JP2006028577A - Ｃｖｄ装置 - Google Patents

Abstract

【発明の課題】 より高いスループットで、ウェハー表面の汚染を生ずることなく当該ウェハー上に膜を堆積できるＣＶＤ装置を提供すること。
【解決手段】 ＣＶＤ装置は、ウェハー搬入／搬出チャンバ１ａ，１ｂ、処理チャンバ３、ウェハー搬送チャンバ２を備える。処理チャンバは、２つまたはそれより多いウェハーステージ６ａ〜６ｄであって、当該ウェハーステージの各々は回転可能な中央ポールに水平アーム８ａ〜８ｄを介して連結されているものと、ウェハー・ロード／アンロード室５と、２つまたはそれより多い分離された処理反応容器４ａ，４ｂとで構成され、当該処理反応容器では各々に膜の化学的気相成長のために必要な１タイプの処理ガスのみが供給される。ウェハー・ロード／アンロード室と処理反応容器は、中央ポールから同じ半径距離に配置され、中央ポールが回転する時、ウェハーステージの各々は処理反応容器等を通って移動する。
【選択図】 図１

Description

本発明はＣＶＤ装置に関し、特に、複数のウェハー保持装置と各処理ガスのための分離された処理反応容器を備えたＣＶＤ装置に関する。

薄膜の化学的気相成長（ＣＶＤ）はＳｉ（シリコン）または他のウェハーすなわち基板の上に集積回路を製作することにおいて、本質的な工程である。それは、次のように知られている。ウェハーの表面の上で化学的な反応作用が起きるとき、結果として、膜質良好な（conformal）膜が生じる。このことは、特に、マイクロスケールの孔および溝が形成されるパターン化されたウェハー上に膜を堆積させるときに重要である。最近、膜厚の精度については、デバイスの特徴サイズが０．１ミクロン（μｍ）より小さくなるというサイズ縮小のため、より重要になってきている。膜厚の制御性を改善する方法として、原子層成長（ＡＬＤ）の技術が応用されるようになってきており、そこでは、複数の処理ガスがウェハーの表面に分離して導入される。たとえ、この技術がパターン化されたウェハーの表面上に膜質良好な膜を与えるとしても、従来の反応容器の構成を用いて得られるするスループットは、より低い値にある。例えば１時間につき約１０枚のウェハーが処理される。この問題は、図１０、図１１および図１２を参照して説明される。

図１０は従来の化学的気相成長の反応容器の平面図を示し、そこでは膜は原子層成長（ＡＬＤ）の技術を用いて堆積させられる。この反応容器１００は、ウェハー搬入／搬出チャンバ１０１ａ，１０１ｂ、ウェハーアライメント室１０２、ウェハー搬送ロボット機構１０３ａを含むウェハー搬送室１０３、ＡＬＤモジュール１０４から構成されている。当該ＡＬＤモジュール１０４の概略図は図１１に示される。図１１は当該ＡＬＤモジュール１０４の縦断面図を示している。

図１１に示されるごとく、ＡＬＤモジュール１０４は、ウェハーステージ１０５と、ガス導入部１０６と、ガス切換装置１０７と、排気ポート１０８と、ウェハー搬入／搬出ポート１０４とから構成されている。ウェハー１０９は、ウェハーステージ１０５の上に配置され、ウェハーステージ１０５に組み込まれたヒータ１１０を用いて所望温度まで加熱されている。当該ヒータは電源１１１から電力を供給される。簡便化のため、膜の化学的気相成長のため「Ａ」と「Ｂ」と呼ばれる２つの処理ガスのみが必要であると仮定する。ガス供給器１１２は処理ガスＡを供給し、ガス供給器１１３は処理ガスＢを供給する。これらの処理ガスＡおよびＢは、図１２に示されるごとく、時間的に分離したショートパルス１２１としての導入状態でＡＬＤモジュール１０４の中に導入される。最初に、当該ガスの１つである処理ガスＡが短い時間周期の間に導入される。それから処理ガスＡは供給を停止され、ウェハー表面上の過剰なガスを除去するため、反応容器が真空排気される。すなわち、処理ガスＡの表面に吸収された単層のみがウェハー表面の上に残存する。それから処理ガスＢが短い時間周期の間に導入され、その供給が停止され、そして同様に真空排気される。表面で吸収されたガスＡおよびガスＢはウェハー表面上で反応し、膜の単一層（モノレイヤ）を形成する。このプロセスが、必要な膜の厚みが得られるまで繰り返される。

なお従来技術の１つとして次のような特許文献１が存在する。当該特許文献１は反応容器のサイズを縮小し、高い効率で原子層成長を実行し、信頼性を改善することのできる原子層成長技術を開示している。複数のガスセルの各々は、所定の大きさのガス排出ポートとガス拡散プレートとを有している。さらに上記反応容器は、複数のウェハーを搭載する回転可能なウェハーホルダを有している。これらのウェハーは、ガスセルの各々で、ガス拡散プレートに垂直となる状態で回転することができる。ガスセルの各々において、異なるガスが、原子層成長を繰り返す目的でウェハーに与えられる。当該ウェハーは垂直な位置で回転させられる。
特開平５−２３４８９９号公報

前述した従来のＣＶＤ技術では、およそ数オングストロームの厚みを有した単層の膜のみが一度（at a time）に成長する。それ故に、相当なより厚い厚みを有する膜を得ることにおいてより長い時間を要する。このことはスループットを低減する。

さらに従来のＣＶＤ技術では、ＡＬＤモジュール１０４の反応容器の側壁上に膜が堆積するという他の問題がある。何故ならば、側壁は、同様にまた、ウェハー１０９と同じように両方の処理ガスＡ，Ｂに晒されるからである。たとえ側壁がその表面上における膜堆積を抑制する目的で加熱されていないとしても、その温度は、ウェハーステージ１０５が加熱されているので、熱伝導と熱放射の加熱メカニズムによって次第に上昇する。この温度の上昇は、側壁における膜の堆積を支持する。側壁に堆積された膜は、これらの膜が破片として剥がれ、そしてウェハーの表面を汚染するときに問題となる。この段階で、ウェハー上の膜堆積は停止されなければならず、反応容器の壁は適当な方法によって洗浄されなければならない。たびたび起きる反応容器のクリーニング工程は、さらに全体のスループットを減少させることになる。

加えて、特許文献１の原子層成膜技術では、ウェハーホルダにおいて垂直姿勢のウェハーを搭載させる各場所のためクランプユニットを必要とする。ウェハーをクランプするための構造はウェハー表面を汚染する可能性を作る。

本発明の目的は、より高いスループットで、かつウェハー表面の汚染を生ずることなく当該ウェハー上に膜を堆積させることができるＣＶＤ装置を提供することにある。

本発明のＣＶＤ装置は、前述した目的を達成するため次のように構成される。

本発明のＣＶＤ装置は、ウェハー搬入／搬出チャンバと、ウェハー処理チャンバと、ウェハー搬送チャンバとを備えている。この構造において、さらに、ウェハー処理チャンバは、２つまたはそれより多いウェハーステージであって、当該ウェハーステージの各々は回転可能であり、かつ好ましくは垂直な中央ポールに水平アーム部材を介して連結されている当該ウェハーステージと、ウェハー・ロード／アンロード室と、２つまたはそれより多い分離された処理反応容器とで構成され、当該処理反応容器では各々に膜の化学的気相成長のために必要な１タイプの処理ガスのみが供給されている。当該ウェハー処理チャンバにおいて、ウェハー・ロード／アンロード室と処理反応容器は、当該中央ポールから同じ半径距離に配置されており、その結果、中央ポールが回転する時、ウェハーステージの各々は処理反応容器およびウェハー・ロード／アンロード室の各々を通って移動する。

上記ＣＶＤ装置において、化学的気相成長のために必要な処理ガスは処理反応容器の各々を通して分けて供給され、ウェハーステージが処理反応容器の各々を通過するとき、ウェハーステージに搭載されたウェハーは処理ガスに晒され、ウェハーの表面の上で化学的気相成膜作用が生じて膜を形成する。

上記のＣＶＤ装置において、処理反応容器は、ウェハーステージがその下側で通過する通路を有している。

上記のＣＶＤ装置において、原子層成長が処理反応容器の各々において実行される。

上記のＣＶＤ装置において、各処理反応容器は、１つの処理ガスのみが連続モードで、またはウェハーステージが処理反応容器内に入ってくる時にガスパルスが起動するようパルスモードで供給される。

上記のＣＶＤ装置において、ウェハー処理チャンバは非常に低い圧力に維持され、任意の２つの隣り合う処理反応容器の間では相当な距離が設定され、その結果、ウェハーステージが１つの処理反応容器から出てくると、ウェハーの表面に吸収されたガス以外のすべての処理ガスが当該ウェハーステージが次の処理反応容器に移動する前に除去され、そして膜の１つの単層のみが一度（at a time）に成長する。

上記のＣＶＤ装置において、ウェハーステージは要求される膜厚を有する膜がウェハーの表面に堆積するまで、予め設定された回転速度で中央ポールを回転させることによって連続的に回転させられる。

上記のＣＶＤ装置において、処理反応容器１つまたは多くは供給された処理ガスでプラズマを形成する。

ＣＶＤ装置において、処理反応容器の１つまたは多くは電気的加熱ワイヤの支援のもとで、供給された処理ガスを分解する。

本発明のＣＶＤ（化学的気相成長）装置によれば、異なる処理反応容器のそれぞれに処理ガスを別々に導入することによってより高いスループットでウェハー上に膜を堆積することができる。これらの処理反応容器は円の線上に配列されている。ウェハーステージ上に搭載された２つ以上のウェハーは中央回転装置を用いることによって処理反応容器の各々を通過して回転する。

ウェハーステージは処理反応容器の各々を通過して速い速度で移動し、そしてＣＶＤプロセスによってウェハー表面上に膜を形成する。複数のウェハーステージを利用するため、この構成はより高いスループットとを与えることになる。処理ガス反応容器を分離した構造としたため、処理反応容器の側壁上で膜が堆積することは防止され、これがウェットクリーニングの前までの動作時間を延長し、そしてウェハー表面上のパーティクル汚染を減じる。

一般的に、本発明によって与えられるＣＶＤの構成または同様に構成されたＣＶＤ装置は、１時間またはそれよりも短い時間につき約１５枚のウェハーを生産する。

本発明によれば、ＣＶＤ装置の処理チャンバでウェハー上に原子素成膜を代表的に実行するとき、より高いスループとが達成され且つウェハー表面上の汚染が減じられる。

以下に、添付された図面に従って好ましい実施形態が説明される。当該実施形態の説明を通して本発明の詳細が明らかにされる。
［実施形態１］

図１と図２を参照して本発明の第１実施形態を説明する。第１実施形態によるＣＶＤ装置はウェハー搬入／搬出チャンバ１ａ，１ｂと、ウェハー搬送チャンバ２と、処理チャンバ３とから構成される。処理チャンバ３の中には少なくとも２つの処理反応容器４ａ，４ｂとウェハー・ロード／アンロード室５が存在する。処理反応容器４ａ，４ｂ、およびウェハーロード／アンロード室５は処理チャンバ３の中心から同じ半径距離にて配置されている。図３において、処理チャンバ３の天井壁は省略されている。処理チャンバ３の内部は真空排気されている。

処理チャンバ３の中心には、所望の回転速度で回転することができる垂直なポール７が存在する。さらに、好ましくは、図１および図２に示されるごとく水平なアーム８ａ，８ｂ，８ｃ，８ｄを用いて中央ポール７に連結された好ましくは４つのウェハーステージ６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄが存在する。中央ポール７が回転するとき、４つのウェハーホルダー（ステージ）の各々は処理反応容器４ａ，４ｂを通過する。処理チャンバ３は、底壁に形成されたガス排出部９を通して、所定の非常に低い圧力になるまで真空排気されている。処理チャンバ３の内部の圧力の値は重要な事項ではないが、代表的には０．１パスカル（Ｐａ）よりも低い圧力に維持されている。

処理反応容器４（４ａまたは４ｂ）は、図３に示されるごとく、簡単構造を有する小さい空洞である。処理反応容器の断面の形状は重要ではない。それは矩形形状または円形形状にしてもよい。処理ガスは、処理反応容器４の中に、連続モードまたはパルスモードで導入される。具体的に、処理ガスＡ，Ｂは、図２に示されるごとく、それぞれ処理反応容器４ａ，４ｂに導入される。仮に処理ガスがパルスとして導入されるならば、当該パルスはウェハーステージ（６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄ）が処理反応容器４の中に入ってくる時に起動される。当該ウェハーステージ６を通過させるため、各々の処理反応容器４には狭いスリット１０が存在する。狭いスリット１０の下側に側壁を設けない処理反応容器４を用いることが可能であるから、狭いスリット１０よりも下側の側壁１１は必要ではない。すなわち、ウェハーステージ６は単純に処理反応容器１１の下側を通過する。当該処理反応容器４にとっては底板は存在しない。それ故に、処理反応容器４ａ，４ｂは、同様にまた、処理チャンバ３のガス排出部９を通して真空排気される。

処理ガスＡ，Ｂはそれぞれ処理反応容器４ａ，４ｂにガス導入部１２を経由して導入される。処理ガスＡ，Ｂは、それぞれ、ガス切換装置２８を経由して処理ガス供給器２６，２５から供給される。図３は処理反応容器４内の１つのガス導入部１２を示しているが、処理反応容器４の内部にシャワーヘッドのごときいくつかのガス導入部を作ることも可能である。

処理反応容器の他の構成が、図４に、修正例として示されている。この場合にはｒｆ電極１３が存在している。当該ｒｆ電極１３は絶縁部材２１で覆われることにより処理反応容器４の残りの部分から電気的に絶縁されている。ｒｆ電極１３は整合回路１４を介してｒｆ電源１５からｒｆ電流を供給されている。処理ガスは、図４に示されるごとく、ｒｆ電極１３への組付け部分であるガスシャワーヘッド１３ａを通して導入される。処理反応容器４のその他のハードウェア構成は、既に説明されたそれと同じである。

このプラズマ支援の処理反応容器４を用いることで、処理ガスは分解され、ラジカルとイオンになり、それからこれらの種はウェハーステージ６の上に搭載されたウェハーの表面に衝突する。それ故に、このプラズマ支援処理反応容器４が使用される時、化学的気相成長反応の１つの反応物質がイオンまたはラジカルまたは両方に分解する。

図５は、処理反応容器４のための他の可能な構成を示している。ここでは、処理ガスは加熱ワイヤ３１を用いることによって分解され、ラジカルを形成する。それ故に、ウェハー表面上の化学的気相成長反応の１つの種はラジカルの形で存在する。加熱ワイヤ３１は適当な電源３２からＤＣ電流またはＡＣ電流を供給される。同時に、電源３２は電極１３に対し必要な電流を供給する。加熱ワイヤ１４の温度は、通常、約１０００℃またはそれよりも高く、かつそれは応容器４の中に導入される処理ガスのタイプに依存して決定される。処理反応容器４の他のハードウェアは先に説明されたそれと同じである。

図６は、ウェハーステージ（６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄ）、中央ポール７、そして当該中央ポール７にウェハーステージ６を結合する水平なアーム８（８ａ，８ｂ，８ｃ，８ｄ）の断面図を示す。ウェハーステージ６の中に組み込まれたヒータ１６が存在する。通常、ヒータ１６は誘電体部材１８の中に埋設される。ウェハーステージ６の上部プレート１９は誘電体または金属の部材で作られる。誘電体部材１８の厚み、および上部電極１９の厚みはウェハーステージ６の全体の厚みを最小にするために、可能な限り薄くなるよう採用されている。ヒータ１６に対する電気的接続１７は中央ポール７および水平アーム８を通して供給される。中央ポール７および水平アーム８は好ましくは金属で作られている。

ウェハー２０をウェハーカセットからウェハーステージ６（６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄ）へ搬送するため、ウェハー搬送チャンバ２にはロボットアームが設けられている。ウェハーステージ６がウェハー・ロード／アンロード室５の中に入ってくると、ウェハーステージ６はウェハー２０を受け取る。最初に、ウェハー２０は、中央ポール７を回転することによって、各ウェハーステージ６の上に搭載される。それから、中央ポール７は一定して各ウェハーステージを処理反応容器４（４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄ）の中を通過させるために回転させられる。ウェハーステージ６が反応容器４（４ａ）の中に入ってくると、ウェハー２０は処理ガス（ＡとＢ）の中の１つのガス（Ａ）に晒される。それから圧力が非常に低いレベルにある処理反応容器からウェハーステージ６は出て、移動する。この段階で、ウェハー表面における過剰な処理ガスは除去され、処理ガスの１つの原子層または分子層のみが弱い化学吸着によってウェハー表面の上に残存することになる。

それからウェハーステージ６は次の処理反応容器４（４ｂ）に移動し、そして化学的気相成長の反応に要求される他の処理ガスＢに晒される。この第２のガス（Ｂ）に晒されることで、ウェハー表面の上で化学反応が進行し、膜を形成する。第１の処理ガスの単一の原子層または分子層のみが存在するので、単層の膜のみが形成される。ウェハーステージ６が第２の処理反応容器４（４ｂ）から出てくると、残存したまたは過度な処理ガスはウェハー表面から真空排気で排出される。これはひとつの処理サイクルを完結する。このサイクルが、膜の厚みが所望の値に至るまで、中央ポール７の回転で連続的に進行する。当該膜が所望の厚みになるよう形成されるとき、ウェハー２０はウェハー・ロード／アンロード室５を用いて各ウェハーステージ６から取り除かれる。

図１および図２においては、中央ポール７に結合された４つのウェハーステージ６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄが存在している。それ故に、従来技術の箇所で説明した単一のウェハー反応容器と比較するとき、そのスループットは４倍増加する。さらに、図７に示されるごとく、中央ポール７に対して、４つのウェハーステージ６よりも多い、８個のウェハーステージ６が存在するように設けることもできる。図７で与えられた構成はスループットを８倍に増加する。

さらに、図１および図２では、ＣＶＤ処理のため２つのタイプの処理ガス（Ａ，Ｂ）のみが用いられることを要約するものとして、２つの処理反応容器４ａ，４ｂのみが示されている。例えば、ＴｉＮ成膜においては、好ましくはＴｉＣｌ₄とＮＨ₃の各ガスが不活性キャリアガスと共に用いられる。しかしながら、処理チャンバの内部の処理反応容器４の数は重要なことではなく、２より多くすることもできる。例えば、図８は６つの処理反応容器４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄ，４ｅ，４ｆが設けられた他の構成を示している。もし２つの処理ガスのみがＣＶＤプロセスに用いられるとするならば、各処理ガスは処理反応容器を通して交互に追加することができる。この方法は中央ポールが１回のサイクルを完結するときウェハーの上に３層のＣＶＤ膜を形成する。このことは同様にまたスループットの増大に貢献する。

第１実施形態の他の利点は、各々の処理反応容器において、１つかつ同一の処理ガスのみが、不活性キャリアガスと共に、または不活性キャリアガスがない状態で、流されるということである。それ故に、処理反応容器４の側壁は膜の成長に必要な第２のガスに晒されることがない。従って、この構成は処理反応容器４の側壁に化学的気相成長膜が形成されるのを防止する。このことが処理チャンバ３のウェットクリーニングの間の時間を長くし、ウェハー２０のパーティクル汚染を最小化する。

処理ガスを時間および空間の点で分離して適用することにより、膜の化学的気相成長のための前述した装置は、より高いスループットを生じさせ、かつウェハー表面のパーティクル汚染を最小化する。
［実施形態２］

第２の実施形態は図９を参照して説明される。この構成は第１実施形態を拡張したものである。処理チャンバ３において、２つまたはそれよりも多い処理反応容器４ａ，４ｂと他のプラズマ生成反応容器２４が設けられている。プラズマ生成反応容器２４は、図４を参照して説明されたそれと同様なｒｆ電極処理ガス導入部から構成される。ｒｆ電極は整合回路２２を介してＡＣ電源２３からｒｆ電流を供給される。さらに、プラズマ生成反応容器２４はプラズマを生成するために処理ガス２７を供給されている。プラズマ生成反応容器２４の目的は、成膜を完了した後において、ウェハーステージ６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄを洗浄することにある。

第１に、第１実施形態で説明されたように、処理反応容器４ａ，４ｂを用いることで成膜が実行され、他方、プラズマ生成反応容器２４にはオフ状態に維持されている。成膜が行われている間、膜は処理ガスに晒されたウェハーステージの上面の上に堆積されると同様にウェハー表面の上にも堆積される。ひとたび膜堆積が完了すると、ウェハーはすべてのウェハーステージから取り除かれる。それから、ウェハーステージは回転させられ、プラズマ生成反応容器２４のみが起動させられる。プラズマ生成反応容器２４の中に導入される処理ガスとして、先に堆積した膜を化学反応によって取り除く適当なガス化学作用が選択される。

同じ処理チャンバ３の内部の当該ウェハーステージクリーニング工程はウェットクリーニングの間の時間をさらに長くするようにし、かつウェハー表面のパーティクル汚染を減少させる。

本発明は、より高い効率を有しかつ汚染がないように原子層成長方法を基礎にしてウェハー上に膜を堆積するのに用いられる。

この図は、ＣＶＤ装置の処理チャンバの内部の全体構成を示す本発明に係る第１実施形態の概略図である。 この図は、第１実施形態における処理チャンバの内部構成を示す平面図である。 この図は、処理チャンバにおける処理反応容器の一例の縦断面図である。 この図は、プラズマによってラジカルとイオンが生成される処理反応容器の他の例の縦断面図である。 この図は、加熱ワイヤを用いることで熱的乖離によって処理ガスのラジカルが形成される処理反応容器の他の例の縦断面図である。 この図は、中央ポールに結合するための構造を示すウェハーステージの縦断面図である。 この図は、８個のウェハーステージを備えた処理チャンバの他の構成例を示す平面図である。 この図は、いくつかの処理反応容器を備えた処理チャンバの他の構成を示す平面図である。 この図は、第２の実施形態の平面該略図である。 この図は、従来のＣＶＤ反応容器であり、膜が原子層成長技術によって堆積させられる当該従来装置の構成を示す平面図である。 この図は、図１０に示された従来のＡＬＤモジュールの縦断面図である。 この図は、従来のＡＬＤモジュールの中への処理ガス導入の方法を示すタイミングチャートである。

符号の説明

１ａ，１ｂ ウェハー搬入／搬出チャンバ
２ ウェハー搬送チャンバ
３ 処理チャンバ
４，４ａ，４ｂ 処理反応容器
５ ウェハー搬送室
６，６ａ−６ｄ ウェハーステージ
７ 中央ポール
１０ 狭いスリット

Claims (9)

1. ウェハー搬入／搬出チャンバと、ウェハー処理チャンバおよびウェハー搬送チャンバと、を備えたＣＶＤ装置であって、前記ウェハー処理チャンバは、
   ２つまたはそれより多いウェハーステージであって、各々がアーム部材を介して回転可能な中央ポールに連結される前記ウェハーステージと、
   ウェハー・ロード／アンロード室と、
   ２つまたはそれより多い分離された処理反応容器であって、それぞれ、膜の化学的気相成長のため必要とされる１つのタイプの処理ガスのみが供給され前記処理反応容器とから成り、
   前記ウェハー・ロード／アンロード室と前記処理反応容器は、前記中央ポールから同じ半径距離で配置されており、その結果、前記中央ポールが回転するとき、前記ウェハーステージの各々は前記処理反応容器と前記ウェハー・ロード／アンロード室の各々を通過することを特徴とするＣＶＤ装置。
2. 化学的気相成長に必要な処理ガスは前記処理反応容器の各々を介して別々に供給され、前記ウェハーステージが前記処理反応容器の各々を通り抜けて通過するとき、前記ウェハーステージの上に搭載されたウェハーは前記処理ガスに晒され、前記ウェハーの表面の上で化学的気相成長作用が生じ、膜を形成することを特徴とする請求項１記載のＣＶＤ装置。
3. 前記処理反応容器は、前記ウェハーステージが、その下側の位置で通過する通路を有していることを特徴とする請求項１または２記載のＣＶＤ装置。
4. 原子層成長が前記処理反応容器の各々で実行されることを特徴とする請求項１または２記載のＣＶＤ装置。
5. 各処理反応容器は処理ガスの１つのみが連続モードで供給されるか、または、前記ウェハーステージが前記処理反応容器の中に入る時にガスパルスが作動するようにパルスモードで供給されることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに１項に記載のＣＶＤ装置。
6. 前記ウェハー処理チャンバは非常に低い圧力に維持され、隣り合う２つの処理反応容器の間に相当な距離が設けられ、その結果、前記ウェハーステージが処理反応容器の１つから出るとき、前記ウェハーの表面の上に吸収される処理ガスを除いたすべての処理ガスは、前記ウェハーステージが次の処理反応容器の中に移動する前に除去され、１つの単層の膜のみが一度（at a time）に成長することを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載のＣＶＤ装置。
7. 要求される膜厚を有する膜が前記ウェハーの表面に堆積するまで、前記ウェハーステージは、前記中央ポールを予め定められた回転速度で回転することにより、連続的に回転させられることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載のＣＶＤ装置。
8. 処理反応容器の１つまたは多くは、供給された処理ガスでプラズマを形成することを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載のＣＶＤ装置。
9. 処理反応容器の１つまたは多くは、電気的に加熱されたワイヤの支援で、供給された処理ガスを分解することを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載のＣＶＤ装置。
   

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