JP2005294676A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

【課題】半導体組立プロセスのワイヤボンド工程において、パッドが受ける衝撃による保護膜のクラックが発生したり、パッドとパッド間がショートしたりして、接合性の低下を引き起こすことがある。
【解決手段】パッドの保護膜９の開口は最上層メタル３のサイズより大きく、帯状に開口している。これにより、特定のパッドに不純物等が溜まらず排出しやすく、不純物等による接合性の低下を防ぐことができる。また、パッドとパッドとの間に矩形状の保護膜９ｂが形成されており、これはパッドとパッドの間を絶縁するためのものである。一方、パッド形状は最上層メタル３のコーナー部を切断し、面取りされている。このことにより、むき出しの最上層メタル３が千切れて、最上層メタル片がパッド上への付着による接合性の低下、或いはパッドとパッド間に付着することによるショートを防ぐことができる。
【選択図】図１

Description

本発明は半導体装置の組立工程であるワイヤボンドの衝撃による外部接続電極（以下、パッドと記す）周辺、特にパッドを覆う保護膜のクラック防止を実現する半導体装置に関するものである。

従来、ワイヤーボンド等を介して外部へ接続するための半導体素子の各パッドは、その各パッド内にワイヤーボンドされ、ワイヤーボンドがパッドをはみ出すことはなかった。しかしながら、微細化技術の進展に伴い、ワイヤーボンド等の接合技術も狭ピッチ化が進み、もはや各パッド内に接合が収まらなくなってきた。しかし、各パッドを覆う保護膜が厚く、強度があるため、たとえワイヤーボンドが各パッドをはみ出しても、保護膜にクラックが発生することはなかった。

図２は、従来の半導体装置におけるパッド周辺の構成図であり、図２（ａ）は平面図、図２（ｂ）は図２（ａ）の平面図に示すＸ−Ｙでの断面図である。図２において、パッドは下層メタル１と、その上に形成されたバリアメタル２と、さらにその上に形成された最上層メタル３とから構成され、下層メタル１とその下の他層との間には層間絶縁膜４があり、隣接するパッドの下層メタル１間には配線間絶縁膜５が形成されている。下層メタル１上には、パッド部分を開口して、配線間絶縁膜５上に１層目の保護膜６が形成され、最上層メタル３上には、パッド部分を開口して、保護膜６上に最上層の保護膜７が形成されている。パッド部分の開口部８以外は、最上層メタル３と重なりを持った状態で全面が保護膜７で覆われている。

このようなパッド周辺は、その一方で、拡散プロセスの微細化技術により、配線遅延の問題が顕著になってきており、その配線間遅延を小さくするため、配線間に挟まれている絶縁膜に誘電率の低い絶縁膜（低誘電率膜）を採用しようとしている。

しかしながら、誘電率が３．０以下を実現する低誘電率膜は、従来から採用されていたシリコン酸化膜よりも機械的強度が大きく低下する。これは半導体素子の回路形成を担う拡散工程が完了した後の半導体素子のパッケージングを担う組立工程、特にワイヤボンド工程で問題となる。具体的には、次のようなことである。層間絶縁膜の機械的強度が十分でないため、半導体素子に形成されているパッド上にワイヤボンドを行うと、ワイヤボンドの衝撃荷重が層間絶縁膜や保護膜を大きく変形させる。その変形が層間絶縁膜や保護膜にクラックを発生させ、パッド剥がれや層間剥離による信頼性不良の原因となる。

そこで、従来はパッド直下に層間絶縁膜を挟んでメタル層を形成し、そのメタル層とパッドをビアで接続することで、ワイヤボンドにより層間絶縁膜へ与える衝撃をメタル層が受け止め、さらに衝撃でメタル層が衝撃の印加方向へ変形しようとするのをビアが支えるようになり、パッド直下に成膜された層間絶縁膜の機械的強度の低下を補うような半導体装置を形成している（例えば、特許文献１参照）。
特開２０００−１１４３０９号公報

しかしながら、更なる拡散プロセスの微細化に伴い、平坦化技術が進み、平坦化するため機械的化学研磨（以下、ＣＭＰと記す）により保護膜の薄膜化が可能となってきた。このことから上記のパッド構造では、もはや保護膜のクラックを防止することが困難になってきた。また、狭パッドピッチ化に伴い、接合性の向上も要求されてきている。

本発明は上記従来の課題を解決するもので、接合性の低下をすること無く、かつパッド周辺の保護膜のクラックを防止する半導体装置を提供することを目的とする。

この課題を解決するために本発明は、外部接続電極の外側に保護膜の開口を形成し、保護膜の開口形状は、パッドとパッドの隣接する全てのパッドを含む帯状に開口されており、そのパッドとパッドの間には、矩形状の保護膜が形成されている。またパッド自身は、コーナー部が切断され、面取りされていることを特徴とするものである。

従来、最上層メタルのパッドの縁部に重なって、保護膜がパッド領域だけ開口されていたが、本発明の半導体装置は、保護膜の開口をパッドの外側つまりパッドサイズより大きく、パッドと離間させることにより、ボンディング時のパッド端の保護膜のクラックを防ぐことができる。さらに、保護膜の開口形状をパッドとパッドの隣接する全てのパッドを含む帯状に開口して、パッドと保護膜との間の溝に不純物等が溜まるのを防ぐことにより、接合性の低下を防ぐことができる。また、パッドメタルのコーナー部を切断し、面取りをすることにより、むき出しのパッドメタルのコーナー部のメタルが千切れるのを防ぎ、これにより、パッド上へのメタル片の不着による接合性の低下を防ぎ、このメタル片がパッドとパッドの間に不着した場合に生じるパッドとパッド間のショートも防ぐことができる。次に、パッドとパッドの間に、矩形状の保護膜を形成することにより、例えば、ボンディングによりパッドメタルが伸びたとしても、この矩形状の保護膜によりパッドとパッドとの間の絶縁性を保つことができる。

以上のように、ワイヤボンドの衝撃に対し、接合性の低下をすることなく、パッド周辺の保護膜のクラックを防止することができる。その結果、半導体の特性を向上することが可能となる。また、従来と製造方法が同じであり、本発明のパッド構造特有のプロセスを追加する必要がなく、マスクのみの変更で可能なため、従来と同様の拡散期間で製造可能である。

以下、本発明の半導体装置の実施形態について、図面に基づき詳細に説明する。

図１は、本発明の一実施形態における半導体装置のパッド周辺の構成図であり、図１（ａ）は平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）の平面図に示すＸ−Ｙでの断面図である。図１において、パッドは下層メタル１と、その上に形成されたバリアメタル２と、さらにその上に形成された最上層メタル３とから構成され、下層メタル１とその下の他層との間には層間絶縁膜４があり、隣接するパッドの下層メタル１間には配線間絶縁膜５が形成されている。下層メタル１上には、パッド部分を開口して、配線間絶縁膜５上に１層目の保護膜６が形成されている。保護膜６は、下層メタル１上にパッド部分を開口部１０として開口して設けられ、下層メタル１上に重なりを持ち形成される。最上層の保護膜９は、最上層メタル３、つまりパッド領域と重ならないように離間して、パッド領域が隣接対向する方向以外には、パッド領域を帯状に開口したような形状で形成されている。さらに保護膜９は、隣接するパッドとパッドの間においては、島状に形成されている。島状の具体的な形としては、矩形状とし、矩形状の長手方向寸法は、望ましくは対向するパッドである最上層メタル３の幅と同等もしくは幅以上とする。つまり、保護膜９は、パッド領域と離間して、帯状に開口した第１の保護膜９ａと、パッドとパッドの間に島状に形成された第２の保護膜９ｂとからなる。保護膜９としては、ＳｉＮ膜、またはＳｉＮとＳｉＯ₂の２層膜を用いる。

保護膜９が、最上層メタル３と重ならないで開口して形成されていることから、最上層メタル３と保護膜９との間の溝に不純物等が入ったとしても、特定のパッドに溜まらず排出しやすくなっている。このことから不純物等による接合性の低下を防ぐことができる。

また、パッドとパッドの間に矩形状の保護膜９が形成されており、これはパッドとパッドの間を絶縁するためのものである。例えば、ボンディング時に最上層メタル３が隣接するパッドへ伸びていくのを遮断する働きをする。矩形状の長手方向寸法を最上層メタル３の幅と同等もしくは幅以上とすることにより、確実に絶縁できる。一方、パッド形状は最上層メタル３のコーナー部を切断し、面取りされている。このことにより、むき出しの最上層メタル３が千切れて、最上層メタル３の切れ端がパッド上への付着による接合性の低下、あるいはパッドとパッド間に付着することによるショートを防ぐことができる。

本発明は、拡散プロセスの微細化に伴い、平坦化技術が進み、保護膜の薄膜化、狭パッドピッチ化に伴い、保護膜のクラックを防止するのに適しているが、従来の半導体装置においても、ボンディングや検査で保護膜のクラックが発生するような場合には、利用可能である。

本発明の一実施形態における半導体装置のパッド周辺の構成図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｙ断面図 従来の半導体装置におけるパッド周辺の構成図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｙ断面図

符号の説明

１ 下層メタル
２ バリアメタル
３ 最上層メタル
４ 層間絶縁膜
５ 配線間絶縁膜
６ 保護膜
９ 保護膜

Claims (5)

1. 導電層からなる複数の外部接続電極と、前記外部接続電極が隣接対向する方向以外には、前記外部接続電極と離間して開口が帯状の第１の保護膜と、隣接する前記外部接続電極間に離間し、かつ前記第１の保護膜と離間した島状の第２の保護膜とを備えたことを特徴とする半導体装置。
2. 前記第２の保護膜を矩形状にしたことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
3. 矩形状の前記第２の保護膜の長手方向寸法を対向する前記外部接続電極の幅と同等もしくは幅以上とすることを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置。
4. 前記外部接続電極のコーナー部を切断し、面取りすることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
5. 前記第１の保護膜と前記第２の保護膜は、ＳｉＮ、またはＳｉＮとＳｉＯ₂の２層からなる請求項１から請求項４のいずれかに記載の半導体装置。

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