JP2004158672A - 多層基板の製造方法 - Google Patents

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Riichi Sekimoto
利一 関本
Tatsumi Takahashi
達美 高橋
Junichi Ito
純一 伊藤
Hiroyuki Owada
裕之 大和田
Hiroki Taniguchi
博喜 谷口
Kenichi Ryuba
健一 柳葉
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EITO KOGYO KK
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EITO KOGYO KK
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Abstract

【課題】スルーホールの精度を高めることができると共に、製作が簡単で製作時間の短縮が図れ、また、各層間の接着力を高めることができる多層基板の製造方法を提供する。
【解決手段】以下の第7の工程により多層基板を製造する。
1.樹脂基板1の表面に銅2/ニッケル3/銅4の3層構造の金属箔を積層し、バンプ以外の領域にエッチングレジスト5を形成する。
2.エッチングを行う。
3.レジスト除去後にバンプ部に半田ヘッキ6を行う。
4.半田メッキ下層に位置する銅箔4をエッチングする。
5.樹脂基板の裏面に接着性樹脂膜7を形成する。
6.接着性樹脂および樹脂基板に下層のバンプが嵌合される孔をレーザ加工によって形成する。
7.各層を一括加熱プレス加工によって一体化する。
【選択図】 図1

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明はガラスエポキシ樹脂等のコア材の両面に、導電パターンを絶縁層を介在させて複数層形成し、前記コア材を挟んだ各面の所望の導電パターンを絶縁層に形成したスルーホールで接続し多層基板の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来におけるビルドアップ法によって製作される積層基板としては、コア材の片面あにいは両面にエキシマレーザ等によって溶解する絶縁層を形成し、その後、該絶縁層にマキシマレーザを照射することによってスルーホールを形成し、次いで、メッキを行って前記絶縁層の上に導電パターンを形成すると共に、前記スルーホールの内周面にもメッキを施して所望の上部導電パターンと下部導電パターンとを接続するものであった。
【0003】
【特許文献】特開2001−358464
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、前記した従来におけるビルドアップ法によって形成された多層基板にあっては、マキシマレーザの照射径によりスルーホールの孔径が決定されるために、小さなスルーホールを形成することは困難であり、また、スルーホールを希望する部分に正確に製作するためには、位置決めのために時間が掛かるといった問題があった。
【0005】
本発明は前記した問題点を解決せんとするもので、その目的とするところは、スルーホールの精度を高めることができると共に、製作が簡単で製作時間の短縮が図れ、また、各層間の接着力を高めることができる多層基板の製造方法を提供せんとするにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明の積層基板の製造方法は前記した目的を達成せんとするもので、その手段は、ガラスエポキシ等の樹脂基板の表面に銅箔、ニッケル箔および銅、ニッケル(半田と錫との合金でも可)銅の3層メタライズ構造の銅箔を積層すると共にバンプおよび下層のバンプとの接続部分を残してエッチングレジストを形成する第1の工程と、前記エッチングレジストを施した部分を除いてエッチングを行う第2の工程と、前記エッチングレジストを除去した後にバンプとなる部分に半田メッキを行う第3の工程と、該半田メッキの下層部分に位置する前記3層メタライズ構造の銅箔をエッチングする第4の工程と、前記樹脂基板の裏面にプリプレブ等の接着性樹脂膜を形成する第5の工程と、該接着性樹脂および前記樹脂基板に下層のバンプが嵌合される孔をレーザ加工によって形成する第6の工程と、前記第1の工程から第6の工程によって製作した各層を一括加熱プレス加工によって一体化する第7の工程からなるものである。
【0007】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る多層基板の製造方法を図面と共に説明する。
図1(a)〜(e)は第1基板層Aを製作する工程を示し、(a)は第1工程であるガラスエポキシ等による樹脂基板1、該樹脂基板1の表面に形成した銅箔2、該銅箔2の表面に形成したニッケル箔3、銅(50μ)、ニッケルまたは半田と錫の合金(3μ)、銅(18μ)の3層メタライズ構造の銅箔4、前記樹脂基板1のみを溶融することのないエッチングレジスト5を積層したものであり、該エッチングレジスト5は図1(g)に示す下層の第2層のバンプbの位置までされている。
【0008】
(b)は第2の工程である塩銅エッチング液によってエッチングを行う工程を示し、このエッチング工程によって前記エッチングレジスト5の下部を残して露出している銅箔4、ニッケル箔3および銅箔2が除去される。
【0009】
(c)は第3の工程を示し、前記エッチング工程が終了した後のエッチングレジスト5を除去し、次いで、バンプaを形成する部分のみに半田メッキ6を施した工程を示している。
【0010】
(d)は第4の工程である塩化アンモニューム銅液によってエッチングを行う工程を示し、このエッチング工程によって前記半田メッキ6の下部を残して露出している銅箔4が除去される。
【0011】
(e)は第5の工程を示し、樹脂基板1の裏面にプリプレグ等の接着性樹脂膜7を形成する工程である。(f)は第6の工程を示し、前記接着性樹脂膜7側からレーザ光を照射して前記バンプbが嵌合される孔a1 を形成する工程である。
【0012】
(f)は前記した第1の工程から第5の工程を経て製作したと同様な工程によって第2基板層Bおよび第3基板層Cを製作する。この時、第2基板層Bの孔b1 に第3基板層Cのバンプcが嵌合するように製作する。また、前記第1基板層Aのバンプaが嵌合される孔d1 を有するガラスエポキシ樹脂等の樹脂基板8の裏面側にプリプレグ等の接着性樹脂膜9を形成し、かつ、上面に銅箔10を形成した第4基板層Dを形成し、さらに、第3基板層Cの孔c1 と嵌合されるバンプeを有する銅板11からなる第5基板層Eを形成する。なお、前記バンプeの上面には半田メッキ12が形成されている。
【0013】
このように啓作した第1基板層A〜第5基板層Eを図2(g)のように配列積層すると共に加熱プレスすることにより、各基板層間は接着性樹脂膜によって一体化されると共に各バンプは半田メッキが溶解して上面の銅箔に電気的に接続される(図2(f)参照)。
【0014】
そして、第4基板層Dと第5基板層Eの銅箔10,11をエッチング処理によってバンプaとバンプeとが表面に露出するパターンd,e1 となり、残された銅箔10と11とはバンプa〜eを介して電気的に接続されることとなる。
【0015】
【発明の効果】
本発明は前記したように、下層のバンプと接続される導電パターンと上層の導電パターンに接続されるバンプを形成した各基板層を重ねた状態で加熱プレスことにより積層基板を製造することができるので、スルーホールの精度を高めることができると共に、製作が簡単で製作時間の短縮が図れ、また、各層間の接着力を高めることができる等の効果を有するものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)〜(f)は本発明の積層基板の製造方法に係る実施の形態を示す製造工程の説明図である。
【図2】(g)〜(i)は同上の製造工程に続く工程である。
【符号の説明】
1 樹脂基板
2 銅箔
3 ニッケル箔
4 銅箔
5 エッチングレジスト
6 半田メッキ
7 接着性樹脂膜

Claims (1)

  1. ガラスエポキシ等の樹脂基板の表面に銅箔、ニッケル箔および銅、ニッケル(半田と錫との合金でも可)銅の3層メタライズ構造の銅箔を積層すると共にバンプおよび下層のバンプとの接続部分を残してエッチングレジストを形成する第1の工程と、前記エッチングレジストを施した部分を除いてエッチングを行う第2の工程と、前記エッチングレジストを除去した後にバンプとなる部分に半田メッキを行う第3の工程と、該半田メッキの下層部分に位置する前記3層メタライズ構造の銅箔をエッチングする第4の工程と、前記樹脂基板の裏面にプリプレブ等の接着性樹脂膜を形成する第5の工程と、該接着性樹脂および前記樹脂基板に下層のバンプが嵌合される孔をレーザ加工によって形成する第6の工程と、前記第1の工程から第6の工程によって製作した各層を一括加熱プレス加工によって一体化する第7の工程からなる多層基板の製造方法。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100717909B1 (ko) * 2006-02-24 2007-05-14 삼성전기주식회사 니켈층을 포함하는 기판 및 이의 제조방법
KR100873666B1 (ko) * 2007-06-25 2008-12-11 대덕전자 주식회사 다층 인쇄 회로 기판을 위한 양면 코어 기판 제조 방법
JP2009528707A (ja) * 2006-03-03 2009-08-06 ウエイブニクス インク. 多層パッケージ構造物及びその製造方法

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