ50をキャビティダウン型に表面実装方式で接合する
ためには、接触する部分に孔63を設けた取り付け部材
61aを準備して接合しなければならない。従って、取
り付け部材61aには、孔63を穿孔するための加工処
理が必要となり、コスト高となっている。本発明は、か
かる事情に鑑みてなされたものであって、取り付け部材
に対してキャビティダウン型に表面実装方式で接合でき
る安価なセラミックパッケージを提供することを目的と
する。
たような従来のセラミックパッケージは、次のような問
題がある。 (1)取り付け部材にセラミックパッケージを接合する
ために、セラミックパッケージにリードフレームをろう
付け接合するのは、取り付け等に材料と時間がかかりセ
ラミックパッケージのコスト高となっている。 (2)図7(A)〜(C)に示すように、蓋体55、5
5a、55bや、金属リング58がセラミックパッケー
ジ50の上面から飛び出る状態で、セラミックパッケー
ジ50をキャビティダウン型に表面実装方式で接合する
ためには、接触する部分に孔63を設けた取り付け部材
61aを準備して接合しなければならない。従って、取
り付け部材61aには、孔63を穿孔するための加工処
理が必要となり、コスト高となっている。本発明は、か
かる事情に鑑みてなされたものであって、取り付け部材
に対してキャビティダウン型に表面実装方式で接合でき
る安価なセラミックパッケージを提供することを目的と
する。
【0007】
【課題を解決するための手段】前記目的に沿う本発明に
係るセラミックパッケージは、一方を開口とする箱型形
状のキャビティ部を設け、取り付け部材に表面実装方式
で取り付けるためのメタライズパターンからなる外部接
続端子を有するセラミックパッケージにおいて、キャビ
ティ部の開口の外周内縁部に、半導体素子が実装され気
密に封止する蓋体を接合するための絶縁体からなる段差
部を有し、しかも、開口側の表面に取り付け部材にキャ
ビティダウン型に接合するための外部接続端子を有す
る。これにより、蓋体がセラミックパッケージの表面か
ら飛び出すことなく接合することができるので、取り付
け部材に特段の加工処理を施す必要がない。また、セラ
ミックパッケージにリードフレームを取り付ける必要も
なく、加工するための費用や、リードフレームの部材費
をなくすことができ、コスト高を防止することができ
る。
係るセラミックパッケージは、一方を開口とする箱型形
状のキャビティ部を設け、取り付け部材に表面実装方式
で取り付けるためのメタライズパターンからなる外部接
続端子を有するセラミックパッケージにおいて、キャビ
ティ部の開口の外周内縁部に、半導体素子が実装され気
密に封止する蓋体を接合するための絶縁体からなる段差
部を有し、しかも、開口側の表面に取り付け部材にキャ
ビティダウン型に接合するための外部接続端子を有す
る。これにより、蓋体がセラミックパッケージの表面か
ら飛び出すことなく接合することができるので、取り付
け部材に特段の加工処理を施す必要がない。また、セラ
ミックパッケージにリードフレームを取り付ける必要も
なく、加工するための費用や、リードフレームの部材費
をなくすことができ、コスト高を防止することができ
る。
【0008】ここで、段差部の表面に平面視してリング
状のメタライズパターンを有するのがよい。これによ
り、蓋体をAu−Sn等のろう材を介して段差部に容易
に接合することができる。
状のメタライズパターンを有するのがよい。これによ
り、蓋体をAu−Sn等のろう材を介して段差部に容易
に接合することができる。
【0009】また、段差部の表面に平面視してリング状
のメタライズパターンを有し、メタライズパターンの上
にろう材を介して接合される金属製のシールリングを有
するのがよい。これにより、蓋体をシーム溶接をして段
差部に容易に接合することができる。
のメタライズパターンを有し、メタライズパターンの上
にろう材を介して接合される金属製のシールリングを有
するのがよい。これにより、蓋体をシーム溶接をして段
差部に容易に接合することができる。
【0010】
【発明の実施の形態】続いて、添付した図面を参照しつ
つ、本発明を具体化した実施の形態について説明し、本
発明の理解に供する。ここに、図1(A)、(B)はそ
れぞれ本発明の一実施の形態に係るセラミックパッケー
ジの平面図、A−A’線縦断面図、図2(A)、(B)
はそれぞれ同変形例のセラミックパッケージの平面図、
B−B’線縦断面図、図3(A)、(B)はそれぞれ同
他の変形例のセラミックパッケージの平面図、C−C’
線縦断面図、図4(A)〜(C)はそれぞれ同セラミッ
クパッケージのキャビティダウン型の表面実装形態の説
明図である。
つ、本発明を具体化した実施の形態について説明し、本
発明の理解に供する。ここに、図1(A)、(B)はそ
れぞれ本発明の一実施の形態に係るセラミックパッケー
ジの平面図、A−A’線縦断面図、図2(A)、(B)
はそれぞれ同変形例のセラミックパッケージの平面図、
B−B’線縦断面図、図3(A)、(B)はそれぞれ同
他の変形例のセラミックパッケージの平面図、C−C’
線縦断面図、図4(A)〜(C)はそれぞれ同セラミッ
クパッケージのキャビティダウン型の表面実装形態の説
明図である。
【0011】図1(A)、(B)に示すように、本発明
の一実施の形態に係るセラミックパッケージ10には、
例えば、アルミナ等からなるシート状のセラミックグリ
ーンシートが用いられている。このセラミックグリーン
シートは、先ず、アルミナ粉末にマグネシア、シリカ、
カルシア等の焼結助剤を適当量加えた粉末に、ジオクチ
ルフタレート等の可塑剤と、アクリル樹脂等のバインダ
ー、及び、トルエン、キシレン、アルコール類等の溶剤
が加えられ、十分に混練した後、脱泡して粘度2000
〜40000cpsのスラリーが作製される。次いで、
スラリーは、ドクターブレード法等によって、例えば、
厚み0.25mmのロール状のシートに形成され、適当
なサイズにカットして矩形状の複数枚のセラミックグリ
ーンシートが作製される。このセラミックグリーンシー
トには、打ち抜き金型やパンチングマシーン等を用い
て、それぞれの所定位置に上下層の導通を形成するため
のビアホールが穿設されている。更に、セラミックグリ
ーンシートには、ビアホールにビア導体や、表面に配線
パターン導体を印刷してメタライズパターンが形成され
たり、キャビティ部11用の孔が穿設されたりして、複
数枚のセラミックグリーンシートが重ね合わされて積層
され積層体が形成される。そして、この積層体は、焼成
されてセラミックパッケージ10が形成されている。
の一実施の形態に係るセラミックパッケージ10には、
例えば、アルミナ等からなるシート状のセラミックグリ
ーンシートが用いられている。このセラミックグリーン
シートは、先ず、アルミナ粉末にマグネシア、シリカ、
カルシア等の焼結助剤を適当量加えた粉末に、ジオクチ
ルフタレート等の可塑剤と、アクリル樹脂等のバインダ
ー、及び、トルエン、キシレン、アルコール類等の溶剤
が加えられ、十分に混練した後、脱泡して粘度2000
〜40000cpsのスラリーが作製される。次いで、
スラリーは、ドクターブレード法等によって、例えば、
厚み0.25mmのロール状のシートに形成され、適当
なサイズにカットして矩形状の複数枚のセラミックグリ
ーンシートが作製される。このセラミックグリーンシー
トには、打ち抜き金型やパンチングマシーン等を用い
て、それぞれの所定位置に上下層の導通を形成するため
のビアホールが穿設されている。更に、セラミックグリ
ーンシートには、ビアホールにビア導体や、表面に配線
パターン導体を印刷してメタライズパターンが形成され
たり、キャビティ部11用の孔が穿設されたりして、複
数枚のセラミックグリーンシートが重ね合わされて積層
され積層体が形成される。そして、この積層体は、焼成
されてセラミックパッケージ10が形成されている。
【0012】このセラミックパッケージ10は、一方を
開口とする箱型形状からなり半導体素子を実装するため
のキャビティ部11の開口の外周内縁部に、キャビティ
部11に半導体素子17(図4(A)参照)をダイボン
ドして実装し、キャビティ部11を気密に封止する蓋体
19(図4(A)参照)を接合するための絶縁体からな
る段差部12を有している。また、セラミックパッケー
ジ10は、取り付け部材21(図4(A)参照)に表面
実装方式でキャビティ部11を下向きにするキャビティ
ダウン型に接合するための外部接続端子13を有してい
る。また、セラミックパッケージ10には、半導体素子
17を実装して半導体素子17と電気的にボンディング
ワイヤ18(図4(A)参照)を介して接続するための
ワイヤボンディングパッド14を有している。
開口とする箱型形状からなり半導体素子を実装するため
のキャビティ部11の開口の外周内縁部に、キャビティ
部11に半導体素子17(図4(A)参照)をダイボン
ドして実装し、キャビティ部11を気密に封止する蓋体
19(図4(A)参照)を接合するための絶縁体からな
る段差部12を有している。また、セラミックパッケー
ジ10は、取り付け部材21(図4(A)参照)に表面
実装方式でキャビティ部11を下向きにするキャビティ
ダウン型に接合するための外部接続端子13を有してい
る。また、セラミックパッケージ10には、半導体素子
17を実装して半導体素子17と電気的にボンディング
ワイヤ18(図4(A)参照)を介して接続するための
ワイヤボンディングパッド14を有している。
【0013】図2(A)、(B)に示すように、本発明
の一実施の形態に係る変形例のセラミックパッケージ1
0aは、上記セラミックパッケージ10を形成するセラ
ミックグリーンシートと同様のセラミックグリーンシー
トを用いて形成されている。このセラミックパッケージ
10aは、一方を開口とする箱型形状からなり半導体素
子17を実装するためのキャビティ部11の開口の外周
内縁部に、キャビティ部11に半導体素子17をダイボ
ンドして実装し、キャビティ部11を気密に封止する蓋
体19a(図4(B)参照)を接合するための段差部1
2を有している。この段差部12の表面には、平面視し
てリング状のメタライズパターン15を有している。ま
た、セラミックパッケージ10aは、取り付け部材21
に表面実装方式でキャビティ部11を下向きにするキャ
ビティダウン型に接合するための外部接続端子13を有
している。更に、セラミックパッケージ10aには、半
導体素子17を実装して半導体素子17と電気的にボン
ディングワイヤ18を介して接続するためのワイヤボン
ディングパッド14を有している。
の一実施の形態に係る変形例のセラミックパッケージ1
0aは、上記セラミックパッケージ10を形成するセラ
ミックグリーンシートと同様のセラミックグリーンシー
トを用いて形成されている。このセラミックパッケージ
10aは、一方を開口とする箱型形状からなり半導体素
子17を実装するためのキャビティ部11の開口の外周
内縁部に、キャビティ部11に半導体素子17をダイボ
ンドして実装し、キャビティ部11を気密に封止する蓋
体19a(図4(B)参照)を接合するための段差部1
2を有している。この段差部12の表面には、平面視し
てリング状のメタライズパターン15を有している。ま
た、セラミックパッケージ10aは、取り付け部材21
に表面実装方式でキャビティ部11を下向きにするキャ
ビティダウン型に接合するための外部接続端子13を有
している。更に、セラミックパッケージ10aには、半
導体素子17を実装して半導体素子17と電気的にボン
ディングワイヤ18を介して接続するためのワイヤボン
ディングパッド14を有している。
【0014】図3(A)、(B)に示すように、本発明
の一実施の形態に係る他の変形例のセラミックパッケー
ジ10bは、上記セラミックパッケージ10を形成する
セラミックグリーンシートと同様のセラミックグリーン
シートを用いて形成されている。このセラミックパッケ
ージ10bは、一方を開口とする箱型形状からなり半導
体素子17を実装するためのキャビティ部11の開口の
外周内縁部に、キャビティ部11に半導体素子17をダ
イボンドして実装し、キャビティ部11を気密に封止す
る蓋体19b(図4(C)参照)を接合するための段差
部12を有している。この段差部12の表面には、平面
視してリング状のメタライズパターン15を有してい
る。そして、メタライズパターン15の上には、Agろ
う等のろう材を介して接合されるKV(Fe−Ni−C
o系合金、商品名「Kovar(コバール)」)、42
アロイ(Fe−Ni系合金)等の金属部材からなるシー
ルリング16を接合して有している。また、セラミック
パッケージ10bは、取り付け部材21に表面実装方式
でキャビティ部11を下向きにするキャビティダウン型
に接合するための外部接続端子13を有している。更
に、セラミックパッケージ10bには、半導体素子17
を実装して半導体素子17と電気的にボンディングワイ
ヤ18を介して接続するためのワイヤボンディングパッ
ド14を有している。
の一実施の形態に係る他の変形例のセラミックパッケー
ジ10bは、上記セラミックパッケージ10を形成する
セラミックグリーンシートと同様のセラミックグリーン
シートを用いて形成されている。このセラミックパッケ
ージ10bは、一方を開口とする箱型形状からなり半導
体素子17を実装するためのキャビティ部11の開口の
外周内縁部に、キャビティ部11に半導体素子17をダ
イボンドして実装し、キャビティ部11を気密に封止す
る蓋体19b(図4(C)参照)を接合するための段差
部12を有している。この段差部12の表面には、平面
視してリング状のメタライズパターン15を有してい
る。そして、メタライズパターン15の上には、Agろ
う等のろう材を介して接合されるKV(Fe−Ni−C
o系合金、商品名「Kovar(コバール)」)、42
アロイ(Fe−Ni系合金)等の金属部材からなるシー
ルリング16を接合して有している。また、セラミック
パッケージ10bは、取り付け部材21に表面実装方式
でキャビティ部11を下向きにするキャビティダウン型
に接合するための外部接続端子13を有している。更
に、セラミックパッケージ10bには、半導体素子17
を実装して半導体素子17と電気的にボンディングワイ
ヤ18を介して接続するためのワイヤボンディングパッ
ド14を有している。
【0015】なお、半導体素子17をセラミックパッケ
ージ10、10a、10bに接続する方式としては、半
導体素子17をセラミックパッケージ10、10a、1
0bに直接接続するフリップチップ方式等もある。
ージ10、10a、10bに接続する方式としては、半
導体素子17をセラミックパッケージ10、10a、1
0bに直接接続するフリップチップ方式等もある。
【0016】次いで、図4(A)〜(C)を参照しなが
らセラミックパッケージ10、10a、10bのキャビ
ティダウン型の表面実装形態を説明する。図4(A)に
示すように、セラミックパッケージ10には、キャビテ
ィ部11に半導体素子17が取り付けられ、ボンディン
グワイヤ18で接続して半導体素子17とセラミックパ
ッケージ10に形成されたワイヤボンディングパッド1
4とを導通状態にしている。そして、キャビティ部11
を気密に封止するために、セラミック板、樹脂板、金属
板等からなる蓋体19をセラミックパッケージ10の段
差部12に低融点のガラス20を挟んで載置し、加熱し
て接合し、キャビティ部11内を気密に封止している。
そして、セラミックパッケージ10は、キャビティダウ
ン型にして外部接続端子13に半田を介して取り付け部
材21に接合している。
らセラミックパッケージ10、10a、10bのキャビ
ティダウン型の表面実装形態を説明する。図4(A)に
示すように、セラミックパッケージ10には、キャビテ
ィ部11に半導体素子17が取り付けられ、ボンディン
グワイヤ18で接続して半導体素子17とセラミックパ
ッケージ10に形成されたワイヤボンディングパッド1
4とを導通状態にしている。そして、キャビティ部11
を気密に封止するために、セラミック板、樹脂板、金属
板等からなる蓋体19をセラミックパッケージ10の段
差部12に低融点のガラス20を挟んで載置し、加熱し
て接合し、キャビティ部11内を気密に封止している。
そして、セラミックパッケージ10は、キャビティダウ
ン型にして外部接続端子13に半田を介して取り付け部
材21に接合している。
【0017】図4(B)に示すように、セラミックパッ
ケージ10aには、キャビティ部11に半導体素子17
が取り付けられ、ボンディングワイヤ18で接続して半
導体素子17とセラミックパッケージ10aに形成され
たワイヤボンディングパッド14とを導通状態にしてい
る。そして、キャビティ部11を気密に封止するため
に、セラミック板や、金属板からなる蓋体19aをセラ
ミックパッケージ10aの段差部12の上表面に形成さ
れているメタライズパターン15にAu−Sn等のろう
材を挟んで載置し、加熱して接合し、キャビティ部11
内を気密に封止している。そして、セラミックパッケー
ジ10aは、キャビティダウン型にして外部接続端子1
3に半田を介して取り付け部材21に接合している。
ケージ10aには、キャビティ部11に半導体素子17
が取り付けられ、ボンディングワイヤ18で接続して半
導体素子17とセラミックパッケージ10aに形成され
たワイヤボンディングパッド14とを導通状態にしてい
る。そして、キャビティ部11を気密に封止するため
に、セラミック板や、金属板からなる蓋体19aをセラ
ミックパッケージ10aの段差部12の上表面に形成さ
れているメタライズパターン15にAu−Sn等のろう
材を挟んで載置し、加熱して接合し、キャビティ部11
内を気密に封止している。そして、セラミックパッケー
ジ10aは、キャビティダウン型にして外部接続端子1
3に半田を介して取り付け部材21に接合している。
【0018】図4(C)に示すように、セラミックパッ
ケージ10bには、キャビティ部11に半導体素子17
が取り付けられ、ボンディングワイヤ18で接続して半
導体素子17とセラミックパッケージ10bに形成され
たワイヤボンディングパッド14とを導通状態にしてい
る。そして、キャビティ部11を気密に封止するため
に、金属板からなる蓋体19bをセラミックパッケージ
10bの段差部12の上表面に形成されているメタライ
ズパターン15上にろう付けされているシールリング1
6にシーム溶接して接合し、キャビティ部11内を気密
に封止している。そして、セラミックパッケージ10b
は、キャビティダウン型にして外部接続端子13に半田
を介して取り付け部材21に接合している。
ケージ10bには、キャビティ部11に半導体素子17
が取り付けられ、ボンディングワイヤ18で接続して半
導体素子17とセラミックパッケージ10bに形成され
たワイヤボンディングパッド14とを導通状態にしてい
る。そして、キャビティ部11を気密に封止するため
に、金属板からなる蓋体19bをセラミックパッケージ
10bの段差部12の上表面に形成されているメタライ
ズパターン15上にろう付けされているシールリング1
6にシーム溶接して接合し、キャビティ部11内を気密
に封止している。そして、セラミックパッケージ10b
は、キャビティダウン型にして外部接続端子13に半田
を介して取り付け部材21に接合している。
【0019】取り付け部材21にキャビティダウン型で
実装されるセラミックパッケージ10、10a、10b
の上面側には、放熱フィンや、放熱板等からなるヒート
シンクを容易に取り付けることができるので、半導体素
子からの発熱を効率的に放熱させることができる。ま
た、セラミックパッケージ10、10a、10bの半導
体素子17を取り付ける面をセラミックから、熱伝導性
がよくセラミックと熱膨張係数が近似するCu−W(ポ
ーラス状のタングステンに銅を含浸させたもの)等から
なる金属板で構成し、この金属板に直接半導体素子を搭
載させ、半導体素子からの発熱を金属板の裏面から効率
的に放熱させることもできる。更に、蓋体19、19
a、19bと取り付け部材21との間には、電熱シー
ト、電熱グリス、又は半田等で接触させ、取り付け部材
21を介して取り付け部材21側からも放熱させること
もできる。
実装されるセラミックパッケージ10、10a、10b
の上面側には、放熱フィンや、放熱板等からなるヒート
シンクを容易に取り付けることができるので、半導体素
子からの発熱を効率的に放熱させることができる。ま
た、セラミックパッケージ10、10a、10bの半導
体素子17を取り付ける面をセラミックから、熱伝導性
がよくセラミックと熱膨張係数が近似するCu−W(ポ
ーラス状のタングステンに銅を含浸させたもの)等から
なる金属板で構成し、この金属板に直接半導体素子を搭
載させ、半導体素子からの発熱を金属板の裏面から効率
的に放熱させることもできる。更に、蓋体19、19
a、19bと取り付け部材21との間には、電熱シー
ト、電熱グリス、又は半田等で接触させ、取り付け部材
21を介して取り付け部材21側からも放熱させること
もできる。
【0020】なお、段差部12に接合したシールリング
16に蓋体19bをシーム溶接する場合には、シーム溶
接機のツール先端部がセラミックパッケージ10bの外
部接続端子13を形成するセラミック表面の角部と接触
することが考えられるが、ツール先端部を菱形円筒形状
等に工夫することで容易にシーム溶接を行うことができ
る。また、外部接続端子13には、高融点半田や、Cu
等からなる金属ボールが接合される場合もある。
16に蓋体19bをシーム溶接する場合には、シーム溶
接機のツール先端部がセラミックパッケージ10bの外
部接続端子13を形成するセラミック表面の角部と接触
することが考えられるが、ツール先端部を菱形円筒形状
等に工夫することで容易にシーム溶接を行うことができ
る。また、外部接続端子13には、高融点半田や、Cu
等からなる金属ボールが接合される場合もある。
【0021】
【発明の効果】請求項1記載とこれに従属する請求項2
又は3記載のセラミックパッケージは、キャビティ部の
開口の外周内縁部に、半導体素子が実装され気密に封止
する蓋体を接合するための絶縁体からなる段差部を有
し、しかも、開口側の表面に取り付け部材にキャビティ
ダウン型に接合するための外部接続端子を有するので、
蓋体がセラミックパッケージの表面から飛び出すことな
く接合することができ、取り付け部材に孔あけ加工等の
処理を施す必要がない。また、リードフレームを取り付
ける必要もなく、セラミックパッケージ及び取り付け部
材のコスト高を防止することができる。更に、セラミッ
クパッケージにヒートシンクを容易に取り付けることが
できる構造であり、半導体素子からの発熱を容易に放熱
させることができる。
又は3記載のセラミックパッケージは、キャビティ部の
開口の外周内縁部に、半導体素子が実装され気密に封止
する蓋体を接合するための絶縁体からなる段差部を有
し、しかも、開口側の表面に取り付け部材にキャビティ
ダウン型に接合するための外部接続端子を有するので、
蓋体がセラミックパッケージの表面から飛び出すことな
く接合することができ、取り付け部材に孔あけ加工等の
処理を施す必要がない。また、リードフレームを取り付
ける必要もなく、セラミックパッケージ及び取り付け部
材のコスト高を防止することができる。更に、セラミッ
クパッケージにヒートシンクを容易に取り付けることが
できる構造であり、半導体素子からの発熱を容易に放熱
させることができる。
【0022】特に、請求項2記載のセラミックパッケー
ジは、段差部の表面に平面視してリング状のメタライズ
パターンを有するので、蓋体をAu−Sn等のろう材を
介して段差部に容易に接合することができ、キャビティ
ダウン型に実装できるセラミックパッケージを得ること
ができるので、安価で放熱効果の高いセラミックパッケ
ージを提供できる。
ジは、段差部の表面に平面視してリング状のメタライズ
パターンを有するので、蓋体をAu−Sn等のろう材を
介して段差部に容易に接合することができ、キャビティ
ダウン型に実装できるセラミックパッケージを得ること
ができるので、安価で放熱効果の高いセラミックパッケ
ージを提供できる。
【0023】また、請求項3記載のセラミックパッケー
ジは、段差部の表面に平面視してリング状のメタライズ
パターンを有し、メタライズパターンの上にろう材を介
して接合される金属製のシールリングを有するので、蓋
体をシーム溶接をして段差部に容易に接合することがで
き、気密信頼性の高く、安価で放熱効果の高いセラミッ
クパッケージを提供できる。
ジは、段差部の表面に平面視してリング状のメタライズ
パターンを有し、メタライズパターンの上にろう材を介
して接合される金属製のシールリングを有するので、蓋
体をシーム溶接をして段差部に容易に接合することがで
き、気密信頼性の高く、安価で放熱効果の高いセラミッ
クパッケージを提供できる。
【図1】(A)、(B)はそれぞれ本発明の一実施の形
態に係るセラミックパッケージの平面図、A−A’線縦
断面図である。
態に係るセラミックパッケージの平面図、A−A’線縦
断面図である。
【図2】(A)、(B)はそれぞれ同変形例のセラミッ
クパッケージの平面図、B−B’線縦断面図である。
クパッケージの平面図、B−B’線縦断面図である。
【図3】(A)、(B)はそれぞれ同他の変形例のセラ
ミックパッケージの平面図、C−C’線縦断面図であ
る。
ミックパッケージの平面図、C−C’線縦断面図であ
る。
【図4】(A)〜(C)はそれぞれ同セラミックパッケ
ージのキャビティダウン型の表面実装形態の説明図であ
る。
ージのキャビティダウン型の表面実装形態の説明図であ
る。
【図5】(A)〜(D)はそれぞれ従来のセラミックパ
ッケージのキャビティアップ型の表面実装形態の説明図
である。
ッケージのキャビティアップ型の表面実装形態の説明図
である。
【図6】(A)〜(D)はそれぞれ従来のセラミックパ
ッケージのキャビティダウン型の表面実装形態の説明図
である。
ッケージのキャビティダウン型の表面実装形態の説明図
である。
【図7】(A)〜(C)はそれぞれ他の従来のセラミッ
クパッケージのキャビティダウン型の表面実装形態の説
明図である。
クパッケージのキャビティダウン型の表面実装形態の説
明図である。
10、10a、10b:セラミックパッケージ、11:
キャビティ部、12:段差部、13:外部接続端子、1
4:ワイヤボンディングパッド、15:メタライズパタ
ーン、16:シールリング、17:半導体素子、18:
ボンディングワイヤ、19、19a、19b:蓋体、2
0:ガラス、21:取り付け部材
キャビティ部、12:段差部、13:外部接続端子、1
4:ワイヤボンディングパッド、15:メタライズパタ
ーン、16:シールリング、17:半導体素子、18:
ボンディングワイヤ、19、19a、19b:蓋体、2
0:ガラス、21:取り付け部材
Claims (3)
- 【請求項1】 一方を開口とする箱型形状のキャビティ
部を設け、取り付け部材に表面実装方式で取り付けるた
めのメタライズパターンからなる外部接続端子を有する
セラミックパッケージにおいて、 前記キャビティ部の前記開口の外周内縁部に、半導体素
子が実装され気密に封止する蓋体を接合するための絶縁
体からなる段差部を有し、しかも、前記開口側の表面に
前記取り付け部材にキャビティダウン型に接合するため
の前記外部接続端子を有することを特徴とするセラミッ
クパッケージ。 - 【請求項2】 請求項1記載のセラミックパッケージに
おいて、前記段差部の表面に平面視してリング状のメタ
ライズパターンを有することを特徴とするセラミックパ
ッケージ。 - 【請求項3】 請求項1記載のセラミックパッケージに
おいて、前記段差部の表面に平面視してリング状のメタ
ライズパターンを有し、該メタライズパターンの上にろ
う材を介して接合される金属製のシールリングを有する
ことを特徴とするセラミックパッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002111492A JP2003309205A (ja) | 2002-04-15 | 2002-04-15 | セラミックパッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002111492A JP2003309205A (ja) | 2002-04-15 | 2002-04-15 | セラミックパッケージ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003309205A true JP2003309205A (ja) | 2003-10-31 |
Family
ID=29394264
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002111492A Pending JP2003309205A (ja) | 2002-04-15 | 2002-04-15 | セラミックパッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003309205A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2873960A1 (en) | 2013-11-15 | 2015-05-20 | Nagano Keiki Co., Ltd. | Physical quantity measurement sensor |
| JP2018032773A (ja) * | 2016-08-25 | 2018-03-01 | 京セラ株式会社 | 電子部品搭載用基板、電子装置および電子モジュール |
-
2002
- 2002-04-15 JP JP2002111492A patent/JP2003309205A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2873960A1 (en) | 2013-11-15 | 2015-05-20 | Nagano Keiki Co., Ltd. | Physical quantity measurement sensor |
| KR20150056482A (ko) | 2013-11-15 | 2015-05-26 | 나가노 게이키 가부시키가이샤 | 물리량 측정 센서 |
| US9352958B2 (en) | 2013-11-15 | 2016-05-31 | Nagano Keiki Co., Ltd. | Physical quantity measurement sensor |
| JP2018032773A (ja) * | 2016-08-25 | 2018-03-01 | 京セラ株式会社 | 電子部品搭載用基板、電子装置および電子モジュール |
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