JP2005190838A - 有機ｅｌ表示装置及び有機ｅｌ表示装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】
陽極と陰極の短絡を防止し、有機ＥＬ素子の特性を向上できる有機ＥＬ表示装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】
本発明にかかる有機ＥＬ表示装置は、フロート法により形成されたうねり状凹凸面を有する基板１０と、基板１０のうねり状凹凸面上に形成されたＩＴＯ１０１と、ＩＴＯ１０１の上に形成された有機ＥＬ層１０２と、ＩＴＯ１０１との間において有機ＥＬ層１０２を挟むように形成された陰極１０３と、が備えられたものである
【選択図】 図１

Description

本発明は、有機ＥＬ表示装置及び有機ＥＬ表示装置の製造方法に関する。

近年、ＦＰＤ(Ｆｌａｔ Ｐａｎｅｌ Ｄｉｓｐｌａｙ)として有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）ディスプレイが注目されている。有機ＥＬディスプレイは画素となる有機ＥＬ素子を複数配置した表示パネルを備えている。表示パネルは通常、有機ＥＬ素子が形成された素子基板と素子基板と対向する封止用対向基板とを備えている。封止用対向基板と素子基板とを貼合せ、有機ＥＬ素子が設けられた領域を封止し、有機ＥＬ表示パネルが製造されている。

従来の有機ＥＬディスプレイでは、例えば、素子基板には０．７ｍｍ厚のガラス基板を、封止用対向基板には０．７〜１．１ｍｍのガラス基板を使用している。このガラス基板には、例えば、無アルカリガラスが用いられている。

ガラス基板の製造方法として、例えば、フュージョンドロー法やフロート法が知られている。フュージョンドロー法は、溶融ガラスを樋に流し込み、樋の両側からあふれ出たガラスを樋下部で一体にしてガラス板を製造する方法である。フュージョンドロー法は、ガラス表面が空気以外に接触しないため、非常に平坦な面を得ることができる。しかし、溶融ガラスを流し込む樋の大型化が困難なため、より幅の広いガラスを製造することができない。

フロート法は、溶けたガラスを溶融金属（例えば、Ｓｎ）浴を収容する浴槽内に流し入れ、リボン状のガラス（ガラスリボン）を前進させながら所定の幅や厚さに調整し、所望のガラス板を製造する方法である。フロート法は、平坦な板ガラスを大量に生産することができる。特に、浴槽の幅を広げることでより幅の広いガラスの製造が可能であるため、大型のガラス基板の製造に用いられている。

しかし、フロート法により形成されたガラス基板の場合、基板にうねりが発生しやすい。うねりは、溶融金属浴において生じる波や、ガラスリボンを搬送するロールとの接触、冷却工程における温度変化等によるものである。

フロート法で形成したガラス基板をＬＣＤ（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）の基板として用いる場合、基板表面の平坦性を得るために、、基板表面を機械的に研磨（ポリシング）することが知られている。しかしながら、研磨されたガラス基板は、うねり等の比較的大きな凹凸は取り除かれるが、その反面、研磨によってガラス基板表面に微小の研磨傷が形成されてしまう。

図５を用いて、従来のガラス基板について説明する。図５（ａ）は、従来の研磨したガラス基板５０を示し、図５（ｂ）は、図５（ａ）のガラス基板に有機ＥＬ素子を形成した後の構成を示す拡大断面図である。

このガラス基板５０は、フロート法により形成され、その基板表面を研磨したものである。この例では、図における基板５０の上面が、有機ＥＬ素子の形成面であり、研磨面である。図５（ａ）に示されるように、基板５０の研磨した上面には、微小の凹部である研磨傷５１が複数形成されている。また、研磨していない下面には、研磨傷は無いがうねり状の凹凸が生じている。基板５０の表面における研磨傷５１の幅は、例えば、数μｍである。

図５（ｂ）において、基板５０上には、陽極５２、有機ＥＬ層５３及び陰極５４が形成されている。有機ＥＬ層５３は、例えば、ホール注入輸送層、発光層、電子注入輸送層が積層されている。この陽極５２と陰極５４を介して有機ＥＬ層５３に電流が供給されると、有機ＥＬ層５３の発光層が自発光する。

図に示されるように、陽極５２、有機ＥＬ層５３及び陰極５４は、基板５０の上面の研磨傷５１の形状に沿って形成され、研磨傷５１と同様の凹形状を有している。したがって、研磨傷５１近傍は、その他の部分よりも、陽極５２、有機ＥＬ層５３及び陰極５４の形成量が多くなる。このため、陽極５２と陰極５４に電流を供給すると、この研磨傷５１近傍に電圧が集中し、陽極５２と陰極５４が短絡しやすくなり、素子の特性が劣化するという問題がある。

なお、ガラス基板の研磨面に絶縁層を形成する方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。
特開２０００−２１５６３号公報

このように、従来の有機ＥＬ表示装置では、陽極と陰極の短絡が発生しやすく、有機ＥＬ素子の特性を劣化させるという問題点があった。

本発明は、このような問題点を解決するためになされたもので、陽極と陰極の短絡を防止し、有機ＥＬ素子の特性を向上できる有機ＥＬ表示装置及びその製造方法を提供することを目的とする。

本発明にかかる有機ＥＬ表示装置は、うねり状凹凸面を有するガラス基板と、前記ガラス基板のうねり状凹凸面上に形成された第１の電極と、前記第１の電極の上に形成された有機発光層と、前記第１の電極との間において前記有機発光層（例えば、本実施形態における有機ＥＬ層１０２）を挟むように形成された第２の電極と、が備えられたものである。これにより、素子の特性を向上することができる。

上述の有機ＥＬ表示装置において、前記第１の電極の基板側表面が、前記うねり状凹凸面に由来する凹凸面を備えていてもよい。これにより、陽極と陰極の短絡を防止することができる。

上述の有機ＥＬ表示装置において、前記うねり状凹凸面の凹凸のピッチが、表示画素部よりも広くてもよい。これにより、表示画素部において陽極と陰極の短絡を防止することができる。

上述の有機ＥＬ表示装置は、パッシブ駆動型であってもよい。

本発明にかかる有機ＥＬ表示装置の製造方法は、うねり状凹凸面を備えたガラス基板のうねり状凹凸面上に、第１の電極を形成するステップと、前記第１の電極が形成されたガラス基板上に、有機発光層を形成するステップと、前記有機発光層が形成されたガラス基板上に、前記第１の電極との間において前記有機発光層を挟むように第２の電極を形成するステップと、を備えるものである。これにより、素子の特性がすぐれた有機ＥＬ表示装置を製造することができる。

上述の有機ＥＬ表示装置の製造方法において、前記ガラス基板のうねり状凹凸のピッチは、表示画素部よりも広くてもよい。これにより、陽極と陰極の短絡が発生しない有機ＥＬ表示装置を製造することができる。

上述の有機ＥＬ表示装置の製造方法において、前記ガラス基板は、無アルカリガラスであってもよい。これにより、素子の特性がよりすぐれた有機ＥＬ表示装置を製造することができる。

上述の有機ＥＬ表示装置の製造方法において、前記第１の電極の前記有機発光層が形成される面を平坦化処理するステップをさらに備えていてもよい。これにより、第１の電極が平坦になり、素子の特性がよりすぐれた有機ＥＬ表示装置を製造することができる。

上述の有機ＥＬ表示装置の製造方法において、前記ガラス基板にフロート法で形成するガラス基板を用い、その溶融金属接触面または溶融金属非接触面の上に、前記第１の電極を形成してもよい。これにより、フロート法により形成されたガラス基板を用いて、素子の特性がすぐれた有機ＥＬ表示装置を製造することができる。

本発明によれば、陽極と陰極の短絡を防止し、有機ＥＬ素子の特性を向上できる有機ＥＬ表示装置及びその製造方法を提供することができる。

以下に、本発明を適用できる実施の形態の説明を行う。以下の説明により、本発明が以下の実施形態に限定されるものではない。説明の明確化のため、以下の記載及び図面は、適宜、省略をしている。又、当業者であれば、以下の実施形態の各要素を、本発明の範囲において容易に変更、追加、変換することができる。

図１及び図２を用いて、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置の製造方法について説明する。図１は、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置の製造方法の概略を示す基板の断面図であり、図２は、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置の製造方法の詳細を示すフローチャートである。

本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置は、画素となる有機ＥＬ素子を複数配置した有機ＥＬ表示パネルを備えている。有機ＥＬ表示パネルは通常、有機ＥＬ素子が形成された素子基板と有機ＥＬ素子を封止するため、素子基板と対向配置された対向基板とを備えている。

図１を用いて、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置の製造方法について説明する。図１は、素子基板である基板１０の一部の断面を模式的に示している。

まず、図１（ａ）に示すように、基板１０を形成する。基板１０は、例えば、フロート法により形成された無アルカリガラスである。基板１０は上面及び下面にはうねり状の凹凸を有している。しかし、基板１０の上面及び下面には、研磨傷などの微小な凹部を有していない。例えば、基板１０の厚さは０．７ｍｍである。それに対して、うねりの典型的な形状は、１０ｍｍの間隔において、そのうねりの高さが１０μｍ程度の凹凸である。本実施形態では、表面にうねりを有する基板１０を機械的に研磨せずに、有機ＥＬ素子を形成する。

次いで、図１（ｂ）に示すように、基板１０上にＩＴＯ１０１を形成する。ＩＴＯ１０１は、陽極となる透明電極であり、例えば、スパッタ等により成膜する。このとき、ＩＴＯの表面に微小な突起１０１ａが生ずることがある。この突起１０１ａは、例えば、成膜中のごみや、異常成長によるものである。

次いで、図１（ｃ）に示すように、ＩＴＯ１０１の表面を研磨する。ＩＴＯ１０１の表面を研磨することで、突起１０１ａを除去し、ＩＴＯ１０１の表面を平坦化する。

次いで、図１（ｄ）に示すように、ＩＴＯ１０１上に有機ＥＬ層１０２及び陰極１０３を形成する。有機ＥＬ層１０２及び陰極１０３は、例えば、塗布や蒸着等により形成される。基板１０に微小な凹凸がないため、ＩＴＯ１０１、有機ＥＬ層１０２及び陰極１０３のそれぞれの厚み方向の形成量が、基板１０上において、ほぼ均一となるため、電圧の集中がおきず、ＩＴＯ１０１と陰極１０３の短絡を防止することができる。その後、対向基板を貼り合わせ、封止、切断等を行い、有機ＥＬ表示パネルを形成する。

次に、図２を用いて、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置の製造方法について詳細に説明する。まず、素子基板に用いるガラス基板をフロート法により形成する（ステップＳ１０１）。

フロート法では、ガラス原料を溶解窯において溶融ガラスとし、溶融ガラスをフロートバス（溶融金属浴）へ流入し、リボン状のガラスであるガラスリボンを形成する。なお、フロート法によるガラスの製造については、山根 正之他編、「ガラス光学ハンドブック」、第１版、朝倉書店、１９９９年７月６日、ｐ．３５９−３６２、に示されている。

フロート法で形成したガラスリボンは、ロール等により徐冷窯に搬送され、徐冷窯において徐冷する。ガラスリボンに急激な温度変化が加わると、ひずみが発生するため、一気に冷めないよう、温度調節しながら徐々に冷やす。その後、所望のサイズに切断し、ガラス基板となる。

また、フロート法により形成されたガラス基板には、溶融金属浴によるＳｎの表面拡散層が生じるため、塩酸等で洗浄し、Ｓｎを除去する（Ｓ１０２）。素子基板となるガラス基板の厚さは、例えば、０．７〜１．１ｍｍである。このように形成されるガラス基板には、例えば、無アルカリガラス（例えば、旭硝子社製ＡＮ１００）あるいはアルカリガラス（旭硝子社製ＡＳ）等があり、本実施形態では、無アルカリガラスを用いる。無アルカリガラスは、アルカリ成分の溶出が少ないため、有機ＥＬ素子に与える影響が少ない。このガラス基板の表面は、図１（ａ）で示したように、うねりを有している。

このガラス基板の溶融金属接触面上に陽極電極材料であるＩＴＯを成膜する（ステップＳ１０３）。ＩＴＯはスパッタや蒸着によって、ガラス基板全面に均一性よく成膜することができる。ここではＤＣスパッタ法により膜厚１５０ｎｍで成膜する。フォトリソグラフィー及びエッチングによりＩＴＯパターンを形成する（ステップＳ１０４）。このＩＴＯパターンが陽極となる。レジストとしてはフェノールノボラック樹脂を使用し、露光現像を行う。エッチングはウェットエッチングあるいはドライエッチングのいずれでもよいが、ここでは塩酸及び硝酸の混合水溶液を使用してＩＴＯをパターニングした。レジスト剥離材としてはモノエタノールアミンを使用した。ＩＴＯの表面には、図１（ｂ）で示したように、突起を生じているため、ＩＴＯの表面を研磨することにより、突起等を除去し平坦化する（Ｓ１０５）。

ＩＴＯパターンの上から補助配線材料を成膜する（ステップＳ１０６）。補助配線材料はＡｌあるいはＡｌ合金などの低抵抗性の金属材料を用い、スパッタ、蒸着によって成膜することができる。さらに下地との密着性を向上させるため、あるいは腐食を防止するために、Ａｌ膜の下層又は上層にＴｉＮやＣｒ等のバリア層を形成して補助配線を積層構造としても良い。このバリア層も蒸着あるいはスパッタにより形成できる。ここではＤＣスパッタ法により総厚が４５０ｎｍのＣｒ／Ａｌ／Ｃｒの積層膜やＭｏＮｂ／Ａｌ／ＭｏＮｂの積層膜を補助配線材料として成膜する。

この補助配線材料をフォトリソグラフィー及びエッチングによりパターニングして、補助配線パターンを形成する（ステップＳ１０７）。エッチングには燐酸、酢酸、硝酸等の混合水溶液よりなるエッチング液を使用することができる。なお、陽極材料と補助配線材料とを順に成膜し、その後に補助配線材料と陽極材料を順番にパターニングすることも可能である。この補助配線パターンにより、陽極又は陰極に信号が供給される。

次に開口絶縁膜を形成する（ステップＳ１０８）。絶縁膜としては感光性のポリイミドをスピンコーティングして、フォトリソグラフィー工程でパターニングした後、キュアし画素に画素開口部を有する開口絶縁膜を形成する。同時に陰極と補助配線とのコンタクトホールを形成する。例えば、画素開口部は３００μｍ×３００μｍ程度、陰極と補助配線とのコンタクトホールを２００μｍ×２００μｍ程度で形成する。なお、画素開口部よりも広い間隔でガラス基板のうねりが存在しているので、画素開口部においては、ガラス基板の表面形状はほぼ平坦である。

次に陰極隔壁を形成する（ステップＳ１０９）。陰極隔壁には、例えば、ノボラック樹脂を用いる。ノボラック樹脂をスピンコートして、フォトリソグラフィー工程でパターニングした後、光反応させて陰極隔壁を形成する。陰極隔壁が逆テーパ構造を有するようネガタイプの感光性樹脂を用いることが好ましい。ネガタイプの感光性樹脂を用いると、上から光を照射した場合、深い場所ほど光反応が不十分となる。その結果、上から見た場合、硬化部分の断面積が上の方より下の方が狭い構造を有する。これが逆テーパ構造を有するという意味である。このような構造にすると、その後、陰極の蒸着時に蒸着源から見て陰になる部分は蒸着が及ばないため、陰極同士を分離することが可能になる。さらに、開口部のＩＴＯ層の表面改質を行うために、酸素プラズマ又は紫外線を照射してもよい。

次に画素開口部の上に有機ＥＬ素子を形成する（ステップＳ１１０）。例えば、蒸着装置を用い、有機ＥＬ層と陰極を蒸着する。有機ＥＬ層は界面層、正孔輸送層、発光層、電子注入層等を構成要素とすることが多い。ただし、これとは異なる層構成を有する場合もある。有機ＥＬ層の厚さは通常１００〜３００ｎｍ程度である。界面層として銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）を厚さ１０ｎｍ、正孔輸送層としてＮ，Ｎ'−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ'−ジフェニル−ベンジジン（α―ＮＰＤ）を厚さ６０ｎｍ、発光層としてＡｌｑを厚さ５０ｎｍ、電子注入層としてＬｉＦを厚さ０．５ｎｍ蒸着する。上述の構成で正孔輸送層をα―ＮＰＤの代わりにトリフェニルジアミン（ＴＰＤ）等のトリフェニルアミン系の物質を使用することもできる。

陰極にはＡｌを使用することが多いが、Ｌｉ等のアルカリ金属、Ａｇ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｙ、Ｉｎやそれらを含む合金を用いることもできる。陰極の厚さは通常５０〜３００ｎｍ程度であり、ここでは厚さ２００ｎｍのＡｌとする。陰極はこの他、スパッタリング、イオンプレーティングなどの物理的気相成長法（ＰＶＤ）で形成することができる。これにより、有機ＥＬ素子を形成する。

これらの工程により有機ＥＬ素子が複数形成された大型素子基板が製造される。通常１枚の基板には複数の有機ＥＬ素子を有する有機ＥＬ表示パネルが複数形成される。そして、各有機ＥＬ表示パネルを切断分離することにより、１枚のマザーガラスから複数の有機ＥＬ表示パネルが得られる。この工程については後述する。上述の有機ＥＬ素子基板の製造工程は典型的な有機ＥＬ表示装置に用いられる素子基板の製造工程の一例であり、上述の製造工程に限られるものではない。

次に有機ＥＬ素子を封止するための対向基板の製造工程について説明する。有機ＥＬ素子は空気中の水分により劣化するので、対向基板を用いて封止する。対向基板として厚さ０．７〜１．１ｍｍのガラス基板をフロート法により形成し（ステップＳ２０１）、塩酸等により洗浄する（ステップＳ２０２）。ガラス基板には、素子基板と同様のものを用いてもよいし、研磨した基板を用いてもよい。そして、この対向基板を加工して、水分を捕獲する捕水材を配置するための捕水材収納部を設ける（ステップＳ２０３）。捕水材収納部は例えば、エッチングやサンドブラストにより、対向基板の一部を掘り込むことによって形成される。この捕水材収納部に捕水材を配置する（ステップＳ２０４）。捕水材には酸化カルシウム粉末や捕水テープなどが用いられる。

そして、対向基板の捕水材収納部を設けた面に、ディスペンサを用いてシール材を塗布する（ステップＳ２０５）。シール材を、有機ＥＬ表示領域を囲むようにし、有機ＥＬ素子を封止するように設ける。さらに切断時に表示パネルから切断される切断端材が飛散するのを防止する飛散防止用シールを各有機ＥＬ表示領域間に設ける。封止用シールとしては感光性エポキシ樹脂が好ましい。例えば、光カチオン重合型エポキシ樹脂を用いることができ、素子基板と対向基板を貼り合わせるための接着材として機能する。飛散防止用シールにも同じ材料を使用することができる。これにより、製造工程を簡略化できる。上記の製造工程により封止基板（対向基板）を製造する。なお、上述の製造工程は典型的な一例であり、これに限られるものではない。

次に素子基板と対向基板を貼り合わせて、有機ＥＬ素子を封止する（ステップＳ１１１）。これ以降の工程について図３及び図４を用いて説明する。図３は基板の構成を示す平面図、図４は封止後の基板の構成を示す断面図である。図３及び図４において、１０は素子基板、１１は有機ＥＬ表示領域、１２は補助配線、２０は対向基板、２１は捕水材収納部、２２は捕水材、２３は封止用シール、２５は飛散防止用シールである。

素子基板１０には上述のステップＳ１０１〜Ｓ１１０により形成し有機ＥＬ素子を複数含む有機ＥＬ表示領域１１と各素子に信号を供給する補助配線１２を備えている。図３に示すように素子基板１０には６個の有機ＥＬ表示領域１１を設けており、基板を切断分離することにより有機ＥＬ表示パネル３０を形成する。素子基板１０より若干小さい対向基板２０には各有機ＥＬ表示領域１１に対して捕水材収納部２１を形成し、捕水材２２を配置している。対向基板２０にはそれぞれの有機ＥＬ表示領域１１を囲む封止用シール２３を設ける。さらに、それぞれの有機ＥＬ表示領域１１に対応する封止用シール２３の間には飛散防止用シール２５を設ける。

素子基板１０と対向基板２０とが対向するよう位置合わせして、両基板を加圧し、各シール材にＵＶ光を照射する。これにより、図４に示すように両基板が接着された構成となる。素子基板１０に設けられたそれぞれの有機ＥＬ表示領域１１は図３に示すように封止用シール２３で全周を囲まれる。両基板と封止用シール２３で囲まれた空間に捕水材２２を配置し、封止された空間に残留または侵入してくる水分等による有機ＥＬ素子の劣化を防止する。素子基板１０と対向基板２０からなる１対の基板で有機ＥＬ素子を封止する。補助配線１２は外部の駆動回路と接続するため、封止用シール２３の一部は補助配線１２をまたがって接着されるようにする。

また、素子基板１０と対向基板２０の外面、すなわち、素子基板１０の有機ＥＬ素子が設けられた面の反対面及び対向基板２０の捕水材２２を設けた面の反対面を、研磨等することにより、基板を薄型化してもよい。例えば、各基板を薄型化し０．５ｍｍの厚さとすると、総厚１．０ｍｍの有機ＥＬ表示パネル３０が得られる。

封止された基板を切断してそれぞれの有機ＥＬ表示パネル３０を分離する（ステップＳ１１２）。例えば、素子基板１０と対向基板２０では切断位置が異なる。対向基板２０は、封止用シール２３周辺を囲むように切断する。素子基板１０は、封止用シール２３周辺及び補助配線１２の端部を囲むように切断する。したがって、素子基板１０は封止用シール２３の外側に設けた補助配線１２の分だけ対向基板２０よりも有機ＥＬ表示領域１１の外側で切断する。これにより、それぞれの有機ＥＬ表示パネル３０に分割できる。

次に、駆動回路等を実装する（ステップＳ１１３）。素子基板１０には封止用シール２３で囲まれた領域から外に補助配線１２を延設する。補助配線１２の外側の端部には端子部が形成されており、この端子部に異方性導電フィルム（ＡＣＦ）を貼付け、駆動回路が設けられたＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）を接続する。具体的には端子部にＡＣＦを仮圧着する。ＡＣＦは日立化成製アニソルム７１０６Ｕを用いている。仮圧着温度は８０℃で、圧着圧力は１．０ＭＰａ、圧着時間は５秒である。ついで駆動回路が内蔵されたＴＣＰを端子部に本圧着する。本圧着温度は１７０度で、圧着圧力は２．０ＭＰａ、圧着時間は２０秒である。これにより駆動回路を実装する。この有機ＥＬ表示パネル３０を筐体に取り付け、有機ＥＬ表示装置が完成する（ステップＳ１１４）。

このように、うねりを有し研磨傷等の微小な凹凸のないガラス基板を用いることにより、有機ＥＬ素子の特性を向上することができる。特に、ガラス基板に研磨傷などが無いことから、研磨したガラス基板に比べて、陽極と陰極の短絡を防止することができる。また、ガラス基板のうねりの凹凸の間隔が、表示画素よりも大きいことから、表示画素内においてガラス基板は平坦であり、うねりによる素子の特性への影響はない。

なお、上述の説明では、基板に無アルカリガラスを用いたが、これに限らず、低アルカリガラス、ソーダ石灰ガラス、石英ガラス等でもよい。また、上述の説明では、フロート法により形成したが、これに限らず、ロールアウト法等でもよい。

本発明にかかる有機ＥＬ表示装置の製造方法を示す基板の断面図である。 本発明にかかる有機ＥＬ表示装置の製造方法を示すフローチャートである。 本発明にかかる有機ＥＬ表示装置の構成を示す平面図である。 本発明にかかる有機ＥＬ表示装置の構成を示す断面図である。 従来のガラス基板の断面図である。

符号の説明

１０ 基板
１０１ ＩＴＯ
１０２ 有機ＥＬ層
１０３ 陰極
１１ 有機ＥＬ表示領域
１２ 補助配線
２０ 対向基板、
２１ 捕水材収納部
２２ 捕水材
２３ 封止用シール
２５ 飛散防止用シール
３０ 表示パネル

Claims (9)

1. うねり状凹凸面を有するガラス基板と、
   前記ガラス基板のうねり状凹凸面上に形成された第１の電極と、
   前記第１の電極の上に形成された有機発光層と、
   前記第１の電極との間において前記有機発光層を挟むように形成された第２の電極と、
   が備えられた有機ＥＬ表示装置。
2. 前記第１の電極の基板側表面が、前記うねり状凹凸面に由来する凹凸面を備える、請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
3. 前記うねり状凹凸面の凹凸のピッチが、表示画素部よりも広い、請求項１または２に記載の有機ＥＬ表示装置。
4. パッシブ駆動型である、請求項１、２または３に記載の有機ＥＬ表示装置。
5. うねり状凹凸面を備えたガラス基板のうねり状凹凸面上に、第１の電極を形成するステップと、
   前記第１の電極が形成されたガラス基板上に、有機発光層を形成するステップと、
   前記有機発光層が形成されたガラス基板上に、前記第１の電極との間において前記有機発光層を挟むように第２の電極を形成するステップと、
   を備える有機ＥＬ表示装置の製造方法。
6. 前記ガラス基板のうねり状凹凸のピッチは、表示画素部よりも広い、請求項５に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
7. 前記ガラス基板は、無アルカリガラスである、請求項５または６に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
8. 前記第１の電極の前記有機発光層が形成される面を平坦化処理するステップをさらに備える、請求項５、６または７に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
9. 前記ガラス基板にフロート法で形成するガラス基板を用い、その溶融金属接触面または溶融金属非接触面の上に、前記第１の電極を形成する請求項５、６、７または８に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
   
   

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