JP2004282913A

JP2004282913A - ディスク装置用薄膜圧電体アクチュエータ及びその製造方法

Info

Publication number: JP2004282913A
Application number: JP2003071454A
Authority: JP
Inventors: Ryoichi Takayama; 良一高山; Akiko Kubo; 晶子久保; Hiroshi Hirasawa; 拓平澤; Atsushi Tomosawa; 淳友澤; Akiyuki Fujii; 映志藤井; Hideo Torii; 秀雄鳥井; Hideki Kuwajima; 秀樹桑島
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 2003-03-17
Filing date: 2003-03-17
Publication date: 2004-10-07

Abstract

【課題】ディスク装置用薄膜圧電体アクチュエータ１０における薄膜圧電体素子３０の薄膜圧電体層３３の圧電定数が圧縮応力により低下するのを抑制するとともに、信頼性の高いアクチュエータ１０を低コストで製造できるようにする。
【解決手段】線膨張係数が薄膜圧電体層３３よりも小さい基板を用いて、該基板上に、第１の電極層３１、配向制御層３２、薄膜圧電体層３３及び第２の電極層３４をこの順に形成して薄膜圧電体素子３０を作製することで、該薄膜圧電体素子３０の薄膜圧電体層３３において厚み方向と垂直な方向に作用している残留応力が、０ないし引張応力となるようにする。
【選択図】図１０

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、コンピュータの記憶装置等として用いられる磁気ディスク装置等に設けられるヘッド支持機構に好適に用いられるディスク装置用薄膜圧電体アクチュエータ及びその製造方法に関する技術分野に属する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、この種のディスク装置用薄膜圧電体アクチュエータとしては、第１の電極層と、この第１の電極層上に形成された薄膜圧電体層と、この薄膜圧電体層上に形成された第２の電極層とからなる２つの薄膜圧電体素子を有し、該２つの薄膜圧電体素子における第２の電極層側の面同士が接着されているとともに、該接着された２つの薄膜圧電体素子において一方の薄膜圧電体素子の第１の電極層側の面を除く表面全体が被覆材で覆われてなるものが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
上記のようなディスク装置用薄膜圧電体アクチュエータを製造する場合には、特許文献１に示されているように、基板上に、第１の電極層、薄膜圧電体層及び第２の電極層をこの順に形成して薄膜圧電体素子を作製し、この薄膜圧電体素子を２つ用いて該２つの薄膜圧電体素子における第２の電極層側の面同士を接着し、この接着した２つの薄膜圧電体素子のうちの一方の側に位置する基板を除去し、この加工した２つの薄膜圧電体素子において他方の側に位置する基板との接合面を除く表面全体を被覆材で覆い、その後に上記他方の側に位置する基板を除去するようにしている。
【０００４】
【特許文献１】
特開２００２−１３４８０７号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上記アクチュエータを製造する際の基板としては、正方晶系ペロブスカイト型の圧電材料からなる薄膜圧電体層における該圧電材料の結晶のｃ軸を基板表面に対して垂直方向に揃えるために、通常は、結晶方位（１００）面が表面に出るように切り出したＮａＣｌ型結晶構造の酸化マグネシウム（ＭｇＯ）からなる単結晶の基板を用い、この基板上に、（１００）面に配向した第１の電極層を形成し、この第１の電極層上に薄膜圧電体層を形成する。この場合、ＭｇＯ単結晶基板の線膨張係数が薄膜圧電体層よりも大きいため、薄膜圧電体層は、成膜後の冷却過程で基板から厚み方向と垂直な方向に圧縮応力を受けて、この圧縮応力とエピタキシャル成長とに起因して（００１）面配向（ｃ軸配向）となる。この正方晶系ペロブスカイト型の圧電材料の分極軸は、＜００１＞方向であって電圧印加方向に揃っているので、分極処理を必要としない。
【０００６】
しかしながら、上記のように薄膜圧電体層が基板から圧縮応力を受けると、薄膜圧電体層の圧電定数が低下してしまうという問題がある。この圧縮応力は、２つの薄膜圧電体素子同士を接着しても完全には抜けきれず、各薄膜圧電体層において厚み方向と垂直な方向に作用する圧縮残留応力が存在したままとなり、圧電定数の低下は避けられない。
【０００７】
また、ＭｇＯ単結晶基板は非常に高価であり、このため、ディスク装置用薄膜圧電体アクチュエータの製造コストが高くなってしまうという問題もある。
【０００８】
さらに、ＭｇＯ単結晶基板は、８０℃に加熱した熱リン酸等のような酸によるウエットエッチングでしか除去できず、この酸が薄膜圧電体層にダメージを与えるため、エッチング時には、エッチング液に対する薄膜圧電体層の保護膜が必要となる。また、このような保護膜を設けても、その保護膜やエッチングストッパーである第１の電極層（Ｐｔ膜等）にピンホールが存在すると、薄膜圧電体層にダメージを与えるため、信頼性に欠けるという問題がある。
【０００９】
本発明は斯かる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、ディスク装置用薄膜圧電体アクチュエータにおける薄膜圧電体素子の薄膜圧電体層の圧電定数が圧縮応力により低下するのを抑制するとともに、信頼性の高いアクチュエータを低コストで製造できるようにすることにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、この発明では、線膨張係数が薄膜圧電体層よりも小さい基板を用いて薄膜圧電体素子を作製することで、該薄膜圧電体素子の薄膜圧電体層において厚み方向と垂直な方向に作用している残留応力が、０ないし引張応力となるようにした。
【００１１】
具体的には、請求項１の発明では、第１の電極層と、該第１の電極層上に形成された配向制御層と、該配向制御層上に形成された薄膜圧電体層と、該薄膜圧電体層上に形成された第２の電極層とからなる２つの薄膜圧電体素子を有し、該２つの薄膜圧電体素子における第２の電極層側の面同士が接着されているとともに、該接着された２つの薄膜圧電体素子において一方の薄膜圧電体素子の第１の電極層側の面を除く表面全体が被覆材で覆われてなるディスク装置用薄膜圧電体アクチュエータを対象とする。
【００１２】
そして、上記２つの薄膜圧電体素子の各薄膜圧電体層において厚み方向と垂直な方向に作用している残留応力が、０ないし引張応力であるものとする。
【００１３】
上記の構成により、ディスク装置用薄膜圧電体アクチュエータにおける薄膜圧電体素子の薄膜圧電体層の圧電定数が圧縮応力により低下するのを抑制することができる。すなわち、ディスク装置用薄膜圧電体アクチュエータを製造する際に、線膨張係数が薄膜圧電体層よりも小さい基板、例えばシリコン、石英、バリウムホウ珪酸ガラス等からなる基板を用いて、該基板上に、第１の電極層、配向制御層、薄膜圧電体層及び第２の電極層をこの順にスパッタ法等により形成して薄膜圧電体素子を作製する。こうすると、薄膜圧電体層は、成膜後の冷却過程で基板から厚み方向と垂直な方向に引張応力を受け圧縮応力を受けることはない。この結果、２つの薄膜圧電体素子の各薄膜圧電体層において厚み方向と垂直な方向に作用している残留応力が引張応力となる（２つの薄膜圧電体素子同士を接着したり被覆材で覆ったりしたとき等において応力が緩和されて０になってもよい）。これにより、薄膜圧電体層の圧電定数が低下するのを抑制することができる。ところで、このような引張残留応力が作用したままであると、アクチュエータの電圧印加による作動時に引張応力がより増大して、引張力に弱い薄膜圧電体層にクラックが生じ易くなる。しかし、ディスク装置用のアクチュエータでは、印加電圧が小さい（１０Ｖ／μｍ未満）ので、引張応力がそれ程大きくならずに済み、長時間使用しても問題はない。
【００１４】
一方、上記のようにシリコン基板等を用いると、ＭｇＯ単結晶基板とは異なり、第１の電極層が（１１１）面配向となって、そのままでは薄膜圧電体層の結晶配向性が問題となるが、第１の電極層に、例えばチタンや酸化チタンを含有しておけば、このチタンや酸化チタンが第１の電極層の表面部に島状に点在することになり、第１の電極層上に形成される配向制御層は、この島状に点在するチタン又は酸化チタンを核にしてその上側に結晶成長し、これにより、チタン又は酸化チタン上において（１００）面又は（００１）面（立方晶系の場合は（１００）面と（００１）面とは同じである）に配向し易くなり、この（１００）面又は（００１）面配向の領域がその結晶成長に連れて広がって、配向制御層の厚みが２０ｎｍ程度となった段階では表面の略全体が（１００）面又は（００１）面配向の領域となる（必ずしも表面全体が（１００）面又は（００１）面配向の領域とならなくてもよい）。こうして形成した配向制御層上に薄膜圧電体層を形成すれば、薄膜圧電体層は、エピタキシャル成長と上記の如く基板から引張応力を受けることとに起因して、（１００）面配向となる（菱面体晶系の場合には、（１００）面と（００１）面とは同じあるので、（００１）面に優先配向しているといえる）。この薄膜圧電体層が菱面体晶系のペロブスカイト型酸化物からなる場合には、分極軸は＜１１１＞方向であって、電界方向と分極軸方向との間に約５４°の角度が生じ、正方晶系の場合には、分極軸は電界方向に対して９０°横を向いてしまうため、いずれの場合でも分極軸が＜００１＞方向となるように分極処理を施せばよい。但し、菱面体晶系の場合には、配向性を向上させることにより、電界印加に対して分極は常に一定の角度を保つことができるため、電界印加による分極の回転が起きず、分極処理を行わなくても、圧電特性を安定させることができる。
【００１５】
したがって、ＭｇＯ単結晶基板を用いずに、安価なシリコン基板やガラス基板等を用いても、薄膜圧電体層の結晶配向性を高く維持することができる。特にシリコン基板は、ドライエッチングにより除去することができ、これにより、エッチング液に対する薄膜圧電体層の保護膜を設ける必要はなく、薄膜圧電体層にダメージを与えることもない。よって、薄膜圧電体層の圧電定数が圧縮応力により低下するのを抑制することができるとともに、信頼性の高いアクチュエータを低コストで製造することできる。
【００１６】
請求項２の発明では、請求項１の発明において、第１の電極層は、チタン又は酸化チタンを含有する貴金属からなるものとする。
【００１７】
このことにより、ＭｇＯ単結晶基板を用いずにシリコン基板等を用いて薄膜圧電体素子を作製しても、チタン又は酸化チタンの含有により薄膜圧電体層の結晶配向性を容易に高くすることができる。
【００１８】
請求項３の発明では、請求項２の発明において、第１電極層は、白金、イリジウム、パラジウム及びルテニウムの群から選ばれた少なくとも１種の貴金属からなり、該貴金属に含有されたチタン又は酸化チタンの含有量が０を越え２０モル％以下であるものとする。
【００１９】
このことにより、薄膜圧電体素子の各層をスパッタ法等に形成する際の温度に十分に耐えられるとともに、電極として適切な材料とすることができる。また、チタン又は酸化チタンの含有量は、２０モル％を越えると配向制御層（延いては薄膜圧電体層）の結晶性及び配向性が低下するので、このように２０モル％以下とするのがよい。
【００２０】
請求項４の発明では、請求項１〜３のいずれか１つの発明において、配向制御層は、立方晶系又は正方晶系の（１００）面又は（００１）面に優先配向したペロブスカイト型酸化物からなるものとする。
【００２１】
こうすることで、薄膜圧電体層の材料としては、通常、ＰＺＴ等のペロブスカイト型酸化物を用いるので、この薄膜圧電体層の結晶配向制御が容易となる。
【００２２】
請求項５の発明では、請求項４の発明において、配向制御層は、ジルコニウムの含有量が０以上２０モル％以下でありかつランタンの含有量が０を越え３０モル％以下であるチタン酸ランタンジルコン酸鉛からなるものとする。
【００２３】
このようなチタン酸ランタンジルコン酸鉛（ＰＬＺＴ）（ジルコニウムの含有量が０である場合のチタン酸ランタン鉛（ＰＬＴ）を含む）を配向制御層に用いれば、配向制御層が（１００）面又は（００１）面により一層配向し易くなり、延いては薄膜圧電体層の配向性を向上させることができる。しかも、このようにジルコニウムの含有量を２０モル％以下とし、ランタンの含有量を０を越え３０モル％以下とすれば、配向制御層の結晶性や配向性が格段に向上する。特にジルコニウムの含有量が少ないほど、結晶成長初期にＺｒ酸化物からなる結晶性の低い層が形成され難くなり、結晶性の低下が確実に抑制される。
【００２４】
請求項６の発明では、請求項１〜５のいずれか１つの発明において、薄膜圧電体層は、菱面体晶系の（００１）面に優先配向したペロブスカイト型酸化物からなるものとする。
【００２５】
このことにより、上述の如く、分極処理を行わなくても、圧電特性を安定させることができるとともに、分極処理を行う場合であっても、室温で比較的容易に行うことができる（例えば１５Ｖ／μｍの電圧を３０分間印加するだけでよい）。この結果、高温（１００℃程度）で分極処理を行わなければならない正方晶系とは異なり、分極処理による体積変化が小さく、分極処理を行うとクラックが生じるというような問題は全くない。
【００２６】
請求項７の発明では、請求項６の発明において、薄膜圧電体層は、チタン酸ジルコン酸鉛を主成分とする圧電材料からなるものとする。
【００２７】
こうすることで、圧電特性が良好な圧電材料とすることができ、高性能のアクチュエータが容易に得られる。
【００２８】
請求項８の発明は、ディスク装置用薄膜圧電体アクチュエータの製造方法の発明であり、この発明では、基板上に、第１の電極層、配向制御層、薄膜圧電体層及び第２の電極層をこの順に形成して薄膜圧電体素子を作製する素子作製工程と、上記素子作製工程で作製した薄膜圧電体素子を２つ用いて、該２つの薄膜圧電体素子における第２の電極層側の面同士を接着する接着工程と、上記接着工程で接着した２つの薄膜圧電体素子のうちの一方の側に位置する基板を除去する第１の基板除去工程と、上記第１の基板除去工程後に、上記接着した２つの薄膜圧電体素子を所定の形状に加工する加工工程と、上記加工した２つの薄膜圧電体素子において他方の側に位置する基板との接合面を除く表面全体を被覆材で覆う被覆工程と、上記被覆工程後に、上記他方の側に位置する基板を除去する第２の基板除去工程とを含み、上記素子作製工程において、線膨張係数が薄膜圧電体層よりも小さい基板を用いて、該基板上に上記各層を形成するようにする。
【００２９】
この発明により、線膨張係数が薄膜圧電体層よりも小さい基板を用いて薄膜圧電体素子を作製するので、薄膜圧電体層は、成膜後の冷却過程で基板から厚み方向と垂直な方向に引張応力を受け圧縮応力を受けることはなく、請求項１の発明と同様に、薄膜圧電体層において厚み方向と垂直な方向に作用している残留応力が、０ないし引張応力となる。よって、請求項１の発明と同様の作用効果が得られる。
【００３０】
請求項９の発明では、請求項８の発明において、基板はシリコンからなるものとする。
【００３１】
このことにより、安価で入手し易く、しかもドライエッチングにより除去が可能であるので、アクチュエータの製造コストを格段に低減することができる。
【００３２】
請求項１０の発明では、請求項９の発明において、第１及び第２の基板除去工程において、基板をドライエッチング法により除去するようにする。
【００３３】
こうすることで、エッチング液に対する薄膜圧電体層の保護膜を設けなくても済み、また、たとえ第１の電極層にピンホールが存在していたとしても、薄膜圧電体層にダメージを与えることもなく、よって、信頼性の高いアクチュエータが得られる。
【００３４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。図１及び図２は、本発明の実施形態に係るディスク装置用薄膜圧電体アクチュエータ１０を備えたディスク装置のヘッド支持機構を示す。
【００３５】
このヘッド支持機構１００は、ヘッド１が取り付けられたスライダ２を先端部に支持するロードビーム４を有している。このロードビーム４は、ヘッドアクチュエータアーム（図示しない）に取り付けられる正方形状をなす基端部４Ａを有し、この基端部４Ａは、ビーム溶接等によってベースプレート５に固定されている。このベースプレート５も、上記ヘッドアクチュエータアームに取り付けられている。また、上記ロードビーム４には、上記基端部４Ａから先細状に延出するネック部４Ｂに連続して、ビーム部４Ｃが直線状に延出するように設けられている。上記ネック部４Ｂの中央部には、開口部４Ｄが設けられており、ネック部４Ｂにおける開口部４Ｄの両側部分が、それぞれ板バネ部４Ｅになっている。
【００３６】
図３に示すように、上記スライダ２には、ＭＲ素子を含むヘッド１が設けられている。また、このヘッド１が設けられた端面の下部には、４つの端子２Ａ〜２Ｄが横方向に並んだ状態で設けられている。さらに、スライダ２の上面には、回転駆動される磁気ディスクにより生じる空気流が該スライダ２のピッチ方向（磁気ディスクの接線方向）に沿って通流することによって磁気ディスクとの間にエア潤滑膜を形成するエアベアリング面２Ｅが設けられている。
【００３７】
図２に示すように、上記ロードビーム４のビーム部４Ｃ上には、ヘッド配線パターン６を有するフレクシャ７が該ロードビーム４の長さ方向に延びるように設けられている。このフレクシャ７は、ステンレス材をベースとしている。このフレクシャ７の一端部に位置するスライダ取付部７Ｘ上に、上記ヘッド１が搭載されたスライダ２が配置される。
【００３８】
図４に示すように、上記フレクシャ７のスライダ取付部７Ｘには、ステンレス等のフレクシャ基板３上においてパターン化されて上記端子２Ａ〜２Ｄにそれぞれ接続されるヘッド配線６Ａ，６Ｂ，６Ｃ，６Ｄが形成されている。このスライダ取付部７Ｘにおけるスライダ取付面と反対側の面には、スライダ保持基板３Ａが貼り付けられている。このスライダ保持基板３Ａは、上記フレクシャ基板３と同時にエッチング加工により外形が形成されるものである。また、スライダ保持基板３Ａには、突起部３Ｂが形成され、この突起部３Ｂは、上記ロードビーム４の先端近傍に形成されたディンプル４Ｇ（図２参照）に当接している。この突起部４Ｂがディンプル４Ｇによって押圧されることにより、スライダ保持基板３Ａは、ディンプル４Ｇを中心として全方位に亘って回動可能に保持されている。そして、上記スライダ２は、上記エアベアリング面２Ｅの中心位置が上記ロードビーム４のディンプル４Ｇに一致するように、スライダ保持板３Ａ上に接着される。
【００３９】
上記ロードビーム４のビーム部４Ｃの先端部における両側縁部には、スライダ保持板３Ａの回動を若干の隙間をもって規制する規制部４Ｆがそれぞれ設けられている。この各規制部４Ｆは、ビーム部４Ｃの先端から基端部４Ａ側に向かって直線状に延出している。
【００４０】
上記フレクシャ７の他端部には、図２に示すように、外部接続用端子保持部７Ｙが形成されている。この端子保持部７Ｙは、ロードビーム４の基端部４Ａにおける一方の側縁部に配置されている。また、フレクシャ７におけるスライダ取付部７Ｘの端子保持部７Ｙ側には、左右に並んで配設された一対の薄膜圧電体アクチュエータ１０（図５及び図６では、それぞれ１０Ａ及び１０Ｂの符号を付している）が、それぞれ接着により取り付けられるアクチュエータ保持部８Ａ，８Ｂが設けられている。
【００４１】
図５は、上記薄膜圧電体アクチュエータ１０の平面図を、図６はその断面図をそれぞれ示す。この各薄膜圧電体アクチュエータ１０は、図６に示すように、第１の電極層３１と、この第１の電極層３１上に形成された配向制御層３２と、この配向制御層３２上に形成された薄膜圧電体層３３と、この薄膜圧電体層３３上に形成された第２の電極層３４とからなる２つの薄膜圧電体素子３０を有している。これら２つの薄膜圧電体素子３０は、第２の電極層３４側の面同士が対向するように上下にそれぞれ配設されていて、その第２の電極層３４側の面同士が接着剤４１により接着されることで一体化されている。この接着剤４１は導電性のものであり、このことで、２つの第２の電極層３４は電気的に短絡されている。また、これら接着された２つの薄膜圧電体素子において一方（下側）の薄膜圧電体素子３０の第１の電極層３１側の面を除く表面全体が、柔軟性のある絶縁樹脂からなる被覆材４２で覆われている。
【００４２】
上記２つの薄膜圧電体素子３０の各薄膜圧電体層３３において厚み方向と垂直な方向に作用している残留応力は、後述の製造方法により、０ないし引張応力となっている。つまり、各薄膜圧電体層３３には、厚み方向と垂直な方向に作用している圧縮残留応力は存在していない。
【００４３】
上記第１の電極層３１は、チタン又は酸化チタンを含有する貴金属で構成するのがよい。この貴金属としては、白金、イリジウム、パラジウム及びルテニウムの群から選ばれた少なくとも１種であることが望ましい。また、チタン又は酸化チタンの含有量は０を越え２０モル％以下であることが好ましい。この第１の電極層３１の厚みは０．０５〜２μｍの範囲であればよい。尚、チタン又は酸化チタンの代わりに、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ及びＢａ並びにこれらの酸化物の群から選ばれた少なくとも１種の添加物を貴金属に添加するようにしてもよい。また、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｍｎ及びＣｕ並びにこれらの酸化物の群から選ばれた少なくとも１種の金属を貴金属に添加するようにしてもよい。
【００４４】
上記配向制御層３２は、立方晶系又は正方晶系のペロブスカイト型酸化物、特にジルコニウムの含有量が０以上２０モル％以下でありかつランタンの含有量が０を越え３０モル％以下であるチタン酸ランタンジルコン酸鉛（ＰＬＺＴ）（ジルコニウムの含有量が０である場合のチタン酸ランタン鉛（ＰＬＴ）を含む）で構成することが望ましい。この配向制御層３２は、（１００）面又は（００１）面（立方晶系の場合は（１００）面と（００１）面とは同じである）に優先配向している。また、この配向制御層３２の厚みは０．０１〜０．２μｍの範囲であればよい。
【００４５】
上記薄膜圧電体層３３は、菱面体晶系又は正方晶系のペロブスカイト型酸化物、特にチタン酸ジルコン酸鉛（Ｚｒ／Ｔｉ＝５３／４７）を主成分とする圧電材料で構成することが望ましい。また、正方晶系よりも菱面体晶系の方が、分極処理を必ずしも行う必要がなく分極処理を行うとしても容易にできる点で好ましい。この薄膜圧電体層３３は、（１００）面に優先配向している（菱面体晶系の場合には、（１００）面と（００１）面とは同じあるので、（００１）面に優先配向しているといえる）。また、この薄膜圧電体層３３の厚みは０．５〜５．０μｍの範囲であればよい。
【００４６】
上記第２の電極層３４は、Ｐｔ等の導電性材料からなっている。この第２の電極層３４の厚みは０．１〜０．４μｍの範囲であればよい。
【００４７】
ここで、上記薄膜圧電体アクチュエータ１０の製造方法について図１１及び図１２を用いて説明する。
【００４８】
先ず最初に、線膨張係数が上記薄膜圧電体層３３よりも小さい基板５１を用意する。すなわち、上記薄膜圧電体層３３の線膨張係数は５０×１０^−７／℃程度であるので、基板５１の材料として、シリコン（２８×１０^−７／℃）、石英（５×１０^−７／℃）、バリウムホウ珪酸ガラス（４６×１０^−７／℃）等を用いる。中でもシリコンは、安価で入手し易く、しかも後述のドライエッチングにより除去が可能であるので、非常に好ましい。
【００４９】
そして、図１１（ａ）に示すように、上記基板５１上に第１の電極層３１をスパッタ法により形成する。例えば、多元スパッタ装置を使用して、Ｔｉターゲット及びＩｒターゲットを用い、基板５１を６００℃に加熱しながら１Ｐａのアルゴンガス中において１６０Ｗ及び２００Ｗの高周波電力で１２分間形成する。こうして形成された第１の電極層の表面部には、チタン（アルゴンと酸素との混合雰囲気中でスパッタリングすれば、酸化チタンとなる）が島状に点在する。この第１の電極層３１は、通常、（１１１）面配向となる。
【００５０】
尚、基板５１と第１の電極層３１との間に、該基板５１と第１の電極層３１との密着性を高める密着層を形成するようにしてもよい。この場合、この密着層は、Ｔｉ、タンタル、鉄、コバルト、ニッケル若しくはクロム又はそれらの化合物で構成すればよく、その厚みは０．００５〜１μｍの範囲であればよい。そして、後述の如く基板５１を除去する際には、この密着層も除去する。
【００５１】
続いて、図１１（ｂ）に示すように、上記第１の電極層３１上に配向制御層３２をスパッタ法により形成する。例えば、ランタンを１４モル％含有するＰＬＴに酸化鉛（ＰｂＯ）を１２モル％過剰に加えて調合した焼結ターゲットを用い、基板５１の温度６００℃で、アルゴンと酸素との混合雰囲気中（ガス体積比Ａｒ：Ｏ_２＝１９：１）において、真空度０．８Ｐａ、高周波電力３００Ｗの条件で１２分間スパッタリングすることで形成する。このとき、配向制御層３２は、上記島状に点在するチタン又は酸化チタンを核にしてその上側に結晶成長し、これにより、チタン又は酸化チタン上において（１００）面又は（００１）面に配向し易くなる。尚、第１の電極層３１に、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｍｎ又はＣｕを添加した場合には、酸化物の形態で添加しなくても、配向制御層３２を形成する際において酸素が存在すれば、その表面部に点在する添加物は酸化物となり、その酸化物はＭｇＯ単結晶基板と同じ結晶構造であるＮａｃｌ型酸化物であるため、配向制御層３２は、上記添加物（酸化物）を核にしてその上側に結晶成長し、これにより、添加物上において（１００）面又は（００１）面に配向し易くなる。
【００５２】
一方、配向制御層３２において第１の電極層３１の表面部におけるチタン又は酸化チタンが存在しない部分の上側領域では、（１００）面や（００１）面配向とはならず、（１１１）面配向やアモルファスになる。しかし、結晶成長に連れて、上記（１００）面又は（００１）面配向の領域が広がるため、配向制御層３２の厚みが２０ｎｍ程度となった段階では表面の略全体が（１００）面又は（００１）面配向の領域となる（必ずしも表面全体が（１００）面又は（００１）面配向の領域とならなくてもよく、配向制御層３２の厚みを０．０１μｍ程度としてもよい）。
【００５３】
その後、図１１（ｃ）に示すように、上記配向制御層３２上に薄膜圧電体層３３をスパッタ法により形成する。例えば、ＰＺＴ（Ｚｒ／Ｔｉ＝５３／４７）の焼結体ターゲットを用い、基板５１の温度６１０℃で、アルゴンと酸素との混合雰囲気中（ガス体積比Ａｒ：Ｏ_２＝１９：１）において、真空度０．３Ｐａ、高周波電力２５０Ｗの条件で２時間スパッタリングすることで形成する。この薄膜圧電体層３３は、成膜後の冷却過程で基板５１から厚み方向と垂直な方向に引張応力を受け圧縮応力を受けることはない。すなわち、基板５１の線膨張係数が薄膜圧電体層３３よりも小さいので、基板５１を所定温度に加熱した状態で成膜した後に冷却すると、薄膜圧電体層３３の方が基板５１よりも収縮量が大きくてより収縮しようとするが、その収縮が基板５１によって制限されるため、薄膜圧電体層３３は基板５１から厚み方向と垂直な方向に引張応力を受けることになる。この引張応力を受けることとエピタキシャル成長とに起因して、薄膜圧電体層３３は（１００）面配向（菱面体晶系の場合には、（００１）面配向）となる。この薄膜圧電体層３３が菱面体晶系のペロブスカイト型酸化物からなる場合には、分極軸は＜１１１＞方向であって、電界方向と分極軸方向との間に約５４°の角度が生じ、正方晶系の場合には、分極軸は電界方向に対して９０°横を向いてしまうため、いずれの場合でも分極軸が＜００１＞方向となるように分極処理を施す。但し、菱面体晶系の場合には、配向性を向上させることにより、電界印加に対して分極は常に一定の角度を保つことができるため、電界印加による分極の回転が起きず、分極処理を行わなくても、圧電特性を安定させることができる。また、分極処理を行う場合であっても、室温で比較的容易に行うことができ（例えば１５Ｖ／μｍの電圧を３０分間印加するだけでよい）、高温（１００℃程度）で分極処理を行わなければならない正方晶系とは異なり、分極処理による体積変化が小さく、分極処理を行うとクラックが生じるというような問題は全くない。
【００５４】
次いで、図１１（ｄ）に示すように、上記薄膜圧電体層３３上に第２の電極層３４をスパッタ法により形成する。例えば、Ｐｔターゲットを用いて、室温において１Ｐａのアルゴンガス中２００Ｗの高周波電力で１０分間形成する。こうして、薄膜圧電体素子３０が完成する。
【００５５】
尚、上記薄膜圧電体素子３０の各層の形成は、スパッタ法に限らず、ＣＶＤ法やゾル・ゲル法等であってもよい。
【００５６】
次に、図１２（ａ）に示すように、上記のようにして作製した薄膜圧電体素子３０を２つ用意して、該２つの薄膜圧電体素子３０における第２の電極層３４側の面同士を対向させ、その後、図１２（ｂ）に示すように、その第２の電極層３４側の面同士を接着剤４１により接着する。尚、この第２の電極層３４側の面同士を、超音波振動を用いた熱溶着により接着するようにしてもよい。
【００５７】
続いて、図１２（ｃ）に示すように、上記接着した２つの薄膜圧電体素子３０のうちの一方の側に位置する基板５１を除去する。この基板５１の除去は、該基板５１がシリコンからなる場合には、ドライエッチング法で行うことが望ましい。こうすれば、エッチング液に対する薄膜圧電体層の保護膜を設けなくても済み、また、たとえ第１の電極層にピンホールが存在していたとしても、薄膜圧電体層にダメージを与えることもない。
【００５８】
次いで、図１２（ｄ）に示すように、上記接着した２つの薄膜圧電体素子３０の第１の電極層３１、配向制御層３２、薄膜圧電体層３３及び第２の電極層３４を、ドライエッチング法により所定の形状に加工し、その後、その加工した２つの薄膜圧電体素子３０において他方の側に位置する基板５１との接合面を除く表面全体を被覆材４２で覆う。
【００５９】
続いて、上記他方の側に位置する基板５１をドライエッチング法により除去することで、薄膜圧電体アクチュエータ１０が完成する。尚、ここでは省略したが、後述するように、グランド取出部２０及び電極取出部２２，２３（図５及び図１３参照）の形成を行う必要がある。
【００６０】
上記のようにして作製した薄膜圧電体アクチュエータ１０における２つの薄膜圧電体素子３０の各薄膜圧電体層３３において厚み方向と垂直な方向に作用している残留応力は、薄膜圧電体素子３０を作製したときに薄膜圧電体層３３が基板５１から受ける引張応力が残留するために、引張応力となっている（２つの薄膜圧電体素子３０同士を接着したり被覆材４２で覆ったりしたとき等において応力が緩和されて０になってもよい）。
【００６１】
図７は、フレクシャ７をスライダ２側から見た平面図であり、図８は、図７のＸ−Ｘ線断面図であり、図９は、フレクシャ７をスライダ保持基板３Ａ側から見た底面図である。図８に示すように、上記アクチュエータ保持部８Ａ，８Ｂにおける基板１５Ａ，１５Ｂは、配線６をエッチング加工等でパターン形成するときに同時に形成するため、材質及び厚みは配線６と同一でかつ同一平面に形成される。この基板１５Ａ，１５Ｂは、配線６と共にポリイミド樹脂等の絶縁材料１６でコーティングされている。尚、基板１５Ａ，１５Ｂにおいて薄膜圧電体アクチュエータ１０Ａ，１０Ｂをそれぞれ接着する面には、絶縁材料１６はなくて基板１５Ａ，１５Ｂが露出して、薄膜圧電体アクチュエータ１０Ａ，１０Ｂと基板１５Ａ，１５Ｂとの接着強度を確保している。図１０は、フレクシャ７のアクチュエータ保持部８Ａ，８Ｂに薄膜圧電体アクチュエータ１０Ａ，１０Ｂをそれぞれ接着剤１７により接着した状態を示す。
【００６２】
上記フレクシャ７におけるアクチュエータ保持部８Ａ，８Ｂの端子保持部７Ｙ側には、アクチュエータ用端子９Ａ，９Ｂ，９Ｃ，９Ｄが設けられており、この端子９Ａ，９Ｂ，９Ｃ，９Ｄは、端子保持部７Ｙに一方の端部が設けられて外部の駆動回路に接続されている。
【００６３】
上記フレクシャ７におけるアクチュエータ保持部８Ａ，８Ｂとスライダ取付部７Ｘとの間のつなぎ部分は、局部的に狭い幅で形成された弾性ヒンジ部１９Ａ，１９Ｂとされている。
【００６４】
ここで、図１３を参照して、薄膜圧電体アクチュエータ１０（１０Ａ，１０Ｂ）の電極の取り方について説明する。図１３は、図５及び図７のＹ−Ｙ線に相当する位置における薄膜圧電体アクチュエータ１０Ａ、１０Ｂとアクチュエータ用端子９との接合状態を示す断面図である。
【００６５】
各薄膜圧電体アクチュエータ１０において２つの薄膜圧電体素子３０の各第１の電極層３１には、電極取出部２２，２３を介してプラス電圧がそれぞれ印加され、２つの第２の電極層３４はグランド取出部２０を介してグランドレベルになるように設定される。
【００６６】
上記薄膜圧電体アクチュエータ１０のグランド取出部２０の加工方法を説明する。図１３に示すように、グランド取出部２０において上側の薄膜圧電体素子３０の第１の電極層３１、配向制御層３２及び薄膜圧電体層３３を第１のエッチング加工で第２の電極層３４上面まで加工する。その後、第１のエッチング加工範囲の内側で上記第２の電極層３４を一部残した状態で、該第２の電極層３４、接着剤１３及び下側の薄膜圧電体素子３０の第２の電極層３４を第２のエッチング加工で取り除く。次いで、グランド取出部２０における上側の薄膜圧電体素子３０の第１の電極層３１、配向制御層３２及び薄膜圧電体層３３を、被覆材４２で覆う。最後に２つの薄膜圧電体素子３０の第２の電極層３４同士を短絡するグランド金属端子膜２１を形成してグランド電極を構成する。このグランド金属端子膜２１（２箇所）は、ボンディングワイヤ２４で上記アクチュエータ用端子９Ｂ，９Ｃに接続されている。
【００６７】
上記電極取出部２２では、被覆材４２が一部取り除かれて、上側の薄膜圧電体素子３０の第１の電極層３１が露出している。一方、電極取出部２３では、被覆材４２が一部取り除かれており、この取り除かれた部分から下側の薄膜圧電体素子３０の第１の電極層３１が側方に突出している。そして、電極取出部２２，２３における２つの第１の電極層３１がボンディングワイヤ３４により上記アクチュエータ用端子９Ａ，９Ｄに接続されている。
【００６８】
このような構成のヘッド支持機構１００の動作について、図１４〜図１６を用いて説明する。図１４はヘッド支持機構１００を横方向から見た側面図であり、図１５（ａ）は、図１４中の薄膜圧電体アクチュエータ１０Ａ（１０Ｂ）の一部を拡大して示す、フレクシャ７の長さ方向に沿って切断した断面図であり、図１５（ｂ）及び（ｃ）は、アクチュエータ用端子９Ａ，９Ｄに印加する電圧の波形を示す。
【００６９】
アクチュエータ用端子９Ｂ，９Ｃはグランドレベルに設定され、アクチュエータ用端子９Ａ，９Ｄには、図１５（ｂ）及び（ｃ）に示すように、バイアス電圧Ｖ０を中心として互いに逆位相のプラスの駆動電圧が印加される。この駆動電圧が印加されると、図１５（ａ）に示すように、各薄膜圧電体アクチュエータ１０において２つの薄膜圧電体素子３０の薄膜圧電体層３３は矢印Ｂの方向に収縮したり矢印Ｃの方向に伸長したりするが、基板１５Ａ（１５Ｂ）があるために、薄膜圧電体アクチュエータ１０Ａ（１０Ｂ）は反りを持った状態になる（図１５（ａ）は、薄膜圧電体層３３が収縮した状態を示す）。
【００７０】
上記の薄膜圧電体層３３の伸縮によりフレクシャ７のアクチュエータ保持部８Ａ（８Ｂ）も伸縮して、フレクシャ基板３のアクチュエータ保持部８Ａ（８Ｂ）との境界部３Ｘ（図９参照）とフレクシャ７の弾性ヒンジ部１９Ａ（１９Ｂ）との間の平面距離Ｌ（図９参照）が変化する。また、これと同時にアクチュエータ保持部８Ａ（８Ｂ）の反り状態も変化し、この反りに起因してアクチュエータ保持部８Ａ（８Ｂ）の曲率が変化する。この曲率変化によっても上記平面距離Ｌが変化する。したがって、上記平面距離Ｌの変化には、反りに起因する曲率変化による効果が加算されることになる。
【００７１】
図１６（ａ）は、薄膜圧電体アクチュエータ１０Ａが矢印Ｃ方向に伸長しかつアクチュエータ１０Ｂが矢印Ｂ方向に収縮したときのスライダ２の回転動作を説明する図であり、図１６（ｂ）は、その模式図である。アクチュエータ保持部８Ａと薄膜圧電体アクチュエータ１０Ａとからなる第１のビーム１６１と、アクチュエータ保持部８Ｂと薄膜圧電体アクチュエータ１０Ｂとからなる第２のビーム１６２とが、ディンプル４Ｇを中心として回動するスライダ保持基板３Ａに回動自在に連結され、ヘッド１はディンプル４Ｇから距離Ｄを置いて、スライダ保持基板３Ａに固定されたスライダ２上に設けられていることになる。このことより、薄膜圧電体アクチュエータ１０Ａが矢印Ｃ方向に伸長しかつ薄膜圧電体アクチュエータ１０Ｂが矢印Ｂ方向に収縮すると、スライダ２及びスライダ保持基板３Ａは、突起部３Ｂに当接するディンプル４Ｇを中心に矢印Ｅ方向に回動する。したがって、スライダ２に設けられたヘッド１は、磁気ディスクに同心状態で設けられた各トラックの幅方向に移動することになる。これにより、ヘッド１をトラックに追従させるオントラック性を高精度で実施することができる。
【００７２】
尚、弾性ヒンジ部１９Ａ，１９Ｂの幅寸法は、ヘッド配線６Ａ，６Ｂ，６Ｃ，６Ｄが配置されるために必要な最小限の幅寸法としておけば、スライダ保持基板３Ａの回動時における負荷が低減されて、スライダ保持基板３Ａが確実に回動する。また、弾性ヒンジ部１９Ａ，１９Ｂは、スライダ２のロール方向及びピッチ方向に柔軟な構成となっているため、ディスクに対するスライダ２の良好な浮上特性を与える。
【００７３】
上記スライダ２には、ロードビーム４の板バネ部４Ｅによりロード荷重（２０〜３０ｍＮ）が加えられており、スライダ保持基板３Ａが回動するときに、このロード荷重が、スライダ保持基板３Ａの突出部３Ｂとディンプル４Ｇとの間に作用する。したがって、スライダ保持基板３Ａには、スライダ保持基板３Ａの突出部３Ｂとディンプル４Ｇとの間の摩擦係数にて決定される摩擦力が作用し、この摩擦力により、スライダ保持基板３Ａの突出部３Ｂとディンプル４Ｇとの間に位置ずれが生じることはない。
【００７４】
したがって、上記実施形態では、線膨張係数が薄膜圧電体層３３よりも小さい基板５１を用いて、該基板５１上に、第１の電極層３１、配向制御層３２、薄膜圧電体層３３及び第２の電極層３４をこの順に形成して薄膜圧電体素子３０を作製することで、該薄膜圧電体素子３０の薄膜圧電体層３３において厚み方向と垂直な方向に作用している残留応力が、０ないし引張応力となるようにしたことにより、薄膜圧電体層３３の圧電定数が圧縮応力により低下するのを抑制することができるとともに、シリコン基板やガラス基板等のような安価な基板を使用することができる。そして、このような基板５１を用いても、第１の電極層３１へのチタン、酸化チタン等の添加と、この第１の電極層３１上に形成した配向制御層３２とにより、薄膜圧電体層３３の結晶配向性を高く維持することができる。よって、圧電定数の低下がなく信頼性の高いアクチュエータを低コストで製造することできる。
【００７５】
次に、具体的に実施した実施例について説明する。
【００７６】
先ず、上記実施形態と同様にして本発明のアクチュエータを作製した。すなわち、厚みが０．２ｍｍであって線膨張係数が２８×１０^−７／℃であるシリコンからなる基板を用意し、この基板上に、第１の電極層、配向制御層、薄膜圧電体層及び第２の電極層をこの順にスパッタ法により形成して薄膜圧電体素子を作製した。
【００７７】
上記第１の電極層は、厚みが０．２μｍであり、多元スパッタ装置を使用して、Ｔｉターゲット及びＩｒターゲットを用い、基板を６００℃に加熱しながら１Ｐａのアルゴンガス中において１６０Ｗ及び２００Ｗの高周波電力で１２分間スパッタリングすることにより形成した。
【００７８】
上記配向制御層は、厚みが０．０３μｍであり、ランタンを１４モル％含有するＰＬＴに酸化鉛（ＰｂＯ）を１２モル％過剰に加えて調合した焼結ターゲットを用い、基板の温度６００℃で、アルゴンと酸素との混合雰囲気中（ガス体積比Ａｒ：Ｏ_２＝１９：１）において、真空度０．８Ｐａ、高周波電力３００Ｗの条件で１２分間スパッタリングすることにより形成した。
【００７９】
上記薄膜圧電体層は、厚みが２．５μｍであり、ＰＺＴ（Ｚｒ／Ｔｉ＝５３／４７）の焼結体ターゲットを用い、基板の温度６１０℃で、アルゴンと酸素との混合雰囲気中（ガス体積比Ａｒ：Ｏ_２＝１９：１）において、真空度０．３Ｐａ、高周波電力２５０Ｗの条件で２時間スパッタリングすることにより形成した。この薄膜圧電体層は、線膨張係数が５６×１０^−７／℃である菱面体晶系のペロブスカイト型酸化物（ＰｂＺｒ_０．５３Ｔｉ_０．４７Ｏ_３）からなり、その（００１）面配向度をＸ線回折法で測定したところ、９０％以上であった。尚、この（００１）面配向度は、（００１）面、（１１０）面及び（１１１）面の回折強度の和を１００としたときの（００１）面の回折強度の割合である。
【００８０】
上記第２の電極層は、厚みが０．２μｍであり、室温において１Ｐａのアルゴンガス中２００Ｗの高周波電力で１０分間スパッタリングすることにより形成した。
【００８１】
次いで、上記のようにして作製した薄膜圧電体素子を２つ用意して、該２つの薄膜圧電体素子における第２の電極層側の面同士を導電性接着剤により接着し、その後、２つの薄膜圧電体素子のうちの一方の側に位置する基板をドライエッチング法により除去した。そして、２つの薄膜圧電体素子を、ドライエッチング法により所定の形状に加工し、その後、その加工した２つの薄膜圧電体素子において他方の側に位置する基板との接合面を除く表面全体を、ポリイミドからなる厚み３μｍの被覆材で被覆し、最後に、他方の側に位置する基板をドライエッチング法により除去することで、アクチュエータを得た。このアクチュエータにおける薄膜圧電体素子の薄膜圧電体層の圧電定数ｄ３１を調べたところ、−１５０ｐＣ／Ｎであった。
【００８２】
一方、比較のために、線膨張係数が１２０×１０^−７／℃であるＭｇＯ単結晶基板を用いてアクチュエータを作製した。この作製方法は、上記本発明のアクチュエータと同様であるが、第１の電極層はＰｔで構成し、配向制御層は形成しないで該第１の電極層上に薄膜圧電体を直接形成した点が異なる。また、基板はドライエッチング法ではなくりん酸水溶液で除去した。このアクチュエータにおける薄膜圧電体素子の薄膜圧電体層の圧電定数ｄ３１を調べたところ、−８０ｐＣ／Ｎであった。
【００８３】
したがって、本発明のように線膨張係数が薄膜圧電体層よりも小さい基板を用いて薄膜圧電体素子を作製することで、この薄膜圧電体素子の薄膜圧電体層の圧電定数を高レベルに維持できることが判る。
【００８４】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明のディスク装置用薄膜圧電体アクチュエータによると、薄膜圧電体層において厚み方向と垂直な方向に作用している残留応力を、０ないし引張応力となるようにした。また、本発明のディスク装置用薄膜圧電体アクチュエータの製造方法によると、線膨張係数が薄膜圧電体層よりも小さい基板を用いて、該基板上に、第１の電極層、配向制御層、薄膜圧電体層及び第２の電極層をこの順に形成して薄膜圧電体素子を作製するようにした。したがって、これらの発明により、ディスク装置用薄膜圧電体アクチュエータの薄膜圧電体層の圧電定数が圧縮応力により低下するのを抑制するとともに、信頼性の高いアクチュエータを低コストで製造できるようになる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態に係るディスク装置用薄膜圧電体アクチュエータを備えたディスク装置のヘッド支持機構を示す斜視図である。
【図２】ヘッド支持機構の分解斜視図である。
【図３】ヘッド支持機構に使用されるスライダの斜視図である。
【図４】ヘッド支持機構に使用されるフレクシャの要部を示す斜視図である。
【図５】薄膜圧電体アクチュエータの平面図である。
【図６】図５のＸ−Ｘ線断面図である。
【図７】フレクシャの要部の平面図である。
【図８】図７のＸ−Ｘ線断面図である。
【図９】フレクシャの要部の底面図である。
【図１０】フレクシャに薄膜圧電体アクチュエータを接着したときの図５及び図７のＸ−Ｘ線に相当する位置における断面図である。
【図１１】薄膜圧電体素子の製造方法を示す概略図である。
【図１２】薄膜圧電体アクチュエータの製造方法を示す概略図である。
【図１３】フレクシャに薄膜圧電体アクチュエータを接着したときの図５及び図７のＹ−Ｙ線に相当する位置における断面図である。
【図１４】ヘッド支持機構の側面図である。
【図１５】（ａ）は、ヘッド支持機構の動作を説明するための薄膜圧電体アクチュエータの一部を拡大した断面図であり、（ｂ）及び（ｃ）は、アクチュエータ用端子に印加する電圧の波形を示す図である。
【図１６】（ａ）は、ヘッド支持機構の動作を説明するための要部平面図であり、（ｂ）は、その模式図である。
【符号の説明】
１ヘッド
２スライダ
７フレクシャ
１０ディスク装置用薄膜圧電体アクチュエータ
３０薄膜圧電体素子
３１第１の電極層
３２配向制御層
３３薄膜圧電体層
３４第２の電極層
４１接着剤
４２被覆材
５１基板

Claims

第１の電極層と、該第１の電極層上に形成された配向制御層と、該配向制御層上に形成された薄膜圧電体層と、該薄膜圧電体層上に形成された第２の電極層とからなる２つの薄膜圧電体素子を有し、該２つの薄膜圧電体素子における第２の電極層側の面同士が接着されているとともに、該接着された２つの薄膜圧電体素子において一方の薄膜圧電体素子の第１の電極層側の面を除く表面全体が被覆材で覆われてなるディスク装置用薄膜圧電体アクチュエータであって、
上記２つの薄膜圧電体素子の各薄膜圧電体層において厚み方向と垂直な方向に作用している残留応力が、０ないし引張応力であることを特徴とするディスク装置用薄膜圧電体アクチュエータ。
請求項１記載のディスク装置用薄膜圧電体アクチュエータにおいて、
第１の電極層は、チタン又は酸化チタンを含有する貴金属からなることを特徴とするディスク装置用薄膜圧電体アクチュエータ。
請求項２記載のディスク装置用薄膜圧電体アクチュエータにおいて、
第１電極層は、白金、イリジウム、パラジウム及びルテニウムの群から選ばれた少なくとも１種の貴金属からなり、該貴金属に含有されたチタン又は酸化チタンの含有量が０を越え２０モル％以下であることを特徴とするディスク装置用薄膜圧電体アクチュエータ。
請求項１〜３のいずれか１つに記載のディスク装置用薄膜圧電体アクチュエータにおいて、
配向制御層は、立方晶系又は正方晶系の（１００）面又は（００１）面に優先配向したペロブスカイト型酸化物からなることを特徴とするディスク装置用薄膜圧電体アクチュエータ。
請求項４記載のディスク装置用薄膜圧電体アクチュエータにおいて、
配向制御層は、ジルコニウムの含有量が０以上２０モル％以下でありかつランタンの含有量が０を越え３０モル％以下であるチタン酸ランタンジルコン酸鉛からなることを特徴とするディスク装置用薄膜圧電体アクチュエータ。
請求項１〜５のいずれか１つに記載のディスク装置用薄膜圧電体アクチュエータにおいて、
薄膜圧電体層は、菱面体晶系の（００１）面に優先配向したペロブスカイト型酸化物からなることを特徴とするディスク装置用薄膜圧電体アクチュエータ。
請求項６記載のディスク装置用薄膜圧電体アクチュエータにおいて、
薄膜圧電体層は、チタン酸ジルコン酸鉛を主成分とする圧電材料からなることを特徴とするディスク装置用薄膜圧電体アクチュエータ。
基板上に、第１の電極層、配向制御層、薄膜圧電体層及び第２の電極層をこの順に形成して薄膜圧電体素子を作製する素子作製工程と、
上記素子作製工程で作製した薄膜圧電体素子を２つ用いて、該２つの薄膜圧電体素子における第２の電極層側の面同士を接着する接着工程と、
上記接着工程で接着した２つの薄膜圧電体素子のうちの一方の側に位置する基板を除去する第１の基板除去工程と、
上記第１の基板除去工程後に、上記接着した２つの薄膜圧電体素子を所定の形状に加工する加工工程と、
上記加工した２つの薄膜圧電体素子において他方の側に位置する基板との接合面を除く表面全体を被覆材で覆う被覆工程と、
上記被覆工程後に、上記他方の側に位置する基板を除去する第２の基板除去工程とを含むディスク装置用薄膜圧電体アクチュエータの製造方法であって、
上記素子作製工程において、線膨張係数が薄膜圧電体層よりも小さい基板を用いて、該基板上に上記各層を形成することを特徴とするディスク装置用薄膜圧電体アクチュエータの製造方法。
請求項８記載のディスク装置用薄膜圧電体アクチュエータの製造方法において、
基板はシリコンからなることを特徴とするディスク装置用薄膜圧電体アクチュエータの製造方法。
請求項９記載のディスク装置用薄膜圧電体アクチュエータの製造方法において、
第１及び第２の基板除去工程において、基板をドライエッチング法により除去することを特徴とするディスク装置用薄膜圧電体アクチュエータの製造方法。