JP2004326092A - 化学増幅型レジスト組成物 - Google Patents
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Abstract
【課題】優れた濾過特性を有し、シリコンウェハー上の欠陥の数が大幅に低減できる化学増幅型レジスト組成物及び該レジスト用樹脂組成物の製造方法を提供する。
【解決手段】〔1〕粗樹脂(1)を活性炭と接触させることにより得られる処理済樹脂(1)、酸発生剤及び溶媒を含み、該樹脂(1)は、(a)アルカリ水溶液に対して不溶又は難溶性の樹脂であるが、酸の作用によりアルカリ水溶液に可溶性となる樹脂で、脂環式炭化水素基を側鎖に有する繰り返し単位を含む(メタ)アクリル系樹脂又は(b)アルカリ水溶液に対して不溶又は難溶性であるが、酸の作用によりアルカリ水溶液に可溶性となるヒドロキシスチレンに由来する繰り返し単位を含むスチレン系樹脂である化学増幅型レジスト組成物。〔2〕粗樹脂(1)を活性炭と接触させて処理済樹脂(1)を得て、処理済樹脂(1)、酸発生剤及び有機溶媒を混合する工程を含む化学増幅型レジスト組成物の製造方法。
【選択図】 なし
【解決手段】〔1〕粗樹脂(1)を活性炭と接触させることにより得られる処理済樹脂(1)、酸発生剤及び溶媒を含み、該樹脂(1)は、(a)アルカリ水溶液に対して不溶又は難溶性の樹脂であるが、酸の作用によりアルカリ水溶液に可溶性となる樹脂で、脂環式炭化水素基を側鎖に有する繰り返し単位を含む(メタ)アクリル系樹脂又は(b)アルカリ水溶液に対して不溶又は難溶性であるが、酸の作用によりアルカリ水溶液に可溶性となるヒドロキシスチレンに由来する繰り返し単位を含むスチレン系樹脂である化学増幅型レジスト組成物。〔2〕粗樹脂(1)を活性炭と接触させて処理済樹脂(1)を得て、処理済樹脂(1)、酸発生剤及び有機溶媒を混合する工程を含む化学増幅型レジスト組成物の製造方法。
【選択図】 なし
Description
本発明は、遠紫外線(エキシマレーザー等を含む)、電子線、X線又は放射光のような高エネルギーの放射線によって作用するリソグラフィなどに適したフォトレジスト組成物に関する。
近年、集積回路の高集積化に伴い、サブミクロンのパターン形成が要求されるようになっている。特にフッ化クリプトン(KrF)又はフッ化アルゴン(ArF)からのエキシマレーザーを用いるリソグラフィは、64MDRAMないし1GDRAMの製造を可能とすることから、注目されている。このようなエキシマレーザリソグラフィプロセスに適した、いわゆる化学増幅型レジスト組成物の基本的構成は、バインダー成分、酸発生剤及び溶媒からなるものである。バインダー成分として、ポジ型の場合は、アルカリ水溶液に対して不溶又は難溶性の樹脂であるが、酸の作用によりアルカリ水溶液に可溶性となる樹脂が通常使用される(例えば、特許文献1、2)。
上記のような、高集積化した集積回路の製造目的で使用される化学増幅型ポジ型レジスト組成物溶液中に含まれる異物(樹脂由来による微細粒子やゴミ等)は、パターン形成時に発生する欠陥の原因になっている。よってこの問題を解決するためにフォトレジスト組成物に対して、組成物内に含まれる異物量の低減の要求は高い。
フォトレジスト組成物は、電子計算機などに使用されているIC、LSI等の製造工程における微細精密加工のパターン形成材料として用いられており、LSI等の高集積化に伴い、集積回路のデザインルールも0.35μmから0.1μm以下へと微細化している。このような微細加工に用いられるフォトレジスト組成物には、基本的性能、例えば解像度、感度、プロファイル、塗布性等に加えて、組成物中の各成分が溶媒に完溶し、長期保存後も良好な保存安定性を有することが要求されている。
また、化学増幅型レジスト組成物の製造においては、より精密な濾過が必要とされているものの、より精密な濾過は濾過時の目詰まり現象を招来するため、レジスト製造濾過工程において生産効率を悪化させる原因となる。従って、より精密な濾過において高濾過速度を有する化学増幅型レジスト組成物が望まれている。
本発明の目的は、優れた濾過特性を有し、レジストに使用される場合、シリコンウェハー上の欠陥の数が大幅に低減できる化学増幅型レジスト組成物及び該レジスト用樹脂組成物の製造方法を提供することにある。
本発明者らは、このような課題を解決するために鋭意検討した結果、本発明に到達した。
すなわち、本発明は、〔1〕粗樹脂(1)を活性炭と接触させることにより得られる処理済樹脂(1)、酸発生剤及び溶媒を含み、該樹脂(1)は、(a)アルカリ水溶液に対して不溶又は難溶性の樹脂であるが、酸の作用によりアルカリ水溶液に可溶性となる(メタ)アクリル系樹脂であって、かつ脂環式炭化水素基を側鎖に有する繰り返し単位を含む(メタ)アクリル系樹脂(以下、樹脂(a)と記す)又は(b)アルカリ水溶液に対して不溶又は難溶性であるが、酸の作用によりアルカリ水溶液に可溶性となるスチレン系樹脂であって、かつヒドロキシスチレンに由来する繰り返し単位を含むスチレン系樹脂(以下、樹脂(b)と記す)であることを特徴とする化学増幅型レジスト組成物に係るものである。
また、本発明は、〔2〕粗樹脂(1)を活性炭と接触させて処理済樹脂(1)を得て、処理済樹脂(1)、酸発生剤及び有機溶媒を混合する工程を含む化学増幅型レジスト組成物の製造方法であり、該樹脂(1)は、(a)アルカリ水溶液に対して不溶又は難溶性の樹脂であるが、酸の作用によりアルカリ水溶液に可溶性となる(メタ)アクリル系樹脂であって、かつ脂環式炭化水素基を側鎖に有する繰り返し単位を含む(メタ)アクリル系樹脂(以下、樹脂(a)と記す)又は(b)アルカリ水溶液に対して不溶又は難溶性であるが、酸の作用によりアルカリ水溶液に可溶性となるスチレン系樹脂であって、かつヒドロキシスチレンに由来する繰り返し単位を含むスチレン樹脂(以下、樹脂(b)と記す)である化学増幅型レジスト組成物の製造方法に係るものである。
すなわち、本発明は、〔1〕粗樹脂(1)を活性炭と接触させることにより得られる処理済樹脂(1)、酸発生剤及び溶媒を含み、該樹脂(1)は、(a)アルカリ水溶液に対して不溶又は難溶性の樹脂であるが、酸の作用によりアルカリ水溶液に可溶性となる(メタ)アクリル系樹脂であって、かつ脂環式炭化水素基を側鎖に有する繰り返し単位を含む(メタ)アクリル系樹脂(以下、樹脂(a)と記す)又は(b)アルカリ水溶液に対して不溶又は難溶性であるが、酸の作用によりアルカリ水溶液に可溶性となるスチレン系樹脂であって、かつヒドロキシスチレンに由来する繰り返し単位を含むスチレン系樹脂(以下、樹脂(b)と記す)であることを特徴とする化学増幅型レジスト組成物に係るものである。
また、本発明は、〔2〕粗樹脂(1)を活性炭と接触させて処理済樹脂(1)を得て、処理済樹脂(1)、酸発生剤及び有機溶媒を混合する工程を含む化学増幅型レジスト組成物の製造方法であり、該樹脂(1)は、(a)アルカリ水溶液に対して不溶又は難溶性の樹脂であるが、酸の作用によりアルカリ水溶液に可溶性となる(メタ)アクリル系樹脂であって、かつ脂環式炭化水素基を側鎖に有する繰り返し単位を含む(メタ)アクリル系樹脂(以下、樹脂(a)と記す)又は(b)アルカリ水溶液に対して不溶又は難溶性であるが、酸の作用によりアルカリ水溶液に可溶性となるスチレン系樹脂であって、かつヒドロキシスチレンに由来する繰り返し単位を含むスチレン樹脂(以下、樹脂(b)と記す)である化学増幅型レジスト組成物の製造方法に係るものである。
本発明のレジスト組成物は、優れた濾過特性を有する。本発明のレジスト組成物がレジストに使用される場合、シリコンウェハー上の欠陥の数が大幅に低減できる。従ってその工業的価値は顕著である。
以下、本発明をさらに詳細に説明する。
本発明の化学増幅型レジスト組成物は、粗樹脂(1)を活性炭と接触させることにより得られる処理済樹脂(1)、酸発生剤および溶媒を含む。
該樹脂(1)は、(a)アルカリ水溶液に対して不溶又は難溶性の樹脂であるが、酸の作用によりアルカリ水溶液に可溶性となる(メタ)アクリル系樹脂であって、かつ脂環式炭化水素基を側鎖に有する繰り返し単位を含む(メタ)アクリル系樹脂(以下、樹脂(a)と記すことがある。)又は(b)アルカリ水溶液に対して不溶又は難溶性であるが、酸の作用によりアルカリ水溶液に可溶性となるスチレン系樹脂であって、かつヒドロキシスチレンに由来する繰り返し単位を含むスチレン系樹脂(以下、樹脂(b)と記すことがある。)である。
(A)樹脂(a)
(メタ)アクリル系樹脂とは、アクリル系樹脂又はメタクリル系樹脂をいう。アクリル系樹脂とは、アクリル酸またはその誘導体に由来する繰り返し単位を含有する重合体をいい、メタクリル系樹脂とは、メタクリル酸またはその誘導体に由来する繰り返し単位又は2−(トリフルオロメチル)アクリル酸及びその誘導体に由来する繰り返し単位を含有する重合体をいう。
また(メタ)アクリル酸とは、アクリル酸、メタクリル酸または2−(トリフルオロメチル)アクリル酸をいう。
本発明の化学増幅型レジスト組成物は、粗樹脂(1)を活性炭と接触させることにより得られる処理済樹脂(1)、酸発生剤および溶媒を含む。
該樹脂(1)は、(a)アルカリ水溶液に対して不溶又は難溶性の樹脂であるが、酸の作用によりアルカリ水溶液に可溶性となる(メタ)アクリル系樹脂であって、かつ脂環式炭化水素基を側鎖に有する繰り返し単位を含む(メタ)アクリル系樹脂(以下、樹脂(a)と記すことがある。)又は(b)アルカリ水溶液に対して不溶又は難溶性であるが、酸の作用によりアルカリ水溶液に可溶性となるスチレン系樹脂であって、かつヒドロキシスチレンに由来する繰り返し単位を含むスチレン系樹脂(以下、樹脂(b)と記すことがある。)である。
(A)樹脂(a)
(メタ)アクリル系樹脂とは、アクリル系樹脂又はメタクリル系樹脂をいう。アクリル系樹脂とは、アクリル酸またはその誘導体に由来する繰り返し単位を含有する重合体をいい、メタクリル系樹脂とは、メタクリル酸またはその誘導体に由来する繰り返し単位又は2−(トリフルオロメチル)アクリル酸及びその誘導体に由来する繰り返し単位を含有する重合体をいう。
また(メタ)アクリル酸とは、アクリル酸、メタクリル酸または2−(トリフルオロメチル)アクリル酸をいう。
脂環式炭化水素基を側鎖に有する繰り返し単位は、以下、脂環式繰り返し単位と記すことがある。
脂環式繰り返し単位における脂環式炭化水素基としては、たとえば2−アルキル−2−アダマンチル基、1−(1−アダマンチル)−1−アルキルアルキル基等を挙げることができ、このような脂環式炭化水素基は繰り返し単位中の主鎖に結合する側鎖自体または該側鎖の一部を形成する。脂環式繰り返し単位は、ビニル単量体に由来する構造を有し、かつ脂環式炭化水素基を側鎖に有する繰り返し単位である。ビニル単量体に由来する構造としては、(メタ)アクリル酸エステルに由来する構造、(メタ)アクリルアミドに由来する構造等を挙げることができる。
脂環式繰り返し単位における脂環式炭化水素基としては、たとえば2−アルキル−2−アダマンチル基、1−(1−アダマンチル)−1−アルキルアルキル基等を挙げることができ、このような脂環式炭化水素基は繰り返し単位中の主鎖に結合する側鎖自体または該側鎖の一部を形成する。脂環式繰り返し単位は、ビニル単量体に由来する構造を有し、かつ脂環式炭化水素基を側鎖に有する繰り返し単位である。ビニル単量体に由来する構造としては、(メタ)アクリル酸エステルに由来する構造、(メタ)アクリルアミドに由来する構造等を挙げることができる。
脂環式繰り返し単位としては、脂環式炭化水素基を側鎖に有する(メタ)アクリル酸のエステルに由来する繰り返し単位が好ましく、この場合、(メタ)アクリル酸エステルに由来する構造におけるエステル部分を−COOYで表示するとき、Yが脂環式炭化水素基を表すこととなる。具体的には、アクリル酸イソボルニルに由来する繰り返し単位、メタクリル酸イソボルニルに由来する繰り返し単位、2−(トリフルオロメチル)アクリル酸イソボルニルに由来する繰り返し単位、アクリル酸2−アルキル−2−アダマンチルに由来する繰り返し単位、メタクリル酸2−アルキル−2−アダマンチルに由来する繰り返し単位、2−(トリフルオロメチル)アクリル酸2−アルキル−2−アダマンチルに由来する繰り返し単位、アクリル酸1−(1−アダマンチル)−1−アルキルアルキルに由来する繰り返し単位、メタクリル酸1−(1−アダマンチル)−1−アルキルアルキルに由来する繰り返し単位、2−(トリフルオロメチル)アクリル酸1−(1−アダマンチル)−1−アルキルアルキルに由来する繰り返し単位等を挙げることができる。
脂環式炭化水素基を側鎖に有する(メタ)アクリル酸のエステルとしては、アクリル酸2−アルキル−2−アダマンチル、メタクリル酸2−アルキル−2−アダマンチル、2−(トリフルオロメチル)アクリル酸2−アルキル−2−アダマンチル、アクリル酸1−(1−アダマンチル)−1−アルキルアルキル、メタクリル酸1−(1−アダマンチル)−1−アルキルアルキル、2−(トリフルオロメチル)アクリル酸1−(1−アダマンチル)−1−アルキルアルキル等の3級炭素がカルボキシル基と結合した(メタ)アクリル酸の脂環式炭化水素エステル;アクリル酸イソボルニル、メタクリル酸イソボルニル、2−(トリフルオロメチル)アクリル酸イソボルニル、アクリル酸2−アダマンチル、メタクリル酸2−アダマンチル、2−(トリフルオロメチル)アクリル酸2−アダマンチル、アクリル酸(1−アダマンチル)メチル、メタクリル酸(1−アダマンチル)メチル、2−(トリフルオロメチル)アクリレート、メタクリル酸2−(1−アダマンチル)エチル、2−(トリフルオロメチル)アクリル酸1−(1−アダマンチル)エチル等の1級または2級炭素がカルボキシル基と結合した(メタ)アクリル酸の脂環式炭化水素エステル等を挙げることができる。
3級炭素がカルボキシル基と結合した(メタ)アクリル酸の脂環式炭化水素エステルは、以下、3級脂環(メタ)アクリルエステルと記すことがある。1級または2級炭素がカルボキシル基と結合した(メタ)アクリル酸の脂環式炭化水素エステルは、以下、2級脂環(メタ)アクリルエステルと記すことがある。
3級炭素がカルボキシル基と結合した(メタ)アクリル酸の脂環式炭化水素エステルは、以下、3級脂環(メタ)アクリルエステルと記すことがある。1級または2級炭素がカルボキシル基と結合した(メタ)アクリル酸の脂環式炭化水素エステルは、以下、2級脂環(メタ)アクリルエステルと記すことがある。
脂環式繰り返し単位を含む(メタ)アクリル樹脂としては、脂環式炭化水素基を有する(メタ)アクリル酸のエステルに由来する繰り返し単位を含む重合体が挙げられ、具体的には脂環式炭化水素基を有する(メタ)アクリル酸のエステルに由来する繰り返し単位を含む共重合体を挙げることができる。脂環式繰り返し単位が3級脂環式(メタ)アクリルエステルに由来する繰り返し単位の場合には、脂環式繰り返し単位を含む(メタ)アクリル系樹脂として、その単独重合体を挙げることもできる。脂環式繰り返し単位を含む(メタ)アクリル系樹脂が共重合体の場合、脂環式繰り返し単位の樹脂(a)中の含有量は、好ましくは10モル%以上、さらに好ましくは30モル%以上である。樹脂(a)が(メタ)アクリル酸2−アルキル−2−アダマンチルまたは(メタ)アクリル酸1−(1−アダマンチル)−1−アルキルアルキルに由来する繰り返し単位を含む場合には、この繰り返し単位の含有量は15モル%以上が有利である。
樹脂(a)は、アルカリ水溶液に対して不溶又は難溶性であるが、酸の作用によりアルカリ水溶液に対し可溶性となる樹脂である。
該アルカリ水溶液に対して不溶又は難溶性であるが、酸の作用によりアルカリ水溶液に可溶性となる樹脂であるために、樹脂(a)は、酸に不安定な基を有する繰り返し単位を含む。具体的には酸の作用により解裂する基を有する繰り返し単位を含む。
酸の作用により解裂する基を有する繰り返し単位としては、前記した3級脂環式(メタ)アクリルエステルに由来する繰り返し単位、及びそれ以外のカルボン酸エステル構造を有する繰り返し単位を挙げることができる。ここで、それ以外のカルボン酸エステル構造のエステル部分を−COOXで表すとき、−OXは酸の作用により解裂する基であり、Xは3級アルコール残基または−CH(R2)−OR3であり、ここでR2は水素原子又は炭素数1〜5のアルキルを表し、R3は炭素数1〜3のアルキル、脂環式ハイドロカルビルオキシアルキル又は脂環式ハイドロカルビルカルボニルオキシアルキルを表すか、R2及びR3が結合して隣接する−O−と結合する−CH2−以外の少なくとも1個の−CH2−が−O−で置換されていてもよい炭素数5〜10のアルキレンを表す。
該アルカリ水溶液に対して不溶又は難溶性であるが、酸の作用によりアルカリ水溶液に可溶性となる樹脂であるために、樹脂(a)は、酸に不安定な基を有する繰り返し単位を含む。具体的には酸の作用により解裂する基を有する繰り返し単位を含む。
酸の作用により解裂する基を有する繰り返し単位としては、前記した3級脂環式(メタ)アクリルエステルに由来する繰り返し単位、及びそれ以外のカルボン酸エステル構造を有する繰り返し単位を挙げることができる。ここで、それ以外のカルボン酸エステル構造のエステル部分を−COOXで表すとき、−OXは酸の作用により解裂する基であり、Xは3級アルコール残基または−CH(R2)−OR3であり、ここでR2は水素原子又は炭素数1〜5のアルキルを表し、R3は炭素数1〜3のアルキル、脂環式ハイドロカルビルオキシアルキル又は脂環式ハイドロカルビルカルボニルオキシアルキルを表すか、R2及びR3が結合して隣接する−O−と結合する−CH2−以外の少なくとも1個の−CH2−が−O−で置換されていてもよい炭素数5〜10のアルキレンを表す。
具体的に、例えば下記式[1]で示される繰り返し単位や、不飽和脂環式カルボン酸エステルに由来する繰り返し単位を挙げることができる。
(式中、R1は、水素原子、メチル又はトリフルオロメチルを示す。Xは前記と同じ意味を示す)
3級アルコール残基としては、2−アルキル−2−アダマンチル基、1−(1−アダマンチル)−1−アルキルアルキル基等の3級炭素に結合手を有する脂環式炭化水素基、tert−ブチル等の3級アルキル基を挙げることができる。−CH(R2)−OR3で表される基としては、メトキシメチル、エトキシメチル、1−エトキシエチル、1−イソブトキシエチル、1−イソプロポキシエチル、1−エトキシプロピル、1−(2−メトキシエトキシ)エチル、1−(2−アセトキシエトキシ)エチル、1−〔2−(1−アダマンチルオキシ)エトキシ〕エチル、1−〔2−(1−アダマンタンカルボニルオキシ)エトキシ〕エチル、テトラヒドロ−2−フリル、テトラヒドロ−2−ピラニル等が挙げられる。
(式中、R1は、水素原子、メチル又はトリフルオロメチルを示す。Xは前記と同じ意味を示す)
3級アルコール残基としては、2−アルキル−2−アダマンチル基、1−(1−アダマンチル)−1−アルキルアルキル基等の3級炭素に結合手を有する脂環式炭化水素基、tert−ブチル等の3級アルキル基を挙げることができる。−CH(R2)−OR3で表される基としては、メトキシメチル、エトキシメチル、1−エトキシエチル、1−イソブトキシエチル、1−イソプロポキシエチル、1−エトキシプロピル、1−(2−メトキシエトキシ)エチル、1−(2−アセトキシエトキシ)エチル、1−〔2−(1−アダマンチルオキシ)エトキシ〕エチル、1−〔2−(1−アダマンタンカルボニルオキシ)エトキシ〕エチル、テトラヒドロ−2−フリル、テトラヒドロ−2−ピラニル等が挙げられる。
酸の作用により解裂する基を有する繰り返し単位へ導くモノマーとしては、3級脂環(メタ)アクリル酸エステル;メタクリル酸のエステルやアクリル酸のエステル等の他の(メタ)アクリル酸のエステル;ノルボルネンカルボン酸のエステル、トリシクロデセンカルボン酸のエステル、テトラシクロデセンカルボン酸のエステル等の不飽和脂環式カルボン酸のエステル等を挙げることができる。
これらのモノマーのうち、3級炭素に結合手を有する脂環式炭化水素基等の嵩高い基を有する単量体が、得られるレジスト組成物のより優れた解像度のためには好ましい。そのような嵩高い基を有する単量体として、例えば(メタ)アクリル酸2−アルキル−2−アダマンチル、(メタ)アクリル酸1−(1−アダマンチル)−1−アルキルアルキル、5−ノルボルネン−2−カルボン酸2−アルキル−2−アダマンチル、5−ノルボルネン−2−カルボン酸1−(1−アダマンチル)−1−アルキルアルキル等を挙げることができる。
それらの中でも、(メタ)アクリル酸2−アルキル−2−アダマンチル及び(メタ)アクリル酸1−(1−アダマンチル)−1−アルキルアルキルがさらに好ましい。これらは、酸の作用により解裂する嵩高い基を有するモノマーであるとともに、3級脂環式(メタ)アクリル酸エステルである。
とりわけ(メタ)アクリル酸2−アルキル−2−アダマンチルは、非常に優れた解像度のために特に好ましい。このような(メタ)アクリル酸2−アルキル−2−アダマンチルとしては、例えばアクリル酸2−メチル−2−アダマンチル、メタクリル酸2−メチル−2−アダマンチル、アクリル酸2−エチル−2−アダマンチル、メタクリル酸2−エチル−2−アダマンチル、アクリル酸2−n−ブチル−2−アダマンチルなどが挙げられる。これらの中では、特に(メタ)アクリル酸2−エチル−2−アダマンチルが、より良い感度と耐熱性のバランスのために好ましい。必要に応じ、酸の作用により解裂する基を持つ他のモノマーを併用してもよい。
それらの中でも、(メタ)アクリル酸2−アルキル−2−アダマンチル及び(メタ)アクリル酸1−(1−アダマンチル)−1−アルキルアルキルがさらに好ましい。これらは、酸の作用により解裂する嵩高い基を有するモノマーであるとともに、3級脂環式(メタ)アクリル酸エステルである。
とりわけ(メタ)アクリル酸2−アルキル−2−アダマンチルは、非常に優れた解像度のために特に好ましい。このような(メタ)アクリル酸2−アルキル−2−アダマンチルとしては、例えばアクリル酸2−メチル−2−アダマンチル、メタクリル酸2−メチル−2−アダマンチル、アクリル酸2−エチル−2−アダマンチル、メタクリル酸2−エチル−2−アダマンチル、アクリル酸2−n−ブチル−2−アダマンチルなどが挙げられる。これらの中では、特に(メタ)アクリル酸2−エチル−2−アダマンチルが、より良い感度と耐熱性のバランスのために好ましい。必要に応じ、酸の作用により解裂する基を持つ他のモノマーを併用してもよい。
(メタ)アクリル酸2−アルキル−2−アダマンチルは、通常、2−アルキル−2−アダマンタノール又はその金属塩とアクリル酸ハライド又はメタクリル酸ハライドとの反応により製造できる。
上記した酸に不安定な基を有する繰り返し単位に加えて、本発明の組成物に使用される樹脂(a)は、酸の作用により解裂しないか又は解裂しにくい他の繰り返し単位を含有することもできる。含有しうる他の繰り返し単位としては、例えば、アクリル酸やメタクリル酸等の不飽和カルボン酸に由来する繰り返し単位、無水マレイン酸や無水イタコン酸等の脂肪族不飽和ジカルボン酸無水物に由来する繰り返し単位、2−ノルボルネンに由来する繰り返し単位、(メタ)アクリロニトリルに由来する繰り返し単位、各種(メタ)アクリル酸エステルに由来する繰り返し単位などを挙げることができる。
特に、(メタ)アクリル酸3−ヒドロキシ−1−アダマンチルに由来する繰り返し単位、(メタ)アクリル酸3、5−ジヒドロキシ−1−アダマンチルに由来する繰り返し単位、ラクトン環上の水素の少なくとも1個がアルキルで置換されていてもよい(メタ)アクリロイロキシ−γ−ブチロラクトンに由来する繰り返し単位、下式(Ia)の繰り返し単位及び下式(Ib)の繰り返し単位からなる群から選ばれる少なくとも1種の繰り返し単位を酸の作用に解裂する基を有する繰り返し単位に加えて本発明の組成物における樹脂中に含有することは、レジストの基板への接着性の点から好ましい。
(式中、R4は、水素原子、メチル又はトリフルオロメチルを表し、R5は、メチル又はトリフルオロメチルを表し、nは、0〜3の整数を表す。nが2または3のときは、R5のそれぞれは、互いに同一でも異なってもよい。)
(メタ)アクリル酸3−ヒドロキシ−1−アダマンチル、(メタ)アクリル酸3、5−ジヒドロキシ−1−アダマンチルは市販されており、また例えば対応するヒドロキシアダマンタンを(メタ)アクリル酸又はそのハライドと反応させることにより、製造することもできる。
また、ラクトン環上の水素原子の少なくとも1個がアルキルで置換されていてもよい(メタ)アクリロイロキシ−γ−ブチロラクトンは、対応するα−もしくはβ−ブロモ−γ−ブチロラクトンにアクリル酸もしくはメタクリル酸を反応させるか、又は対応するα−もしくはβ−ヒドロキシ−γ−ブチロラクトンにアクリル酸ハライドもしくはメタクリル酸ハライドを反応させることにより製造できる。
式(Ia)、(Ib)の繰り返し単位に導くためのモノマーは、具体的には例えば、次のような水酸基を有する脂環式ラクトンの(メタ)アクリル酸エステル、それらの混合物等が挙げられる。これらのエステルは、例えば対応する水酸基を有する脂環式ラクトンと(メタ)アクリル酸類との反応により製造することができ、その製造方法は、例えば特開2000−26446号公報に記載されている。
また、ラクトン環上の水素原子の少なくとも1個がアルキルで置換されていてもよい(メタ)アクリロイロキシ−γ−ブチロラクトンは、対応するα−もしくはβ−ブロモ−γ−ブチロラクトンにアクリル酸もしくはメタクリル酸を反応させるか、又は対応するα−もしくはβ−ヒドロキシ−γ−ブチロラクトンにアクリル酸ハライドもしくはメタクリル酸ハライドを反応させることにより製造できる。
式(Ia)、(Ib)の繰り返し単位に導くためのモノマーは、具体的には例えば、次のような水酸基を有する脂環式ラクトンの(メタ)アクリル酸エステル、それらの混合物等が挙げられる。これらのエステルは、例えば対応する水酸基を有する脂環式ラクトンと(メタ)アクリル酸類との反応により製造することができ、その製造方法は、例えば特開2000−26446号公報に記載されている。
(メタ)アクリル酸3−ヒドロキシ−1−アダマンチルに由来する繰り返し単位、(メタ)アクリル酸3、5−ジヒドロキシ−1−アダマンチルに由来する繰り返し単位;α−(メタ)アクリロイロキシ−γ−ブチロラクトンに由来する繰り返し単位、β−(メタ)アクリロイロキシ−γ−ブチロラクトンに由来する繰り返し単位;式(Ia)、(Ib)で示される脂環式ラクトンに由来する繰り返し単位のいずれかが樹脂中に含まれると、レジストの基板への接着性が向上するのみならず、解像度も向上する。
ここで、(メタ)アクリロイロキシ−γ−ブチロラクトンとしては、例えば、α−アクリロイロキシ−γ−ブチロラクトン、α−メタクリロイロキシ−γ−ブチロラクトン、α−アクリロイロキシ−β,β−ジメチル−γ−ブチロラクトン、α−メタクリロイロキシ−β,β−ジメチル−γ−ブチロラクトン、α−アクリロイロキシ−α−メチル−γ−ブチロラクトン、α−メタクリロイロキシ−α−メチル−γ−ブチロラクトン、β−アクリロイロキシ−γ−ブチロラクトン、β−メタクリロイロキシ−γ−ブチロラクトン、β−メタクリロイロキシ−α−メチル−γ−ブチロラクトンなどが挙げられる。
酸の作用により解裂しないか又は解裂しにくい他の繰り返し単位を含有する場合、レジストが、酸に不安定な基として、2−アルキル−2−アダマンチル、1−(1−アダマンチル)−1−アルキルアルキルを酸不安定基として含むのが、ドライエッチング耐性の点から有利である。
また、2−ノルボルネンに由来する繰り返し単位を含む樹脂は、その主鎖に直接脂環基を有するために頑丈な構造を示し、ドライエッチング耐性に優れるという性能を示す。2−ノルボルネンに由来する繰り返し単位は、例えば対応する2−ノルボルネンの他に無水マレイン酸や無水イタコン酸のような脂肪族不飽和ジカルボン酸無水物を併用したラジカル重合により主鎖へ導入し得る。2−ノルボルネンに由来する繰り返し単位は、その二重結合が開くことにより形成され、式(II)で表すことができる。また、脂肪族不飽和ジカルボン酸無水物である無水マレイン酸から導かれる重合単位、無水イタコン酸から導かれる重合単位は、それらの二重結合が開くことにより形成され、それぞれ式(III)及び(IV)で表すことができる。
ここで、式(II)中のR6及びR7は、互いに独立に、水素原子、炭素数1〜3のアルキル、炭素数1〜3のヒドロキシアルキル、カルボキシル、シアノもしくは−COOZ基(Zはアルコール残基である)を表すか、又はR6とR7が一緒になって、−C(=O)OC(=O)−で示されるカルボン酸無水物残基を形成することもできる。
R6及びR7において、アルキルの具体例としては、メチル、エチル、プロピル及びイソプロピルが挙げられ、ヒドロキシアルキルの具体例としては、ヒドロキシメチル、2−ヒドロキシエチルなどが挙げられる。
R6及び/又はR7において、−COOZ基は、カルボキシルから形成されるエステルであり、Zに相当するアルコール残基としては、例えば、置換されていてもよい炭素数1〜8程度のアルキル、2−オキソオキソラン−3−又は−4−イルなどを挙げることができる。ここでアルキルの水素原子を置換する基としては、水酸基や脂環式炭化水素基などが挙げられる。
−COOZの具体例としては、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、2−ヒドロキシエトキシカルボニル、tert−ブトキシカルボニル、2−オキソオキソラン−3−イルオキシカルボニル、2−オキソオキソラン−4−イルオキシカルボニル、1,1,2−トリメチルプロポキシカルボニル、1−シクロヘキシル−1−メチルエトキシカルボニル、1−(4−メチルシクロヘキシル)−1−メチルエトキシカルボニル、1−(1−アダマンチル)−1−メチルエトキシカルボニル等が挙げられる。
R6及びR7において、アルキルの具体例としては、メチル、エチル、プロピル及びイソプロピルが挙げられ、ヒドロキシアルキルの具体例としては、ヒドロキシメチル、2−ヒドロキシエチルなどが挙げられる。
R6及び/又はR7において、−COOZ基は、カルボキシルから形成されるエステルであり、Zに相当するアルコール残基としては、例えば、置換されていてもよい炭素数1〜8程度のアルキル、2−オキソオキソラン−3−又は−4−イルなどを挙げることができる。ここでアルキルの水素原子を置換する基としては、水酸基や脂環式炭化水素基などが挙げられる。
−COOZの具体例としては、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、2−ヒドロキシエトキシカルボニル、tert−ブトキシカルボニル、2−オキソオキソラン−3−イルオキシカルボニル、2−オキソオキソラン−4−イルオキシカルボニル、1,1,2−トリメチルプロポキシカルボニル、1−シクロヘキシル−1−メチルエトキシカルボニル、1−(4−メチルシクロヘキシル)−1−メチルエトキシカルボニル、1−(1−アダマンチル)−1−メチルエトキシカルボニル等が挙げられる。
また、式(II)で示される繰り返し単位に導くために用いられるモノマーの具体例としては、次の化合物を挙げることができる。
2−ノルボルネン、2−ヒドロキシ−5−ノルボルネン、5−ノルボルネン−2−カルボン酸、5−ノルボルネン−2−カルボン酸メチル、5−ノルボルネン−2−カルボン酸−t−ブチル、5−ノルボルネン−2−カルボン酸1−シクロヘキシル−1−メチルエチル、5−ノルボルネン−2−カルボン酸1−(4−メチルシクロヘキシル)−1−メチルエチル、5−ノルボルネン−2−カルボン酸1−(4−ヒドロキシシクロヘキシル)−1−メチルエチル、5−ノルボルネン−2−カルボン酸1−メチル−1−(4−オキソシクロヘキシル)エチル、5−ノルボルネン−2−カルボン酸1−(1−アダマンチル)−1−メチルエチル、5−ノルボルネン−2−カルボン酸1−メチルシクロヘキシル、5−ノルボルネン−2−カルボン酸2−メチル−2−アダマンチル、5−ノルボルネン−2−カルボン酸2−エチル−2−アダマンチル、5−ノルボルネン−2−カルボン酸2−ヒドロキシエチル、5−ノルボルネン−2−メタノール、5−ノルボルネン−2,3−ジカルボン酸無水物など。
樹脂(1)が樹脂(a)の場合、パターニング露光用の放射線の種類や酸に不安定な基の種類などによっても変動するが、一般には、酸の作用で解裂する基を有する繰り返し単位を10〜80モル%の範囲で含有するのが好ましい。
また、酸に不安定な基を有する繰り返し単位に加えて、酸の作用で解裂しないまたは解裂しにくい他の繰り返し単位、例えば、(メタ)アクリル酸3−ヒドロキシ−1−アダマンチルに由来する繰り返し単位、(メタ)アクリル酸3、5−ジヒドロキシ−1−アダマンチルに由来する繰り返し単位、ラクトン環上の水素がアルキルで置換されていてもよい(メタ)アクリロイロキシ−γ−ブチロラクトンに由来する繰り返し単位、式(Ia)、(Ib)で示される脂環式ラクトンに由来する繰り返し単位、式(II)で示される2−ノルボルネンに由来する繰り返し単位、式(III)で示される無水マレイン酸に由来する繰り返し単位、式(IV)で示される無水イタコン酸に由来する繰り返し単位などを含有する場合は、それらの合計が、樹脂の全繰り返し単位のうち20〜90モル%の範囲となるようにするのが好ましい。
また、酸に不安定な基を有する繰り返し単位に加えて、酸の作用で解裂しないまたは解裂しにくい他の繰り返し単位、例えば、(メタ)アクリル酸3−ヒドロキシ−1−アダマンチルに由来する繰り返し単位、(メタ)アクリル酸3、5−ジヒドロキシ−1−アダマンチルに由来する繰り返し単位、ラクトン環上の水素がアルキルで置換されていてもよい(メタ)アクリロイロキシ−γ−ブチロラクトンに由来する繰り返し単位、式(Ia)、(Ib)で示される脂環式ラクトンに由来する繰り返し単位、式(II)で示される2−ノルボルネンに由来する繰り返し単位、式(III)で示される無水マレイン酸に由来する繰り返し単位、式(IV)で示される無水イタコン酸に由来する繰り返し単位などを含有する場合は、それらの合計が、樹脂の全繰り返し単位のうち20〜90モル%の範囲となるようにするのが好ましい。
また、酸に不安定な基を有する繰り返し単位に加えて、酸の作用で解裂しないまたは解裂しにくい他の繰り返し単位、例えば、(メタ)アクリル酸3−ヒドロキシ−1−アダマンチルに由来する繰り返し単位、(メタ)アクリル酸3、5−ジヒドロキシ−1−アダマンチルに由来する繰り返し単位、ラクトン環上の水素がアルキルで置換されていてもよい(メタ)アクリロイロキシ−γ−ブチロラクトンに由来する繰り返し単位、式(Ia)、(Ib)で示される脂環式ラクトンに由来する繰り返し単位、式(II)で示される2−ノルボルネンに由来する繰り返し単位、式(III)で示される無水マレイン酸に由来する繰り返し単位、式(IV)で示される無水イタコン酸に由来する繰り返し単位などを含有する場合は、それらの合計が、樹脂の全繰り返し単位のうち20〜90モル%の範囲となるようにするのが好ましい。
なお、2−ノルボルネン類及び脂肪族不飽和ジカルボン酸無水物を共重合モノマーとして使用する場合には、これらは重合しにくい傾向があるので、この点を考慮し、これらを過剰に使用することが好ましい。
本発明に用いられる粗樹脂(a)は、例えば、ラジカル重合法により製造することができる。粗樹脂(a)の製造において、通常、重合開始剤が用いられる。重合開始剤は樹脂(a)の製造に用いられる全ての単量体の合計100重量部に対して、通常0.01〜10重量部程度使用される。
重合開始剤としては、熱重合開始剤や光重合開始剤が使用できる。光重合開始剤としては、例えば、2−ヒドロキシ−4’−(2−ヒドロキシエトキシ)−2−メチルプロピオフェノンなどが挙げられる。熱重合開始剤としては、例えば、2,2’−アゾビスイソブチロニトリル、2,2’−アゾビス(2−メチルブチロニトリル)、1,1’−アゾビス(シクロヘキサン−1−カルボニトリル)、2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)、2,2’−アゾビス(2,4−ジメチル−4−メトキシバレロニトリル)、ジメチル−2,2’−アゾビス(2−メチルプロピオネート)、2,2’−アゾビス(2−ヒドロキシメチルプロピオニトリル)などのアゾ系化合物;ラウリルパーオキサイド、tert−ブチルハイドロパーオキサイド、過酸化ベンゾイル、tert−ブチルパーオキシベンゾエート、クメンヒドロパーオキシド、ジイソプロピルパーオキシジカーボネート、ジ−n−プロピルパーオキシジカーボネート、tert−ブチルパーオキシネオデカノエート、tert−ブチルパーオキシピバレート、(3,5,5−トリメチルヘキサノイル)パーオキシドなどの有機過酸化物;過硫酸カリウム、過硫酸アンモニウム、過酸化水素など無機過酸化物等が挙げられる。それぞれ単独で用いても良いし、少なくとも1種の他種と併用しても良い。
さらに、1−ブタンチオール、2−ブタンチオール、1−オクタンチオール、1−デカンチオール、1−テトラデカンチオール、シクロヘキサンチオール、2−メチル−1−プロパンチオール等の連鎖移動剤を、上記重合開始剤とともに使用することもできる。
粗樹脂(a)の製造において、有機溶媒は、モノマーと開始剤、及び得られる粗樹脂(a)のいずれも溶解できる溶媒が好ましい。このような有機溶媒としては、例えば、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類;エチルセロソルブアセテート、メチルセロソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等のグリコールエーテルエステル類;テトラヒドロフラン、1,4−ジオキサンなどのエーテル類;乳酸エチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミル及びピルビン酸エチル、γ−ブチロラクトン等のエステル類;アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、2−ヘプタノン、シクロヘキサノン等のケトン類;n−プロピルアルコール、イソプロピルアルコール等のアルコール類などが挙げられ、それぞれ単独で用いても良いし、他の少なくとも1種と併用しても良い。
粗樹脂(a)の製造におけるラジカル重合法の具体例としては、脂環式炭化水素基を側鎖に有するビニル単量体及び有機溶媒、必要によりさらに他のモノマーを窒素雰囲気下にて混合し、重合開始剤をそこに添加し、通常−50〜100℃、好ましくは30〜90℃にて、通常3〜10時間攪拌する方法を挙げることができる。上記反応において、反応を制御するために、単量体や重合開始剤の一部を重合中、又は有機溶媒に溶解したのちに添加してもよい。
本発明に用いられる粗樹脂(a)の重量平均分子量は、3000〜100000が好ましく、5000〜20000がさらに好ましい。
本発明に用いられる粗樹脂(a)の重量平均分子量は、3000〜100000が好ましく、5000〜20000がさらに好ましい。
本発明におけるスチレン系樹脂とは、スチレン又はその誘導体に由来する繰り返し単位を含有する重合体をいう。
ヒドロキシスチレンに由来する繰り返し単位としては、p−又はm−ビニルフェノールに由来する繰り返し単位、p−又はm−ヒドロキシ−α−メチルスチレン等に由来する繰り返し単位等が挙げられる。ヒドロキシスチレンに由来する繰り返し単位へ導くモノマーとしては、対応するp−又はm−ビニルフェノール、p−又はm−ヒドロキシ−α−メチルスチレン等を挙げることができる。
ヒドロキシスチレンに由来する繰り返し単位を含むスチレン系樹脂としては、ヒドロキシスチレンに由来する繰り返し単位を含む重合体が挙げられ、具体的にはヒドロキシスチレンに由来する繰り返し単位及び他の繰り返し単位を含む共重合体を挙げることができる。ヒドロキシスチレンに由来する繰り返し単位を好ましくは50モル%以上、さらに好ましくは70モル%以上含有する。
ヒドロキシスチレンに由来する繰り返し単位としては、p−又はm−ビニルフェノールに由来する繰り返し単位、p−又はm−ヒドロキシ−α−メチルスチレン等に由来する繰り返し単位等が挙げられる。ヒドロキシスチレンに由来する繰り返し単位へ導くモノマーとしては、対応するp−又はm−ビニルフェノール、p−又はm−ヒドロキシ−α−メチルスチレン等を挙げることができる。
ヒドロキシスチレンに由来する繰り返し単位を含むスチレン系樹脂としては、ヒドロキシスチレンに由来する繰り返し単位を含む重合体が挙げられ、具体的にはヒドロキシスチレンに由来する繰り返し単位及び他の繰り返し単位を含む共重合体を挙げることができる。ヒドロキシスチレンに由来する繰り返し単位を好ましくは50モル%以上、さらに好ましくは70モル%以上含有する。
本発明における樹脂(b)は、ヒドロキシスチレンに由来する繰り返し単位を含むスチレン系樹脂であるのみならず、アルカリ水溶液に対して不溶又は難溶性であるが、酸の作用によりアルカリ水溶液に対し可溶性となる樹脂である。
該アルカリ水溶液に対して不溶又は難溶性であるが、酸の作用によりアルカリ水溶液に対し可溶性となる樹脂であるために、樹脂(b)は、酸に不安定な基を有する繰り返し単位を含む。具体的には酸の作用により解裂する基を有する繰り返し単位を含む。
該アルカリ水溶液に対して不溶又は難溶性であるが、酸の作用によりアルカリ水溶液に対し可溶性となる樹脂であるために、樹脂(b)は、酸に不安定な基を有する繰り返し単位を含む。具体的には酸の作用により解裂する基を有する繰り返し単位を含む。
酸の作用により解裂する基を有する繰り返し単位としては、前記式[1]で示される繰り返し単位及び下記式[3]で示される繰り返し単位が挙げられる。
(式中、R8は水素原子又はメチルを表し、R9及びR10はそれぞれ独立して水素原子、炭素数1〜6のアルキル、炭素数3〜6のシクロアルキル、炭素数1〜6のハロアルキル、炭素数3〜6のハロシクロアルキル、又は置換されていても良いフェニル基を表すか、R9とR10が結合して炭素数5〜10のアルキレン鎖を形成していても良く、R11は炭素数1〜10のアルキル、炭素数3〜10のシクロアルキル、炭素数1〜10のハロアルキル、炭素数3〜10のハロシクロアルキルまたは炭素数7〜12のアラルキルを表す。)
R9及びR10において、炭素数1〜6のアルキルとしては、例えばメチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基、sec−ブチル基、n−ペンチル基、イソペンチル基、tert−ペンチル基、1−メチルペンチル基、n−ヘキシル基、イソヘキシル基等を挙げることができる。
炭素数3〜6のシクロアルキルとしては、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等を挙げることができる。炭素数1〜6のハロアルキル及び炭素数3〜6のハロシクロアルキルとしては、炭素数1〜6のアルキル、炭素数3〜6のシクロアルキルで例示した基の水素原子の少なくとも1個がフッ素、塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン原子で置換された基を挙げることができる。R9とR10を結合することにより形成される炭素数5〜10のアルキレン鎖としては、ペンタメチレン、ヘキサメチレン、オクタメチレン等を挙げることができる。置換されていてもよいフェニルとしては、たとえばフェニル、p−トリル等を挙げることができる。
炭素数3〜6のシクロアルキルとしては、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等を挙げることができる。炭素数1〜6のハロアルキル及び炭素数3〜6のハロシクロアルキルとしては、炭素数1〜6のアルキル、炭素数3〜6のシクロアルキルで例示した基の水素原子の少なくとも1個がフッ素、塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン原子で置換された基を挙げることができる。R9とR10を結合することにより形成される炭素数5〜10のアルキレン鎖としては、ペンタメチレン、ヘキサメチレン、オクタメチレン等を挙げることができる。置換されていてもよいフェニルとしては、たとえばフェニル、p−トリル等を挙げることができる。
R11において、炭素数1〜10のアルキルとしては、例えばメチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基、sec−ブチル基、n−ペンチル基、イソペンチル基、tert−ペンチル基、1−メチルペンチル基、n−ヘキシル基、イソヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基等を挙げることができる。
炭素数3〜10のシクロアルキルとしては、例えばシクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等を挙げることができる。炭素数1〜10のハロアルキル及び炭素数3〜10のハロシクロアルキルとしては、炭素数1〜10のアルキル、炭素数3〜10のシクロアルキルで例示した基の水素原子の少なくとも1個がフッ素、塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン原子で置換された基を挙げることができる。
炭素数7〜12のアラルキル基としては、例えばベンジル基、フェネチル基、フェニルプロピル基、メチルベンジル基、メチルフェネチル基、エチルベンジル基等が挙げられる。
炭素数3〜10のシクロアルキルとしては、例えばシクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等を挙げることができる。炭素数1〜10のハロアルキル及び炭素数3〜10のハロシクロアルキルとしては、炭素数1〜10のアルキル、炭素数3〜10のシクロアルキルで例示した基の水素原子の少なくとも1個がフッ素、塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン原子で置換された基を挙げることができる。
炭素数7〜12のアラルキル基としては、例えばベンジル基、フェネチル基、フェニルプロピル基、メチルベンジル基、メチルフェネチル基、エチルベンジル基等が挙げられる。
式[3]の繰り返し単位へ導くためのモノマーとしては、例えばp−又はm−1−メトキシ−1−メチルエトキシスチレン、p−又はm−1−ベンジルオキシ−1−メチルエトキシスチレン、p−又はm−1−ベンジルオキシエトキシスチレン、p−又はm−1−エトキシエトキシスチレン、p−又はm−1−メトキシエトキシスチレン、p−又はm−1−n−ブトキシエトキシスチレン、p−又はm−1−イソブトキシエトキシスチレン、p−又はm−1−(1,1−ジメチルエトキシ)−1−メチルエトキシスチレン、p−又はm−1−(1,1−ジメチルエトキシ)エトキシスチレン、p−又はm−1−(2−クロルエトキシ)エトキシスチレン、p−又はm−1−(2−エチルヘキシルオキシ)エトキシスチレン、p−又はm−1−エトキシ−1−メチルエトキシスチレン、p−又はm−1−n−プロポキシエトキシスチレン、p−又はm−1−メチル−1−n−プロポキシエトキシスチレン、p−又はm−1−メトキシプロポキシスチレン、p−又はm−1−エトキシプロポキシスチレン、p−又はm−1−メトキシブトキシスチレン、m−又はp−1−メトキシシクロヘキシルオキシスチレン、m−又はp−1−エトキシ−1−シクロヘキシルメトキシスチレン、p−又はm−1−シクロヘキシルオキシエトキシスチレン、p−又はm−(α−エトキシベンジル)オキシスチレン、p−又はm−〔α−エトキシ−(4−メチルベンジル)〕オキシスチレン、p−又はm−〔α−エトキシ−(4−メトキシベンジル)〕オキシスチレン、p−又はm−〔α−エトキシ−(4−ブロムベンジル)〕オキシスチレン、p−又はm−1−エトキシ−2−メチルプロポキシスチレン等、及びこれ等p−又はm−ヒドロキシスチレン誘導体と同様の置換基を有するp−又はm−ヒドロキシ−α−メチルスチレン誘導体が挙げられる。
本発明における樹脂(b)は、上記したヒドロキシスチレンに由来する繰り返し単位及び酸の作用により解裂する基を有する繰り返し単位に加えて、他の繰り返し単位を含有することも可能である。含有しうる他の繰り返し単位としては、下記式(4)で示される繰り返し単位、式(5)で示される繰り返し単位などが挙げられる。
R14において、炭素数1〜8のアルキルとしては、例えばメチル、エチル、n−プロピル、イソプロピル、n−ブチル、イソブチル、tert−ブチル、sec−ブチル、n−ペンチル、イソペンチル、tert−ペンチル、1−メチルペンチル、n−ヘキシル、イソヘキシル、ヘプチル、オクチル等を挙げることができる。炭素数3〜8のシクロアルキルとしては、例えばシクロペンチル、1−メチルシクロペンチル、シクロヘキシル、1−メチルシクロヘキシル等が挙げられる。飽和複素環基としては、例えばテトラヒドロピラニル、テトラヒドロフラニル等が挙げられる。炭素数6〜10のアリール基としては、フェニル基、4−メチルフェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基等を挙げることができる。
一般式(6)で示される基の具体例としては、例えばメトキシカルボニルオキシ、エトキシカルボニルオキシ、イソプロポキシカルボニルオキシ、イソブトキシカルボニルオキシ、sec−ブトキシカルボニルオキシ、tert−ブトキシカルボニルオキシ、イソペンチルオキシカルボニルオキシ、tert−ペンチルオキシカルボニルオキシ、1−メチルシクロヘキシルオキシカルボニルメチルオキシ、1−メチルシクロペンチルオキシカルボニルメチルオキシ、テトラヒドロピラニルオキシカルボニルメチルオキシ、テトラヒドロフラニルオキシカルボニルメチルオキシ、tert−ブトキシカルボニルメチルオキシ、アセチルオキシ、イソブタノイルオキシ、ピバロイルオキシ、イソバレロイルオキシ、シクロヘキシルカルボニルオキシ、ベンゾイルオキシ、4−メチルベンゾイルオキシ、1−ナフトイルオキシ、2−ナフトイルオキシ等が挙げられる。
式(4)の繰り返し単位へ導くモノマーとしては、具体的には例えばスチレン、p−又はm−メチルスチレン、p−又はm−tert−ブチルスチレン、p−又はm−メトキシスチレン、p−又はm−エトキシスチレン、p−又はm−イソプロポキシスチレン、p−又はm−tert−ブトキシスチレン、p−又はm−シクロヘキシルオキシスチレン、p−又はm−1−メチルシクロヘキシルオキシスチレン、p−又はm−1−メチルシクロペンチルオキシスチレン、p−又はm−テトラヒドロピラニルオキシスチレン、p−又はm−テトラヒドロフラニルオキシスチレン、p−又はm−アセチルオキシスチレン、p−又はm−イソブタノイルオキシスチレン、p−又はm−ピバロイルオキシスチレン、p−又はm−シクロヘキシルカルボニルオキシスチレン、p−又はm−ベンゾイルオキシスチレン、p−又はm−(4−メチルベンゾイル)オキシスチレン、p−又はm−1−ナフトイルオキシスチレン、p−又はm−2−ナフトイルオキシスチレン、p−又はm−メトキシカルボニルオキシスチレン、p−又はm−エトキシカルボニルオキシスチレン、p−又はm−イソプロポキシカルボニルオキシスチレン、p−又はm−イソブトキシカルボニルオキシスチレン、p−又はm−sec−ブトキシカルボニルオキシスチレン、p−又はm−tert−ブトキシカルボニルオキシスチレン、p−又はm−イソペンチルオキシカルボニルオキシスチレン、p−又はm−tert−ペンチルオキシカルボニルオキシスチレン、p−又はm−ビニルフェノキシ酢酸1−メチルシクロペンチル、p−又はm−ビニルフェノキシ酢酸1−メチルシクロヘキシル、p−又はm−ビニルフェノキシ酢酸テトラヒドロピラニル、p−又はm−ビニルフェノキシ酢酸tert−ブチル等を挙げることができる。
式(5)の繰り返し単位へ導くモノマーとしては、具体的には例えばアクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸n−プロピル、アクリル酸シクロヘキシル、アクリル酸イソボルニル、アクリル酸ノルボルニル、メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル、メタクリル酸n−プロピル、メタクリル酸シクロヘキシル、メタクリル酸イソボルニル、メタクリル酸ノルボルニル等を挙げることができる。
式(4)の繰り返し単位または式(5)の繰り返し単位は、露光部の現像速度を抑制して側壁形状を良好にしたり、近接効果の影響を抑制したり、マスクリニアリティを良好にしたりする目的で必要に応じて、樹脂(b)中に含有される。
粗樹脂(b)は、例えば、i)保護化されたヒドロキシスチレンをリビングラジカル重合またはリビングアニオン重合し、脱保護し、再保護化することにより、又はii)保護化されたヒドロキシスチレンもしくは保護化されたヒドロキシスチレンとビニル系モノマーをラジカル重合し、脱保護化し、再保護化することにより製造することができる。
リビングアニオン重合の場合、例えば、重合開始剤を有機溶媒に溶解し、脱水条件下で、−100〜0℃程度、好ましくは、−80℃〜−20℃程度で、有機溶媒に溶解させたtert−ブトキシスチレン等の保護化ヒドロキシスチレンを滴下、保温することにより、保護化ポリヒドロキシスチレンが得られる。
重合開始剤としては、sec−BuLi、n−BuLi、などの有機金属化合物が挙げられる。有機溶剤としては、ベンゼン、トルエン、テトラヒドロフラン、n−ヘキサンなどが挙げられる。
その後、得られた保護化ポリヒドロキシスチレンを有機溶媒に溶解させ、酸性条件下で、脱保護を行うことによりポリヒドロキシスチレンが得られる。有機溶媒としては、2−プロパノ−ル、ジオキサン、アセトニトリル、トルエン、メチルイソブチルケトンなどが挙げられる。それらはそれぞれ単独で又は2種以上組合せて用いられる。水と混和する溶媒の場合は、水との混合溶液の形で用いることもできる。酸としては、例えば、塩酸、臭化水素酸、p−トルエンスルホン酸などが用いられる。
このポリヒドロキシスチレンを保護化剤で保護化することにより、目的とする粗樹脂(b)が得られる。
このポリヒドロキシスチレンを保護化剤で保護化することにより、目的とする粗樹脂(b)が得られる。
リビングラジカル重合の場合、フリ−ラジカル開始剤と安定フリ−ラジカル作用剤、及び保護化ヒドロキシスチレンとを混合し、混合物を、通常100〜180℃程度、好ましくは110〜140℃程度で、通常5〜50時間程度で塊状重合、溶液重合、懸濁重合又は乳化重合することにより保護化ポリヒドロキシスチレンが得られる。
ここで使用されるフリ−ラジカル開始剤は、分解してフリ−ラジカルを生ずる化合物であればよく、具体的には、ベンゾイルパ−オキサイド、ジ−tert−ブチルパ−オキサイドのような過酸化物、2,2’−アゾビスイソブチロニトリル及び2,2’−アゾビスイソ酪酸ジメチルのようなアゾ化合物などが使用できる。
また、安定フリ−ラジカル作用剤とは、フリ−ラジカルの形で安定に存在する化合物で、ニトロキシドラジカル、ヒドラジニルラジカルが挙げられる。例えば、2,2,6,6−テトラメチル−1−ピペジニルオキシ(市販品名”TEMPO”)、4−アミノ−2,2,6,6−テトラメチル−1−ピペジニルオキシ、4−ヒドロキシ−2,2,6,6−テトラメチル−1−ピペジニルオキシ、4−オキソ−2,2,6,6−テトラメチル−1−ピペジニルオキシ、フェニルtert−ブチルニトロキシド及びジ−tert−ブチルニトロキシドのようなニトロキシド類や、2,2−ジ(4−tert−オクチルフェニル)−1−ピクリルヒドラジルなどが、安定フリ−ラジカル作用剤として使用できる。保護化ヒドロキシスチレンを重合させるにあたっては、安定フリ−ラジカル作用剤/フリ−ラジカル開始剤のモル比が0.7〜2.0の範囲となるように用いるのが好ましく、さらには、そのモル比が、1.0〜1.5の範囲となるようにするのがより好ましい。
その後、リビングアニオン重合の場合と同様にして、脱保護により、ポリヒドロキシスチレンに誘導し、このヒドロキシスチレン系樹脂を保護化剤で保護化することにより、目的とする粗樹脂(b)が得られる。
ラジカル重合の場合、保護化ヒドロキシスチレン単独または保護化ヒドロキシスチレンとビニル系モノマーとの混合モノマーを、樹脂(a)の製造方法と同様の方法で重合することにより、保護化ポリヒドロキシスチレンの単独または共重合体が得られる。
その後、リビングアニオン重合の場合と同様にして、脱保護により、ポリヒドロキシスチレンの単独または共重合体に誘導し、これを保護化剤で保護化することにより、目的とする粗樹脂(b)が得られる。
本発明のレジスト組成物に使用される樹脂(1)は、前記粗樹脂(1)を活性炭と接触させることにより得られる樹脂である。粗樹脂(1)を活性炭と接触させることによりえられる樹脂(1)は、以下、処理済樹脂(1)と記すことがある。
具体的には、粗樹脂(1)を有機溶媒に溶解し、得られる溶液と活性炭とを接触させ、次いで処理した活性炭を除去することにより得られる。
例えば、粗樹脂(1)を有機溶媒に溶解して、粉末状又は顆粒状の活性炭と一定時間撹拌接触させ、活性炭を濾別する方法が挙げられる。
具体的には、粗樹脂(1)を有機溶媒に溶解し、得られる溶液と活性炭とを接触させ、次いで処理した活性炭を除去することにより得られる。
例えば、粗樹脂(1)を有機溶媒に溶解して、粉末状又は顆粒状の活性炭と一定時間撹拌接触させ、活性炭を濾別する方法が挙げられる。
また、粉末状活性炭もしくは顆粒状活性炭、又は両者を充填したカラム中に、溶液形態の粗樹脂(1)を加圧下又は自然落下により通すことによって、活性炭と接触させることもできる。同様に、濾紙上に形成された粉末状活性炭もしくは顆粒状活性炭、又は両者の層からなる濾過床に、溶液形態の粗樹脂(1)を圧送又は自然落下により通すことによって接触させることもできる。活性炭との接触に充填塔又は濾過床を用いる場合、珪藻土等を濾過助剤として用いることもできる。カートリッジに充填した活性炭を専用のハウジングに装着して、樹脂(1)溶液を圧送又は自然落下させることにより接触させることもできる。
粗樹脂(1)と活性炭との接触において使用される有機溶媒としては、例えば、エチルセロソルブアセテート、メチルセロソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等のグリコールエーテルエステル類;乳酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミル、ピルビン酸エチル等のエステル類;アセトン、メチルイソブチルケトン、2−ヘプタノン、シクロヘキサノン等のケトン類;γ−ブチロラクトン等の環状エステル類などを挙げることができる。
これらの有機溶媒は、それぞれ単独で、又は他の少なくとも1種と組合せて用いることができる。組成物調製の簡便さのためには、レジスト組成物に含有される溶媒と同じ溶媒が好ましい。また、溶液中の樹脂(1)濃度は、通常1〜50重量%、好ましくは20〜30重量%である。
これらの有機溶媒は、それぞれ単独で、又は他の少なくとも1種と組合せて用いることができる。組成物調製の簡便さのためには、レジスト組成物に含有される溶媒と同じ溶媒が好ましい。また、溶液中の樹脂(1)濃度は、通常1〜50重量%、好ましくは20〜30重量%である。
活性炭は、平均細孔直径10〜50Å、平均径10〜100μm、比表面積500〜2000m2/gを有するのが好ましい。該活性炭として、例えば武田薬品工業(株)製のカルボラフィン(商品名)および白鷺P(商品名)が挙げられる。
活性炭の使用量は、粗樹脂(1)量に対して好ましくは0.01〜100重量%、さらに好ましくは1〜20重量%である。
活性炭の使用量は、粗樹脂(1)量に対して好ましくは0.01〜100重量%、さらに好ましくは1〜20重量%である。
粗樹脂(1)と活性炭との接触温度は、0〜100℃が好ましい。
粗樹脂(1)を有機溶媒に溶解して、粉末状又は顆粒状の活性炭と撹拌接触させる場合、接触時間は、通常1分〜100時間、好ましくは2〜6時間である。
粗樹脂(1)を有機溶媒に溶解して、粉末状又は顆粒状の活性炭と撹拌接触させる場合、接触時間は、通常1分〜100時間、好ましくは2〜6時間である。
処理後の活性炭除去に用いられるフィルターの材質は、使用する溶媒に対して適切な耐性を有するものであればよい。例えば、PTFE(ポリテトラフルオロエチレン)、ポリエチレン、ポリプロピレン等を挙げることができる。濾過方法としては、自然濾過、加圧濾過、減圧濾過、遠心濾過等の方法が挙げられる。
活性炭をフィルターにより除去する場合、濾過性を改良する目的で、濾過助剤を用いることもできる。濾過助剤としては、ラヂオライト、セライト等の珪藻土類、又はシリカゲル、化学修飾型シリカゲルなどを用いることができる。これらの濾過助剤は、それぞれ単独で、又は他の少なくとも1種と組合せて用いることができる。濾過助剤の使用量は、活性炭1重量部に対して通常は0.01〜100重量部、好ましくは0.1〜10重量部である。
本発明の化学増幅型レジスト組成物は、処理済樹脂(1)、酸発生剤及び溶媒を含有する。
該酸発生剤は、その物質自体に、又はその物質を含むレジスト組成物に、光、電子線等の放射線を照射することによって酸を発生する化合物である。酸発生剤から発生する酸は樹脂(1)に作用し、樹脂(1)に存在する酸不安定基を解裂させる。そのような酸発生剤は、例えば、オニウム塩化合物、有機ハロゲン化合物、スルホン化合物、スルホネート化合物などを含む。具体的には、次の化合物を挙げることができる。
該酸発生剤は、その物質自体に、又はその物質を含むレジスト組成物に、光、電子線等の放射線を照射することによって酸を発生する化合物である。酸発生剤から発生する酸は樹脂(1)に作用し、樹脂(1)に存在する酸不安定基を解裂させる。そのような酸発生剤は、例えば、オニウム塩化合物、有機ハロゲン化合物、スルホン化合物、スルホネート化合物などを含む。具体的には、次の化合物を挙げることができる。
ジフェニルヨードニウム トリフルオロメタンスルホネート、4−メトキシフェニルフェニルヨードニウム ヘキサフルオロアンチモネート、4−メトキシフェニルフェニルヨードニウム トリフルオロメタンスルホネート、ビス(4−tert−ブチルフェニル)ヨードニウム テトラフルオロボレート、ビス(4−tert−ブチルフェニル)ヨードニウム パーフルオロブタンスルホネート、ビス(4−tert−ブチルフェニル)ヨードニウム ヘキサフルオロホスフエート、ビス(4−tert−ブチルフェニル)ヨードニウム ヘキサフルオロアンチモネート、ビス(4−tert−ブチルフェニル)ヨードニウム トリフルオロメタンスルホネート、ビス(4−tert−ブチルフェニル)ヨードニウム カンファースルホネート
トリフェニルスルホニウム ヘキサフルオロホスフェート、トリフェニルスルホニウム ヘキサフルオロアンチモネート、トリフェニルスルホニウム トリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム パーフルオロブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム パーフルオロオクタンスルホネート、トリ(4−メチルフェニル)スルホニウム トリフルオロメタンスルホネート、トリ(4−メチルフェニル)スルホニウム パーフルオロブタンスルホネート、トリ(4−メチルフェニル)スルホニウム パーフルオロオクタンスルホネート、4−メチルフェニルジフェニルスルホニウム パーフルオロブタンスルホネート、4−メチルフェニルジフェニルスルホニウム ヘキサフルオロアンチモネート、4−メチルフェニルジフェニルスルホニウム トリフルオロメタンスルホネート、4−メトキシフェニルジフェニルスルホニウム ヘキサフルオロアンチモネート、4−メトキシフェニルジフェニルスルホニウム トリフルオロメタンスルホネート、p−トリルジフェニルスルホニウム トリフルオロメタンスルホネート、p−トリルジフェニルスルホニウム パーフルオロブタンスルホネート、p−トリルジフェニルスルホニウム トリフルオロメタンスルホネート、2,4,6−トリメチルフェニルジフェニルスルホニウム トリフルオロメタンスルホネート、4−tert−ブチルフェニルジフェニルスルホニウム トリフルオロメタンスルホネート、4−フェニルチオフェニルジフェニルスルホニウム ヘキサフルオロホスフェート、4−フェニルチオフェニルジフェニルスルホニウム ヘキサフルオロアンチモネート、1−(2−ナフトイルメチル)チオラニウム ヘキサフルオロアンチモネート、1−(2−ナフトイルメチル)チオラニウム トリフルオロメタンスルホネート、4−ヒドロキシ−1−ナフチルジメチルスルホニウム ヘキサフルオロアンチモネート、4−ヒドロキシ−1−ナフチルジメチルスルホニウム トリフルオロメタンスルホネート、シクロヘキシルメチル(2−オキソシクロヘキシル)スルホニウム トリフルオロメタンスルホネート、シクロヘキシルメチル(2−オキソシクロヘキシル)スルホニウム パーフルオロブタンスルホネート、シクロヘキシルメチル(2−オキソシクロヘキシル)スルホニウム パーフルオロオクタンスルホネート、
トリフェニルスルホニウム ヘキサフルオロホスフェート、トリフェニルスルホニウム ヘキサフルオロアンチモネート、トリフェニルスルホニウム トリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム パーフルオロブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム パーフルオロオクタンスルホネート、トリ(4−メチルフェニル)スルホニウム トリフルオロメタンスルホネート、トリ(4−メチルフェニル)スルホニウム パーフルオロブタンスルホネート、トリ(4−メチルフェニル)スルホニウム パーフルオロオクタンスルホネート、4−メチルフェニルジフェニルスルホニウム パーフルオロブタンスルホネート、4−メチルフェニルジフェニルスルホニウム ヘキサフルオロアンチモネート、4−メチルフェニルジフェニルスルホニウム トリフルオロメタンスルホネート、4−メトキシフェニルジフェニルスルホニウム ヘキサフルオロアンチモネート、4−メトキシフェニルジフェニルスルホニウム トリフルオロメタンスルホネート、p−トリルジフェニルスルホニウム トリフルオロメタンスルホネート、p−トリルジフェニルスルホニウム パーフルオロブタンスルホネート、p−トリルジフェニルスルホニウム トリフルオロメタンスルホネート、2,4,6−トリメチルフェニルジフェニルスルホニウム トリフルオロメタンスルホネート、4−tert−ブチルフェニルジフェニルスルホニウム トリフルオロメタンスルホネート、4−フェニルチオフェニルジフェニルスルホニウム ヘキサフルオロホスフェート、4−フェニルチオフェニルジフェニルスルホニウム ヘキサフルオロアンチモネート、1−(2−ナフトイルメチル)チオラニウム ヘキサフルオロアンチモネート、1−(2−ナフトイルメチル)チオラニウム トリフルオロメタンスルホネート、4−ヒドロキシ−1−ナフチルジメチルスルホニウム ヘキサフルオロアンチモネート、4−ヒドロキシ−1−ナフチルジメチルスルホニウム トリフルオロメタンスルホネート、シクロヘキシルメチル(2−オキソシクロヘキシル)スルホニウム トリフルオロメタンスルホネート、シクロヘキシルメチル(2−オキソシクロヘキシル)スルホニウム パーフルオロブタンスルホネート、シクロヘキシルメチル(2−オキソシクロヘキシル)スルホニウム パーフルオロオクタンスルホネート、
2−メチル−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、2,4,6−トリス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、2−フェニル−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、2−(4−クロロフェニル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、2−(4−メトキシフェニル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、2−(4−メトキシ−1−ナフチル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、2−(ベンゾ[d][1,3]ジオキソラン−5−イル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、2−(4−メトキシスチリル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、2−(3,4,5−トリメトキシスチリル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、2−(3,4−ジメトキシスチリル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、2−(2,4−ジメトキシスチリル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、2−(2−メトキシスチリル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、2−(4−ブトキシスチリル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、2−(4−ペンチルオキシスチリル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、
1−ベンゾイル−1−フェニルメチル p−トルエンスルホネート(通称ベンゾイントシレート)、2−ベンゾイル−2−ヒドロキシ−2−フェニルエチル p−トルエンスルホネート(通称α−メチロールベンゾイントシレート)、1,2,3−ベンゼントリイル トリス(メタンスルホネート)、2,6−ジニトロベンジル p−トルエンスルホネート、2−ニトロベンジル p−トルエンスルホネート、4−ニトロベンジル p−トルエンスルホネート、
ジフェニル ジスルホン、ジ−p−トリル ジスルホン、ビス(フェニルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(4−クロロフェニルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(p−トリルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(4−tert−ブチルフェニルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(2,4−キシリルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(シクロヘキシルスルホニル)ジアゾメタン、(ベンゾイル)(フェニルスルホニル)ジアゾメタン、
ジフェニル ジスルホン、ジ−p−トリル ジスルホン、ビス(フェニルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(4−クロロフェニルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(p−トリルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(4−tert−ブチルフェニルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(2,4−キシリルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(シクロヘキシルスルホニル)ジアゾメタン、(ベンゾイル)(フェニルスルホニル)ジアゾメタン、
N−(フェニルスルホニルオキシ)スクシンイミド、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)スクシンイミド、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)フタルイミド、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)−5−ノルボルネン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)ナフタルイミド、N−(10−カンフアースルホニルオキシ)ナフタルイミド、
(5−プロピルスルホニルオキシイミノ−5H−チオフェン−2−イリデン)−(2−メチルフェニル)アセトニトリル、(5−(4−メチルフェニル)スルホニルオキシイミノ−5H−チオフェン−2−イリデン)−(2−メチルフェニル)アセトニトリル、(5−ブチルスルホニルオキシイミノ−5H−チオフェン−2−イリデン)−(2−メチルフェニル)アセトニトリル、(5−オクチルスルホニルオキシイミノ−5H−チオフェン−2−イリデン)−(2−メチルフェニル)アセトニトリル、(5−(2,4,6−トリメチルフェニル)スルホニルオキシイミノ−5H−チオフェン−2−イリデン)−(2−メチルフェニル)アセトニトリル、(5−(2,4,6−トリイソプロピルフェニル)スルホニルオキシイミノ−5H−チオフェン−2−イリデン)−(2−メチルフェニル)アセトニトリル、(5−(4−ドデシルフェニル)スルホニルオキシイミノ−5H−チオフェン−2−イリデン)−(2−メチルフェニル)アセトニトリル、(5−(2−ナフチル)スルホニルオキシイミノ−5H−チオフェン−2−イリデン)−(2−メチルフェニル)アセトニトリル、(5−ベンジルスルホニルオキシイミノ−5H−チオフェン−2−イリデン)−(2−メチルフェニル)アセトニトリル、
(オキシジ−4,1−フェニレン)ビスジフェニルスルホニウム ビス(メタンスルホネート)、(オキシジ−4,1−フェニレン)ビスジフェニルスルホニウム ビス(ベンゼンスルホネート)、(オキシジ−4,1−フェニレン)ビスジフェニルスルホニウム ビス(p−トルエンスルホネート)、(オキシジ−4,1−フェニレン)ビスジフェニルスルホニウム ビス(カンファースルホネート)、(オキシジ−4,1−フェニレン)ビスジフェニルスルホニウム ビス(トリイソプロピルベンゼンスルホネート)、(オキシジ−4,1−フェニレン)ビスジフェニルスルホニウム ビス(ペンタフルオロベンゼンスルホネート)、(オキシジ−4,1−フェニレン)ビスジフェニルスルホニウム ビス(トリフルオロメタンスルホネート)、(オキシジ−4,1−フェニレン)ビスジフェニルスルホニウム ビス(パーフルオロブタンスルホネート)、(オキシジ−4,1−フェニレン)ビスジフェニルスルホニウム ビス(パーフルオロオクタンスルホネート)
(オキシジ−4,1−フェニレン)ビスジフェニルスルホニウム ビス(トリフルオロ−N−〔(パーフルオロメチル)スルホニル〕スルホネート)、(オキシジ−4,1−フェニレン)ビスジフェニルスルホニウム ビス(パーフルオロ−N−〔(パーフルオロエチル)スルホニル〕−1−エタンスルホンアミデート)、(オキシジ−4,1−フェニレン)ビスジフェニルスルホニウム ビス(パーフルオロ−N−〔(パーフルオロブチル)スルホニル〕−1−ブタンスルホンアミデート)、(オキシジ−4,1−フェニレン)ビスジフェニルスルホニウム ビス(トリフルオロ−N−〔(パーフルオロブチル)スルホニル〕−1−ブタンスルホンアミデート)、
(オキシジ−4,1−フェニレン)ビスジフェニルスルホニウム ビス(テトラフルオロボレート)、(オキシジ−4,1−フェニレン)ビスジフェニルスルホニウム ビス(ヘキサフルオロアルセネート)、(オキシジ−4,1−フェニレン)ビスジフェニルスルホニウム ビス(ヘキサフルオロアンチモネート)、(オキシジ−4,1−フェニレン)ビスジフェニルスルホニウム ビス(ヘキサフルオロホスフェート)、(オキシジ−4,1−フェニレン)ビスジ(4−tert−ブチルフェニル)スルホニウム ビス(トリフルオロメタンスルホネート)、(オキシジ−4,1−フェニレン)ビスジ(4−tert−ブチルフェニル)スルホニウム ビス(パーフルオロブタンスルホネート)、(オキシジ−4,1−フェニレン)ビスジ(p−トリル)スルホニウム ビス(トリフルオロメタンスルホネート)、トリフェニルスルホニウム (アダマンタン−1−イルメチル)オキシカルボニルジフルオロメタンスルホネートなど。
本発明のレジスト組成物における溶媒は、各成分を溶解し、適当な乾燥速度を有し、溶媒が蒸発した後に均一で平滑な塗膜を与えるものであればよく、この分野で一般に用いられている溶媒を使用しうる。
例えば、エチルセロソルブアセテート、メチルセロソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等のグリコールエーテルエステル類;乳酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミル、ピルビン酸エチル等のエステル類;アセトン、メチルイソブチルケトン、2−ヘプタノン、シクロヘキサノン等のケトン類;γ−ブチロラクトン等の環状エステル類などを挙げることができる。これらの溶媒は、それぞれ単独で、又は2種以上組み合わせて用いることができる。
例えば、エチルセロソルブアセテート、メチルセロソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等のグリコールエーテルエステル類;乳酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミル、ピルビン酸エチル等のエステル類;アセトン、メチルイソブチルケトン、2−ヘプタノン、シクロヘキサノン等のケトン類;γ−ブチロラクトン等の環状エステル類などを挙げることができる。これらの溶媒は、それぞれ単独で、又は2種以上組み合わせて用いることができる。
また、本発明の化学増幅型のレジスト組成物においては、塩基性化合物、特に塩基性含窒素有機化合物、例えばアミン類を、クエンチャーとして添加することにより、露光後の引き置きに伴う酸の失活による性能劣化を改良できる。クエンチャーに用いられる塩基性化合物の具体的な例としては、以下の各式で示されるようなものが挙げられる。
式中、R21、R22及びR17は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル、シクロアルキル又はアリールを表す。該アルキルは、好ましくは1〜6個程度の炭素原子を有し、該シクロアルキルは好ましくは5〜10個程度の炭素原子を有し、該アリールは、好ましくは6〜10個程度の炭素原子を有する。更に、該アルキル、シクロアルキル又はアリール上の水素原子の少なくとも1個は、それぞれ独立に、ヒドロキシル、アミノ、又は1〜6個の炭素数を有するアルコキシで置換されていてもよい。該アミノ上の水素原子の少なくとも1個は、それぞれ独立に1〜4個の炭素数を有するアルキル基で置換されていてもよい。
R23、R24及びR25は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル、シクロアルキル、アリール又はアルコキシを表す。該アルキルは、好ましくは1〜6個程度の炭素原子を有し、該シクロアルキルは、好ましくは5〜10個程度の炭素原子を有し、該アリールは、好ましくは6〜10個程度の炭素原子を有し、該アルコキシは、好ましくは1〜6個の炭素原子を有する。
更に、該アルキル、シクロアルキル、アリール、又はアルコキシ上の水素原子の少なくとも1個は、それぞれ独立に、ヒドロキシル、アミノ、又は1〜6個程度の炭素原子を有するアルコキシで置換されていてもよい。該アミノ上の水素原子の少なくとも1個は、1〜4個の炭素原子を有するアルキルで置換されていてもよい。
更に、該アルキル、シクロアルキル、アリール、又はアルコキシ上の水素原子の少なくとも1個は、それぞれ独立に、ヒドロキシル、アミノ、又は1〜6個程度の炭素原子を有するアルコキシで置換されていてもよい。該アミノ上の水素原子の少なくとも1個は、1〜4個の炭素原子を有するアルキルで置換されていてもよい。
R26は、アルキル又はシクロアルキルを表す。該アルキルは、好ましくは1〜6個程度の炭素原子を有し、該シクロアルキルは、好ましくは5〜10個程度の炭素原子を有する。更に該アルキル又はシクロアルキル上の水素原子の少なくとも1個は、それぞれ独立に、ヒドロキシル、アミノ、1〜6個の炭素原子を有するアルコキシ基、で置換されていてもよい。該アミノ上の水素原子の少なくとも1個は、1〜4個の炭素原子を有するアルキルで置換されていてもよい。
R27、R28、R29及びR30は、それぞれ独立にアルキル、シクロアルキル又はアリールを表す。該アルキルは、好ましくは1〜6個程度の炭素原子を有し、該シクロアルキルは、好ましくは5〜10個程度の炭素原子を有し、該アリールは、好ましくは6〜10個程度の炭素原子を有する。更に、該アルキル、シクロアルキル又はアリール上の水素原子の少なくとも1個は、それぞれ独立に、ヒドロキシル、アミノ、1〜6個の炭素原子を有するアルコキシ基で置換されていてもよい。該アミノ上の水素原子の少なくとも1個は、1〜4個の炭素原子を有するアルキルで置換されていてもよい。
Aは、アルキレン、カルボニル、イミノ、スルフィド又はジスルフィドを表す。該アルキレンは、好ましくは2〜6程度の炭素原子を有する。
また、R11〜R17において、直鎖構造と分岐構造の両方をとり得るものについては、そのいずれでもよい。更に、R21〜R30のなかで、直鎖状または分岐状となり得るものについては、これらのいずれであっても良い。
また、R11〜R17において、直鎖構造と分岐構造の両方をとり得るものについては、そのいずれでもよい。更に、R21〜R30のなかで、直鎖状または分岐状となり得るものについては、これらのいずれであっても良い。
このような化合物として、具体的には、ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、アニリン、2−,3−又は4−メチルアニリン、4−ニトロアニリン、1−又は2−ナフチルアミン、エチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、4,4′−ジアミノ−1,2−ジフェニルエタン、4,4′−ジアミノ−3,3′−ジメチルジフェニルメタン、4,4′−ジアミノ−3,3′−ジエチルジフェニルメタン、ジブチルアミン、ジペンチルアミン、ジヘキシルアミン、ジヘプチルアミン、ジオクチルアミン、ジノニルアミン、ジデシルアミン、N−メチルアニリン、ピペリジン、ジフェニルアミン、トリエチルアミン、トリメチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリペンチルアミン、トリヘキシルアミン、トリヘプチルアミン、トリオクチルアミン、トリノニルアミン、トリデシルアミン、メチルジブチルアミン、メチルジペンチルアミン、メチルジヘキシルアミン、メチルジシクロヘキシルアミン、メチルジヘプチルアミン、メチルジオクチルアミン、メチルジノニルアミン、メチルジデシルアミン、エチルジブチルアミン、エチルジペンチルアミン、エチルジヘキシルアミン、エチルジヘプチルアミン、エチルジオクチルアミン、エチルジノニルアミン、エチルジデシルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン、トリス〔2−(2−メトキシエトキシ)エチル〕アミン、トリイソプロパノールアミン、N,N−ジメチルアニリン、2,6−イソプロピルアニリン、イミダゾール、ピリジン、4−メチルピリジン、4−メチルイミダゾール、ビピリジン、2,2′−ジピリジルアミン、ジ−2−ピリジルケトン、1,2−ジ(2−ピリジル)エタン、1,2−ジ(4−ピリジル)エタン、1,3−ジ(4−ピリジル)プロパン、1,2−ビス(2−ピリジル)エチレン、1,2−ビス(4−ピリジル)エチレン、1,2−ビス(4−ピリジルオキシ)エタン、4,4′−ジピリジルスルフィド、4,4′−ジピリジルジスルフィド、1,2−ビス(4−ピリジル)エチレン、2,2′−ジピコリルアミン、3,3′−ジピコリルアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトライソプロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ−n−ヘキシルアンモニウムヒドロキシド、テトラ−n−オクチルアンモニウムヒドロキシド、フェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、3−トリフルオロメチルフェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、(2−ヒドロキシエチル)トリメチルアンモニウムヒドロキシド(通称:コリン)などを挙げることができる。
さらには、特開平11−52575号公報に開示されているような、ピペリジン骨格を有するヒンダードアミン化合物をクエンチャーとすることもできる。
本発明のレジスト組成物は、その全固形分量を基準に、樹脂(1)を80〜99.9重量%程度、そして酸発生剤を0.1〜20重量%程度の範囲で含有するのが好ましい。なお、全固形分量とは、組成物全量から溶媒量を差し引いた量を意味する。
また、クエンチャーとしての塩基性化合物を用いる場合は、本発明のレジスト組成物の全固形分量を基準に、0.01〜1重量%程度の範囲で含有するのが好ましい。
本発明の組成物はまた、必要に応じて、増感剤、溶解抑止剤、他の樹脂、界面活性剤、安定剤、染料など、各種の添加物を、本発明の目的を損なわない範囲で含有することもできる。
また、クエンチャーとしての塩基性化合物を用いる場合は、本発明のレジスト組成物の全固形分量を基準に、0.01〜1重量%程度の範囲で含有するのが好ましい。
本発明の組成物はまた、必要に応じて、増感剤、溶解抑止剤、他の樹脂、界面活性剤、安定剤、染料など、各種の添加物を、本発明の目的を損なわない範囲で含有することもできる。
本発明のレジスト組成物は、溶媒不溶性の微小粒子がより少なく、精密なフィルターにおける濾過性能の優れた組成物である。
本発明のレジスト組成物は、下記の規定により組成物を測定し、算出したとき、通常0.9以上の目詰まり度を有する。
レジスト組成物の目詰まり度の規定:
300mlの容量を有するホルダーに円形の直孔性メンブレンフィルター(直径:47mm、平均孔径:0.05μm、厚さ:6μm、孔密度:6×108孔/cm2)が装着された濾過装置中に、23℃でレジスト組成物を注入し、100kPaの圧力で加圧濾過を開始する。濾液は天秤の受器の上に集め、濾液の重量変化を1分ごとにチェックする。濾過時間と流出濾液の蓄積量を計測し、線速度を、1分間に流出される濾液量を有効濾過面積で割ることにより算出する。濾過開始後10分内に到達する線速度の最大値をV1として規定する(初期基準点における線速度)。流出濾液の蓄積量が、レジスト組成物の固形分量に換算して15gに達した点における線速度を、同様に計測、算出してV2と規定する。目詰まり度は、V2をV1で割ることにより算出される値である。
本発明のレジスト組成物は、下記の規定により組成物を測定し、算出したとき、通常0.9以上の目詰まり度を有する。
レジスト組成物の目詰まり度の規定:
300mlの容量を有するホルダーに円形の直孔性メンブレンフィルター(直径:47mm、平均孔径:0.05μm、厚さ:6μm、孔密度:6×108孔/cm2)が装着された濾過装置中に、23℃でレジスト組成物を注入し、100kPaの圧力で加圧濾過を開始する。濾液は天秤の受器の上に集め、濾液の重量変化を1分ごとにチェックする。濾過時間と流出濾液の蓄積量を計測し、線速度を、1分間に流出される濾液量を有効濾過面積で割ることにより算出する。濾過開始後10分内に到達する線速度の最大値をV1として規定する(初期基準点における線速度)。流出濾液の蓄積量が、レジスト組成物の固形分量に換算して15gに達した点における線速度を、同様に計測、算出してV2と規定する。目詰まり度は、V2をV1で割ることにより算出される値である。
直孔性メンブレンフィルターは、その孔がフィルターの表面から裏面にほぼ真直ぐに貫通するフィルターである。そのメンブレンフィルターは、通常ポリカーボネートでできている。
目詰まり度を決定するためのメンブレンフィルターは、市販されており、その商品名は、Nuclepore 0.05μm 47mm(輸入先:野村マイクロ・サイエンス株式会社、製造元:Whatman)である。
目詰まり度を決定するためのメンブレンフィルターは、市販されており、その商品名は、Nuclepore 0.05μm 47mm(輸入先:野村マイクロ・サイエンス株式会社、製造元:Whatman)である。
このようにして得られたレジスト組成物は、レジストとして使用される前に、必要により、さらに濾過を行うことができる。該濾過は公知の濾過方法により行うことができる。該濾過に使用されるフィルターの材質としては、脂肪族系ポリアミド、芳香族系ポリアミド、ポリエーテルスルホン、ポリスルホン、スルホン化ポリスルホン、ポリアクリルニトリル、ポリイミド、ポリビニルアルコール、ポリフッ化ビニリデン、セルロース、酢酸セルロース、ポリエーテル、ポリテトラフルオロエチレン、ポリカーボネート、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリエステル及びセラミック等を挙げることができる。溶剤耐性の点からは、ポリエチレン、ポリテトラフルオロエチレンが好ましい。
基体上に塗布され、乾燥されたレジスト膜には、パターニングのための露光処理が施され、次いで脱保護基反応を促進するための加熱処理を行った後、アルカリ現像液で現像される。ここで用いるアルカリ現像液は、この分野で用いられる各種のアルカリ性水溶液であることができるが、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドや(2−ヒドロキシエチル)トリメチルアンモニウムヒドロキシド(通称コリン)の水溶液が用いられることが多い。
上記において、本発明の実施の形態について説明を行ったが、上記に開示された本発明の実施の形態は、あくまで例示であって、本発明の範囲はこれらの実施の形態に限定されない。本発明の範囲は、特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲の記載と均等の意味及び範囲内でのすべての変更を含むものである。
次に実施例を挙げて、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例によってなんら限定されるものではない。例中にある部は、特記ないかぎり重量基準である。また、樹脂の重量平均分子量は、ポリスチレンを標準品として、ゲルパーミェーションクロマトグラフィーにより求めた値である。
合成例1(粗樹脂(A)の合成)
窒素置換された四つ口フラスコに、メタクリル酸2−エチル−2−アダマンチル、メタクリル酸3−ヒドロキシ−1−アダマンチル、及び5−アクリロイルオキシ−2,6−ノルボルナンカルボラクトンを、5:2.5:2.5のモル比(20.0部:9.5部:7.3部)で仕込み、全モノマーに対して2重量倍のメチルイソブチルケトンを加えて、溶液とした。そこに、開始剤としてアゾイソブチロニトリルを全モノマーに対して3.0モル%添加し、80℃で約8時間加熱した。その後、反応液を大量のヘプタンに注いで沈殿させる操作を3回行い、乾燥した。その結果、重量平均分子量が約9000の共重合体を得た。この共重合体を粗樹脂(A)とする。
窒素置換された四つ口フラスコに、メタクリル酸2−エチル−2−アダマンチル、メタクリル酸3−ヒドロキシ−1−アダマンチル、及び5−アクリロイルオキシ−2,6−ノルボルナンカルボラクトンを、5:2.5:2.5のモル比(20.0部:9.5部:7.3部)で仕込み、全モノマーに対して2重量倍のメチルイソブチルケトンを加えて、溶液とした。そこに、開始剤としてアゾイソブチロニトリルを全モノマーに対して3.0モル%添加し、80℃で約8時間加熱した。その後、反応液を大量のヘプタンに注いで沈殿させる操作を3回行い、乾燥した。その結果、重量平均分子量が約9000の共重合体を得た。この共重合体を粗樹脂(A)とする。
合成例2(粗樹脂(B)の合成)
1−イソブトキシエチル化(29%)ポリp−ヒドロキシスチレンの合成:
ポリヒドロキシスチレン(リビングアニオン重合により製造、重量平均分子量(Mw)19000、分散(Mw/Mn)1.08)350gとp−トルエンスルホン酸1水和物0.053gをメチルイソブチルケトン2100gに溶解し、そこへ、室温で、イソブチルビニルエ−テル116.64gを30分かけて滴下した。21℃で90時間攪拌後、トリエチルアミン0.062gを加えて数分間攪拌し、メチルイソブチルケトン700g、及びイオン交換水525gを加えて水洗分液した。得られた有機層にイオン交換水525gを加えて、水洗分液する操作を4回繰り返した。この有機層から溶媒を2206g留去して濃縮した後、プロピレングリコ−ルモノメチルエ−テルアセテ−ト3266gを加えて、さらに溶媒を3233g留去することにより溶媒置換し、樹脂溶液1332g(固形分濃度:32.9%)を得た。
1−イソブトキシエチル化(29%)ポリp−ヒドロキシスチレンの合成:
ポリヒドロキシスチレン(リビングアニオン重合により製造、重量平均分子量(Mw)19000、分散(Mw/Mn)1.08)350gとp−トルエンスルホン酸1水和物0.053gをメチルイソブチルケトン2100gに溶解し、そこへ、室温で、イソブチルビニルエ−テル116.64gを30分かけて滴下した。21℃で90時間攪拌後、トリエチルアミン0.062gを加えて数分間攪拌し、メチルイソブチルケトン700g、及びイオン交換水525gを加えて水洗分液した。得られた有機層にイオン交換水525gを加えて、水洗分液する操作を4回繰り返した。この有機層から溶媒を2206g留去して濃縮した後、プロピレングリコ−ルモノメチルエ−テルアセテ−ト3266gを加えて、さらに溶媒を3233g留去することにより溶媒置換し、樹脂溶液1332g(固形分濃度:32.9%)を得た。
1−エトキシエチル化(30%)ポリp−ヒドロキシスチレンの合成:
ポリヒドロキシスチレン(リビングアニオン重合により製造、重量平均分子量(Mw)19000、分散(Mw/Mn)1.08)100gとp−トルエンスルホン酸1水和物0.016gをメチルイソブチルケトン600gに溶解し、そこへ、室温で、エチルビニルエ−テル19.4gを30分かけて滴下した。21℃で3時間攪拌後、トリエチルアミン0.034gを加えて数分間攪拌し、メチルイソブチルケトン200g、及びイオン交換水150gを加えて水洗分液した。得られた有機層にイオン交換水150gを加えて、水洗分液する操作を4回繰り返した。この有機層から溶媒を581g留去して濃縮した後、プロピレングリコ−ルモノメチルエ−テルアセテ−ト944gを加えて、さらに溶媒を888g留去することにより溶媒置換し、樹脂溶液393g(固形分濃度:30.0%)を得た。
ポリヒドロキシスチレン(リビングアニオン重合により製造、重量平均分子量(Mw)19000、分散(Mw/Mn)1.08)100gとp−トルエンスルホン酸1水和物0.016gをメチルイソブチルケトン600gに溶解し、そこへ、室温で、エチルビニルエ−テル19.4gを30分かけて滴下した。21℃で3時間攪拌後、トリエチルアミン0.034gを加えて数分間攪拌し、メチルイソブチルケトン200g、及びイオン交換水150gを加えて水洗分液した。得られた有機層にイオン交換水150gを加えて、水洗分液する操作を4回繰り返した。この有機層から溶媒を581g留去して濃縮した後、プロピレングリコ−ルモノメチルエ−テルアセテ−ト944gを加えて、さらに溶媒を888g留去することにより溶媒置換し、樹脂溶液393g(固形分濃度:30.0%)を得た。
1−エトキシエチル化(42%)ポリp−ヒドロキシスチレンの合成:
ポリヒドロキシスチレン(リビングアニオン重合により製造、重量平均分子量(Mw)19000、分散(Mw/Mn)1.08)100gとp−トルエンスルホン酸1水和物0.016gをメチルイソブチルケトン600gに溶解し、そこへ、室温で、エチルビニルエ−テル28.2gを30分かけて滴下した。21℃で3時間攪拌後、トリエチルアミン0.034gを加えて数分間攪拌し、メチルイソブチルケトン200g、及びイオン交換水150gを加えて水洗分液した。得られた有機層にイオン交換水150gを加えて、水洗分液する操作を4回繰り返した。この有機層から溶媒を576g留去して濃縮した後、プロピレングリコ−ルモノメチルエ−テルアセテ−ト983gを加えて、さらに溶媒を924g留去することにより溶媒置換し、樹脂溶液409g(固形分濃度:30.0%)を得た。
ポリヒドロキシスチレン(リビングアニオン重合により製造、重量平均分子量(Mw)19000、分散(Mw/Mn)1.08)100gとp−トルエンスルホン酸1水和物0.016gをメチルイソブチルケトン600gに溶解し、そこへ、室温で、エチルビニルエ−テル28.2gを30分かけて滴下した。21℃で3時間攪拌後、トリエチルアミン0.034gを加えて数分間攪拌し、メチルイソブチルケトン200g、及びイオン交換水150gを加えて水洗分液した。得られた有機層にイオン交換水150gを加えて、水洗分液する操作を4回繰り返した。この有機層から溶媒を576g留去して濃縮した後、プロピレングリコ−ルモノメチルエ−テルアセテ−ト983gを加えて、さらに溶媒を924g留去することにより溶媒置換し、樹脂溶液409g(固形分濃度:30.0%)を得た。
1−イソブトキシエチル化(29%)ポリp−ヒドロキシスチレン16.82部、1−エトキシエチル化(30%)ポリp−ヒドロキシスチレン34.11部及び1−エトキシエチル化(42%)ポリp−ヒドロキシスチレン81.88部を仕込み、攪拌混合し、粗樹脂(B)溶液を得た。
実施例1
合成例1で合成した粗樹脂(A)25部を2−ヘプタノン75部に溶解した。この溶液に2.5部の活性炭:商品名カルボラフィン(武田薬品工業(株)製、細孔直径30Å、比表面積1500m2/g)を加えて4時間撹拌した。撹拌後、PTFE製の5μmフィルターで加圧濾過して樹脂(A)溶液を得た。
合成例1で合成した粗樹脂(A)25部を2−ヘプタノン75部に溶解した。この溶液に2.5部の活性炭:商品名カルボラフィン(武田薬品工業(株)製、細孔直径30Å、比表面積1500m2/g)を加えて4時間撹拌した。撹拌後、PTFE製の5μmフィルターで加圧濾過して樹脂(A)溶液を得た。
得られた樹脂(A)溶液の樹脂固形分として10部、酸発生剤として(4−メチルフェニル)ジフェニルスルホニウム パーフルオロブタンスルホネート0.25部、及びクエンチャーとして2,6−ジイソプロピルアニリン0.010部をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート27.1部、2−ヘプタノン27.1部(ただし、樹脂液からの持ち込み分も含む)、及びγ−ブチロラクトン2.9部に溶解し、粗レジスト組成物溶液を調製した。この粗レジスト組成物溶液をPTFE0.2μm及びUPE(Ultra High Molecular Weight Polyethlene)0.1μmフィルター(共に、日本マイクロリス株式会社製)により濾過後、レジスト組成物の一次濾過液を得た。
上記、レジスト組成物の一次濾過液を用いて、目詰まり度、微細粒子、基盤欠陥の測定を行った。
上記、レジスト組成物の一次濾過液を用いて、目詰まり度、微細粒子、基盤欠陥の測定を行った。
(目詰まり度測定)
ニュークリポアー平均粒径0.05μmフィルター(直孔性メンブレンフィルター、47mm径、輸入元;野村マイクロ・サイエンス株式会社、ポリカーボネート製)をSUS製フィルターホルダー(日本マイクロリス株式会社製)にセットしたのち上記試料を注ぎ入れ、窒素で100kPaに加圧した。流出した濾過液を重量天秤上の受器に受けてその重量変化を1分毎に読み、濾過時間と累積流出量を測定した。さらに、1分間隔の流出量を有効濾過面積(10.8cm2)で除して線速度を求めた。流出開始後、10分間以内に現れる線速度の最大値を初期基準点とした。累積流出量が全固形分重量換算で15g時点の線速度を用い、先の初期基準点で除して目詰まり度を算出した。
目詰まりのない試料においては、理論的な目詰まり度は1.00を示すが、フィルター膜と試料の相互作用、天秤精度、環境温度等の要因でいくらかの変動を受けるため、目詰まり度0.9以上のものを目詰まり傾向のない試料と判定した。
ニュークリポアー平均粒径0.05μmフィルター(直孔性メンブレンフィルター、47mm径、輸入元;野村マイクロ・サイエンス株式会社、ポリカーボネート製)をSUS製フィルターホルダー(日本マイクロリス株式会社製)にセットしたのち上記試料を注ぎ入れ、窒素で100kPaに加圧した。流出した濾過液を重量天秤上の受器に受けてその重量変化を1分毎に読み、濾過時間と累積流出量を測定した。さらに、1分間隔の流出量を有効濾過面積(10.8cm2)で除して線速度を求めた。流出開始後、10分間以内に現れる線速度の最大値を初期基準点とした。累積流出量が全固形分重量換算で15g時点の線速度を用い、先の初期基準点で除して目詰まり度を算出した。
目詰まりのない試料においては、理論的な目詰まり度は1.00を示すが、フィルター膜と試料の相互作用、天秤精度、環境温度等の要因でいくらかの変動を受けるため、目詰まり度0.9以上のものを目詰まり傾向のない試料と判定した。
(微細粒子の測定)
リオン(株)製自動微粒子測定器(KS−41型)にて0.2μm以上の粒子の個数(個/ml)の測定を行った。
リオン(株)製自動微粒子測定器(KS−41型)にて0.2μm以上の粒子の個数(個/ml)の測定を行った。
(基板欠陥の測定)
ケーエルエー・テンコール社製のウエハー欠陥検査装置(KLA)にて、塗膜の欠陥数の測定を行った。欠陥数が10個未満のものを○、10〜100個を△、>100個を×とした。
これら測定の結果を表1に示す。
ケーエルエー・テンコール社製のウエハー欠陥検査装置(KLA)にて、塗膜の欠陥数の測定を行った。欠陥数が10個未満のものを○、10〜100個を△、>100個を×とした。
これら測定の結果を表1に示す。
実施例2
合成例2で合成した粗樹脂(B)溶液159.4部をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート293部に溶解した。この溶液に2.5部の活性炭:商品名カルボラフィン(武田薬品工業(株)製、細孔直径30Å、比表面積1500m2/g)を加えて4時間撹拌した。撹拌後、PTFE製の5μmフィルターで加圧濾過して樹脂(B)溶液を得た。
合成例2で合成した粗樹脂(B)溶液159.4部をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート293部に溶解した。この溶液に2.5部の活性炭:商品名カルボラフィン(武田薬品工業(株)製、細孔直径30Å、比表面積1500m2/g)を加えて4時間撹拌した。撹拌後、PTFE製の5μmフィルターで加圧濾過して樹脂(B)溶液を得た。
得られた樹脂(B)溶液の樹脂固形分として13.5部、酸発生剤としてビス(シクロヘキシルスルホニル)ジアゾメタン0.5部、4−メチルフェニルジフェニルスルホニウムトシレート0.2部、クエンチャーとしてN−メチルジシクロヘキシルアミン0.01部、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド0.005部及び添加剤としてポリプロピレングリコール1000 0.135部、コハク酸イミド0.011部、ジメチルヒダントイン0.15部、ジメチルイミダゾリジノン0.15部をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート113.0部(ただし、樹脂液からの持ち込み分も含む)、及びγ−ブチロラクトン3.2部に溶解し、粗レジスト組成物溶液を調製した。この粗レジスト組成物溶液をPTFE0.1μm及びUPE(Ultra High Molecular Weight Polyethlene)0.05μmフィルター(共に、日本マイクロリス株式会社製)により濾過後、レジスト組成物の一次濾過液を得た。
上記レジスト組成物の一次濾過液について、実施例1と同様に目詰まり度、微細粒子、基板欠陥の測定を行った。結果を表1に示す。
比較例1
実施例1の粗レジスト組成物溶液調製において、樹脂(A)溶液の代わりに、合成例1で合成した樹脂(A)をそのまま用いた以外は、実施例1と同様の方法でレジスト組成物の一次濾過液を得た。
上記レジスト組成物の一次濾過液について、実施例1と同様に目詰まり度、微細粒子、基板欠陥の測定を行った。結果を表1に示す。
実施例1の粗レジスト組成物溶液調製において、樹脂(A)溶液の代わりに、合成例1で合成した樹脂(A)をそのまま用いた以外は、実施例1と同様の方法でレジスト組成物の一次濾過液を得た。
上記レジスト組成物の一次濾過液について、実施例1と同様に目詰まり度、微細粒子、基板欠陥の測定を行った。結果を表1に示す。
比較例2
実施例2の粗レジスト組成物溶液調製において、樹脂(B)溶液の代わりに、合成例2で合成した粗樹脂(B)溶液をそのまま用いた以外は、実施例2と同様の方法でレジスト組成物の一次濾過液を得た。
実施例2の粗レジスト組成物溶液調製において、樹脂(B)溶液の代わりに、合成例2で合成した粗樹脂(B)溶液をそのまま用いた以外は、実施例2と同様の方法でレジスト組成物の一次濾過液を得た。
上記レジスト組成物の一次濾過液について、実施例1と同様に目詰まり度、微細粒子、基板欠陥の測定を行った。結果を表1に示す。
本発明の化学増幅型レジスト組成物は、優れた濾過特性を有し、レジストに使用される場合、シリコンウェハー上の欠陥の数が大幅に低減できるので、半導体製造のためのArFやKrFなどのエキシマレーザーリソグラフィに好適に用いられる。
Claims (15)
- 粗樹脂(1)を活性炭と接触させることにより得られる処理済樹脂(1)、酸発生剤及び溶媒を含み、該樹脂(1)は、(a)アルカリ水溶液に対して不溶又は難溶性の樹脂であるが、酸の作用によりアルカリ水溶液に可溶性となる(メタ)アクリル系樹脂であって、かつ脂環式炭化水素基を側鎖に有する繰り返し単位を含む(メタ)アクリル系樹脂(以下、樹脂(a)と記す)又は(b)アルカリ水溶液に対して不溶又は難溶性であるが、酸の作用によりアルカリ水溶液に可溶性となるスチレン系樹脂であって、かつヒドロキシスチレンに由来する繰り返し単位を含むスチレン系樹脂(以下、樹脂(b)と記す)であることを特徴とする化学増幅型レジスト組成物。
- 樹脂(1)が、酸に不安定な基を有する繰り返し単位を含む請求項1に記載の化学増幅型レジスト組成物。
- 酸に不安定な基を有する繰り返し単位が酸の作用により解裂する基を有する繰り返し単位である請求項2に記載の化学増幅型レジスト組成物。
- 樹脂(1)における酸の作用により解裂する基を有する繰り返し単位の含有率が10〜80モル%である請求項3に記載の化学増幅型レジスト組成物。
- 樹脂(1)が樹脂(a)であり、脂環式炭化水素基を側鎖に有する繰り返し単位が、(メタ)アクリル酸2−アルキル−2−アダマンチルに由来する繰り返し単位及び(メタ)アクリル酸1−(1−アダマンチル)−1−アルキルアルキルに由来する繰り返し単位からなる群から選ばれる少なくとも1種の繰り返し単位である請求項1に記載の化学増幅型レジスト組成物。
- 樹脂(1)が樹脂(a)であり、樹脂(a)が(メタ)アクリル酸3−ヒドロキシ−1−アダマンチルに由来する繰り返し単位、(メタ)アクリル酸3,5−ジヒドロキシ−1−アダマンチルに由来する繰り返し単位、ラクトン環上の少なくとも1個の水素原子がアルキルで置き換わっていてもよい(メタ)アクリロイルオキシ−γ−ブチロラクトンに由来する繰り返し単位、下記式(Ia)の繰り返し単位及び下記式(Ib)の繰り返し単位からなる群から選ばれる少なくとも1種の繰り返し単位を含む請求項1に記載の化学増幅型レジスト組成物。
(式中、R4は水素原子、メチル又はトリフルオロメチルを表し、R5はメチル又はトリフルオロメチルを表し、nは0〜3の整数を表し、nが2又は3のとき、R5は互いに同一でも異なっていてもよい。) - 樹脂(1)が樹脂(a)であり、樹脂(a)が、脂肪族不飽和ジカルボン酸無水物に由来する繰り返し単位及び2−ノルボルネンに由来する繰り返し単位からなる群から選ばれる少なくとも1種の繰り返し単位をさらに含有する請求項1に記載の化学増幅型レジスト組成物。
- 樹脂(1)が樹脂(a)であり、樹脂(a)が、(メタ)アクリル酸エステル構造を有し、かつ脂環式炭化水素基を側鎖に有する繰り返し単位へ導く単量体を、芳香族炭化水素、エーテル、グリコールエーテルエステル、エステル、ケトン及びアルコールからなる群から選ばれる溶媒中で、−50〜100℃の温度範囲でラジカル重合により製造された樹脂である請求項1に記載の化学増幅型レジスト組成物。
- 樹脂(1)が樹脂(b)であり、酸の作用により解裂する基を有する繰り返し単位が式(3)で示される繰り返し単位である請求項3に記載の化学増幅型レジスト組成物。
(式中、R8は水素原子又はメチルを表し、R9及びR10はそれぞれ独立して水素原子、炭素数1〜6のアルキル、炭素数3〜6のシクロアルキル、炭素数1〜6のハロアルキル、炭素数3〜6のハロシクロアルキル又は置換されていてもよいフェニルを表すか、R9とR10が結合して炭素数5〜10のアルキレン鎖を形成し、R11は炭素数1〜10のアルキル、炭素数3〜10のシクロアルキル、炭素数1〜10のハロアルキル、炭素数3〜10のハロシクロアルキル又は炭素数7〜12のアラルキルを表す。) - 樹脂(1)が樹脂(b)であり、樹脂(b)が次式(4)の繰り返し単位及び次式(5)の繰り返し単位からなる群から選ばれる少なくとも1種の繰り返し単位を含む請求項1に記載の化学増幅型レジスト組成物。
(式中、R12は水素原子又はメチルを表し、R13は水素原子、炭素数1〜4のアルキル、炭素数1〜8のアルコキシ、炭素数3〜8のシクロアルキルオキシ又は次式(6)の基を表す。
(式中、R14は炭素数1〜8のアルキル、炭素数6〜10のアリール又は複素環基を表し、Qは単結合又は酸素原子を表し、lは0又は自然数を示す。))
(式中、R15は水素原子、メチル又はトリフルオロメチルを表わし、R16は1級又は2級炭素原子に結合部位を有する炭化水素基を表す。) - 樹脂(1)が樹脂(b)であり、粗樹脂(b)が、i)保護化されたヒドロキシスチレンをリビングラジカル重合又はリビングアニオン重合し、脱保護し、再保護することにより製造された樹脂、又はii)保護化されたヒドロキシスチレンもしくは保護化されたヒドロキシスチレンとビニルモノマーとをラジカル重合し、脱保護し、再保護することにより製造された樹脂である請求項1に記載の化学増幅型レジスト組成物。
- さらにアミンを含有する請求項1に記載の化学増幅型レジスト組成物。
- 組成物を下記規定により測定し算出するとき、組成物の目詰まり度が0.9以上であることを特徴とする請求項1に記載された化学増幅型レジスト組成物。
レジスト組成物の目詰まり度の規定:
300mlの容量を有するホルダーに円形の直孔性メンブレンフィルター(直径:47mm、平均孔径:0.05μm、厚さ:6μm、孔密度:6×108孔/cm2)が装着された濾過装置中に、23℃でレジスト組成物を注入し、100kPaの圧力で加圧濾過を開始する。濾液は天秤の受器の上に集め、濾液の重量変化を1分ごとにチェックする。濾過時間と流出濾液の蓄積量を計測し、線速度を、1分間に流出される濾液量を有効濾過面積で割ることにより算出する。濾過開始後10分内に到達する線速度の最大値をV1として規定する(初期基準点における線速度)。流出濾液の蓄積量が、レジスト組成物の固形分量に換算して15gに達した点における線速度を、同様に計測、算出してV2と規定する。目詰まり度は、V2をV1で割ることにより算出される値である。 - 粗樹脂(1)を活性炭と接触させて処理済樹脂(1)を得て、処理済樹脂(1)、酸発生剤及び有機溶媒を混合する工程を含む化学増幅型レジスト組成物の製造方法であり、該樹脂(1)は、
(a)アルカリ水溶液に対して不溶又は難溶性の樹脂であるが、酸の作用によりアルカリ水溶液に可溶性となる(メタ)アクリル系樹脂であって、かつ脂環式炭化水素基を側鎖に有する繰り返し単位を含む(メタ)アクリル系樹脂(以下、樹脂(a)と記す)又は
(b)アルカリ水溶液に対して不溶又は難溶性であるが、酸の作用によりアルカリ水溶液に可溶性となるスチレン系樹脂であって、かつヒドロキシスチレンに由来する繰り返し単位を含むスチレン樹脂(以下、樹脂(b)と記す)である
ことを特徴とする化学増幅型レジスト組成物の製造方法。
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Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7294450B2 (en) | 2005-07-28 | 2007-11-13 | Fujifilm Corporation | Chemical amplification-type resist composition and production process thereof |
| JP2010159399A (ja) * | 2008-12-09 | 2010-07-22 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 樹脂溶解液の精製方法、取得方法及び化学増幅型フォトレジスト組成物の製造方法 |
| JP2012013880A (ja) * | 2010-06-30 | 2012-01-19 | Sumitomo Chemical Co Ltd | レジスト組成物の製造方法 |
| EP2434342A1 (en) * | 2010-09-27 | 2012-03-28 | FUJIFILM Corporation | Method for producing curable composition for imprints |
| WO2014141876A1 (ja) * | 2013-03-15 | 2014-09-18 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法、これに用いられる有機溶剤現像用の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物及びその製造方法、電子デバイスの製造方法、並びに、電子デバイス |
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Families Citing this family (12)
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|---|---|---|---|---|
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| KR20070004649A (ko) * | 2004-01-27 | 2007-01-09 | 시바 스페셜티 케미칼스 홀딩 인크. | 열적으로 안정한 양이온성 광경화성 조성물 |
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| US20060102554A1 (en) * | 2004-11-12 | 2006-05-18 | Munirathna Padmanaban | Process for producing film forming resins for photoresist compositions |
| KR100732301B1 (ko) | 2005-06-02 | 2007-06-25 | 주식회사 하이닉스반도체 | 포토레지스트 중합체, 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한반도체 소자의 제조 방법 |
| US7473749B2 (en) * | 2005-06-23 | 2009-01-06 | International Business Machines Corporation | Preparation of topcoat compositions and methods of use thereof |
| CN1940726B (zh) * | 2005-09-29 | 2011-07-13 | 住友化学株式会社 | 制备化学放大正性光刻胶用树脂的方法 |
| KR101988931B1 (ko) * | 2012-12-31 | 2019-09-30 | 동우 화인켐 주식회사 | 감광성 수지 조성물 및 이로부터 제조되는 절연막 |
| WO2014175275A1 (ja) * | 2013-04-23 | 2014-10-30 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 新規脂環式エステル化合物、(メタ)アクリル共重合体およびそれを含む感光性樹脂組成物 |
| CN110531579A (zh) * | 2019-09-26 | 2019-12-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩模版及其制造方法、光刻方法、显示面板、曝光装置 |
| KR102619719B1 (ko) * | 2020-05-12 | 2023-12-28 | 삼성에스디아이 주식회사 | 반도체 포토레지스트용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법 |
| CN117826532B (zh) * | 2024-03-05 | 2024-05-07 | 烟台舜康生物科技有限公司 | 无光引发剂的光刻胶的制备方法 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5143997A (en) * | 1989-10-11 | 1992-09-01 | Daicel Chemical Industries, Ltd. | Polycarbonate-polyol composition and polycarbonate(meth) acrylate compositions and urethane(meth) acrylate compositions prepared therefrom |
| US5350714A (en) * | 1993-11-08 | 1994-09-27 | Shipley Company Inc. | Point-of-use purification |
| KR100466301B1 (ko) * | 1996-04-03 | 2005-09-28 | 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈, 엘.엘.씨 | 포토레지스트조성물 |
| JP3743187B2 (ja) * | 1998-05-08 | 2006-02-08 | 住友化学株式会社 | フォトレジスト組成物 |
| TWI277830B (en) * | 1999-01-28 | 2007-04-01 | Sumitomo Chemical Co | Resist composition |
| JP2001215704A (ja) * | 2000-01-31 | 2001-08-10 | Sumitomo Chem Co Ltd | 化学増幅型ポジ型レジスト組成物 |
| EP1143299B1 (en) * | 2000-04-04 | 2003-07-16 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Chemically amplified positive resist composition |
| TWI286664B (en) * | 2000-06-23 | 2007-09-11 | Sumitomo Chemical Co | Chemical amplification type positive resist composition and sulfonium salt |
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Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7294450B2 (en) | 2005-07-28 | 2007-11-13 | Fujifilm Corporation | Chemical amplification-type resist composition and production process thereof |
| JP2010159399A (ja) * | 2008-12-09 | 2010-07-22 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 樹脂溶解液の精製方法、取得方法及び化学増幅型フォトレジスト組成物の製造方法 |
| JP2012013880A (ja) * | 2010-06-30 | 2012-01-19 | Sumitomo Chemical Co Ltd | レジスト組成物の製造方法 |
| US8820541B2 (en) | 2010-09-27 | 2014-09-02 | Fujifilm Corporation | Method for producing curable composition for imprints |
| KR20120031908A (ko) * | 2010-09-27 | 2012-04-04 | 후지필름 가부시키가이샤 | 임프린트용 경화성 조성물의 제조방법 |
| JP2012094821A (ja) * | 2010-09-27 | 2012-05-17 | Fujifilm Corp | インプリント用硬化性組成物の製造方法 |
| EP2434342A1 (en) * | 2010-09-27 | 2012-03-28 | FUJIFILM Corporation | Method for producing curable composition for imprints |
| KR101912668B1 (ko) | 2010-09-27 | 2018-10-29 | 후지필름 가부시키가이샤 | 임프린트용 경화성 조성물의 제조방법 |
| WO2014141876A1 (ja) * | 2013-03-15 | 2014-09-18 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法、これに用いられる有機溶剤現像用の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物及びその製造方法、電子デバイスの製造方法、並びに、電子デバイス |
| JP2014178566A (ja) * | 2013-03-15 | 2014-09-25 | Fujifilm Corp | パターン形成方法、これに用いられる有機溶剤現像用の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物及びその製造方法、電子デバイスの製造方法、並びに、電子デバイス |
| KR20150119225A (ko) * | 2013-03-15 | 2015-10-23 | 후지필름 가부시키가이샤 | 패턴 형성 방법, 이것에 사용되는 유기용제 현상용의 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물 및 그 제조 방법, 전자 디바이스의 제조 방법, 및 전자 디바이스 |
| KR101702928B1 (ko) * | 2013-03-15 | 2017-02-06 | 후지필름 가부시키가이샤 | 패턴 형성 방법, 이것에 사용되는 유기용제 현상용의 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물 및 그 제조 방법, 전자 디바이스의 제조 방법, 및 전자 디바이스 |
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| WO2025205559A1 (ja) * | 2024-03-29 | 2025-10-02 | 富士フイルム株式会社 | 樹脂の製造方法、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の製造方法、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060822 |
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| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070410 |
