JP2004234901A

JP2004234901A - ディスプレイ基板、有機ｅｌ表示装置、ディスプレイ基板の製造方法および電子機器

Info

Publication number: JP2004234901A
Application number: JP2003019123A
Authority: JP
Inventors: Yuji Kayano; 祐治茅野; Hidekazu Kobayashi; 英和小林
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2003-01-28
Filing date: 2003-01-28
Publication date: 2004-08-19

Abstract

【課題】ＥＬ表示装置等で使用するディスプレイ基板の製造工程を簡易にする。
【解決手段】ガラス基板１の面のうちの表示領域に正孔注入層３を形成させ、その上層に設けたバンク９によって囲まれる領域の各々に、発光層４を形成する構造にする。
【選択図】図２

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）などの表示装置に用いられるディスプレイ基板に関し、特に材料を溶液に溶解させた後に各機能層を形成する高分子有機ＥＬ表示装置に用いられるディスプレイ基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】
有機ＥＬなどの表示装置では、ガラス基板の面上に複数の発光層（薄膜）をパターン形成させたディスプレイ基板が用いられている。発光層は、電圧が印加されると自ら発光する性質を有しており、いくつかの発光層を発光させることにより、ディスプレイ基板全体として１つの画像表示をすることができる。
図５は、従来のディスプレイ基板の斜視図を示す。図５に示すように、ディスプレイ基板は、ガラス基板１の面上に、バンク９と呼ばれる仕切部材が設けられている。そして、バンク９により囲まれた領域の各々に正孔注入層３や発光層４が形成されている。正孔注入層３は、発光層４を発光しやすくするために付随的に設けられる層である。
【０００３】
従来のディスプレイ基板の製造過程はおおよそ以下の通りである（特許文献１〜３参照）。
（１）ガラス基板１の面上に陽極側の処理（陽極電極の形成など）をする。
（２）バンク９を形成する。
（３）正孔注入層３を形成する。
（４）発光層４を形成する。
（５）陰極側の処理（陰極電極の形成や基板保護用の封止処理）をする。
なお、ガラス基板１において面のうちの端部は保護用の封止ガラス等が設けられるため、実際にはガラス基板１の面のうちの内部領域（表示領域）にバンク９や発光層４が形成される。また、図５では、電極に係る部分の図示は省略した。
【０００４】
【特許文献１】
特開２０００−３５３５３９４号公報
【特許文献２】
特開２０００−３２３２７６号公報
【特許文献３】
特開２０００−２０８２５４号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
このように従来のディスプレイ基板の製造工程においては、ガラス基板１の面上にバンク９を形成した後に、正孔注入層３や発光層４を形成していた。このため、バンク９により囲まれる領域の各々に対し、まず、正孔注入層３を形成するための液体材料（水分散性高分子インク組成物）を例えばインクジェットヘッドを用いて吐出させ、その後、乾燥させて正孔注入層３を形成させる。次いで、発光層４を形成するための液体材料（発光ポリマーインク組成物）をさらに吐出させて、その後、乾燥させて発光層４を形成させる。発光層４はＲＧＢ各色を別々に形成するため、インクジェット工程が３回必要であった。正孔注入層の形成まで含めると、インクジェット工程が４回必要であった。このように、製造工程が非常に煩雑になる問題があった。
【０００６】
また、バンク９は５ミクロン以下の位置精度および寸法精度で設けられているのに対し、インクジェット工程による各種インク組成物のインク滴塗布位置精度は１０ミクロン以上のばらつきを有している。このため、バンク９により囲まれるすべての領域に位置精度よく液体材料を吐出させるのが生産技術上困難であるという問題があった。この問題を回避する手段として、バンク９形成後のガラス基板１に対し、酸素プラズマ処理後にＣＦ_４プラズマ処理を行い、陽極表面は上記インク組成物になじみ（親液性）、バンク９表面は上記インク組成物をはじく（撥液性）ような表面改質処理を施す手段がある。このような処理を施すことにより、インクジェット工程でインク滴の着弾位置が多少ずれても、インク滴の一部が親液性の陽極表面にかかって引き寄せられるとともに、撥液性のバンク９表面から押しやられるため、インク滴がすべてバンク９で囲われる領域に収まる効果が得られる。
【０００７】
しかしながら、大型基板から小型パネルを多数製造するような場合は、前述の表面改質処理によって均一な表面状態を作り出すことが困難であるという問題が生じることとなっていた。
このため、各領域に形成される正孔注入層３の膜厚が不均一になり、たとえ発光層４の膜厚が均一であっても、発光層４に注入される正孔量がばらつく問題があった。この結果、表示装置の輝度が不均一になる問題につながっていた。
本発明は、このような点を考慮して行われたものであり、従来よりも簡易な工程で製造することができ、この結果、上述したような膜厚不均一の問題も生じることがない、新たなディスプレイ基板、有機ＥＬ表示装置、ディスプレイ基板の製造方法および電子機器を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明の構成は、基板面のうちの表示領域に設けた仕切部材（バンク）によって囲まれる領域の各々に、電子と正孔の結合により自ら発光する発光層が形成されたディスプレイ基板において、前記発光層に対し前記正孔を注入する正孔注入層が、前記基板面のうちの表示領域全面に形成され、前記正孔注入層の層上にバンクが形成されていることを特徴とする。
かかる構成によれば、正孔注入層を前記基板面のうちの表示領域全面に形成することができ、正孔注入層の膜厚を均一にして容易に形成できる。また、正孔注入層の層上に設けたバンクにより囲まれる領域には発光層のみが形成されるから、このようなディスプレイ基板を製造するにあたっての工程内容を簡易化することができる。
【０００９】
また上述した構成において、前記正孔注入層は少なくとも
ＰｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｄｉｏｘｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅとＰｏｌｙｓｔｙｒｅｎｅｓｕｌｆｏｎａｔｅを含むようにしてもよい。あるいは、前記正孔注入層は少なくともポリアニリンとＰｏｌｙｓｔｙｒｅｎｅｓｕｌｆｏｎａｔｅを含むようにしてもよい。かかる構成によれば、発光層に対する正孔注入性能が良好なため、発光輝度、発光効率、寿命などの諸特性が優れるＥＬディスプレイを作製することができる。
【００１０】
また本発明の構成は、基板面のうちの表示領域に設けた仕切部材（バンク）によって囲まれる領域の各々に、電子と正孔の結合により自ら発光する発光層が形成されたディスプレイ基板の製造方法において、前記発光層に対して前記正孔を注入する正孔注入層を、前記基板面のうちの表示領域全面に形成する過程と、前記正孔注入層の面上に前記バンクを形成する過程と、前記バンクにより囲まれる領域の各々に前記発光層を形成する過程とを有することを特徴とする。
かかる構成によれば、正孔注入層を前記基板面のうちの表示領域全面に形成することができ、正孔注入層の膜厚を均一にして容易に形成できる。また、正孔注入層の層上に設けたバンクにより囲まれる領域には発光層のみを形成すれば足りるため、ディスプレイ基板製造工程の内容を簡易化することができる。
【００１１】
上述したディスプレイ基板の製造方法において、前記正孔注入層を形成する過程は、前記正孔注入層を形成するための液体材料をスピンコートすることにより前記正孔注入層を一面に形成するようにしてもよい。これにより、正孔注入層の膜厚を均一に形成することができる。
ここで前記正孔注入層を形成するための液体材料は水分散性高分子材料であってもよい。前記バンクは、含フッ素感光性樹脂を有機溶剤で現像することにより形成してもよい。かかる構成によれば、バンクを有機溶剤現像タイプのフッ素含有感光性樹脂で形成する場合、正孔注入層が水分散性高分子材料からなるため、有機溶剤で前記フッ素含有感光性樹脂を現像しても、正孔注入層が溶解／膨潤するおそれはない。
【００１２】
なお、上述したディスプレイ基板の利用形態の１つとして、当該ディスプレイ基板を備えた有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置があげられる。この有機ＥＬ表示装置は、各種電子機器に用いることができ、一例を挙げると、携帯電話、ＰＤＡ（ＰｅｒｓｏｎａｌＤｉｇｉｔａｌＡｓｓｉｓｔａｎｔｓ）、ＰＣやワープロのディスプレイ、ＴＶ、ディジタルカメラの表示部、デジタルビデオカメラのファインダーおよびディスプレイといった電子機器に用いることができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
図１は、本実施形態に係るディスプレイ基板１００の斜視図である。上述した従来のディスプレイ基板に比較して、正孔注入層３の上部にバンク９が形成された構成になっている点が異なっている。
図２は、ある１つの発光層４に着目したときの断面図を示した図である。なお、図面上、各層は模式的に示したものであり、相対的な厚さ等は図に示した内容とは異なる。
【００１４】
図２を用いて、ディスプレイ基板１００の構成について詳述する。図２の下層側から説明していくと、まず、ガラス基板１の面上にＴＦＴ（ＴｈｉｎＦｉｌｍＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ）１１が配置されている。ＴＦＴ１１は、発光層４に流す電流量を調整するために設けるものであり、これにより発光層４の輝度が調整されることになる。なお、ＴＦＴ１１に付随する配線の図示は省略した。
ＴＦＴ１１の上層として平坦化層１３が設けられている。平坦化層１３は、ＴＦＴ１１を保護するとともに、基板の表面を平坦化する目的として設けられる層である。
【００１５】
平坦化層１３の上層として、陽極１４が設けられる。陽極１４は、例えばアルミとＩＴＯの積層膜や、チタンとＩＴＯの積層膜を用いることができ、ＴＦＴ１１と電気的に接続されている。
陽極１４がアルミとＩＴＯの積層膜の場合、アルミは発光層４からの光を表示面側に反射して輝度を高くし、ＩＴＯは正孔注入層３に正孔を注入する機能を持つ。また、陽極１４がチタンとＩＴＯの積層膜の場合、チタン、ＩＴＯ、正孔注入層、発光層および後述する陰極１５の膜厚を最適化することにより、入射光が各層の界面で反射するそれぞれの光が干渉して打ち消しあい、表示領域が黒く見えてコントラストが向上するという効果がある。
【００１６】
陽極１４の上層として、正孔注入層３が設けられる。正孔注入層３は、ディスプレイ基板１００の面のうちの表示領域全面に設けられており、この点が本実施形態に係るディスプレイ基板１００の構造を特徴付けている。なお、ガラス基板１における面のうちの端部は保護用の封止ガラス等が後に設けられるため、ガラス基板１の面のうちの内部領域（表示領域）に正孔注入層３が形成される。
【００１７】
正孔注入層３の層上にはバンク（仕切部材）９が設けられ、バンク９で囲まれた領域に発光層４が形成されている。
発光層４の層上には、例えば厚さ５ｎｍのＣａと厚さ２００ｎｍのＩＴＯの積層膜からなる陰極１５が設けられる。この陰極１５はＩＴＯが導電層として機能するとともに、Ｃａが発光層４に対する電子注入の機能を担っている。陰極１５の上部には、保護膜としての透明なバリア膜１６、透明な封止材１７および封止ガラス１８が順に設けられている。封止材１７や封止ガラス１８は、正孔注入層３やバンク９などを覆うようにして形成される。
【００１８】
図２に示すディスプレイ基板１００において、陽極１４と陰極１５との間に所定の電圧（３Ｖ〜１０Ｖ程度）を印加すると、陽極１４から正孔注入層３を介して発光層４に正孔（ホール）が注入される。一方、陰極１５から発光層４に対しては、電子が注入される。これにより、発光層４において正孔と電子とが結合し、結合したときに生じる結合エネルギーが光エネルギーとして放射（発光）する。放射された光は、封止ガラス１８側から出射する。
【００１９】
（本発明の着想点）
このように、本実施形態に係るディスプレイ基板１００は、正孔注入層３の上にバンク９が形成されている点に構造上の特徴がある。
本発明者は、従来のディスプレイ装置は、バンク９の形成後に、正孔注入層３や発光層４といった複数の層を形成しなければならないから、製造工程、特にインクジェットヘッドを用いる工程が煩雑化し、この結果、膜厚を均一にするのが難しくなっているのではないかと考えた。
【００２０】
このような考えに基づき、本発明者は、上述したような、バンク９の下部に正孔注入層３を設ける構造を発案した。このような構造によれば、製造工程上バンク９を設ける前に正孔注入層３を形成させることができるから、スピンコート法などを用い、少なくとも正孔注入層３の膜厚は容易に均一化することができる。
そして、正孔注入層３の上にバンク９を設けた後は、発光層４のみを形成すればよく、インクジェットヘッドによって３回の液体材料吐出を行えば足りる。このように、インクジェットヘッドを用いた工程の内容が簡易化される効果もある。
【００２１】
なお、従来のディスプレイ基板においては、正孔注入層３が発光層４ごとに設けられる構造をとり（図５参照）、電圧が印加されると、正孔注入層３は、隣合する発光層４に正孔（ホール）を注入するよう機能していた。これに対し、本実施形態に係るディスプレイ基板１００では、正孔注入層３が発光層４毎に設けられるのではなく、基板の表示領域全面に設けられているから、正孔注入層３が本来注入すべきでない発光層４に対して正孔を注入してしまうのではないかとの見解も生じうる。しかしながら、本発明者は、正孔注入層３は電圧が印加される方向に対しては十分薄厚であるから、正孔が電圧の印加方向と別の方向に移動する可能性は考慮の必要がなく、上述したような不具合は生じないと考えた。
【００２２】
このように、本実施形態に係るディスプレイ基板１００は、従来のディスプレイ基板と構造上の違いはあるものの、従来と同様の正孔注入層３の機能が確保されているのである。
また正孔注入層３は、ＰｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｄｉｏｘｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅおよびＰｏｌｙｓｔｙｒｅｎｅｓｕｌｆｏｎａｔｅを水に分散させた溶液（ＢａｙｔｒｏｎＰ、バイエル社商標）またはポリアニリンおよびＰｏｌｙｓｔｙｒｅｎｅｓｕｌｆｏｎａｔｅを水に分散させた溶液を塗布、焼成して所定厚みの薄膜層とするが、焼成後の正孔注入層３はほとんどの有機溶剤に対して不溶である。そのため、有機溶剤現像タイプの含フッ素感光性樹脂を用いてバンク９を形成することによって、図２の構造を形成することができる。
以上が本発明者の着眼点であり、本発明の原理である。
【００２３】
さて、前出の含フッ素感光性樹脂の主体となる含フッ素樹脂としては、たとえばフッ素化エポキシ樹脂、フッ素化ポリイミド樹脂、フッ素化ポリアミド樹脂、フッ素化ポリウレタン樹脂、フッ素化シロキサン樹脂およびそれらの変性樹脂などを用いることができる。
また、含フッ素樹脂としては、特に限定されるものではないが、フッ素化エポキシ樹脂の好ましい例として、式［１］で示される樹脂を挙げることができる。
【００２４】
【式１】

【００２５】
また、フッ素化ポリイミド樹脂の好ましい例として、式［２］で示される樹脂を挙げることができる。
【００２６】
【式２】

【００２７】
さらに、フッ素化アクリル樹脂の好ましい例として、式［３］で示される樹脂を挙げることができる。
【００２８】
【式３】

【００２９】
さらに、フッ素化シロキサン樹脂の好ましい例として、式［４］で示される樹脂を挙げることができる。
【００３０】
【式４】

【００３１】
上記したフッ素原子を含有する樹脂は、それ自体撥水性を有する樹脂材料として本発明において好適に用いることができる。
上記した樹脂材料を、本発明の目的達成上有用な感光性樹脂材料とするには、活性エネルギー線硬化型樹脂組成物とする通常の方法が採用され、活性エネルギー線によるパターニングによって精密で高解像度のパターンを形成することのできる感光性樹脂材料が採用される。
【００３２】
すなわち、樹脂材料単独では露光波長に対して十分な感度が得られない場合には、必要に応じて例えば、４，４’−ジアジドジフェニルメタン、４，４’−ジアジドジフェニルスルフィド等のアジド系開始剤、α，α−ジメトキシ−α−フェニルアセトフェノン等のアセトフェノン系開始剤、トリフェニルスルフォニウム塩等のカチオン系開始剤、２，６−ビス（４’−アジドベンザル）メチルシクロヘキサノン、２，６−ビス（４’−アジドベンジリデン）−ｔ−ブチルシクロヘキサノン等のビスアジド系感光剤、１−ナフチル−ビス−トリクロロメチル−２−トリアジン、１−（４−メトキシアントラセニル）−ビス−トリクロロ−２−トリアジン等のトリアジン系感光剤、のような感光剤、あるいはこれらの感光剤とペリレン、アントラセン、フェノチアジン、５−ニトロアセナフテン、Ｎ−アセチル−４−ニトロ−１−ナフチルアミン、ミヒラーズケトン、９−フルオレノン、ｐ−ニトロアニリン、ベンジル，１，２−ベンズアントラセン、ピレン、ｐ−キノン、４−ニトロ−１−ナフチルアミン、エリスロシンのような増感剤とを、通常用いられる量的範囲で併用することにより感度を向上させることができる。
上述の含フッ素感光性樹脂を用いることによって、正孔注入層３上に撥水性を有するバンク９を形成可能となる。
【００３３】
ところで、正孔注入層が無い場合と比較して、正孔注入層がある場合は発光効率が非常に高くなる。たとえば正孔注入層が無い場合の電流効率を１とすると、正孔注入層がある場合の電流効率は１０〜１００以上にもなる。これは正孔注入層にＰｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｄｉｏｘｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅとＰｏｌｙｓｔｙｒｅｎｅｓｕｌｆｏｎａｔｅが含まれている場合でも、ポリアニリンとＰｏｌｙｓｔｙｒｅｎｅｓｕｌｆｏｎａｔｅが含まれている場合でもほぼ同じ特性を示す。
【００３４】
（基板１の製造方法）
次に、ディスプレイ基板１の製造方法について説明する。
図３は、製造方法のプロセスを示した図である。以下、図３に従って説明する。
（１）陽極側の処理（ステップＳａ１〜Ｓａ３）
はじめに、ガラス基板１の面のうちの表示領域にＴＦＴ１１を配設する（ステップＳａ１）。表示領域は、ガラス基板１の面のうち発光層４をパターン形成するための領域として予め決められており、たとえば、ガラス基板１の面を長方形とすると、一回り小さい長方形の領域が表示領域に相当する。
ＴＦＴ１１の配設方法は従来の方法と同様であるため、その一例（低温ポリシリコンの例）を簡単に説明する。まず、ガラス基板１（表示領域）の前処理として、ガラス基板１上に絶縁層を形成し、その上に、アモルファスのシリコン層を積層する。その後、シリコン層に対し、たとえばレーザアニール処理等の加熱処理を施すことにより、アモルファスのシリコン層を再結晶させ、結晶性のポリシリコン層を形成しておく。次に、形成されたポリシリコン層をパターニングし、半導体層（図２における１１Ｓ，１１Ｃ，１１Ｄに相当）を形成した上にゲート絶縁層１１Ｚを積層する。
【００３５】
次に、タンタルなどの材料でゲート配線およびゲート電極１１Ｇを形成した後、ＰＨ_３／Ｈ_２イオンをドーピングする。ゲート電極１１Ｇの上に第一層間絶縁層１１Ｙを形成した後、ソース電極１１Ｓ、ドレイン電極１１Ｄに導通を取るためのコンタクトホールをゲート絶縁層１１Ｚおよび第一層間絶縁層１１Ｙに形成する。その後、アルミをスパッタおよびパターニングしてアルミ電極１１Ａを形成し、その上に第二層間絶縁膜１１Ｘを形成後、陽極１４とアルミ電極１１Ａを導通させるためのコンタクトホールを形成する。
【００３６】
このようにしてＴＦＴ１１を配設した後、その上に平坦化層１３を形成し、ＴＦＴ１１と陽極１４を電気的に接続するためのコンタクトホールを形成する（ステップＳａ２）。平坦化層１３は、これによりＴＦＴ１１が電気的に保護されるとともに、基板上が平坦化される。
その後、平坦化層１３の上部に、陽極１４を設ける（ステップＳａ３）。陽極１４は、ここではチタンおよびＩＴＯをスパッタし、電極形状にパターニングした物である。ここで、チタンの膜厚は５００Å以上であればよい。またＩＴＯは酸化インジウムに酸化錫を１〜５重量％ドープした透明導電膜であり、正孔注入層３に正孔を注入する電極として機能するものである。陽極１４の一部は平坦化層１３に形成されたコンタクトホールとアルミ電極１１Ａによって、ＴＦＴ１１のドレイン電極１１Ｄと電気的に接続される。
なお、図２には示さなかったが、その後必要に応じて、陽極１４の画素部分を囲うように、厚さ５０〜３００ｎｍ程度の酸化シリコン、窒化シリコンなどの無機絶縁薄膜を設けることとしてもよい。
【００３７】
（２）正孔注入層３の形成（ステップＳａ４）
次に、ガラス基板１の面のうちの表示領域全面に、正孔注入層３を形成する。具体的には、正孔注入層３形成用の液体材料（例えばＰｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｄｉｏｘｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅとＰｏｌｙｓｔｙｒｅｎｅｓｕｌｆｏｎａｔｅを水に分散させた溶液（ＢａｙｔｒｏｎＰ、バイエル社商標））をスピンコートにより塗布後、２００℃のホットプレートで１０分間焼成することにより、正孔注入層３を薄膜として形成する。
正孔注入層３を形成する段階におけるガラス基板１の面は、陽極１４が平坦に形成された状態にあり、正孔注入層３を厚さが均一な薄膜として形成できる。
【００３８】
（３）バンク９の形成（ステップＳａ５）
正孔注入層３を形成した後、バンク９を形成する。バンク９は、前出の有機溶剤現像タイプの含フッ素感光性樹脂を凸状に加工した仕切部材である。正孔注入層３の層上にバンク９をパターン配置していくことにより、後に発光層４を形成するための領域を形成していく。
【００３９】
具体的な一例を以下に示す。
まず、フッ素化エポキシ樹脂（上掲式［１］で示される）２０ｇおよび１−（２−メトキシナフチル）−ビス−トリクロロメチル−２−トリアジン０．２ｇをメチルイソブチルケトン８０ｇに溶解し、含フッ素感光性樹脂溶液を調製する。次に正孔注入層３形成後のガラス基板１に、前記含フッ素感光性樹脂溶液を膜厚５μｍとなるように塗布し、溶剤を乾燥させる。その後、バンク９が形成される部分のみに光が当たるようなフォトマスクを介して露光し、メチルイソブチルケトンを用いて現像することで、バンク９を形成する。この場合、フッ素化エポキシ樹脂の重合を完結させるため、６０℃から１５０℃での加熱処理を加えても良い。
【００４０】
別の一例を以下に示す。
フッ素化ポリイミド樹脂（式［２］で示される）１０ｇを、Ｎ−メチル−２−ピロリドン９０ｇに溶解して、含フッ素感光性樹脂溶液を調整した。次に正孔注入層３形成後のガラス基板１に、前記含フッ素感光性樹脂溶液を膜厚５μｍとなるように塗布し、溶剤を乾燥させる。その後、バンク９が形成される部分のみに光が当たるようなフォトマスクを介して露光し、メチルイソブチルケトンを用いて現像することで、バンク９を形成する。この場合、フッ素化エポキシ樹脂の重合を完結させるため、２００℃から３５０℃での加熱処理を加えても良い。
【００４１】
（４）発光層４の形成（ステップＳａ６）
次に発光層４を形成する。具体的には、インクジェット塗布装置を用いて、発光層４を形成するための液体材料（発光材を有機溶媒で溶解させた発光ポリマーインク組成物）をバンク９によって囲まれた各領域に、順番に吐出させていくことになる。液体材料を吐出させた後、乾燥させることによって液体材料中の有機溶媒を除去し、これにより発光層４を形成することができる。
【００４２】
（５）陰極側の処理（ステップＳａ７〜Ｓａ９）
発光層４の上部に陰極１５を形成する（ステップＳａ７）。この陰極１５は、厚さ５ｎｍのＣａを真空蒸着した後に厚さ２００ｎｍのＩＴＯをスパッタすることにより形成する。
その後、基板保護のための保護膜として透明なバリア膜１６を形成させるとともに（ステップＳａ８）、最後に封止処理として透明な封止材１７および封止ガラス１８を設ける（ステップＳａ９）。
【００４３】
図４は、ディスプレイ基板１００の端の部分について、正孔注入層３、陰極１５、バリア膜１６および封止材１７に係る部分の断面図を示したものである。図４（ａ），（ｂ），（ｃ）に３つの例を示すように、バリア膜１６は、正孔注入層３や陰極１５を設けた領域を覆うようにして形成するのが好ましく、封止材１７は、バリア膜１６を囲うようにして形成するのが好ましい。なお、図４では陰極と導通を取るための陰極コンタクト１９も示している。
ここで、広範囲に正孔注入層３を形成した場合は、正孔注入層３を形成後、あるいはバンク９を設けた後に、正孔注入層３の一部を除去する処理を行えばよい。除去方法としては、ライン状にエキシマレーザを照射し、照射ラインと直角方向にガラス基板１を移動する方法を用いることができる。この際、除去しない正孔注入層３の部分についてはメタルマスクなどで保護しておけばよい。
【００４４】
以上述べたように、本実施形態に係るディスプレイ基板１００によれば、ガラス基板１とバンク９の間に一面に正孔注入層３を形成した構造を採っている。このため、正孔注入層３の膜厚を、スピンコート塗布により均一に形成することができる。また、バンク９を設けた後は、発光層４のみを形成すればよく、インクジェットヘッドを用いる工程がＲＧＢ各１回、合計３回で足りるため、製造工程を簡易化させることができる。
【００４５】
上述した実施形態は、発明の内容を説明するためのものに過ぎず、任意に変形を加えることができる。
たとえば、正孔注入層３の形成方法は、スピンコート以外の方法であってもよく、ディップ法やＬＳＭＣＶＤ（ＬｉｑｕｉｄＳｏｕｒｃｅＭｉｓｔｅｄｃｈｅｍｉｃａｌｖａｐｏｒｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等であってもよい。いずれにしても、均一な膜厚の正孔注入層３を形成することができる。
また正孔注入層を形成するための液体材料としては、
ＰｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｄｉｏｘｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅとＰｏｌｙｓｔｙｒｅｎｅｓｕｌｆｏｎａｔｅを水に分散させた溶液（ＢａｙｔｒｏｎＰ、バイエル社商標）を用いたが、ポリアニリンと
Ｐｏｌｙｓｔｙｒｅｎｅｓｕｌｆｏｎａｔｅを水に分散させた溶液を用いても同等な特性（発光輝度、発光効率、寿命）を得ることが可能である。
【００４６】
また、本発明は、トップエミッション、ボトムエミッションのいずれの形式のディスプレイ基板にも適用できる。上述実施形態ではトップエミッションタイプの有機ＥＬ表示装置を想定したが、ボトムエミッションタイプの場合、平坦化層１３は不要であり、陽極１４はＩＴＯの単層膜で良く、陰極１５としては厚さ５〜１０ｎｍのＣａと厚さ２００ｎｍのアルミのような光を反射する金属膜を形成することになる。いずれにしても、正孔注入層３を形成した上部に、バンク９を設ける構造にすることにより、製造工程の簡易化、成膜均一化の効果を奏することができる。
【００４７】
以上のように本発明を用いることにより、ディスプレイ基板１００を従来よりも簡易な工程で製造することができ、膜厚不均一の問題も回避することができる。このようにして製造したディスプレイ基板１００は、広い分野に利用することができる。たとえば、当該ディスプレイ基板を用いて有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置を製造することができる。また、有機ＥＬ表示装置を、各種電子機器、たとえば、携帯電話、ＰＤＡ（ＰｅｒｓｏｎａｌＤｉｇｉｔａｌＡｓｓｉｓｔａｎｔｓ）、ＰＣやワープロのディスプレイ、ＴＶ、ディジタルカメラの表示部、デジタルビデオカメラのファインダーおよびディスプレイといった電子機器に用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態に係るディスプレイ基板１００の斜視図である。
【図２】ディスプレイ基板１００の断面図である。
【図３】ディスプレイ基板１００の製造工程図である。
【図４】ディスプレイ基板１００の断面図である。
【図５】従来のディスプレイ基板の斜視図である。
【符号の説明】
１００…ディスプレイ基板、
１…ガラス基板、３…正孔注入層、４…発光層、９…バンク、
１１…ＴＦＴ（ＴｈｉｎＦｉｌｍＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ）、１３…平坦化層、
１４…陽極、１５…陰極、１６…バリア膜、１７…封止材、１８…封止ガラス、
１９…陰極コンタクト。

Claims

基板面のうちの表示領域に設けた仕切部材（バンク）によって囲まれる領域の各々に、電子と正孔の結合により自ら発光する発光層が形成されたディスプレイ基板において、
前記発光層に対し前記正孔を注入する正孔注入層が、前記基板面のうちの表示領域全面に形成され、前記正孔注入層の層上にバンクが形成されていること
を特徴とするディスプレイ基板。
請求項１に記載のディスプレイ基板において、
前記正孔注入層が少なくともＰｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｄｉｏｘｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅと
Ｐｏｌｙｓｔｙｒｅｎｅｓｕｌｆｏｎａｔｅを含むこと
を特徴とするディスプレイ基板。
請求項１に記載のディスプレイ基板において、
前記正孔注入層が少なくともポリアニリンとＰｏｌｙｓｔｙｒｅｎｅｓｕｌｆｏｎａｔｅを含むこと
を特徴とするディスプレイ基板。
請求項１から３のいずれかに記載のディスプレイ基板を備えた有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置。
基板面のうちの表示領域に設けた仕切部材（バンク）によって囲まれる領域の各々に、電子と正孔の結合により自ら発光する発光層が形成されたディスプレイ基板の製造方法において、
前記発光層に対して前記正孔を注入する正孔注入層を、前記基板面のうちの表示領域全面に形成する過程と、
前記正孔注入層の面上に前記バンクを形成する過程と、
前記バンクにより囲まれる領域の各々に前記発光層を形成する過程と
を有することを特徴とするディスプレイ基板の製造方法。
請求項５に記載のディスプレイ基板の製造方法において、
前記正孔注入層を形成する過程は、前記正孔注入層を形成するための液体材料をスピンコートすることにより前記正孔注入層を形成すること
を特徴とするディスプレイ基板の製造方法。
請求項６に記載のディスプレイ基板の製造方法において、
前記正孔注入層を形成する液体材料が水分散性高分子材料であること
を特徴とするディスプレイ基板の製造方法。
請求項５から７のいずれかに記載のディスプレイ基板の製造方法において、
前記バンクは、含フッ素感光性樹脂を有機溶剤で現像することにより形成する
ことを特徴とするディスプレイ基板の製造方法。
請求項４に記載の有機ＥＬ表示装置を備えた電子機器。