JP2004228355A - 絶縁膜基板の製造方法、絶縁膜基板の製造装置及び絶縁膜基板並びに電気光学装置の製造方法及び電気光学装置 - Google Patents
絶縁膜基板の製造方法、絶縁膜基板の製造装置及び絶縁膜基板並びに電気光学装置の製造方法及び電気光学装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004228355A JP2004228355A JP2003014731A JP2003014731A JP2004228355A JP 2004228355 A JP2004228355 A JP 2004228355A JP 2003014731 A JP2003014731 A JP 2003014731A JP 2003014731 A JP2003014731 A JP 2003014731A JP 2004228355 A JP2004228355 A JP 2004228355A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- substrate
- insulating film
- metal
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 183
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 51
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 96
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 96
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 94
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 92
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 92
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims abstract description 19
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 claims abstract description 12
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 73
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 61
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 43
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 33
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 31
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 12
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 11
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 10
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 10
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 14
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 abstract description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 abstract description 11
- 239000010408 film Substances 0.000 description 245
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 32
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 27
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 26
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 15
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 13
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 7
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 7
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 6
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 6
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 6
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 5
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 5
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 5
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 4
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 238000001004 secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 2
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001362 Ta alloys Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000003599 detergent Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000004949 mass spectrometry Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- XGZGDYQRJKMWNM-UHFFFAOYSA-N tantalum tungsten Chemical compound [Ta][W][Ta] XGZGDYQRJKMWNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 1
- -1 ultrasonic cleaning Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
【課題】異常放電によりパーティクルの発生を抑制し、効率よく基板上に金属絶縁膜を成膜することができる絶縁膜基板の製造方法、絶縁膜基板の製造装置及び絶縁膜基板並びに電気光学装置の製造方法及び電気光学装置を提供すること。
【解決手段】基板上に亜酸化金属膜を形成した後、この亜酸化金属膜を酸素プラズマ処理することにより、パーティクルの付着がない基板面内で膜厚が均一な良質な酸化金属膜としての金属絶縁膜を形成することができる。
【選択図】 図３
【解決手段】基板上に亜酸化金属膜を形成した後、この亜酸化金属膜を酸素プラズマ処理することにより、パーティクルの付着がない基板面内で膜厚が均一な良質な酸化金属膜としての金属絶縁膜を形成することができる。
【選択図】 図３
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、スパッタリングによる金属絶縁膜（例えば、五酸化タンタル）の薄膜を形成するための絶縁膜基板の製造方法、絶縁膜基板の製造装置及び絶縁膜基板並びに電気光学装置の製造方法及び電気光学装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、スパッタリングにより金属絶縁膜を成膜する場合、例えば、反応性ガスとして酸素ガスを、不活性ガスとしてアルゴンガスをそれぞれ導入して、金属製のターゲットに対するスパッタリングが行われる。例えば、金属絶縁膜の一例である五酸化タンタルの成膜においては、タンタルのターゲットを用い、酸素ガスとアルゴンガスとの混合ガスを用いて成膜する反応性スパッタリング方法が用いられる。この場合、イオン化されたアルゴンガスがターゲットに衝突してタンタル原子が叩き出され、このタンタル原子と酸素ガスとが反応した酸化タンタルが基板上に堆積されて薄膜となる（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】
特開２００１−２４４５２２号公報（第６頁、
【図２】）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
上述の反応性スパッタリング方法において、成膜される金属絶縁膜の化学組成は、混合ガス中の反応ガスの分圧比に大きく依存する。例えば、反応ガスの分圧比が高いと、十分に酸化された薄膜が基板上に成膜されていくが、これと同時にターゲットの表面においても酸化反応が起き、ターゲット表面に酸化膜が形成される。ところが、酸化物のスパッタ収率は金属に比べて小さいため、ターゲット表面に形成される酸化膜の成長に伴って、ターゲットが十分にスパッタされなくなり、成膜レートが低下するという問題がある。更に、ターゲットの酸化膜が電子絶縁性という特性を有している場合には、アーク放電などの異常放電が起こるおそれもあった。異常放電により、ターゲットに対するイオン電流密度の上昇があると、急激に成膜レートが高まり、局所的にマイクロアーク放電が発生し、メタル状のパーティクル（霧状の数μｍ程度の異物：スプラッシュ）が多発し、製品品質を著しく低下させる。
【０００５】
一方、反応ガスの分圧比が低いと、ターゲット表面に形成される酸化膜の成長速度よりもターゲットがスパッタされるスパッタ速度の方が速くなる。この場合には、常にターゲット表面は金属が露出している状態となり高い成膜レートが得られるというメリットがある。その反面、基板表面に供給される酸素が不足するため、基板上に成膜された薄膜は十分に酸化されていないメタルリッチな膜（以下、亜酸化膜という）となってしまい、絶縁性が低い薄膜となってしまう。
【０００６】
本発明は、以上の点に鑑みてなされたものであり、異常放電によりパーティクルの発生を抑制し、効率よく基板上に金属絶縁膜を成膜することができる絶縁膜基板の製造方法、絶縁膜基板の製造装置及び絶縁膜基板を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
このような課題を解決するため、本発明は以下のような構成を採用している。
【０００８】
本発明の絶縁膜基板の製造方法は、金属絶縁膜が形成された基板を製造する方法であって、前記基板上にスパッタリング法により低酸素雰囲気で亜酸化金属膜形成工程と、前記亜酸化金属膜が形成された基板を酸素プラズマ処理する工程とを具備することを特徴とする。
【０００９】
本発明のこのような構成によれば、亜酸化金属膜形成工程において、反応ガスである酸素の分圧比を低くした状態で成膜を行うので、ターゲット表面の金属が常に露出している状態でスパッタリングを行うことができ、成膜レートを高くすることができる。更に、ターゲット表面に酸化膜が形成されにくいため、アーク放電などの異常放電の発生を防止できるため、パーティクル（霧状の数μｍ程度の異物：スプラッシュ）の付着によって、形成される膜の製品品質が低下することがない。亜酸化金属膜形成後の酸素プラズマ処理工程において、前工程で得られた酸素が欠乏している亜酸化金属膜に対して酸素プラズマ処理を施すことによって、酸化させ完全な酸化膜を形成することができる。以上のように、絶縁膜形成工程を２段階に分けることにより、パーティクル（霧状の数μｍ程度の異物：スプラッシュ）の付着などによる膜の製品品質の低下のない、基板面内で膜厚が均一な良質な金属絶縁膜を有する絶縁膜基板を得ることができる。
【００１０】
本発明の一の形態によれば、前記金属絶縁膜は、チタン、ニオブ、タンタル、モリブデン、タングステン、ジルコニウムのいずれか１つの酸化膜であることを特徴とする。
【００１１】
このような構成によれば、ターゲットとして用いる金属は、チタン、ニオブ、タンタル、モリブデン、タングステン、ジルコニウムのどれに対しても適用可能である。
【００１２】
本発明の一の形態によれば、前記亜酸化金属膜形成工程において、前記雰囲気内の酸素量を徐々に増加させることを特徴とする。
【００１３】
このような構成によれば、亜酸化金属膜形成工程において形成された膜は、膜厚方向に酸素濃度に勾配があるため、膜厚方向に酸素濃度が徐々に変化する酸化金属膜を形成することができる。従って、例えば、金属膜と酸化金属膜との積層膜を形成する場合、金属膜と酸化金属膜との密着性が良く、また、金属膜と酸化金属膜とを連続して同一ユニット内で成膜することができる。
【００１４】
本発明の絶縁膜基板の製造装置は、基板上にスパッタリング法により低酸素雰囲気で亜酸化金属膜を形成する第１ユニットと、前記亜酸化金属膜が形成された基板を酸素プラズマ処理する第２ユニットと、前記第１ユニットから前記第２ユニットに基板を搬送する搬送系とを具備することを特徴とする。
【００１５】
このような構成によれば、亜酸化金属膜形成工程と酸素プラズマ処理する工程とを別々のチャンバで処理することができるので、各ユニット内での諸設定を簡素化することができる。
【００１６】
本発明の一の形態によれば、前記第１ユニットには、チタン、ニオブ、タンタル、モリブデン、タングステン、ジルコニウムのいずれか１つを有するターゲットが配置されていることを特徴とする。
【００１７】
このような構成によれば、ターゲットとして用いる金属は、チタン、ニオブ、タンタル、モリブデン、タングステン、ジルコニウムのどれに対しても適用可能である。
【００１８】
本発明の一の形態によれば、基板上にスパッタリング法により金属絶縁膜を形成するためのユニットと、前記ユニット内に低酸素分圧の状態の酸素と不活性ガスとの混合ガスを導入する第１モードと、前記ユニット内に前記混合ガスよりも酸素分圧が高いガスを導入する第２モードとを切り替える手段とを具備することを特徴とする。
【００１９】
このような構成によれば、亜酸化金属膜形成工程と酸素プラズマ処理する工程とを同一チャンバで行うことができるので、装置自体を簡素化することができる。
【００２０】
本発明の一の形態によれば、前記金属絶縁膜は、チタン、ニオブ、タンタル、モリブデン、タングステン、ジルコニウムのいずれか１つの酸化膜であることを特徴とする。
【００２１】
このような構成によれば、金属酸化膜に用いる金属は、チタン、ニオブ、タンタル、モリブデン、タングステン、ジルコニウムのどれに対しても適用可能である。
【００２２】
本発明の絶縁膜基板は、上述に記載の絶縁膜基板の製造方法により製造されたことを特徴とする。
【００２３】
このような構成によれば、異常放電によるパーティクルの発生を抑制し、効率よく基板上に金属絶縁膜を成膜することができるので、良質の絶縁膜基板が形成できる。
【００２４】
本発明の絶縁膜基板は、基板と、前記基板上に配置され、前記基板の厚み方向に酸素濃度が異なる酸化金属膜とを具備することを特徴とする。
【００２５】
このような構成によれば、例えば、金属膜とその酸化金属膜との積層膜を形成する場合、金属膜を酸化金属膜との密着性が良い。
【００２６】
本発明の電気光学装置の製造方法は、金属絶縁膜が形成された基板を含む電気光学装置の製造方法であって、上述に記載の絶縁膜基板の製造方法を用いて、前記基板に前記金属絶縁膜を形成する工程を具備することを特徴とする。
【００２７】
このような構成によれば、異常放電によるパーティクルの発生を抑制し、効率よく基板上に金属絶縁膜を成膜した良質の絶縁膜基板を搭載するので、良質の電気光学装置を製造することができる。
【００２８】
本発明の電気光学装置は、上述に記載の絶縁膜基板を備えることを特徴とする。
【００２９】
このような構成によれば、異常放電によるパーティクルの発生を抑制し、効率よく金属絶縁膜が成膜された基板を搭載するので、良質な電気光学装置となる。
【発明の実施の形態】
（第１実施形態）
以下、図１〜図３を用いて、本発明に関わる絶縁膜基板の製造装置、絶縁膜基板の製造方法及び絶縁膜基板の一実施形態について説明する。本実施形態においては、絶縁膜基板として、基板上に金属絶縁膜としてタンタルの酸化物である五酸化タンタル膜（Ｔａ２Ｏ５）の薄膜が成膜された基板を例にあげて説明する。
【００３０】
図１は、絶縁膜基板の製造装置としてのスパッタリング装置の構成を示す図である。
【００３１】
この図には、センタチャンバ式で連続成膜スパッタリングが可能な反応性直流スパッタリング装置（スパッタリング成膜装置）２０２が図示されている。
【００３２】
この反応性直流スパッタリング装置２０２は、反応性ガスとして酸素（Ｏ２）ガスを、不活性ガスとしてアルゴン（Ａｒ）ガスをそれぞれ導入して、金属製のターゲット（タンタル）をスパッタリングし、基板に五酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５２６）の薄膜を成膜する装置である。
【００３３】
同図において、ユニットとしての真空槽１０には、陽極側の基板ステージ１１および陰極側のマグネット１３が対向配置されている。これらの基板ステージ１１およびマグネット１３には、ＤＣ（直流）の可変電源１５が接続されている。
【００３４】
基板１２ａ、１２ｂは、後述するターゲット１４に対向するように基板ステージ１１にセットされたガラス基板である。この基板１２ａ、１２ｂのそれぞれは、４５０ｃｍ×４５０ｃｍの面積、０．５ｍｍの厚さを有している。これらの基板１２ａ、１２ｂの表面には、反応性直流スパッタリングにより金属酸化物の一種である五酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５２６）の薄膜が成膜される。
【００３５】
また、基板ステージ１１にセットされた基板１２ａ、１２ｂには、弱アルカリ洗剤を用いたブラシ洗浄、超音波洗浄、水すすぎ、エアナイフ乾燥が施されている。なお、実際には、基板ステージ１１には、４枚の基板がセットされている。
【００３６】
ターゲット１４は、陰極側のマグネット１３にセットされており、９９．９９％の純度を有するタンタル（Ｔａ）の単体である。このターゲット１４は、例えば１７０ｃｍ×１４０ｃｍ（縦×横）の面積を有しており、Ａｒイオン２４のイオン衝撃によりスパッタリングされ、基板１２ａ及び基板１２ｂの表面に成膜される薄膜（Ｔａ２Ｏ５２６）の材料物質である。Ｔａ２Ｏ５２６は、スパッタリングされたタンタルとＯ２２５とにより生成される。
【００３７】
可変電源１５は、スパッタリング放電電圧、成膜電力を基板ステージ１１およびマグネット１３へ供給するための電源であり、後述する制御部２１により可変制御される。
【００３８】
Ａｒガス供給部１６は、制御部２１の制御により、所定流量のＡｒガスを管路１８を介して真空槽１０へ供給する。Ｏ２ガス供給部１７は、制御部２１に制御により、所定流量のＯ２ガスを管路１８を介して真空槽１０へ供給する。
【００３９】
真空ポンプ１９は、制御部２１に制御により、真空槽１０内が所定の全圧になるように、管路２０を介して真空槽１０内を脱気する。制御部２１は、可変電源１５のスパッタリング放電電圧の制御や成膜電力の制御、Ａｒガス供給部１６およびＯ２ガス供給部１７の流量制御、真空ポンプ１９の駆動制御などの各種制御を実行する。本実施形態のスパッタリング装置を用いた絶縁膜基板の製造方法では、真空槽１０内に導入されるガスが異なる２工程を経てＴａ２Ｏ５２６が成膜される。制御部２１は、第１工程において真空槽１０内へガスを導入する第１モードと、第２工程において真空槽１０内へガスを導入する第２モードとを切り替える手段として機能する。第１モードは、低酸素分圧の状態の酸素と不活性ガスとの混合ガスを導入するモードであり、第２モードは第１モードの混合ガスよりも酸素分圧が高いガスを導入するモードである。
【００４０】
設定部２２は、制御部２１における制御パラメータに関する設定を行う。制御パラメータとしては、Ａｒガス供給部１６およびＯ２ガス供給部１７における各流量、真空ポンプ１９を停止させる圧力、可変電源１５におけるスパッタリング放電電圧および成膜電力の制御パターンなどである。具体的には、設定部２２では、上述した第１工程（亜酸化金属膜形成工程）における、Ｏ２／Ａｒ比（流量比）を３００％以下とする設定、処理中の全圧を３〜４ｍＴｏｒｒ程度とする設定、基板ステージ１１を陽極またはフロート式としマグネトロン付きターゲット１３を陰極とする設定が予め行われる。ここでのマグネトロンは固定式、可動式のいずれでもよい。更に、設定部２２では、上述した第２工程（酸素プラズマ処理工程）における、Ｏ２／Ａｒ比（流量比）をＡｒを０〜５０％、Ｏ２を１００〜５０％とする設定、処理中の全圧を０．０２〜０．２Ｔｏｒｒとする設定、基板ステージ１１を陽極としマグネトロン付きターゲット１３を陰極とする設定が予め行われている。
【００４１】
また、酸素プラズマのイオン量を増し陽極酸化を促進する目的で１３．５６ＭＨｚ、４２０ＫＨｚ、２．４５ＧＨｚ等の高周波を加える事も可能である。
【００４２】
圧力センサ２３は、真空槽１０内の全圧を検出する。
【００４３】
なお、プラズマ中に補助電極を置く（マグネトロンから数十ｍｍ内側）ことも放電安定性を確保するためには有効である。第１工程（亜酸化金属膜形成工程）ではアノード（陽極）として、第２工程（酸素プラズマ処理工程）ではカソード（陰極）として機能する。材質としては中空のＴｉパイプ上にアルミ溶射膜を付け、表面付着膜の剥離を防止し、中空部分には冷却用の冷媒を通過させる。又、この電極をマグネトロンと一緒に可動させることにより大面積基板への成膜時の均一性を改善することも可能になる。
【００４４】
次に、上述のスパッタリング装置の動作及びこのスパッタリング装置により製造される絶縁膜基板の製造方法について図１〜図３を用いて説明する。図２は、スパッタリング装置におけるＯ２／Ａｒ比と成膜全圧Ｐとの関係を示す図である。図３は、絶縁膜基板の製造方法のフローチャート図である。
【００４５】
図３に示すように、本実施形態においては、第１工程としてまず亜酸化金属膜を形成する工程と、その後、第２工程として亜酸化金属膜を酸素プラズマ処理して酸化金属膜を形成する工程との２工程を経ることによりＴａ２Ｏ５２６が成膜される。以下に、スパッタリング装置の動作を含め、Ｔａ２Ｏ５２６が成膜された絶縁膜基板の製造方法について説明する。
【００４６】
まず、設定部２２により、上述した制御パラメータが制御部２１に設定される。基板１２ａ、１２ｂは、真空槽１０内に搬入され、基板ステージ１１上に載置される。つぎに、制御部２１は、圧力センサ２３からの全圧のフィードバックを受けつつ、真空ポンプ１９を制御して、真空槽１０内の全圧が例えば５×１０−６Ｔｏｒｒ以下になるまで脱気させる（ＳＴＥＰ３０１）。
【００４７】
つぎに、制御部２１は、成膜前の予備スパッタリングとして、Ａｒガス供給部１６よりスパッタリング圧が３ｍＴｏｒｒ程度になるようＡｒガスを真空槽１０内に導入させた後、可変電源１５より３５ｋＷの成膜電力を１０ｓｅｃ供給させて、ターゲット１４の表面をクリーニング（ターゲット１４の表面の酸化膜を除去：Ｃｌｅａｎｉｎｇ）させる（ＳＴＥＰ３０２）。
【００４８】
つぎに、制御部２１は、Ａｒガス供給部１６およびＯ２ガス供給部１７を制御して、例えば、Ｏ２／Ａｒ比（流量比）を３００％以下、処理中の全圧を３〜４ｍＴｏｒｒ程度になるようにＡｒガス及びＯ２ガスを真空槽１０内に導入する（ＳＴＥＰ３０３）。その後、可変電源１５より３５ｋＷの成膜電力を６０ｓｅｃ供給させて、基板１２ａ、１２ｂ上に、亜酸化タンタル膜を形成する（ＳＴＥＰ３０４）。なお、ここでは、基板ステージ１１を陽極またはフロート式とし、マグネトロン１３を陰極としている（亜酸化金属膜形成工程）。ここでのマグネトロンは固定式、可動式のいずれでもよい。
【００４９】
ここで、亜酸化金属膜形成工程におけるＯ２ガスの導入量は、図２に示した例えば３５ｋＷのヒステリシスカーブのサチュレーションポイントＡ（成膜電圧Ｐが急激に落ちる点）以下のＯ２／Ａｒ比（流量比）となるように設定される。このように低酸素雰囲気なので、ターゲット１４上に酸化膜が形成されにくいため、異常放電が起こりにくい。従って、異常放電によるパーティクルの発生を抑制することができ、安定して亜酸化金属膜を形成することができる。更に、酸素ガスの分圧比が低いので、ターゲット１４表面に形成される酸化膜の成長速度よりもターゲット１４がスパッタリングされるスパッタリング速度の方が速くなり、常にターゲット１４表面は金属が露出している状態となって高い成膜レートが得られる。なお、図２において、Ｂ点は、スパッタリング放電電圧の成膜電力を増加させ、入力可能な最大値に達した後、さらに成膜電力を増加させた場合にスパッタリング放電電圧が大きく減少してメタル成膜となった点である。
【００５０】
つぎに、制御部２１は、Ａｒガス供給部１６およびＯ２ガス供給部１７を制御して、例えば、Ｏ２／Ａｒ比（流量比）を４００％、処理中の全圧を５０ｍＴｏｒｒ程度になるようにＡｒガス及びＯ２ガスを真空槽１０内に導入する（ＳＴＥＰ３０５）。また、供給電力の極性は同じにしフロート方式の場合は、基板ステージ１１を陽極とする。マグネトロン付きターゲット１３を陰極とする。これにより、基板１２ａ、１２ｂ上に形成された亜酸化タンタル膜を酸素プラズマ処理して酸化させ、Ｔａ２Ｏ５２６を形成する（酸素プラズマ処理工程）（ＳＴＥＰ３０６）。
【００５１】
図４は、本実施形態の製造方法により製造された基板と基板上に成膜されたＴａ２Ｏ５の薄膜をＥＳＣＡ（化学分析用電子分光法：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ ｆｏｒ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ａｎａｌｙｓｉｓ）で分析した結果を示す図である。
【００５２】
ＥＳＣＡは、対象物ここでは酸化タンタル膜が形成されたガラス基板に、電子線を照射し、この反射電子のエネルギースペクトルを測定し、各スペクトルに相当する電子の結合エネルギー値を標準資料と比較し、表面の膜中に含まれる各元素の化学状態を測定するものである。ここでは、酸化タンタル膜が形成されたガラス基板に電子線を照射して酸化タンタル膜表面からガラス基板に向かってエッチングをし、膜厚方向にＥＳＣＡ分析したものを示している。
【００５３】
図中のＯ１ｓは酸素、Ｔａ４ｆはタンタル、Ｓｉ２ｐは二酸化ケイ素を夫々示している。また、図中横軸は酸化タンタル膜をエッチングするための電子線の照射時間を示している。縦軸は、膜中に含まれる酸素、タンタル、二酸化ケイ素の元素濃度を示している。
【００５４】
図中、４０ｍｉｎでＳｉ２ｐの原子濃度（％）が急激に上昇し、Ｔａ４ｆの原子濃度（％）が急激に下降しているが、これは酸化タンタル膜が電子線エッチングにより略全てエッチングされ、ガラス基板に到達されたことを示している。図に示すように、本実施形態における製法で成膜された酸化タンタル膜は膜厚方向に沿って、酸素濃度のムラがない。
【００５５】
本発明の製造方法は、亜酸化金属膜形成工程と酸素プラズマ処理工程の２工程により酸化金属膜を形成することを特徴としている。亜酸化金属膜形成工程において、反応ガスの分圧比を低くすることによりターゲット１４表面の金属が常に露出している状態となるので、成膜レートを高くすることができる。更に、ターゲット１４表面に酸化膜が形成されにくいため、アーク放電などの異常放電の発生を防止できるため、パーティクルの付着によって形成される膜の製品品質が低下することがない。亜酸化金属膜形成後、酸素プラズマ処理工程において、前工程で得られた酸素が欠乏している亜酸化金属膜に対して、酸素プラズマ処理を施すことによって、酸化させ完全な酸化膜を形成することができる。以上のように、絶縁膜形成工程を２工程に分けることにより、パーティクルの付着等による膜の製品品質の低下がない、基板面内で膜厚が均一な良質な酸化金属膜を得ることができる。
【００５６】
なお、本実施形態においては、亜酸化金属膜形成工程と酸素プラズマ処理工程をそれぞれ１回づつ行っているが、これら２工程を繰り返して行っても良く、これにより酸化金属膜の厚膜を形成することが可能である。
【００５７】
（第２実施形態）
第１実施形態においては、第１工程と第２工程とが同一の真空槽内で行われていたが、それぞれの工程を別々のユニットで行っても良い。以下に、ユニットを別々にした場合の絶縁膜基板の製造装置、絶縁膜基板の製造方法及び絶縁膜基板の一実施形態について図１、図５、図６及び図７を用いて説明する。なお、第１実施形態と同様の箇所は説明を省略する。
【００５８】
図５は、第１工程で使用するスパッタリング装置２０２と第２工程で使用する酸素プラズマ装置２０３を含む絶縁膜基板の製造装置の全体構成を示す平面図である。図６は、第２の工程で使用する酸素プラズマ装置２０３である。図７は、絶縁膜基板の製造方法のフローチャート図である。なお、本実施形態において、第１工程である亜酸化金属膜形成工程で用いられるスパッタリング装置は、図１に示す第１実施形態と同様のスパッタリング装置を用いることができ、第１実施形態と比較して制御部に予め入力される成膜条件が異なる。
【００５９】
第２実施形態に関わる絶縁膜基板の製造装置は、亜酸化金属膜形成工程を行う第１ユニットとしてのスパッタリング装置２０２と酸素プラズマ処理工程を行う第２ユニットとしての酸素プラズマ装置２０３とを備える。すなわち、図５に示すように、処理装置２００は、ロードロック室２０１と、亜酸化金属膜形成工程におけるスパッタリング装置２０２と、酸素プラズマ処理工程における酸素プラズマ装置２０３と、加熱室２０４と、各室及び各装置間を自在に搬送可能な搬送系として搬送回転ハンド２０５ａを具備する真空搬送装置２０５とから構成されている。また、各室及び各装置の間には真空扉２０１ａ、２０１ｂ、２０２ａ、２０３ａ及び２０４ａが設けられ、各室及び各装置内には各室及び各装置内の圧力を調整する図示しない真空調整装置とが設けられている。
【００６０】
スパッタリング装置２０２の制御部２１では、第１実施形態と異なり、Ｏ２／Ａｒ比（流量比）を３００％以下とし、処理中の全圧を３〜４ｍＴｏｒｒ程度とする設定が予め入力されている。更に、基板ステージ１１を陽極またはフロート方式ここでは陽極としマグネトロン付きターゲット１３を陰極とする設定も予め行われる。
【００６１】
本実施形態の酸素プラズマ装置２０３は、反応性ガスとしてＯ２ガスを、不活性ガスとしてアルゴン（Ａｒ）ガスをそれぞれ導入し、このＯ２ガスをプラズマ化して薄膜を改質処理する装置である。
【００６２】
図６において、酸素プラズマ装置２０３には、陽極側の基板ステージ２１１および陰極側のマグネトロン付きカソード２１３が対向配置されている。これらの基板ステージ２１１およびマグネトロン付きカソード２１３には、ＤＣ（直流）の可変電源２１５が接続されている。
【００６３】
基板１２ａ、１２ｂは、基板ステージ２１１にセットされたガラス基板である。これらの基板１２ａ、１２ｂは、その表面が、スパッタリング装置２０２で亜酸化タンタル膜が成膜された状態で酸素プラズマ装置２０３内へ搬入され、プラズマ化した酸素と衝突することにより酸化タンタル膜となるよう処理される。
【００６４】
可変電源２１５は、電圧を基板ステージ２１１およびマグネトロン付きカソード２１３へ供給するための電源であり、後述する制御部２２１により可変制御される。
【００６５】
Ａｒガス供給部２１６は、制御部２２１の制御により、所定流量のＡｒガスを管路２１８を介して酸素プラズマ装置２０３へ供給する。Ｏ２ガス供給部２１７は、制御部２２１に制御により、所定流量のＯ２ガスを管路２１８を介して酸素プラズマ装置２０３へ供給する。
【００６６】
真空ポンプ２１９は、制御部２２１の制御により、酸素プラズマ装置２０３内が所定の全圧になるように、管路２２０を介して真空槽２１０内を脱気する。
【００６７】
制御部２２１は、可変電源２１５の電圧の制御、Ａｒガス供給部２１６およびＯ２ガス供給部２１７の流量制御、真空ポンプ２１９の駆動制御などの各種制御を実行する。設定部２２２は、制御部２２１における制御パラメータに関する設定を行う。制御パラメータとしては、Ａｒガス供給部２１６およびＯ２ガス供給部２１７における各流量、真空ポンプ２１９を停止させる圧力、可変電源２１５における電圧の制御パターンなどである。具体的には、設定部２２２では、Ｏ２／Ａｒ比（流量比）をＡｒを０〜５０％、Ｏ２を１００〜５０％とする設定、処理中の全圧を０．０２〜０．２Ｔｏｒｒとする設定が予め行われている。圧力センサ２２３は、酸素プラズマ装置２０３内の全圧を検出する。
【００６８】
次に、上述した製造装置としての処理装置２００を用いた基板の製造方法及び製造装置の動作について図１、図５、図６及び図７を参照して説明する。
【００６９】
最初に、図５に示すように、真空扉２０１ｂを開き、図示しない搬送手段により基板１２ａ、１２ｂをロードロック室２０１内へ搬送した後、真空扉２０１ｂを閉じる。
【００７０】
次に、ロードロック室２０１を図示しない真空調節装置によって、真空状態にする。
【００７１】
このロードロック室２０１内が真空状態となってから、ロードロック室２０１と搬送装置２０５との間に介在する真空扉２０１ａを開け、搬送ハンド２０５ａに基板１２ａ、１２ｂを載置し、載置した基板１２ａ、１２ｂを搬送装置２０５内へ搬送する。
【００７２】
次に、真空扉２０２ａを開け、基板１２ａ、１２ｂを載置した搬送ハンド２０５ａは、搬送装置２０５から亜酸化金属膜形成が行われるスパッタリング装置２０２へ基板１２ａ、１２ｂを搬送する。搬送後、真空扉２０２ａを閉じる。
【００７３】
その後、制御部２１は、圧力センサ２３からの全圧のフィードバックを受けつつ、真空ポンプ１９を制御して、スパッタリング装置２０２内の全圧が例えば５×１０−６Ｔｏｒｒ以下になるまで脱気させる（ＳＴＥＰ６０１）。
【００７４】
つぎに、制御部２１は、成膜前の予備スパッタリングとして、Ａｒガス供給部１６よりスパッタリング圧が３ｍＴｏｒｒ程度になるようＡｒガスをスパッタリング装置２０２内に導入させた後、可変電源１５より３５ｋＷの成膜電力を１０ｓｅｃ供給させて、ターゲット１４の表面をクリーニングさせる（ＳＴＥＰ６０２）。
【００７５】
つぎに、制御部２１は、Ａｒガス供給部１６およびＯ２ガス供給部１７を制御して、例えば、Ｏ２／Ａｒ比（流量比）を３００％以下、処理中の全圧を３〜４ｍＴｏｒｒ程度になるようにＡｒガス及びＯ２ガスをスパッタリング装置２０２内に導入する（ＳＴＥＰ６０３）。その後、可変電源１５より３５ｋＷの成膜電力を６０ｓｅｃ供給させて、基板１２ａ、１２ｂ上に、亜酸化金属膜としての亜酸化タンタル膜を形成する（ＳＴＥＰ６０４）。なお、ここでは、基板ステージ１１を陽極またはフロート式とし、マグネトロン付きカソード１３を陰極としている。
【００７６】
次に、真空扉２０２ａを開け、搬送ハンド２０５ａによって、基板１２ａ、１２ｂをスパッタリング装置２０２から搬送装置２０５へ搬送する。真空扉２０３ａを開け、搬送ハンド２０５ａによって、基板１２ａ、１２ｂを搬送装置２０５から酸素プラズマ処理が行われる酸素プラズマ装置２０３内へ搬送する（ＳＴＥＰ６０５）。この後、真空扉２０３ａを閉じる。
【００７７】
図６に示すように、制御部２２１は、Ａｒガス供給部２１６およびＯ２ガス供給部２１７を制御して、例えば、Ｏ２／Ａｒ比（流量比）を４００％、処理中の全圧を５０ｍＴｏｒｒ程度になるようにＡｒガス及びＯ２ガスを酸素プラズマ装置２０３内に導入する（ＳＴＥＰ６０６）。ここでは、基板ステージ２１１を陽極とし、マグネット２１３を陰極とする。これにより、基板１２ａ、１２ｂ上に形成された亜酸化タンタル膜をプラズマ化された酸素で酸化させ、基板上に酸化金属膜としてのＴａ２Ｏ５を形成する（ＳＴＥＰ６０７）。
【００７８】
酸素プラズマ処理後、真空扉２０３ａを開け、搬送ハンド２０５ａにより基板１２ａ、１２ｂを酸素プラズマ装置２０３から搬送装置２０５へ搬送される。さらに真空扉２０１ａを開け、基板１２ａ、１２ｂは搬送装置２０５からロードロック室２０１へ搬送される。この後、真空扉２０１ｂを開け、基板１２ａ、１２ｂは、ロードロック室２０１から外へ搬送される。
【００７９】
このようにして、亜酸化金属膜形成工程と酸素プラズマ処理工程を別々のユニットで行うことも可能である。また、亜酸化金属膜形成工程と酸素プラズマ処理する工程とを別々のチャンバで処理することができるので、各ユニット内での諸設定を簡素化することができる。
【００８０】
なお、本実施形態で形成された酸化タンタル膜のＥＳＣＡ分析した結果は、第１実施形態と同様図４に示す挙動を示した。すなわち、異なるユニットで亜酸化膜形成工程と酸素プラズマ処理工程を行っても膜厚方向に酸素濃度のムラのない酸化タンタル膜を形成することができる。
【００８１】
（第３実施形態）
上述の実施形態においては、亜酸化金属膜形成工程では、酸化条件が一定となるように固定しているが、酸素流量が経時的に変化するようにしても良い。以下に、第３実施形態として、亜酸化金属膜形成工程において、酸素導入量が経時的に変化する場合について説明する。ここでは、２工程を別ユニットでスパッタリングする第２実施形態に基づいて説明する。
【００８２】
第３実施形態においては、亜酸化膜形成工程において、ガス導入量などの成膜条件が異なるのみで、図１に示すスパッタリング装置を用いることができる。以下に、第３実施形態に関わる絶縁膜基板の製造方法について図１及び図５を用いて説明する。ここでは、第２実施形態と比較して、スパッタリング装置２０２内における成膜条件のみが異なるため、この点について主に説明し、同様の点については説明を省略する。
【００８３】
スパッタリング装置２０２へ基板１２ａ、１２ｂを搬送後、制御部２１は、圧力センサ２３からの全圧のフィードバックを受けつつ、真空ポンプ１９を制御して、スパッタリング装置２０２内の全圧が例えば５×１０−６Ｔｏｒｒ以下になるまで脱気させる。
【００８４】
つぎに、制御部２１は、成膜前の予備スパッタリングとして、Ａｒガス供給部１６よりスパッタリング圧が３ｍＴｏｒｒ程度になるようＡｒガスをスパッタリング装置２０２内に導入させた後、可変電源１５より３５ｋＷの成膜電力を１０ｓｅｃ供給させて、ターゲット１４の表面をクリーニングさせる。
【００８５】
つぎに、制御部２１は、Ａｒガス供給部１６およびＯ２ガス供給部１７を制御する。ここでは第２実施形態と異なり、酸素導入量が徐々に増加するように制御されている。ここでのＯ２／Ａｒ比（流量比）は０から徐々に３００％へと変化させ、またこの際の処理中の全圧は３ｍＴｏｒｒから徐々に１０ｍＴｏｒｒへと変化させるように、Ａｒガス及びＯ２ガスをスパッタリング装置２０２内へ導入する。この際可変電源１５より３５ｋＷの成膜電力を６０ｓｅｃ供給させて、基板１２ａ、１２ｂ上に、亜酸化タンタル膜を形成する。これによって、ここで形成された亜酸化タンタル膜は、Ｏ２の導入量の変化によって膜自体が膜厚方向に酸素濃度に勾配を有する。すなわち、ここでは徐々に酸素量が増加する亜酸化タンタル膜を形成することができる。その後、酸素プラズマ工程をＯ２／Ａｒ比４００％、５０ｍＴｏｒｒ下でプラズマ酸化処理を実施することにより、図７に示すような酸化タンタル膜を形成することができる。これにより、タンタル膜と、このタンタル膜から離れるほど膜厚方向に酸素濃度が徐々に増加する酸化タンタル膜との積層膜を形成することができる。このような積層膜はタンタル膜と酸化タンタル膜との密着性が良く、信頼性の高い膜を得ることができる。
【００８６】
また、この亜酸化金属膜形成工程と酸素プラズマ処理工程を繰り返す事により、タンタル膜、酸化タンタル膜を順時積層させる多層膜を形成することも可能である。
【００８７】
図８は、第３実施形態に係る酸素条件および成膜電力条件の下で基板１２ａ、１２ｂの表面に成膜された酸化タンタルの薄膜をＳＩＭＳ（ＳｅｃｏｎｄａｒｙＩｏｎ Ｍａｓｓ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）で分析した結果を示す図である。
【００８８】
ＳＩＭＳは、固体分析法の一つであり、数１０ＫＶ程度に加速されたイオンを酸化タンタルの薄膜表面に衝突させ、この表面から放出される２次イオンを質量分析する方法である。ここでは、電子ビームを酸化タンタル膜に照射し酸化タンタル膜表面からガラス基板に向かって、酸化タンタル膜をエッチングしながらＳＩＭＳ分析を行っており、図は膜の膜厚方向の成分組成を示している。また、図中横軸は酸化タンタル膜をエッチングするための電子線の照射時間を示している。縦軸は、膜中に含まれる酸素、タンタル、二酸化ケイ素の元素濃度を示している。図８に示すように、２００〜４００ｓｅｃにおいて、酸素勾配が形成されおり、本実施形態の酸化タンタル膜は膜厚方向に酸素濃度が変化していることがわかる。
【００８９】
本実施形態においては、別のユニットで形成する第２実施形態を採用したが、同ユニットでスパッタリングする第１実施形態に適用してもよい。この場合は、第１モードでの酸素導入量を経時的に変化させればよい。
【００９０】
上述の実施形態においては、絶縁膜基板として、五酸化タンタル膜が形成された基板を例にあげて説明したが、これに限定されるものではなく、Ｔｉ（チタン）、Ｎｂ（ニオブ）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｗ（タングステン）、Ｚｒ（ジルコニウム）などの酸化膜成膜に適用することができる。ターゲットとしては、９９．９９％程度の純金属か、酸素欠乏状態（化学両論的組成より酸素が不足）の低抵抗酸化物（比抵抗２０Ωｃｍ以下：例えばタンタルの酸化物であれば、Ｔａ２Ｏｘ；ｘ＝４．７〜４．９４程度）を使用する。
【００９１】
（第４実施形態）
上述の実施形態で形成した絶縁膜基板を搭載した電気光学装置としての液晶装置について説明する。
【００９２】
まず、液晶装置４０１の構造について図９及び図１０を用いて説明する。図９は、液晶装置の断面図である。図１０は、液晶装置に設けられるＴＦＤ、データ線及び画素電極の構造を説明する図であり、図１０（ａ）は平面図、図１０（ｂ）は図１０（ａ）の線Ａ−Ａ’における断面図、図１０（ｃ）は概略斜視図である。なお、本実施形態において、図示及び説明をわかりやすくするために、各種配線や電極、着色層の数を実際の構造よりも少なくしており、また図面間においても適宜それらの数を異ならせている。
【００９３】
本実施形態においては、液晶装置４０１として、ＴＦＤ素子を用いたアクティブマトリクス型の透過型液晶装置に適用した場合を例にあげて説明する。
【００９４】
図９に示すように、液晶装置４０１は、電気光学パネルとしての液晶パネル４０２と、液晶パネル４０２を挟むように設けられた第１の偏光板４１８ａ及び第２の偏光板４１８ｂと図示しないバックライトと、図示しないドライバＩＣと、このドライバＩＣとＡＣＦを介して電気的に接続する図示しない配線基板とを有している。
【００９５】
液晶パネル４０２は、カラーフィルタ基板４２０と、これに対向する絶縁膜基板としての対向基板４１０と、これら一対の基板４２０及び４１０を貼り合わせる基板周縁部に設けられたシール材４３０と、一対の基板４２０及び４１０とシール材４３０とにより形成された空間内に挟持された液晶４０４とを有している。一対の基板４２０及び４１０の間隙はスペーサ４２１によって保持されている。
【００９６】
バックライトは、対向基板４１０に隣接して配置され、光源（図示せず）と、光源から光が入射される導光板と、拡散シート、プリズムシート、反射シートとを有している。
【００９７】
図９に示すように、液晶パネル４０２を構成するカラーフィルタ基板４２０は、第１基板４０９ｂと、第１基板４０９ｂ上に額縁状に配置された額縁状の遮光膜４５０及びこの額縁状の遮光膜４５０と同層からなる各絵素を区画する格子状遮光膜４５２と、格子状遮光膜４５２の隙間を埋めるように配置された着色層４６０と、着色層４６０、遮光膜４５０及び遮光膜４５２を覆うように配置されたオーバーコート層４１３と、オーバーコート層４１３上に配置された走査線４２４と、走査線４２４及びオーバーコート層４１３を覆うように配置されたポリイミドなどからなる配向膜４１６ｂとを有している。走査線４２４はストライプ状に形成された着色層４６０とほぼ直交するように配置されている。
【００９８】
一方、図９に示すように、液晶パネル４０２を構成する対向基板４１０は、第２基板４０９ａと、第２基板４０９ａ上に配置された走査線４２４とほぼ直交するように配置されたデータ線４１１と、データ線４１１に電気的に接続する複数のスイッチング素子としてのＴＦＤ素子４２８と、各ＴＦＤ素子４２８に電気的に接続した画素電極４２５と、これらデータ線４１１、ＴＦＤ素子４２８、及び画素電極４２５を覆うように配置されたポリイミドなどからなる配向膜４１６ａとを有している。更に、対向基板４１０の張り出し部４１０ａには、走査線４２４が延在した配線とデータ線４１１とＡＣＦを介して電気的に接続するドライバＩＣとが実装され、ドライバＩＣとフレキシブル基板とを電気的に接続するための図示しないパッドが配置されている。
【００９９】
ここで、ＴＦＤ、データ線及び画素電極の構造について図１０を用いて説明する。
【０１００】
図１０は、基板４０９ａ上に配置されるＴＦＤ、データ線及び画素電極の構造を説明する図である。
【０１０１】
ＴＦＤ素子４２８は、図１０（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示すように、基板４０９ａの表面に成膜された下地層上に形成されたＴＦＤ素子４２８ａ及びＴＦＤ素子４２８ｂからなる２つのＴＦＤ素子４２８によって、いわゆるＢａｃｋ−ｔｏ−Ｂａｃｋ構造として構成されている。下地層は、例えば厚さ５０〜２００ｎｍ程度の酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）によって構成されている。
【０１０２】
ＴＦＤ素子４２８ａ及びＴＦＤ素子４２８ｂは、第１金属層４３２と、この第１金属層４３２の表面に形成された酸化タンタルより形成される絶縁膜４３３と、絶縁膜４３３の表面に互いに離間して形成された第２金属層４３４ａ、４３４ｂとによって構成されている。第１金属層４３２は、例えば、厚さ１００〜５００ｎｍ、ここでは２００ｎｍ程度の反射性の金属としてＴａ単体膜を用いて形成したが、Ｔａ合金膜、タンタルタングステン（ＴａＷ）などを用いて形成してもよい。
【０１０３】
本実施形態において、絶縁膜４３３は上述の実施形態に示した絶縁膜形成工程と同様に亜酸化金属膜形成工程と酸素プラズマ処理工程の２工程を行うことによって形成される。この際の絶縁膜４３３の厚さは、１０〜３５ｎｍの酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）である。この２工程を経ることにより、パーティクルの付着等による膜の製品品質の低下がない、膜厚が均一な良質な絶縁膜４３３を形成することができる。なお、ここでの絶縁膜４３３を形成する際に酸素プラズマ工程において酸化濃度を経時的に変えることにより、酸化勾配のある酸化タンタル膜である絶縁膜４３３としてもよい。
【０１０４】
第２金属層４３４ａ、４３４ｂは、例えばクロム（Ｃｒ）などといった金属膜によって５０〜３００ｎｍ程度の厚さに形成されている。第２金属層４３４ａは、そのままデータ線４１１の第３層４４１ｃとなり、他方の第２金属層４３４ｂは、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）などといった透明導電材からなる画素電極４２５に接続されている。データ線４１１は、第１金属層４３２と同時に形成された第１層４４１ａと、絶縁膜４３３と同一工程で形成された第２層４４１ｂと、第３層４４１ｃとが積層した構造となっている。
【０１０５】
次に、上述の液晶装置の製造方法について説明する。
【０１０６】
まず、対向基板４１０の製造方法について図１１及び図１２を用いて説明する。データ線、画素電極及びＴＦＤ素子の製造方法について説明する。図１１及び図１２は、対向基板４１０の製造方法を示している。
【０１０７】
まず、図１１において、下地層形成工程（ａ）では、対向基板４１０及びダミーパターンの基材としての矩形状の透明基板４０７の表面にＴａ酸化物、例えば、Ｔａ２Ｏ５を一様な厚さに成膜して下地層４６１を形成する。
【０１０８】
次に、第１金属層形成工程（ｂ）において、例えば、下地層４６１上にＴａをスパッタリングなどによって一様な厚さで成膜し、さらにフォトリソグラフィ技術を用いてデータ線４１１の第１層４１１ａ及び第１金属層４３２を同時に形成する。また、データ線４１１の第１層４１１ａと第１金属層４３２とはブリッジ部４６９でつながっている。
【０１０９】
次に、絶縁層形成工程（ｃ）において、データ線４１１の第１層４１１ａの表面、第１金属層４３２の表面を上述の実施形態で示したような亜酸化金属膜形成工程と酸素プラズマ処理工程の２工程を行うことにより、絶縁膜４３３を形成する。これにより、パーティクルの付着等による膜の製品品質の低下がない、膜厚が均一な良質な絶縁膜４３３を形成することができる。
【０１１０】
次に、図１２の第２金属層形成工程（ｄ）において、Ｃｒをスパッタリングなどによって一様な厚さで成膜した後、フォトリソグラフィ技術を利用して、データ線４１１の第３層４１１ｃ、第１のＴＦＤ素子４２８ａの第２金属層４３４ａ及び第２のＴＦＤ素子４２８ｂの第２金属層４３４ｂを形成する。
【０１１１】
次に、下地層除去工程（ｅ）において、画素電極４２５の形成予定領域の下地層４６１を除去し、ブリッジ部４６９を透明基板４０７から除去する。以上により、ＴＦＤ素子４２８が形成される。
【０１１２】
次に、電極形成工程（ｆ）において、画素電極４２５を形成するためのＩＴＯをスパッタリングなどによって一様な厚さで成膜し、さらに、フォトリソグラフィ技術により画素電極４２５を形成する。
【０１１３】
これらの一連の工程により、ＴＦＤ素子４２８、データ線４１１及び画素電極４２５が形成される。
【０１１４】
この後、図示を省略するが、対向基板４１０の表面にポリイミドなどの膜を形成し、この膜にラビング処理などの配向処理を施して、配向膜を形成する。これにより対向基板４１０が完成する。
【０１１５】
次に、カラーフィルタ基板４２０の製造方法について説明する。
【０１１６】
まず、矩形状の透明基板上に、Ｃｒをスパッタリングなどによって一様な厚さで成膜した後、フォトリソグラフィ技術を利用して、額縁状の遮光膜４５０及びマトリクス状遮光膜４５１を形成する。額縁状の遮光膜４５０及びマトリクス状遮光膜４５１は、連接している。
【０１１７】
次に、例えばフォトリソグラフィ技術を利用して、マトリクス状遮光膜４５１の開口部に対応した位置にＲ、Ｇ、Ｂからなるカラーフィルタを形成する。カラーフィルタ材料としては、例えば顔料が分散されたアクリル樹脂を用いることができ、カラーフィルタの厚みは例えば０．５〜２μｍ程度である。
【０１１８】
次に、スピンコートなどによりカラーフィルタを覆うように、厚さ１〜４μｍのアクリル樹脂からなるオーバーコート層を形成する。
【０１１９】
次に、オーバーコート層上にＩＴＯをスパッタリングなどによって一様な厚さで成膜し、さらに、フォトリソグラフィ技術により、複数の帯状の走査線４２４を形成する。
【０１２０】
この後、カラーフィルタ基板４２０の表面にポリイミドなどの膜を形成し、この膜にラビング処理などの配向処理を施して、配向膜を形成する。これによりカラーフィルタ基板４２０が完成する。
【０１２１】
上述のように製造された対向基板４１０及びカラーフィルタ基板４２０の一方の基板にシール材４３０を形成し、両基板をデータ線及び走査線が交差し対向するように重ね合わせ、シール材４３０により接着固定する。その後、液晶注入口から、両基板及びシール材により形成された領域に、液晶を注入する。注入後、液晶注入口を封止材により封止する。次に、対向基板４１０及びカラーフィルタ基板４２０を挟むように、それぞれの基板に隣接して一対の偏光板を配置し、液晶パネルを形成する。その後、この液晶パネルをバックライトとともに筐体に組み込むことより、液晶装置４０１が完成する。
【０１２２】
また、以上説明した実施形態においては、電気光学装置として液晶装置４０１を例示しているが、金属絶縁膜が形成された基板を構成の一部とするものであればよく、エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置、プラズマディスプレイ装置、電気泳動ディスプレイ装置、フィールド・エミッション・ディスプレイ（電解放出表示装置）などの各種の電気光学装置に用いられる電気光学パネル及びこれに用いられる基板に本発明の処理を適用することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態に係る構成を示す図である。
【図２】本発明の第１実施形態に係るＯ２／Ａｒ比と成膜全圧Ｐとの関係を表す図である。
【図３】本発明の第１実施形態に係る製造方法を示す図である。
【図４】本発明の第１実施形態に係る基板と基板に成膜されたＴａ２Ｏ５の薄膜をＥＳＣＡで分析した結果を示す図である。
【図５】本発明の第２実施形態に係る構成を示す図である。
【図６】本発明の第２実施形態に係る酸素プラズマ処理工程を行うスパッタリング装置の構成を示す図である。
【図７】本発明の第２実施形態に係る製造方法を示す図である。
【図８】本発明の第３実施形態に係る酸素条件および成膜電力条件の下で基板表面に成膜された五酸化タンタルの薄膜をＥＳＣＡで分析した結果を示す図である。
【図９】本発明の第４実施形態に係る電気光学装置としての液晶装置を示した概略断面図である。
【図１０】本発明の第４実施形態に係る液晶装置に設けられるＴＦＤ、データ線及び画素電極の構造を説明する図であり、図１０（ａ）は概略平面図、図１０（ｂ）は図１０（ａ）の線Ａ−Ａ’における断面図、図１０（ｃ）は概略斜視図である。
【図１１】本発明の第４実施形態に係る液晶装置の対向基板の製造方法を示した概略断面図及び概略平面図である。
【図１２】本発明の第４実施形態に係る液晶装置の対向基板の製造方法を示した概略断面図及び概略平面図である。
【符号の説明】
１０…真空槽、１２ａ、１２ｂ…基板、１４…ターゲット、１６…ガス供給部、１７…ガス供給部、２１…制御部、２６…Ｔａ２Ｏ５、２００…処理装置、２０２…スパッタリング装置、２０３…酸素プラズマ処理工程のスパッタリング装置、２０５ａ…搬送回転ハンド、４０１…液晶装置、４３３…絶縁膜
【発明の属する技術分野】
本発明は、スパッタリングによる金属絶縁膜（例えば、五酸化タンタル）の薄膜を形成するための絶縁膜基板の製造方法、絶縁膜基板の製造装置及び絶縁膜基板並びに電気光学装置の製造方法及び電気光学装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、スパッタリングにより金属絶縁膜を成膜する場合、例えば、反応性ガスとして酸素ガスを、不活性ガスとしてアルゴンガスをそれぞれ導入して、金属製のターゲットに対するスパッタリングが行われる。例えば、金属絶縁膜の一例である五酸化タンタルの成膜においては、タンタルのターゲットを用い、酸素ガスとアルゴンガスとの混合ガスを用いて成膜する反応性スパッタリング方法が用いられる。この場合、イオン化されたアルゴンガスがターゲットに衝突してタンタル原子が叩き出され、このタンタル原子と酸素ガスとが反応した酸化タンタルが基板上に堆積されて薄膜となる（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】
特開２００１−２４４５２２号公報（第６頁、
【図２】）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
上述の反応性スパッタリング方法において、成膜される金属絶縁膜の化学組成は、混合ガス中の反応ガスの分圧比に大きく依存する。例えば、反応ガスの分圧比が高いと、十分に酸化された薄膜が基板上に成膜されていくが、これと同時にターゲットの表面においても酸化反応が起き、ターゲット表面に酸化膜が形成される。ところが、酸化物のスパッタ収率は金属に比べて小さいため、ターゲット表面に形成される酸化膜の成長に伴って、ターゲットが十分にスパッタされなくなり、成膜レートが低下するという問題がある。更に、ターゲットの酸化膜が電子絶縁性という特性を有している場合には、アーク放電などの異常放電が起こるおそれもあった。異常放電により、ターゲットに対するイオン電流密度の上昇があると、急激に成膜レートが高まり、局所的にマイクロアーク放電が発生し、メタル状のパーティクル（霧状の数μｍ程度の異物：スプラッシュ）が多発し、製品品質を著しく低下させる。
【０００５】
一方、反応ガスの分圧比が低いと、ターゲット表面に形成される酸化膜の成長速度よりもターゲットがスパッタされるスパッタ速度の方が速くなる。この場合には、常にターゲット表面は金属が露出している状態となり高い成膜レートが得られるというメリットがある。その反面、基板表面に供給される酸素が不足するため、基板上に成膜された薄膜は十分に酸化されていないメタルリッチな膜（以下、亜酸化膜という）となってしまい、絶縁性が低い薄膜となってしまう。
【０００６】
本発明は、以上の点に鑑みてなされたものであり、異常放電によりパーティクルの発生を抑制し、効率よく基板上に金属絶縁膜を成膜することができる絶縁膜基板の製造方法、絶縁膜基板の製造装置及び絶縁膜基板を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
このような課題を解決するため、本発明は以下のような構成を採用している。
【０００８】
本発明の絶縁膜基板の製造方法は、金属絶縁膜が形成された基板を製造する方法であって、前記基板上にスパッタリング法により低酸素雰囲気で亜酸化金属膜形成工程と、前記亜酸化金属膜が形成された基板を酸素プラズマ処理する工程とを具備することを特徴とする。
【０００９】
本発明のこのような構成によれば、亜酸化金属膜形成工程において、反応ガスである酸素の分圧比を低くした状態で成膜を行うので、ターゲット表面の金属が常に露出している状態でスパッタリングを行うことができ、成膜レートを高くすることができる。更に、ターゲット表面に酸化膜が形成されにくいため、アーク放電などの異常放電の発生を防止できるため、パーティクル（霧状の数μｍ程度の異物：スプラッシュ）の付着によって、形成される膜の製品品質が低下することがない。亜酸化金属膜形成後の酸素プラズマ処理工程において、前工程で得られた酸素が欠乏している亜酸化金属膜に対して酸素プラズマ処理を施すことによって、酸化させ完全な酸化膜を形成することができる。以上のように、絶縁膜形成工程を２段階に分けることにより、パーティクル（霧状の数μｍ程度の異物：スプラッシュ）の付着などによる膜の製品品質の低下のない、基板面内で膜厚が均一な良質な金属絶縁膜を有する絶縁膜基板を得ることができる。
【００１０】
本発明の一の形態によれば、前記金属絶縁膜は、チタン、ニオブ、タンタル、モリブデン、タングステン、ジルコニウムのいずれか１つの酸化膜であることを特徴とする。
【００１１】
このような構成によれば、ターゲットとして用いる金属は、チタン、ニオブ、タンタル、モリブデン、タングステン、ジルコニウムのどれに対しても適用可能である。
【００１２】
本発明の一の形態によれば、前記亜酸化金属膜形成工程において、前記雰囲気内の酸素量を徐々に増加させることを特徴とする。
【００１３】
このような構成によれば、亜酸化金属膜形成工程において形成された膜は、膜厚方向に酸素濃度に勾配があるため、膜厚方向に酸素濃度が徐々に変化する酸化金属膜を形成することができる。従って、例えば、金属膜と酸化金属膜との積層膜を形成する場合、金属膜と酸化金属膜との密着性が良く、また、金属膜と酸化金属膜とを連続して同一ユニット内で成膜することができる。
【００１４】
本発明の絶縁膜基板の製造装置は、基板上にスパッタリング法により低酸素雰囲気で亜酸化金属膜を形成する第１ユニットと、前記亜酸化金属膜が形成された基板を酸素プラズマ処理する第２ユニットと、前記第１ユニットから前記第２ユニットに基板を搬送する搬送系とを具備することを特徴とする。
【００１５】
このような構成によれば、亜酸化金属膜形成工程と酸素プラズマ処理する工程とを別々のチャンバで処理することができるので、各ユニット内での諸設定を簡素化することができる。
【００１６】
本発明の一の形態によれば、前記第１ユニットには、チタン、ニオブ、タンタル、モリブデン、タングステン、ジルコニウムのいずれか１つを有するターゲットが配置されていることを特徴とする。
【００１７】
このような構成によれば、ターゲットとして用いる金属は、チタン、ニオブ、タンタル、モリブデン、タングステン、ジルコニウムのどれに対しても適用可能である。
【００１８】
本発明の一の形態によれば、基板上にスパッタリング法により金属絶縁膜を形成するためのユニットと、前記ユニット内に低酸素分圧の状態の酸素と不活性ガスとの混合ガスを導入する第１モードと、前記ユニット内に前記混合ガスよりも酸素分圧が高いガスを導入する第２モードとを切り替える手段とを具備することを特徴とする。
【００１９】
このような構成によれば、亜酸化金属膜形成工程と酸素プラズマ処理する工程とを同一チャンバで行うことができるので、装置自体を簡素化することができる。
【００２０】
本発明の一の形態によれば、前記金属絶縁膜は、チタン、ニオブ、タンタル、モリブデン、タングステン、ジルコニウムのいずれか１つの酸化膜であることを特徴とする。
【００２１】
このような構成によれば、金属酸化膜に用いる金属は、チタン、ニオブ、タンタル、モリブデン、タングステン、ジルコニウムのどれに対しても適用可能である。
【００２２】
本発明の絶縁膜基板は、上述に記載の絶縁膜基板の製造方法により製造されたことを特徴とする。
【００２３】
このような構成によれば、異常放電によるパーティクルの発生を抑制し、効率よく基板上に金属絶縁膜を成膜することができるので、良質の絶縁膜基板が形成できる。
【００２４】
本発明の絶縁膜基板は、基板と、前記基板上に配置され、前記基板の厚み方向に酸素濃度が異なる酸化金属膜とを具備することを特徴とする。
【００２５】
このような構成によれば、例えば、金属膜とその酸化金属膜との積層膜を形成する場合、金属膜を酸化金属膜との密着性が良い。
【００２６】
本発明の電気光学装置の製造方法は、金属絶縁膜が形成された基板を含む電気光学装置の製造方法であって、上述に記載の絶縁膜基板の製造方法を用いて、前記基板に前記金属絶縁膜を形成する工程を具備することを特徴とする。
【００２７】
このような構成によれば、異常放電によるパーティクルの発生を抑制し、効率よく基板上に金属絶縁膜を成膜した良質の絶縁膜基板を搭載するので、良質の電気光学装置を製造することができる。
【００２８】
本発明の電気光学装置は、上述に記載の絶縁膜基板を備えることを特徴とする。
【００２９】
このような構成によれば、異常放電によるパーティクルの発生を抑制し、効率よく金属絶縁膜が成膜された基板を搭載するので、良質な電気光学装置となる。
【発明の実施の形態】
（第１実施形態）
以下、図１〜図３を用いて、本発明に関わる絶縁膜基板の製造装置、絶縁膜基板の製造方法及び絶縁膜基板の一実施形態について説明する。本実施形態においては、絶縁膜基板として、基板上に金属絶縁膜としてタンタルの酸化物である五酸化タンタル膜（Ｔａ２Ｏ５）の薄膜が成膜された基板を例にあげて説明する。
【００３０】
図１は、絶縁膜基板の製造装置としてのスパッタリング装置の構成を示す図である。
【００３１】
この図には、センタチャンバ式で連続成膜スパッタリングが可能な反応性直流スパッタリング装置（スパッタリング成膜装置）２０２が図示されている。
【００３２】
この反応性直流スパッタリング装置２０２は、反応性ガスとして酸素（Ｏ２）ガスを、不活性ガスとしてアルゴン（Ａｒ）ガスをそれぞれ導入して、金属製のターゲット（タンタル）をスパッタリングし、基板に五酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５２６）の薄膜を成膜する装置である。
【００３３】
同図において、ユニットとしての真空槽１０には、陽極側の基板ステージ１１および陰極側のマグネット１３が対向配置されている。これらの基板ステージ１１およびマグネット１３には、ＤＣ（直流）の可変電源１５が接続されている。
【００３４】
基板１２ａ、１２ｂは、後述するターゲット１４に対向するように基板ステージ１１にセットされたガラス基板である。この基板１２ａ、１２ｂのそれぞれは、４５０ｃｍ×４５０ｃｍの面積、０．５ｍｍの厚さを有している。これらの基板１２ａ、１２ｂの表面には、反応性直流スパッタリングにより金属酸化物の一種である五酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５２６）の薄膜が成膜される。
【００３５】
また、基板ステージ１１にセットされた基板１２ａ、１２ｂには、弱アルカリ洗剤を用いたブラシ洗浄、超音波洗浄、水すすぎ、エアナイフ乾燥が施されている。なお、実際には、基板ステージ１１には、４枚の基板がセットされている。
【００３６】
ターゲット１４は、陰極側のマグネット１３にセットされており、９９．９９％の純度を有するタンタル（Ｔａ）の単体である。このターゲット１４は、例えば１７０ｃｍ×１４０ｃｍ（縦×横）の面積を有しており、Ａｒイオン２４のイオン衝撃によりスパッタリングされ、基板１２ａ及び基板１２ｂの表面に成膜される薄膜（Ｔａ２Ｏ５２６）の材料物質である。Ｔａ２Ｏ５２６は、スパッタリングされたタンタルとＯ２２５とにより生成される。
【００３７】
可変電源１５は、スパッタリング放電電圧、成膜電力を基板ステージ１１およびマグネット１３へ供給するための電源であり、後述する制御部２１により可変制御される。
【００３８】
Ａｒガス供給部１６は、制御部２１の制御により、所定流量のＡｒガスを管路１８を介して真空槽１０へ供給する。Ｏ２ガス供給部１７は、制御部２１に制御により、所定流量のＯ２ガスを管路１８を介して真空槽１０へ供給する。
【００３９】
真空ポンプ１９は、制御部２１に制御により、真空槽１０内が所定の全圧になるように、管路２０を介して真空槽１０内を脱気する。制御部２１は、可変電源１５のスパッタリング放電電圧の制御や成膜電力の制御、Ａｒガス供給部１６およびＯ２ガス供給部１７の流量制御、真空ポンプ１９の駆動制御などの各種制御を実行する。本実施形態のスパッタリング装置を用いた絶縁膜基板の製造方法では、真空槽１０内に導入されるガスが異なる２工程を経てＴａ２Ｏ５２６が成膜される。制御部２１は、第１工程において真空槽１０内へガスを導入する第１モードと、第２工程において真空槽１０内へガスを導入する第２モードとを切り替える手段として機能する。第１モードは、低酸素分圧の状態の酸素と不活性ガスとの混合ガスを導入するモードであり、第２モードは第１モードの混合ガスよりも酸素分圧が高いガスを導入するモードである。
【００４０】
設定部２２は、制御部２１における制御パラメータに関する設定を行う。制御パラメータとしては、Ａｒガス供給部１６およびＯ２ガス供給部１７における各流量、真空ポンプ１９を停止させる圧力、可変電源１５におけるスパッタリング放電電圧および成膜電力の制御パターンなどである。具体的には、設定部２２では、上述した第１工程（亜酸化金属膜形成工程）における、Ｏ２／Ａｒ比（流量比）を３００％以下とする設定、処理中の全圧を３〜４ｍＴｏｒｒ程度とする設定、基板ステージ１１を陽極またはフロート式としマグネトロン付きターゲット１３を陰極とする設定が予め行われる。ここでのマグネトロンは固定式、可動式のいずれでもよい。更に、設定部２２では、上述した第２工程（酸素プラズマ処理工程）における、Ｏ２／Ａｒ比（流量比）をＡｒを０〜５０％、Ｏ２を１００〜５０％とする設定、処理中の全圧を０．０２〜０．２Ｔｏｒｒとする設定、基板ステージ１１を陽極としマグネトロン付きターゲット１３を陰極とする設定が予め行われている。
【００４１】
また、酸素プラズマのイオン量を増し陽極酸化を促進する目的で１３．５６ＭＨｚ、４２０ＫＨｚ、２．４５ＧＨｚ等の高周波を加える事も可能である。
【００４２】
圧力センサ２３は、真空槽１０内の全圧を検出する。
【００４３】
なお、プラズマ中に補助電極を置く（マグネトロンから数十ｍｍ内側）ことも放電安定性を確保するためには有効である。第１工程（亜酸化金属膜形成工程）ではアノード（陽極）として、第２工程（酸素プラズマ処理工程）ではカソード（陰極）として機能する。材質としては中空のＴｉパイプ上にアルミ溶射膜を付け、表面付着膜の剥離を防止し、中空部分には冷却用の冷媒を通過させる。又、この電極をマグネトロンと一緒に可動させることにより大面積基板への成膜時の均一性を改善することも可能になる。
【００４４】
次に、上述のスパッタリング装置の動作及びこのスパッタリング装置により製造される絶縁膜基板の製造方法について図１〜図３を用いて説明する。図２は、スパッタリング装置におけるＯ２／Ａｒ比と成膜全圧Ｐとの関係を示す図である。図３は、絶縁膜基板の製造方法のフローチャート図である。
【００４５】
図３に示すように、本実施形態においては、第１工程としてまず亜酸化金属膜を形成する工程と、その後、第２工程として亜酸化金属膜を酸素プラズマ処理して酸化金属膜を形成する工程との２工程を経ることによりＴａ２Ｏ５２６が成膜される。以下に、スパッタリング装置の動作を含め、Ｔａ２Ｏ５２６が成膜された絶縁膜基板の製造方法について説明する。
【００４６】
まず、設定部２２により、上述した制御パラメータが制御部２１に設定される。基板１２ａ、１２ｂは、真空槽１０内に搬入され、基板ステージ１１上に載置される。つぎに、制御部２１は、圧力センサ２３からの全圧のフィードバックを受けつつ、真空ポンプ１９を制御して、真空槽１０内の全圧が例えば５×１０−６Ｔｏｒｒ以下になるまで脱気させる（ＳＴＥＰ３０１）。
【００４７】
つぎに、制御部２１は、成膜前の予備スパッタリングとして、Ａｒガス供給部１６よりスパッタリング圧が３ｍＴｏｒｒ程度になるようＡｒガスを真空槽１０内に導入させた後、可変電源１５より３５ｋＷの成膜電力を１０ｓｅｃ供給させて、ターゲット１４の表面をクリーニング（ターゲット１４の表面の酸化膜を除去：Ｃｌｅａｎｉｎｇ）させる（ＳＴＥＰ３０２）。
【００４８】
つぎに、制御部２１は、Ａｒガス供給部１６およびＯ２ガス供給部１７を制御して、例えば、Ｏ２／Ａｒ比（流量比）を３００％以下、処理中の全圧を３〜４ｍＴｏｒｒ程度になるようにＡｒガス及びＯ２ガスを真空槽１０内に導入する（ＳＴＥＰ３０３）。その後、可変電源１５より３５ｋＷの成膜電力を６０ｓｅｃ供給させて、基板１２ａ、１２ｂ上に、亜酸化タンタル膜を形成する（ＳＴＥＰ３０４）。なお、ここでは、基板ステージ１１を陽極またはフロート式とし、マグネトロン１３を陰極としている（亜酸化金属膜形成工程）。ここでのマグネトロンは固定式、可動式のいずれでもよい。
【００４９】
ここで、亜酸化金属膜形成工程におけるＯ２ガスの導入量は、図２に示した例えば３５ｋＷのヒステリシスカーブのサチュレーションポイントＡ（成膜電圧Ｐが急激に落ちる点）以下のＯ２／Ａｒ比（流量比）となるように設定される。このように低酸素雰囲気なので、ターゲット１４上に酸化膜が形成されにくいため、異常放電が起こりにくい。従って、異常放電によるパーティクルの発生を抑制することができ、安定して亜酸化金属膜を形成することができる。更に、酸素ガスの分圧比が低いので、ターゲット１４表面に形成される酸化膜の成長速度よりもターゲット１４がスパッタリングされるスパッタリング速度の方が速くなり、常にターゲット１４表面は金属が露出している状態となって高い成膜レートが得られる。なお、図２において、Ｂ点は、スパッタリング放電電圧の成膜電力を増加させ、入力可能な最大値に達した後、さらに成膜電力を増加させた場合にスパッタリング放電電圧が大きく減少してメタル成膜となった点である。
【００５０】
つぎに、制御部２１は、Ａｒガス供給部１６およびＯ２ガス供給部１７を制御して、例えば、Ｏ２／Ａｒ比（流量比）を４００％、処理中の全圧を５０ｍＴｏｒｒ程度になるようにＡｒガス及びＯ２ガスを真空槽１０内に導入する（ＳＴＥＰ３０５）。また、供給電力の極性は同じにしフロート方式の場合は、基板ステージ１１を陽極とする。マグネトロン付きターゲット１３を陰極とする。これにより、基板１２ａ、１２ｂ上に形成された亜酸化タンタル膜を酸素プラズマ処理して酸化させ、Ｔａ２Ｏ５２６を形成する（酸素プラズマ処理工程）（ＳＴＥＰ３０６）。
【００５１】
図４は、本実施形態の製造方法により製造された基板と基板上に成膜されたＴａ２Ｏ５の薄膜をＥＳＣＡ（化学分析用電子分光法：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ ｆｏｒ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ａｎａｌｙｓｉｓ）で分析した結果を示す図である。
【００５２】
ＥＳＣＡは、対象物ここでは酸化タンタル膜が形成されたガラス基板に、電子線を照射し、この反射電子のエネルギースペクトルを測定し、各スペクトルに相当する電子の結合エネルギー値を標準資料と比較し、表面の膜中に含まれる各元素の化学状態を測定するものである。ここでは、酸化タンタル膜が形成されたガラス基板に電子線を照射して酸化タンタル膜表面からガラス基板に向かってエッチングをし、膜厚方向にＥＳＣＡ分析したものを示している。
【００５３】
図中のＯ１ｓは酸素、Ｔａ４ｆはタンタル、Ｓｉ２ｐは二酸化ケイ素を夫々示している。また、図中横軸は酸化タンタル膜をエッチングするための電子線の照射時間を示している。縦軸は、膜中に含まれる酸素、タンタル、二酸化ケイ素の元素濃度を示している。
【００５４】
図中、４０ｍｉｎでＳｉ２ｐの原子濃度（％）が急激に上昇し、Ｔａ４ｆの原子濃度（％）が急激に下降しているが、これは酸化タンタル膜が電子線エッチングにより略全てエッチングされ、ガラス基板に到達されたことを示している。図に示すように、本実施形態における製法で成膜された酸化タンタル膜は膜厚方向に沿って、酸素濃度のムラがない。
【００５５】
本発明の製造方法は、亜酸化金属膜形成工程と酸素プラズマ処理工程の２工程により酸化金属膜を形成することを特徴としている。亜酸化金属膜形成工程において、反応ガスの分圧比を低くすることによりターゲット１４表面の金属が常に露出している状態となるので、成膜レートを高くすることができる。更に、ターゲット１４表面に酸化膜が形成されにくいため、アーク放電などの異常放電の発生を防止できるため、パーティクルの付着によって形成される膜の製品品質が低下することがない。亜酸化金属膜形成後、酸素プラズマ処理工程において、前工程で得られた酸素が欠乏している亜酸化金属膜に対して、酸素プラズマ処理を施すことによって、酸化させ完全な酸化膜を形成することができる。以上のように、絶縁膜形成工程を２工程に分けることにより、パーティクルの付着等による膜の製品品質の低下がない、基板面内で膜厚が均一な良質な酸化金属膜を得ることができる。
【００５６】
なお、本実施形態においては、亜酸化金属膜形成工程と酸素プラズマ処理工程をそれぞれ１回づつ行っているが、これら２工程を繰り返して行っても良く、これにより酸化金属膜の厚膜を形成することが可能である。
【００５７】
（第２実施形態）
第１実施形態においては、第１工程と第２工程とが同一の真空槽内で行われていたが、それぞれの工程を別々のユニットで行っても良い。以下に、ユニットを別々にした場合の絶縁膜基板の製造装置、絶縁膜基板の製造方法及び絶縁膜基板の一実施形態について図１、図５、図６及び図７を用いて説明する。なお、第１実施形態と同様の箇所は説明を省略する。
【００５８】
図５は、第１工程で使用するスパッタリング装置２０２と第２工程で使用する酸素プラズマ装置２０３を含む絶縁膜基板の製造装置の全体構成を示す平面図である。図６は、第２の工程で使用する酸素プラズマ装置２０３である。図７は、絶縁膜基板の製造方法のフローチャート図である。なお、本実施形態において、第１工程である亜酸化金属膜形成工程で用いられるスパッタリング装置は、図１に示す第１実施形態と同様のスパッタリング装置を用いることができ、第１実施形態と比較して制御部に予め入力される成膜条件が異なる。
【００５９】
第２実施形態に関わる絶縁膜基板の製造装置は、亜酸化金属膜形成工程を行う第１ユニットとしてのスパッタリング装置２０２と酸素プラズマ処理工程を行う第２ユニットとしての酸素プラズマ装置２０３とを備える。すなわち、図５に示すように、処理装置２００は、ロードロック室２０１と、亜酸化金属膜形成工程におけるスパッタリング装置２０２と、酸素プラズマ処理工程における酸素プラズマ装置２０３と、加熱室２０４と、各室及び各装置間を自在に搬送可能な搬送系として搬送回転ハンド２０５ａを具備する真空搬送装置２０５とから構成されている。また、各室及び各装置の間には真空扉２０１ａ、２０１ｂ、２０２ａ、２０３ａ及び２０４ａが設けられ、各室及び各装置内には各室及び各装置内の圧力を調整する図示しない真空調整装置とが設けられている。
【００６０】
スパッタリング装置２０２の制御部２１では、第１実施形態と異なり、Ｏ２／Ａｒ比（流量比）を３００％以下とし、処理中の全圧を３〜４ｍＴｏｒｒ程度とする設定が予め入力されている。更に、基板ステージ１１を陽極またはフロート方式ここでは陽極としマグネトロン付きターゲット１３を陰極とする設定も予め行われる。
【００６１】
本実施形態の酸素プラズマ装置２０３は、反応性ガスとしてＯ２ガスを、不活性ガスとしてアルゴン（Ａｒ）ガスをそれぞれ導入し、このＯ２ガスをプラズマ化して薄膜を改質処理する装置である。
【００６２】
図６において、酸素プラズマ装置２０３には、陽極側の基板ステージ２１１および陰極側のマグネトロン付きカソード２１３が対向配置されている。これらの基板ステージ２１１およびマグネトロン付きカソード２１３には、ＤＣ（直流）の可変電源２１５が接続されている。
【００６３】
基板１２ａ、１２ｂは、基板ステージ２１１にセットされたガラス基板である。これらの基板１２ａ、１２ｂは、その表面が、スパッタリング装置２０２で亜酸化タンタル膜が成膜された状態で酸素プラズマ装置２０３内へ搬入され、プラズマ化した酸素と衝突することにより酸化タンタル膜となるよう処理される。
【００６４】
可変電源２１５は、電圧を基板ステージ２１１およびマグネトロン付きカソード２１３へ供給するための電源であり、後述する制御部２２１により可変制御される。
【００６５】
Ａｒガス供給部２１６は、制御部２２１の制御により、所定流量のＡｒガスを管路２１８を介して酸素プラズマ装置２０３へ供給する。Ｏ２ガス供給部２１７は、制御部２２１に制御により、所定流量のＯ２ガスを管路２１８を介して酸素プラズマ装置２０３へ供給する。
【００６６】
真空ポンプ２１９は、制御部２２１の制御により、酸素プラズマ装置２０３内が所定の全圧になるように、管路２２０を介して真空槽２１０内を脱気する。
【００６７】
制御部２２１は、可変電源２１５の電圧の制御、Ａｒガス供給部２１６およびＯ２ガス供給部２１７の流量制御、真空ポンプ２１９の駆動制御などの各種制御を実行する。設定部２２２は、制御部２２１における制御パラメータに関する設定を行う。制御パラメータとしては、Ａｒガス供給部２１６およびＯ２ガス供給部２１７における各流量、真空ポンプ２１９を停止させる圧力、可変電源２１５における電圧の制御パターンなどである。具体的には、設定部２２２では、Ｏ２／Ａｒ比（流量比）をＡｒを０〜５０％、Ｏ２を１００〜５０％とする設定、処理中の全圧を０．０２〜０．２Ｔｏｒｒとする設定が予め行われている。圧力センサ２２３は、酸素プラズマ装置２０３内の全圧を検出する。
【００６８】
次に、上述した製造装置としての処理装置２００を用いた基板の製造方法及び製造装置の動作について図１、図５、図６及び図７を参照して説明する。
【００６９】
最初に、図５に示すように、真空扉２０１ｂを開き、図示しない搬送手段により基板１２ａ、１２ｂをロードロック室２０１内へ搬送した後、真空扉２０１ｂを閉じる。
【００７０】
次に、ロードロック室２０１を図示しない真空調節装置によって、真空状態にする。
【００７１】
このロードロック室２０１内が真空状態となってから、ロードロック室２０１と搬送装置２０５との間に介在する真空扉２０１ａを開け、搬送ハンド２０５ａに基板１２ａ、１２ｂを載置し、載置した基板１２ａ、１２ｂを搬送装置２０５内へ搬送する。
【００７２】
次に、真空扉２０２ａを開け、基板１２ａ、１２ｂを載置した搬送ハンド２０５ａは、搬送装置２０５から亜酸化金属膜形成が行われるスパッタリング装置２０２へ基板１２ａ、１２ｂを搬送する。搬送後、真空扉２０２ａを閉じる。
【００７３】
その後、制御部２１は、圧力センサ２３からの全圧のフィードバックを受けつつ、真空ポンプ１９を制御して、スパッタリング装置２０２内の全圧が例えば５×１０−６Ｔｏｒｒ以下になるまで脱気させる（ＳＴＥＰ６０１）。
【００７４】
つぎに、制御部２１は、成膜前の予備スパッタリングとして、Ａｒガス供給部１６よりスパッタリング圧が３ｍＴｏｒｒ程度になるようＡｒガスをスパッタリング装置２０２内に導入させた後、可変電源１５より３５ｋＷの成膜電力を１０ｓｅｃ供給させて、ターゲット１４の表面をクリーニングさせる（ＳＴＥＰ６０２）。
【００７５】
つぎに、制御部２１は、Ａｒガス供給部１６およびＯ２ガス供給部１７を制御して、例えば、Ｏ２／Ａｒ比（流量比）を３００％以下、処理中の全圧を３〜４ｍＴｏｒｒ程度になるようにＡｒガス及びＯ２ガスをスパッタリング装置２０２内に導入する（ＳＴＥＰ６０３）。その後、可変電源１５より３５ｋＷの成膜電力を６０ｓｅｃ供給させて、基板１２ａ、１２ｂ上に、亜酸化金属膜としての亜酸化タンタル膜を形成する（ＳＴＥＰ６０４）。なお、ここでは、基板ステージ１１を陽極またはフロート式とし、マグネトロン付きカソード１３を陰極としている。
【００７６】
次に、真空扉２０２ａを開け、搬送ハンド２０５ａによって、基板１２ａ、１２ｂをスパッタリング装置２０２から搬送装置２０５へ搬送する。真空扉２０３ａを開け、搬送ハンド２０５ａによって、基板１２ａ、１２ｂを搬送装置２０５から酸素プラズマ処理が行われる酸素プラズマ装置２０３内へ搬送する（ＳＴＥＰ６０５）。この後、真空扉２０３ａを閉じる。
【００７７】
図６に示すように、制御部２２１は、Ａｒガス供給部２１６およびＯ２ガス供給部２１７を制御して、例えば、Ｏ２／Ａｒ比（流量比）を４００％、処理中の全圧を５０ｍＴｏｒｒ程度になるようにＡｒガス及びＯ２ガスを酸素プラズマ装置２０３内に導入する（ＳＴＥＰ６０６）。ここでは、基板ステージ２１１を陽極とし、マグネット２１３を陰極とする。これにより、基板１２ａ、１２ｂ上に形成された亜酸化タンタル膜をプラズマ化された酸素で酸化させ、基板上に酸化金属膜としてのＴａ２Ｏ５を形成する（ＳＴＥＰ６０７）。
【００７８】
酸素プラズマ処理後、真空扉２０３ａを開け、搬送ハンド２０５ａにより基板１２ａ、１２ｂを酸素プラズマ装置２０３から搬送装置２０５へ搬送される。さらに真空扉２０１ａを開け、基板１２ａ、１２ｂは搬送装置２０５からロードロック室２０１へ搬送される。この後、真空扉２０１ｂを開け、基板１２ａ、１２ｂは、ロードロック室２０１から外へ搬送される。
【００７９】
このようにして、亜酸化金属膜形成工程と酸素プラズマ処理工程を別々のユニットで行うことも可能である。また、亜酸化金属膜形成工程と酸素プラズマ処理する工程とを別々のチャンバで処理することができるので、各ユニット内での諸設定を簡素化することができる。
【００８０】
なお、本実施形態で形成された酸化タンタル膜のＥＳＣＡ分析した結果は、第１実施形態と同様図４に示す挙動を示した。すなわち、異なるユニットで亜酸化膜形成工程と酸素プラズマ処理工程を行っても膜厚方向に酸素濃度のムラのない酸化タンタル膜を形成することができる。
【００８１】
（第３実施形態）
上述の実施形態においては、亜酸化金属膜形成工程では、酸化条件が一定となるように固定しているが、酸素流量が経時的に変化するようにしても良い。以下に、第３実施形態として、亜酸化金属膜形成工程において、酸素導入量が経時的に変化する場合について説明する。ここでは、２工程を別ユニットでスパッタリングする第２実施形態に基づいて説明する。
【００８２】
第３実施形態においては、亜酸化膜形成工程において、ガス導入量などの成膜条件が異なるのみで、図１に示すスパッタリング装置を用いることができる。以下に、第３実施形態に関わる絶縁膜基板の製造方法について図１及び図５を用いて説明する。ここでは、第２実施形態と比較して、スパッタリング装置２０２内における成膜条件のみが異なるため、この点について主に説明し、同様の点については説明を省略する。
【００８３】
スパッタリング装置２０２へ基板１２ａ、１２ｂを搬送後、制御部２１は、圧力センサ２３からの全圧のフィードバックを受けつつ、真空ポンプ１９を制御して、スパッタリング装置２０２内の全圧が例えば５×１０−６Ｔｏｒｒ以下になるまで脱気させる。
【００８４】
つぎに、制御部２１は、成膜前の予備スパッタリングとして、Ａｒガス供給部１６よりスパッタリング圧が３ｍＴｏｒｒ程度になるようＡｒガスをスパッタリング装置２０２内に導入させた後、可変電源１５より３５ｋＷの成膜電力を１０ｓｅｃ供給させて、ターゲット１４の表面をクリーニングさせる。
【００８５】
つぎに、制御部２１は、Ａｒガス供給部１６およびＯ２ガス供給部１７を制御する。ここでは第２実施形態と異なり、酸素導入量が徐々に増加するように制御されている。ここでのＯ２／Ａｒ比（流量比）は０から徐々に３００％へと変化させ、またこの際の処理中の全圧は３ｍＴｏｒｒから徐々に１０ｍＴｏｒｒへと変化させるように、Ａｒガス及びＯ２ガスをスパッタリング装置２０２内へ導入する。この際可変電源１５より３５ｋＷの成膜電力を６０ｓｅｃ供給させて、基板１２ａ、１２ｂ上に、亜酸化タンタル膜を形成する。これによって、ここで形成された亜酸化タンタル膜は、Ｏ２の導入量の変化によって膜自体が膜厚方向に酸素濃度に勾配を有する。すなわち、ここでは徐々に酸素量が増加する亜酸化タンタル膜を形成することができる。その後、酸素プラズマ工程をＯ２／Ａｒ比４００％、５０ｍＴｏｒｒ下でプラズマ酸化処理を実施することにより、図７に示すような酸化タンタル膜を形成することができる。これにより、タンタル膜と、このタンタル膜から離れるほど膜厚方向に酸素濃度が徐々に増加する酸化タンタル膜との積層膜を形成することができる。このような積層膜はタンタル膜と酸化タンタル膜との密着性が良く、信頼性の高い膜を得ることができる。
【００８６】
また、この亜酸化金属膜形成工程と酸素プラズマ処理工程を繰り返す事により、タンタル膜、酸化タンタル膜を順時積層させる多層膜を形成することも可能である。
【００８７】
図８は、第３実施形態に係る酸素条件および成膜電力条件の下で基板１２ａ、１２ｂの表面に成膜された酸化タンタルの薄膜をＳＩＭＳ（ＳｅｃｏｎｄａｒｙＩｏｎ Ｍａｓｓ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）で分析した結果を示す図である。
【００８８】
ＳＩＭＳは、固体分析法の一つであり、数１０ＫＶ程度に加速されたイオンを酸化タンタルの薄膜表面に衝突させ、この表面から放出される２次イオンを質量分析する方法である。ここでは、電子ビームを酸化タンタル膜に照射し酸化タンタル膜表面からガラス基板に向かって、酸化タンタル膜をエッチングしながらＳＩＭＳ分析を行っており、図は膜の膜厚方向の成分組成を示している。また、図中横軸は酸化タンタル膜をエッチングするための電子線の照射時間を示している。縦軸は、膜中に含まれる酸素、タンタル、二酸化ケイ素の元素濃度を示している。図８に示すように、２００〜４００ｓｅｃにおいて、酸素勾配が形成されおり、本実施形態の酸化タンタル膜は膜厚方向に酸素濃度が変化していることがわかる。
【００８９】
本実施形態においては、別のユニットで形成する第２実施形態を採用したが、同ユニットでスパッタリングする第１実施形態に適用してもよい。この場合は、第１モードでの酸素導入量を経時的に変化させればよい。
【００９０】
上述の実施形態においては、絶縁膜基板として、五酸化タンタル膜が形成された基板を例にあげて説明したが、これに限定されるものではなく、Ｔｉ（チタン）、Ｎｂ（ニオブ）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｗ（タングステン）、Ｚｒ（ジルコニウム）などの酸化膜成膜に適用することができる。ターゲットとしては、９９．９９％程度の純金属か、酸素欠乏状態（化学両論的組成より酸素が不足）の低抵抗酸化物（比抵抗２０Ωｃｍ以下：例えばタンタルの酸化物であれば、Ｔａ２Ｏｘ；ｘ＝４．７〜４．９４程度）を使用する。
【００９１】
（第４実施形態）
上述の実施形態で形成した絶縁膜基板を搭載した電気光学装置としての液晶装置について説明する。
【００９２】
まず、液晶装置４０１の構造について図９及び図１０を用いて説明する。図９は、液晶装置の断面図である。図１０は、液晶装置に設けられるＴＦＤ、データ線及び画素電極の構造を説明する図であり、図１０（ａ）は平面図、図１０（ｂ）は図１０（ａ）の線Ａ−Ａ’における断面図、図１０（ｃ）は概略斜視図である。なお、本実施形態において、図示及び説明をわかりやすくするために、各種配線や電極、着色層の数を実際の構造よりも少なくしており、また図面間においても適宜それらの数を異ならせている。
【００９３】
本実施形態においては、液晶装置４０１として、ＴＦＤ素子を用いたアクティブマトリクス型の透過型液晶装置に適用した場合を例にあげて説明する。
【００９４】
図９に示すように、液晶装置４０１は、電気光学パネルとしての液晶パネル４０２と、液晶パネル４０２を挟むように設けられた第１の偏光板４１８ａ及び第２の偏光板４１８ｂと図示しないバックライトと、図示しないドライバＩＣと、このドライバＩＣとＡＣＦを介して電気的に接続する図示しない配線基板とを有している。
【００９５】
液晶パネル４０２は、カラーフィルタ基板４２０と、これに対向する絶縁膜基板としての対向基板４１０と、これら一対の基板４２０及び４１０を貼り合わせる基板周縁部に設けられたシール材４３０と、一対の基板４２０及び４１０とシール材４３０とにより形成された空間内に挟持された液晶４０４とを有している。一対の基板４２０及び４１０の間隙はスペーサ４２１によって保持されている。
【００９６】
バックライトは、対向基板４１０に隣接して配置され、光源（図示せず）と、光源から光が入射される導光板と、拡散シート、プリズムシート、反射シートとを有している。
【００９７】
図９に示すように、液晶パネル４０２を構成するカラーフィルタ基板４２０は、第１基板４０９ｂと、第１基板４０９ｂ上に額縁状に配置された額縁状の遮光膜４５０及びこの額縁状の遮光膜４５０と同層からなる各絵素を区画する格子状遮光膜４５２と、格子状遮光膜４５２の隙間を埋めるように配置された着色層４６０と、着色層４６０、遮光膜４５０及び遮光膜４５２を覆うように配置されたオーバーコート層４１３と、オーバーコート層４１３上に配置された走査線４２４と、走査線４２４及びオーバーコート層４１３を覆うように配置されたポリイミドなどからなる配向膜４１６ｂとを有している。走査線４２４はストライプ状に形成された着色層４６０とほぼ直交するように配置されている。
【００９８】
一方、図９に示すように、液晶パネル４０２を構成する対向基板４１０は、第２基板４０９ａと、第２基板４０９ａ上に配置された走査線４２４とほぼ直交するように配置されたデータ線４１１と、データ線４１１に電気的に接続する複数のスイッチング素子としてのＴＦＤ素子４２８と、各ＴＦＤ素子４２８に電気的に接続した画素電極４２５と、これらデータ線４１１、ＴＦＤ素子４２８、及び画素電極４２５を覆うように配置されたポリイミドなどからなる配向膜４１６ａとを有している。更に、対向基板４１０の張り出し部４１０ａには、走査線４２４が延在した配線とデータ線４１１とＡＣＦを介して電気的に接続するドライバＩＣとが実装され、ドライバＩＣとフレキシブル基板とを電気的に接続するための図示しないパッドが配置されている。
【００９９】
ここで、ＴＦＤ、データ線及び画素電極の構造について図１０を用いて説明する。
【０１００】
図１０は、基板４０９ａ上に配置されるＴＦＤ、データ線及び画素電極の構造を説明する図である。
【０１０１】
ＴＦＤ素子４２８は、図１０（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示すように、基板４０９ａの表面に成膜された下地層上に形成されたＴＦＤ素子４２８ａ及びＴＦＤ素子４２８ｂからなる２つのＴＦＤ素子４２８によって、いわゆるＢａｃｋ−ｔｏ−Ｂａｃｋ構造として構成されている。下地層は、例えば厚さ５０〜２００ｎｍ程度の酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）によって構成されている。
【０１０２】
ＴＦＤ素子４２８ａ及びＴＦＤ素子４２８ｂは、第１金属層４３２と、この第１金属層４３２の表面に形成された酸化タンタルより形成される絶縁膜４３３と、絶縁膜４３３の表面に互いに離間して形成された第２金属層４３４ａ、４３４ｂとによって構成されている。第１金属層４３２は、例えば、厚さ１００〜５００ｎｍ、ここでは２００ｎｍ程度の反射性の金属としてＴａ単体膜を用いて形成したが、Ｔａ合金膜、タンタルタングステン（ＴａＷ）などを用いて形成してもよい。
【０１０３】
本実施形態において、絶縁膜４３３は上述の実施形態に示した絶縁膜形成工程と同様に亜酸化金属膜形成工程と酸素プラズマ処理工程の２工程を行うことによって形成される。この際の絶縁膜４３３の厚さは、１０〜３５ｎｍの酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）である。この２工程を経ることにより、パーティクルの付着等による膜の製品品質の低下がない、膜厚が均一な良質な絶縁膜４３３を形成することができる。なお、ここでの絶縁膜４３３を形成する際に酸素プラズマ工程において酸化濃度を経時的に変えることにより、酸化勾配のある酸化タンタル膜である絶縁膜４３３としてもよい。
【０１０４】
第２金属層４３４ａ、４３４ｂは、例えばクロム（Ｃｒ）などといった金属膜によって５０〜３００ｎｍ程度の厚さに形成されている。第２金属層４３４ａは、そのままデータ線４１１の第３層４４１ｃとなり、他方の第２金属層４３４ｂは、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）などといった透明導電材からなる画素電極４２５に接続されている。データ線４１１は、第１金属層４３２と同時に形成された第１層４４１ａと、絶縁膜４３３と同一工程で形成された第２層４４１ｂと、第３層４４１ｃとが積層した構造となっている。
【０１０５】
次に、上述の液晶装置の製造方法について説明する。
【０１０６】
まず、対向基板４１０の製造方法について図１１及び図１２を用いて説明する。データ線、画素電極及びＴＦＤ素子の製造方法について説明する。図１１及び図１２は、対向基板４１０の製造方法を示している。
【０１０７】
まず、図１１において、下地層形成工程（ａ）では、対向基板４１０及びダミーパターンの基材としての矩形状の透明基板４０７の表面にＴａ酸化物、例えば、Ｔａ２Ｏ５を一様な厚さに成膜して下地層４６１を形成する。
【０１０８】
次に、第１金属層形成工程（ｂ）において、例えば、下地層４６１上にＴａをスパッタリングなどによって一様な厚さで成膜し、さらにフォトリソグラフィ技術を用いてデータ線４１１の第１層４１１ａ及び第１金属層４３２を同時に形成する。また、データ線４１１の第１層４１１ａと第１金属層４３２とはブリッジ部４６９でつながっている。
【０１０９】
次に、絶縁層形成工程（ｃ）において、データ線４１１の第１層４１１ａの表面、第１金属層４３２の表面を上述の実施形態で示したような亜酸化金属膜形成工程と酸素プラズマ処理工程の２工程を行うことにより、絶縁膜４３３を形成する。これにより、パーティクルの付着等による膜の製品品質の低下がない、膜厚が均一な良質な絶縁膜４３３を形成することができる。
【０１１０】
次に、図１２の第２金属層形成工程（ｄ）において、Ｃｒをスパッタリングなどによって一様な厚さで成膜した後、フォトリソグラフィ技術を利用して、データ線４１１の第３層４１１ｃ、第１のＴＦＤ素子４２８ａの第２金属層４３４ａ及び第２のＴＦＤ素子４２８ｂの第２金属層４３４ｂを形成する。
【０１１１】
次に、下地層除去工程（ｅ）において、画素電極４２５の形成予定領域の下地層４６１を除去し、ブリッジ部４６９を透明基板４０７から除去する。以上により、ＴＦＤ素子４２８が形成される。
【０１１２】
次に、電極形成工程（ｆ）において、画素電極４２５を形成するためのＩＴＯをスパッタリングなどによって一様な厚さで成膜し、さらに、フォトリソグラフィ技術により画素電極４２５を形成する。
【０１１３】
これらの一連の工程により、ＴＦＤ素子４２８、データ線４１１及び画素電極４２５が形成される。
【０１１４】
この後、図示を省略するが、対向基板４１０の表面にポリイミドなどの膜を形成し、この膜にラビング処理などの配向処理を施して、配向膜を形成する。これにより対向基板４１０が完成する。
【０１１５】
次に、カラーフィルタ基板４２０の製造方法について説明する。
【０１１６】
まず、矩形状の透明基板上に、Ｃｒをスパッタリングなどによって一様な厚さで成膜した後、フォトリソグラフィ技術を利用して、額縁状の遮光膜４５０及びマトリクス状遮光膜４５１を形成する。額縁状の遮光膜４５０及びマトリクス状遮光膜４５１は、連接している。
【０１１７】
次に、例えばフォトリソグラフィ技術を利用して、マトリクス状遮光膜４５１の開口部に対応した位置にＲ、Ｇ、Ｂからなるカラーフィルタを形成する。カラーフィルタ材料としては、例えば顔料が分散されたアクリル樹脂を用いることができ、カラーフィルタの厚みは例えば０．５〜２μｍ程度である。
【０１１８】
次に、スピンコートなどによりカラーフィルタを覆うように、厚さ１〜４μｍのアクリル樹脂からなるオーバーコート層を形成する。
【０１１９】
次に、オーバーコート層上にＩＴＯをスパッタリングなどによって一様な厚さで成膜し、さらに、フォトリソグラフィ技術により、複数の帯状の走査線４２４を形成する。
【０１２０】
この後、カラーフィルタ基板４２０の表面にポリイミドなどの膜を形成し、この膜にラビング処理などの配向処理を施して、配向膜を形成する。これによりカラーフィルタ基板４２０が完成する。
【０１２１】
上述のように製造された対向基板４１０及びカラーフィルタ基板４２０の一方の基板にシール材４３０を形成し、両基板をデータ線及び走査線が交差し対向するように重ね合わせ、シール材４３０により接着固定する。その後、液晶注入口から、両基板及びシール材により形成された領域に、液晶を注入する。注入後、液晶注入口を封止材により封止する。次に、対向基板４１０及びカラーフィルタ基板４２０を挟むように、それぞれの基板に隣接して一対の偏光板を配置し、液晶パネルを形成する。その後、この液晶パネルをバックライトとともに筐体に組み込むことより、液晶装置４０１が完成する。
【０１２２】
また、以上説明した実施形態においては、電気光学装置として液晶装置４０１を例示しているが、金属絶縁膜が形成された基板を構成の一部とするものであればよく、エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置、プラズマディスプレイ装置、電気泳動ディスプレイ装置、フィールド・エミッション・ディスプレイ（電解放出表示装置）などの各種の電気光学装置に用いられる電気光学パネル及びこれに用いられる基板に本発明の処理を適用することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態に係る構成を示す図である。
【図２】本発明の第１実施形態に係るＯ２／Ａｒ比と成膜全圧Ｐとの関係を表す図である。
【図３】本発明の第１実施形態に係る製造方法を示す図である。
【図４】本発明の第１実施形態に係る基板と基板に成膜されたＴａ２Ｏ５の薄膜をＥＳＣＡで分析した結果を示す図である。
【図５】本発明の第２実施形態に係る構成を示す図である。
【図６】本発明の第２実施形態に係る酸素プラズマ処理工程を行うスパッタリング装置の構成を示す図である。
【図７】本発明の第２実施形態に係る製造方法を示す図である。
【図８】本発明の第３実施形態に係る酸素条件および成膜電力条件の下で基板表面に成膜された五酸化タンタルの薄膜をＥＳＣＡで分析した結果を示す図である。
【図９】本発明の第４実施形態に係る電気光学装置としての液晶装置を示した概略断面図である。
【図１０】本発明の第４実施形態に係る液晶装置に設けられるＴＦＤ、データ線及び画素電極の構造を説明する図であり、図１０（ａ）は概略平面図、図１０（ｂ）は図１０（ａ）の線Ａ−Ａ’における断面図、図１０（ｃ）は概略斜視図である。
【図１１】本発明の第４実施形態に係る液晶装置の対向基板の製造方法を示した概略断面図及び概略平面図である。
【図１２】本発明の第４実施形態に係る液晶装置の対向基板の製造方法を示した概略断面図及び概略平面図である。
【符号の説明】
１０…真空槽、１２ａ、１２ｂ…基板、１４…ターゲット、１６…ガス供給部、１７…ガス供給部、２１…制御部、２６…Ｔａ２Ｏ５、２００…処理装置、２０２…スパッタリング装置、２０３…酸素プラズマ処理工程のスパッタリング装置、２０５ａ…搬送回転ハンド、４０１…液晶装置、４３３…絶縁膜
Claims (10)
- 金属絶縁膜が形成された基板を製造する方法であって、
前記基板上にスパッタリング法により低酸素雰囲気で亜酸化金属膜を形成する工程と、
前記亜酸化金属膜が形成された基板を酸素プラズマ処理する工程と
を具備することを特徴とする絶縁膜基板の製造方法。 - 前記金属絶縁膜は、チタン、ニオブ、タンタル、モリブデン、タングステン、ジルコニウムのいずれか１つの酸化膜であることを特徴とする請求項１記載の絶縁膜基板の製造方法。
- 前記亜酸化金属膜形成工程において、前記雰囲気内の酸素量を徐々に増加させることを特徴とする請求項１または請求項２記載の絶縁膜基板の製造方法。
- 基板上にスパッタリング法により低酸素雰囲気で亜酸化金属膜を形成する第１ユニットと、
前記亜酸化金属膜が形成された基板を酸素プラズマ処理する第２ユニットと、
前記第１ユニットから前記第２ユニットに基板を搬送する搬送系と
を具備することを特徴とする絶縁膜基板の製造装置。 - 前記第１ユニットには、チタン、ニオブ、タンタル、モリブデン、タングステン、ジルコニウムのいずれか１つを有するターゲットが配置されていることを特徴とする請求項４記載の絶縁膜基板の製造装置。
- 基板上にスパッタリング法により金属絶縁膜を形成するためのユニットと、
前記ユニット内に低酸素分圧の状態の酸素と不活性ガスとの混合ガスを導入する第１モードと、前記ユニット内に前記混合ガスよりも酸素分圧が高いガスを導入する第２モードとを切り替える手段と
を具備することを特徴とする絶縁膜基板の製造装置。 - 前記金属絶縁膜は、チタン、ニオブ、タンタル、モリブデン、タングステン、ジルコニウムのいずれか１つの酸化膜であることを特徴とする請求項６記載の絶縁膜基板の製造装置。
- 基板と、
前記基板上に配置され、前記基板の厚み方向に酸素濃度が異なる酸化金属膜と
を具備することを特徴とする絶縁膜基板。 - 金属絶縁膜が形成された基板を含む電気光学装置の製造方法であって、請求項１から請求項３いずれか一項に記載の絶縁膜基板の製造方法を用いて、前記基板に前記金属絶縁膜を形成する工程を具備することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
- 請求項８に記載の絶縁膜基板を備えることを特徴とする電気光学装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003014731A JP2004228355A (ja) | 2003-01-23 | 2003-01-23 | 絶縁膜基板の製造方法、絶縁膜基板の製造装置及び絶縁膜基板並びに電気光学装置の製造方法及び電気光学装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003014731A JP2004228355A (ja) | 2003-01-23 | 2003-01-23 | 絶縁膜基板の製造方法、絶縁膜基板の製造装置及び絶縁膜基板並びに電気光学装置の製造方法及び電気光学装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004228355A true JP2004228355A (ja) | 2004-08-12 |
Family
ID=32902687
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003014731A Withdrawn JP2004228355A (ja) | 2003-01-23 | 2003-01-23 | 絶縁膜基板の製造方法、絶縁膜基板の製造装置及び絶縁膜基板並びに電気光学装置の製造方法及び電気光学装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2004228355A (ja) |
Cited By (31)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008510319A (ja) * | 2004-08-18 | 2008-04-03 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理を用いて高誘電率層を有するゲート誘電体積層体を改善する方法及びシステム |
| JP2008171874A (ja) * | 2007-01-09 | 2008-07-24 | Ulvac Japan Ltd | 誘電体薄膜の製造方法及び誘電体薄膜の製造装置 |
| JP2009033188A (ja) * | 2006-11-17 | 2009-02-12 | Panasonic Corp | 不揮発性記憶素子の製造方法 |
| WO2010103914A1 (ja) * | 2009-03-10 | 2010-09-16 | セントラル硝子株式会社 | 酸化タンタル薄膜及び薄膜積層体 |
| WO2011021343A1 (ja) * | 2009-08-19 | 2011-02-24 | パナソニック株式会社 | 有機ｅｌ素子 |
| US8563994B2 (en) | 2010-08-06 | 2013-10-22 | Panasonic Corporation | Light-emitting element, display device, and method for producing light-emitting element |
| US8664669B2 (en) | 2010-06-24 | 2014-03-04 | Panasonic Corporation | Organic EL element, display apparatus, and light-emitting apparatus |
| US8703530B2 (en) | 2010-06-24 | 2014-04-22 | Panasonic Corporation | Method for producing organic EL element, display device, light-emitting apparatus, and ultraviolet irradiation device |
| US8822246B2 (en) | 2009-02-10 | 2014-09-02 | Panasonic Corporation | Method for manufacturing a light-emitting element including a protective film for a charge injection layer |
| US8829510B2 (en) | 2011-02-23 | 2014-09-09 | Panasonic Corporation | Organic electroluminescence display panel and organic electroluminescence display device |
| US8852977B2 (en) | 2010-08-06 | 2014-10-07 | Panasonic Corporation | Method for producing light-emitting elements |
| US8866160B2 (en) | 2009-02-10 | 2014-10-21 | Panasonic Corporation | Light-emitting element, device, and manufacturing method including a charge injection layer having a recess for suppressing uneven luminance |
| US8884281B2 (en) | 2011-01-21 | 2014-11-11 | Panasonic Corporation | Organic EL element |
| US8884276B2 (en) | 2011-05-11 | 2014-11-11 | Panasonic Corporation | Organic EL display panel and organic EL display apparatus |
| US8890173B2 (en) | 2009-02-10 | 2014-11-18 | Panasonic Corporation | Light-emitting element including a charge injection transport layer having a recess portion for accumulating ink, and display device and method for manufacturing thereof |
| US8890129B2 (en) | 2010-08-06 | 2014-11-18 | Panasonic Corporation | Light emitting device, light emitting apparatus provided with a light emitting device, and method of manufacturing a light emitting device |
| US8921838B2 (en) | 2010-08-06 | 2014-12-30 | Panasonic Corporation | Light emitting element, method for manufacturing same, and light emitting device |
| US8927976B2 (en) | 2010-08-06 | 2015-01-06 | Panasonic Corporation | Organic EL element and production method for same |
| US8927975B2 (en) | 2010-08-06 | 2015-01-06 | Panasonic Corporation | Light emitting element, method for manufacturing same, and light emitting device |
| US8946693B2 (en) | 2010-08-06 | 2015-02-03 | Panasonic Corporation | Organic EL element, display device, and light-emitting device |
| US8981361B2 (en) | 2011-02-25 | 2015-03-17 | Panasonic Corporation | Organic electroluminescence display panel with tungsten oxide containing hole injection layer that electrically connects electrode to auxiliary wiring, and organic electroluminescence display device |
| US8999832B2 (en) | 2010-08-06 | 2015-04-07 | Panasonic Corporation | Organic EL element |
| US9012896B2 (en) | 2010-08-06 | 2015-04-21 | Panasonic Corporation | Organic EL element |
| US9012897B2 (en) | 2010-08-06 | 2015-04-21 | Panasonic Corporation | Organic EL element, display device, and light-emitting device |
| US9029842B2 (en) | 2010-08-06 | 2015-05-12 | Joled Inc. | Organic electroluminescence element and method of manufacturing thereof |
| US9029843B2 (en) | 2010-08-06 | 2015-05-12 | Joled Inc. | Organic electroluminescence element |
| US9048448B2 (en) | 2010-08-06 | 2015-06-02 | Joled Inc. | Organic electroluminescence element and method of manufacturing thereof |
| US9130187B2 (en) | 2010-08-06 | 2015-09-08 | Joled Inc. | Organic EL element, display device, and light-emitting device |
| US9490445B2 (en) | 2010-07-30 | 2016-11-08 | Joled Inc. | Organic el element, organic el panel, organic el light-emitting apparatus, organic el display apparatus, and method of manufacturing organic el element |
| US9843010B2 (en) | 2010-08-06 | 2017-12-12 | Joled Inc. | Light-emitting element, light-emitting device provided with light-emitting element, and light-emitting element production method |
| WO2021049343A1 (ja) * | 2019-09-12 | 2021-03-18 | 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ | 半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム |
-
2003
- 2003-01-23 JP JP2003014731A patent/JP2004228355A/ja not_active Withdrawn
Cited By (39)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008510319A (ja) * | 2004-08-18 | 2008-04-03 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理を用いて高誘電率層を有するゲート誘電体積層体を改善する方法及びシステム |
| JP2009033188A (ja) * | 2006-11-17 | 2009-02-12 | Panasonic Corp | 不揮発性記憶素子の製造方法 |
| US9236381B2 (en) | 2006-11-17 | 2016-01-12 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Nonvolatile memory element, nonvolatile memory apparatus, nonvolatile semiconductor apparatus, and method of manufacturing nonvolatile memory element |
| JP2008171874A (ja) * | 2007-01-09 | 2008-07-24 | Ulvac Japan Ltd | 誘電体薄膜の製造方法及び誘電体薄膜の製造装置 |
| US8890174B2 (en) | 2009-02-10 | 2014-11-18 | Panasonic Corporation | Light-emitting element including a charge injection transport layer that includes a dissolvable metal compound, and display device and method for manufacturing thereof |
| US8890173B2 (en) | 2009-02-10 | 2014-11-18 | Panasonic Corporation | Light-emitting element including a charge injection transport layer having a recess portion for accumulating ink, and display device and method for manufacturing thereof |
| US8822246B2 (en) | 2009-02-10 | 2014-09-02 | Panasonic Corporation | Method for manufacturing a light-emitting element including a protective film for a charge injection layer |
| US8866160B2 (en) | 2009-02-10 | 2014-10-21 | Panasonic Corporation | Light-emitting element, device, and manufacturing method including a charge injection layer having a recess for suppressing uneven luminance |
| WO2010103914A1 (ja) * | 2009-03-10 | 2010-09-16 | セントラル硝子株式会社 | 酸化タンタル薄膜及び薄膜積層体 |
| CN102414857B (zh) * | 2009-08-19 | 2015-04-29 | 松下电器产业株式会社 | 有机el元件 |
| US8872164B2 (en) | 2009-08-19 | 2014-10-28 | Panasonic Corporation | Organic el element |
| CN102414857A (zh) * | 2009-08-19 | 2012-04-11 | 松下电器产业株式会社 | 有机el元件 |
| WO2011021343A1 (ja) * | 2009-08-19 | 2011-02-24 | パナソニック株式会社 | 有機ｅｌ素子 |
| US8664669B2 (en) | 2010-06-24 | 2014-03-04 | Panasonic Corporation | Organic EL element, display apparatus, and light-emitting apparatus |
| US8703530B2 (en) | 2010-06-24 | 2014-04-22 | Panasonic Corporation | Method for producing organic EL element, display device, light-emitting apparatus, and ultraviolet irradiation device |
| US9490445B2 (en) | 2010-07-30 | 2016-11-08 | Joled Inc. | Organic el element, organic el panel, organic el light-emitting apparatus, organic el display apparatus, and method of manufacturing organic el element |
| US8927975B2 (en) | 2010-08-06 | 2015-01-06 | Panasonic Corporation | Light emitting element, method for manufacturing same, and light emitting device |
| US8852977B2 (en) | 2010-08-06 | 2014-10-07 | Panasonic Corporation | Method for producing light-emitting elements |
| US9843010B2 (en) | 2010-08-06 | 2017-12-12 | Joled Inc. | Light-emitting element, light-emitting device provided with light-emitting element, and light-emitting element production method |
| US8921838B2 (en) | 2010-08-06 | 2014-12-30 | Panasonic Corporation | Light emitting element, method for manufacturing same, and light emitting device |
| US8927976B2 (en) | 2010-08-06 | 2015-01-06 | Panasonic Corporation | Organic EL element and production method for same |
| US8563994B2 (en) | 2010-08-06 | 2013-10-22 | Panasonic Corporation | Light-emitting element, display device, and method for producing light-emitting element |
| US8946693B2 (en) | 2010-08-06 | 2015-02-03 | Panasonic Corporation | Organic EL element, display device, and light-emitting device |
| US9130187B2 (en) | 2010-08-06 | 2015-09-08 | Joled Inc. | Organic EL element, display device, and light-emitting device |
| US8999832B2 (en) | 2010-08-06 | 2015-04-07 | Panasonic Corporation | Organic EL element |
| US9012896B2 (en) | 2010-08-06 | 2015-04-21 | Panasonic Corporation | Organic EL element |
| US9012897B2 (en) | 2010-08-06 | 2015-04-21 | Panasonic Corporation | Organic EL element, display device, and light-emitting device |
| US8890129B2 (en) | 2010-08-06 | 2014-11-18 | Panasonic Corporation | Light emitting device, light emitting apparatus provided with a light emitting device, and method of manufacturing a light emitting device |
| US9029842B2 (en) | 2010-08-06 | 2015-05-12 | Joled Inc. | Organic electroluminescence element and method of manufacturing thereof |
| US9029843B2 (en) | 2010-08-06 | 2015-05-12 | Joled Inc. | Organic electroluminescence element |
| US9048448B2 (en) | 2010-08-06 | 2015-06-02 | Joled Inc. | Organic electroluminescence element and method of manufacturing thereof |
| US8884281B2 (en) | 2011-01-21 | 2014-11-11 | Panasonic Corporation | Organic EL element |
| US8829510B2 (en) | 2011-02-23 | 2014-09-09 | Panasonic Corporation | Organic electroluminescence display panel and organic electroluminescence display device |
| US8981361B2 (en) | 2011-02-25 | 2015-03-17 | Panasonic Corporation | Organic electroluminescence display panel with tungsten oxide containing hole injection layer that electrically connects electrode to auxiliary wiring, and organic electroluminescence display device |
| US8884276B2 (en) | 2011-05-11 | 2014-11-11 | Panasonic Corporation | Organic EL display panel and organic EL display apparatus |
| WO2021049343A1 (ja) * | 2019-09-12 | 2021-03-18 | 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ | 半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム |
| JPWO2021049343A1 (ja) * | 2019-09-12 | 2021-03-18 | ||
| CN114080660A (zh) * | 2019-09-12 | 2022-02-22 | 株式会社国际电气 | 半导体器件的制造方法、衬底处理装置及程序 |
| JP7170890B2 (ja) | 2019-09-12 | 2022-11-14 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理方法、プログラム、及び基板処理装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2004228355A (ja) | 絶縁膜基板の製造方法、絶縁膜基板の製造装置及び絶縁膜基板並びに電気光学装置の製造方法及び電気光学装置 | |
| KR101085271B1 (ko) | 표시 디바이스용 Ａｌ 합금막, 표시 디바이스 및 스퍼터링 타깃 | |
| TW460599B (en) | Method for forming fine wiring pattern | |
| US20110089026A1 (en) | Touch panel manufacturing method and film formation apparatus | |
| JP2021529257A (ja) | テーパ形状の開口が２回の電鋳法により形成され内部応力が低減されたシャドウマスク | |
| JP2003086025A (ja) | 透明導電膜成膜基板及びその製造方法 | |
| US10488719B2 (en) | IPS array substrate and liquid crystal display panel | |
| JP4858492B2 (ja) | スパッタリング装置 | |
| JP4570233B2 (ja) | 薄膜形成方法及びその形成装置 | |
| JPH05263237A (ja) | 透明電極膜の製造方法 | |
| KR20020080159A (ko) | 유기 전계발광 표시 소자의 자동 제조를 위한아이티오전극 증착 장치 및 방법 | |
| CN108385073B (zh) | Ito薄膜的制作方法 | |
| JP3612280B2 (ja) | 薄膜形成法とその薄膜及びそれを用いた平面表示装置 | |
| JP5239218B2 (ja) | カラーフィルタの製造方法 | |
| JPH09179142A (ja) | 電極配線基板、その製造方法、及び液晶表示装置 | |
| CN119265508B (zh) | 基于硼靶材磁控溅射的等离子刻蚀方法和镀膜方法 | |
| KR101188967B1 (ko) | 표시용 기판 및 그 제조방법과 표시장치 | |
| KR101032438B1 (ko) | 액정표시패널의 제조장치 | |
| JP2002279835A (ja) | 透明導電性薄膜積層体及びそのエッチング方法 | |
| TWI230461B (en) | Method for manufacturing thin film transistor panel | |
| KR100631120B1 (ko) | 액정표시패널의 제조장치 | |
| JP4224660B2 (ja) | 銅配線基板及びその製造方法 | |
| KR101317903B1 (ko) | 스퍼터 장치와 이를 이용한 어레이 기판의 제조 방법 | |
| JP2003003265A (ja) | プラズマ試料処理法、薄膜及び平面表示装置 | |
| JPH1010557A (ja) | 透明導電膜及び液晶表示素子の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20060404 |