JP2004333882A - 反射型電極基板及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】低抵抗で仕事関数の大きい、有機ＥＬ素子の電極基板として有用な反射型電極基板及びその製造方法を提供する。
【解決の手段】基板上に少なくともＡｇからなる無機化合物層と、少なくとも酸化インジウム及びランタノイド系金属酸化物からなる金属酸化物層とをこの順で積層した反射型電極基板である。また、シュウ酸からなるエッチング液を用いて前記金属酸化物層をエッチングする工程と、燐酸、硝酸及び酢酸からなるエッチング液を用いて前記無機化合物層をエッチングする工程とを含む反射型電極基板の製造方法である。この方法により、低抵抗で仕事関数の大きい、有機ＥＬ素子の電極基板として有用な反射型電極基板を製造することができる。
【選択図】 図２
【解決の手段】基板上に少なくともＡｇからなる無機化合物層と、少なくとも酸化インジウム及びランタノイド系金属酸化物からなる金属酸化物層とをこの順で積層した反射型電極基板である。また、シュウ酸からなるエッチング液を用いて前記金属酸化物層をエッチングする工程と、燐酸、硝酸及び酢酸からなるエッチング液を用いて前記無機化合物層をエッチングする工程とを含む反射型電極基板の製造方法である。この方法により、低抵抗で仕事関数の大きい、有機ＥＬ素子の電極基板として有用な反射型電極基板を製造することができる。
【選択図】 図２
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、反射型液晶や発光素子における反射型電極基板及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来から反射型液晶は、▲１▼反射型であるため軽量で明るい表示が得られること、▲２▼バックライトが不要で消費電力を節約できること、▲３▼少ない消費電力で作動できるため、携帯用ディスプレイに好適であること等の理由から盛んに開発が進められている。
【０００３】
また、トップエミッション型有機エレクトロルミネッセンス（ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ：以下ＥＬと記す）は、▲１▼固体素子であるためハンドリング性に優れること、▲２▼自己発光するため他の発光部材を必要としないこと、▲３▼視認性に優れるためディスプレイに好適であること、▲４▼フルカラー化が容易であること等の理由から注目されている。
【０００４】
上記トップエミッション型有機ＥＬ等の表示機器における駆動用の電極層には、通常反射型電極が用いられている。この反射型電極としては、有機ＥＬ等の発光効率の観点から、反射率が高いものが好ましい。
【０００５】
有機ＥＬの反射型電極としては、例えば下記特許文献１に、ＯＬＥＤと接する層がＭｏ，Ｒｕ，Ｖ及びこれらの酸化物からなる反射型電極が開示されている。
【０００６】
下記特許文献２には、ＣｒとＣｒ酸化物との積層膜、及び上記Ｃｒ及びＣｒ酸化物の代わりに、Ｍｏ，Ｗ，Ｔａ，Ｎｂ，Ｎｉ及びＰｔ等の金属及びそれらの酸化物からなる積層膜を含む発光素子用の電極が開示されている。
【０００７】
下記特許文献３には、Ｃｒ、Ｔａ、Ｗ、ＴｉおよびＭｏ等からなる金属酸化物層であって、金属酸化物層の厚み／Ａｇ合金層の厚みの比を、金属酸化物層のエッチング速度／Ａｇ合金層のエッチング速度の比より小さくすることにより、金属酸化物層とＡｇ合金層間に生ずる段差を緩和することが提案されている。
【０００８】
一方、液晶駆動用の反射型電極としては、反射率の高いＡｇ等を使用できることが知られている。
【０００９】
【特許文献１】
ＷＯ００／６５８７９
【特許文献２】
特開２００２−２１６９７６号公報
【特許文献３】
特開２００３−３６０３７号公報
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記Ｍｏ，Ｗ，Ｔａ，Ｎｂ，Ｎｉ、ＰｔやＲｕ，Ｖ，Ｃｒ等からなる反射型電極は反射率が低いため、有機ＥＬの発光効率が低下してしまう。
【００１１】
また有機ＥＬの場合、反射型電極は陽極として用いられるため、発光効率の観点から、反射型電極の仕事関数は大きい方が好ましい。上記Ｍｏ等の金属群の仕事関数は比較的大きいが、有機化合物のイオン化ポテンシャルは５．６〜５．８ｅＶであるため、十分な値とはいえない。
【００１２】
反射率の大きなＡｇを反射型電極として使用する場合、Ａｇの仕事関数は４．２であり、有機化合物のイオン化ポテンシャルに対し、大きくはない。
【００１３】
本発明は上記問題に鑑みなされたものであり、▲１▼表面抵抗が小さく、▲２▼反射特性や耐久性に優れ、▲３▼仕事関数が大きい等の性質を有する反射型電極基板及び当該反射型電極基板の製造方法を提供することを目的とする。本発明の反射型電極基板はトップエミッション型有機ＥＬ素子用の電極基板として特に有用である。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
そこで上記課題に鑑み、鋭意研究の結果、本発明者等は反射型電極基板の電極層として、反射効率の大きいＡｇ等からなる無機化合物層と、特定の元素を含む金属酸化物層と、を積層して用いると、低い比抵抗を維持しつつ、仕事関数の大きな反射型電極基板が得られることを発見した。
【００１５】
１．本発明の第１グループは、基板上に少なくともＡｇからなる無機化合物層と、少なくとも酸化インジウム及びランタノイド系金属酸化物からなる金属酸化物層とを、この順で積層した反射型電極基板である。また本発明の第２グループは、シュウ酸からなるエッチング液により前記金属酸化物層をエッチングする工程と、燐酸、硝酸及び酢酸からなるエッチング液により前記無機化合物層をエッチングする工程とを含む前記反射型電極基板を製造する方法に関するものである。
【００１６】
２．本発明の第１グループの反射型電極基板において、金属酸化物層が結晶構造を有すると、その表面が粗くなるばかりでなく、表面に突起を有することにより、漏れ電流が発生することがある。このような反射型電極基板を有機ＥＬ素子に使用した場合、発光効率が悪くなる場合もあるため、金属酸化物層は非晶質であることが必須である。
【００１７】
金属酸化物層におけるインジウム原子の含有量は、金属酸化物層における全金属原子に対して６０原子％以上であるのが好ましい。インジウム原子の含有量が６０原子％未満となると、金属酸化物層の比抵抗が大きくなるため好ましくない。また金属酸化物層が結晶化し、漏れ電流が発生することを抑えるために、金属酸化物層の製膜時に水や水素を添加してもよい。さらにインジウム原子の含有量は、９６原子％以下であるのが好ましく、より好ましくは、９５原子％以下である。インジウム原子の含有量を９６原子％以下にすることにより、金属酸化物層の製膜時に水や水素を添加しなくても、金属酸化物層が非晶質となり、漏れ電流を防止することができる。また酸化亜鉛を添加することにより、金属酸化物層を非晶質にできる。その場合、［Ｉｎ］／（［Ｉｎ］＋［Ｚｎ］）（原子比）は０．７〜０．９５であり、好ましくは０．８５〜０．９５であり、より好ましくは０．８〜０．９である。ここで、［Ｉｎ］、［Ｚｎ］は金属酸化物層中のＩｎの原子数、Ｚｎの原子数を示す。また酸化亜鉛の代わりに、又は酸化亜鉛とともに酸化スズを金属酸化物層に添加してもよい。この場合、［Ｉｎ］／（［Ｉｎ］＋［Ｓｎ］）（原子比）は０．７〜０．９７であり、好ましくは０．８５〜０．９５であり、より好ましくは０．８５〜０．９５である。ここで、［Ｓｎ］は金属酸化物層中のＳｎの原子数を示す。尚、原子数とは、金属酸化物層の組成物中における単位体積あたりのＩｎ、Ｚｎ又はＳｎの原子の個数である。
【００１８】
また、金属酸化物層の仕事関数は５．２５ｅＶ以上が好ましい。より好ましい金属酸化物層の仕事関数は５．６０ｅＶ以上である。さらに好ましくは、５．８０ｅＶ以上である。
【００１９】
前記ランタノイド系金属酸化物は、酸化セリウム、酸化プラセオジウム、酸化ネオジウム、酸化サマリウム、酸化ユウロピウム、酸化ガドリニウム、酸化テルビウム、酸化ジスプロシウム、酸化ホルミウム、酸化エルビウム、酸化ツリウム、酸化イッテルビウム、及び酸化ルテチウムからなる群から選ばれる１種以上を含む。
【００２０】
そして、このランタノイド系金属酸化物のランタノイド系金属原子の含有割合が、金属酸化物層における金属酸化物の全金属原子に対して０．１〜２０原子％である。
【００２１】
金属酸化物層におけるランタノイド系金属原子の含有割合は、好ましくは１〜１０原子％未満であり、より好ましくは２〜５原子％未満である。添加量が０．１原子％未満となると、金属酸化物層の仕事関数が５．２５ｅＶ以上にならない場合がある。添加量が２０原子％以上となると、金属酸化物層の比抵抗が大きくなりすぎて導電性が低下してしまうことがあるので好ましくない。
【００２２】
金属酸化物層の厚さは２〜３００ｎｍであり、好ましくは３０〜２００ｎｍであり、より好ましくは１０〜１２０ｎｍである。金属酸化物層の厚さが２ｎｍ未満となると、無機化合物層を十分に保護することができない。金属酸化物層の厚さが３００ｎｍ超となると、反射型電極基板の反射効率が低くなり好ましくない。
【００２３】
無機化合物層の厚さは１０〜３００ｎｍであり、好ましくは３０〜２５０ｎｍであり、より好ましくは５０〜２００ｎｍである。無機化合物層の厚さが１０ｎｍ未満となると、発光部層からの光を十分に反射することができないばかりでなく、反射型電極の抵抗が大きくなりすぎる場合がある。無機化合物層の厚さが３００ｎｍ超となると、エッチング液を用いて無機化合物層をエッチングする際、無機化合物層に段差が生じてまうことがあるので好ましくない。無機化合物層の表面は拡散反射面であってもよい。
【００２４】
無機化合物層等を形成するための基板の材質は特に制限はない。例えばガラスを用いても良いし、プラスチック及びシリコン等を用いても良い。
【００２５】
前記無機化合物層は主成分であるＡｇの他にＡｕ，Ｃｕ，Ｐｄ，Ｚｒ，Ｎｉ，Ｃｏ及びＮｄから選ばれる１種以上の金属を０．１〜３ｗｔ％の範囲で含むことが好ましい。
【００２６】
無機化合物層におけるＡｕ，Ｃｕ，Ｐｄ，Ｚｒ，Ｎｉ，Ｃｏ又はＮｄの添加量は、０．１〜３ｗｔ％であり、好ましくは０．１〜２ｗｔ％であり、より好ましくは０．５〜２ｗｔ％である。添加量が０．１ｗｔ％未満となると、添加効果が十分に現れない。添加量が３ｗｔ％超となると、無機化合物層の導電性が低くなるので好ましくない。
【００２７】
上記Ａｕ等の金属の他に、第三成分として、無機化合物層の安定性や抵抗に影響しない範囲で別の金属を添加してもよい。
【００２８】
３．上記本発明の第１グループの反射型電極基板は、以下に記載する本発明の第２グループである反射型電極基板の製造方法により製造できる。
【００２９】
金属酸化物層は、酸素分圧が０〜５％の雰囲気中でスパッタリング製膜するのが好ましい。酸素分圧が５％以上となると、形成された金属酸化物層の比抵抗が大きくなりすぎる場合がある。酸素分圧は、０〜２％とするのがより好ましく、０〜１％とするのが特に好ましい。
【００３０】
本発明の第２グループの製造方法は、シュウ酸からなるエッチング液により前記金属酸化物層をエッチングする工程と、燐酸、硝酸及び酢酸からなるエッチング液により前記無機化合物層をエッチングする工程とを含む。
【００３１】
前記金属酸化物層をエッチングするエッチング液は、シュウ酸を１〜１０ｗｔ％含むことが好ましい。１ｗｔ％未満では、金属酸化物層のエッチング速度が遅い場合があり、１０ｗｔ％超では、シュウ酸の結晶が析出する場合がある。特に好ましくは、２〜５ｗｔ％である。
【００３２】
前記無機化合物層をエッチング液するエッチング液は、３０〜６０ｗｔ％の燐酸、１〜５ｗｔ％の硝酸、及び３０〜５０ｗｔ％の酢酸からなる。
【００３３】
前記無機化合物層をエッチングするエッチング液において、燐酸の濃度が３０ｗｔ％未満の場合、硝酸の濃度が１ｗｔ％未満の場合、又は酢酸の濃度が３０ｗｔ％未満の場合は、エッチング液の寿命が短くなるだけでなく、無機化合物層が十分にエッチングされずに残渣が出たり、無機化合物層をエッチングができなくなる場合がある。
【００３４】
上記エッチング液は、燐酸の濃度が３０〜５０ｗｔ％であり、硝酸の濃度が１〜５ｗｔ％であり、酢酸の濃度が３０〜５０ｗｔ％であるのがより好ましい。
【００３５】
本発明の反射型電極基板では、金属酸化物層が非晶質であるため、エッチングによる端面（エッチング面）の残渣がほとんど無い。また反射型電極がテーパー状になるため、対抗電極とのショート等が起こりにくい。
【００３６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好ましい実施の形態を図面に基づいて説明する。
【００３７】
【実施例１】
（ａ）金属酸化物層の形成及び仕事関数・比抵抗の測定
▲１▼金属酸化物層の形成
ＳｉＯ２をコーティングした青板ガラス基板を２００℃に加熱した後、酸化インジウム−酸化亜鉛−酸化セリウムターゲット（その組成原子％は［Ｉｎ］：［Ｚｎ］：［Ｃｅ］＝８０．７：１４．４：４．９である）を用いてスパッタリングを行った。これにより、青板ガラス基板上に厚さ１００ｎｍの金属酸化物層を形成した。
【００３８】
▲２▼金属酸化物層の仕事関数・比抵抗の測定
青板ガラス基板上に形成された上記金属酸化物層を紫外線照射することにより洗浄した後、この金属酸化物層の仕事関数を光電子分光装置（理研計器（株）製、ＡＣ−１）で測定したところ、５．９２ｅＶであった（表１）。また、金属酸化物層の比抵抗を抵抗率測定装置（三菱油化（株）製、ロレスタ）を用いて測定したところ、９６０μ・Ω・ｃｍであった（表１）。
【００３９】
（ｂ）反射型電極基板の製造、表面抵抗の測定及びエッチング性の検討
▲１▼ 反射型電極基板の製造
図１（１）に示すように、（ａ）▲１▼と同様に、ＳｉＯ２をコーティングした上記青板ガラス基板１０を２００℃に加熱した。Ａｇターゲット（［Ａｇ］：１００原子％）を用いてスパッタリングを行い、前記青板ガラス基板１０上に厚さ１００ｎｍの無機化合物層１１を形成した（図１（２））。次に、青板ガラス基板１０上の無機化合物層１１に、酸化インジウム−酸化亜鉛−酸化セリウムターゲット（その組成原子％は［Ｉｎ］：［Ｚｎ］：［Ｃｅ］＝８０．７：１４．４：４．９である）を用いてスパッタリングを行い、厚さ２０ｎｍの金属酸化物層１２を形成した（図１（３））。これにより、青板ガラス基板１０上に、無機化合物層１１及び金属酸化物層１２を積層した電極層１３を有する反射型電極基板１が得られた。
【００４０】
▲２▼ 表面抵抗の測定
得られた反射型電極基板１の表面抵抗を上記（ａ）▲２▼と同型の表面抵抗測定器を用いて測定したところ、１．２ Ω／□であった。
【００４１】
▲３▼ エッチング性の検討
この反射型電極基板１の金属酸化物層１２上にレジスト（日本ポリテック（株）製、商品名ＮＰＲ２０４８ＵＳＰ）を塗布し、フォトマスクを用いて紫外線を露光し、現像した後、１３０℃に加熱して１５分間ポストベークをすることにより、金属酸化物層１２上にレジストマスク１４を形成した（図１（４））。
【００４２】
シュウ酸水溶液（３．５ｗｔ％）により、青板ガラス基板１０上の金属酸化物層１２を３０℃でエッチングした。次に、燐酸（３０ｗｔ％）、硝酸（１．５ｗｔ％）及び酢酸（４０ｗｔ％）を含むエッチング液により無機化合物層１１を３０℃でエッチングした。これにより、図２に示す反射型電極基板１を製造した。
【００４３】
この金属酸化物層１２及び無機化合物層１１のエッチング面を走査電子顕微鏡（日立製作所（株）製、商品名Ｓ８００）により観察したところ、エッチングによる残渣や段差は認められず、上記レジストマスク１４のパターン通りに良好にエッチングされていた（表１）。
【００４４】
【実施例２〜１４】
（ａ）金属酸化物層の形成及び仕事関数・比抵抗の測定
▲１▼金属酸化物層の形成
実施例１（ａ）▲１▼において、金属酸化物層１２を形成する酸化インジウム−酸化亜鉛−酸化セリウムターゲット（その組成原子％は［Ｉｎ］：［Ｚｎ］：［Ｃｅ］＝８０．７：１４．４：４．９である）の代わりに、表１に記載のターゲットを用いてスパッタリングを行った。この点を除き、実施例１（ａ）▲１▼と同様の方法で青板ガラス基板１０上に金属酸化物層１２を形成した。
【００４５】
表１に示すように実施例２〜１４では、金属酸化物層を形成するターゲットの組成を少しずつ変えている。用いたターゲットの組成原子％は、表１に示す通りである。このように実施例２〜１４は、金属酸化物層１２のスパッタリングに用いたターゲットの組成を変化させたのものであり、これによって得られた金属酸化物層１２の物性を測定した結果を示すものである。
【００４６】
▲２▼ 金属酸化物層の仕事関数・比抵抗の測定
実施例１（ａ）▲２▼と同様に、上記青板ガラス基板上の金属酸化物層を紫外線洗浄し、この金属酸化物層の仕事関数及び比抵抗を測定した。結果を表１に示す。
【００４７】
（ｂ）反射型電極基板の製造、表面抵抗の測定及びエッチング性の検討
▲１▼ 反射型電極基板の製造
実施例１（ｂ）▲１▼において、金属酸化物層１２を形成する酸化インジウム−酸化亜鉛−酸化セリウムターゲット（その組成原子％は［Ｉｎ］：［Ｚｎ］：［Ｃｅ］＝８０．７：１４．４：４．９である）の代わりに、表１に示す各組成のターゲットを用いてスパッタリングを行った。この点を除き、いずれの実施例（２〜１４）も実施例１（ｂ）▲１▼と同様な方法で、図１（３）に示すような青板ガラス基板１０上に、無機化合物層１１及び金属酸化物層１２を形成した。このようにして、無機化合物層１１及び金属酸化物層１２を積層した電極層１３を有する反射型電極基板１が得られた。
【００４８】
▲２▼ 表面抵抗の測定
各実施例（２〜１４）において、得られた反射型電極基板１の表面抵抗を実施例１と同型の表面抵抗測定器を用いて測定した。この結果、いずれの実施例（２〜１４）においても、反射型電極基板１の表面抵抗の値は、１．２ Ω／□であった。
【００４９】
▲３▼ エッチング性の検討
また各実施例（２〜１４）において、図１（４）に示すように、実施例１（ｂ）▲３▼と同様な方法で、反射型電極基板１の金属酸化物層１２上にレジストマスク１４を形成した。次いで、実施例１（ｂ）▲３▼と同様な方法で、金属酸化物層１２及び無機化合物層１１をエッチングし、図２に示す反射型電極基板１を製造した。
【００５０】
この無機化合物層１１及び金属酸化物層１２のエッチング面を実施例１と同型の走査電子顕微鏡により観察したところ、いずれの実施例（２〜１４）においても、エッチングによる残渣や段差は認められず、上記レジストマスク１４のパターン通りに良好にエッチングされていた（表１）。
【００５１】
【表１】
【００５２】
【実施例１５】
（ａ）反射型電極基板の製造及びエッチング性の検討
▲１▼ 反射型電極基板の製造
実施例１（ｂ）▲１▼において、無機化合物層１１を形成するＡｇターゲット（Ａｇ：１００原子％）の代わりに、Ａｇ−Ａｕ−Ｐｄターゲット（その組成原子％は［Ａｇ］：［Ａｕ］：［Ｐｄ］＝９８．５：１．０：０．５である）を用いてスパッタリングを行った。この点を除き、実施例１（ｂ）▲１▼と同様に、青板ガラス基板１０上に、無機化合物層１１及び金属酸化物層１２を積層した電極層１３をを有する反射型電極基板１を製造した（図１（３））。
【００５３】
▲２▼ エッチング性の検討
図１（４）に示すように、実施例１（ｂ）▲３▼と同様の方法で、反射型電極基板１の金属酸化物層１２上にレジストマスク１４を形成した。次いで、実施例１（ｂ）▲３▼と同様な方法で、金属酸化物層１２及び無機化合物層１１をエッチングし、図２に示す反射型電極基板１を製造した。
【００５４】
この無機化合物層１１及び金属酸化物層１２のエッチング面を実施例１と同型の走査電子顕微鏡により観察したところ、エッチングによる残渣や段差は認められず、上記レジストマスク１４のパターン通りに良好にエッチングされていた。
【００５５】
【実施例１６】
（ａ）反射型電極基板の製造及びエッチング性の検討
▲１▼ 反射型電極基板の製造
実施例１（ｂ）▲１▼において、無機化合物層１１を形成するＡｇターゲット（［Ａｇ］：１００原子％）の代わりに、Ａｇ−Ａｕ−Ｃｕターゲット（その組成原子％は［Ａｇ］：［Ａｕ］：［Ｃｕ］＝９８．５：１．０：０．５である）を用いてスパッタリングを行った。この点を除き、実施例１（ｂ）▲１▼と同様に、青板ガラス基板１０上に、無機化合物層１１及び金属酸化物層１２を積層した電極層１３をを有する反射型電極基板１を製造した（図１（３））。
【００５６】
▲２▼ エッチング性の検討
図１（４）に示すように、実施例１（ｂ）▲３▼と同様の方法で、反射型電極基板１の金属酸化物層１２上にレジストマスク１４を形成した。次いで、実施例１（ｂ）▲３▼と同様な方法で、金属酸化物層１２及び無機化合物層１１をエッチングし、図２に示す反射型電極基板１を製造した。
【００５７】
この無機化合物層１１及び金属酸化物層１２のエッチング面を実施例１と同型の走査電子顕微鏡により観察したところ、エッチングによる残渣や段差は認められず、上記レジストマスク１４のパターン通りに良好にエッチングされていた。
【００５８】
【実施例１７】
（ａ）反射型電極基板の製造及びエッチング性の検討
▲１▼ 反射型電極基板の製造
実施例１（ｂ）▲１▼において、無機化合物層１１を形成するＡｇターゲット（Ａｇ：１００原子％）の代わりに、Ａｇ−Ｎｄターゲット（その組成原子％は［Ａｇ］：［Ｎｄ］＝９９．０：１．０である）を用いてスパッタリングを行った。この点を除き、実施例１（ｂ）▲１▼と同様に、青板ガラス基板１０上に、無機化合物層１１及び金属酸化物層１２を積層した電極層１３をを有する反射型電極基板１を製造した（図１（３））。
【００５９】
▲２▼ エッチング性の検討
図１（４）に示すように、実施例１（ｂ）▲３▼と同様の方法で、反射型電極基板１の金属酸化物層１２上にレジストマスク１４を形成した。次いで、実施例１（ｂ）▲３▼と同様な方法で、金属酸化物層１２及び無機化合物層１１をエッチングし、図２に示す反射型電極基板１を製造した。
【００６０】
この無機化合物層１１及び金属酸化物層１２のエッチング面を実施例１と同型の走査電子顕微鏡により観察したところ、エッチングによる残渣や段差は認められず、上記レジストマスク１４のパターン通りに良好にエッチングされていた。
【００６１】
【実施例１８】
（ａ）反射型電極基板の製造及びエッチング性の検討
▲１▼ 反射型電極基板の製造
実施例１（ｂ）▲１▼において、無機化合物層１１を形成するＡｇターゲット（Ａｇ：１００原子％）の代わりに、Ａｇ−Ｚｒ−Ｎｉ−Ｃｏターゲット（その組成原子％は［Ａｇ］：［Ｚｒ］：［Ｎｉ］：［Ｃｏ］＝９６．０：１．０：１．５：１．５である）を用いてスパッタリングを行った。この点を除き、実施例１（ｂ）▲１▼と同様に、青板ガラス基板１０上に、無機化合物層１１及び金属酸化物層１２を積層した電極層１３をを有する反射型電極基板１を製造した（図１（３））。
【００６２】
▲２▼ エッチング性の検討
図１（４）に示すように、実施例１（ｂ）▲３▼と同様の方法で、反射型電極基板１の金属酸化物層１２上にレジストマスク１４を形成した。次いで、実施例１（ｂ）▲３▼と同様な方法で、金属酸化物層１２及び無機化合物層１１をエッチングし、図２に示す反射型電極基板１を製造した。
【００６３】
この無機化合物層１１及び金属酸化物層１２のエッチング面を実施例１と同型の走査電子顕微鏡により観察したところ、エッチングによる残渣や段差は認められず、上記レジストマスク１４のパターン通りに良好にエッチングされていた。
【００６４】
【比較例１】
（ａ）金属酸化物層の形成及び仕事関数・比抵抗の測定
▲１▼金属酸化物層の形成
実施例１（ａ）▲１▼において、金属酸化物層１２を形成する酸化インジウム−酸化亜鉛−酸化セリウムターゲット（その組成原子％は［Ｉｎ］：［Ｚｎ］：［Ｃｅ］＝８０．７：１４．４：４．９である）の代わりに、酸化インジウム−酸化スズ（その組成原子％は［Ｉｎ］：［Ｓｎ］＝９０．０：１０．０である）を用いてスパッタリングを行った（表２）。この点を除き、実施例１（ａ）▲１▼と同様の方法で青板ガラス基板１０上に金属酸化物層１２を形成した。
【００６５】
▲２▼ 金属酸化物層の仕事関数・比抵抗の測定
実施例１（ａ）▲２▼と同様に、上記青板ガラス基板１０上の金属酸化物層１２を紫外線洗浄し、この金属酸化物層１２の仕事関数及び比抵抗を測定した。この結果、仕事関数の値は５．１２ｅＶであり、比抵抗の値は２１０μ・Ω・ｃｍであった（表２）。
【００６６】
（ｂ）反射型電極基板の製造及びエッチング性の検討
▲１▼ 反射型電極基板の製造
実施例１（ｂ）▲１▼において、金属酸化物層１２を形成する酸化インジウム−酸化亜鉛−酸化セリウムターゲット（その組成原子％は［Ｉｎ］：［Ｚｎ］：［Ｃｅ］＝８０．７：１４．４：４．９である）の代わりに、酸化インジウム−酸化スズ（その組成原子％は［Ｉｎ］：［Ｓｎ］＝９０．０：１０．０である）を用いてスパッタリングを行った（表２）。この点を除き、実施例１（ｂ）▲１▼と同様の方法で、図１（３）に示すような青板ガラス基板１０上に、無機化合物層１１及び金属酸化物層１２を形成した。このようにして、無機化合物層１１及び金属酸化物層１２を積層した電極層１３を有する反射型電極基板１が得られた。
【００６７】
▲２▼ エッチング性の検討
図１（４）に示すように、実施例１（ｂ）▲３▼と同様な方法で、反射型電極基板１の金属酸化物層１２上にレジストマスク１４を形成した。次いで、実施例１（ｂ）▲３▼と同様な方法で、金属酸化物層１２及び無機化合物層１１をエッチングし、図２に示す反射型電極基板１を製造した。
【００６８】
次に、実施例１（ｂ）▲３▼と同様に、シュウ酸水溶液（３．５ｗｔ％）を用いて上記金属酸化物層１２のエッチングを試みたが、金属酸化物層は溶解しなかった（表２）。
【００６９】
【表２】
【００７０】
上記の通り、各実施例の反射型電極基板の製造方法と比較して、比較例の反射型電極基板の製造方法では、エッチング工程において金属酸化物層及び無機化合物層の境目に段差が生じないようにするのが困難であるため、低い比抵抗を維持しつつ、高い仕事関数を有する反射型電極基板を製造することが困難であると考えられる。尚、上記実施例１〜１８で得られたいずれの電極層も、高い反射率を有していた。
【００７１】
【発明の効果】
上記の通り、本発明の反射型電極基板は、少なくともＡｇからなる無機化合物層と、少なくとも酸化インジウム及びランタノイド系酸化物からなる金属酸化物層とを含むため、低い比抵抗を維持しつつ、高い仕事関数を有する。また、本発明の上記反射型電極基板の製造方法によれば、シュウ酸からなるエッチング液を用いて金属酸化物層をエッチングし、さらに燐酸、硝酸及び酢酸からなるエッチング液を用いて無機化合物層をエッチングする。このようにエッチングすることによって、金属酸化物層と無機化合物層との境目にほとんど段差が無く、かつエッチング面に残渣が少ない反射型電極基板を製造することができる。
【００７２】
【図面の簡単な説明】
【図１】本実施例による反射型電極基板及びその製造方法を示す断面工程図である。
【図２】本実施例による反射型電極基板の縦断面図である。
【符号の説明】
１ 反射型電極基板
１０ 青板ガラス基板
１１ 無機化合物層
１２ 金属酸化物層
１３ 電極層
１４ レジストマスク
【発明の属する技術分野】
本発明は、反射型液晶や発光素子における反射型電極基板及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来から反射型液晶は、▲１▼反射型であるため軽量で明るい表示が得られること、▲２▼バックライトが不要で消費電力を節約できること、▲３▼少ない消費電力で作動できるため、携帯用ディスプレイに好適であること等の理由から盛んに開発が進められている。
【０００３】
また、トップエミッション型有機エレクトロルミネッセンス（ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ：以下ＥＬと記す）は、▲１▼固体素子であるためハンドリング性に優れること、▲２▼自己発光するため他の発光部材を必要としないこと、▲３▼視認性に優れるためディスプレイに好適であること、▲４▼フルカラー化が容易であること等の理由から注目されている。
【０００４】
上記トップエミッション型有機ＥＬ等の表示機器における駆動用の電極層には、通常反射型電極が用いられている。この反射型電極としては、有機ＥＬ等の発光効率の観点から、反射率が高いものが好ましい。
【０００５】
有機ＥＬの反射型電極としては、例えば下記特許文献１に、ＯＬＥＤと接する層がＭｏ，Ｒｕ，Ｖ及びこれらの酸化物からなる反射型電極が開示されている。
【０００６】
下記特許文献２には、ＣｒとＣｒ酸化物との積層膜、及び上記Ｃｒ及びＣｒ酸化物の代わりに、Ｍｏ，Ｗ，Ｔａ，Ｎｂ，Ｎｉ及びＰｔ等の金属及びそれらの酸化物からなる積層膜を含む発光素子用の電極が開示されている。
【０００７】
下記特許文献３には、Ｃｒ、Ｔａ、Ｗ、ＴｉおよびＭｏ等からなる金属酸化物層であって、金属酸化物層の厚み／Ａｇ合金層の厚みの比を、金属酸化物層のエッチング速度／Ａｇ合金層のエッチング速度の比より小さくすることにより、金属酸化物層とＡｇ合金層間に生ずる段差を緩和することが提案されている。
【０００８】
一方、液晶駆動用の反射型電極としては、反射率の高いＡｇ等を使用できることが知られている。
【０００９】
【特許文献１】
ＷＯ００／６５８７９
【特許文献２】
特開２００２−２１６９７６号公報
【特許文献３】
特開２００３−３６０３７号公報
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記Ｍｏ，Ｗ，Ｔａ，Ｎｂ，Ｎｉ、ＰｔやＲｕ，Ｖ，Ｃｒ等からなる反射型電極は反射率が低いため、有機ＥＬの発光効率が低下してしまう。
【００１１】
また有機ＥＬの場合、反射型電極は陽極として用いられるため、発光効率の観点から、反射型電極の仕事関数は大きい方が好ましい。上記Ｍｏ等の金属群の仕事関数は比較的大きいが、有機化合物のイオン化ポテンシャルは５．６〜５．８ｅＶであるため、十分な値とはいえない。
【００１２】
反射率の大きなＡｇを反射型電極として使用する場合、Ａｇの仕事関数は４．２であり、有機化合物のイオン化ポテンシャルに対し、大きくはない。
【００１３】
本発明は上記問題に鑑みなされたものであり、▲１▼表面抵抗が小さく、▲２▼反射特性や耐久性に優れ、▲３▼仕事関数が大きい等の性質を有する反射型電極基板及び当該反射型電極基板の製造方法を提供することを目的とする。本発明の反射型電極基板はトップエミッション型有機ＥＬ素子用の電極基板として特に有用である。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
そこで上記課題に鑑み、鋭意研究の結果、本発明者等は反射型電極基板の電極層として、反射効率の大きいＡｇ等からなる無機化合物層と、特定の元素を含む金属酸化物層と、を積層して用いると、低い比抵抗を維持しつつ、仕事関数の大きな反射型電極基板が得られることを発見した。
【００１５】
１．本発明の第１グループは、基板上に少なくともＡｇからなる無機化合物層と、少なくとも酸化インジウム及びランタノイド系金属酸化物からなる金属酸化物層とを、この順で積層した反射型電極基板である。また本発明の第２グループは、シュウ酸からなるエッチング液により前記金属酸化物層をエッチングする工程と、燐酸、硝酸及び酢酸からなるエッチング液により前記無機化合物層をエッチングする工程とを含む前記反射型電極基板を製造する方法に関するものである。
【００１６】
２．本発明の第１グループの反射型電極基板において、金属酸化物層が結晶構造を有すると、その表面が粗くなるばかりでなく、表面に突起を有することにより、漏れ電流が発生することがある。このような反射型電極基板を有機ＥＬ素子に使用した場合、発光効率が悪くなる場合もあるため、金属酸化物層は非晶質であることが必須である。
【００１７】
金属酸化物層におけるインジウム原子の含有量は、金属酸化物層における全金属原子に対して６０原子％以上であるのが好ましい。インジウム原子の含有量が６０原子％未満となると、金属酸化物層の比抵抗が大きくなるため好ましくない。また金属酸化物層が結晶化し、漏れ電流が発生することを抑えるために、金属酸化物層の製膜時に水や水素を添加してもよい。さらにインジウム原子の含有量は、９６原子％以下であるのが好ましく、より好ましくは、９５原子％以下である。インジウム原子の含有量を９６原子％以下にすることにより、金属酸化物層の製膜時に水や水素を添加しなくても、金属酸化物層が非晶質となり、漏れ電流を防止することができる。また酸化亜鉛を添加することにより、金属酸化物層を非晶質にできる。その場合、［Ｉｎ］／（［Ｉｎ］＋［Ｚｎ］）（原子比）は０．７〜０．９５であり、好ましくは０．８５〜０．９５であり、より好ましくは０．８〜０．９である。ここで、［Ｉｎ］、［Ｚｎ］は金属酸化物層中のＩｎの原子数、Ｚｎの原子数を示す。また酸化亜鉛の代わりに、又は酸化亜鉛とともに酸化スズを金属酸化物層に添加してもよい。この場合、［Ｉｎ］／（［Ｉｎ］＋［Ｓｎ］）（原子比）は０．７〜０．９７であり、好ましくは０．８５〜０．９５であり、より好ましくは０．８５〜０．９５である。ここで、［Ｓｎ］は金属酸化物層中のＳｎの原子数を示す。尚、原子数とは、金属酸化物層の組成物中における単位体積あたりのＩｎ、Ｚｎ又はＳｎの原子の個数である。
【００１８】
また、金属酸化物層の仕事関数は５．２５ｅＶ以上が好ましい。より好ましい金属酸化物層の仕事関数は５．６０ｅＶ以上である。さらに好ましくは、５．８０ｅＶ以上である。
【００１９】
前記ランタノイド系金属酸化物は、酸化セリウム、酸化プラセオジウム、酸化ネオジウム、酸化サマリウム、酸化ユウロピウム、酸化ガドリニウム、酸化テルビウム、酸化ジスプロシウム、酸化ホルミウム、酸化エルビウム、酸化ツリウム、酸化イッテルビウム、及び酸化ルテチウムからなる群から選ばれる１種以上を含む。
【００２０】
そして、このランタノイド系金属酸化物のランタノイド系金属原子の含有割合が、金属酸化物層における金属酸化物の全金属原子に対して０．１〜２０原子％である。
【００２１】
金属酸化物層におけるランタノイド系金属原子の含有割合は、好ましくは１〜１０原子％未満であり、より好ましくは２〜５原子％未満である。添加量が０．１原子％未満となると、金属酸化物層の仕事関数が５．２５ｅＶ以上にならない場合がある。添加量が２０原子％以上となると、金属酸化物層の比抵抗が大きくなりすぎて導電性が低下してしまうことがあるので好ましくない。
【００２２】
金属酸化物層の厚さは２〜３００ｎｍであり、好ましくは３０〜２００ｎｍであり、より好ましくは１０〜１２０ｎｍである。金属酸化物層の厚さが２ｎｍ未満となると、無機化合物層を十分に保護することができない。金属酸化物層の厚さが３００ｎｍ超となると、反射型電極基板の反射効率が低くなり好ましくない。
【００２３】
無機化合物層の厚さは１０〜３００ｎｍであり、好ましくは３０〜２５０ｎｍであり、より好ましくは５０〜２００ｎｍである。無機化合物層の厚さが１０ｎｍ未満となると、発光部層からの光を十分に反射することができないばかりでなく、反射型電極の抵抗が大きくなりすぎる場合がある。無機化合物層の厚さが３００ｎｍ超となると、エッチング液を用いて無機化合物層をエッチングする際、無機化合物層に段差が生じてまうことがあるので好ましくない。無機化合物層の表面は拡散反射面であってもよい。
【００２４】
無機化合物層等を形成するための基板の材質は特に制限はない。例えばガラスを用いても良いし、プラスチック及びシリコン等を用いても良い。
【００２５】
前記無機化合物層は主成分であるＡｇの他にＡｕ，Ｃｕ，Ｐｄ，Ｚｒ，Ｎｉ，Ｃｏ及びＮｄから選ばれる１種以上の金属を０．１〜３ｗｔ％の範囲で含むことが好ましい。
【００２６】
無機化合物層におけるＡｕ，Ｃｕ，Ｐｄ，Ｚｒ，Ｎｉ，Ｃｏ又はＮｄの添加量は、０．１〜３ｗｔ％であり、好ましくは０．１〜２ｗｔ％であり、より好ましくは０．５〜２ｗｔ％である。添加量が０．１ｗｔ％未満となると、添加効果が十分に現れない。添加量が３ｗｔ％超となると、無機化合物層の導電性が低くなるので好ましくない。
【００２７】
上記Ａｕ等の金属の他に、第三成分として、無機化合物層の安定性や抵抗に影響しない範囲で別の金属を添加してもよい。
【００２８】
３．上記本発明の第１グループの反射型電極基板は、以下に記載する本発明の第２グループである反射型電極基板の製造方法により製造できる。
【００２９】
金属酸化物層は、酸素分圧が０〜５％の雰囲気中でスパッタリング製膜するのが好ましい。酸素分圧が５％以上となると、形成された金属酸化物層の比抵抗が大きくなりすぎる場合がある。酸素分圧は、０〜２％とするのがより好ましく、０〜１％とするのが特に好ましい。
【００３０】
本発明の第２グループの製造方法は、シュウ酸からなるエッチング液により前記金属酸化物層をエッチングする工程と、燐酸、硝酸及び酢酸からなるエッチング液により前記無機化合物層をエッチングする工程とを含む。
【００３１】
前記金属酸化物層をエッチングするエッチング液は、シュウ酸を１〜１０ｗｔ％含むことが好ましい。１ｗｔ％未満では、金属酸化物層のエッチング速度が遅い場合があり、１０ｗｔ％超では、シュウ酸の結晶が析出する場合がある。特に好ましくは、２〜５ｗｔ％である。
【００３２】
前記無機化合物層をエッチング液するエッチング液は、３０〜６０ｗｔ％の燐酸、１〜５ｗｔ％の硝酸、及び３０〜５０ｗｔ％の酢酸からなる。
【００３３】
前記無機化合物層をエッチングするエッチング液において、燐酸の濃度が３０ｗｔ％未満の場合、硝酸の濃度が１ｗｔ％未満の場合、又は酢酸の濃度が３０ｗｔ％未満の場合は、エッチング液の寿命が短くなるだけでなく、無機化合物層が十分にエッチングされずに残渣が出たり、無機化合物層をエッチングができなくなる場合がある。
【００３４】
上記エッチング液は、燐酸の濃度が３０〜５０ｗｔ％であり、硝酸の濃度が１〜５ｗｔ％であり、酢酸の濃度が３０〜５０ｗｔ％であるのがより好ましい。
【００３５】
本発明の反射型電極基板では、金属酸化物層が非晶質であるため、エッチングによる端面（エッチング面）の残渣がほとんど無い。また反射型電極がテーパー状になるため、対抗電極とのショート等が起こりにくい。
【００３６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好ましい実施の形態を図面に基づいて説明する。
【００３７】
【実施例１】
（ａ）金属酸化物層の形成及び仕事関数・比抵抗の測定
▲１▼金属酸化物層の形成
ＳｉＯ２をコーティングした青板ガラス基板を２００℃に加熱した後、酸化インジウム−酸化亜鉛−酸化セリウムターゲット（その組成原子％は［Ｉｎ］：［Ｚｎ］：［Ｃｅ］＝８０．７：１４．４：４．９である）を用いてスパッタリングを行った。これにより、青板ガラス基板上に厚さ１００ｎｍの金属酸化物層を形成した。
【００３８】
▲２▼金属酸化物層の仕事関数・比抵抗の測定
青板ガラス基板上に形成された上記金属酸化物層を紫外線照射することにより洗浄した後、この金属酸化物層の仕事関数を光電子分光装置（理研計器（株）製、ＡＣ−１）で測定したところ、５．９２ｅＶであった（表１）。また、金属酸化物層の比抵抗を抵抗率測定装置（三菱油化（株）製、ロレスタ）を用いて測定したところ、９６０μ・Ω・ｃｍであった（表１）。
【００３９】
（ｂ）反射型電極基板の製造、表面抵抗の測定及びエッチング性の検討
▲１▼ 反射型電極基板の製造
図１（１）に示すように、（ａ）▲１▼と同様に、ＳｉＯ２をコーティングした上記青板ガラス基板１０を２００℃に加熱した。Ａｇターゲット（［Ａｇ］：１００原子％）を用いてスパッタリングを行い、前記青板ガラス基板１０上に厚さ１００ｎｍの無機化合物層１１を形成した（図１（２））。次に、青板ガラス基板１０上の無機化合物層１１に、酸化インジウム−酸化亜鉛−酸化セリウムターゲット（その組成原子％は［Ｉｎ］：［Ｚｎ］：［Ｃｅ］＝８０．７：１４．４：４．９である）を用いてスパッタリングを行い、厚さ２０ｎｍの金属酸化物層１２を形成した（図１（３））。これにより、青板ガラス基板１０上に、無機化合物層１１及び金属酸化物層１２を積層した電極層１３を有する反射型電極基板１が得られた。
【００４０】
▲２▼ 表面抵抗の測定
得られた反射型電極基板１の表面抵抗を上記（ａ）▲２▼と同型の表面抵抗測定器を用いて測定したところ、１．２ Ω／□であった。
【００４１】
▲３▼ エッチング性の検討
この反射型電極基板１の金属酸化物層１２上にレジスト（日本ポリテック（株）製、商品名ＮＰＲ２０４８ＵＳＰ）を塗布し、フォトマスクを用いて紫外線を露光し、現像した後、１３０℃に加熱して１５分間ポストベークをすることにより、金属酸化物層１２上にレジストマスク１４を形成した（図１（４））。
【００４２】
シュウ酸水溶液（３．５ｗｔ％）により、青板ガラス基板１０上の金属酸化物層１２を３０℃でエッチングした。次に、燐酸（３０ｗｔ％）、硝酸（１．５ｗｔ％）及び酢酸（４０ｗｔ％）を含むエッチング液により無機化合物層１１を３０℃でエッチングした。これにより、図２に示す反射型電極基板１を製造した。
【００４３】
この金属酸化物層１２及び無機化合物層１１のエッチング面を走査電子顕微鏡（日立製作所（株）製、商品名Ｓ８００）により観察したところ、エッチングによる残渣や段差は認められず、上記レジストマスク１４のパターン通りに良好にエッチングされていた（表１）。
【００４４】
【実施例２〜１４】
（ａ）金属酸化物層の形成及び仕事関数・比抵抗の測定
▲１▼金属酸化物層の形成
実施例１（ａ）▲１▼において、金属酸化物層１２を形成する酸化インジウム−酸化亜鉛−酸化セリウムターゲット（その組成原子％は［Ｉｎ］：［Ｚｎ］：［Ｃｅ］＝８０．７：１４．４：４．９である）の代わりに、表１に記載のターゲットを用いてスパッタリングを行った。この点を除き、実施例１（ａ）▲１▼と同様の方法で青板ガラス基板１０上に金属酸化物層１２を形成した。
【００４５】
表１に示すように実施例２〜１４では、金属酸化物層を形成するターゲットの組成を少しずつ変えている。用いたターゲットの組成原子％は、表１に示す通りである。このように実施例２〜１４は、金属酸化物層１２のスパッタリングに用いたターゲットの組成を変化させたのものであり、これによって得られた金属酸化物層１２の物性を測定した結果を示すものである。
【００４６】
▲２▼ 金属酸化物層の仕事関数・比抵抗の測定
実施例１（ａ）▲２▼と同様に、上記青板ガラス基板上の金属酸化物層を紫外線洗浄し、この金属酸化物層の仕事関数及び比抵抗を測定した。結果を表１に示す。
【００４７】
（ｂ）反射型電極基板の製造、表面抵抗の測定及びエッチング性の検討
▲１▼ 反射型電極基板の製造
実施例１（ｂ）▲１▼において、金属酸化物層１２を形成する酸化インジウム−酸化亜鉛−酸化セリウムターゲット（その組成原子％は［Ｉｎ］：［Ｚｎ］：［Ｃｅ］＝８０．７：１４．４：４．９である）の代わりに、表１に示す各組成のターゲットを用いてスパッタリングを行った。この点を除き、いずれの実施例（２〜１４）も実施例１（ｂ）▲１▼と同様な方法で、図１（３）に示すような青板ガラス基板１０上に、無機化合物層１１及び金属酸化物層１２を形成した。このようにして、無機化合物層１１及び金属酸化物層１２を積層した電極層１３を有する反射型電極基板１が得られた。
【００４８】
▲２▼ 表面抵抗の測定
各実施例（２〜１４）において、得られた反射型電極基板１の表面抵抗を実施例１と同型の表面抵抗測定器を用いて測定した。この結果、いずれの実施例（２〜１４）においても、反射型電極基板１の表面抵抗の値は、１．２ Ω／□であった。
【００４９】
▲３▼ エッチング性の検討
また各実施例（２〜１４）において、図１（４）に示すように、実施例１（ｂ）▲３▼と同様な方法で、反射型電極基板１の金属酸化物層１２上にレジストマスク１４を形成した。次いで、実施例１（ｂ）▲３▼と同様な方法で、金属酸化物層１２及び無機化合物層１１をエッチングし、図２に示す反射型電極基板１を製造した。
【００５０】
この無機化合物層１１及び金属酸化物層１２のエッチング面を実施例１と同型の走査電子顕微鏡により観察したところ、いずれの実施例（２〜１４）においても、エッチングによる残渣や段差は認められず、上記レジストマスク１４のパターン通りに良好にエッチングされていた（表１）。
【００５１】
【表１】
【実施例１５】
（ａ）反射型電極基板の製造及びエッチング性の検討
▲１▼ 反射型電極基板の製造
実施例１（ｂ）▲１▼において、無機化合物層１１を形成するＡｇターゲット（Ａｇ：１００原子％）の代わりに、Ａｇ−Ａｕ−Ｐｄターゲット（その組成原子％は［Ａｇ］：［Ａｕ］：［Ｐｄ］＝９８．５：１．０：０．５である）を用いてスパッタリングを行った。この点を除き、実施例１（ｂ）▲１▼と同様に、青板ガラス基板１０上に、無機化合物層１１及び金属酸化物層１２を積層した電極層１３をを有する反射型電極基板１を製造した（図１（３））。
【００５３】
▲２▼ エッチング性の検討
図１（４）に示すように、実施例１（ｂ）▲３▼と同様の方法で、反射型電極基板１の金属酸化物層１２上にレジストマスク１４を形成した。次いで、実施例１（ｂ）▲３▼と同様な方法で、金属酸化物層１２及び無機化合物層１１をエッチングし、図２に示す反射型電極基板１を製造した。
【００５４】
この無機化合物層１１及び金属酸化物層１２のエッチング面を実施例１と同型の走査電子顕微鏡により観察したところ、エッチングによる残渣や段差は認められず、上記レジストマスク１４のパターン通りに良好にエッチングされていた。
【００５５】
【実施例１６】
（ａ）反射型電極基板の製造及びエッチング性の検討
▲１▼ 反射型電極基板の製造
実施例１（ｂ）▲１▼において、無機化合物層１１を形成するＡｇターゲット（［Ａｇ］：１００原子％）の代わりに、Ａｇ−Ａｕ−Ｃｕターゲット（その組成原子％は［Ａｇ］：［Ａｕ］：［Ｃｕ］＝９８．５：１．０：０．５である）を用いてスパッタリングを行った。この点を除き、実施例１（ｂ）▲１▼と同様に、青板ガラス基板１０上に、無機化合物層１１及び金属酸化物層１２を積層した電極層１３をを有する反射型電極基板１を製造した（図１（３））。
【００５６】
▲２▼ エッチング性の検討
図１（４）に示すように、実施例１（ｂ）▲３▼と同様の方法で、反射型電極基板１の金属酸化物層１２上にレジストマスク１４を形成した。次いで、実施例１（ｂ）▲３▼と同様な方法で、金属酸化物層１２及び無機化合物層１１をエッチングし、図２に示す反射型電極基板１を製造した。
【００５７】
この無機化合物層１１及び金属酸化物層１２のエッチング面を実施例１と同型の走査電子顕微鏡により観察したところ、エッチングによる残渣や段差は認められず、上記レジストマスク１４のパターン通りに良好にエッチングされていた。
【００５８】
【実施例１７】
（ａ）反射型電極基板の製造及びエッチング性の検討
▲１▼ 反射型電極基板の製造
実施例１（ｂ）▲１▼において、無機化合物層１１を形成するＡｇターゲット（Ａｇ：１００原子％）の代わりに、Ａｇ−Ｎｄターゲット（その組成原子％は［Ａｇ］：［Ｎｄ］＝９９．０：１．０である）を用いてスパッタリングを行った。この点を除き、実施例１（ｂ）▲１▼と同様に、青板ガラス基板１０上に、無機化合物層１１及び金属酸化物層１２を積層した電極層１３をを有する反射型電極基板１を製造した（図１（３））。
【００５９】
▲２▼ エッチング性の検討
図１（４）に示すように、実施例１（ｂ）▲３▼と同様の方法で、反射型電極基板１の金属酸化物層１２上にレジストマスク１４を形成した。次いで、実施例１（ｂ）▲３▼と同様な方法で、金属酸化物層１２及び無機化合物層１１をエッチングし、図２に示す反射型電極基板１を製造した。
【００６０】
この無機化合物層１１及び金属酸化物層１２のエッチング面を実施例１と同型の走査電子顕微鏡により観察したところ、エッチングによる残渣や段差は認められず、上記レジストマスク１４のパターン通りに良好にエッチングされていた。
【００６１】
【実施例１８】
（ａ）反射型電極基板の製造及びエッチング性の検討
▲１▼ 反射型電極基板の製造
実施例１（ｂ）▲１▼において、無機化合物層１１を形成するＡｇターゲット（Ａｇ：１００原子％）の代わりに、Ａｇ−Ｚｒ−Ｎｉ−Ｃｏターゲット（その組成原子％は［Ａｇ］：［Ｚｒ］：［Ｎｉ］：［Ｃｏ］＝９６．０：１．０：１．５：１．５である）を用いてスパッタリングを行った。この点を除き、実施例１（ｂ）▲１▼と同様に、青板ガラス基板１０上に、無機化合物層１１及び金属酸化物層１２を積層した電極層１３をを有する反射型電極基板１を製造した（図１（３））。
【００６２】
▲２▼ エッチング性の検討
図１（４）に示すように、実施例１（ｂ）▲３▼と同様の方法で、反射型電極基板１の金属酸化物層１２上にレジストマスク１４を形成した。次いで、実施例１（ｂ）▲３▼と同様な方法で、金属酸化物層１２及び無機化合物層１１をエッチングし、図２に示す反射型電極基板１を製造した。
【００６３】
この無機化合物層１１及び金属酸化物層１２のエッチング面を実施例１と同型の走査電子顕微鏡により観察したところ、エッチングによる残渣や段差は認められず、上記レジストマスク１４のパターン通りに良好にエッチングされていた。
【００６４】
【比較例１】
（ａ）金属酸化物層の形成及び仕事関数・比抵抗の測定
▲１▼金属酸化物層の形成
実施例１（ａ）▲１▼において、金属酸化物層１２を形成する酸化インジウム−酸化亜鉛−酸化セリウムターゲット（その組成原子％は［Ｉｎ］：［Ｚｎ］：［Ｃｅ］＝８０．７：１４．４：４．９である）の代わりに、酸化インジウム−酸化スズ（その組成原子％は［Ｉｎ］：［Ｓｎ］＝９０．０：１０．０である）を用いてスパッタリングを行った（表２）。この点を除き、実施例１（ａ）▲１▼と同様の方法で青板ガラス基板１０上に金属酸化物層１２を形成した。
【００６５】
▲２▼ 金属酸化物層の仕事関数・比抵抗の測定
実施例１（ａ）▲２▼と同様に、上記青板ガラス基板１０上の金属酸化物層１２を紫外線洗浄し、この金属酸化物層１２の仕事関数及び比抵抗を測定した。この結果、仕事関数の値は５．１２ｅＶであり、比抵抗の値は２１０μ・Ω・ｃｍであった（表２）。
【００６６】
（ｂ）反射型電極基板の製造及びエッチング性の検討
▲１▼ 反射型電極基板の製造
実施例１（ｂ）▲１▼において、金属酸化物層１２を形成する酸化インジウム−酸化亜鉛−酸化セリウムターゲット（その組成原子％は［Ｉｎ］：［Ｚｎ］：［Ｃｅ］＝８０．７：１４．４：４．９である）の代わりに、酸化インジウム−酸化スズ（その組成原子％は［Ｉｎ］：［Ｓｎ］＝９０．０：１０．０である）を用いてスパッタリングを行った（表２）。この点を除き、実施例１（ｂ）▲１▼と同様の方法で、図１（３）に示すような青板ガラス基板１０上に、無機化合物層１１及び金属酸化物層１２を形成した。このようにして、無機化合物層１１及び金属酸化物層１２を積層した電極層１３を有する反射型電極基板１が得られた。
【００６７】
▲２▼ エッチング性の検討
図１（４）に示すように、実施例１（ｂ）▲３▼と同様な方法で、反射型電極基板１の金属酸化物層１２上にレジストマスク１４を形成した。次いで、実施例１（ｂ）▲３▼と同様な方法で、金属酸化物層１２及び無機化合物層１１をエッチングし、図２に示す反射型電極基板１を製造した。
【００６８】
次に、実施例１（ｂ）▲３▼と同様に、シュウ酸水溶液（３．５ｗｔ％）を用いて上記金属酸化物層１２のエッチングを試みたが、金属酸化物層は溶解しなかった（表２）。
【００６９】
【表２】
上記の通り、各実施例の反射型電極基板の製造方法と比較して、比較例の反射型電極基板の製造方法では、エッチング工程において金属酸化物層及び無機化合物層の境目に段差が生じないようにするのが困難であるため、低い比抵抗を維持しつつ、高い仕事関数を有する反射型電極基板を製造することが困難であると考えられる。尚、上記実施例１〜１８で得られたいずれの電極層も、高い反射率を有していた。
【００７１】
【発明の効果】
上記の通り、本発明の反射型電極基板は、少なくともＡｇからなる無機化合物層と、少なくとも酸化インジウム及びランタノイド系酸化物からなる金属酸化物層とを含むため、低い比抵抗を維持しつつ、高い仕事関数を有する。また、本発明の上記反射型電極基板の製造方法によれば、シュウ酸からなるエッチング液を用いて金属酸化物層をエッチングし、さらに燐酸、硝酸及び酢酸からなるエッチング液を用いて無機化合物層をエッチングする。このようにエッチングすることによって、金属酸化物層と無機化合物層との境目にほとんど段差が無く、かつエッチング面に残渣が少ない反射型電極基板を製造することができる。
【００７２】
【図面の簡単な説明】
【図１】本実施例による反射型電極基板及びその製造方法を示す断面工程図である。
【図２】本実施例による反射型電極基板の縦断面図である。
【符号の説明】
１ 反射型電極基板
１０ 青板ガラス基板
１１ 無機化合物層
１２ 金属酸化物層
１３ 電極層
１４ レジストマスク
Claims (9)
- 基板上に少なくともＡｇからなる無機化合物層と、
少なくとも酸化インジウム及びランタノイド系金属酸化物からなる金属酸化物層とを
この順で積層することを特徴とする反射型電極基板。 - 前記ランタノイド系金属酸化物が、酸化セリウム、酸化プラセオジウム、酸化ネオジウム、酸化サマリウム、酸化ユウロピウム、酸化ガドリニウム、酸化テルビウム、酸化ジスプロシウム、酸化ホルミウム、酸化エルビウム、酸化ツリウム、酸化イッテルビウム、及び酸化ルテチウムから選ばれる１種又は２種以上を含むことを特徴とする請求項１に記載の反射型電極基板。
- ランタノイド系金属原子の含有割合が、金属酸化物層中の全金属原子に対して０．１〜２０原子％であることを特徴とする請求項１又は２に記載の反射型電極基板。
- 前記金属酸化物層が酸化亜鉛を含み、
［Ｉｎ］／（［Ｉｎ］＋［Ｚｎ］）が０．７〜０．９５（ここで、［Ｉｎ］、［Ｚｎ］は金属酸化物層中のＩｎの原子数、Ｚｎの原子数を示す。）であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の反射型電極基板。 - ［Ｉｎ］／（［Ｉｎ］＋［Ｓｎ］）が０．７〜０．９７（ここで、［Ｓｎ］は金属酸化物層中のＳｎの原子数を示す。）であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の反射型電極基板。
- 前記無機化合物層が、Ａｕ，Ｃｕ，Ｐｄ，Ｚｒ，Ｎｉ，Ｃｏ又はＮｄから選ばれる１種又は２種以上の金属を０．１〜３ｗｔ％含むことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の反射型電極基板。
- 前記金属酸化物の仕事関数が５．２５ｅＶ以上であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の反射型電極基板。
- 請求項１〜７のいずれか１項に記載の反射型電極基板を製造する方法であって、シュウ酸からなるエッチング液により前記金属酸化物層をエッチングする工程と、
燐酸、硝酸及び酢酸からなるエッチング液により前記無機化合物層をエッチングする工程と、
を含む反射型電極基板の製造方法。 - 前記無機化合物層をエッチングする前記エッチング液が、３０〜６０ｗｔ％の燐酸、１〜５ｗｔ％の硝酸、及び３０〜５０ｗｔ％の酢酸からなることを特徴とする請求項８に記載の反射型電極基板の製造方法。
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Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| WO2010053183A1 (ja) * | 2008-11-10 | 2010-05-14 | 株式会社神戸製鋼所 | 有機ｅｌディスプレイ用の反射アノード電極および配線膜 |
| JP2010225586A (ja) * | 2008-11-10 | 2010-10-07 | Kobe Steel Ltd | 有機ｅｌディスプレイ用の反射アノード電極および配線膜 |
| US8038911B2 (en) | 2006-08-10 | 2011-10-18 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Lanthanoid-containing oxide target |
| JP2013137993A (ja) * | 2011-11-30 | 2013-07-11 | Canon Inc | 表示装置 |
| CN104040018A (zh) * | 2011-12-27 | 2014-09-10 | 株式会社神户制钢所 | 反射电极用Ag合金膜及反射电极 |
-
2003
- 2003-05-08 JP JP2003129824A patent/JP2004333882A/ja not_active Withdrawn
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8963417B2 (en) | 2003-05-28 | 2015-02-24 | Sony Corporation | Organic light emitting device, display unit, and device comprising a display unit |
| US10170725B2 (en) | 2003-05-28 | 2019-01-01 | Sony Corporation | Laminated structure, display device and display unit employing same |
| US9761825B2 (en) | 2003-05-28 | 2017-09-12 | Sony Corporation | Laminated structure, display device and display unit employing same |
| US7245341B2 (en) | 2003-05-28 | 2007-07-17 | Sony Corporation | Laminated structure, display device and display unit employing same |
| US9431627B2 (en) | 2003-05-28 | 2016-08-30 | Sony Corporation | Laminated structure, display device and display unit employing same |
| US9048451B2 (en) | 2003-05-28 | 2015-06-02 | Sony Corporation | Laminated structure, display device and display unit employing same |
| US9041629B2 (en) | 2003-05-28 | 2015-05-26 | Sony Corporation | Laminated structure, display device and display unit employing same |
| US7648657B2 (en) | 2005-07-15 | 2010-01-19 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | In Sm oxide sputtering target |
| US8038911B2 (en) | 2006-08-10 | 2011-10-18 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Lanthanoid-containing oxide target |
| JP2010225572A (ja) * | 2008-11-10 | 2010-10-07 | Kobe Steel Ltd | 有機ｅｌディスプレイ用の反射アノード電極および配線膜 |
| US8431931B2 (en) | 2008-11-10 | 2013-04-30 | Kobe Steel, Ltd. | Reflective anode and wiring film for organic EL display device |
| CN102165846A (zh) * | 2008-11-10 | 2011-08-24 | 株式会社神户制钢所 | 有机el显示器的反射阳极电极及布线膜 |
| JP2010225586A (ja) * | 2008-11-10 | 2010-10-07 | Kobe Steel Ltd | 有機ｅｌディスプレイ用の反射アノード電極および配線膜 |
| WO2010053183A1 (ja) * | 2008-11-10 | 2010-05-14 | 株式会社神戸製鋼所 | 有機ｅｌディスプレイ用の反射アノード電極および配線膜 |
| JP2013137993A (ja) * | 2011-11-30 | 2013-07-11 | Canon Inc | 表示装置 |
| CN104040018A (zh) * | 2011-12-27 | 2014-09-10 | 株式会社神户制钢所 | 反射电极用Ag合金膜及反射电极 |
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