JP2004018369A - シリコンの製造装置および方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】高純度シリコンの気相法亜鉛還元法による製造装置において、炉内壁などを高純度シリコンカーバイド粉末、高純度窒化シリコン粉末並びに高純度シリカ等をバインダーで処理した離型材で処理することにより、反応炉内の構造物に付着した製品取り出しが容易なようにした製造装置及び製造方法を提供する。
【解決手段】反応炉内の構造物に高純度シリコンを使用し、その構造物に付着した高純度シリコンをそのまま取り出す場合に、炉内壁などは離型材を塗布することにより、製品品質の向上を図り作業の簡易化、製造時間の短縮を図り製品コストの削減を図ることが出来る。
【解決手段】反応炉内の構造物に高純度シリコンを使用し、その構造物に付着した高純度シリコンをそのまま取り出す場合に、炉内壁などは離型材を塗布することにより、製品品質の向上を図り作業の簡易化、製造時間の短縮を図り製品コストの削減を図ることが出来る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、高純度シリコンの製造方法に関し、さらに詳しくは原料として四塩化珪素及び金属亜鉛を蒸発気化して使用し、気相において還元反応を行う反応炉の内部構造及び炉内の表面を後処理の容易な処理を行う太陽電池用原料となる高純度シリコンの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の気相法亜鉛還元法による高純度シリコンの製造は、反応炉内の内壁に直接シリコン結晶を付着成長させる方式であるため、付着したシリコンの取り出し作業が簡単ではなかった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の課題は、気相法亜鉛還元法による高純度シリコン製造用反応炉において、製品として使用できる材質のシリコンにより構成し析出付着させる内部構造物以外を、高純度シリコンカーバイド粉末、高純度窒化シリコン粉末並びに高純度シリカ粉末等とバインダーで処理することにより、生成したシリコン製品の分離蒐集を容易にし、反応終了後の製品の分離を容易にし処理作業を簡略化すると同時に品質の向上を図る装置および方法を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本願で特許請求される発明は以下の通りである。
（１）高純度亜鉛及び高純度四塩化珪素を使用した四塩化珪素の亜鉛還元法に係わる反応炉の内部構造にかかわり、反応時析出・付着させてそのまま製品としてそのまま使用する高純度シリコン製内部構造物以外の炉内壁などに、シリコンに対する離型材として高純度シリコンカーバイド粉末、高純度窒化シリコン粉末並びに高純度シリカ粉末等とバインダーで処理して表面処理塗布等を行い、析出・生成物の取り出し分離を容易にすることにより製品シリコン品質を向上し生産性の向上を図る高純度シリコン製造装置。
（２）上記（１）記載の装置を用い、反応後の製品取り出しを容易にし製品品質の向上を図ることを特徴とする高純度シリコンの製造方法。
【０００５】
上記記載の高純度シリコンカーバイド粉末、高純度窒化シリコン粉末並びに高純度シリカ粉末をバインダーで処理する構造物としては、炉の内壁をはじめ析出付着するもととなる高純度シリコン板等の構造物を支える構造物等を含む。
【０００６】
【発明の実施の形態】
【実施例】
透明石英で製作された反応炉内壁を特に処理せずに析出反応を行うと、内壁より大量の樹枝状結晶が生成し、それを製品として取り出すためには多くの労力を要すると同時に反応炉への悪影響があったが、炉内壁を高純度シリコン粉末及び高純度シリカ粉末をバインダーで処理した離型材を塗布することにより、炉内壁以外に配置した高純度シリコンを使用した析出生成用板類の取り出し作業を容易に行うことが出来た。
【発明の属する技術分野】
本発明は、高純度シリコンの製造方法に関し、さらに詳しくは原料として四塩化珪素及び金属亜鉛を蒸発気化して使用し、気相において還元反応を行う反応炉の内部構造及び炉内の表面を後処理の容易な処理を行う太陽電池用原料となる高純度シリコンの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の気相法亜鉛還元法による高純度シリコンの製造は、反応炉内の内壁に直接シリコン結晶を付着成長させる方式であるため、付着したシリコンの取り出し作業が簡単ではなかった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の課題は、気相法亜鉛還元法による高純度シリコン製造用反応炉において、製品として使用できる材質のシリコンにより構成し析出付着させる内部構造物以外を、高純度シリコンカーバイド粉末、高純度窒化シリコン粉末並びに高純度シリカ粉末等とバインダーで処理することにより、生成したシリコン製品の分離蒐集を容易にし、反応終了後の製品の分離を容易にし処理作業を簡略化すると同時に品質の向上を図る装置および方法を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本願で特許請求される発明は以下の通りである。
（１）高純度亜鉛及び高純度四塩化珪素を使用した四塩化珪素の亜鉛還元法に係わる反応炉の内部構造にかかわり、反応時析出・付着させてそのまま製品としてそのまま使用する高純度シリコン製内部構造物以外の炉内壁などに、シリコンに対する離型材として高純度シリコンカーバイド粉末、高純度窒化シリコン粉末並びに高純度シリカ粉末等とバインダーで処理して表面処理塗布等を行い、析出・生成物の取り出し分離を容易にすることにより製品シリコン品質を向上し生産性の向上を図る高純度シリコン製造装置。
（２）上記（１）記載の装置を用い、反応後の製品取り出しを容易にし製品品質の向上を図ることを特徴とする高純度シリコンの製造方法。
【０００５】
上記記載の高純度シリコンカーバイド粉末、高純度窒化シリコン粉末並びに高純度シリカ粉末をバインダーで処理する構造物としては、炉の内壁をはじめ析出付着するもととなる高純度シリコン板等の構造物を支える構造物等を含む。
【０００６】
【発明の実施の形態】
【実施例】
透明石英で製作された反応炉内壁を特に処理せずに析出反応を行うと、内壁より大量の樹枝状結晶が生成し、それを製品として取り出すためには多くの労力を要すると同時に反応炉への悪影響があったが、炉内壁を高純度シリコン粉末及び高純度シリカ粉末をバインダーで処理した離型材を塗布することにより、炉内壁以外に配置した高純度シリコンを使用した析出生成用板類の取り出し作業を容易に行うことが出来た。
Claims (2)
- 高純度亜鉛及び高純度四塩化珪素を使用した四塩化珪素の亜鉛還元法に係わる反応炉の内部構造にかかわり、反応時析出・付着させてそのまま製品としてそのまま使用する高純度シリコン製内部構造物以外の炉内壁などに、シリコンに対する離型材として高純度シリコンカーバイド粉末、高純度窒化シリコン粉末並びに高純度シリカ粉末等とバインダーで処理して表面処理塗布等を行い、析出・生成物の取り出し分離を容易にすることにより製品シリコン品質を向上し生産性の向上を図る高純度シリコン製造装置。
- 請求項１記載の装置を用い、反応後の製品取り出しを容易にし製品品質の向上を図ることを特徴とする高純度シリコンの製造方法。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP2002213116A JP2004018369A (ja) | 2002-06-19 | 2002-06-19 | シリコンの製造装置および方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002213116A JP2004018369A (ja) | 2002-06-19 | 2002-06-19 | シリコンの製造装置および方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004018369A true JP2004018369A (ja) | 2004-01-22 |
Family
ID=31184441
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002213116A Pending JP2004018369A (ja) | 2002-06-19 | 2002-06-19 | シリコンの製造装置および方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2004018369A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006056767A (ja) * | 2004-08-17 | 2006-03-02 | Yutaka Kamaike | シリコンの製造装置及び方法 |
| JP2008509071A (ja) * | 2004-08-10 | 2008-03-27 | ジョイント ソーラー シリコン ゲーエムベーハー ウント コンパニー カーゲー | ガス分解用反応装置の生産方法 |
| US20130068925A1 (en) * | 2011-09-20 | 2013-03-21 | Chung-Hou Tony Hsiao | Photovoltaic Ingot Mold Release |
| WO2013048258A1 (en) * | 2011-09-26 | 2013-04-04 | Dynatec Engineering As | Reactor and method for production of silicon by chemical vapor deposition |
| EP3178964A1 (en) * | 2015-12-09 | 2017-06-14 | OCI Company Ltd. | Cvd apparatus |
-
2002
- 2002-06-19 JP JP2002213116A patent/JP2004018369A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008509071A (ja) * | 2004-08-10 | 2008-03-27 | ジョイント ソーラー シリコン ゲーエムベーハー ウント コンパニー カーゲー | ガス分解用反応装置の生産方法 |
| JP2006056767A (ja) * | 2004-08-17 | 2006-03-02 | Yutaka Kamaike | シリコンの製造装置及び方法 |
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| US8747538B2 (en) * | 2011-09-20 | 2014-06-10 | Chung-Hou Tony Hsiao | Photovoltaic ingot mold release |
| WO2013048258A1 (en) * | 2011-09-26 | 2013-04-04 | Dynatec Engineering As | Reactor and method for production of silicon by chemical vapor deposition |
| US9793116B2 (en) | 2011-09-26 | 2017-10-17 | Dynatec Engineering As | Reactor and method for production of silicon by chemical vapor deposition |
| EP3178964A1 (en) * | 2015-12-09 | 2017-06-14 | OCI Company Ltd. | Cvd apparatus |
| CN107012507A (zh) * | 2015-12-09 | 2017-08-04 | Oci有限公司 | 用于防止接地故障电流且具有优异去除硅粉尘效果的多晶硅制备装置 |
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