JP2004140216A - 多層プリント配線板およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】金属板から成るコア基板を用いて、電気接続性や接続信頼性を低下させることがない多層プリント配線板を提供する。
【解決手段】コア基板３０の貫通孔３２には、樹脂３６が充填されスルーホール４１が形成されている。金属板３０Ａの通孔３２Ａの開口部の角部が金属層３４で被覆され、角部が樹脂３６側に接していないため、ヒートサイクル試験においても、貫通孔３２の開口部での応力集中がなく、樹脂３６にクラックが入ることがない。
【選択図】　図８

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、金属層が含有されたコア基板（金属板）に層間絶縁層と導体回路とが積層されて、かつスルーホールを介して表裏が電気的接続された多層プリント配線板に関し、特に、樹脂絶縁層と導体回路層とを交互にビルドアップして成り、ＩＣチップなどの電子部品を載置するパッケージ基板に好適に用い得る多層プリント配線板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
信号の高周波化に伴って、プリント配線板の材料は、低誘電率、低誘電正接であることが求められるようになってきている。そのためプリント配線板の材料は、セラミックから樹脂へとその主流が移りつつある。
【０００３】
係るパッケージ基板を構成する樹脂製の多層プリント配線板は、コア基板に配線層と層間樹脂絶縁層とを交互に積層することにより構成され、コア基板に形成されるスルーホールにより、上層側と下層側との接続を取る。コア基板は、１ｍｍ程度の厚みを有し、基材には、ガラスエポキシ樹脂等の心材を有する樹脂材料から成り立ち、層間樹脂絶縁層には、フォトもしくはバイアホールで形成されやすいように、心材が含浸されていなくて、かつ粗面形成するための粒子が含有されていて、数十μｍの厚みに形成される。
【０００４】
ＩＣチップが更なる進化（高周波、高密度、低インダクタンス化などの要求）を遂げるに当たり、コア基板のスルーホール長（約１ｍｍ）を短くする要求がなされる。それによりＩＣチップからの総配線長を短縮することができて、信号遅延や誤動作を起こさなくなる。その要求に従い、コア基板の厚みを１ｍｍ未満に薄くした。しかしながら、基板の反りを低減することができなかった。つまり、プリント基板が熱履歴（硬化、乾燥、加熱などの工程に係わる熱を要する工程）や様々な浸漬工程（めっき、洗浄、レジストなどの基板を液に浸ける工程）を経ると、基板には応力（材料同士の熱膨張係数の差に起因するもの、硬化もしくは加熱時におこる硬化収縮に起因するもの）が加わってしまう。そのために厚みを薄くしたコア基板では、それらの応力を緩衝することができなくなってしまったために、反りが発生したものと考えられる。そのために、導体回路の断線や剥離を引き起こしたり、バイアホールでの接続性の低下をさせたり、ヒートサイクルなどの信頼性試験を行うと信頼性を低下させることとなる。
【０００５】
前述の２つの課題（コア基板を薄く、反りの低減）を果たすために、コア基板に、金属層を含んだものを用いることを検討した。その従来技術としては、特開昭６１−１８９６９４号、特開昭６３−３１２６９１号等がある。それによると、金属層を有するコア基板を貫通するスルーホールが形成されて、スルーホール内に表裏を貫通する導体層が施されて、電気的接続させているのである。それにより、コア基板の剛性が増すために、反りを低減することができるというものであった。
【０００６】
【特許文献１】
特開昭６１−１８９６９４号公報
【０００７】
【特許文献２】
特開昭６３−３１２６９１号公報
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、層間絶縁層にクラックや剥離が発生した。特に、貫通孔近辺でのクラックや剥離での発生頻度が高いことも分かった。そのために、層間絶縁層上の導体回路の断線などを引き起こしてしまったり、ヒートサイクルなどの信頼性試験を行った後に、バイアホールやスルーホールでの電気的な不具合を起こしたりして、電気接続性や接続信頼性を低下させていた。
【０００９】
本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、電気特性が良好で、反りを低減しうる金属層が含有したコア基板を用いて、電気接続性や接続信頼性を低下させることがない多層プリント配線板及びその製造方法を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上述した課題を解決するために、請求項１では、スルーホール挿通用の貫通孔が形成された金属層（金属板）を含有するコア基板に、層間絶縁層と導体回路とが積層され、該貫通孔に樹脂を介してスルーホールが設けられた多層プリント配線板において、
前記金属層の貫通孔の上下の開口部内周円に曲面が形成されていることを技術的特徴とする。
【００１１】
発明者がさらに鋭意研究した結果、次のようなことが分かった。元々の絶縁材料は、金属材料に比べると熱膨張が大きい。特に、絶縁材料に、補強材（例えばガラスエポキシなどからなる心材、金属材料などの含浸など）が含有されていないのであれば、その熱膨張の差は大きい。そのために、熱膨張率の差を起因とする応力が発生する。コア基板に樹脂材料を用いていたときには、その差はそれほど問題にならず、前述のようなことも発生しなかった。
【００１２】
特に、応力が集中しやすい部分になるとその相乗効果により、クラックや剥離などを引き起こしやすくなった。それ故に、スルーホール部分の金属部分は鋭角、直角になっていたために、その部分を基点として応力が集中しやすくなったために、クラックや剥離を引き起こしていた。即ち、図１１に示すように、従来技術のパッケージ基板では、コア基板と成る金属板１３０のスルーホール挿通用の貫通孔１３２に樹脂１３６が充填され、樹脂１３６に穿設されたスルーホール用通孔１４０に金属膜１４２が設けられスルーホール１４１が形成されている。ここで、該貫通孔１３２の上下の開口１３２ａが直角になっていたため、金属板１３０と樹脂１３６との熱膨張率差によって、応力が生じる。その応力が角部へ集中すると、絶縁材料に角部となる開口からクラックＣを生じていた。
それ故に、本発明では、その開口部分に曲面を設けることにより、応力の集中するポイントがなくなり、熱膨張の差を起因とする不具合の発生がなくなった。
【００１３】
コア基板の貫通孔の上下の開口部内周円に曲面は、該貫通孔の中心線を通る平面上での曲率半径Ｒ（曲線のある点での曲率円の半径：図８、図１０参照）が０．００１〜０．０２ｍｍであることが望ましい。ここで、０．００１ｍｍ未満であると、応力集中を避けることが出来ない。一方、０．０２ｍｍを越えると、開口部での応力集中は避けられても、貫通孔の中央部で応力が集中し易くなるからである。更に望ましいのは０．００５〜０．０１ｍｍである。また、貫通孔内の導体とコア基板の金属との絶縁が途絶えない。
【００１４】
コアとなる金属層は、２層以上の金属層で形成されていることが望ましい。
コアとなる金属層上に、１層もしくは２層以上の金属膜を形成することが望ましい。金属膜としては無電解めっき、電解めっき、蒸着、スパッタなどの金属で形成される。また、形成される金属としては、銅、それにより、開口した金属板の強度が増して、金属板の開口部の付近において曲面を容易に形成することができるからである。その金属膜の厚みは、１０〜５０μｍの間で形成させることが望ましい。１０μｍ未満では、コアとなる金属層の強度が増さないことと曲面を形成することができないからであり、５０μｍを越えると、その効果には変わらなくなるし、貫通孔内を埋めてしまうことがあるからである。２０〜３５μｍの間であれば、メッキ膜のバラツキが生じたとしても曲面の形成において不具合を生じさせることがないし、曲率半径が０．００５〜０．０１ｍｍの範囲に収まる。
【００１５】
また、コアとなる金属層をプレーン層として用いるときには、金属膜を形成することがより望ましい。銅などの金属箔だけであると、粗化層もしくはめっき膜の形成に不具合を起こしやすいからである。表層の金属膜を形成することにより、それらの不具合を低減することができるからである。バイアホールで接続をするときに金属層（めっき膜）での接合性が高められるからでもあり、そのために信頼性も確保することができるのである。
【００１６】
さらに、金属層の曲面は、めっき膜からなる金属で形成されていることが望ましい。めっき膜であると、樹脂絶縁材料との密着性がよいし、材料間における応力を解消し易いのである。
【００１７】
めっき膜としては、無電解めっき膜、電解めっき膜、置換めっき膜のいずれか１種類以上で形成させるのがよい。その中でも電解めっき膜を形成することがより望ましい。曲面を形成しやすいこととその後の粗化層の形成やバイアホール部分でのめっき膜の密着性という点で有利になる。電解めっき液としては、銅、ニッケル、金、銀、半田などを用いることができる。その中でも銅を用いることがよい。廉価で、電気特性という点で優れている。
【００１８】
層間絶縁層は、コア基板の両面に形成されていることが望ましい。それにより、より高密度化された基板を得ることとなる。両面に同じ層だけ形成した方がよい。層間絶縁層の硬化収縮における応力が同じだけ発生することとなり、両面で応力を相殺することができるからである。
【００１９】
本願の多層プリント配線板には、フリップチップ接続用の半田バンプが形成されていることが望ましい。
そもそもこのメタルコア基板は、フリップチップを実装するのに適しているのである。コアが金属であるので平坦化されているので、それらに追従すべき層間絶縁層を形成したとしても、平坦化が保たれ、反りがないので、半田バンプのコプラナリティが確保され、フリップチップの高密度化、多ピン化されたものでも実装することができる。
【００２０】
また、２ＧＨｚ以上の高周波領域では電源供給が不足することが懸念されている。けれど、コアとなる金属板をプレーン層として用いることができ、その配設の自由度が増すから、電源供給不足を補えることができる。一方、コアと金属をＧＮＤとすることができ、その上層、下層のシグナルとなる導体回路を形成し、コア基板内では、貫通孔もシグナルを形成することとなり、３次元的にマイクロストリップラインを形成されるので、電気特性がより安定する。
【００２１】
本発明の多層プリント配線板の製造方法では、以下の（ａ）〜（ｆ）の工程を備えることが望ましい：
（ａ）コア基板となる金属層（金属板）にスルーホール挿通用の貫通孔を形成する工程；
（ｂ）該金属層にめっき層を設け、前記貫通孔の上下の開口部内周円に曲面を形成する工程；
（ｃ）前記貫通孔内に樹脂を充填する工程；
（ｄ）前記貫通孔内の樹脂にスルーホール用通孔を穿設する工程；
（ｅ）前記スルーホール用通孔に金属膜を設けてスルーホールを形成する工程；
（ｆ）前記金属層の上側に層間絶縁層と導体回路とを積層する工程。
上記（ｂ）の工程において、めっきにより、貫通孔の上下の開口部内周円に曲面を形成でき、貫通孔の開口部での応力集中を避けることができる。
【００２２】
本発明の多層プリント配線板の製造方法では、以下の（ａ）〜（ｆ）の工程を備えることが望ましい：
（ａ）コア基板となる金属層（金属板）にスルーホール挿通用の貫通孔を形成する工程；
（ｂ）前記貫通孔の上下の開口部内周を面取りする工程；
（ｃ）前記貫通孔内に樹脂を充填する工程；
（ｄ）前記貫通孔内の樹脂にスルーホール用通孔を穿設する工程；
（ｅ）前記スルーホール用通孔に金属膜を設けてスルーホールを形成する工程；
（ｆ）前記金属層の上側に層間絶縁層と導体回路とを積層する工程。
上記（ｂ）の工程で、貫通孔の上下の開口部内周を面取りすることで、貫通孔の開口部での応力集中を避けることができる。
【００２３】
（無電解めっき液について）
本発明の電解めっき液は、導体回路が設けられた基板上に、樹脂絶縁層と導体回路とが順次積層された多層プリント配線板の製造に用いる電解めっき液であって、５０〜３００ｇ／ｌの硫酸銅、３０〜２００ｇ／ｌの硫酸、ハロゲンイオン、および、少なくともレベリング剤と光沢剤とを含有することを特徴とする。
【００２４】
また、上記レベリング剤として、ポリエチレン、その誘導体、ゼラチンおよびその誘導体からなる群より選択される少なくとも１種を用いることが望ましく、上記光沢剤として、酸化物硫黄、その関連化合物、硫化水素、その関連化合物およびその他の硫黄化合物からなる群から選択される少なくとも１種を用いることが望ましい。
上記電解めっき液において、硫酸銅の濃度が５０ｇ／ｌ未満では、フィルドビアには適さず、３００ｇ／ｌを超えると、めっき膜厚のバラツキが大きくなる。
【００２５】
また、硫酸の濃度が３０ｇ／ｌ未満では、液抵抗が大きくなるため、めっき析出がされにくくなり、２００ｇ／ｌを超えると、硫酸銅が結晶になりやすい。
また、ハロゲンイオンの濃度が２５ｍｇ／ｌ未満では、めっき膜の光沢が低下し、９０ｍｇ／ｌを超えるとアノードが溶解しにくくなる。
このような組成の電解めっき液を用いることにより、バイアホールの開口径、樹脂絶縁層の材質や厚さ、樹脂絶縁層の粗化面の有無等に関係なく、フィルドビアを形成することができる。ハロゲンとしては、塩素、フッ素、ホウ素などを用いる。その中では塩素を用いることが液の安定性と膜の成長性がよい。
【００２６】
また、多層プリント配線板を製造する際に、上記電解めっき液を用いると、該電解めっき液が銅イオンを高濃度で含有していることから、バイアホール用開口部に銅イオンを充分に供給し、バイアホール用開口部をめっき速度４０〜１００μｍ／時間でめっきすることができ、電解めっき工程の高速化を図ることもできる。
【００２７】
また、上記電解めっき液は、硫酸を高濃度で含有しているため、めっき時の液抵抗を下げることができる。そのため、電流密度が高くなり、バイアホール用開口部でのめっき膜の成育も妨げられず、フィルドビア構造の形成に適している。
上記電解めっき液の望ましい組成は、１００〜２５０ｇ／ｌの硫酸銅、５０〜１５０ｇ／ｌの硫酸、３０〜７０ｍｇ／ｌの塩素イオン、および、少なくともレベリング剤と光沢剤とからなる１〜６００ｍｇ／ｌの添加剤を含有する組成である。
【００２８】
上記添加剤は、少なくともレベリング剤と光沢剤とからなるものであればよく、その他の成分を含有していてもよい。
上記レベリング剤としては、例えば、ポリエチレン、その誘導体、ゼラチンおよびその誘導体からなる群から選択される少なくとも１種を用いることが望ましい。
【００２９】
上記ポリエチレン誘導体としては特に限定されず、例えば、ポリエチレンイソフタレート、ポリエチレンイミン、ポリエチレンオキシド、ポリエチレングリコール、ポリエチレングリコールエステル、ポリエチレングリコールエーテル、ポリエチレンスルフィド、ポリエーテル等を挙げることができる。
これらのなかでは、ポリエチレングリコールまたはゼラチンを用いることが望ましい。汎用性が高く、樹脂絶縁層や金属膜への損傷がないからである。
また、上記光沢剤としては、例えば、酸化物硫黄、その関連化合物、硫化水素、その関連化合物およびその他の硫黄化合物からなる群から選択される少なくとも１種を用いることが望ましい。
【００３０】
上記酸化物硫黄およびその関連化合物としては特に限定されず、例えば、スルホン酸系化合物、スルホン系化合物、亜硫酸系化合物およびその他の酸化物硫黄化合物等が挙げられる。
上記スルホン酸系化合物としては特に限定されず、例えば、スルホ安息香酸、スルホ安息香酸塩、スルホアントラキノン、スルホメタン、スルホエタン、スルホカルバミド、スルホ琥珀酸、スルホ琥珀酸エステル、スルホ酢酸、スルホサリチル酸、スルホシアヌル酸、スルホシアン、スルホシアン酸エステル、スルホニン、スルホビン酸、スルホフタル酸、スルホン酸アミド、スルホン酸イミド等、および、スルホカルボアニリド等のスルホカルボニル系化合物等を挙げることができる。
【００３１】
上記スルホン系化合物としては特に限定されず、例えば、スルホナール、スルホニルジ酢酸、スルホニルジフェニルメタン、スルホキシル酸、スルホキシル酸塩、スルホンアミド、スルホンイミド等、および、スルホニルクロリド系化合物等を挙げることができる。
上記亜硫酸系化合物としては特に限定されず、例えば、亜硫酸、亜硫酸アンモニウム、亜硫酸カリウム、亜硫酸ジエチル、亜硫酸ジメチル、亜硫酸水素ナトリウムおよび亜硫酸エステル化合物等を挙げることができる。
【００３２】
上記その他の酸化物硫黄化合物としては特に限定されず、例えば、スルホキシド等を挙げることができる。
上記硫化水素、その関連化合物としては特に限定されず、例えば、スルホニウム化合物、および、スルホニウム塩等を挙げることができる。
上記その他の硫黄化合物としては特に限定されず、例えば、ビスジスルフィド等を挙げることができる。
【００３３】
本発明の電解めっき液は、さらに、上記光沢剤を含有することにより、多層プリント配線板を製造する際にバイアホール用開口部を金属で完全に充填することができ、上記レベリング剤を含有することにより、同一層におけるバイアホールの上面と導体回路の上面とを略同一平面に形成することができる。
【００３４】
これは、上記光沢剤がバイアホール用開口部の低電流部分を活性化することにより、バイアホール用開口部へのめっき析出を加速させ、上記レベリング剤が導体回路表面に吸着することにより、導体回路表面でのめっきの析出を抑制するからである。
【００３５】
上記レベリング剤の配合量は、１〜１０００ｍｇ／ｌが望ましく、上記光沢剤の配合量は、０．１〜１００ｍｇ／ｌが望ましい。また、両者の配合比率は、２：１〜１０：１が望ましい。
【００３６】
上記レベリング剤の配合量が少なすぎると、導体回路表面へのレベリング剤の吸着量が少なく、導体回路へのめっき析出が速くなる。一方、レベリング剤の配合量が多すぎると、バイアホール用開口部底部へのレベリング剤の吸着量が多く、バイアホール用開口部へのめっき析出が遅くなる。
【００３７】
また、上記光沢剤の配合量が少なすぎると、バイアホール用開口部の底部の活性化ができなくなり、めっきによりバイアホール用開口部を金属で完全に充填することができない。一方、多すぎると、導体回路部分のめっきの析出が速くなり、導体回路上面とバイアホール上面に段差が生じてしまう。
このような構成の電解めっき液を用いる電解めっき法としては特に限定されず、以下に示す電解めっき法等を用いることができる。
【００３８】
即ち、一般的な電解めっき法である直流電解めっき法（ＤＣめっき法）や、カソード電流の供給および中断を交互に繰り返すことにより、電流を矩形波のパルス電流に制御する方法（ＰＣめっき法）、カソード電流の供給とアノード電流の供給とを交互に反転させて繰り返すことにより、周期的逆転波を用いて電流を制御するパルス−リバース電気めっき法（ＰＲめっき法）、カソード電流として高密度電流パルスと低密度電流パルスとを交互に印加する方法等を用いることができる。
【００３９】
これらのなかでは、多層プリント配線板を製造する際に、フィルドビアを形成するのに適しており、また、高価な電源装置や制御装置を必要としない点から直流電解めっき法が望ましい。
【００４０】
（絶縁層、層間絶縁層について）
本発明では、絶縁層、層間樹脂絶縁層には熱硬化型樹脂シートを用いて形成することが好適である。熱硬化型樹脂シートには、難溶性樹脂、可溶性粒子、硬化剤、その他の成分が含有されている。それぞれについて以下に説明する。
本発明の製造方法において使用する熱硬化型樹脂シートは、酸または酸化剤に可溶性の粒子（以下、可溶性粒子という）が酸または酸化剤に難溶性の樹脂（以下、難溶性樹脂という）中に分散したものである。
【００４１】
なお、本発明で使用する「難溶性」「可溶性」という語は、同一の酸または酸化剤からなる溶液に同一時間浸漬した場合に、相対的に溶解速度の早いものを便宜上「可溶性」と呼び、相対的に溶解速度の遅いものを便宜上「難溶性」と呼ぶ。
上記可溶性粒子としては、例えば、酸または酸化剤に可溶性の樹脂粒子（以下、可溶性樹脂粒子）、酸または酸化剤に可溶性の無機粒子（以下、可溶性無機粒子）、酸または酸化剤に可溶性の金属粒子（以下、可溶性金属粒子）等が挙げられる。これらの可溶性粒子は、単独で用いても良いし、２種以上併用してもよい。
上記可溶性粒子の形状は特に限定されず、球状、破砕状等が挙げられる。また、上記可溶性粒子の形状は、一様な形状であることが望ましい。均一な粗さの凹凸を有する粗化面を形成することができるからである。
【００４２】
上記可溶性粒子の平均粒径としては、０．１〜１０μｍが望ましい。この粒径の範囲であれば、２種類以上の異なる粒径のものを含有してもよい。すなわち、平均粒径が０．１〜０．５μｍの可溶性粒子と平均粒径が１〜３μｍの可溶性粒子とを含有する等である。これにより、より複雑な粗化面を形成することができ、導体回路との密着性にも優れる。なお、本発明において、可溶性粒子の粒径とは、可溶性粒子の一番長い部分の長さである。
【００４３】
上記可溶性樹脂粒子としては、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂等からなるものが挙げられ、酸あるいは酸化剤からなる溶液に浸漬した場合に、上記難溶性樹脂よりも溶解速度が速いものであれば特に限定されない。
【００４４】
上記可溶性樹脂粒子の具体例としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂等からなるものが挙げられ、これらの樹脂の一種からなるものであってもよいし、２種以上の樹脂の混合物からなるものであってもよい。
【００４５】
また、上記可溶性樹脂粒子としては、ゴムからなる樹脂粒子を用いることもできる。上記ゴムとしては、例えば、ポリブタジエンゴム、エポキシ変性、ウレタン変性、（メタ）アクリロニトリル変性等の各種変性ポリブタジエンゴム、カルボキシル基を含有した（メタ）アクリロニトリル・ブタジエンゴム等が挙げられる。これらのゴムを使用することにより、可溶性樹脂粒子が酸あるいは酸化剤に溶解しやすくなる。つまり、酸を用いて可溶性樹脂粒子を溶解する際には、強酸以外の酸でも溶解することができ、酸化剤を用いて可溶性樹脂粒子を溶解する際には、比較的酸化力の弱い過マンガン酸塩でも溶解することができる。また、クロム酸を用いた場合でも、低濃度で溶解することができる。そのため、酸や酸化剤が樹脂表面に残留することがなく、後述するように、粗化面形成後、塩化パラジウム等の触媒を付与する際に、触媒が付与されなたかったり、触媒が酸化されたりすることがない。
【００４６】
上記可溶性無機粒子としては、例えば、アルミニウム化合物、カルシウム化合物、カリウム化合物、マグネシウム化合物およびケイ素化合物からなる群より選択される少なくとも一種からなる粒子等が挙げられる。
【００４７】
上記アルミニウム化合物としては、例えば、アルミナ、水酸化アルミニウム等が挙げられ、上記カルシウム化合物としては、例えば、炭酸カルシウム、水酸化カルシウム等が挙げられ、上記カリウム化合物としては、炭酸カリウム等が挙げられ、上記マグネシウム化合物としては、マグネシア、ドロマイト、塩基性炭酸マグネシウム等が挙げられ、上記ケイ素化合物としては、シリカ、ゼオライト等が挙げられる。これらは単独で用いても良いし、２種以上併用してもよい。
上記可溶性金属粒子としては、例えば、銅、ニッケル、鉄、亜鉛、鉛、金、銀、アルミニウム、マグネシウム、カルシウムおよびケイ素からなる群より選択される少なくとも一種からなる粒子等が挙げられる。また、これらの可溶性金属粒子は、絶縁性を確保するために、表層が樹脂等により被覆されていてもよい。
【００４８】
上記可溶性粒子を、２種以上混合して用いる場合、混合する２種の可溶性粒子の組み合わせとしては、樹脂粒子と無機粒子との組み合わせが望ましい。両者とも導電性が低くいため樹脂フィルムの絶縁性を確保することができるとともに、難溶性樹脂との間で熱膨張の調整が図りやすく、樹脂フィルムからなる層間樹脂絶縁層にクラックが発生せず、層間樹脂絶縁層と導体回路との間で剥離が発生しないからである。
【００４９】
上記難溶性樹脂としては、層間樹脂絶縁層に酸または酸化剤を用いて粗化面を形成する際に、粗化面の形状を保持できるものであれば特に限定されず、例えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、これらの複合体等が挙げられる。また、これらの樹脂に感光性を付与した感光性樹脂であってもよい。感光性樹脂を用いることにより、層間樹脂絶縁層に露光、現像処理を用いてビア用開口を形成することできる。
これらのなかでは、熱硬化性樹脂を含有しているものが望ましい。それにより、めっき液あるいは種々の加熱処理によっても粗化面の形状を保持することができるからである。
【００５０】
上記難溶性樹脂の具体例としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、フェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂等が挙げられる。これらの樹脂は単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００５１】
さらには、１分子中に、２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂がより望ましい。前述の粗化面を形成することができるばかりでなく、耐熱性等にも優れてるため、ヒートサイクル条件下においても、金属層に応力の集中が発生せず、金属層の剥離などが起きにくいからである。
【００５２】
上記エポキシ樹脂としては、例えば、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、アルキルフェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノールＦ型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、フェノール類とフェノール性水酸基を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物、トリグリシジルイソシアヌレート、脂環式エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。それにより、耐熱性等に優れるものとなる。
【００５３】
本発明で用いる樹脂フィルムにおいて、上記可溶性粒子は、上記難溶性樹脂中にほぼ均一に分散されていることが望ましい。均一な粗さの凹凸を有する粗化面を形成することができ、樹脂フィルムにビアやスルーホールを形成しても、その上に形成する導体回路の金属層の密着性を確保することができるからである。また、粗化面を形成する表層部だけに可溶性粒子を含有する樹脂フィルムを用いてもよい。それによって、樹脂フィルムの表層部以外は酸または酸化剤にさらされることがないため、層間樹脂絶縁層を介した導体回路間の絶縁性が確実に保たれる。
【００５４】
上記樹脂フィルムにおいて、難溶性樹脂中に分散している可溶性粒子の配合量は、樹脂フィルムに対して、３〜４０重量％が望ましい。可溶性粒子の配合量が３重量％未満では、所望の凹凸を有する粗化面を形成することができない場合があり、４０重量％を超えると、酸または酸化剤を用いて可溶性粒子を溶解した際に、樹脂フィルムの深部まで溶解してしまい、樹脂フィルムからなる層間樹脂絶縁層を介した導体回路間の絶縁性を維持できず、短絡の原因となる場合がある。上記樹脂フィルムは、上記可溶性粒子、上記難溶性樹脂以外に、硬化剤、その他の成分等を含有していることが望ましい。
【００５５】
上記硬化剤としては、例えば、イミダゾール系硬化剤、アミン系硬化剤、グアニジン系硬化剤、これらの硬化剤のエポキシアダクトやこれらの硬化剤をマイクロカプセル化したもの、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスフォニウム・テトラフェニルボレート等の有機ホスフィン系化合物等が挙げられる。
【００５６】
上記硬化剤の含有量は、樹脂フィルムに対して０．０５〜１０重量％であることが望ましい。０．０５重量％未満では、樹脂フィルムの硬化が不十分であるため、酸や酸化剤が樹脂フィルムに侵入する度合いが大きくなり、樹脂フィルムの絶縁性が損なわれることがある。一方、１０重量％を超えると、過剰な硬化剤成分が樹脂の組成を変性させることがあり、信頼性の低下を招いたりしてしまうことがある。
【００５７】
上記その他の成分としては、例えば、粗化面の形成に影響しない無機化合物あるいは樹脂等のフィラーが挙げられる。上記無機化合物としては、例えば、シリカ、アルミナ、ドロマイト等が挙げられ、上記樹脂としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアクリル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、メラニン樹脂、オレフィン系樹脂等が挙げられる。これらのフィラーを含有させることによって、熱膨脹係数の整合や耐熱性、耐薬品性の向上などを図りプリント配線板の性能を向上させることができる。
【００５８】
また、上記樹脂フィルムは、溶剤を含有していてもよい。上記溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテートやトルエン、キシレン等の芳香族炭化水素等が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、２種類以上併用してもよい。
【００５９】
（スルーホールの穴埋め樹脂について）
本発明のスルーホール充填用樹脂組成物を構成する樹脂としては、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂を用いることができる。熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂から選ばれるいずれか少なくとも１種の樹脂がよい。熱可塑性樹脂としては、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、４フッ化エチレン６フッ化プロピレン共重合体（ＦＥＰ）、４フッ化エチレンパーフロロアルコキシ共重合体（ＰＦＡ）等のフッ素樹脂、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリスルフォン（ＰＳＦ）、ポリフェニレンスルフィド（ＰＰＳ）、熱可塑型ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）、ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、ポリフェニレンスルフォン（ＰＰＥＳ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリオレフィン系樹脂から選ばれるいずれか少なくとも１種がよい。
【００６０】
特に、スルーホールの充填に用いられる最適樹脂としては、ビスフェノール型エポキシ樹脂およびノボラック型エポキシ樹脂から選ばれるいずれか少なくとも１種がよい。この理由は、ビスフェノール型エポキシ樹脂は、Ａ型、Ｆ型などの樹脂を適宜選択することにより、希釈溶媒を使用しなくともその粘度を調整でき、またノボラック型エポキシ樹脂は、高強度で耐熱性や耐薬品性に優れ、無電解めっき液のような強塩基性溶液中でも分解せず、また熱分解しないからである。前記ビスフェノール型エポキシ樹脂としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂から選ばれるいずれか少なくとも１種を用いることが望ましい。なかでも、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂は、低粘度で無溶剤で使用することができるため有利である。前記ノボラック型エポキシ樹脂としては、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂から選ばれるいずれか少なくとも１種を用いることが望ましい。このような樹脂の中で、ノボラック型エポキシ樹脂とビスフェノール型エポキシ樹脂を配合して用いる場合、その配合割合は、重量比で１／１〜１／１００　が望ましい。この理由は、粘度の著しい上昇を抑制できる範囲だからである。
【００６１】
また、含有される無機粒子には、配合量は、１０〜８０ｖｏｌ％であることがよい。さらに望ましいのは、２０〜７０ｖｏｌ％である。
含有される無機粒子には、アルミニウム化合物、カルシウム化合物、カリウム化合物、マグネシウム化合物、ケイ素化合物のいずれか１種類以上が配合されていることがよい。アルミニウム化合物としては、例えばアルミナ、水酸化アルミニウムなどが挙げられる。カルシウム化合物としては、炭酸カルシウム、水酸化カルシウム、等が挙げられる。カリウム化合物としては、炭酸カリウム等が挙げられる。マグネシウム化合物としては、マグネシア、ドロマイト、塩基性炭酸マグネシウムなどが挙げられる。ケイ素化合物としては、シリカ、ゼオライトなどが挙げられる。
【００６２】
このような樹脂組成物に使用される硬化剤としては、イミダゾール系硬化剤、酸無水物硬化剤、アミン系硬化剤が望ましい。硬化収縮が小さいからである。硬化収縮を抑制することにより、充填材とそれを被覆する導体層との一体化してその密着性を向上させることができる。
【００６３】
また、このような樹脂組成物は、必要に応じて溶剤で希釈することができる。この溶剤としては、ＮＭＰ（ノルマルメチルピロリドン）、ＤＭＤＧ（ジエチレングリコールジメチルエーテル）、グリセリン、水、１−又は２−又は３−のシクロヘキサノール、シクロヘキサノン、メチルセルソルブ、メチルセルソルブアセテート、メタノール、エタノール、ブタノール、プロパノール、などがある。より望ましいのは、充填樹脂組成物中に、溶剤が含有させないのがよい。
【００６４】
本発明では、充填材が充填されるスルーホールの内壁導体表面に粗化層が形成されてなることが望ましい。この理由は、充填材とスルーホールとが粗化層を介して密着し隙間が発生しないからである。もし、充填材とスルーホールとの間に空隙が存在すると、その直上に電解めっきで形成される導体層は、平坦なものとならなかったり、空隙中の空気が熱膨張してクラックや剥離を引き起こしたりし、また一方で、空隙に水が溜まってマイグレーションやクラックの原因となったりする。この点、粗化層が形成されているとこのような不良発生を防止することができる。
【００６５】
また、本発明において、充填材を覆う導体層の表面には、スルーホール内壁の導体表面に形成した粗化層と同様の粗化層が形成されていることが有利である。この理由は、粗化層により層間樹脂絶縁層やバイアホールとの密着性を改善することができるからである。特に、導体層の側面に粗化層が形成されていると、導体層側面と層間樹脂絶縁層との密着不足によってこれらの界面を起点として層間樹脂絶縁層に向けて発生するクラックを抑制することができる。
【００６６】
このようなスルーホール内壁や導体層の表面に形成される粗化層の厚さは、０．１〜１０μｍがよい。この理由は、厚すぎると層間ショートの原因となり、薄すぎると被着体との密着力が低くなるからである。この粗化層としては、スルーホール内壁の導体あるいは導体層の表面を、酸化（黒化）−還元処理して形成したもの、有機酸と第二銅錯体の混合水溶液で処理して形成したもの、あるいは銅−ニッケル−リン針状合金のめっき処理にて形成したものがよい。
これらの処理のうち、酸化（黒化）−還元処理による方法では、ＮａＯＨ（２０ｇ／ｌ）、ＮａＣｌＯ_２（５０ｇ／ｌ）、Ｎａ_３ＰＯ_４（１５．０ｇ／ｌ）を酸化浴（黒化浴）、ＮａＯＨ（２．７ｇ／ｌ）、ＮａＢＨ_４（　１．０ｇ／ｌ）を還元浴とする。
【００６７】
また、有機酸−第二銅錯体の水溶液を用いた処理では、スプレーやバブリングなどの酸素共存条件下で次のように作用し、導体回路である銅などの金属箔を溶解させる。
Ｃｕ＋［Ｃｕ（ＩＩ）Ａ］^ｎ　→［２Ｃｕ（Ｉ）Ａ］^ｎ／２＋ｎ／４Ｏ_２　＋ｎＡＨ（エアレーション）→［２Ｃｕ（ＩＩ）Ａ］^ｎ　＋ｎ／２Ｈ_２　Ｏ
Ａは錯化剤（キレート剤として作用）、ｎは配位数である。
【００６８】
この処理で用いられる第二銅錯体は、アゾール類の第二銅錯体がよい。このアゾール類の第二銅錯体は、金属銅などを酸化するための酸化剤として作用する。アゾール類としては、ジアゾール、トリアゾール、テトラゾールがよい。なかでもイミダゾール、２−メチルイミダゾール、２−エチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾールなどがよい。このアゾール類の第二銅錯体の含有量は、１〜１５重量％がよい。この範囲内にあれば、溶解性および安定性に優れるからである。
【００６９】
また、有機酸は、酸化銅を溶解させるために配合させるものである。具体例としては、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、カプロン酸、アクリル酸、クロトン酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、マレイン酸、安息香酸、グリコール酸、乳酸、リンゴ酸、スルファミン酸から選ばれるいずれか少なくとも１種がよい。この有機酸の含有量は、　０．１〜３０重量％がよい。酸化された銅の溶解性を維持し、かつ溶解安定性を確保するためである。なお、発生した第一銅錯体は、酸の作用で溶解し、酸素と結合して第二銅錯体となって、再び銅の酸化に寄与する。また、有機酸に加えて、ホウフッ酸、塩酸、硫酸などの無機酸を添加してもよい。
【００７０】
この有機酸−第二銅錯体からなるエッチング液には、銅の溶解やアゾール類の酸化作用を補助するために、ハロゲンイオン、例えば、フッ素イオン、塩素イオン、臭素イオンなどを加えてもよい。このハロゲンイオンは、塩酸、塩化ナトリウムなどを添加して供給できる。ハロゲンイオン量は、０．０１〜２０重量％がよい。この範囲内にあれば、形成された粗化面と層間樹脂絶縁層との密着性に優れるからである。
【００７１】
この有機酸−第二銅錯体からなるエッチング液は、アゾール類の第二銅錯体および有機酸（必要に応じてハロゲンイオン）を、水に溶解して調製する。
また、銅−ニッケル−リンからなる針状合金のめっき処理では、硫酸銅１〜４０ｇ／ｌ、硫酸ニッケル　０．１〜６．０　ｇ／ｌ、クエン酸１０〜２０ｇ／ｌ、次亜リン酸塩１０〜１００　ｇ／ｌ、ホウ酸１０〜４０ｇ／ｌ、界面活性剤０．０１〜１０ｇ／ｌからなる液組成のめっき浴を用いることが望ましい。
【００７２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の第１実施例に係る多層プリント配線板について図を参照して説明する。
［第１実施例］
図６は第１実施態様の多層プリント配線板の断面図であり、図７は、図６中に示す多層プリント配線板にＩＣチップを載置してドータボードへ取り付けた状態を示している。図６に示すように多層プリント配線板１０では、コア基板３０は金属板３０Ａの両面に樹脂層３６を設けてなる。金属板３０Ａは金属膜３４で被覆されている。樹脂層３６には、金属板３０Ａへ至るバイアホール４３及び金属板３０Ａの貫通孔３２を貫通するスルーホール４１、導体回路４５が形成されている。スルーホール４１の上端及び下端には蓋部（蓋めっき）４９が形成されている。樹脂層３６の上には、層間樹脂絶縁層５０が形成され、該層間樹脂絶縁層５０上には、バイアホール６０及び導体回路６２が設けられている。上側のバイアホール６０上には、ＩＣチップ搭載用の半田バンプ７８Ｕが、下側のバイアホール６０には、外部基板接続用の半田バンプ７８Ｄが設けられている。層間樹脂絶縁層５０の表面には、ソルダーレジスト層７０が被覆されている。
【００７３】
図７は、多層プリント配線板１０にＩＣチップ８０が取り付けられた状態でドータボード９０に載置された状態を示している。ＩＣチップ８０のバンプ８２に半田バンプ７８Ｕを介し接続され、ドータボード９０のバンプ９２に半田バンプ７８Ｄを介して接続される。
【００７４】
スルーホール４１を拡大して図８に示す。第１実施例のパッケージ基板１０では、コア基板３０は、金属板３０Ａの両面に樹脂層３６が配設されてなる。金属板３０Ａの表面には金属層３４が被覆されている。金属板３０Ａのスルーホール挿通用の貫通孔３２には、樹脂層３６が充填され、樹脂層３６に穿設されたスルーホール用通孔４０に金属膜４２が設けられスルーホール４１が形成されている。
【００７５】
図８は、スルーホール４１の中心線を通る縦断面図である。貫通孔３２の上下の開口部３２ａの内周円には曲面が形成されている。ここで、曲面は、該貫通孔３２の中心線を通る平面上での曲率半径Ｒが０．００５ｍｍである。曲率半径Ｒは、０．００１〜０．０２ｍｍに設定されることが望ましい。ここで、金属板３０Ａの通孔３２Ａの開口部の角部が金属層３４で被覆され、角部が樹脂層３６側に接していないため、ヒートサイクル試験においても、貫通孔３２の開口部３２ａでの応力集中がなく、樹脂層３６にクラックが入ることがない。
【００７６】
以下、図６を参照して上述した第１実施例に係る多層プリント配線板の製造方法について、図１〜図５を参照して説明する。
（１）板取
厚さ０．２〜０．６ｍｍの金属板３０Ａを用意する（図１（Ａ））。この金属板には、銅、ニッケル、アルミ、チタン、亜鉛等の金属を１種類以上含まれたものを用いるのがよい。その具体例としては、４２アロイ、コバール、青銅金属、金属箔がある。なお、金属板は単層であっても、複数層の金属の積層であってもよく、例えば、金属板の中心となる部分にはニッケルを主とした金属箔、その表層には、銅を主とした金属箔を貼り付けた３層構造の金属層をからなるものでもよく。その厚みの組み合わせを特に制限されない。その中でも望ましいのは、銅を用いることであり、形成される導体回路も銅を主とする金属であり、電気特性において問題がおきにくいのと穴明けをしやすいからでからである。
【００７７】
（２）金属板の穴明け
前述の金属板３０Ａに孔３２Ａを明ける（図１（Ｂ））。その穴明けには、レーザ、ドリル、パンチングなどの方法を用いて行う。金属板３０Ａの開口径は、０．１〜１．０ｍｍに形成するのがよい。０．１ｍｍ未満では、開口内にスルーホールを形成することができない。１．０ｍｍを越えると金属板の強度が劣化してしまうため、ビアとの未接続、接続不良により電気的特性に影響を与えることがある。その範囲であれば、孔３２Ａ内に、貫通するスルーホールを形成することができるからである。特に望ましいのは、０．２５〜０．４５ｍｍで範囲であれば、スルーホールを形成し、かつ高密度化させることができるからである。また、金属板上に穴明け用マスクを載置してエッチングにより開口させてもよい。
【００７８】
レーザとしては、炭酸レーザ、エキシマレーザ、ＹＡＧレーザ、ＵＶレーザを用いることにより行う。ここでは、炭酸（ＣＯ_２）ガスレーザにて、ビーム径５ｍｍ、パルス幅１５μ秒、マスクの穴径０．８ｍｍ、１０ショットの条件で金属板３０Ａに直径１２５〜４５０μｍの孔３２Ａを設ける。
【００７９】
ドリルとしては、ドリル径０．１〜０．４ｍｍ程度のドリルを回転数１０００〜２００００ｒｐｍで、穴明けに該当する部分を開口させるものである。場合によって、複数枚の金属板を重ね合せて、ドリルで開口させてもよい。パンチングとしては、予めプレス機金型をセットして、穴明けに該当する部分開口するものである。また、開口時にできたバリなどを除去するために、エッチングなどの薬液処理、研磨処理などを行ってもよい。金属板に直径３００ｍｍを開口した。
【００８０】
（３）金属板の厚付け膜の形成
孔３２Ａが形成された金属板３０Ａの全面（表層もしくは穴部内を含まれる）に、金属膜３４を厚付けする（図１（Ｃ））。孔３２Ａの内周に金属膜３４を形成することで、スルーホール用の貫通孔３２を形成する。その金属膜３４は、電解めっき、無電解めっき、置換めっき、スパッタ、蒸着のいずれかの方法で行うことができる。形成される金属も、銅、ニッケル、金、銀、亜鉛、アルミ、鉄、リンのいずれかが１種類以上含有されたものであることが望ましい。金属膜の厚付けにより、金属板の強度の確保、開口部分に曲面を設けることにより、その上に形成される樹脂層の応力の集中を緩和させることができる。その厚付けされた金属膜の厚みは、１０〜５０μｍ、更に好ましくは２０〜３５μｍの間で形成される。１０μｍ未満では、開口部の曲面を曲率半径Ｒを所望の範囲にできないからであり、５０μｍを越えると、反対に曲率が大きくなりすぎるからである。電気めっきで２５μｍに形成すると、曲率半径Ｒは、０．００５ｍｍであった。
【００８１】
（４）金属板の表面処理
開口した金属板３０Ａに表面処理を行い粗化層３４αを形成する（図１（Ｄ））。表面処理としては、粗化面を形成させて、樹脂層との密着性を確保させる。その粗度としては、平均粗度で０．１〜５μｍの範囲であることが望ましい。その粗化面は、酸化−還元処理、黒化処理、無電解めっき膜、エッチングにより形成させることができる。場合によっては、研磨紙を用いるなどの機械研磨、アルカリ、酸などの薬品に浸漬する化学処理などを経てもよい。
その一例として、金属板を水洗いし、乾燥させる。その後、酸化浴（黒化浴）として、ＮａＯＨ（２０ｇ／ｌ），ＮａＣｌＯ_２（５０ｇ／ｌ），Ｎａ_３ＰＯ_４（１５ｇ／ｌ）、還元浴として、ＮａＯＨ（２．７ｇ／ｌ），ＮａＢＨ_４（１．０ｇ／ｌ）を用いた酸化−還元処理により、金属膜３４の表面に粗化層３４αを設ける。
【００８２】
（５）絶縁層の形成
金属板３０Ａの両面および貫通孔３２内に樹脂層３６を形成させる（図１（Ｅ））。樹脂層３６としては、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂の一部が感光性を有する感光性樹脂、紫外硬化性樹脂、およびそれらの樹脂の樹脂複合体（例、熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂の複合体、光感光性樹脂と熱可塑性樹脂の複合体など）を塗布、フィルム上にしたものの貼り付けにより形成することができる。開口部内を埋めた後、両面に樹脂層を形成してもよいし、別々に工程を経て、樹脂層を形成させたとしても同一の樹脂で形成してもよいし、別々の樹脂を形成させてもよい。また、樹脂にはガラスエポキシなどの心材が含浸されていないものを用いることが望ましい。その理由として、ビアの形状を保持できることと、穴埋めにおける不具合が起きにくい。
金属板の両面に熱硬化性樹脂からなる樹脂層を貼り付けて、該樹脂層を硬化させ、金属板３０Ａと樹脂層３６との積層基板からなるコア基板３０を形成する。
【００８３】
（６）バイアホール、スルーホールの形成
コア基板３０の樹脂層３６にバイアホール用開口３８、スルーホール用通孔４０を形成させる（図２（Ａ））。バイアホールは、金属板との電気的な接続を得るために形成し、スルーホールは、積層基板の表裏で電気的な導通を得るために形成する。その形成には、レーザ、ドリルによって形成することができる。バイアホール径としては、２５〜１５０μｍの間で形成されて、スルーホールは、１００〜４００μｍの間で形成させている。
レーザとしては、炭酸レーザ、エキシマレーザ、ＹＡＧレーザ、ＵＶレーザを用いることにより行う。ここでは、炭酸（ＣＯ_２）ガスレーザで、ビーム径０．１〜１０ｍｍ、パルス幅１５μ秒、マスクの穴径（０．１〜５０μｍ用）１．０〜０．６ｍｍ、１〜３ショットの条件で行うことが望ましい。
【００８４】
ドリルとしては、ドリル径０．１〜０．４ｍｍ程度のドリルを回転数１０００〜２００００ｒｐｍで、穴明けに該当する部分を開口させるものである。場合によって、複数枚の金属板を重ね合せて、ドリルで開口させてもよい。
例えば、先端にダイヤモンドチップを取り付けた１４５μｍ径のドリルを毎分１６回転させ、１５０μｍ径の貫通孔を穿設する。必要に応じて、スルーホール用通孔内のスミアを過マンガン酸などのウェットプロセスあるいはプラズマ、コロナ処理などのドライエッチング処理で除去する。スルーホール用通孔４０の径は、７５〜３５０μｍで形成されるのがよい。特に望ましいのは、１００〜２５０μｍである。本実施例では、ドリルにより直径１５０μｍで形成した。
【００８５】
（７）ＰＴＨめっき・黒化処理
樹脂層３６の表面を酸もしくは酸化剤により粗化、デスミア処理した後、無電解銅めっき膜を形成し、該電解銅めっき膜の上に電解銅めっき膜を形成することで、無電解銅めっき膜及び電解銅めっき膜からなる金属膜４２を形成することにより、内層銅パターンを形成させる（図２（Ｂ））。このとき、内層銅パターンと金属板の絶縁間隔は７５μｍであった。
【００８６】
さらに、この積層基板をドリルもしくはレーザで削孔し、導通スルーホール用通孔と外層スルーホール用通孔である同軸スルーホールを形成してもよい。
【００８７】
内層銅パターン（金属膜）４２を形成した基板３０を水洗いし、乾燥させる。その後、酸化浴（黒化浴）として、ＮａＯＨ（２０ｇ／ｌ），ＮａＣｌＯ_２（５０ｇ／ｌ），Ｎａ_３ＰＯ_４（１５ｇ／ｌ）、還元浴として、ＮａＯＨ（２．７ｇ／ｌ），ＮａＢＨ_４（１．０ｇ／ｌ）を用いた酸化−還元処理により、内層銅パターン（金属膜）４２の表面に粗化層４２αを設ける（図２（Ｃ））。めっき、エッチング処理などによって、粗化層を形成してもよい。
【００８８】
（８）ＰＴＨの穴埋め
Ａ．樹脂充填剤の調製
〔熱硬化性樹脂▲１▼〕
ビスフェノールＦ型エポキシモノマー（油化シェル製、分子量３１０　、ＹＬ９８３Ｕ）１００重量部。
〔硬化剤▲２▼〕
イミダゾール硬化剤（四国化成製、２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）６．５　重量部。
〔無機粒子▲３▼〕
シリカ（アドマテック製、ＣＲＳ　１１０１−ＣＥ、ここで、使用するシリカは表面にシランカップリング剤がコーティングされた平均粒径　１．６μｍのＳｉＯ_２球状粒子、最大粒子の大きさは後述する内層銅パターンの厚み（１５μｍ）以下とする）　１７０重量部。第１実施例では、樹脂充填剤に添加する無機粒子は、上述したように１０〜８０ｖｏｌ％、ここでは、５０ｖｏｌ％にする。
上記ビスフェノールＦ型エポキシモノマー、イミダゾール硬化剤、シリカにレベリング剤（サンノプコ製、ペレノールＳ４）１．５　重量部を攪拌混合することにより、その混合物の粘度を２３±１℃で５〜３０Ｐａ．Ｓに調整する。第１実施例では、粘度５Ｐａ．Ｓに調整して得たものを用いる。
【００８９】
スルーホール用通孔４０に、上記Ａで調整した樹脂充填剤４４を印刷で充填させる（図２（Ｄ））。スルーホール用通孔４０に上記Ａで調整した樹脂充填剤４４を充填することで、クラックの発生を防止して、電気的接続性、信頼性を向上させる。ここで、従来の充填剤（熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、もしくはその樹脂複合体）をベースにして、有機樹脂フィラー、無機フィラー、金属フィラーなどを配合して金属板３０Ａと内層充填剤との熱膨張の整合を行ってもよい。この際、フィラーの配合量は、１０〜８０ｖｏｌ％であることが望ましい。
【００９０】
上記の処理を終えたコア基板３０の片面をベルト研磨紙（三共理化学社製）を用いたベルトサンダー研磨により、下層導体回路（内層銅パターン）４２の表面やランドとなるスルーホール用通孔４０の開口周囲表面に樹脂充填剤４４が残らないように研磨を行う（図２（Ｅ））。ついで、上記ベルトサンダー研磨による傷を取り除くためのバフ研磨を行う。この工程を基板の他方の面についても同様に行う。そして、充填した樹脂充填剤を加熱硬化させて、導通用スルーホール内に樹脂絶縁層を形成する。なお、バフ研磨のみでもよい。
【００９１】
（９）蓋めっき形成
平坦化した基板３０の全面に金属膜４６ａを形成する（図３（Ａ））。その金属膜４６ａにはめっき膜（無電解めっき膜もしくは電解めっき膜のいずれかを用いる）、スパッタ、蒸着などで形成することができる。その金属膜上に、電解めっきを形成して、金属膜４６ａと電解めっき膜４６ｂからなる２層の導体層４６を形成することができるのである。
【００９２】
（１０）蓋部形成
その２層の導体層４６上に、エッチングレジストを形成し、露光、現像を経て、導体パターンをして残す部分に、レジスト層４８を形成して（図３（Ｂ））、ハードエッチングを施して、完全に導体層を除去して、レジストを剥離することにより、スルーホール４１を形成すると共にスルーホール４１上に蓋部４９を形成し、導体回路４５、バイアホール４３を完成する（図３（Ｃ））。なお、バイアホール４３は、フィルドビアとすることが強度を得ることができ好適である。
【００９３】
（１１）層間絶縁層形成
上記工程を終えた基板３０の両面に、厚さ５０μｍの可溶性フィラーを含む熱硬化型樹脂シートを温度５０〜１５０℃まで昇温しながら圧力５ｋｇ／ｃｍ^２で真空圧着ラミネートし、層間樹脂絶縁層５０を設ける（図３（Ｄ））。層間樹脂絶縁層５０としては、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂からなる樹脂あるいは、それらに感光性を有する基を置換した樹脂でもよい。具体例として、エポキシ樹脂、ポリフェノール樹脂、ポリイミド樹脂等のプリント配線板に使用されている樹脂がある。また、高周波領域において低誘電率である樹脂を用いてもよい。樹脂の真空圧着時の真空度は、１０ｍｍＨｇである。なお、ここでは樹脂フィルムを貼り付けて層間絶縁層を形成したが、印刷機を用いて、樹脂を塗布することにより層間絶縁層を形成してもよい。このとき絶縁層の厚みは、３０μｍ前後であった。
【００９４】
（１２）バイアホール形成
次に、層間樹脂絶縁層５０にバイアホールとなる開口５２を形成する（図３（Ｅ））。ここでは、炭酸（ＣＯ_２）ガスレーザにて、ビーム径５．１ｍｍ、パルス幅１４．６μ秒、マスクの穴径０．８ｍｍ、２ショットの条件で層間樹脂絶縁層に直径７５μｍのバイアホール用開口５２を設ける。
【００９５】
（１３）粗化層形成
次に、クロム酸、過マンガン酸塩などの酸化剤等に浸漬させることによって、層間樹脂絶縁層５０の粗化面５０αを設ける（図４（Ａ））。該粗化面は、０．１〜５μｍの範囲で形成されることがよい。０．１μｍ未満では密着性がなく、５μｍを越えると、インピーダンスでの不具合が起きることがある。その一例として、過マンガン酸ナトリウム溶液５０ｇ／ｌ、温度６０℃中に５〜２５分間浸漬させることによって、２〜３μｍの粗化面を設ける。上記以外には、層間樹脂絶縁層５０にプラズマ処理を行い、層間樹脂絶縁層の表層を粗化し、粗化面を形成する。この際には、不活性ガスとしてアルゴンガスを使用し、電力２００Ｗ、ガス圧０．６Ｐａ、温度７０℃の条件で（プラズマ装置日本真空技術株式会社製
ＳＶ−４５４０）、２分間プラズマ処理を実施してもよい。
【００９６】
（１４）下地金属層の形成
層間樹脂絶縁層５０の表層に無電解めっき膜より全面に下地金属層５４を形成する（図４（Ｂ））。形成する金属としてはＣｕ、Ｎｉ、Ｐ、Ｃｏ、Ｗ等がよい。無電解めっき、置換めっき、電解めっきなどで行う。それ以外には、スパッタリングや蒸着膜を形成させてもよい。あるいは、これらの複合体でもよい。
【００９７】
めっきの一例を説明する。基板をコンディショニングし、アルカリ触媒液中で触媒付与を５分間行う。基板を活性化処理し、ロッシェル塩タイプの化学銅めっき浴で厚さ０．５μｍの無電解めっき膜を付ける。
化学銅メッキのメッキ条件：
ＣｕＳＯ_４・５Ｈ_２Ｏ　　　　１０ｇ／ｌ
ＨＣＨＯ　　　　　　　　　７．９ｇ／ｌ
ＮａＯＨ　　　　　　　　　５．１ｇ／ｌ
ロッシェル塩　　　　　４４．７ｇ／ｌ
添加剤　　　　　　　　　　２９．９ｍｌ／ｌ
温度　　　　　　　　　　　　３０±１℃
メッキ時間　　　　　　　　　１８分
【００９８】
めっき以外の方法として、スパッタリングによって金属を形成してもよい。
層間樹脂絶縁層の表層および内層スルーホール用通孔にスパッタリングでＣｕ（又はＮｉ、Ｐ、Ｐｄ、Ｃｏ、Ｗ）の合金をターゲットした金属層５４を形成する。形成条件として、気圧０．６Ｐａ、温度８０℃、電力２００Ｗ、時間５分（プラズマ装置日本真空技術株式会社製　ＳＶ−４５４０）で実施する。これにより、層間樹脂絶縁層の表層とスルーホール用通孔に合金層を形成させることができる。このときの金属層の厚みは、０．２μｍである。金属層の厚みとしては、０．１〜２μｍがよい。
【００９９】
（１５）レジスト形成
金属膜５４上に、厚さ３０μｍの感光性フィルム（ドライフィルム）を貼り付けて、マスクを載置して、１００　ｍＪ／ｃｍ^２で露光、０．８　％炭酸ナトリウムで現像処理し、厚さ２５μｍのめっきレジスト５６を設ける（図４（Ｃ））。
【０１００】
（１６）パターンめっき形成
次に、無電解めっき膜５４上のめっきレジストの非形成部に下記条件で電解めっきを施し、電解めっき膜５８を形成する。電解めっき膜５８の厚みとしては、５〜２０μｍがよい（図４（Ｄ））。
【０１０１】
〔電解めっき水溶液〕
硫酸　　　　　　　　　　　２．２４　ｍｏｌ／ｌ
硫酸銅　　　　　　　　　　０．２６　ｍｏｌ／ｌ
添加剤　　　　　　　　　　１９．５　ｍｌ／ｌ
〔電解めっき条件〕
電流密度　　　　　　　　　　　１　Ａ／ｄｍ^２
時間　　　　　　　　　　　　６５　分
温度　　　　　　　　　　２２±２　℃
【０１０２】
（１７）パターン形成
次いで、５０℃、４０ｇ／ｌのＮａＯＨ水溶液中でめっきレジストを剥離除去する。その後、硫酸―過酸化水素水溶液を用い、エッチングにより、めっきレジスト下の金属層５４を除去して、層間樹脂絶縁層５０上に導体回路６２、バイアホール６０を形成する（図５（Ａ））。バイアホール６０は、フィルドビアにすることが好適である。その後、導体回路６２の表面に粗化処理を施し、粗化層６０αを形成する（図５（Ｂ））。
【０１０３】
さらに層間樹脂絶縁層を形成して、上層の導体回路を形成してもよい。
【０１０４】
（１８）ソルダーレジスト層形成
一方、ＤＭＤＧに溶解させた６０重量％のクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬製）のエポキシ基５０％をアクリル化した感光性付与のオリゴマー（分子量４０００）を　４６．６７ｇ、メチルエチルケトンに溶解させた８０重量％のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル製、エピコート１００１）１５．０ｇ、イミダゾール硬化剤（四国化成製、商品名：２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）１６ｇ、感光性モノマーである多価アクリルモノマー（日本化薬製、Ｒ６０４　）３ｇ、同じく多価アクリルモノマー（共栄社化学製、ＤＰＥ６Ａ　）　１．５ｇ、に分散系消泡剤（サンノプコ社製、Ｓ−６５）０．７１ｇを混合し、さらにこの混合物に対して光開始剤としてのベンゾフェノン（関東化学製）を２ｇ、光増感剤としてのミヒラーケトン（関東化学製）を　０．２ｇ加えて、粘度を２５℃で　２．０Ｐａ・ｓに調整したソルダーレジスト組成物を得る。なお、粘度測定は、Ｂ型粘度計（東京計器、　ＤＶＬ−Ｂ型）で　６０ｒｐｍの場合はローターＮｏ．４、６ｒｐｍ　の場合はローターＮｏ．３による。
【０１０５】
前述で得られた基板の両面に、上記ソルダーレジスト組成物を２０μｍの厚さで塗布する。次いで、７０℃で２０分間、７０℃で３０分間の乾燥処理を行った後、円パターン（マスクパターン）が描画された厚さ５ｍｍのフォトマスクフィルムを密着させて載置し、１０００ｍＪ／ｃｍ^２の紫外線で露光し、ＤＭＴＧ現像処理する。そしてさらに、８０℃で１時間、　１００℃で１時間、　１２０℃で１時間、　１５０℃で３時間の条件で加熱処理し、半田パッド部分（バイアホールとそのランド部分を含む）に開口７２を有するソルダーレジスト層７０（厚み２０μｍ）を形成する（図５（Ｃ））。ＩＣチップ接続の半田バンプを形成させる上側の半田パッドは、開口径１００〜１７０μｍで開口７２を設ける。また外部端子接続のための半田パッドは開口径３００〜６５０μｍで開口７２を設ける。
【０１０６】
（１９）Ｎｉ／Ａｕめっき形成
その後、塩化ニッケル２．３　×１０^−１ｍｏｌ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム２．８　×１０^−１ｍｏｌ／ｌ、クエン酸ナトリウム１．６　×１０^−１ｍｏｌ／ｌ、からなるｐＨ＝４．５の無電解ニッケルめっき液に、２０分間浸漬して、開口部７２に厚さ５μｍのニッケルめっき層７４を形成する。その後、表層には、シアン化金カリウム７．６　×１０^−３ｍｏｌ／ｌ、塩化アンモニウム１．９　×１０^−１ｍｏｌ／ｌ、クエン酸ナトリウム１．２　×１０^−１ｍｏｌ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム１．７　×１０^−１ｍｏｌ／ｌからなる無電解金めっき液に８０℃の条件で７．５分間浸漬して、ニッケルめっき層７４上に厚さ０．０３μｍの金めっき層７６を形成する（図５（Ｄ））。
【０１０７】
（２０）バンプ形成
ソルダーレジスト層の開口部と相対した開口の形成されたマスクを、ソルダーレジスト層に載置する。次いで、ソルダーレジスト層の開口部へＳｎ／ＰｂまたはＳｎ／Ａｇ（Ｓｎ／Ａｇ／ＣｕまたはＳｎ／Ｓｂ）からなる低融点金属の半田ペーストを充填する。この低融点金属は、Ｐｂを含まない合金を用いているため、環境に悪影響を与えることがない。
【０１０８】
続いて、半田ペーストをリフローして、上側に半田バンプ７８Ｕ、下側に半田バンプ７８Ｄを形成する（図６）。
【０１０９】
完成したパッケージ基板１０の半田バンプ７８Ｕに、ＩＣチップ８０のパッド８２が対応するように載置させ、リフローを行い、ＩＣチップ８０を搭載する（図７）。このＩＣチップ８０を搭載したパッケージ基板を、ドータボード９０側のパッド９２に対応するように載置してリフローを行い、ドータボードへ取り付ける。ここでは、ドータボードとの接続側にも半田バンプを配設したが、この代わりにＢＧＡを配設することも可能である。
【０１１０】
［第２実施例］
引き続き、第２実施例に係るパッケージ基板について図１０を参照して説明する。
上述した第１実施例では、めっき膜３４により、スルーホール挿通用の貫通孔３２の開口部に曲面を設けた。これに対して、第２実施例のパッケージ基板では、金属板３０Ａの孔３２Ａの開口部を面取りすることで、スルーホール挿通用の貫通孔３２の開口部３２ａに曲面を設ける。
【０１１１】
図１０は、第２実施例のパッケージ基板のスルーホール４１を示している。
第２実施例のパッケージ基板１０では、コア基板３０が金属板３０Ａの両面に樹脂層３６が配設されてなる。金属板３０Ａの表面には、金属層３４が被覆されている。金属板３０Ａのスルーホール挿通用の貫通孔３２には、樹脂層３６が充填され、樹脂層３６に穿設されたスルーホール用通孔４０に金属膜４２が設けられスルーホール４１が形成されている。
【０１１２】
図１０は、スルーホール４１の中心線を通る縦断面図である。貫通孔３２の上下の開口部３２ａの内周円には曲面が形成されている。金属板３０Ａの通孔３２Ａの開口部３２ｂの角部が面取りされ、さらに金属層３４で被覆されている。角部が樹脂層３６側に接していないため、ヒートサイクル試験においても、貫通孔３２の開口部３２ａでの応力集中がなく、樹脂層３６にクラックが入ることがない。
【０１１３】
以下、図１０を参照して上述した第１実施例に係る多層プリント配線板の製造方法について、図９を参照して説明する。
（１）板取
本願実施するために厚さ０．５〜０．６ｍｍの金属板３０Ａを用意する（図９（Ａ））。
（２）金属板の穴明け
前述の金属板３０Ａに孔３２Ａを明ける（図１（Ｂ））。その穴明けには、レーザ、ドリル、パンチングなどの方法を用いて行う。金属板３０Ａの開口径は、０．１〜１．０ｍｍで形成するのがよい。その範囲であれば、孔３２Ａ内に、貫通するスルーホールを形成することができるかである。特に望ましいのは、０．２５〜０．４５ｍｍで範囲であれば、スルーホールを形成し、かつ高密度化させることができるからである。０．４ｍｍにて開口させた。
【０１１４】
レーザとしては、炭酸レーザ、エキシマレーザ、ＹＡＧレーザ、ＵＶレーザを用いることにより行う。ここでは、炭酸（ＣＯ_２）ガスレーザにて、ビーム径５ｍｍ、パルス幅１５μ秒、マスクの穴径０．８ｍｍ、１０ショットの条件で金属板３０Ａに直径１２５〜４５０μｍの孔３２を設ける。
【０１１５】
ドリルとしては、ドリル径０．１〜０．４ｍｍ程度のドリルを回転数１０００〜２００００ｒｐｍで、穴明けに該当する部分を開口させるものである。場合によって、複数枚の金属板を重ね合せて、ドリルで開口させてもよい。パンチングとしては、予めプレス機金型をセットして、穴明けに該当する部分開口するものである。
【０１１６】
（３）面取り
穴３２Ａの開口部３２ｂを、通孔を穿設したドリルよりも大径のボールエンドミルで研磨することで、該開口部３２ｂの面取りを行う。この面取りとして、エッチングにより開口部３２ｂの内周を溶解させることも可能である。
【０１１７】
なお、上述したように、穴明けと同時に開口の面取りを行うため、エッチングで穴明けを行うことも好適である。エッチングとしては、予めレジストなどで開口しない部分をマスクしてから、ハードエッチングを行い、金属板に穴を開口させるのである。エッチング液としては、塩化第二銅、塩化第二鉄、過硫酸塩類、過酸化水素／硫酸、第二銅錯体／有機酸塩、アルカリエッチャント等を用いることができる。
【０１１８】
（３）金属板の厚付け膜の形成
孔３２Ａが形成された金属板３０Ａの全面（表層もしくは穴部内を含まれる）に、金属膜３４を厚付けする（図１（Ｃ））。その厚付けされた金属膜の厚みは、２０〜２５μｍの間で形成される曲率半径は０．００８ｍｍであった。１０μｍ未満では金属板の全面に膜を形成することができず、その効果を発揮することができないし、５０μｍを超えると、その効果には変わらない。
以下の工程は、図１〜図５を参照して上述した第１実施例と同様であるため、説明を省略する。
【０１１９】
［第３実施例］
基本的には、第１実施例と同じであるが、コアとなる金属板には金属のめっきを１０ｍｍ形成させた。つまり、開口部内部の曲率半径が０．００１１ｍｍであった。
【０１２０】
［第４実施例］
基本的には、第１実施例と同じであるが、コアとなる金属板には金属のめっきを５０ｍｍ形成させた。つまり、開口部内部の曲率半径が０．０２０ｍｍであった。
【０１２１】
［第５実施例］
基本的には、第１実施例と同じであるが、コアとなる金属板には金属のめっきを３０〜３５ｍｍ形成させた。つまり、開口部内部の曲率半径が０．０１ｍｍであった。
【０１２２】
［比較例１］
基本的には、第１実施例と同じであるが、コアとなる金属板には金属のめっきを形成させないもしくは８ｍｍまで形成させた。ことときの金属板の角度はぼぼ直角のままである。つまり、開口部内部円の曲率半径が０．００１ｍｍ未満であることが確認された。
【０１２３】
［比較例２］
基本的には、第１実施例と同じであるが、コアとなる金属板には金属のめっきを５５ｍｍの厚さで形成させた。つまり、開口部内部の曲率半径が０．０２５ｍｍであった。
【０１２４】
［比較例３］
基本的には、第１実施例と同じであるが、コアとなる金属板には金属のめっきを７５ｍｍの厚さで形成させた。つまり、開口部内部の曲率半径が０．０３１ｍｍであった。
【０１２５】
上記実施例及び比較例のプリント配線板に対してヒートサイクル試験（１３５℃／３ｍｉｎ⇔−６５℃／３ｍｉｎを１サイクルとした）を実施した結果を図１２中の図表に示す。そのとき０サイクル、１０００サイクル、２０００サイクルにおける層間絶縁層のクラックの有無、スルーホールにおける導通試験を行った。また、電圧降下のシミュレーションを行い（図１３参照）、比較検討した。
【０１２６】
図１２中で、
クラックの有無：クロスカットを行い、金属板の開口部付近の絶縁層のクラックの有無を調べた。
導通試験：金属板内のスルーホールにおける導通試験と称して抵抗値を測定した。
電圧降下測定：該データにより２ＧＨｚのＩＣを実装したときにおける初期電圧降下量をシミュレーションして算出した結果を比較検討した。
【０１２７】
図１３中に示すように、電圧降下量が０．０９Ｖ以下であると、ＩＣチップでの誤動作が起きにくい傾向があり、曲率半径が０．００１〜０．０２ｍｍのときには、電気特性の向上があり、０．００５〜０．０１ｍｍのときは更によい。
また、０．０２ｍｍを越えると絶縁力が保てない。０．００１ｍｍ未満では、クラックの発生を引き起こす。
【０１２８】
【発明の効果】
本願発明により、層間絶縁層にクラックなどを発生させることなく、信頼性を向上させることができる。また、金属板とバイアホールとの接続性がよくなるので、電気特性も向上する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施例に係るパッケージ基板の製造工程図である。
【図２】第１実施例に係るパッケージ基板の製造工程図である。
【図３】第１実施例に係るパッケージ基板の製造工程図である。
【図４】第１実施例に係るパッケージ基板の製造工程図である。
【図５】第１実施例に係るパッケージ基板の製造工程図である。
【図６】第１実施例に係るパッケージ基板の断面図である。
【図７】第１実施例に係るパッケージ基板にＩＣチップを搭載しドータボードへ取り付けた状態の断面図である。
【図８】第１実施例に係るパッケージ基板のスルーホールの断面図である。
【図９】第２実施例に係るパッケージ基板の製造工程図である。
【図１０】第２実施例に係るパッケージ基板のスルーホールの断面図である。
【図１１】従来技術に係るパッケージ基板のスルーホールの断面図である。
【図１２】実施例と比較例との試験結果を示す図表である。
【図１３】電圧降下を示す図である。
【符号の説明】
１０　パッケージ基板
３０Ａ　金属板
３０　コア基板
３２Ａ　孔
３２　貫通孔
３４　金属膜
３６　樹脂層
４０　スルーホール用通孔
４１　スルーホール
４２　金属膜
４３　バイアホール
４４　充填剤
４９　蓋部
５０　層間樹脂絶縁層
５２　開口
６０　バイアホール
６２　導体回路
７０　スルーホール層
７８Ｕ　半田バンプ
７８Ｄ　半田バンプ

Claims (8)

1. スルーホール挿通用の貫通孔が形成された金属層を含有するコア基板に、層間絶縁層と導体回路とが積層され、該貫通孔に樹脂を介してスルーホールが設けられた多層プリント配線板において、
   前記金属層の貫通孔の上下の開口部内周円に曲面が形成されていることを特徴とする多層プリント配線板。
2. 前記金属層は、２層以上の金属層で形成されている請求項１に記載の多層プリント配線板。
3. 前記開口部内周円の曲面は、めっき膜からなる金属膜で形成されている請求項１または請求項２に記載の多層プリント配線板。
4. 前記層間絶縁層は、コア基板の両面に形成されている請求項１〜請求項３のいずれか１に記載の多層プリント配線板。
5. 前記多層プリント配線板には、フリップチップ接続用の半田バンプが形成されている請求項１〜請求項４のいずれか１に記載の多層プリント配線板。
6. 前記金属層の貫通孔の上下の開口部内周円に曲面は、該貫通孔の中心線を通る平面上での曲率半径が０．００１〜０．０２ｍｍであることを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれか１に記載の多層プリント配線板。
7. （ａ）〜（ｆ）の工程を備えることを特徴とする多層プリント配線板の製造方法：
   （ａ）コア基板となる金属層にスルーホール挿通用の貫通孔を形成する工程；
   （ｂ）該金属層にめっき層を設け、前記貫通孔の上下の開口部内周円に曲面を形成する工程；
   （ｃ）前記貫通孔内に樹脂を充填する工程；
   （ｄ）前記貫通孔内の樹脂にスルーホール用通孔を穿設する工程；
   （ｅ）前記スルーホール用通孔に金属膜を設けてスルーホールを形成する工程；
   （ｆ）前記金属層の上側に層間絶縁層と導体回路とを積層する工程。
8. （ａ）〜（ｆ）の工程を備えることを特徴とする多層プリント配線板の製造方法：
   （ａ）コア基板となる金属層にスルーホール挿通用の貫通孔を形成する工程；
   （ｂ）前記貫通孔の上下の開口部内周を面取りする工程；
   （ｃ）前記貫通孔内に樹脂を充填する工程；
   （ｄ）前記貫通孔内の樹脂にスルーホール用通孔を穿設する工程；
   （ｅ）前記スルーホール用通孔に金属膜を設けてスルーホールを形成する工程；
   （ｆ）前記金属層の上側に層間絶縁層と導体回路とを積層する工程。

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