JP2006013264A - 光半導体素子収納用パッケージおよび光半導体装置 - Google Patents

光半導体素子収納用パッケージおよび光半導体装置 Download PDF

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Abstract

【課題】 蓋体を絶縁基体の上面に傾きを生じることなく強固に接合することが可能であり、また薄型化および小型化が容易な信頼性の高い光半導体素子収納用パッケージおよび光半導体装置を提供すること。
【解決手段】 光半導体装置9は、上面の中央部に光半導体素子3を収容し搭載するための凹部1aを有する絶縁基体1と、絶縁基体1の凹部1aの内側から外側に導出された配線導体2と、下面の外周部に複数の穴5aが形成されるとともに下面の複数の穴5aを含む枠状の部位が絶縁基体1の上面の外周部に接合材7を介して接合される蓋体5とを具備している。
【選択図】 図1

Description

本発明は、フォトダイオード、ラインセンサ、イメージセンサ等の受光素子である光半導体素子またはこれらの受光部を有する光半導体素子を気密に収納するための光半導体素子収納用パッケージおよび光半導体装置に関する。
従来のフォトダイオード(PD)、ラインセンサ、イメージセンサ等の受光素子である光半導体素子またはこれらの受光部を有する光半導体素子を気密に収納するための光半導体素子収納用パッケージは、光半導体素子をするための凹部が上面に形成された絶縁基体と、絶縁基体の凹部の内側から外側に導出された配線導体とを具備した構造である。
光半導体素子は、上面の中央部に受光部を有し、外周部等に電極が設けられている。
絶縁基体の凹部内に光半導体素子が収容されるとともに、凹部の底面に樹脂接着剤等により接合され、光半導体素子の電極と配線導体のうち凹部の内側に露出した部位とが、Au,Al等から成るボンディングワイヤにより電気的に接続される。
また、平板状で少なくとも中央部に透光部を有する蓋体が絶縁基体の上面に凹部を塞ぐようにして接合材を介して取着され、絶縁基体の凹部と蓋体とで構成される密閉空間内に光半導体素子が気密に収納される。
このように従来の光半導体装置は、透光性の蓋体を有することにより、光半導体装置の内部空間にゴミなどの異物が侵入することを防止するとともに、光半導体装置の内部空間を密閉空間とすることで、外部雰囲気の湿気が光半導体装置内に侵入するのを極力防ぐようにして、光半導体素子の耐久性を向上させるようにしている。
そして、光半導体素子により蓋体を通して外光を受光して変換されて生じた電気信号は、配線導体を介して光半導体装置の外部に配置された各種の機器や素子などに送られる。
なお、従来のPD、ラインセンサ、イメージセンサ等の受光素子である光半導体素子またはこれらの受光部を有する光半導体素子を具備した光半導体装置において、絶縁基体と蓋体とを接合する接合材としては、一般的にシリカフィラーを混入させたエポキシ樹脂やフェノール樹脂,クレゾール樹脂,粉体カーボンとシリコン樹脂粒子の混合体等が使用されている。また、接合材は、通常、蓋体を絶縁基体の上面に接合し取着しておくのに必要な程度の量が用いられており、蓋体と絶縁基体との間に介在するとともに、蓋体と絶縁基体との接合面の外側から蓋体の側面にかけてはみ出すようにして被着されている。
特開平10−116940号公報
しかしながら、従来の光半導体素子収納用パッケージおよびそれを用いて成る光半導体装置においては、絶縁基体の上面に蓋体が接合材を介して接合され、接合の強度を確保するために接合材の厚さを例えば約50μm程度として、ある程度厚くする必要があるため、接合材の厚さを接合面の全周にわたって同じ厚さに揃えることが難しく、接合材の厚みバラツキが生じ易い。
そのため、接合材の厚さのバラツキに起因して、蓋体が傾いて接合されるという問題や、接合材を介した蓋体の接合強度が不十分になるという問題があった。蓋体が傾いて接合されると、光半導体素子の受光部に対して蓋体の透光性の面が傾くため、蓋体を通って凹部内に入射する外光に歪みを生じ、正確に受光できなくなるおそれがあり、受光精度が劣化する。また、蓋体の絶縁基体に対する接合強度が弱くなると、光半導体素子を収納する密閉空間の気密性が劣化し、密閉空間内に外部雰囲気の湿気等が侵入しやすくなって光半導体装置としての信頼性が低くなってしまう。
特に、近時、PD、ラインセンサ、イメージセンサ等の光半導体素子は、画像の精細化や、センサとしての検知精度の高精度化等の要求に応じて受光部が非常に精細に形成されているため、蓋体のわずかな傾きや接合強度のわずかな劣化によっても、上記のような受光精度の低下や信頼性の低下等の問題点を生じてしまう。
また、蓋体と絶縁基体との間に、両者を強固に接合させるための接合材がある程度の厚さで介在しているため、その厚さの分だけ光半導体装置の薄型化が難しくなるという問題があった。また、接合材の厚さを薄くしても蓋体と絶縁基体との間の接合強度を確保できるようにするために両者の接合面積を広くすることも考えられるが、その場合、平面視における面積の小型化が難しくなってしまう。
従って、本発明は上記問題点に鑑みて完成されたものであり、その目的は、蓋体を絶縁基体の上面に傾きを生じることなく強固に接合することが可能であり、また薄型化および小型化が容易で信頼性の高い光半導体素子収納用パッケージおよび光半導体装置を提供することである。
本発明の光半導体素子収納用パッケージは、上面の中央部に光半導体素子を収容し搭載するための凹部を有する絶縁基体と、該絶縁基体の前記凹部の内側から外側に導出された配線導体と、下面の外周部に複数の穴が形成されるとともに前記下面の前記複数の穴を含む枠状の部位が前記絶縁基体の上面の外周部に接合材を介して接合される蓋体とを具備することを特徴とする。
本発明の光半導体装置は、上記構成の光半導体素子収納用パッケージと、前記凹部に収容されるとともに電極が前記配線導体に電気的に接続された光半導体素子と、前記絶縁基体の上面の外周部に接合材を介して接合された蓋体とを具備しており、前記接合材は前記複数の穴に入り込んでいることを特徴とする。
また、本発明の光半導体装置は好ましくは、前記接合材は、前記絶縁基体および前記蓋体から成る容器の内側および外側にはみ出さないように設けられていることを特徴とする。
本発明の光半導体素子収納用パッケージは、上面の中央部に光半導体素子を収容し搭載するための凹部を有する絶縁基体と、絶縁基体の凹部の内側から外側に導出された配線導体と、下面の外周部に複数の穴が形成されるとともに下面の複数の穴を含む枠状の部位が絶縁基体の上面の外周部に接合材を介して接合される蓋体とを具備することから、絶縁基体と蓋体とを接合する接合材の大部分は蓋体に形成された穴の中に入り込むこととなり、その結果、穴に入り込んだ接合材により絶縁基体に対する蓋体の接合強度を確保することができる。そのため、絶縁基体の上面と蓋体との間に接合材を厚く介在させる必要はなく、接合材の厚さのバラツキを抑制し、蓋体が傾いて接合されることを効果的に防止することができる。
本発明の光半導体装置は、上記構成の光半導体素子収納用パッケージと、凹部に収容されるとともに電極が配線導体に電気的に接続された光半導体素子と、絶縁基体の上面の外周部に接合材を介して接合された蓋体とを具備しており、接合材は複数の穴に入り込んでいることから、接合材の厚さのバラツキに起因する蓋体の傾きや蓋体の接合強度の不足等は効果的に防止され、絶縁基体に対する蓋体の平行度が良好で、受光特性に優れるとともに、光半導体素子の気密封止の信頼性に優れた光半導体装置となる。
また、本発明の半導体装置は好ましくは、接合材は、絶縁基体および蓋体から成る容器の内側および外側にはみ出さないように設けられていることから、蓋体の外周面を接合材が這い上がって、蓋体の上面の中央部側に向かって広がったり、蓋体の下面の中央部側に向かって広がるようなことが無く、外光が通る蓋体の中央部が接合材で塞がれたり透光性が低下することを防ぎ、より一層受光特性の安定した光半導体装置となる。
本発明の光半導体素子収納用パッケージおよび光半導体装置について以下に詳細に説明する。図1は本発明の光半導体素子収納用パッケージおよび光半導体装置について実施の形態の例を示す断面図である。図1において、1は絶縁基体、2は配線導体、3は光半導体素子、4は光半導体素子3の電極、5は蓋体、6は光半導体素子3を絶縁基体1に接合し搭載するための接着材、7は接合材、8はボンディングワイヤである。これらの絶縁基体1、配線導体2により本発明の光半導体素子収納用パッケージが主に構成されている。また、絶縁基体1の上面には凹部1aが形成され、この凹部1aに光半導体素子3を収容し、蓋体5で凹部1aを封止することにより光半導体装置9が基本的に構成される。
本発明における絶縁基体1は、その上面に凹部1aが形成されている。この凹部1aに光半導体素子3が収容されて凹部1aの底面に接着剤6により接着されて搭載される。光半導体素子3は、上面に受光部が設けられており、また外周部には電源用や信号用等の電極4が設けられている。また、凹部1aの内側から外側に配線導体2が導出されており、凹部1aの内側に露出した配線導体2と光半導体素子3の電極4とがAu,Al等から成るボンディングワイヤ8で電気的に接続される。
絶縁基体1は、アルミナ質焼結体(アルミナセラミックス),窒化アルミニウムセラミックス,炭化珪素セラミックス,窒化珪素セラミックス,ガラスセラミックス等のセラミックス、エポキシ樹脂,ポリイミド樹脂等の樹脂、樹脂とセラミックスとの複合材料等から成る。絶縁基体1は、平板状の底板部の上面の外周部に別体の枠状の側壁部が設けられて、上面の中央部に凹部1aが形成されている。または絶縁基体1の底板部と側壁部とは一体的に形成されていてもよい。
絶縁基体1は、例えば、アルミナ質焼結体から成り、底板部と側壁部とが一体に焼成して形成されている場合、アルミナ,シリカ等の原料粉末を有機溶剤,樹脂バインダーとともにシート状に成形して複数のセラミックグリーンシート(以下、グリーンシートともいう)を作製するとともに、一部のものを枠状に打ち抜いて枠状のグリーンシートを作製し、その後、枠状のグリーンシートが上層に位置するようにしてグリーンシートを複数積層し、原料粉末の組成に応じて約1300〜1600℃の温度で焼成することにより形成される。底板部および側壁部は、1層のグリーンシートで形成されても、複数のグリーンシートが積層されて形成されてもよい。
絶縁基体1の上面には、光半導体素子3を収容し底面に載置するための凹部1aが形成されており、配線導体2が凹部1aの内側から外側に導出されている。この配線導体2のうち凹部1aの内側に露出した部位に光半導体素子3の電極4がボンディングワイヤ8を介して接続されるとともに、凹部1aの外側に導出された部位が外部電気回路(図示せず)に半田等の接続材(図示せず)を介して接続されることにより、絶縁基体1に搭載された光半導体素子3は、電極4、ボンディングワイヤ8および配線導体2を介して外部電気回路に電気的に接続される。
配線導体2は、タングステン,モリブデン,銅,銀等のメタライズ導体等により形成されている。配線導体2は、例えば絶縁基体1となるグリーンシートに必要に応じて予め所定のスルーホールを形成し、タングステン,モリブデン,銅,銀等の金属ペーストをグリーンシートの表面やスルーホールの内面に印刷塗布したり充填しておくことにより形成される。
また、光半導体素子3は、その上面の中央部に受光部が設けられており、その上面の受光部の周囲である外周部には電源用や信号用の電極4が設けられている。光半導体素子3は、PD,ラインセンサ,イメージセンサ,CCD(Charge Coupled Device)、EPROM(Erasable and Programmable ROM)等の受光素子、またはこれらの受光部を有する光半導体素子などである。
光半導体素子3は絶縁基体1の凹部1aの底面に載置され、樹脂接着剤,ろう材,低融点ガラス等から成る接着材6によって接着されており、上面の電極4と、配線導体2の凹部1aの内側に露出している部分とは、Au,Al等からなるボンディングワイヤ8により電気的に接続される。
なお、ボンディングワイヤ8は、その長さが0.3〜3mmであることが好ましい。0.3mm未満では、ボンディングワイヤ8が短すぎて十分なループを形成することが難しくなるため、光半導体素子3の電極4と配線導体2とを確実に接続することが難しくなり、接続不良が生じやすくなる。3mmを超えると、ボンディングワイヤ8が長くなりすぎてループが不要に高くなる傾向があり、ボンディングワイヤ8に不要なインダクタンスが発生して高周波信号の伝送性が劣化しやすくなるとともにコスト高となる。
また、光半導体素子3の電極4と配線導体2との接続は、ボンディングワイヤ8により行うものに限らず、いわゆるリボン等の帯状の接続線等を用いてもよい。
凹部1aに光半導体素子3が収容された絶縁基体1について、その上面の外周部に接合材7を介して蓋体5を接合することにより、絶縁基体1の凹部1aと蓋体5とで構成される密閉空間内に光半導体素子3が気密封止され、光半導体装置9が形成される。
絶縁基体1の上面の外周部に接合材7を介して接合される蓋体5は、少なくとも中央部(外光が通って凹部内に入射するのに必要な領域)に透光性の部位を有する構造であり、例えば、全体が透光性の材料で形成されたものでもよい。また、蓋体5は、下面の外周部に複数の穴5aが形成され、下面の複数の穴5aを含む枠状の部位が絶縁基体1の上面の外周部に接合される。この構成により、絶縁基体1と蓋体5とを接合する接合材7の大部分を蓋体5に形成された穴5aの中に入り込ませることができ、その穴5aに入り込んだ接合材7により絶縁基体1に対する蓋体5の接合強度を確保することができる。そのため、絶縁基体1の上面と蓋体5との間に接合材7を厚く介在させる必要はなく、接合材7の厚さのバラツキを抑制し、蓋体5が傾いて接合されることを効果的に防止することが可能な光半導体素子収納用パッケージを提供することができる。
また、本発明の光半導体装置9によれば、上記構成の光半導体素子収納用パッケージと、凹部1aに収容されるとともに電極が配線導体2に電気的に接続された光半導体素子3と、絶縁基体1の上面の外周部に接合材を介して接合された蓋体とを具備しており、接合材7は複数の穴5aに入り込んでいることから、絶縁基体1の上面と蓋体5とが、間に接合材7を介在させることなく直接接触することができる。その結果、接合材7の厚さのバラツキに起因する蓋体5の傾きや蓋体5の接合強度の不足等は効果的に防止され、絶縁基体1に対する蓋体5の平行度が良好で、受光特性に優れるとともに、光半導体素子3の気密封止の信頼性に優れた光半導体装置9を提供することができる。
光半導体装置9は、画像認識装置,センサ等の光学機器や電子機器の部品として使用される。例えば、光学機器や電子機器を構成する電気回路基板の所定位置に実装され、外光を受光するとともに光半導体素子3で電気信号に変換し、その電気信号を光学機器や電子機器を構成する外部電気回路基板の電気回路に供給する。
なお、光半導体装置9の外部電気回路基板への実装の際には、複数の光半導体装置9を搬送用トレイ等に収納し、まとめて実装用の装置まで搬送する必要があり、また、光半導体装置9をチャック等の保持装置で保持し、外部電気回路基板の所定位置に位置合わせする必要がある。また、光半導体装置9のトレイへの出し入れは手作業による方法や自動搬送装置等の設備を用いる方法により行われる。
接合材7は、樹脂接着剤やガラス等の無機材料等からなり、例えば樹脂接着剤からなる場合、アクリル系樹脂,エポキシ系樹脂,フェノール系樹脂,クレゾール系樹脂,シリコン系樹脂,ポリエーテルアミド系樹脂等から成る。また接合材7は、余計な外光の入射を遮断するために、黒色,茶褐色,暗褐色,暗緑色,濃青色等の暗色系の顔料や染料を混入させてもよい。また、接合材7は、無機材料からなるフィラー粉末を樹脂接着剤に添加したものでもよい。
蓋体5は、透光性のガラスや樹脂,サファイア,水晶,石英ガラス等からなっている。蓋体5は、凹部1aを塞いで気密封止することができるような形状、寸法を有し、例えば、凹部1aが平面視で四角形状であれば、平面視で凹部1aよりも少し大きな四角板状に形成される。
また、蓋体5の上下面の少なくとも一方に紫外線を遮断するための光学膜を形成してもよい。
蓋体5の下面の外周部の穴5aは、下面から厚さ方向の途中までの深さで非貫通穴として形成されていても、また下面から上面まで貫通していてもよい。穴5aを蓋体5の下面から上面まで貫通させる場合、穴5aの上端付近の内面を段状に削って開口幅を広げてもよい。この場合、穴5aの上端部の内寸法が大きくなるので、穴5aに入り込んだ接合材7を上端部の段差部に留めることができ、穴5aから蓋体5の上面に接合材が流れ出すようなことをより確実に抑制することができる。
この穴5aは、蓋体5の下面の外周部に、厚さ方向にドリル等による切削加工を施すこと等の方法により形成することができる。この場合、穴5aは、横断面形状が四角形状や楕円状、円形状のものとしておくと、切削加工等による形成が容易で、蓋体5の生産性がよい。また、穴5aは、接合材7の入り込みやすさを重視すると、横断面形状が円形状、楕円形状が好ましい。また、角部を円弧状に面取りした四角形状でもよい。
また、穴5aの縦断面形状は、長方形状、または下辺が上辺よりも大きい台形形状としておくことが好ましい。これにより、絶縁基板1の上面に対する接合材7の接触面積が大きくなり、接合材7を介した蓋体5と絶縁基体1との間の接合強度をさらに向上させて、気密封止の信頼性により一層優れる光半導体装置9とすることができる。
また接合材7は、絶縁基体1および蓋体5から成る容器の内側および外側にはみ出さないようにしておくことが好ましい。これにより、蓋体5の外周面(側面)を接合材7が這い上がって、蓋体5の上面の中央部側に広がったり、蓋体5の下面の中央部側に広がるようなことが無く、外光が通る蓋体5の中央部が接合材で塞がれたり透光性が低下することを防ぎ、より一層受光特性の安定した光半導体装置9を提供できる。
さらに、接合材7は、穴5a内にのみ存在し、絶縁基体1上面の外周部と蓋体5下面の外周部との接触面に存在しないようにしてもよい。この場合、絶縁基体1上面の外周部と蓋体5下面の外周部との間に接合材7が全く存在しないため、接合材7の厚みによる光半導体装置9の高背化、蓋体5が傾斜することをより防ぐことができる。またこの場合、絶縁基体1上面の外周部および蓋体5下面の外周部よりも穴5aの内面の方が、接合材7に対する濡れ性が良いようにすることもでき、例えば、絶縁基体1上面の外周部、蓋体5下面の外周部、穴5aの内面のそれぞれの表面粗さを違えたり、穴5aの内面に接合材7に対する濡れ性が良好なコーティングを施してもよい。
また、穴5aは、蓋体5の下面の外周部に全周にわたって形成されていることが好ましい。これにより、蓋体5の絶縁基体1に対する枠状の接合面の全周にわたって確実に接合材7を穴5aの中に入り込ませることができ、蓋体5の傾きや接合強度の不足等の問題の発生をより確実に防ぐことができる。
穴5aを、蓋体5の下面の外周部に全周にわたって形成する場合、穴5a同士の隣接間隔は全部同じ間隔とする必要はない。例えば、凹部1aが平面視で四角形状で、蓋体5の下面の四角枠状の部位が絶縁基体1に接合される場合、接合材7の表面張力等の関係で接合材7が集まりやすく、また蓋体5と絶縁基体1との間の熱膨張係数の違いに起因する熱応力等の応力が大きく作用する傾向のある角部分に穴5aを多く形成し、角部分においてより多くの接合材7を穴5aに入り込ませるようにしてもよい。
接合材7について、絶縁基体1および蓋体5から成る容器の内側および外側にはみ出さないようにするには、接合材7を介して絶縁基体1と蓋体5とを接合するときに、接合材7の粘度を低くして穴5aの中に入り込みやすくする方法、また接合材7の粘度が高い場合、蓋体5に形成された穴5aのパターンと同じパターンのスクリーン用マスクを作製し、そのパターンで接合材7をスクリーン印刷により印刷形成し、穴5aのパターンと接合材7の印刷パターンとを合致させて接合する方法等がある。また、蓋体5を絶縁基体1の上面に向かって上方より降下させて載せる際に、接合材7が穴5aからはみ出ずに穴5aの中に徐々に入り込むことができる程度に降下させる速さを遅く調整すること等の方法を用いることができる。
また、穴5aの内面と蓋体5の下面との間の角部を円弧状に面取りして、穴5aの中に下方から接合材7がより入り込み易くなるようにして、接合面から外側や内側に接合材7が流れ出難くなるようにしてもよい。
なお、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内であれば種々の変更は可能である。例えば、蓋体5は、その全面が一様に透光性を有するものである必要は無く、光半導体素子3の受光部に受光される外光が通る部分を透光性に優れたものとするとともに、接合材7を介して絶縁基体1に接合される部位を粗面とし、アンカー効果で接合をより強固にして、気密封止の信頼性により一層優れる光半導体装置9としてもよい。
また、蓋体5の外周部分を、遮光性の樹脂膜を貼り付ける等の手段で遮光性とし、余計な外光が凹部5a内に入り込んだり、凹部5a内で光が乱反射したりすることを防止し、余計な光が受光面で受光されることをより確実に防止して受光特性を向上させるようにしてもよい。
本発明の光半導体装置の実施の形態の例を示す断面図である。
符号の説明
1・・・絶縁基体
1a・・・凹部
2・・・配線導体
3・・・光半導体素子
4・・・電極
5・・・蓋体
5a・・・穴
7・・・接合材
9・・・光半導体装置

Claims (3)

  1. 上面の中央部に光半導体素子を収容し搭載するための凹部を有する絶縁基体と、該絶縁基体の前記凹部の内側から外側に導出された配線導体と、下面の外周部に複数の穴が形成されるとともに前記下面の前記複数の穴を含む枠状の部位が前記絶縁基体の上面の外周部に接合材を介して接合される蓋体とを具備することを特徴とする光半導体素子収納用パッケージ。
  2. 請求項1記載の光半導体素子収納用パッケージと、前記凹部に収容されるとともに電極が前記配線導体に電気的に接続された光半導体素子と、前記絶縁基体の上面の外周部に接合材を介して接合された蓋体とを具備しており、前記接合材は前記複数の穴に入り込んでいることを特徴とする光半導体装置。
  3. 前記接合材は、前記絶縁基体および前記蓋体から成る容器の内側および外側にはみ出さないように設けられていることを特徴とする請求項2記載の光半導体装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012238812A (ja) * 2011-05-13 2012-12-06 Seiko Instruments Inc 受光デバイス
JP2013105784A (ja) * 2011-11-10 2013-05-30 Seiko Instruments Inc 光センサ装置およびその製造方法
JP2015225892A (ja) * 2014-05-26 2015-12-14 京セラ株式会社 撮像素子実装用基板及び撮像装置
JP2018088555A (ja) * 2012-04-27 2018-06-07 キヤノン株式会社 電子部品、電子モジュールおよびこれらの製造方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012238812A (ja) * 2011-05-13 2012-12-06 Seiko Instruments Inc 受光デバイス
JP2013105784A (ja) * 2011-11-10 2013-05-30 Seiko Instruments Inc 光センサ装置およびその製造方法
US8933386B2 (en) 2011-11-10 2015-01-13 Seiko Instruments Inc. Optical sensor device and method of manufacturing the same
JP2018088555A (ja) * 2012-04-27 2018-06-07 キヤノン株式会社 電子部品、電子モジュールおよびこれらの製造方法
JP2015225892A (ja) * 2014-05-26 2015-12-14 京セラ株式会社 撮像素子実装用基板及び撮像装置

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