JP2005322402A

JP2005322402A - 情報を記憶するための磁気媒体

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Publication number: JP2005322402A
Application number: JP2005137617A
Authority: JP
Inventors: Sebastian Faehler; フェーラーゼバスティアン
Original assignee: Leibniz Institut fuer Festkorper und Werkstofforschung Dresden eV
Current assignee: Leibniz Institut fuer Festkorper und Werkstofforschung Dresden eV
Priority date: 2004-05-10
Filing date: 2005-05-10
Publication date: 2005-11-17
Also published as: DE102004024757A1; US20060068230A1; ATE475172T1; EP1596373A1; EP1596373B1; US7608348B2; DE502005009934D1

Abstract

【課題】高保磁力の磁気媒体が汎用の記録ヘッドを用いて、かつ付加的な局所的加熱なしに記録され得るような、情報を記憶するための磁気媒体を提供する。
【解決手段】少なくとも２種の互いに結合された材料Ａおよび材料Ｂを有しており、ただし材料Ａは硬磁性材料であり、材料Ｂが、磁界中でメタ磁性挙動を有する材料であり、ただし該材料のメタ磁性挙動は、０〜１０Ｔｅｓｌａの外部磁界の繰り返された通過の後でも、３Ｔｅｓｌａよりも下の少なくとも１つの所定の磁界強度において、過比例的でありかつ正の湾曲を有する、磁界に関連した磁化の増大が発生することにある。
【選択図】図１

Description

本発明は、少なくとも２種の互いに結合された材料Aおよび材料Bを有する、情報を記憶するための磁気媒体に関する。

磁気的なデータ記憶の場合、情報密度を増大させるために個々のビットの大きさがますます減じられつつある。これに伴う粒度低減の際に超常磁性限界（superparamagnetisch. Limit）を回避し、かつ熱的に安定した磁化方向を維持するためには、より大きな磁気結晶異方性（magnetokristallin. Anisotropie）を有する硬磁性材料が使用される。しかし、これにより保磁力が増大し得るので、その場合、典型的には最大２Ｔまでの磁界を発生させることのできる汎用の記録ヘッドを用いたスイッチングはもはや不可能となる。

それにもかかわらず、これらの材料をスイッチングすることができるようにするためには、熱アシスト磁気記録が開発されている。この場合、記憶媒体が局所的に加熱されるので、ダイナミック保磁力は記録磁界よりも下へ低下する。特に成功が見込まれているのは、たとえばＦｅＰｔ／ＦｅＲｈから成る交換結合された層である（Ｊ．Ｔｈｉｅｌｅ，Ｓ．Ｍａａｔ，Ｅ．Ｆｕｌｌｅｒｔｏｎ著の「ＦｅＲｈ／ＦｅＰｔａｎｔｉｆｅｒｒｏｍａｇｎｅｔ／ｆｅｒｒｏｍａｇｎｅｔｅｘｃｈａｎｇｅｓｐｒｉｎｇｍｅｄｉａｆｏｒｔｈｅｒｍａｌｌｙａｓｓｉｓｔｅｄｍａｇｎｅｔｉｃｒｅｃｏｒｄｉｎｇ」、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．８２（１７）（２００３）２８５９）。この場合、ＦｅＰｔは硬磁性材料として磁化方向を記憶し、ＦｅＲｈは、反強磁性の低温相から強磁性の高温相への一次の相転移を有するという極めて異例の性質を有している。残留データ記憶（remanent. Datenspeicherung）が転移温度よりも下で行われるのに対して、記録のためには記憶媒体は短時間、局所的にこの温度を超えて加熱される。この加熱は精密にフォーカスされた付加的なレーザビームを用いて実施されるので大きな手間がかかる。

本発明の根底を成す課題は、高保磁力の磁気媒体が汎用の記録ヘッドを用いて、かつ付加的な局所的加熱なしに記録され得るような、情報を記憶するための磁気媒体を提供することである。

この課題は本発明によれば、少なくとも２種の互いに結合された材料Ａおよび材料Ｂを有しており、ただし材料Ａは硬磁性材料である、情報を記憶するための磁気媒体において、材料Ｂが、磁界中でメタ磁性挙動を有する材料であり、ただし該材料のメタ磁性挙動は、０〜１０Ｔｅｓｌａの外部磁界の繰り返された通過の後でも、３Ｔｅｓｌａよりも下の少なくとも１つの所定の磁界強度において、過比例的（ueberproportional）でありかつ正の湾曲を有する、磁界に関連した磁化の増大が発生することにあることを特徴とする、情報を記憶するための磁気媒体により解決される。

このようなメタ磁性挙動を有する材料は、たとえばＥ．Ｓｔｒｙｊｅｗｓｋｉ、Ｎ．Ｇｉｏｒｄａｎｏ著の「Ｍｅｔａｍａｇｎｅｔｉｓｍ」、Ａｄｖ．Ｐｈｙｓ．２６（５）（１９７７）４８７に記載されている。

本発明による記憶媒体は公知の磁気記憶媒体に比べて幾つかの著しい利点を有している。本発明により規定されたメタ磁性材料Ｂにおいて、外部磁界を介して磁化に影響を与えて、当該材料が特定の温度範囲において低い磁化の状態（反強磁性または常磁性）から高い磁化の状態（フェリ磁性またはフェロ磁性）へ転移するようにすることができることが特に有利である。したがって、付加的なレーザビームを用いた手間のかかる付加的な加熱を不要にすることができ、汎用の記録ヘッドを用いてフェロ磁性状態を誘導することができる。記録過程の後に、メタ磁性層は再び低い磁化の状態へ転移するので、熱安定性はそれほど大きく減じられない。

本発明による記憶媒体は以下のように変えられて有利にかつ／または合目的的に形成されていてよい：
材料Ｂが、一次または二次の、磁界により誘導された相転移を有している。

材料Ｂが、２５０Ｋ〜４００Ｋの温度範囲で、磁気秩序（magnetisch. Ordnung）の変化を伴う少なくとも１つの相転移を有しており、該相転移の転移温度が、外部磁界によって少なくとも１Ｋ／Ｔｅｓｌａだけ可変である。

材料Ｂは少なくとも２０ａｔ．％が、１Ｋ〜３５０Ｋの温度範囲における少なくとも１つの所定温度で磁気秩序を有する元素から成っている。

材料Ｂが、ホイスラ合金、マンガネート（Manganaten）またはランタネート（Lanthanaten）を主体としている。

材料Ｂが、最大１０ａｔ．％までの組成のバリエーションによって相ＹＣｏ_２を主体としている。

材料Ｂが、最大１０ａｔ．％までの組成のバリエーションによってｘ＞０．８を有する相Ｇｄ_５（Ｓｉ_ｘＧｅ_１−ｘ）_４を主体としている。

材料Ｂが、最大１０ａｔ．％までの組成のバリエーションによってｘ＜０．２を有する相Ｈｆ_１−ｘＴａ_ｘＦｅ_２を主体としている。

材料Ｂが、最大１０ａｔ．％までの組成のバリエーションによって相Ｎｉ_２ＭｎＧａを主体としている。

材料Ｂは最大３０ａｔ．％が、３５０Ｋよりも上でフェリ磁性またはフェロ磁性の秩序を有しない元素の配合物を含有している。

材料Ｂは最大２０ａｔ．％が、１Ｋ〜３５０Ｋの温度範囲における少なくとも１つの所定温度で磁気秩序を有する元素の配合物を有している。

材料Ｂが、元素Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｎを用いて形成された群または希土類の元素群からの配合物を含有している。

材料Ａが、少なくとも２５０Ｋ〜３２０Ｋの温度範囲においてフェリ磁性またはフェロ磁性であって、少なくとも１．５Ｔｅｓｌａの異方性磁界強度を有している。

材料Ａが、元素Ｆｅ、Ｃｏ、ＮｉまたはＣｒを含有しており、ただしこれらの元素の含量は合計して少なくとも２０ａｔ．％である。

材料Ａが、単層式の層または層複合体として形成されている。

材料Ａは少なくとも９０ａｔ．％が、相ＦｅＰｔ、ＣｏＰｔ、ＦｅＰｄ、ＭｎＡｌ、ＣｒＰｔ_３、Ｃｏ_３Ｐｔ、Ｓｍ_２Ｃｏ_７、Ｓｍ_１Ｃｏ_５、Ｓｍ_１Ｃｏ_７、Ｓｍ_２Ｃｏ_１７、Ｓｍ_２Ｆｅ_１７Ｎ_３またはＮｄ_２Ｆｅ_１４Ｂを主体としている。

層複合体の場合では、材料Ａが、Ｃｏ／Ｐｄ、Ｃｏ／Ｐｔ、Ｆｅ／ＰｔまたはＦｅ／Ｐｄを主体としており、ただし該層複合体は３ｎｍよりも少ない周期性を有している。

材料Ａは最大３０ａｔ．％が、３５０Ｋよりも上でフェロ磁性またはフェリ磁性の秩序を有しない元素の配合物を含有している。

材料Ａが、元素Ｐｔ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｏ、Ｂ、Ｃ、ＰまたはＮを用いて形成された群からの配合物を含有している。

材料Ａは最大３０ａｔ．％が、元素Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｎを用いて形成された群または希土類の元素群からの配合物を含有している。

材料Ａがグラニュラー層として存在しており、ただし該マイクロ構造体は層成長の間でも、あとからの構造化方法によっても生じている。

材料Ａがテクスチャ構造化されていないか、またはテクスチャ構造（Textur）を有しており、該テクスチャ構造において磁化容易軸が使用方向に向けられている。

材料Ａおよび材料Ｂが、連繋した単層式または多層式の層の形で存在しているか、または材料Ａおよび材料Ｂが、単層式または多層式のグラニュラー層の形で存在しており、しかも該層において材料Ａおよび材料Ｂが層平面においても相並んで存在している。

材料Ａと材料Ｂとが、交換結合によって互いに結合されている。

材料Ａと材料Ｂとが、静磁気相互作用によって互いに結合されている。

材料Ａと材料Ｂとの間の結合のために１種または数種の付加的な材料が存在している。

材料Ａおよび材料Ｂが、軟磁性的な基層、種子層および防食層のような、磁気記憶媒体のために汎用の別の機能材料と結合されているか、または該機能材料によって被覆されている。

材料Ａと材料Ｂとの間に、ＭｇＯから成る種子層が配置されている。

材料Ａおよび／または材料Ｂが、ダイアモンドに類似の炭素から成る保護層によって被覆されている。

以下に、本発明を実施するための最良の形態を図面につき詳しく説明する。

例１
図１に示した磁気媒体では、ガラスから成る基板１に、材料Ｂを体現するＨｆ_０．７Ｔａ_０．３Ｆｅ_２から成る約５０ｎｍの厚さの連繋したメタ磁性層２が被着されている。この材料およびその性質については、Ｈ．Ｇ．Ｍ．Ｄｕｉｊｎ、Ｅ．Ｂｒｕｅｃｋ、Ａ．Ａ．Ｍｅｎｏｖｓｋｙ、Ｋ．Ｈ．Ｊ．Ｂｕｓｃｈｏｗ、Ｆ．Ｒ．ｄｅＢｏｅｒ、Ｒ．Ｃｏｅｈｏｏｒｎ、Ｍ．ＷｉｎｋｅｌｍａｎｎおよびＫ．Ｓｉｅｍｅｎｓｍｅｙｅｒ著の「ＭａｇｎｅｔｉｃａｎｄｔｒａｎｓｐｏｒｔｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓｏｆｔｈｅｉｔｉｎｅｒａｎｔｅｌｅｃｔｒｏｎｓｙｓｔｅｍＨｆ_１−ｘＴａ_ｘＦｅ_２」、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．８１（８）（１９９７）４２１８に詳しく説明されている。

このメタ磁性層２の上には、約１０ｎｍの厚さのグラニュラー層３が配置されている。この層３は硬磁性挙動を有しかつ材料Aを体現している。このグラニュラー層３は垂直記録（Perpendicular Recording）のためにテクスチャ構造化されているので、磁化容易軸（図１に二重矢印により示す）は基板１に対して垂直に向けられている。

グラニュラー層３の粒子は、Ｆｅ５０ａｔ．％およびＰｔ５０ａｔ．％を有するＦｅＰｔ主体の合金から成っている。ＦｅＰｔ化合物がＬ１_０型規則構造を有していると、５Ｔｅｓｌａを超える極めて高い保磁力を達成することができる（Ｍ．Ｗｅｉｓｈｅｉｔ、Ｌ．Ｓｃｈｕｌｔｚ、Ｓ．Ｆａｅｈｌｅｒ著の「ＴｅｘｔｕｒｅｄｇｒｏｗｔｈｏｆｈｉｇｈｌｙｃｏｅｒｃｉｖｅＬ１_０ｏｒｄｅｒｅｄＦｅＰｔｔｈｉｎｆｉｌｍｓｏｎｓｉｎｇｌｅｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅａｎｄａｍｏｒｐｈｏｕｓｓｕｂｓｔｒａｇｅｓ」、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．（２００３）、ｉｍＤｒｕｃｋ）。規則化調節のために必要となる温度の低下のためには、当該材料ＡにＣｕ５ａｔ．％およびＢ２ａｔ．％が配合されていてもよい。ＦｅＰｔとは混合しないこれらの非磁性元素が硬磁性粒子の間に存在していると、これらの元素は粒子の磁気的な分離のために働くことができる。

グラニュラー層３の粒子は横方向に約５ｎｍの延在長さを有しており、これによって超常磁性限界よりも少しだけ上に位置している。これらの粒子は、約１ｎｍの幅の狭いギャップによって互いに磁気的に分離されている。材料組合せＦｅＰｔおよびＨｆ_１−ｘＴａ_ｘＦｅ_２は、両材料が酸化に対して比較的安定的であるので、事情によっては保護層を不要にすることができるという利点を持っている。

図１に示した磁気媒体における情報の記憶は、図示されていない書込みヘッドもしくは記録ヘッドを用いて、その磁界Ｈによって行われる。この磁界Ｈの方向はグラニュラー層３の上に二重矢印により示されている。

図２には、テクスチャ構造化された硬質磁石として、大きな保磁力Ｈ_ｃと、高い残留磁化（Remanenz）とを有する、開かれたヒステリシスを有する、グラニュラー層３の材料Ａにおける磁化曲線が示されている。メタ磁性層２の材料Ｂの概略化された磁化曲線も書き込まれており、この磁化曲線では、磁化が磁界に対して過比例的に増大している。一次転移のために典型的であるのは、一般に転移磁界Ｈ_０として取られる磁化曲線中の反転点である。材料Ｂもやはりヒステリシスを有していてよい。しかし、このヒステリシスは第１象限における質的経過を変えない。材料Ｂ中に磁壁（Domaenenwaende）を発生させるために外部磁界が十分であると、磁壁は、たとえば交換結合（Ｅ．Ｆ．Ｋｎｅｌｌｅｒ，「ＴｈｅＥｘｃｈａｎｇｅ−ＳｐｒｉｎｇＭａｇｎｅｔ：ＡＮｅｗＭａｔｅｒｉａｌＰｒｉｎｃｉｐｌｅｆｏｒＰｅｒｍａｎｅｎｔＭａｇｎｅｔ」，ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．Ｍａｇ．２７（４）（１９９１）３５８８）を介して材料Ａにおける核生成種子（Nukleationskeime）として作用し、こうしてスイッチングを生ぜしめることができる。したがって、材料Ａと材料Ｂとの結合は層複合体のスイッチング磁界をＨ_ｃからＨ_０もしくはＨ_０近傍の磁界へ減少させることが望ましい。転移磁界Ｈ_０は材料Ａの漂遊磁界の上に位置することが望ましい。この漂遊磁界は飽和磁化により制限されているので、残留状態では材料Ｂにおける著しい磁化は誘導されない。

図３には、磁気媒体のスイッチング挙動が示されている。矢印により磁化方向が示されている。図３の左側の図には、外部磁界なしの残留状態が描かれており、この場合、硬磁性材料Ａだけが残留磁化を有しており、この残留磁化は熱揺らぎに抵抗することができる。図３の真ん中の図では、外部磁界が記録のために転移磁界Ｈ_０のオーダで印加される。これにより、メタ磁性材料Ｂに磁気モーメントが誘導される。図３の右側の図では、スイッチングされた状態が示されており、この状態は前記層複合体において、材料Ａの個別層のＨ_ｃよりも著しく下の磁界で既に行われている。

例２
図４には、例１に対して択一的な記憶媒体の別の構造が図示されている。この構造では、硬磁性材料Ａから成る層５と、メタ磁性材料Ｂから成る層６との間に付加的な種子層４が存在している。層５はＦｅＰｔ主体合金から成っており、層６はＨｆ_０．７Ｔａ_０．３Ｆｅ_２から成っている。

種子層４は３ｎｍの厚さを有していて、ＭｇＯから成っている。種子層４はＦｅＰｔ層５に（００１）テクスチャ構造を形成するために働く。種子層４はさらに、絶縁された粒子のグラニュラー成長を生ぜしめる。なぜならば、ＦｅＰｔによってＭｇＯが湿潤されないからである。材料Ａと材料Ｂとの間の結合は静磁気相互作用により行われる。

記憶媒体としては、本発明により規定されている別の材料組合せＡおよびＢを使用することもできる。すなわち、材料Ａ自体が層パッケージから形成されていてよい。材料Ａは、たとえば１つの単層Ｃｏと２つの単層Ｐｄとの繰り返された層列から成っていてもよい。このような層列は、Ｇ．Ｈ．Ｏ．Ｄａａｌｄｅｒｏｐ，Ｐ．Ｊ．ＫｅｌｌｙおよびＭ．Ｆ．Ｈ．Ｓｃｈｕｕｒｍａｎｓ著の「Ｆｉｒｓｔ−ｐｒｉｎｃｉｐｌｅｓｃａｌｃｕｌａｔｉｏｎｏｆｔｈｅｍａｇｎｅｔｉｃａｎｉｓｏｔｒｏｐｙｅｎｅｒｇｙｏｆ（Ｃｏ）ｎ／（Ｘ）ｍｍｕｌｔｉｌａｙｅｒｓ」、Ｐｈｙｓ．Ｒｅｖ．Ｂ４２（１９９０）７２７０に記載されている。分離性の種子層の使用に基づき、相対的に反応性である材料ＢとしてＮｉ_２ＭｎＧａの使用も可能となる。

例３
本発明により特に適しているのは、多数の合金元素を同時に有している材料組合せである。これに相応して、図５に示した配置に関連したこの例では、硬磁性材料ＡがＳｍＣｏ_５から成っており、メタ磁性材料ＢがＹＣｏ_２から成っている。この場合、ＳｍＣｏ_５では、３５Ｔの極めて高い異方性磁界により、４ｎｍよりも下の寸法を有する粒子が可能となり、このような粒子は超常磁性限界に抵抗することができる。それにもかかわらず磁化をスイッチングできるようにするためには、メタ磁性材料としてＹＣｏ_２から引き出された化合物（Ｈ．Ｙａｍａｄａ著「ＭｅｔａｍａｇｎｅｔｉｃＴｒａｎｓｉｔｉｏｎａｎｄＳｕｓｃｅｐｔｉｂｉｌｉｔｙＭａｘｉｍｕｍｉｎａｎＩｔｉｎｅｒａｎｔ−ＥｌｅｃｔｒｏｎＳｙｓｔｅｍ」，Ｐｈｙｓ．Ｒｅｖ．Ｂ４７（１７）（１９９３）１１２１１）が使用される。このような化合物の転移磁界Ｈ_ｏは僅か数％のＡｌの配合によって劇的に低減され得る。

ＳｍＣｏ_５のテクスチャ構造は、磁化容易軸であるｃ軸がフィルム平面（膜面）に位置するように形成されている。このことは、この材料により優先された成長方向であるので、長手記録ジオメトリが使用可能となる。

基板は、酸素不含の高強度のアルミニウム合金であってよい。

腐食防止のためには、前記層が、２ｎｍの厚さのダイアモンド類似の炭素層から成る保護層を備えていてよい。

メタ磁性材料Ｂはこの例では、硬磁性材料Ａの粒子の間の３ｎｍの幅の範囲に位置している。したがって、外部磁界なしでは粒子は磁気的に互いに分離されており、外部磁界が印加されると、部分的な結合が行われる。

例４
図６に示した長手記録媒体は、反強磁性結合された層パッケージを用いて形成されている。層パッケージを用いて、周知のように保磁力の増大なしに改善された熱安定性が達成される（Ｊ．Ｌｏｈａｕ，Ａ．Ｍｏｓｅｒ，Ｄ．Ｔ．Ｍａｒｇｕｌｉｅｓ，Ｅ．Ｅ．Ｆｕｌｌｅｒｔｏｎ，Ｍ．Ｅ．Ｓｃｈａｂｅｓ著「Ｄｙｎａｍｉｃｃｏｅｒｃｉｖｉｔｙｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔｓｏｆａｎｔｉｆｅｒｒｏｍａｇｎｅｔｉｃａｌｌｙｃｏｕｐｌｅｄｍａｇｎｅｔｉｃｍｅｄｉａｌａｙｅｒｓ」，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．７８（１８）（２００１）２７４８）。情報はこの場合、より厚い上側の層Ａの漂遊磁界によって読み出される。

中間層Ｂはこの記憶媒体の場合、通常通りに常磁性ではなく、むしろ本発明によればメタ磁性特性を有している。外部磁界により、書込み時もしくは記録時に材料Ｂに磁化が誘導されるので、両硬磁性層の反強磁性結合はもはや促進されなくなり、磁化の平行な向きが促進される。したがって、不安定な中間状態が発生し、このような中間状態は外部磁界に対して、磁化方向を変えることを一層容易にさせる。したがって、記録磁界は一層減じられる。

垂直記録のための磁気媒体を概略的に示す図である。磁化曲線を有する線図である。磁気媒体のスイッチング挙動を３つの段階で示す図である。付加的な種子層を備えた磁気媒体を概略的に示す図である。長手記録のための磁気媒体を概略的に示す図である。層パッケージから構築された磁気媒体を概略的に示す図である。

符号の説明

１基板
２メタ磁性層
３グラニュラー層
４種子層
５層
６層

Claims

少なくとも２種の互いに結合された材料Ａおよび材料Ｂを有しており、ただし材料Ａは硬磁性材料である、情報を記憶するための磁気媒体において、材料Ｂが、磁界中でメタ磁性挙動を有する材料であり、ただし該材料のメタ磁性挙動は、０〜１０Ｔｅｓｌａの外部磁界の繰り返された通過の後でも、３Ｔｅｓｌａよりも下の少なくとも１つの所定の磁界強度において、過比例的でありかつ正の湾曲を有する、磁界に関連した磁化の増大が発生することにあることを特徴とする、情報を記憶するための磁気媒体。
材料Ｂが、一次または二次の、磁界により誘導された相転移を有している、請求項１記載の磁気媒体。
材料Ｂが、２５０Ｋ〜４００Ｋの温度範囲で、磁気秩序の変化を伴う少なくとも１つの相転移を有しており、該相転移の転移温度が、外部磁界によって少なくとも１Ｋ／Ｔｅｓｌａだけ可変である、請求項１記載の磁気媒体。
材料Ｂの少なくとも２０ａｔ．％が、１Ｋ〜３５０Ｋの温度範囲における少なくとも１つの所定温度で磁気秩序を有する元素から成っている、請求項１記載の磁気媒体。
材料Ｂが、ホイスラ合金、マンガネートまたはランタネートを主体としている、請求項１記載の磁気媒体。
材料Ｂが、最大１０ａｔ．％までの組成のバリエーションによって相ＹＣｏ_２を主体としている、請求項１記載の磁気媒体。
材料Ｂが、最大１０ａｔ．％までの組成のバリエーションによってｘ＞０．８を有する相Ｇｄ_５（Ｓｉ_ｘＧｅ_１−ｘ）_４を主体としている、請求項１記載の磁気媒体。
材料Ｂが、最大１０ａｔ．％までの組成のバリエーションによってｘ＜０．２を有する相Ｈｆ_１−ｘＴａ_ｘＦｅ_２を主体としている、請求項１記載の磁気媒体。
材料Ｂが、最大１０ａｔ．％までの組成のバリエーションによって相Ｎｉ_２ＭｎＧａを主体としている、請求項１記載の磁気媒体。
材料Ｂの最大３０ａｔ．％が、３５０Ｋよりも上でフェリ磁性またはフェロ磁性の秩序を有しない元素の配合物を含有している、請求項１記載の磁気媒体。
材料Ｂの最大２０ａｔ．％が、１Ｋ〜３５０Ｋの温度範囲における少なくとも１つの所定温度で磁気秩序を有する元素の配合物を有している、請求項１記載の磁気媒体。
材料Ｂが、元素Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｎを用いて形成された群または希土類の元素群からの配合物を含有している、請求項１１記載の磁気媒体。
材料Ａが、少なくとも２５０Ｋ〜３２０Ｋの温度範囲においてフェリ磁性またはフェロ磁性であって、少なくとも１．５Ｔｅｓｌａの異方性磁界強度を有している、請求項１記載の磁気媒体。
材料Ａが、元素Ｆｅ、Ｃｏ、ＮｉまたはＣｒを含有しており、ただしこれらの元素の含量は合計して少なくとも２０ａｔ．％である、請求項１記載の磁気媒体。
材料Ａが、単層式の層または層複合体として形成されている、請求項１記載の磁気媒体。
材料Ａの少なくとも９０ａｔ．％が、相ＦｅＰｔ、ＣｏＰｔ、ＦｅＰｄ、ＭｎＡｌ、ＣｒＰｔ_３、Ｃｏ_３Ｐｔ、Ｓｍ_２Ｃｏ_７、Ｓｍ_１Ｃｏ_５、Ｓｍ_１Ｃｏ_７、Ｓｍ_２Ｃｏ_１７、Ｓｍ_２Ｆｅ_１７Ｎ_３またはＮｄ_２Ｆｅ_１４Ｂを主体としている、請求項１５記載の磁気媒体。
材料Ａの層複合体が、Ｃｏ／Ｐｄ、Ｃｏ／Ｐｔ、Ｆｅ／ＰｔまたはＦｅ／Ｐｄを主体としており、ただし該層複合体が、３ｎｍよりも少ない周期性を有している、請求項１５記載の磁気媒体。
材料Ａの最大３０ａｔ．％が、３５０Ｋよりも上でフェロ磁性またはフェリ磁性の秩序を有しない元素の配合物を含有している、請求項１記載の磁気媒体。
材料Ａが、元素Ｐｔ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｏ、Ｂ、Ｃ、ＰまたはＮを用いて形成された群からの配合物を含有している、請求項１８記載の磁気媒体。
材料Ａの最大３０ａｔ．％が、元素Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｎを用いて形成された群または希土類の元素群からの配合物を含有している、請求項１記載の磁気媒体。
材料Ａがグラニュラー層として存在しており、ただし該マイクロ構造体は層成長時でも、あとからの構造化方法によっても形成されている、請求項１記載の磁気媒体。
材料Ａがテクスチャ構造化されていない、請求項１記載の磁気媒体。
材料Ａがテクスチャ構造を有しており、該テクスチャ構造において磁化容易軸が使用方向に向けられている、請求項１記載の磁気媒体。
材料Ａおよび材料Ｂが、連繋した単層式または多層式の層の形で存在している、請求項１記載の磁気媒体。
材料Ａおよび材料Ｂが、単層式または多層式のグラニュラー層の形で存在しており、しかも該層において材料Ａおよび材料Ｂが層平面においても相並んで存在している、請求項１記載の磁気媒体。
材料Ａと材料Ｂとが、交換結合によって互いに結合されている、請求項１記載の磁気媒体。
材料Ａと材料Ｂとが、静磁気相互作用によって互いに結合されている、請求項１記載の磁気媒体。
材料Ａと材料Ｂとの間の結合のために１種または数種の付加的な材料が存在している、請求項１記載の磁気媒体。
材料Ａおよび材料Ｂが、軟磁性的な基層、種子層および防食層のような、磁気記憶媒体のために汎用の別の機能材料と結合されているか、または該機能材料によって被覆されている、請求項１記載の磁気媒体。