JP2004061966A - 反射体及び反射型液晶表示装置並びに反射体の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】所望の反射特性を得ることができ、しかも干渉パターンが発現するおそれがなく、更に製造プロセスを簡略化することが可能な反射体を提供する。
【解決手段】基体の一面２８ｂに、略四面体形状であって複数の不均等な大きさの凸部３１…が相互に隣接して形成されるとともに、凸部３１…を含む一面２８ｂ上に高反射性層が形成されてなることを特徴とする反射体を採用する。
【選択図】　　　　図３

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、反射体及び反射型液晶表示装置並びに反射体の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
反射型液晶表示装置は、太陽光、照明光等の外光のみを光源として利用する液晶表示装置であり、低消費電力が要求される携帯情報端末等に多く用いられている。また、別の例である半透過型液晶表示装置は、外光が十分得られない環境においてはバックライトを点灯させて透過モードで動作し、外光が十分得られる場合にはバックライトを点灯させない反射モードで動作するものであり、携帯電話やノート型パーソナルコンピュータ等の携帯電子機器に多く用いられている。
【０００３】
反射型液晶表示装置には、明るい表示性能を有することが要求される。この表示性能を実現するには、外部より入射した光が、反射型液晶表示装置内部で反射され、再び、外部に出射される光に散乱性能を制御することが重要である。このため反射型液晶表示装置では、液晶表示装置表示面に対して、あらゆる角度からの入射光を表示方向（観察者側）に反射させる機能を持たせるために、液晶表示装置内部あるいは外部に設ける反射板に散乱性能を持たせる方式、あるいは、液晶表示装置内部に散乱層を形成し、光が散乱層を透過するときに散乱する前方散乱方式などで反射型液晶表示装置を構成している。
【０００４】
図１９は、液晶パネル内部に散乱性能を持たせた反射板を設けた従来の反射型液晶表示装置の一例を示す側面断面図である。この反射型液晶表示装置は、光の入射方向から見て、順次、光透過性の対向基板１０１、液晶層１１０、及び光反射性の素子基板１０２を備え、素子基板１０２には、対向基板１０１を透過した光Ｑを反射し、かつ散乱する反射型の散乱帯が設けられている。散乱帯は、表面に凹凸１２２ａを有する高反射率金属膜１２２とこれの下層の絶縁層１２８からなる反射板１３０からなり、この反射板１３０の１画素あたりの領域が指向性の強い反射特性を有する領域Ｂと拡散性の強い反射特性を有する領域Ａの２つの領域に分けられ、各領域には平均傾斜角度が互いに異なる凹凸面が形成されている。
尚、この反射型液晶表示装置は、高反率金属膜１２２の厚みを薄くするか、あるいは透過用細孔を形成することで、半透過型としても使用可能である。
【０００５】
図２０は、この反射型液晶表示装置に備えられた反射板の反射特性を示す図であり、図２０の曲線（Ａ）は、図１９における領域Ｂの反射特性のプロファイルであり、図２０の曲線（Ｂ）は図１９における領域Ａの反射特性のプロファイルであり、図２０の曲線（Ｃ）は１画素全体の反射特性のプロファイルである。この反射特性は、白色光源を反射板面に対して法線方向に固定し、反射光強度を測定するための検出器を回転させ、反射光の出射角度の依存性を測定したものである。
曲線（Ａ）、（Ｂ）は、それぞれ入射光Ｌの正反射角度を中心とするガウス分布形状のプロファイルを示し、各曲線の分布幅は、領域Ａ、Ｂの反射特性をそれぞれ反映したものとなっている。即ち、反射特性（Ｂ）のプロファイルの半値幅が、反射特性（Ａ）のプロファイルの半値幅よりも幅広になっている。
１画素の最終的な反射特性のプロファイルを示す曲線（Ｃ）は、曲線（Ａ）、（Ｂ）と同様に入射光の正反射方向を中心とするガウス分布形状を示し、そのプロファイルの半値幅は１画素全体の平均的なものとなる。
このように、反射板１３０の１画素あたりの領域を、指向性の強い反射特性を有する領域Ｂと拡散性の強い反射特性を有する領域Ａの２つに分けることで、反射輝度特性を制御することが可能になる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
図１９に示す従来の反射型液晶表示装置では、反射面にランダムな凹凸を有する反射板１３０を用いており、このような反射体１３０を製造するには、サンドブラスト、エッチング、フォトリソグラフィ手法、エンボス加工等により凹凸を形成する手段が取られている。
しかし、この製造方法により得られた反射体においては、ランダム性の凹凸面からの反射光が受光角方向にに対し対称なガウス分布型になるため、法線方向の表示が暗く、所望の反射特性を得るのが困難であったり、反射特性のプロファイルがガウス分布形状となるために干渉パターンが発現するという問題があった。上記の問題を解決すべく、凹凸形状をある程度制御して形成すると、多数のフォトマスクや加工ツールが必要となり、また製造プロセスが長くなるといった問題があった。
【０００７】
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであって、所望の反射特性を得ることができ、しかも干渉パターンが発現するおそれがなく、更に製造プロセスを簡略化することが可能な反射体及び反射体の製造方法並びにこの反射体を備えた液晶表示装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明は以下の構成を採用した。
【０００９】
本発明の反射体は、基体の一面に、略四面体形状であって複数の不均等な大きさの凸部が相互に隣接して形成されるとともに、該凸部を含む前記一面上に高反射性層が形成されてなることを特徴とする。
【００１０】
係る反射体によれば、不均等な大きさの複数の凸部が相互に隣接配置されるので、反射光において干渉パターンが発生することがなく、この反射体を液晶表示装置に用いた場合には液晶表示装置の表示の視認性を向上できる。
【００１１】
また本発明の反射体は、先に記載の反射体であり、前記凸部は、前記基体の一面に、断面視略Ｖ字形状でかつ同一方向に延びる複数の第１ストライプ溝が連続して設けられるとともに、断面視略Ｖ字形状でかつ第１のストライプ溝と交差する方向に延びる複数の第２ストライプ溝が連続して設けられることにより形成されたものであることを特徴とする。
また、前記第１，第２ストライプ溝のピッチが溝毎にランダムに異なっていることが好ましい。
また、第１，第２ストライプ溝は、直交していることが好ましいが、所定の角度で交差していても良い。
【００１２】
係る反射体によれば、第１、第２ストライプ溝を設けることにより凸部を形成するので、凸部の形状を四面体形状とすることができる。即ち、第１、第２ストライプ溝を構成する斜面が、凸部を構成することになる。
従って、第１，第２ストライプ溝のピッチが溝毎にランダムに異なっている場合は、各溝を構成する斜面の幅が溝毎にランダムに異なることになり、これにより隣接する凸部の大きさを不均等なものにすることができ、反射光における干渉パターンの発生を防止できる。
【００１３】
また本発明の反射体においては、前記第１，第２ストライプ溝の少なくとも一部の断面形状が対称Ｖ字形状であることが好ましい。
また本発明の反射体においては、前記第１，第２ストライプ溝の少なくとも一部の断面形状が非対称Ｖ字形状であることが好ましい。
【００１４】
係る反射体によれば、第１、第２ストライプ溝の断面視形状を対称あるいは非対称Ｖ字形状とすることで、反射光における干渉パターンの発生を防止できる。特に、一部のストライプ溝の断面視形状を非対称Ｖ字形状とした場合は、各溝を構成する一対の斜面の傾きが異なることになり、これにより隣接する凸部の大きさを不均等なものにすることができ、反射光を散乱させて反射光における干渉パターンの発生を防止できる。
またこの反射体を組み込んだ液晶表示装置の反射特性が、最も頻度の高い観察視野方向に反射輝度が明るくできる点で最も好ましい。
【００１５】
また本発明の反射体においては、前記第１，第２ストライプ溝の断面視Ｖ字形状を構成する一対の斜面のうち、一方又は両方の斜面が凹曲面であることが好ましい。
また本発明の反射体においては、前記第１，第２ストライプ溝の断面視Ｖ字形状を構成する一対の斜面のうち、一方または両方の斜面が凸曲面であることが好ましい。
【００１６】
係る反射体によれば、第１、第２ストライプ溝の断面視Ｖ字形状を構成する一対の斜面のうち、一方または両方の斜面を凹曲面または凸曲面とすることで、凸部の一部の面を凹曲面または凸曲面とすることができ、これにより反射光を散乱させて反射光における干渉パターンの発生を防止できる。
【００１７】
次に本発明の液晶表示装置は、先のいずれかに記載の反射体を具備してなることを特徴とする。
係る液晶表示装置によれば、上記の反射体を備えているので、反射光において干渉パターンが発生することがなく、液晶表示装置の表示の視認性を向上できる。
【００１８】
次に本発明の反射体の製造方法は、先端がＶ字状の切削工具により母型の型面を切削加工して、断面視略Ｖ字形状でかつ同一方向に延びる複数の第１ストライプ溝を連続して形成するとともに、断面視略Ｖ字形状でかつ第１のストライプ溝と交差する方向に延びる複数の第２ストライプ溝を連続して形成して母型を作製する工程と、前記母型の型面上に電鋳によって金属を付着後、該金属を離型することより前記母型の型面の形状に対応する形状の型面を備えた電鋳型を作製する工程と、感光性樹脂基材の表面に前記電鋳型の型面を押しつけて転写することにより、前記感光性樹脂基材の表面に前記母型の型面と同一形状の成形面を形成する工程と、前記感光性樹脂基材の成形面に高反射性層を成膜する工程とを備えることを特徴とする。
尚、感光性樹脂を電鋳型の型面に射出成形して、感光性樹脂基材の表面に前記電鋳型の型面を転写することにより、前記感光性樹脂基材の表面に前記母型の型面と同一形状の成形面を形成してもよい。
【００１９】
係る反射体の製造方法によれば、先端がＶ字状の切削工具により母型の型面を切削加工して第１、第２ストライプ溝を連続して形成するので、この型面に基づいて反射体を形成した場合に、反射体の表面に、略四面体形状の複数の凸部を相互に隣接させて形成することができ、反射光における干渉パターンの発生のない反射体を製造できる。
【００２０】
また本発明の反射体の製造方法は、先に記載の反射体の製造方法であり、前記第１または第２ストライプ溝を形成する際の前記切削工具の送りピッチがランダムなピッチに設定されていることを特徴とする。
【００２１】
係る反射体の製造方法によれば、第１または第２ストライプ溝を形成する際の前記切削工具の送りピッチがランダムなピッチに設定されているので、この型面に基づいて反射体を形成した場合に、反射体の表面に、略四面体形状であって不均等な大きさの複数の凸部を相互に隣接配置して形成することができ、反射光における干渉パターンの発生のない反射体を製造できる。
【００２２】
また本発明の反射体の製造方法においては、前記切削工具の先端形状が対称Ｖ字形状または非対称Ｖ字形状であることが好ましい。
【００２３】
係る反射体の製造方法によれば、反射体の表面に、略四面体形状であって不均等な大きさの複数の凸部を相互に隣接配置して形成することができ、反射光における干渉パターンの発生のない反射体を製造できる。
【００２４】
また本発明の反射体の製造方法においては、前記切削工具の先端Ｖ字形状を構成する一対の斜面のうち、一方又は両方の斜面が凹曲面または凸曲面であることが好ましい。
【００２５】
係る反射体の製造方法によれば、反射体の表面に、略四面体形状であって不均等な大きさの複数の凸部を相互に隣接配置して形成することができ、反射光における干渉パターンの発生のない反射体を製造できる。
【００２６】
【発明の実施の形態】
（第１の実施形態）
以下、本発明の第１の実施の形態を図面を参照して説明する。図１には、本発明の第１の実施形態の液晶表示装置の斜視図を示し、図２には図１のＡ−Ａ線に対応する断面模式図を示し、図３には、図１の液晶表示装置に用いられる反射体の要部の部分斜視図を示し、図４には反射体の要部の部分平面図を示す。
【００２７】
図１及び図２に示すように、本実施形態の液晶表示装置１は、液晶セル２０と、液晶セル２０の観察者側に配されたフロントライト１０と、液晶セル２０のフロントライト１０側とは反対側に外付けされた本発明に係る反射体３０とから概略構成されている。
【００２８】
液晶セル２０は、液晶層２３を挟持して対向する第１の基板（一方の基板）２１と第２の基板（他方の基板）２２をシール材２４で接合一体化して概略構成されている。
第１の基板２１および第２の基板２２は、ガラス基板などの透明基板からなり、これらの液晶層２３側（内面側）には、それぞれ表示回路２６，２７が設けられている。
表示回路２６，２７は、図示されていないが、液晶層２３を駆動するための透明導電膜等からなる電極層や、液晶層２３の配向を制御するための配向膜等を含むものである。またカラー表示を行う場合には、カラーフィルタを含む構成であってもよい。
【００２９】
図２に示すように、フロントライト１０は、液晶セル２０の第２の基板（他方の基板）２２の外面側（観察者側）に配置されており、このフロントライト１０は特に限定されず、透光性を有する任意形状の面状発光体を用いることができる。本実施形態において、フロントライト１０は、例えばアクリル樹脂などからなる透明な導光板１２の側端面１２ａに、冷陰極管などからなる光源１３が設けられた構成を有しており、導光板１２の下面（液晶セル２０側の面）は光が出射される平滑な出射面１２ｂとなっている。また導光板１２の出射面１２ｂと反対側の面（導光板１２の上面）は、導光板１２内部を伝搬する光の方向を変えるためのくさび状の溝が、所定のピッチでストライプ状に複数形成されたプリズム面１２ｃとなっている。
【００３０】
図２に示すように、反射体３０は、透明のセパレータ３１を介して液晶セル２０の第１の基板（一方の基板）２１の外面側に配置されており、この反射体３０は、図２及び図３に示すように反射基板（基体）２８と、この反射基板２８上に積層された平坦化層２９とから構成されている。反射基板２８の表面には高反射性層２８ａが形成されており、平坦化層２９はこの高反射性層２８ａに接して積層されている。
【００３１】
図３及び図４には反射体３０を構成する反射基板（基体）２８の一部を示す。図３及び図４に示すように、この反射基板２８の一面２８ａには、略四面体形状であって複数の不均等な大きさの凸部３１が相互に隣接して形成されている。
また、各凸部３１…を構成する４つの斜面の内、Ｙ方向の反対方向に向く斜面が主反射面３２…とされている。
【００３２】
また、反射基板２８の一面２８ｂには、断面視略Ｖ字形状でかつ図中Ｙ方向に延びる複数の第１ストライプ溝４１…（４１ａ〜４１ｃ）と、断面視略Ｖ字形状でかつ図中Ｘ方向に延びる複数の第２ストライプ溝５１…（５１ａ〜５１ｄ）とが形成されている。第１ストライプ溝４１…は相互に隣接して形成され、また第２ストライプ溝５１…も同様に相互に隣接して形成されている。これにより、反射基板２８には、第１，第２ストライプ溝４１…、５１…を区画する斜面のみが形成され、反射基板２８の基板面に平行な面は存在しない状態になっている。
また、図３及び図４では、第１、第２ストライプ溝４１…、５１…が相互に直交しているが、所定の角度をもって交差していても良い。
【００３３】
各凸部３１は、第１、第２ストライプ溝４１…、５１…によって形成されている。即ち、例えば反射基板２８のほぼ中央にある凸部３１ａを例に説明すると、この凸部３１ａを構成する４つの斜面のうちの一対の斜面３１ａ_１、３１ａ_１は、第１ストライプ溝４１ａ及び４１ｂを構成する斜面により形成され、もう一対の斜面３１ａ_２、３１ａ_２は、第２ストライプ溝５１ｂ及び５１ｃを構成する斜面により形成される。
また、第１，第２ストライプ溝４１，５１は、その断面形状が対称Ｖ字形状とされている。即ち、一つのストライプ溝を構成する一対の斜面の傾斜角度が同一とされている。
更に、図３及び図４に示す各ストライプ溝４１，５１の深さは、基板面を基準として同一の深さであるが、溝の深さを溝毎に適宜変更しても良い。
【００３４】
第１，第２ストライプ溝４１…，５１…のピッチは、溝毎にランダムに異なっていることが好ましい。ここで、ストライプ溝４１…，５１…のピッチとは、隣接する溝同士の最深部間の距離をいう。図３及び図４に示すように、第１ストライプ溝４１…のピッチは、Ｐ_１１、Ｐ_１２、Ｐ_１３，Ｐ_１４で示されており、第２ストライプ溝５１…のピッチは、Ｐ_２１、Ｐ_２２、Ｐ_２３，Ｐ_２４、Ｐ_２５で示されている。
ここで、第１ストライプ溝４１…のピッチについては、Ｐ_１１＞Ｐ_１２＞Ｐ_１３＞Ｐ_１４の関係にある。また、第２ストライプ溝５１…のピッチについては、Ｐ_２５＞Ｐ_２３＞Ｐ_２４＝Ｐ_２２＝Ｐ_２１の関係にある。
【００３５】
尚、上記の第１，第２ストライプ溝４１…，５１…のピッチは、凸部３１の大きさを規定するものでもある。即ち、先程の凸部３１ａを例にすると、この凸部は、Ｘ方向にＰ_１２，Ｙ方向にＰ_２３の大きさの四面体となる。従って、第１，第２ストライプ溝４１…，５１…のピッチを上述のようにランダムに変えることにより、反射基板２８上に、複数の不均等な大きさの凸部３１を形成することが可能になる。
【００３６】
第１ストライプ溝４１…のピッチＰ_１１、Ｐ_１２、Ｐ_１３、Ｐ_１４は、１〜３０μｍの範囲が好ましく、また第２ストライプ溝５１…のピッチＰ_２１、Ｐ_２２、Ｐ_２３、Ｐ_２４、Ｐ_２５も同様に、１〜３０μｍの範囲が好ましい。この範囲であれば、反射光において干渉パターンが発現するおそれがない。
【００３７】
本実施形態では、反射基板２８に対し、凸部３１…を含む一面２８ｂ上に高反射性層２８ａを形成することにより、反射体３０が形成される。
高反射性層２８ａを構成する金属材料としては、Ａｌ、Ａｇなどの反射率の高い金属が用いられる。
高反射性層２８ａの膜厚は８０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の範囲であることが好ましい。膜厚が８０ｎｍ未満だと、高反射性層２８ａによる光の反射率が過小となって反射モード時の表示が暗くなるので好ましくなく、膜厚が２００ｎｍを超えると必要以上の膜付けコストがかかることや、ストライプ溝４１，５１による起伏が小さくなってしまうので好ましくない。
尚、本発明では、高反射性層２８ａを薄膜（８０ｎｍ以下）とすることで、半透過型液晶表示装置にすることができるが、より明るい表示を得るには、膜厚８０〜２００ｎｍの高反射性層２８ａに所定の開口率で微小開口部を設けることができる。この場合、開口率が１画素面積に対して１５〜３０％、好ましくは１５〜２５％となる。
【００３８】
この反射体３０には、同一方向に傾斜する主反射面３２…が備えられており、この主反射面３２を含む反射体３０を、図２及び図３、図４に示すＸＹ方向の対応関係を保つように液晶表示装置１に組み込むことで、入射した入射光Ｑを図２中Ｒ方向に反射させることができ、反射光の方向を観察者の視線方向α_１に接近させることができる。
【００３９】
更に、不均等な大きさの複数の凸部３１…が相互に隣接して配置されるので、反射光において干渉パターンが発生することがなく、この反射体３１を液晶表示装置１に用いた場合には液晶表示装置１の表示の視認性を向上できる。
【００４０】
次に、本発明に係る反射体３０の製造方法について図５〜図１３を参照して説明する。
この反射体３０の製造方法は、切削工具により母型の型面を切削加工することにより第１、第２ストライプ溝を形成して母型を作製する工程と、母型の型面上に電鋳によって金属を付着後、該金属を離型する工程と、感光性樹脂基材の表面に電鋳型を押しつけて転写する工程と、前記感光性樹脂基材の成形面に高反射性層を成膜する工程とから概略構成されている。
【００４１】
まず、母型を製造する工程について詳細に説明する。図５及び図６に示すように、先端部がＶ字状の切削工具６１を用意する。
切削工具６１は、図５及び図６に示すように、その先端部形状が、工具の移動方向から見たときに対称Ｖ字形状となっており、即ち一対の切削面６２、６３が最先端６４で接合した構成になっている。
また、各切削面６２，６３の傾斜角度は、図６に示すように、切削工具６１の最先端６４から垂直方向に延ばした線と各切削面６２，６３とのなす角θ_１、θ_２で表すことができ、θ_１、θ_２はともに０°を超えて３０°以下の範囲が好ましい。また、本実施形態ではθ_１、θ_２が同一の角度だが、θ_１、θ_２を異なる角度にしてもよい。本実施形態ではθ_１、θ_２が同一であるため、対称Ｖ字形状のストライプ溝４１を形成できる。
【００４２】
この切削工具６１を母型７１の型面７２に押し当てながら、図５中矢印で示す移動方向に沿って移動させることにより切削加工を行い、第１ストライプ溝を形成する。切削工具６１の移動方向は、まず、図５中Ｙ方向の反対方向に向けて母型７１を切削しつつ移動させ、次に所定の送りピッチの分だけ図中Ｘ方向に移動させ、次に図中Ｙ方向に向けて母型７１を切削しつつ移動させ、次に再び所定の送りピッチの分だけ図中Ｘ方向に移動させる。このサイクルを繰り返し行いながら、母型７１の型面７２のほぼ全面を切削加工する。
【００４３】
図７には、切削工具６１による切削加工の様子を示している。図７に示すように、切削工具６１を図中Ｘ方向に沿ってＰ_１１、Ｐ_１２、Ｐ_１３，Ｐ_１４の送りピッチで順次移動させながら切削加工を行うことで、第１ストライプ溝４１…が形成される。尚、送りピッチＰ_１１、Ｐ_１２、Ｐ_１３、Ｐ_１４は、１〜３０μｍの範囲でランダムに変更することが好ましい。この範囲でランダムに変更すれば、反射光において干渉パターンが発現するおそれがない。
【００４４】
こうして形成された第１ストライプ溝４１…は、図８に示すように、溝の深さが各溝間においてほぼ同一であり、しかも断面形状が切削工具６１の先端部形状に対応した対称Ｖ字形状になっており、図中Ｙ方向に延びて形成されている。また、各第１ストライプ溝４１…は、相互に隣接して形成されており、切削した部分には母型７１の基準面に平行な面が存在しない状態になっている。
【００４５】
次に、図９〜図１３に示すように、第１ストライプ溝４１…の形成後の母型７１に対して、同じ切削工具６１を用いて第２ストライプ溝５１…の形成を行う。即ち、切削工具６１を母型７１の型面７２に押し当てながら、図９中矢印で示す移動方向に沿って移動させることにより切削加工を行い、第２ストライプ溝を形成する。切削工具６１の移動方向は、まず、図９中Ｘ方向に向けて母型７１を切削しつつ移動させ、次に所定の送りピッチの分だけ図中Ｙ方向に移動させ、次に図中Ｘ方向の反対方向に向けて母型７１を切削しつつ移動させ、次に再び所定の送りピッチの分だけ図中Ｘ方向に移動させる。このサイクルを繰り返し行いながら、母型７１の型面７２のほぼ全面を切削加工する。
【００４６】
図１０〜１２には、切削工具６１による切削加工の様子を示している。図１２に示すように、切削工具６１を図中Ｙ方向に沿ってＰ_２１、Ｐ_２２、Ｐ_２３、Ｐ_２４、Ｐ_２５の送りピッチで順次移動させながら切削加工を行うことで、第２ストライプ溝５１…が形成される。尚、送りピッチＰ_２１、Ｐ_２２、Ｐ_２３、Ｐ_２４、Ｐ_２５は、１〜３０μｍの範囲でランダムに変更することが好ましい。この範囲でランダムに変更すれば、反射光において干渉パターンが発現するおそれがない。
【００４７】
このようにして、母型７１に切削加工を施して第１、第２ストライプ溝４１…，５１…を形成することにより、母型７１の型面に略四面体形状であって複数の不均等な大きさの凸部が相互に隣接して形成される。
【００４８】
次に、上記母型の型面上にＮｉ等の金属を電鋳処理によって必要な厚さ分だけ形成した後、離型すると、上記母型の型面の凸部形状と凹凸が逆の凹凸形状を有する型面を備えた電鋳型が得られる。
【００４９】
ついで、基材上に、スピンコート法などによりアクリル系レジストなどの感光性樹脂液を塗布した後、プリベークして感光性樹脂層を形成し、上記電鋳型の型面を上記感光性樹脂層の表面に押しつけた後、離型し、該感光性樹脂層の表面に上記電鋳型の型面の凹凸形状と凹凸が逆の凹凸形状を形成すると、母型７１の型面と同一形状の凸部が形成された図３、図４に示すような反射基板２８が得られる。
ついで、この反射基板２８の表面に、Ａｌ等の金属材料をスパッタリング、真空蒸着などの成膜法により上記の厚み範囲の高反射性層２８ａを成膜すると、この高反射性層２８ａも反射基板２の形状に対応した形状を有するものとなり、更に平坦層２９を積層することで反射体３０が得られる。
【００５０】
上記の反射体３０の製造方法によれば、先端がＶ字状の切削工具６１により母型７１の型面７２を切削加工して第１、第２ストライプ溝４１…、５１…を連続して形成するので、この型面７２に基づいて反射体３０を形成した場合に、反射体３０の表面に、略四面体形状の複数の凸部３１を相互に隣接させて形成することができ、反射光における干渉パターンの発生のない反射体３０を製造できる。
【００５１】
また、第１または第２ストライプ溝４１…、５１…を形成する際の切削工具６１の送りピッチがランダムに設定されているので、母型７１に基づいて反射体３０を形成した場合に、反射体３０の表面に、略四面体形状であって不均等な大きさの複数の凸部３１を相互に隣接配置して形成することができ、反射光における干渉パターンの発生のない反射体３０を製造できる。
【００５２】
以上、本発明の第１の実施形態について説明したが、本発明に係る反射体は、切削工具の変更により、その正四面体形状の凸部を様々な形に変更することが可能である。そこで、以下に第２〜第６の実施形態により、反射体の変形例について説明する。
【００５３】
（第２の実施形態）
図１４Ａには、第２の実施形態の反射体の凸部の斜視図を示し、図１４Ｂには図１４Ａに示す凸部の平面図を示す。
また、図１４Ｃに図１４ＢのＭ１−Ｍ１線に対応する断面図を示し、図１４Ｄに図１４ＢのＮ１−Ｎ１線に対応する断面図を示す。また、図１４Ｃ及び図１４Ｄには、本実施形態の凸部２３１を形成する際に用いる切削工具の先端部の形状を同時に示す。
【００５４】
図１４Ａ及び図１４Ｂに示すように、この例の凸部２３１は、主反射面２３２と、この主反射面２３２の反対側に位置する斜面２３３と、反射面２３２及び斜面２３３を挟む一対の別の斜面２３４、２３５から構成されている。
また、この凸部２３１は、図中Ｙ方向に延びる第１ストライプ溝２４１…と、図中Ｘ方向に延びる第２ストライプ溝２５１…によって区画されて形成されている。即ち、凸部２３１を構成する４つの斜面のうちの一対の別の斜面２３４、２３５が、第１ストライプ溝２４１を構成する斜面により形成され、主反射面２３２及び斜面２３３が、第２ストライプ溝２５１を構成する斜面により形成される。
【００５５】
また、第１ストライプ溝２４１はその断面形状が対称Ｖ字形状とされ、一方、第２ストライプ溝２５１は、その断面形状が非対称Ｖ字形状とされている。
更に、図１４Ａ及び図１４Ｂに示す各ストライプ溝２４１，２５１の深さは、基板面を基準として同一の深さであるが、溝の深さを溝毎に適宜変更しても良い。
【００５６】
次に図１４Ｃに示すように、非対称Ｖ字形状の第２ストライプ溝２５１を構成する主反射面２３２の傾斜角度は、斜面２３３の傾斜角度よりも基準面Ｓに対して小さく設定されている。また、図１４Ｄに示すように、対称Ｖ字形状の第１ストライプ溝２４１を構成する一対の別の斜面２３４，２３５の傾斜角度は、基準面Ｓに対して同一に設定されている。これにより、凸部２３１の頂部２３６が斜面２３３寄りに位置している。これにより主反射面２３２の面積が、他の斜面２３３，２３４，２３５よりも広くなっている。
【００５７】
また、図１４Ｃには、第２ストライプ溝２５１を形成するために使用する切削工具の先端部を併せて示す。
図１４Ｃに示すように、第２ストライプ溝２５１を形成するための切削工具２６１は、その先端部形状が、工具の移動方向（Ｘ方向）から見たときに非対称Ｖ字形状となっており、一対の切削面２６１ａ、２６１ｂが最先端２６１ｃで接合した構成になっている。そして図１４Ｃに示すように、切削面２６１ａにより斜面２３３が形成され、切削面２６１ｂにより主反射面２３２が形成される関係になっている。
【００５８】
また、各切削面２６１ａ、２６１ｂの傾斜角度は、図１４Ｃに示すように、切削工具２６１の最先端２６１ｃから垂直方向に延ばした線と各切削面２６１ａ、２６１ｂとのなす角θ_３、θ_４で表すことができ、θ_３、θ_４の関係はθ_４＞θ_３となっている。θ_３は０°を超えて６０°以下の範囲に設定されるのが好ましく、θ_４は７０°以上９０°以下の範囲に設定されるのが好ましい。
これにより、主反射面２３２の基準面Ｓに対する傾斜角度が（９０−θ_３）°となり、斜面２３３の基準面Ｓに対する傾斜角度が（９０−θ_４）°となる。θ_４＞θ_３の関係から、主反射面２３２の傾斜角度は、斜面２３３の傾斜角度よりも基準面Ｓに対して小さくなる。
【００５９】
また、図１４Ｄには、第１ストライプ溝２４１を形成するために使用する切削工具の先端部を示す。
図１４Ｄに示すように、第１ストライプ溝２４１を形成するための切削工具２６２は、その先端部形状が、工具の移動方向（Ｙ方向）から見たときに対称Ｖ字形状となっており、一対の切削面２６２ａ、２６２ｂが最先端２６２ｃで接合した構成になっている。そして図１４Ｄに示すように、切削面２６２ａにより斜面２３４が形成され、切削面２６２ｂにより斜面２３５が形成される関係になっている。
【００６０】
また、各切削面２６２ａ、２６２ｂの傾斜角度は、図１４Ｄに示すように、切削工具２６２の最先端２６２ｃから垂直方向に延ばした線と各切削面２６２ａ、２６２ｂとのなす角θ_５、θ_６で表すことができ、θ_５、θ_６は同じ角度に設定されている。また、θ_５、θ_６は５０°以上９０°以下の範囲に設定されるのが好ましい。
これにより、斜面２３４の基準面Ｓに対する傾斜角度が（９０−θ_５）°となり、斜面２３５の基準面Ｓに対する傾斜角度が（９０−θ_６）°となる。θ_５、θ_６が同一であることから、斜面２３４，２３５の傾斜角度が基準面Ｓに対して同一となる。
【００６１】
本実施形態の反射体によれば、第１の実施形態と同様な効果が得られると同時に、下記の効果も得られる。
即ち、本実施形態の反射体によれば、主反射面２３２の面積が、他の斜面２３３，２３４，２３５よりも広くなるので、反射光量を高くすることができ、反射光の輝度を向上できる。
【００６２】
（第３の実施形態）
図１５Ａには、第３の実施形態の反射体の凸部の斜視図を示し、図１５Ｂには図１５Ａに示す凸部の平面図を示す。
また、図１５Ｃに図１５ＢのＭ２−Ｍ２線に対応する断面図を示し、図１５Ｄに図１５ＢのＮ２−Ｎ２線に対応する断面図を示す。また、図１５Ｃ及び図１５Ｄには、本実施形態の凸部を形成する際に用いる切削工具の先端部の形状を同時に示す。
【００６３】
図１５Ａ及び図１５Ｂに示すように、この例の凸部３３１は、主反射面３３２と、この主反射面３３２の反対側に位置する斜面３３３と、主反射面３３２及び斜面３３３を挟む一対の別の斜面３３４、３３５から構成されている。また、主反射面３３２は凹曲面とされ、他の斜面３３３，３３４，３３５はいずれも平面とされている。
また、この凸部３３１は、図中Ｙ方向に延びる第１ストライプ溝３４１…と、図中Ｘ方向に延びる第２ストライプ溝３５１…によって区画されて形成されている。即ち、凸部３３１を構成する４つの斜面のうちの一対の別の斜面３３４、３３５は、第１ストライプ溝３４１を構成する斜面により形成され、主反射面３３２及び斜面３３３は、第２ストライプ溝３５１を構成する斜面により形成される。
【００６４】
また、第１ストライプ溝３４１はその断面形状が対称Ｖ字形状とされ、一方、第２ストライプ溝３５１は、その断面形状が非対称Ｖ字形状とされている。
更に、図１５Ａ及び図１５Ｂに示す各ストライプ溝３４１，３５１の深さは、基板面を基準として同一の深さであるが、溝の深さを溝毎に適宜変更しても良い。
【００６５】
次に図１５Ｃに示すように、主反射面３３２は、曲率半径１０μｍ以上１ｍｍ以下の凹曲面とされている。また、主反射面３３２の傾斜角度は、凹曲面の中点に接する接線Ｋの傾きで表され、その傾斜角度は本実施形態では基準面Ｓに対する斜面３３３の傾斜角度とほぼ同一に設定されている。また、図１５Ｄに示すように、第１ストライプ溝３４１を構成する一対の別の斜面３３４，３３５の傾斜角度は、基準面Ｓに対して同一に設定されている。これにより、凸部３３１の頂部３３６が、凸部３３１のほぼ中央に位置することになる。
【００６６】
また、図１５Ｃには、第２ストライプ溝３５１を形成するために使用する切削工具の先端部を併せて示す。
図１５Ｃに示すように、第２ストライプ溝３５１を形成するための切削工具３６１は、その先端部形状が、工具の移動方向（Ｘ方向）から見たときに非対称Ｖ字形状となっており、一対の切削面３６１ａ、３６１ｂが最先端３６１ｃで接合した構成になっている。
そして図１５Ｃに示すように、切削面３６１ａにより斜面３３３が形成され、切削面３６１ｂにより主反射面３３２が形成される関係になっている。
【００６７】
切削面３６１ａは平面とされ、その傾斜角度は、図１５Ｃに示すように、切削工具３６１の最先端３６１ｃから垂直方向に延ばした線と切削面３６１ａとのなす角θ_５で表すことができ、このθ_５は５０°以上９０°以下の範囲に設定されるのが好ましい。
また、切削面３６１ｂは凸曲面とされ、その傾斜角度及び曲率半径は、主反射面３３２の傾斜角度並びに曲率半径に対応したものとなっている。
【００６８】
また、図１５Ｄには、第１ストライプ溝３４１を形成するために使用する切削工具の先端部を示す。
図１５Ｄに示すように、第１ストライプ溝３４１を形成するための切削工具３６２は、第２の実施形態の切削工具２６２とほぼ同一形状のものであり、その先端部形状は工具の移動方向（Ｙ方向）から見たときに対称Ｖ字形状であり、一対の切削面３６２ａ、３６２ｂが最先端３６２ｃで接合した構成になっている。
そして図１４Ｄに示すように、切削面３６２ａにより斜面３３４が形成され、切削面３６２ｂにより斜面３３５が形成される関係になっている。
また、各切削面３６２ａ、３６２ｂの傾斜角度は、第２の実施形態の切削工具２６２とほぼ同一であるので、説明は省略する。
【００６９】
本実施形態の反射体によれば、第１の実施形態と同様な効果が得られると同時に、下記の効果も得られる。
即ち、本実施形態の反射体によれば、主反射面３３２が傾斜した凹曲面となっており、反射基板の基準面Ｓの法線方向に対して非対称な曲線形状になっているので、観察者の視線方向に向けて、反射光を効率よく反射させることができ、反射光の輝度を向上できる。
【００７０】
（第４の実施形態）
図１６Ａには、第４の実施形態の反射体の凸部の斜視図を示し、図１６Ｂには図１６Ａに示す凸部の平面図を示す。
また、図１６Ｃに図１６ＢのＭ３−Ｍ３線に対応する断面図を示し、図１６Ｄに図１６ＢのＮ３−Ｎ３線に対応する断面図を示す。また、図１６Ｃ及び図１６Ｄには、本実施形態の凸部４３１を形成する際に用いる切削工具の先端部の形状を同時に示す。
【００７１】
図１６Ａ及び図１６Ｂに示すように、この例の凸部４３１は、平面状の主反射面４３３と、この主反射面４３３の反対側に位置する平面状の斜面４３２と、主反射面４３３及び斜面４３２を挟むいずれも凸曲面状の一対の別の斜面４３４、４３５から構成され、かつ主反射面４３２の領域が大とされている。
また、この凸部４３１は、図中Ｙ方向に延びる第１ストライプ溝４４１…と、図中Ｘ方向に延びる第２ストライプ溝４５１…によって区画されて形成されている。即ち、凸部４３１を構成する４つの斜面のうちの一対の別の斜面４３４、４３５は、第１ストライプ溝４４１を構成する斜面により形成され、主反射面４３３及び斜面４３２は、第２ストライプ溝４５１を構成する斜面により形成される。
【００７２】
また、第１ストライプ溝４４１はその断面形状が対称Ｖ字形状とされており、第２ストライプ溝４５１はその断面形状が非対称Ｖ字形状とされている。
更に、図１６Ａ及び図１６Ｂに示す各ストライプ溝４４１，４５１の深さは、基板面を基準として同一の深さであるが、溝の深さを溝毎に適宜変更しても良い。
【００７３】
次に図１６Ｃに示すように、主反射面４３３の傾斜角度は、斜面４３２の傾斜角度より大きく設定されており、曲率半径１０μｍ以上１ｍｍ以下の凸曲面とされている。また、各斜面４３４，４３５の傾斜角度は、図１６Ｄに示すように凸曲面の中点に接する接線Ｌ１、Ｌ２の傾きで表され、基準面Ｓに対して５０°以上９０°以下の範囲に設定されている。
【００７４】
また、図１６Ｃには、第２ストライプ溝４５１を形成するために使用する切削工具の先端部を示す。
図１６Ｃに示すように、第２ストライプ溝４５１を形成するための切削工具４６１は、その先端部形状が、工具の移動方向（Ｘ方向）から見たときに非対称Ｖ字形状となっており、一対の切削面４６１ａ、４６１ｂが最先端４６１ｃで接合した構成になっている。
そして図１６Ｃに示すように、切削面４６１ｂにより斜面４３２が形成され、切削面４６１ａにより主反射面４３３が形成される関係になっている。
【００７５】
また、各切削面４６１ａ、４６１ｂの傾斜角度は、図１６Ｃに示すように、切削工具４６１の最先端４６１ｃから垂直方向に延ばした線と各切削面４６１ａ、４６１ｂとのなす角θ_６で表すことができ、θ_６は７０°以上９０°以下の範囲に設定されるのが好ましい。
これにより、主反射面４３３及び斜面４３２の基準面Ｓに対する傾斜角度が（９０−θ_６）°となる。
【００７６】
また、図１６Ｄには、第１ストライプ溝４４１を形成するために使用する切削工具の先端部を示す。
図１６Ｄに示すように、第１ストライプ溝４４１を形成するための切削工具４６２は、その先端部形状が、工具の移動方向（Ｙ方向）から見たときに対称Ｖ字形状となっており、一対の凹曲面状の切削面４６２ａ、４６２ｂが最先端４６２ｃで接合した構成になっている。
そして図１６Ｄに示すように、切削面４６２ａにより凸曲面状の斜面４３４が形成され、切削面２４２ｂにより凸曲面状の斜面４３５が形成される関係になっている。
また、切削面４６２ａ、４６２ｂの傾斜角度及び曲率半径は、凸部４３１の一対の斜面４３４、４３５の傾斜角度並びに曲率半径に対応したものとなっている。
【００７７】
本実施形態の反射体によれば、第１の実施形態とほぼ同様な効果が得られる。
【００７８】
（第５の実施形態）
図１７Ａには、第５の実施形態の反射体の凸部の斜視図を示し、図１７Ｂには図１７Ａに示す凸部の平面図を示す。
また、図１７Ｃに図１７ＢのＭ４−Ｍ４線に対応する断面図を示し、図１７Ｄに図１７ＢのＮ４−Ｎ４線に対応する断面図を示す。また、図１７Ｃ及び図１７Ｄには、本実施形態の凸部５３１を形成する際に用いる切削工具の先端部の形状を同時に示す。
【００７９】
図１７Ａ及び図１７Ｂに示すように、この例の凸部５３１は、主反射面５３２と、この主反射面５３２の反対側に位置する斜面５３３と、主反射面５３２及び斜面５３３を挟む一対の別の斜面５３４、５３５から構成されている。
また、この凸部５３１は、図中Ｙ方向に延びる第１ストライプ溝５４１…と、図中Ｘ方向に延びる第２ストライプ溝５５１…によって区画されて形成されている。即ち、凸部５３１を構成する４つの斜面のうちの一対の別の斜面５３４、５３５は、第１ストライプ溝５４１を構成する斜面により形成され、主反射面５３２及び斜面５３３は、第２ストライプ溝５５１を構成する斜面により形成される。
【００８０】
また、第１ストライプ溝５４１はその断面形状が対称Ｖ字形状とされ、一方、第２ストライプ溝５５１は、その断面形状が非対称Ｖ字形状とされている。
更に、図１７Ａ及び図１７Ｂに示す各ストライプ溝５４１，５５１の深さは、基板面を基準として同一の深さであるが、溝の深さを溝毎に適宜変更しても良い。
【００８１】
次に図１７Ｃに示すように、非対称Ｖ字形状の第２ストライプ溝５５１を構成する斜面５３３は、基準面Ｓに対してほぼ垂直に形成されている。また、第２ストライプ溝５５１を構成する主反射面５３２の傾斜角度は、斜面５３３の傾斜角度よりも基準面Ｓに対して小さく設定されている。
また、図１７Ｄに示すように、対称Ｖ字形状の第１ストライプ溝５４１を構成する一対の別の斜面５３４，５３５の傾斜角度は、基準面Ｓに対して同一に設定されている。これにより、凸部５３１の頂部５３６が、斜面５３３寄りに位置することになる。従って主反射面５３２の面積が、他の斜面５３３，５３４，５３５よりも広くなる。
【００８２】
また、図１７Ｃには、第２ストライプ溝５５１を形成するために使用する切削工具の先端部を示す。
図１７Ｃに示すように、第２ストライプ溝５５１を形成するための切削工具５６１は、その先端部形状が、工具の移動方向（Ｘ方向）から見たときに非対称Ｖ字形状となっており、一対の切削面５６１ａ、５６１ｂが最先端５６１ｃで接合した構成になっている。
そして図１７Ｃに示すように、切削面５６１ａにより斜面５３３が形成され、切削面５６１ｂにより主反射面５３２が形成される関係になっている。
【００８３】
また図１７Ｃに示すように、切削面５６１ａの傾斜角度は、基準面Ｓに対してほぼ垂直に設定されている。一方、切削面５６１ｂの傾斜角度は、切削面５６１ｂとのなす角θ_７で表すことができ、このθ_７は０°を超えて７０°以上９０°以下の範囲に設定されている。
これにより、主反射面５３２の基準面Ｓに対する傾斜角度が（９０−θ_７）°となり、主反射面５３２の基準面Ｓに対する傾斜角度が、斜面２３３の基準面Ｓに対する角度９０°よりも小さくなる。
【００８４】
また、図１７Ｄには、第１ストライプ溝５４１を形成するために使用する切削工具の先端部を示す。
図１７Ｄに示すように、第１ストライプ溝５４１を形成するための切削工具５６２は、第２の実施形態の切削工具２６２とほぼ同一形状のものであり、その先端部形状は工具の移動方向（Ｙ方向）から見たときに対称Ｖ字形状であり、一対の切削面５６２ａ、５６２ｂが最先端５６２ｃで接合した構成になっている。
そして図１７Ｄに示すように、切削面５６２ａにより斜面５３４が形成され、切削面５６２ｂにより斜面５３５が形成される関係になっている。
また、各切削面５６２ａ、５６２ｂの傾斜角度は、第２の実施形態の切削工具２６２とほぼ同一であるので、説明は省略する。
【００８５】
本実施形態の反射体によれば、第１の実施形態と同様な効果が得られると同時に、下記の効果も得られる。
即ち、本実施形態の反射体によれば、主反射面５３２の面積が、他の斜面５３３，５３４，５３５よりも広くなるので、反射光量を高くすることができ、反射光の輝度を向上できる。
【００８６】
（第６の実施形態）
図１８Ａには、第６の実施形態の反射体の凸部の別の例の斜視図を示し、図１８Ｂには図１８Ａに示す凸部の平面図を示す。
また、図１８Ｃに図１８ＢのＭ５−Ｍ５線に対応する断面図を示し、図１８Ｄに図１８ＢのＮ５−Ｎ５線に対応する断面図を示す。また、図１８Ｃ及び図１８Ｄには、本実施形態の凸部６３１を形成する際に用いる切削工具の先端部の形状を同時に示す。
【００８７】
図１８Ａ及び図１８Ｂに示すように、この例の凸部６３１は、凹曲面状の主反射面６３２と、この主反射面６３２の反対側に位置する平面状の斜面６３３と、反射面６３２及び斜面６３３を挟む一対のいずれも平面状の別の斜面６３４、６３５から構成されている。
また、この凸部６３１は、図中Ｙ方向に延びる第１ストライプ溝６４１…と、図中Ｘ方向に延びる第２ストライプ溝６５１…によって区画されて形成されている。即ち、凸部６３１を構成する４つの斜面のうちの一対の別の斜面６３４、６３５は、第１ストライプ溝６４１を構成する斜面により形成され、主反射面６３２及び斜面６３３は、第２ストライプ溝６５１を構成する斜面により形成される。
【００８８】
また、第１ストライプ溝６４１はその断面形状が対称Ｖ字形状とされ、一方、第２ストライプ溝６５１は、その断面形状が非対称Ｖ字形状とされている。
更に、図１８Ａ及び図１８Ｂに示す各ストライプ溝６４１，６５１の深さは、基板面を基準として同一の深さであるが、溝の深さを溝毎に適宜変更しても良い。
【００８９】
次に図１８Ｃに示すように、非対称Ｖ字形状の第２ストライプ溝６５１を構成する斜面６３３は、基準面Ｓに対してほぼ垂直に形成されている。また、第２ストライプ溝６５１を構成する主反射面６３２は、曲率半径１０μｍ以上１ｍｍ以下の凹曲面とされ、さらにこの主反射面６３２の傾斜角度は、図１８Ｃに示すように凹曲面の中点に接する接線Ｋの傾きで表され、その傾斜角度は基準面Ｓに対する斜面６３３の傾斜角度より小さく設定されている。
また、図１８Ｄに示すように、対称Ｖ字形状の第１ストライプ溝６４１を構成する一対の別の斜面６３４，６３５の傾斜角度は、基準面Ｓに対して同一に設定されている。これにより、凸部６３１の頂部６３６が、斜面６３３寄りに位置することになる。従って主反射面６３２の面積が、他の斜面６３３，６３４，６３５よりも広くなる。
【００９０】
また、図１８Ｃには、第２ストライプ溝６５１を形成するために使用する切削工具の先端部を併せて示す。
図１８Ｃに示すように、第２ストライプ溝６５１を形成するための切削工具６６１は、その先端部形状が、工具の移動方向（Ｘ方向）から見たときに非対称Ｖ字形状となっており、一対の切削面６６１ａ、６６１ｂが最先端６６１ｃで接合した構成になっている。
そして図１８Ｃに示すように、切削面６６１ａにより斜面６３３が形成され、切削面６６１ｂにより主反射面６３２が形成される関係になっている。
【００９１】
また図１８Ｃに示すように、切削面６６１ａの傾斜角度は、基準面Ｓに対してほぼ垂直に設定されている。一方、切削面６６１ｂは凸曲面とされ、その傾斜角度及び曲率半径は、主反射面６３２の傾斜角度並びに曲率半径に対応したものとなっている。
【００９２】
また、図１８Ｄには、第１ストライプ溝６４１を形成するために使用する切削工具の先端部を併せて示す。
図１８Ｄに示すように、第１ストライプ溝６４１を形成するための切削工具６６２は、第２の実施形態の切削工具２６２とほぼ同一形状のものであり、その先端部形状は工具の移動方向（Ｙ方向）から見たときに対称Ｖ字形状であり、一対の切削面６６２ａ、６６２ｂが最先端６６２ｃで接合した構成になっている。
そして図１８Ｄに示すように、切削面６６２ａにより斜面６３４が形成され、切削面６６２ｂにより斜面６３５が形成される関係になっている。
また、各切削面６６２ａ、６６２ｂの傾斜角度は、第２の実施形態の切削工具６６２とほぼ同一であるので、説明は省略する。
【００９３】
本実施形態の反射体によれば、第１の実施形態と同様な効果が得られると同時に、下記の効果も得られる。
即ち、本実施形態の反射体によれば、主反射面６３２の面積が、他の斜面６３３，６３４，６３５よりも広くなっているので、反射光量を高くすることができ、反射光の輝度を向上できる。
また、主反射面６３２が傾斜した凹曲面となっており、反射基板の基準面Ｓの法線方向に対して非対称な曲線形状になっているので、観察者の視線方向に向けて、反射光を効率よく反射させることができ、反射光の輝度を向上できる。
【００９４】
なお、本発明の技術範囲は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。例えば第１の実施形態の液晶表示装置では、反射体を外付けにした例を示したが、反射体を液晶セル内に内蔵させても良い。
また、上記の各実施形態では、複数の第１ストライプ溝を１種類の切削工具で形成したが、本発明はこれに限らず、第１ストライプ溝を複数の種類の切削工具により形成しても良い。第２ストライプ溝についても同様である。
【００９５】
【発明の効果】
以上、詳細に説明したように、本発明の反射体によれば、不均等な大きさの複数の凸部が相互に隣接配置されるので、反射光において干渉パターンが発生することがなく、この反射体を液晶表示装置に用いた場合には液晶表示装置の表示の視認性を向上できる。
【００９６】
また、本発明の液晶表示装置によれば、上記の反射体を備えているので、反射光において干渉パターンが発生することがなく、液晶表示装置の表示の視認性を向上できる。
【００９７】
更に、本発明の反射体の製造方法によれば、先端がＶ字状の切削工具により母型の型面を切削加工して第１、第２ストライプ溝を連続して形成するので、この型面に基づいて反射体を形成した場合に、反射体の表面に、略四面体形状の複数の凸部を相互に隣接させて形成することができ、反射光における干渉パターンの発生のない反射体を製造できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態の液晶表示装置の斜視図。
【図２】図１のＡ−Ａ線に対応する断面模式図。
【図３】図１の液晶表示装置に用いられる反射体の部分斜視図。
【図４】図３に示す反射体の部分平面図。
【図５】図３に示す反射体の製造方法を説明するための工程図。
【図６】図３に示す反射体の製造方法を説明するための工程図。
【図７】図３に示す反射体の製造方法を説明するための工程図。
【図８】図３に示す反射体の製造方法を説明するための工程図。
【図９】図３に示す反射体の製造方法を説明するための工程図。
【図１０】図３に示す反射体の製造方法を説明するための工程図。
【図１１】図３に示す反射体の製造方法を説明するための工程図。
【図１２】図３に示す反射体の製造方法を説明するための工程図。
【図１３】図３に示す反射体の製造方法を説明するための工程図。
【図１４】Ａは本発明の第２の実施形態の反射体の要部を示す斜視図、ＢはＡに示す反射体の部分平面図、ＣはＡ及びＢに示す反射体の製造方法を示す工程図、ＤはＡ及びＢに示す反射体の製造方法を示す工程図。
【図１５】Ａは本発明の第３の実施形態の反射体の要部を示す斜視図、ＢはＡに示す反射体の部分平面図、ＣはＡ及びＢに示す反射体の製造方法を示す工程図、ＤはＡ及びＢに示す反射体の製造方法を示す工程図。
【図１６】Ａは本発明の第４の実施形態の反射体の要部を示す斜視図、ＢはＡに示す反射体の部分平面図、ＣはＡ及びＢに示す反射体の製造方法を示す工程図、ＤはＡ及びＢに示す反射体の製造方法を示す工程図。
【図１７】Ａは本発明の第５の実施形態の反射体の要部を示す斜視図、ＢはＡに示す反射体の部分平面図、ＣはＡ及びＢに示す反射体の製造方法を示す工程図、ＤはＡ及びＢに示す反射体の製造方法を示す工程図。
【図１８】Ａは本発明の第６の実施形態の反射体の要部を示す斜視図、ＢはＡに示す反射体の部分平面図、ＣはＡ及びＢに示す反射体の製造方法を示す工程図、ＤはＡ及びＢに示す反射体の製造方法を示す工程図。
【図１９】従来の反射型液晶表示装置の例を示す側面断面図。
【図２０】従来の反射型液晶表示装置に備えられた反射板の反射特性を示す図。
【符号の説明】
１　液晶表示装置
２８　反射基板（基体）
２８ａ　高反射性層
２８ｂ　一面
３０　反射体
３１　凸部
４１　第１ストライプ溝
５１　第２ストライプ溝
６１　切削工具
７１　母型
７２　型面

Claims (14)

1. 基体の一面に、略四面体形状であって複数の不均等な大きさの凸部が相互に隣接して形成されるとともに、該凸部を含む前記一面上に高反射性層が形成されてなることを特徴とする反射体。
2. 前記凸部は、前記基体の一面に、断面視略Ｖ字形状でかつ同一方向に延びる複数の第１ストライプ溝が連続して設けられるとともに、断面視略Ｖ字形状でかつ第１のストライプ溝と交差する方向に延びる複数の第２ストライプ溝が連続して設けられることにより形成されたものであることを特徴とする請求項１に記載の反射体。
3. 前記第１，第２ストライプ溝のピッチが溝毎にランダムに異なっていることを特徴とする請求項２に記載の反射体。
4. 前記第１，第２ストライプ溝の少なくとも一部の断面形状が対称Ｖ字形状であることを特徴とする請求項２または請求項３に記載の反射体。
5. 前記第１，第２ストライプ溝の少なくとも一部の断面形状が非対称Ｖ字形状であることを特徴とする請求項２または請求項３に記載の反射体。
6. 前記第１，第２ストライプ溝の断面視Ｖ字形状を構成する一対の斜面のうち、一方又は両方の斜面が凹曲面であることを特徴とする請求項２ないし請求項５のいずれかに記載の反射体。
7. 前記第１，第２ストライプ溝の断面視Ｖ字形状を構成する一対の斜面のうち、一方または両方の斜面が凸曲面であることを特徴とする請求項２ないし請求項５のいずれかに記載の反射体。
8. 請求項１ないし請求項７のいずれかに記載の反射体を具備してなることを特徴とする液晶表示装置。
9. 先端がＶ字状の切削工具により母型の型面を切削加工して、断面視略Ｖ字形状でかつ同一方向に延びる複数の第１ストライプ溝を連続して形成するとともに、断面視略Ｖ字形状でかつ第１のストライプ溝と交差する方向に延びる複数の第２ストライプ溝を連続して形成して母型を作製する工程と、
   前記母型の型面上に電鋳によって金属を付着後、該金属を離型することより前記母型の型面の形状に対応する形状の型面を備えた電鋳型を作製する工程と、
   感光性樹脂基材の表面に前記電鋳型の型面を押しつけて転写することにより、前記感光性樹脂基材の表面に前記母型の型面と同一形状の成形面を形成する工程と、
   前記感光性樹脂基材の成形面に高反射性層を成膜する工程とを備えることを特徴とする反射体の製造方法。
10. 感光性樹脂を前記電鋳型の型面に射出成形して、感光性樹脂基材の表面に前記電鋳型の型面を転写することにより、前記感光性樹脂基材の表面に前記母型の型面と同一形状の成形面を形成することを特徴とする請求項９に記載の反射体の製造方法。
11. 前記第１または第２ストライプ溝を形成する際の前記切削工具の送りピッチがランダムなピッチに設定されていることを特徴とする請求項９または請求項１０に記載の反射体の製造方法。
12. 前記切削工具の先端形状が対称Ｖ字形状または非対称Ｖ字形状であることを特徴とする請求項９ないし請求項１１のいずれかに記載の反射体の製造方法。
13. 前記切削工具の先端Ｖ字形状を構成する一対の斜面のうち、一方又は両方の斜面が凹曲面であることを特徴とする請求項９ないし請求項１２のいずれかに記載の反射体の製造方法。
14. 前記切削工具の先端Ｖ字形状を構成する一対の斜面のうち、一方または両方の斜面が凸曲面であることを特徴とする請求項９ないし請求項１２のいずれかに記載の反射体の製造方法。

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