JP2004358643A - 固定砥粒パッドを使用する研磨方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】研磨工程で研磨液を使用しないで、マイクロスクラッチの増加や面内均一性の悪化など加工特性が低下することなくウェーハを研磨することができる固定砥粒パッドを使用する研磨方法を提供する。
【解決手段】遊離化タイプの含水し得る固定砥粒パッド3を、純水又は純水を主成分とする加工液で十分な湿潤状態とし、該パッド表面を研磨工程でパッドから砥粒が遊離化し得る程度の湿潤状態に調整した後、研磨中は研磨液を供給しないで研磨する。
【選択図】 図3
【解決手段】遊離化タイプの含水し得る固定砥粒パッド3を、純水又は純水を主成分とする加工液で十分な湿潤状態とし、該パッド表面を研磨工程でパッドから砥粒が遊離化し得る程度の湿潤状態に調整した後、研磨中は研磨液を供給しないで研磨する。
【選択図】 図3
Description
【0001】
【発明が属する技術分野】
この発明は、デバイスウェーハ用及びハードディスク用等の精密研磨用研磨方法に係り、詳記すれば、平坦化CMP用ポリシングパッドを使用し、セミドライ加工方法を適用して、ウェーハ等の酸化膜を研磨する方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体集積回路の高集積化、微細化に伴って、配線の積層化が行われている。すなわち、半導体ウェーハの表面に配線材をパターン形成し、この上を酸化シリコン等の絶縁物膜で覆い、次の配線材をパターン形成し、これを順次繰り返すプロセスが採用されている。
【0003】
配線の積層数が多くなると、酸化シリコン等の絶縁物膜に段差が生じるため、次の配線材をパターン形成する前に、絶縁物膜を平坦化する必要があるので、研磨液(以下スラリーという)を供給しながら研磨パッドを使用してウェーハを平坦に研磨する化学的機械研磨(以下CMPという)が行われている。
【0004】
また、配線材のパターン形成方法として、銅などの配線材をウェーハ全面に堆積させ、その後に、余分な配線材をCMPで除去するダマシン法が採用されている。
【0005】
このように絶縁物膜や配線材をCMPで研磨する場合、除去能率を確保すると共にウェーハ全体の平坦性の確保と表面の平滑性の確保などサブミクロンオーダーの高い研磨性能が要求されるが、これら高い研磨性能を実現するために研磨砥粒をパッドに固定した固定砥粒パッドが種々提案されている。
【0006】
CMPとは、砥粒などの粒子による機械的な除去作用と研磨液による化学的溶去作用を重畳させた研磨方法で、パッド表面の洗浄工程と研磨工程に大別される。パッド表面の洗浄工程は、前回の研磨の履歴が残らないように、前回の研磨でパッドに付着した研磨液や研磨クズを除去する工程である。この工程は純水でパッド表面をリンスするのが一般的であるが、ブラシやダイヤモンド微粒子を固定したドレッサの併用も多用されている。研磨工程は、研磨液を供給しながら、ウェーハをパッド表面で摺動させる工程であるが、この工程でも、ドレッサが併用されることが多い。
【0007】
研磨液としては、シリカやアルミナなどの微粒子を、アルカリ性若しくは酸性の化学的水溶液中に混合、分散させたもの(スラリーという)やセリア(酸化セリウム)を水などの溶媒に分散させたもの(スラリーという)が使用されている。セリア(酸化セリウム)を水などの溶媒に分散させたセリアスラリーが、シリコン酸化膜のCMPに使用されている。セリア砥粒は、セリアとシリコン酸化膜との間でメカノケミカル反応が生じるため、溶媒に化学的水溶液を使用する代りに水が使用できるものである。
【0008】
セリア固定砥粒パッドは、シリコン酸化膜のCMPを対象として使用されている研磨パッドであるが、研磨液にセリアスラリーや純水が使用されている。
【0009】
しかしながら、上記従来の固定砥粒パッドを使用する研磨方法は、平坦化性能を向上させるには有効であるが、研磨傷(スクラッチ)の低減が課題であった。
【0010】
固定砥粒パッドをCMPに適用する目的は、スラリーフリー加工方法(砥粒を含まない加工液を使用して加工する方法)を適用して、良好な加工レート(MRR)とスクラッチフリーの高い面内均一性(WIWNU)を実現することにある。特に、加工液に純水の適用が可能であれば、スラリー供給装置などスラリーを管理する装置が不要となるばかりか、スラリーに要する消耗費用の削減が可能となるので大きな利点が得られる。しかしながら、現状では、純水を適用して加工を行う場合、良好な加工レートを得るためには高い加工圧力で加工する必要があるため、マイクロスクラッチの増加や面内均一性の悪化など、加工特性が低下する問題があった。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、このような点に着目してなされたものであり、上記研磨工程で研磨液を使用しないで、マイクロスクラッチの増加や面内均一性の悪化など加工特性が低下することなくウェーハを研磨することができる固定砥粒パッドを使用する研磨方法を提供することを目的とする。しかして従来、研磨工程で研磨液を使用しない研磨方法は行われていない。
【0012】
【課題を解決するための手段】
上記目的に沿う本発明の構成は、遊離化タイプの含水し得る固定砥粒パッドを、純水又は純水を主成分とする加工液で十分な湿潤状態とし、該パッド表面を研磨工程でパッドから砥粒が遊離化し得る程度の湿潤状態に調整した後、研磨中は研磨液を供給しないで研磨することを特徴とする。
【0013】
前記固定砥粒パッドは、研磨砥粒としてセリア砥粒を含むパッドを使用するのが好ましい(請求項2)。
【0014】
前記湿潤状態を、赤外線式水分計の指示値が2500〜4000、好ましくは3000〜3500の範囲になるように調整するのが良い(請求項3)。
【0015】
前記固定砥粒パッドは、好ましくは含水率3%〜15%、特に好ましくは5〜8%となるものを使用するのが良い(請求項4)。
【0016】
前記湿潤状態の調整は、遠心力を利用した水切り、エアーブロー又は吸水ローラなどによる吸水によって行うのが好ましい(請求項5)。
【0017】
前記固定砥粒パッドが、砥粒シートと繊維状シートの切断面が研磨面にスパイラル状に配置されている研磨パッドであるのが好ましい(請求項6)。
【0018】
要するに本発明は、洗浄工程と研磨工程に大別され、洗浄工程でパッド表面を研磨工程でパッドから砥粒が遊離化し得る程度の湿潤状態に調整し、パッド表面の水膜によって十分な潤滑摩擦力が得られない状態を回避した後、研磨中は純水を含めて一切の研磨液を供給しないで研磨することによって、マイクロスクラッチの増加や面内均一性の悪化など、加工特性が低下するのを無くしたことを要旨とするものである。
【0019】
尚、純水を主成分とする加工液としては、純水に砥粒、酸又はアルカリを加えた加工液が挙げられる。少量の砥粒を含有させることによって、パッドからの砥粒の遊離化が容易となる。
【0020】
次に本発明の実施の形態を説明する。
【0021】
【発明の実施の形態】
本発明で使用する研磨パッドは、研磨装置の回転定盤や走行ベルトに貼付して使用するものである。
【0022】
本発明に使用する含水し得る固定砥粒パッドは、吸水性ポリマーに無機砥粒を含有させたものであり、無機砥粒としては、酸化セリウム、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、二酸化マンガン、酸化鉄、酸化亜鉛、炭化ケイ素、炭化ホウ素、合成ダイヤモンド及びトルマリン粉体の単独若しくは二種以上が挙げられる。特に酸化セリウムを使用するのが好ましい。
【0023】
本発明に使用する含水し得る固定砥粒パッドとしては、例えば、特開2002−38129号に記載の1種類以上の砥粒を含んだシートをスパイラル状に巻き付け、その切断面を研磨面としたパッド、特開2002−18731号に記載のセルロースに研磨性無機微粒子を分散させたパッド、特開2001−179609号に記載のシリコンゴムに研磨性無機微粉末を分散させたパッド及び特開2003−136397号に記載のパッドが挙げられる。
【0024】
CMP用固定砥粒パッドには、研削砥石のように砥粒が固定された状態でウェーハに砥石を作用させるタイプのものと、固定された砥粒が摺動摩擦などで遊離化し、遊離砥粒としてウェーハに作用させるタイプのものに分類されるが、本発明で使用する固定砥粒パッドは後者のタイプの固定砥粒パッドである。
【0025】
本発明で使用する固定砥粒パッドでは、砥粒を遊離化させるためには、十分な摺動摩擦力の発生条件が必要である。特に純水を使用して加工する場合は、加工液にスラリーを使用する場合と異なり、遊離化砥粒の生成割合はパッドとウェーハ間の摩擦力に依存する。しかしながら、加工中に純水が供給されると、パッドとウェーハ間に水の薄膜が形成され、水の薄膜による潤滑作用で、十分な摺動摩擦力が得られない現象が生じる。
【0026】
反対に、セリア砥粒の加工では、水分が不足すると、シリコン酸化膜とセリア砥粒との固相で生じるメカノケミカル反応が進まず、十分な加工能率が期待できなくなる。
【0027】
本発明では、含水し得る固定砥粒パッドを使用し、水の薄膜が生成されない状態で加工を行っているので、上記の問題を避けることが可能となる。この状態は、ウェット加工法とドライ加工法の中間の状態であり、この状態を維持する加工方法をセミドライ加工方法と呼ぶことにする。本発明方法では、セミドライ加工方法として、下記の手順で加工を行った。
(手順1)パッド面上に純水又は純水を主成分とする砥粒を含まない加工液を滴下して、十分な湿潤状態とする。砥粒がセリア砥粒の場合は、純水を適用し、シリカ砥粒の場合は、アルカリを含む純水を使用する。
(手順2)プラテンの回転による遠心力を利用して水切りし、パッド表面の湿潤状態を調整する。
(手順3)加工を実施する。ただし、加工中は純水などの研磨液を一切供給しない。
【0028】
パッド表面の湿潤状態の調整方法には、プラテンの回転による遠心力を利用した水切りの他に、エアーブローや吸水ローラ等の使用も考えられるが、後記実施例では、最も簡便な方法として水切りを採用した。
【0029】
本発明の吸水性固定砥粒パッドは、好ましくは図1に示すように、砥粒シート1と繊維状シート2の2種類のシートの切断面が研磨面にスパイラル状に配置されている研磨パッドが使用される。
【0030】
図1の実施例では、砥粒シート1としてセリア固定砥粒層が、繊維状シート2としてポリマー層が使用され、これらの層がスパイラル状に配置し、加工面に対して垂直に交互に配列した構造になっている。上記実施例のセリア固定砥粒層1は、平均粒径0.5μm程度のセリア砥粒(30重量%)にバインダー剤としてアクリル系の熱可塑性樹脂(10重量%)を均一に混合して、厚さ0.3mmの長尺シート状に成形されたものである。
【0031】
図1に示す固定砥粒パッドは、セリア固定砥粒層の長尺シート1に、ポリウレタン系の熱可塑性合成樹脂2を加熱コートして、図2に示すように、厚さ約0.03mmのポリマー層を形成しながら軸芯に巻き、所定のパッド径まで太らせて円柱状とする。自然冷却後に軸芯に垂直な方向に所定の厚みでスライス加工し、スライス面の片方の面に圧力感圧粘着テープを貼付してポリシングパッドを形成する。
【0032】
上記のようにして製造したパッドの裏面には離型紙を貼着させ、パッドを回転定盤や走行ベルトに貼付させる時には、離型紙を剥がして貼付させるようにするのがよい。
【0033】
このパッドに使用するシート1及び2としては、織布、不織布、フェルト及びペーパーの形態でシート状に加工した化学合成繊維や無機繊維、弾性高分子シート等が挙げられる。
【0034】
砥粒シート1としては、砥粒を合成高分子に分散充填したものや、砥粒をバインダー材に分散させたものを繊維状シートに含浸充填した砥粒シートを使用するのが好ましい。砥粒液を塗付後、例えばロールを通過させることによって、砥粒のシートへの含有量をさらに均一化させることができる。
【0035】
上記のようにして得たパッドは、図3に一例として示すように、パッド3の切断面(研磨面)を上にしてプラテン4上に固定し、被研磨物であるウェーハ5をパッド3上に載せ、上からドレッサー6で押圧して、同ドレッサーに立設したヘッド7と、プラテン4とを回転させてウェーハ5を研磨するものである。
【0036】
図4は、パッド3とウェーハ5の断面図であり、砥粒シート1と繊維状シート2との切断面が、研磨面にスパイラル状に配設されている。
【0037】
図5は、砥粒シート1の断面図であり、無機砥粒9がバインダー剤10でシート上に固定されている。
【0038】
【実施例】
次に、実施例、比較例を挙げて本発明を更に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されない。
【0039】
実施例1:本発明を適用した加工特性の測定
本発明のセミドライ加工方法を適用したCMP加工特性を評価する目的で、図1に示す外径24インチのスパイラル型セリア固定砥粒パッドを使用し、加工試料として膜厚1000nmのP−TEOS酸化膜の8インチブランケットウェーハを使用して加工実験を行った。
【0040】
加工方法として、加工液に純水を適用した加工法(以下純水加工という)、加工液に1重量%のセリアスラリーを適用した加工法(以下スラリー加工という)及び加工液に純水を使用し、ドレッサを併用したin−situドレス加工の3種類の加工方法(比較例)と本発明のセミドライ加工方法を適用したときの加工特性を比較測定した。
【0041】
本発明のセミドライ加工方法は、加工前にパッドを純水で湿潤状態として、加工中には純水を一切供給せずに加工を行う方法であるが、加工前のパッドの湿潤状態によって、加工レートが大きく変化する。湿潤量が多すぎても少なすぎても、十分な加工レートが得られず、加工に最適な湿潤状態が存在する。本実施例では、最適な湿潤状態として、パッドに十分な純水を供給した後、純水の供給を停止し、プラテンの回転数を100rpmとして、4分間回転してパッドの水切りを実施した。次表1に適用した加工条件を示す。
【0042】
【表1】
【0043】
加工特性として、加工レート、面内均一性及びマイクロスクラッチの発生個数を評価した。加工後の酸化膜ウェーハの残膜厚を、7200型膜厚計(ナノメトリックス社製)でウェーハの任意の中心線(以下X軸という)上の21点、及びX軸に直交する線(以下Y軸という)上の8点について測定し、X軸上の除去膜量の平均値(加工時間を1分とした)を加工レートとした。また、面内均一性は、X軸とY軸上の残膜厚の平均値を求め、平均値と各測定点の差の百分率を測定点29点について算出し、その標準偏差σで表した。マイクロスクラッチの発生個数の測定には、残膜を測定したウェーハを十分に洗浄し、SPIスクラッチカウンター(KLA−Tencor社製)を使用した。
【0044】
図6に8インチブランケットウェーハにセミドライ加工方法を適用したときの、加工後の残膜厚の測定結果を示す。比較データとして純水加工、in−situドレス加工及びスラリー加工の3種類の加工方法を適用したときの加工データも示した。図7には、残膜厚から算出した加工レートと面内均一性を示す。図7に示す4種類の加工方法には、同一の加工条件を適用したため単純な比較はできないが、本発明のセミドライ加工方法による加工特性が良好であることがわかる。
【0045】
スラリー加工法では、高い加工レートを示すが面内均一性が悪く、図6に示すように加工特性がセンタースローであった。これは、供給したセリアスラリーの量がウェーハ面に対して偏った分布をし、特にウェーハ中央部に作用するスラリー量が少ないためと判断される。加工圧力を低くし、パッドとウェーハ間の相対速度を増加させるなどの加工条件の改善により、面内均一性の改善が図れるものと考えられる。
【0046】
同様に純水加工、in−situドレス加工方法では、加工圧力を増加させて加工レートを改善させることが可能であるがマイクロスクラッチが増加するので、本発明のセミドライ加工方法は、スラリーフリー加工方法として優れた加工方法と言える。
【0047】
図8に加工後のウェーハ面内に存在するマイクロスクラッチ(0.2μm以上の微細打痕状キズ)の総数を示す。本発明のセミドライ加工方法を適用した加工では、マイクロスクラッチの発生数が少ないことがわかる。
【0048】
砥粒加工によって生じるマイクロスクラッチは、マイクロスクラッチの直径の数倍以上の径を有する粗粒子によるものと考えられる。特に1μm以上の粗粒子(微粒子の凝集体も含まれる)個数とマイクロスクラッチの発生数には強い相関関係がある。
【0049】
また加工条件が同一であれば、加工量が多いほど加工に作用した砥粒の量が多いと考えられるため、マイクロスクラッチの発生数が多くなることが予想される。しかし、図8は、最も加工量の多い本発明のセミドライ加工方法と、加工量の最も少ない比較例の純水加工方法とが同程度であることを示している。これは、固定砥粒パッドの表面近傍に存在する粗粒子が同程度に加工に作用すると仮定しても、本発明のセミドライ加工方法には、マイクロスクラッチの発生を緩和するメカニズムが働いていることを示すものである。
【0050】
実施例2:セミドライ加工におけるパッド湿潤状態の測定
本実施例は、セミドライ加工方法を適用した場合のパッドの湿潤状態を数値化する目的で、外径12インチのスパイラル型固定砥粒パッド(RC01−#3型)を使用し、パッドの湿潤状態の調整条件とパッド表面の水分量の関係を求め、同時に加工レートとの関係を測定した。また、本発明のRC01−#3型パッドに樹脂含浸処理を行い、RC01−#3型パッドの固定砥粒層の微細気孔を閉鎖させた比較例のパッド(RC01−#4型)を試作し、同様にパッド表面の水分量と加工レートの関係を比較測定した。表2に適用した加工条件を示す。
【0051】
加工試料には、膜厚1000nmのP−TEOS酸化膜の18mm×18mmのウェーハチップを使用した。干渉式膜厚計(SENNTECH社製 FTP500)を用いて試料の膜厚さを測定し、加工前後の膜厚さの測定値をもとに、単位時間当たりの除去膜厚を加工レートとした。
【0052】
【表2】
【0053】
パッド湿潤状態は、赤外線式水分計(IM−3SCV フジワーク社社製)を使用してパッドの表面近傍の水分量で数値化した。ただし、赤外線式水分計の指示値は、測定試料の材質や厚みに対して水分量の相対値を示すものである。
【0054】
含水率の測定では、厚さ3mm、100mm×100mmの固定砥粒パッドのカットサンプルを使用し、60℃に設定したオーブン乾燥機(2−20001ISUZU製作所製)で10時間乾燥させた後のサンプル重量を測定(乾燥重量という)し、純水に10時間浸漬した後、自然乾燥して重量を測定し、乾燥重量に対する重量増加率をパッドの含水率とした。
【0055】
(1)パッド湿潤状態の水分量の測定
本実施例では、パッドの湿潤状態の調整方法として、プラテンの回転数を一定(100rpm)としてパッドの水切り時間を変化させる方法を採用し、パッドの湿潤状態を、赤外線式水分計を使用して数値化した。オン発明のRC01−#3型パッドと比較例のRC01−#4型パッドを使用して湿潤状態を調整した後、加工直前のパッド表面の水分量を赤外線式水分計で測定し、加工レートとの関係を2種類のパッドについて比較測定した。
【0056】
図9に水切り時間を2分間隔で10分間実施したときの水きり時間と加工レート及び水分計の指示値の関係を示す。
【0057】
水きりを施すと、本発明のRC01−#3型パッドの水分計指示値は、最初の2分間で3500まで低下し、その後2500までは徐々に低下していく。一方比較例のRC01−#4型パッドの水分計指示値は、最初の2分間で1000まで低下し、その後はほとんど変化がない。RC01−#4型パッドの加工レートは、水切り時間に対して変化がなく、低い値を示しているが、RC01−#3型パッドの加工レートは、水切り時間に対して増加傾向を示し、水切り時間8分にピーク値があることを示している。図10は、水分計の指示値と加工レートとの関係を、図9を使用して再プロットしたものである。図10より水分計指示値が2500〜4000の範囲で高い加工レートが得られることがわかる。
【0058】
(3)パッド含水率と水分計指示値の関係
本実施例では、赤外線式水分計の指示値とパッドの湿潤状態の関係を調べるために、本発明のRC01−#3型パッドと比較例のRC01−#4型パッドのカットサンプルについて、パッドの含水率と水分計指示値の関係を測定した。
【0059】
図11に、2種類のパッドについて、パッド含水率と水分計指示値の関係を比較して示す。本発明のRC01−#3型パッドでは、水分計指示値2500で屈曲点を示す。この屈曲点は、パッドの乾燥条件の境界を示すもので、屈曲点以下の領域では、含水率の変化が著しく低下したため、自然乾燥からオーブン乾燥に変更した。同様に、RC01−#4型パッドでは、水分計指示値1000以下で乾燥条件を変更した。
【0060】
図11から、自然乾燥の領域では2種類のパッドともに、含水率の変化率が同じであることがわかる。この水分計の指示値の領域(RC01−#3型パッドでは2500以上、RC01−#4型パッドでは1000以上)では、含水率の減少が、パッド表面に存在する水分の薄膜の減少に相対しているものと判断される。
【0061】
図10を考慮すると、パッド表面に存在する水分の薄膜が消滅する寸前に高い加工レートを得る条件があると判断される。メカノケミカル反応の低下を回避し、高い加工レートを安定して得るためには、使用するパッドが十分な含水率を有する必要がある。具体的には、好ましくは含水率3%〜15%、特に好ましくは5%〜8%である。少なすぎると、メカノケミカル反応に必要な水分が不足し、多すぎるとパッド表面の水分を湿潤調整しても、パッドに吸水した水分が表面に移動するため、潤滑作用を低減させるのが困難となる。
【0062】
本発明の効果の原因は、砥粒が加工試料に作用する新たな作用状態として、高粘性流動状態が生起しているためと考えられる。高粘性流動状態の砥粒が形成される条件は、固定砥粒層が摩擦力で破壊されて砥粒の遊離化が起こること、及びパッド表面の水分量が少ないことである。本発明のセミドライ加工法は、この2つの条件を同時に満たすように、加工前にパッドの湿潤状態を調整している。
【0063】
このことは、水の薄膜による潤滑効果の影響がなくなる水分量の領域で高い加工レートが得られることと、この領域を過ぎると、パッドとウェーハ間に生じる摺動摩擦力が大きくなり、砥粒の遊離化に必要な摩擦力に達することから確認されている。従って、本発明によれば、多くの砥粒が遊離化することと、パッド表面の水分量が少ないことから、高粘性流動状態が生起していると判断される。
【0064】
要するに本発明によれば、高濃度砥粒が高粘性流動状態に遊離化し、遊離化した砥粒が排出されずに加工に寄与するため、高い砥粒の利用効率が得られるものと考えられる。
【0065】
【発明の効果】
以上述べた如く、本発明によれば、遊離化タイプの吸水性固定砥粒パッドを使用し、パッドから砥粒が遊離化し得る程度の湿潤状態に調整することによって、研磨中は一切の研磨液を使用しないで、マイクロスクラッチの増加や面内均一性の悪化などの加工特性が低下することなくウェーハを研磨することができる。これは従来なし得なかったことが達成できたものであるから、極めて画期的な効果である。
【0066】
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例を示す斜視図である。
【図2】本発明に使用する固定砥粒パッドの製法を説明する斜視図である。
【図3】本発明に使用する研磨装置の一例を示す斜視図である。
【図4】本発明のパッドのウェーハを載せた状態の断面図である。
【図5】図4の砥粒シートの断面図である。
【図6】ウェーハに本発明方法を適用した加工後の残膜厚の測定結果を示す線図である。
【図7】図6の残膜厚から算出した加工レートと面内均一性を示す棒グラフである。
【図8】本発明方法で加工後のマイクロスクラッチの総数を示す棒グラフである。
【図9】本発明のパッドと比較例のパッドについてのパッドの加工レートと水分計指示値の関係を示すグラフである。
【図10】図9の結果を使用して再プロットした加工レートと水分計指示値の関係を示す線図である。
【図11】本発明のパッドと比較例のパッドについて、水分計指示値と含水率との関係を示す線図である。
【符号の説明】
1………砥粒シート
2………繊維状シート
3………固定砥粒パッド
5………ウェーハ
【発明が属する技術分野】
この発明は、デバイスウェーハ用及びハードディスク用等の精密研磨用研磨方法に係り、詳記すれば、平坦化CMP用ポリシングパッドを使用し、セミドライ加工方法を適用して、ウェーハ等の酸化膜を研磨する方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体集積回路の高集積化、微細化に伴って、配線の積層化が行われている。すなわち、半導体ウェーハの表面に配線材をパターン形成し、この上を酸化シリコン等の絶縁物膜で覆い、次の配線材をパターン形成し、これを順次繰り返すプロセスが採用されている。
【0003】
配線の積層数が多くなると、酸化シリコン等の絶縁物膜に段差が生じるため、次の配線材をパターン形成する前に、絶縁物膜を平坦化する必要があるので、研磨液(以下スラリーという)を供給しながら研磨パッドを使用してウェーハを平坦に研磨する化学的機械研磨(以下CMPという)が行われている。
【0004】
また、配線材のパターン形成方法として、銅などの配線材をウェーハ全面に堆積させ、その後に、余分な配線材をCMPで除去するダマシン法が採用されている。
【0005】
このように絶縁物膜や配線材をCMPで研磨する場合、除去能率を確保すると共にウェーハ全体の平坦性の確保と表面の平滑性の確保などサブミクロンオーダーの高い研磨性能が要求されるが、これら高い研磨性能を実現するために研磨砥粒をパッドに固定した固定砥粒パッドが種々提案されている。
【0006】
CMPとは、砥粒などの粒子による機械的な除去作用と研磨液による化学的溶去作用を重畳させた研磨方法で、パッド表面の洗浄工程と研磨工程に大別される。パッド表面の洗浄工程は、前回の研磨の履歴が残らないように、前回の研磨でパッドに付着した研磨液や研磨クズを除去する工程である。この工程は純水でパッド表面をリンスするのが一般的であるが、ブラシやダイヤモンド微粒子を固定したドレッサの併用も多用されている。研磨工程は、研磨液を供給しながら、ウェーハをパッド表面で摺動させる工程であるが、この工程でも、ドレッサが併用されることが多い。
【0007】
研磨液としては、シリカやアルミナなどの微粒子を、アルカリ性若しくは酸性の化学的水溶液中に混合、分散させたもの(スラリーという)やセリア(酸化セリウム)を水などの溶媒に分散させたもの(スラリーという)が使用されている。セリア(酸化セリウム)を水などの溶媒に分散させたセリアスラリーが、シリコン酸化膜のCMPに使用されている。セリア砥粒は、セリアとシリコン酸化膜との間でメカノケミカル反応が生じるため、溶媒に化学的水溶液を使用する代りに水が使用できるものである。
【0008】
セリア固定砥粒パッドは、シリコン酸化膜のCMPを対象として使用されている研磨パッドであるが、研磨液にセリアスラリーや純水が使用されている。
【0009】
しかしながら、上記従来の固定砥粒パッドを使用する研磨方法は、平坦化性能を向上させるには有効であるが、研磨傷(スクラッチ)の低減が課題であった。
【0010】
固定砥粒パッドをCMPに適用する目的は、スラリーフリー加工方法(砥粒を含まない加工液を使用して加工する方法)を適用して、良好な加工レート(MRR)とスクラッチフリーの高い面内均一性(WIWNU)を実現することにある。特に、加工液に純水の適用が可能であれば、スラリー供給装置などスラリーを管理する装置が不要となるばかりか、スラリーに要する消耗費用の削減が可能となるので大きな利点が得られる。しかしながら、現状では、純水を適用して加工を行う場合、良好な加工レートを得るためには高い加工圧力で加工する必要があるため、マイクロスクラッチの増加や面内均一性の悪化など、加工特性が低下する問題があった。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、このような点に着目してなされたものであり、上記研磨工程で研磨液を使用しないで、マイクロスクラッチの増加や面内均一性の悪化など加工特性が低下することなくウェーハを研磨することができる固定砥粒パッドを使用する研磨方法を提供することを目的とする。しかして従来、研磨工程で研磨液を使用しない研磨方法は行われていない。
【0012】
【課題を解決するための手段】
上記目的に沿う本発明の構成は、遊離化タイプの含水し得る固定砥粒パッドを、純水又は純水を主成分とする加工液で十分な湿潤状態とし、該パッド表面を研磨工程でパッドから砥粒が遊離化し得る程度の湿潤状態に調整した後、研磨中は研磨液を供給しないで研磨することを特徴とする。
【0013】
前記固定砥粒パッドは、研磨砥粒としてセリア砥粒を含むパッドを使用するのが好ましい(請求項2)。
【0014】
前記湿潤状態を、赤外線式水分計の指示値が2500〜4000、好ましくは3000〜3500の範囲になるように調整するのが良い(請求項3)。
【0015】
前記固定砥粒パッドは、好ましくは含水率3%〜15%、特に好ましくは5〜8%となるものを使用するのが良い(請求項4)。
【0016】
前記湿潤状態の調整は、遠心力を利用した水切り、エアーブロー又は吸水ローラなどによる吸水によって行うのが好ましい(請求項5)。
【0017】
前記固定砥粒パッドが、砥粒シートと繊維状シートの切断面が研磨面にスパイラル状に配置されている研磨パッドであるのが好ましい(請求項6)。
【0018】
要するに本発明は、洗浄工程と研磨工程に大別され、洗浄工程でパッド表面を研磨工程でパッドから砥粒が遊離化し得る程度の湿潤状態に調整し、パッド表面の水膜によって十分な潤滑摩擦力が得られない状態を回避した後、研磨中は純水を含めて一切の研磨液を供給しないで研磨することによって、マイクロスクラッチの増加や面内均一性の悪化など、加工特性が低下するのを無くしたことを要旨とするものである。
【0019】
尚、純水を主成分とする加工液としては、純水に砥粒、酸又はアルカリを加えた加工液が挙げられる。少量の砥粒を含有させることによって、パッドからの砥粒の遊離化が容易となる。
【0020】
次に本発明の実施の形態を説明する。
【0021】
【発明の実施の形態】
本発明で使用する研磨パッドは、研磨装置の回転定盤や走行ベルトに貼付して使用するものである。
【0022】
本発明に使用する含水し得る固定砥粒パッドは、吸水性ポリマーに無機砥粒を含有させたものであり、無機砥粒としては、酸化セリウム、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、二酸化マンガン、酸化鉄、酸化亜鉛、炭化ケイ素、炭化ホウ素、合成ダイヤモンド及びトルマリン粉体の単独若しくは二種以上が挙げられる。特に酸化セリウムを使用するのが好ましい。
【0023】
本発明に使用する含水し得る固定砥粒パッドとしては、例えば、特開2002−38129号に記載の1種類以上の砥粒を含んだシートをスパイラル状に巻き付け、その切断面を研磨面としたパッド、特開2002−18731号に記載のセルロースに研磨性無機微粒子を分散させたパッド、特開2001−179609号に記載のシリコンゴムに研磨性無機微粉末を分散させたパッド及び特開2003−136397号に記載のパッドが挙げられる。
【0024】
CMP用固定砥粒パッドには、研削砥石のように砥粒が固定された状態でウェーハに砥石を作用させるタイプのものと、固定された砥粒が摺動摩擦などで遊離化し、遊離砥粒としてウェーハに作用させるタイプのものに分類されるが、本発明で使用する固定砥粒パッドは後者のタイプの固定砥粒パッドである。
【0025】
本発明で使用する固定砥粒パッドでは、砥粒を遊離化させるためには、十分な摺動摩擦力の発生条件が必要である。特に純水を使用して加工する場合は、加工液にスラリーを使用する場合と異なり、遊離化砥粒の生成割合はパッドとウェーハ間の摩擦力に依存する。しかしながら、加工中に純水が供給されると、パッドとウェーハ間に水の薄膜が形成され、水の薄膜による潤滑作用で、十分な摺動摩擦力が得られない現象が生じる。
【0026】
反対に、セリア砥粒の加工では、水分が不足すると、シリコン酸化膜とセリア砥粒との固相で生じるメカノケミカル反応が進まず、十分な加工能率が期待できなくなる。
【0027】
本発明では、含水し得る固定砥粒パッドを使用し、水の薄膜が生成されない状態で加工を行っているので、上記の問題を避けることが可能となる。この状態は、ウェット加工法とドライ加工法の中間の状態であり、この状態を維持する加工方法をセミドライ加工方法と呼ぶことにする。本発明方法では、セミドライ加工方法として、下記の手順で加工を行った。
(手順1)パッド面上に純水又は純水を主成分とする砥粒を含まない加工液を滴下して、十分な湿潤状態とする。砥粒がセリア砥粒の場合は、純水を適用し、シリカ砥粒の場合は、アルカリを含む純水を使用する。
(手順2)プラテンの回転による遠心力を利用して水切りし、パッド表面の湿潤状態を調整する。
(手順3)加工を実施する。ただし、加工中は純水などの研磨液を一切供給しない。
【0028】
パッド表面の湿潤状態の調整方法には、プラテンの回転による遠心力を利用した水切りの他に、エアーブローや吸水ローラ等の使用も考えられるが、後記実施例では、最も簡便な方法として水切りを採用した。
【0029】
本発明の吸水性固定砥粒パッドは、好ましくは図1に示すように、砥粒シート1と繊維状シート2の2種類のシートの切断面が研磨面にスパイラル状に配置されている研磨パッドが使用される。
【0030】
図1の実施例では、砥粒シート1としてセリア固定砥粒層が、繊維状シート2としてポリマー層が使用され、これらの層がスパイラル状に配置し、加工面に対して垂直に交互に配列した構造になっている。上記実施例のセリア固定砥粒層1は、平均粒径0.5μm程度のセリア砥粒(30重量%)にバインダー剤としてアクリル系の熱可塑性樹脂(10重量%)を均一に混合して、厚さ0.3mmの長尺シート状に成形されたものである。
【0031】
図1に示す固定砥粒パッドは、セリア固定砥粒層の長尺シート1に、ポリウレタン系の熱可塑性合成樹脂2を加熱コートして、図2に示すように、厚さ約0.03mmのポリマー層を形成しながら軸芯に巻き、所定のパッド径まで太らせて円柱状とする。自然冷却後に軸芯に垂直な方向に所定の厚みでスライス加工し、スライス面の片方の面に圧力感圧粘着テープを貼付してポリシングパッドを形成する。
【0032】
上記のようにして製造したパッドの裏面には離型紙を貼着させ、パッドを回転定盤や走行ベルトに貼付させる時には、離型紙を剥がして貼付させるようにするのがよい。
【0033】
このパッドに使用するシート1及び2としては、織布、不織布、フェルト及びペーパーの形態でシート状に加工した化学合成繊維や無機繊維、弾性高分子シート等が挙げられる。
【0034】
砥粒シート1としては、砥粒を合成高分子に分散充填したものや、砥粒をバインダー材に分散させたものを繊維状シートに含浸充填した砥粒シートを使用するのが好ましい。砥粒液を塗付後、例えばロールを通過させることによって、砥粒のシートへの含有量をさらに均一化させることができる。
【0035】
上記のようにして得たパッドは、図3に一例として示すように、パッド3の切断面(研磨面)を上にしてプラテン4上に固定し、被研磨物であるウェーハ5をパッド3上に載せ、上からドレッサー6で押圧して、同ドレッサーに立設したヘッド7と、プラテン4とを回転させてウェーハ5を研磨するものである。
【0036】
図4は、パッド3とウェーハ5の断面図であり、砥粒シート1と繊維状シート2との切断面が、研磨面にスパイラル状に配設されている。
【0037】
図5は、砥粒シート1の断面図であり、無機砥粒9がバインダー剤10でシート上に固定されている。
【0038】
【実施例】
次に、実施例、比較例を挙げて本発明を更に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されない。
【0039】
実施例1:本発明を適用した加工特性の測定
本発明のセミドライ加工方法を適用したCMP加工特性を評価する目的で、図1に示す外径24インチのスパイラル型セリア固定砥粒パッドを使用し、加工試料として膜厚1000nmのP−TEOS酸化膜の8インチブランケットウェーハを使用して加工実験を行った。
【0040】
加工方法として、加工液に純水を適用した加工法(以下純水加工という)、加工液に1重量%のセリアスラリーを適用した加工法(以下スラリー加工という)及び加工液に純水を使用し、ドレッサを併用したin−situドレス加工の3種類の加工方法(比較例)と本発明のセミドライ加工方法を適用したときの加工特性を比較測定した。
【0041】
本発明のセミドライ加工方法は、加工前にパッドを純水で湿潤状態として、加工中には純水を一切供給せずに加工を行う方法であるが、加工前のパッドの湿潤状態によって、加工レートが大きく変化する。湿潤量が多すぎても少なすぎても、十分な加工レートが得られず、加工に最適な湿潤状態が存在する。本実施例では、最適な湿潤状態として、パッドに十分な純水を供給した後、純水の供給を停止し、プラテンの回転数を100rpmとして、4分間回転してパッドの水切りを実施した。次表1に適用した加工条件を示す。
【0042】
【表1】
【0043】
加工特性として、加工レート、面内均一性及びマイクロスクラッチの発生個数を評価した。加工後の酸化膜ウェーハの残膜厚を、7200型膜厚計(ナノメトリックス社製)でウェーハの任意の中心線(以下X軸という)上の21点、及びX軸に直交する線(以下Y軸という)上の8点について測定し、X軸上の除去膜量の平均値(加工時間を1分とした)を加工レートとした。また、面内均一性は、X軸とY軸上の残膜厚の平均値を求め、平均値と各測定点の差の百分率を測定点29点について算出し、その標準偏差σで表した。マイクロスクラッチの発生個数の測定には、残膜を測定したウェーハを十分に洗浄し、SPIスクラッチカウンター(KLA−Tencor社製)を使用した。
【0044】
図6に8インチブランケットウェーハにセミドライ加工方法を適用したときの、加工後の残膜厚の測定結果を示す。比較データとして純水加工、in−situドレス加工及びスラリー加工の3種類の加工方法を適用したときの加工データも示した。図7には、残膜厚から算出した加工レートと面内均一性を示す。図7に示す4種類の加工方法には、同一の加工条件を適用したため単純な比較はできないが、本発明のセミドライ加工方法による加工特性が良好であることがわかる。
【0045】
スラリー加工法では、高い加工レートを示すが面内均一性が悪く、図6に示すように加工特性がセンタースローであった。これは、供給したセリアスラリーの量がウェーハ面に対して偏った分布をし、特にウェーハ中央部に作用するスラリー量が少ないためと判断される。加工圧力を低くし、パッドとウェーハ間の相対速度を増加させるなどの加工条件の改善により、面内均一性の改善が図れるものと考えられる。
【0046】
同様に純水加工、in−situドレス加工方法では、加工圧力を増加させて加工レートを改善させることが可能であるがマイクロスクラッチが増加するので、本発明のセミドライ加工方法は、スラリーフリー加工方法として優れた加工方法と言える。
【0047】
図8に加工後のウェーハ面内に存在するマイクロスクラッチ(0.2μm以上の微細打痕状キズ)の総数を示す。本発明のセミドライ加工方法を適用した加工では、マイクロスクラッチの発生数が少ないことがわかる。
【0048】
砥粒加工によって生じるマイクロスクラッチは、マイクロスクラッチの直径の数倍以上の径を有する粗粒子によるものと考えられる。特に1μm以上の粗粒子(微粒子の凝集体も含まれる)個数とマイクロスクラッチの発生数には強い相関関係がある。
【0049】
また加工条件が同一であれば、加工量が多いほど加工に作用した砥粒の量が多いと考えられるため、マイクロスクラッチの発生数が多くなることが予想される。しかし、図8は、最も加工量の多い本発明のセミドライ加工方法と、加工量の最も少ない比較例の純水加工方法とが同程度であることを示している。これは、固定砥粒パッドの表面近傍に存在する粗粒子が同程度に加工に作用すると仮定しても、本発明のセミドライ加工方法には、マイクロスクラッチの発生を緩和するメカニズムが働いていることを示すものである。
【0050】
実施例2:セミドライ加工におけるパッド湿潤状態の測定
本実施例は、セミドライ加工方法を適用した場合のパッドの湿潤状態を数値化する目的で、外径12インチのスパイラル型固定砥粒パッド(RC01−#3型)を使用し、パッドの湿潤状態の調整条件とパッド表面の水分量の関係を求め、同時に加工レートとの関係を測定した。また、本発明のRC01−#3型パッドに樹脂含浸処理を行い、RC01−#3型パッドの固定砥粒層の微細気孔を閉鎖させた比較例のパッド(RC01−#4型)を試作し、同様にパッド表面の水分量と加工レートの関係を比較測定した。表2に適用した加工条件を示す。
【0051】
加工試料には、膜厚1000nmのP−TEOS酸化膜の18mm×18mmのウェーハチップを使用した。干渉式膜厚計(SENNTECH社製 FTP500)を用いて試料の膜厚さを測定し、加工前後の膜厚さの測定値をもとに、単位時間当たりの除去膜厚を加工レートとした。
【0052】
【表2】
【0053】
パッド湿潤状態は、赤外線式水分計(IM−3SCV フジワーク社社製)を使用してパッドの表面近傍の水分量で数値化した。ただし、赤外線式水分計の指示値は、測定試料の材質や厚みに対して水分量の相対値を示すものである。
【0054】
含水率の測定では、厚さ3mm、100mm×100mmの固定砥粒パッドのカットサンプルを使用し、60℃に設定したオーブン乾燥機(2−20001ISUZU製作所製)で10時間乾燥させた後のサンプル重量を測定(乾燥重量という)し、純水に10時間浸漬した後、自然乾燥して重量を測定し、乾燥重量に対する重量増加率をパッドの含水率とした。
【0055】
(1)パッド湿潤状態の水分量の測定
本実施例では、パッドの湿潤状態の調整方法として、プラテンの回転数を一定(100rpm)としてパッドの水切り時間を変化させる方法を採用し、パッドの湿潤状態を、赤外線式水分計を使用して数値化した。オン発明のRC01−#3型パッドと比較例のRC01−#4型パッドを使用して湿潤状態を調整した後、加工直前のパッド表面の水分量を赤外線式水分計で測定し、加工レートとの関係を2種類のパッドについて比較測定した。
【0056】
図9に水切り時間を2分間隔で10分間実施したときの水きり時間と加工レート及び水分計の指示値の関係を示す。
【0057】
水きりを施すと、本発明のRC01−#3型パッドの水分計指示値は、最初の2分間で3500まで低下し、その後2500までは徐々に低下していく。一方比較例のRC01−#4型パッドの水分計指示値は、最初の2分間で1000まで低下し、その後はほとんど変化がない。RC01−#4型パッドの加工レートは、水切り時間に対して変化がなく、低い値を示しているが、RC01−#3型パッドの加工レートは、水切り時間に対して増加傾向を示し、水切り時間8分にピーク値があることを示している。図10は、水分計の指示値と加工レートとの関係を、図9を使用して再プロットしたものである。図10より水分計指示値が2500〜4000の範囲で高い加工レートが得られることがわかる。
【0058】
(3)パッド含水率と水分計指示値の関係
本実施例では、赤外線式水分計の指示値とパッドの湿潤状態の関係を調べるために、本発明のRC01−#3型パッドと比較例のRC01−#4型パッドのカットサンプルについて、パッドの含水率と水分計指示値の関係を測定した。
【0059】
図11に、2種類のパッドについて、パッド含水率と水分計指示値の関係を比較して示す。本発明のRC01−#3型パッドでは、水分計指示値2500で屈曲点を示す。この屈曲点は、パッドの乾燥条件の境界を示すもので、屈曲点以下の領域では、含水率の変化が著しく低下したため、自然乾燥からオーブン乾燥に変更した。同様に、RC01−#4型パッドでは、水分計指示値1000以下で乾燥条件を変更した。
【0060】
図11から、自然乾燥の領域では2種類のパッドともに、含水率の変化率が同じであることがわかる。この水分計の指示値の領域(RC01−#3型パッドでは2500以上、RC01−#4型パッドでは1000以上)では、含水率の減少が、パッド表面に存在する水分の薄膜の減少に相対しているものと判断される。
【0061】
図10を考慮すると、パッド表面に存在する水分の薄膜が消滅する寸前に高い加工レートを得る条件があると判断される。メカノケミカル反応の低下を回避し、高い加工レートを安定して得るためには、使用するパッドが十分な含水率を有する必要がある。具体的には、好ましくは含水率3%〜15%、特に好ましくは5%〜8%である。少なすぎると、メカノケミカル反応に必要な水分が不足し、多すぎるとパッド表面の水分を湿潤調整しても、パッドに吸水した水分が表面に移動するため、潤滑作用を低減させるのが困難となる。
【0062】
本発明の効果の原因は、砥粒が加工試料に作用する新たな作用状態として、高粘性流動状態が生起しているためと考えられる。高粘性流動状態の砥粒が形成される条件は、固定砥粒層が摩擦力で破壊されて砥粒の遊離化が起こること、及びパッド表面の水分量が少ないことである。本発明のセミドライ加工法は、この2つの条件を同時に満たすように、加工前にパッドの湿潤状態を調整している。
【0063】
このことは、水の薄膜による潤滑効果の影響がなくなる水分量の領域で高い加工レートが得られることと、この領域を過ぎると、パッドとウェーハ間に生じる摺動摩擦力が大きくなり、砥粒の遊離化に必要な摩擦力に達することから確認されている。従って、本発明によれば、多くの砥粒が遊離化することと、パッド表面の水分量が少ないことから、高粘性流動状態が生起していると判断される。
【0064】
要するに本発明によれば、高濃度砥粒が高粘性流動状態に遊離化し、遊離化した砥粒が排出されずに加工に寄与するため、高い砥粒の利用効率が得られるものと考えられる。
【0065】
【発明の効果】
以上述べた如く、本発明によれば、遊離化タイプの吸水性固定砥粒パッドを使用し、パッドから砥粒が遊離化し得る程度の湿潤状態に調整することによって、研磨中は一切の研磨液を使用しないで、マイクロスクラッチの増加や面内均一性の悪化などの加工特性が低下することなくウェーハを研磨することができる。これは従来なし得なかったことが達成できたものであるから、極めて画期的な効果である。
【0066】
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例を示す斜視図である。
【図2】本発明に使用する固定砥粒パッドの製法を説明する斜視図である。
【図3】本発明に使用する研磨装置の一例を示す斜視図である。
【図4】本発明のパッドのウェーハを載せた状態の断面図である。
【図5】図4の砥粒シートの断面図である。
【図6】ウェーハに本発明方法を適用した加工後の残膜厚の測定結果を示す線図である。
【図7】図6の残膜厚から算出した加工レートと面内均一性を示す棒グラフである。
【図8】本発明方法で加工後のマイクロスクラッチの総数を示す棒グラフである。
【図9】本発明のパッドと比較例のパッドについてのパッドの加工レートと水分計指示値の関係を示すグラフである。
【図10】図9の結果を使用して再プロットした加工レートと水分計指示値の関係を示す線図である。
【図11】本発明のパッドと比較例のパッドについて、水分計指示値と含水率との関係を示す線図である。
【符号の説明】
1………砥粒シート
2………繊維状シート
3………固定砥粒パッド
5………ウェーハ
Claims (6)
- 遊離化タイプの含水し得る固定砥粒パッドを、純水又は純水を主成分とする加工液で十分な湿潤状態とし、該パッド表面を研磨工程でパッドから砥粒が遊離化し得る程度の湿潤状態に調整した後、研磨中は研磨液を供給しないで研磨することを特徴とする研磨方法。
- 前記固定砥粒パッドは、研磨砥粒としてセリア砥粒を含む請求項1記載の研磨方法。
- 前記湿潤状態を、赤外線式水分計の指示値が2500〜4000の範囲になるように調整する請求項1又は2記載の研磨方法。
- 前記固定砥粒パッドは、含水率3%〜15%である請求項1〜3のいずれかに記載の研磨方法。
- 前記湿潤状態の調整は、遠心力を利用した水切り、エアーブロー又は吸水ローラなどによる吸水によって行う請求項1〜4のいずれかに記載の研磨方法。
- 前記固定砥粒パッドが、砥粒シートと繊維状シートの切断面が研磨面にスパイラル状に配置されている研磨パッドである請求項1〜5のいずれかに記載の研磨方法。
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| JP2003163392A JP2004358643A (ja) | 2003-06-09 | 2003-06-09 | 固定砥粒パッドを使用する研磨方法 |
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|---|---|---|---|
| JP2003163392A Pending JP2004358643A (ja) | 2003-06-09 | 2003-06-09 | 固定砥粒パッドを使用する研磨方法 |
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009231814A (ja) * | 2008-02-27 | 2009-10-08 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 窒化物半導体ウエハ−加工方法 |
| JP2010188487A (ja) * | 2009-02-19 | 2010-09-02 | Kumamoto Univ | 触媒支援型化学加工方法及びそれを用いた加工装置 |
-
2003
- 2003-06-09 JP JP2003163392A patent/JP2004358643A/ja active Pending
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