JP2004235418A - 光モジュール、光通信装置、光電気混載集積回路、回路基板、電子機器 - Google Patents

光モジュール、光通信装置、光電気混載集積回路、回路基板、電子機器 Download PDF

Info

Publication number
JP2004235418A
JP2004235418A JP2003021976A JP2003021976A JP2004235418A JP 2004235418 A JP2004235418 A JP 2004235418A JP 2003021976 A JP2003021976 A JP 2003021976A JP 2003021976 A JP2003021976 A JP 2003021976A JP 2004235418 A JP2004235418 A JP 2004235418A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
optical
light
optical module
optical element
transparent substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2003021976A
Other languages
English (en)
Inventor
Kimio Nagasaka
公夫 長坂
Hiroyasu Kaseya
浩康 加瀬谷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP2003021976A priority Critical patent/JP2004235418A/ja
Publication of JP2004235418A publication Critical patent/JP2004235418A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W74/00Encapsulations, e.g. protective coatings
    • H10W74/10Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition
    • H10W74/15Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition on active surfaces of flip-chip devices, e.g. underfills
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00Package configurations
    • H10W90/701Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/721Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors
    • H10W90/724Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00Package configurations
    • H10W90/701Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/731Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
    • H10W90/734Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL

Landscapes

  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
  • Optical Integrated Circuits (AREA)
  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)

Abstract

【課題】簡易な構造で光素子の発光面又は受光面の保護に優れ、光通信に用いて好適な光モジュールを提供すること。
【解決手段】本発明の光モジュール(1)は、供給される電気信号に応じて信号光を出射し又は供給される信号光の強度に応じて電気信号を発生する光素子(20)と、当該光素子(20)に対する電気信号の伝送を担う多層配線(12,14,16)と、光素子(20)において発光又は受光される光の波長に対して光透過性を有し、光素子(20)及び多層配線(12,14,16)を支持する透明基板(10)と、を含み、上記光素子(20)は多層配線(12,14,16)に設けられた開口部(21)内にその発光面又は受光面が配置されており、当該開口部(21)及び透明基板(10)を通して信号光の入射又は出射がなされる。
【選択図】 図1

Description

【0001】
【産業上の利用分野】
本発明は、複数の装置相互間あるいは装置内部などにおける情報通信(信号伝送)を光信号によって行う光通信に用いる装置、部品等に関する。
【0002】
【従来の技術】
ローカルエリアネットワーク(LAN)、コンピュータ装置相互間の直接接続、コンピュータ装置及びデジタルオーディオ・ビデオ機器の相互接続などに、光ファイバを用いるものがある。このような装置には、電気信号を光信号に変えて光ファイバに送ると共に、光ファイバから受けた光信号を電気信号に戻す光トランシーバが使用される。また、近年では、上述したような装置相互間における情報通信の他に、装置の内部における信号伝送においても光通信が導入され始めており、装置内の回路チップ間やモジュール間などにおいて、金属配線に電気信号を流す従来方法に代えて、光ファイバ(テープファイバ)や光導波路に光信号を通して行う方法が採用されつつある。
【0003】
このような光通信には、送信情報を担う電気信号を光信号に変換する発光素子、受信情報を担う光信号を電気信号に変換する受光素子、これらの発光素子又は受光素子を駆動するドライバなどが必要となる。一般には、これらの発光素子、受光素子、ドライバ等は、銅などからなる配線パターンを備える配線基板上に実装されて相互間の信号伝送がなされ、それぞれ所定の動作を行う。このような発光素子等が実装される配線基板としては、例えば、特開2000−277661号公報に開示された多層基板などが知られている。
【0004】
【特許文献1】
特開2000−277661号公報
【発明が解決しようとする課題】
ところで、従来例のような回路基板(多層基板)に発光素子等を実装する場合には、一般に発光面又は受光面を回路基板の素子実装面と反対側に向けて配置するることになるが、この場合には発光素子の発光面等が露出した状態となりその保護に欠け、粉塵等の付着による発光光量(又は受光効率)の低下や破損を生じやすいという不都合がある。これに対して、発光面等を保護する部材等を設ける場合には部品数が増加して構造が複雑化し、製造工数の増加を招くので好ましくない。また、発光面等を保護する部材を備える発光素子等を用いると、その分だけコストの増加を招くのでこれも好ましくない。
【0005】
そこで、本発明は、簡易な構造で光素子の発光面又は受光面の保護に優れ、光通信に用いて好適な光モジュールを提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明の光モジュールは、供給される電気信号に応じて信号光を出射し又は供給される信号光の強度に応じて電気信号を発生する光素子と、当該光素子に対する電気信号の伝送を担う多層配線と、光素子において発光又は受光される光の波長に対して光透過性を有し、光素子及び多層配線を支持する透明基板と、を含み、上記光素子は多層配線に設けられた開口部内にその発光面又は受光面が配置されており、当該開口部及び透明基板を通して信号光の入射又は出射がなされる。
【0007】
かかる構成とすることにより、光素子の発光面又は受光面と透明基板の一方面とが向き合う構造となるので、簡易な構造で光素子の発光面又は受光面を保護することが可能となる。
【0008】
ここで本明細書において「透明基板」とは、光素子において用いられる光の波長に対する光透過性を有するものであればよく、必ずしも可視光に対する透過性を有するものに限定されない。例えば、光素子に用いられる光の波長が可視光またはそれに近い値(例えば850nmなど)の場合には、ガラスやプラスチックなどの材料を用いて透明基板を構成することが可能であり、光の波長が比較的に長波長(例えば1300nm〜1500nmなど)の場合には、シリコンやゲルマニウムなどの材料により透明基板を構成することが可能である。
【0009】
上述した多層配線は、マイクロストリップ伝送路とすることが好適である。マイクロストリップ伝送路(マイクロストリップライン)を用いることにより高周波信号への対応が容易となり、高速な光通信に用いて好適な光モジュールを実現することが可能となる。
【0010】
また、光素子と多層配線は、共に透明基板の一方面側に配置されることが好ましい。これにより、光素子と多層配線との電気的接続を図ることが容易となる。
【0011】
また、多層配線は、透明基板の一方面上に共通配線層、誘電体層及び信号線層を積層して構成されており、光素子は信号線層の上側に配置されることが好ましい。この場合には、透明基板の他方面側と光素子との間に共通配線層を挟んだ配置となるので、この共通配線層を接地電位に接続することにより、透明基板の他方面側から光素子へノイズが入ることを抑制することが容易になる。
【0012】
また、多層配線は、透明基板の一方面上に信号線層、誘電体層及び共通配線層を積層して構成されており、光素子は信号線層の上側に配置されることも好ましい。この場合には、光素子の下側に配置される層が少なくなることによりこの領域の高さ(厚さ)の制御がしやすく、光素子の発光面又は受光面の位置精度(特に水平位置の精度)を確保することが容易になる。
【0013】
また、透明基板の他方面側であって光素子の発光面又は受光面と対向する位置に配置される光学要素を更に備えることが好ましい。ここで本明細書において「光学要素」とは、入射する光に対して何らかの光学的作用(例えば、屈折や回折等)を与えるものをいい、例えば、レンズや回折格子などが挙げられる。透明基板を挟んで光素子と光学要素を対向配置させるので、当該透明基板の厚みによって光素子と光学要素の間に必要な光学的距離を確保することができる。これにより、光学要素を独立に配置する場合に比べて位置精度の確保が容易であり、組立工程の簡略化が可能となる。
【0014】
また、本発明は、上述した光モジュールを備える光通信装置(光トランシーバ)でもある。このような本発明にかかる光通信装置は、例えば、パーソナルコンピュータやいわゆるPDA(携帯型情報端末装置)など、光を伝送媒体として外部装置等との間の情報通信を行う各種の電子機器に用いることが可能である。なお、本明細書において「光通信装置」とは、信号光の送信にかかる構成(発光素子等)と信号光の受信にかかる構成(受光素子等)の両方を含む装置のみならず、送信にかかる構成のみを備える装置(いわゆる光送信モジュール)や受信にかかる構成のみを備える装置(いわゆる光受信モジュール)を含む。
【0015】
また、本発明は、上述した光モジュールを備える光電気混載集積回路でもあり、上述した光モジュールと信号光の伝送を担う光導波路とを備える回路基板でもある。かかる回路基板は「光電気混載基板」と称される場合もある。
【0016】
また、本発明は、上述した光モジュールを備える電子機器でもある。より詳細には、本発明の電子機器は、上述した光モジュールそのものを備える場合の他に、当該光モジュールを含んでなる上述した光通信装置、光電気混載集積回路、回路基板のいずれかを備える場合も含む。ここで本明細書において「電子機器」とは、電子回路等を用いて一定の機能を実現する機器一般をいい、その構成には特に限定がないが、例えば、パーソナルコンピュータ、PDA(携帯型情報端末)、電子手帳など各種機器が挙げられる。本発明にかかる光モジュール、光通信装置、光電気混載集積回路あるいは回路基板は、これらの電子機器において機器内部での情報通信や外部機器等との間における情報通信に用いることが可能である。
【0017】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【0018】
<第1の実施形態>
図1は、第1の実施形態の光モジュールの構成について説明する図である。同図に示す本実施形態の光モジュール1は、透明基板10、共通配線層12、誘電体層14、信号線層16、保護層18、VCSEL(面発光レーザ)20、回路チップ22、レンズ24、充填材26を含んで構成されている。共通配線層12、誘電体層14及び信号線層16からなる多層配線によってマイクロストリップラインが構成されており、当該マイクロストリップラインによって、VCSEL20と回路チップ22の相互間あるいはその他の図示しない回路要素との相互間における電気信号の送受がなされる。以下、各構成要素について詳述する。
【0019】
透明基板10は、VCSEL20からの出射光の波長に対して透過性を有し、光モジュール1を構成する各要素を支持する。例えば、VCSEL20からの出射光の波長が可視光またはそれに近い値(例えば850nmなど)の場合には、ガラスやプラスチックなどの材料により透明基板10を構成するとよい。また、出射光の波長が比較的に長波長(例え1300nm〜1500nmなど)の場合には、シリコンやゲルマニウムなどの材料により透明基板10を構成することもできる。
【0020】
共通配線層12は、接地電位に接続されるものであり、例えば銅などからなる導電体膜を用いて、透明基板10の一方面(上面)に形成されている。この共通配線層12は、リアクタンスを極力減らすために透明基板10の一方面の略全体に渡って形成することが好適である。
【0021】
誘電体層14は、共通配線層12と信号線層16の相互間を離間させてマイクロストリップ構造を構成するためのものであり、共通配線層12の上面に形成されている。この誘電体層14は、例えば、ポリイミド等の誘電体(絶縁体)を用いて数十μm程度の厚みに形成することが好適である。
【0022】
信号線層16は、銅などからなる導電体膜を用いて誘電体層14の上面に形成されており、所定形状にパターニングがなされている。上述したように、この信号線層16と、共通配線層12及び誘電体層14を含んでマイクロストリップラインが構成されている。当該マイクロストリップラインの特性インピーダンスは、共通配線層12及び信号線層16の形状(線幅、線の厚み等)や材質、誘電体層14の誘電率、共通配線層12と信号線層16との間隔などの各パラメータを適宜設定することにより所望値に調整可能である。
【0023】
ここで、共通配線層12、誘電体層14及び信号線層16からなる多層配線(マイクロストリップライン)の形成方法について概略的に説明する。まず、透明基板10上に電鋳、リフトオフ又はフォトリソグラフィ等の方法によって共通配線層12を形成する。次に、この共通配線層12上に、感光性ポリイミド層をスピンコートやシート貼り付け等の方法によって形成し、更に電極等を露出させるためにパターニングを行う。これにより誘電体層14が形成される。その後、上述した共通配線層12の形成方法と同様にして信号線層16を形成する。なお、必要に応じて、上記各工程を更に複数回繰り返して、より多くの配線層を含む多層配線を形成することも可能である。
【0024】
保護層18は、信号線層16を腐食や破損などから保護するためのものであり、信号線層16の上面の略全面を覆うように形成されている。当該保護層18は、例えば、ソルダリングレジスト等を塗布することによって形成することが好適である。
【0025】
VCSEL20は、回路チップ22から与えられる駆動信号に応じて信号光を出射する面発光型の発光素子であり、透明基板10の一方面上の所定位置に、発光面を透明基板10側に向けて配置されている。このVCSEL20は、上述した共通配線層12、誘電体層14及び信号線層16からなるマイクロストリップラインに設けられた開口部21内にその発光面が配置されており、当該開口部21及び透明基板10を通して光信号が出射されるようになっている。なお、本実施形態では、面発光型の発光素子であるVCSELを用いているが、他の発光素子(例えば、端面発光型の発光素子など)を用いてもよい。
【0026】
回路チップ22は、VCSEL20を駆動するためのドライバなどを含むものであり、透明基板10上の所定位置に配置されている。この回路チップ22は、透明基板10上に構成されたマイクロストリップラインを介してVCSEL20と接続されており、更に、必要に応じて図示しない他の回路素子、回路チップ、外部装置などと接続される。
【0027】
レンズ24は、透明基板10の他方面側であってVCSEL20の発光面と対向する位置に配置されている。このように、透明基板10を挟んでVCSEL20とレンズ24を対向配置させているので、当該透明基板10の厚みによって両者間に必要な光学的距離を確保することが可能となり、レンズ24を自由空間中に独立に配置する場合に比べて位置精度の確保が容易となる。なお、必要に応じて、レンズ24の代わりに他の光学要素(例えば、回折格子等)を設けるようにしてもよい。
【0028】
充填材26は、VCSEL20の近傍の気密性や接着性などを高めるために当該VCSEL20の近傍に充填されるものであり、アンダーフィル剤と呼ばれる場合もある。この充填剤26としては、透明基板10と同等の屈折率を有するものを用いる。これにより、透明基板10の表面での反射による戻り光を抑制することができる。
【0029】
このように、第1の実施形態の光モジュール1は、VCSEL20の発光面と透明基板10の一方面とが向き合う構造となるので、簡易な構造によりVCSEL20の発光面を保護することが可能となる。また、マイクロストリップラインを用いているので高周波信号への対応が可能となる。したがって、光通信に用いて好適な光モジュールを実現することが可能となる。また、本実施形態では、透明基板10の一方面上に共通配線層12、誘電体層14及び信号線層16を積層してマイクロストリップラインを構成し、信号線層16の上側にVCSEL20を配置しているので、透明基板10の他方面側とVCSEL20との間に、接地電位に接続される共通配線層12が介在することになり、透明基板10の他方面側からVCSEL20や回路チップ22へノイズが入ることを抑制することが容易になるという作用効果も奏する。
【0030】
なお、上述した実施形態及び後述する各実施形態において、VCSEL20に代えて、受光した光の強度に応じて電気信号を発生する受光素子(フォトディテクタ)を実装することも可能である。この場合には、上述した回路チップ22に、受光素子から出力される電流信号を電圧信号に変換する電流/電圧変換アンプ(あるいはトランスインピーダンスアンプ)などを含ませるようにし、当該回路チップ22と受光素子の相互間における電気信号の送受をマイクロストリップラインによって行うようにすることにより、動作速度の高速化に適する光モジュールを構成することが可能となる。更には、発光素子と受光素子のいずれも含むようにして光モジュールを構成してもよい。
【0031】
<第2の実施形態>
図2は、第2の実施形態の光モジュールの構成について説明する図である。同図に示す光モジュール1aは、基本的には上述した第1の実施形態の光モジュール1と同様な構成を備えており、マイクロストリップラインを構成する各配線層及び誘電体層の積層状態が異なっている。以下、主に第1の実施形態との相違点に着目して第2の実施形態の光モジュール1aの構成を説明する。
【0032】
図2に示すように、光モジュール1aは、透明基板10の上面に信号線層16aが形成され、当該信号線層16aの上層に誘電体層14a及び共通配線層12aが形成されている。これらの共通配線層12a、誘電体層14a及び信号線層16aを含んでマイクロストリップラインが構成されている。なお、共通配線層12a、誘電体層14a及び信号線層16aのそれぞれに好適な材質や形状等については、第1の実施形態における共通配線層12、誘電体層14及び信号線層16のそれぞれと同様である。
【0033】
このように、第2の実施形態の光モジュール1aによっても、簡易な構造によりVCSEL20の発光面を保護することが可能であり、高周波信号への対応にも優れ、光通信に用いて好適な光モジュールを実現することが可能となる。また、本実施形態では、透明基板10の一方面上に信号線層16a、誘電体層14a及び共通配線層12aを積層してマイクロストリップ伝送路を構成しており、信号線層16aの上側にVCSEL20を配置しているので、VCSEL20の下側の領域に積層される層が少なくなることにより当該領域の高さ(厚さ)の制御がしやすく、VCSEL20の発光面の位置精度(特に水平位置の精度)を確保することが容易になるという作用効果も奏する。
【0034】
<第3の実施形態>
次に、上述した実施形態において説明した光モジュールを用いて構成される光トランシーバ(光通信装置)について説明する。本発明にかかる光モジュールは、光トランシーバにおける外部機器とのインタフェースを担うフロントエンド部として用いることができる。
【0035】
図3は、第3の実施形態の光トランシーバの構成例について説明する図である。同図に示す光トランシーバ100は、光ファイバを介して情報通信を行うものであり、上述した実施形態にかかる光モジュール1(又は光モジュール1a)と、スリーブ102、回路基板104及び各構成要素を支持する筐体106を含んで構成されている。
【0036】
スリーブ102は、光ファイバの一端側が接続され、当該光ファイバと本例の光トランシーバ100の相互間の光学的結合を図るものであり、光モジュール1の他方面(裏面側)に配置されている。このスリーブ102は、光モジュール1の一方面上に実装されたVCSEL20から出射される信号光を集光して図示しない光ファイバに導くレンズ108を内蔵している。回路基板104は、情報通信にかかる信号処理を行うための電気回路を含むものであり、フレキシブル配線基板110を介して光モジュール1と電気的に接続されている。
【0037】
このように、本発明にかかる光モジュールを用いることにより、動作速度の高速化に適した光トランシーバを得ることが可能となる。このような本発明にかかる光トランシーバは、例えば、パーソナルコンピュータやいわゆるPDA(携帯型情報端末装置)など、光を伝送媒体として外部装置等との間の情報通信を行う各種の電子機器に用いることが可能である。
【0038】
<第4の実施形態>
次に、上述した実施形態において説明した光モジュールを用いて構成される光電気混載集積回路と、当該光電気混載集積回路を用いて構成される回路基板について説明する。
【0039】
図4は、光電気混載集積回路及び当該光電気混載集積回路を含む回路基板の構成例について説明する図である。同図に示す回路基板200は、上述した実施形態にかかる光モジュール1(又は光モジュール1a)を含む光電気混載集積回路202と、光電気混載基板204を含んで構成されている。
【0040】
光電気混載集積回路202は、光モジュール1と信号処理チップ206を含んでおり、両者をプラスチック等によって一体にモールドした構造となっている。光モジュール1と信号処理チップ206の間はワイヤボンディングによって電気的に接続されている。光モジュール1は、発光素子からの出射光の出射方向が光電気混載基板204に向かうように配置されている。
【0041】
光電気混載基板204は、上部に配線膜208が設けられ、内部(中間層)に光導波路210が設けられている。配線膜208は、光電気混載集積回路202と電気的に接続されており、当該配線膜208を介して光電気混載集積回路202と図示しない他の回路チップ等との相互間における電気信号の授受がなされる。
【0042】
光導波路210は、光電気混載集積回路202に含まれる発光素子から出射される光信号を伝搬させて図示しない他の装置、モジュール等へ送る機能を担う。この光導波路210は、端部に反射ミラー212が形成されており、発光素子からの光信号は当該反射ミラー212によって進行方向が略90度変換され、光導波路208内に入射し、進行する。
【0043】
このような本実施形態にかかる光電気混載集積回路202及び回路基板200は、例えばパーソナルコンピュータなど各種の電子機器に適用し、機器内での情報通信や外部機器等との間における情報通信に用いることが可能である。
【0044】
なお、本発明は上述した各実施形態の内容に限定されるものではなく、本発明の要旨の範囲内において種々の変形実施が可能である。例えば、上述した図1又は図2に示す光モジュールでは、光素子とマイクロストリップ伝送路とが共に透明基板の一方面に配置されていたが、光素子を一方面に配置し、マイクロストリップ伝送路を他方面に配置してもよい。この場合には、マイクロストリップ伝送路に設けられる開口部と光素子の発光面又は受光面とが向かい合うように位置合わせして配置するとともに、例えば透明基板にスルーホールを形成し、当該スルーホールに充填される導電体(プラグ)を介して光素子とマイクロストリップ伝送路の接続を図るようにすればよい。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1の実施形態の光モジュールの構成について説明する図である。
【図2】第2の実施形態の光モジュールの構成について説明する図である。
【図3】光トランシーバの構成例について説明する図である。
【図4】光電気混載集積回路及び当該光電気混載集積回路を含む回路基板の構成例について説明する図である。
【符号の説明】
1…光モジュール、 10…透明基板、 12…共通配線層、 14…誘電体層、 16…信号線層、 18…保護層、 20…VCSEL(面発光レーザ)、 22…回路チップ、 100…光通信装置(光トランシーバ)、 200…回路基板、 202…光電気混載集積回路

Claims (11)

  1. 供給される電気信号に応じて信号光を出射し又は供給される信号光の強度に応じて電気信号を発生する光素子と、
    前記光素子に対する電気信号の伝送を担う多層配線と、
    前記光素子において発光又は受光される光の波長に対して光透過性を有し、前記光素子及び前記多層配線を支持する透明基板と、を含み、
    前記光素子は前記多層配線に設けられた開口部内にその発光面又は受光面が配置されており、当該開口部及び前記透明基板を通して光信号の入射又は出射がなされる、光モジュール。
  2. 前記多層配線はマイクロストリップ伝送路である、請求項1に記載の光モジュール。
  3. 前記光素子と前記多層配線は共に前記透明基板の一方面側に配置される、請求項1又は2に記載の光モジュール。
  4. 前記多層配線は、前記透明基板の一方面上に共通配線層、誘電体層及び信号線層を積層して構成されており、
    前記光素子は、前記信号線層の上側に配置される、請求項3に記載の光モジュール。
  5. 前記多層配線は、前記透明基板の一方面上に信号線層、誘電体層及び共通配線層を積層して構成されており、
    前記光素子は、前記信号線層の上側に配置される、請求項3に記載の光モジュール。
  6. 前記透明基板の他方面側であって前記光素子の発光面又は受光面と対向する位置に配置される光学要素を更に含む、請求項2乃至5のいずれかに記載の光モジュール。
  7. 前記光学要素は、少なくともレンズ、回折格子のいずれかを含む、請求項6に記載の光モジュール。
  8. 請求項1乃至7のいずれかに記載の光モジュールを備える光通信装置。
  9. 請求項1乃至7のいずれかに記載の光モジュールを備える光電気混載集積回路。
  10. 請求項1乃至7のいずれかに記載の光モジュールと、
    信号光の伝送を担う光導波路と、
    を備える回路基板。
  11. 請求項1乃至7のいずれかに記載の光モジュールを備える電子機器。
JP2003021976A 2003-01-30 2003-01-30 光モジュール、光通信装置、光電気混載集積回路、回路基板、電子機器 Pending JP2004235418A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003021976A JP2004235418A (ja) 2003-01-30 2003-01-30 光モジュール、光通信装置、光電気混載集積回路、回路基板、電子機器

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003021976A JP2004235418A (ja) 2003-01-30 2003-01-30 光モジュール、光通信装置、光電気混載集積回路、回路基板、電子機器

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2004235418A true JP2004235418A (ja) 2004-08-19

Family

ID=32951173

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003021976A Pending JP2004235418A (ja) 2003-01-30 2003-01-30 光モジュール、光通信装置、光電気混載集積回路、回路基板、電子機器

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2004235418A (ja)

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007264441A (ja) * 2006-03-29 2007-10-11 Fujitsu Ltd 光結合方法
US7488122B2 (en) 2006-03-31 2009-02-10 Nec Corporation Optical connector and optical module
JP2009283712A (ja) * 2008-05-22 2009-12-03 Fuji Xerox Co Ltd 光通信モジュールおよび光通信装置
JP2010028006A (ja) * 2008-07-24 2010-02-04 Sony Corp 光学装置
WO2011067951A1 (ja) * 2009-12-03 2011-06-09 株式会社オートネットワーク技術研究所 光通信モジュール
US8593826B2 (en) 2009-09-18 2013-11-26 Samsung Electronics Co., Ltd. Memory module, memory system having the memory module, and method for manufacturing the memory module
KR101349490B1 (ko) 2012-05-30 2014-01-09 엘지이노텍 주식회사 광 인쇄회로기판 및 이의 제조 방법
JP2014122929A (ja) * 2012-12-20 2014-07-03 Shinko Electric Ind Co Ltd 光導波路装置及びその製造方法
US9172019B2 (en) 2013-02-14 2015-10-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Light emitting device package and method of manufacturing the same
JP2021048364A (ja) * 2019-09-20 2021-03-25 富士通オプティカルコンポーネンツ株式会社 光増幅器及び光増幅器の試験方法
KR20220055331A (ko) * 2020-10-26 2022-05-03 엘지디스플레이 주식회사 인쇄 회로, 백라이트 유닛 및 디스플레이 장치
USRE50510E1 (en) 2008-07-24 2025-07-29 Sony Group Corporation Optical device

Cited By (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007264441A (ja) * 2006-03-29 2007-10-11 Fujitsu Ltd 光結合方法
US7488122B2 (en) 2006-03-31 2009-02-10 Nec Corporation Optical connector and optical module
JP2009283712A (ja) * 2008-05-22 2009-12-03 Fuji Xerox Co Ltd 光通信モジュールおよび光通信装置
JP2010028006A (ja) * 2008-07-24 2010-02-04 Sony Corp 光学装置
USRE50510E1 (en) 2008-07-24 2025-07-29 Sony Group Corporation Optical device
US8121445B2 (en) 2008-07-24 2012-02-21 Sony Corporation Optical device
US8593826B2 (en) 2009-09-18 2013-11-26 Samsung Electronics Co., Ltd. Memory module, memory system having the memory module, and method for manufacturing the memory module
CN102640369A (zh) * 2009-12-03 2012-08-15 株式会社自动网络技术研究所 光通信模块
JPWO2011067951A1 (ja) * 2009-12-03 2013-04-18 株式会社オートネットワーク技術研究所 光通信モジュール
CN102640369B (zh) * 2009-12-03 2016-05-04 株式会社自动网络技术研究所 光通信模块
US8882368B2 (en) 2009-12-03 2014-11-11 Autonetworks Technologies, Ltd. Optical communication module
WO2011067951A1 (ja) * 2009-12-03 2011-06-09 株式会社オートネットワーク技術研究所 光通信モジュール
KR101349490B1 (ko) 2012-05-30 2014-01-09 엘지이노텍 주식회사 광 인쇄회로기판 및 이의 제조 방법
JP2014122929A (ja) * 2012-12-20 2014-07-03 Shinko Electric Ind Co Ltd 光導波路装置及びその製造方法
US9075206B2 (en) 2012-12-20 2015-07-07 Shinko Electric Industries Co., Ltd. Optical waveguide device
US9172019B2 (en) 2013-02-14 2015-10-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Light emitting device package and method of manufacturing the same
JP2021048364A (ja) * 2019-09-20 2021-03-25 富士通オプティカルコンポーネンツ株式会社 光増幅器及び光増幅器の試験方法
JP7243545B2 (ja) 2019-09-20 2023-03-22 富士通オプティカルコンポーネンツ株式会社 光増幅器及び光増幅器の試験方法
KR20220055331A (ko) * 2020-10-26 2022-05-03 엘지디스플레이 주식회사 인쇄 회로, 백라이트 유닛 및 디스플레이 장치
KR102752262B1 (ko) * 2020-10-26 2025-01-10 엘지디스플레이 주식회사 인쇄 회로, 백라이트 유닛 및 디스플레이 장치

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5102815B2 (ja) 光電気複合配線モジュールおよびその製造方法
JP3759494B2 (ja) 光通信装置
JP7117133B2 (ja) 光サブアセンブリ及びその製造方法並びに光モジュール
JP2006091241A (ja) 光電気複合配線部品及びこれを用いた電子機器
US8705908B2 (en) Optical transmission module, method for manufacturing optical transmission module, and electronic device
JP5840411B2 (ja) 光電気混載可撓性プリント配線板及びその受発光素子実装方法
WO2010098171A1 (ja) 光導波路および光導波路モジュール
JP5692581B2 (ja) 光電変換モジュール、及び、光電変換モジュールの製造方法
JP2007258667A (ja) 光電気複合基板及び電子機器
JP2004235418A (ja) 光モジュール、光通信装置、光電気混載集積回路、回路基板、電子機器
JP2009288614A (ja) 平面型光導波路アレイモジュールとその製造方法
KR100526505B1 (ko) 광도파로와 광학소자의 결합 구조 및 이를 이용한 광학정렬 방법
JP2015102760A (ja) 光モジュール
JP2006047682A (ja) 基板および光素子相互接続用基板
JP2001100063A (ja) 光転轍装置および光送受信装置ならびにそれらの製造方法
JP2012013726A (ja) 光インターコネクションモジュールおよびそれを用いた光電気混載回路ボード
JP5309416B2 (ja) 光モジュール
JP2009069501A (ja) 光電子回路基板及び光伝送装置
JP4553026B2 (ja) 光伝送装置
JP2007081261A (ja) 光伝送モジュール
JP2013228467A (ja) 光電気混載フレキシブルプリント配線板、及びその製造方法
JP4978380B2 (ja) 光伝送装置
TW200845614A (en) Optical module
JP4799387B2 (ja) 光モジュールおよび電気機器
JP4659082B2 (ja) 光電気複合配線部品及びこれを用いた電子機器