JP2006222019A - イオン発生素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 イオン発生電極を構成する放電電極2と誘電電極3とを同一面上に対向して配置し、誘電電極3に凹部8を形成し、該凹部8に放電電極2の針状電極部2aを介入し、放電電極2と誘電電極3とを絶縁体4で覆うことで、イオン発生電極部の面積を大きくすることなく、より大きなイオン効果を得る。放電電極2および誘電電極3は、アルミナ焼結体からなる基板1上に、厚膜印刷・焼成方式により金膜からなる導体を形成した後、導体のエッチングによりパターン形成して、微小な電極間距離を形成する。また、絶縁体4として結晶化ガラスを用いて絶縁耐圧を向上させる。
【選択図】 図2
Description
H3O++ O2 − → ・OH + H2O2
H3O++ O2 − →HO2 + H2O
H3O++ O2 − →HO2 + H2O
厚さ0.4mm、大きさ(横・縦寸法)18mm×15mmの重量比で96%のアルミナを含有するアルミナ焼結基板1上に、厚膜印刷用金ペースト(田中貴金属工業製TR−114G)を用いて、スクリーン印刷により、図2に示すような針状電極部2bを有する放電電極2と、針状電極部2Bが介入する凹部8を備えた誘電電極3を備えた所定のパターンを印刷し、850℃で焼成した。なお、形成した放電電極2と誘電電極3の間の最小距離を0.25mmとした。
厚さ0.4mm、大きさ(横・縦寸法)18mm×15mmの重量比で96%のアルミナを含有するアルミナ焼結基板1上に、厚膜印刷用金ペースト(田中貴金属工業製TR−114G)を用いて、スクリーン印刷により基板1の全面に金を印刷し、850℃で焼成を行った。その後、スピンコート法により、エッチング用フォトレジスト樹脂を形成した後、図2に示すような所定のパターン(濃墨で描かれたパターン)を形成したフォトマスクを金膜の上に設置し、紫外線照射・フォトレジストエッチングによりエッチング用レジスト膜を形成した。
絶縁コート膜として、非晶質ガラス(旭硝子製AP5349)を使用し、焼成温度を810℃とした以外は、No.2の試料と同一方法にてサンプル作製を行った。
本発明による効果確認のために比較例として図3および図4に示す試料No.4を作製した。試料No.4は、厚さ0.25mm、大きさ(横・縦寸法)18mm×15mmの重量比で96%のアルミナを含有するアルミナ焼結基板101の片方の面(A面)に、厚膜印刷用金ペースト(田中貴金属工業製TR−114G)を用いて、スクリーン印刷により図4の濃墨102で示すパターンを印刷し、850℃で焼成した。
試料NO.1と同じ方法で導体パターンを形成した。但し、絶縁体(絶縁用誘電体層)の形成は行わなかった。
試料No1〜5について、夫々イオン発生量を調べた。イオン発生素子には、電源回路5により、交流電圧のピーク間の電位を2.0kVから0.5kV刻みに上昇させて、最大4.0kVまで上昇させた。なお、周波数は40kHzとした。
次に、試料No.2と試料No.3のイオン発生素子の絶縁耐圧のばらつきを調べるため、各50台のイオン発生電極間にAC2kVの電圧を印加し、絶縁破壊を起こすかどうかを調べた。その結果を表2に示す。
2 電極
2a 線状部
2b 針状電極部
2c 導体
2d 接続ポート
3 電極
3a 面状電極部
3b 導体
3d 接続ポート
4 絶縁体
5 電源回路
6 電気力線
7 イオン発生領域
8 凹部
Claims (11)
- 沿面放電方式のイオン発生素子において、イオン発生電極を構成する放電電極と誘電電極とが同一平面内で対向して配置され、前記誘電電極に凹部が形成され、該凹部に放電電極の針状電極部が介入され、前記放電電極と誘電電極とが絶縁体で覆われたことを特徴とするイオン発生素子。
- 前記放電電極が、線状部に直交して複数の針状電極部が間隔をおいて形成され、前記誘電電極に前記複数の針状電極部に対向して複数の凹部が形成されたことを特徴とする請求項1に記載のイオン発生素子。
- 前記放電電極は、複数の線状部が平行して配列されると共にその端部同士が導体により接続され、前記各線状部に直交して複数の針状電極部が間隔をおいて形成されると共に隣り合う線状部の針状電極部同士が千鳥状に配置され、前記線状部間に前記誘電電極の面状電極部が配置されると共にその端部同士が導体により接続されたことを特徴とする請求項1に記載のイオン発生素子。
- 前記イオン発生電極が、基板上に厚膜印刷・焼成方式によりパターン形成されたことを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載のイオン発生素子。
- 前記イオン発生電極が、基板上に厚膜印刷・焼成方式により導体を形成した後、該導体のエッチングによりパターン形成されたことを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載のイオン発生素子。
- 前記基板としてアルミナ焼結体が用いられたことを特徴とする請求項4または5に記載のイオン発生素子。
- 前記イオン発生電極として金が用いられたことを特徴とする請求項4〜6のいずれかに記載のイオン発生素子。
- 前記絶縁体として結晶化ガラスが用いられ、該結晶化ガラスが厚膜印刷・焼成方式により形成されたことを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載のイオン発生素子。
- 前記絶縁体が、結晶化ガラスペーストをスクリーン印刷し、これを焼成することにより形成されることを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載のイオン発生素子。
- 前記イオン発生電極から発生する正イオンがH3O+(H2O)m(mは自然数)であり、負イオンがO2 -(H2O)n(nは自然数)であることを特徴とする請求項1〜9のいずれかに記載のイオン発生素子。
- 前記イオン発生電極から発生する正イオンと負イオンとが化学反応することによって、過酸化水素H2O2、二酸化水素HO2またはヒドロキシラジカル・OHの少なくとも1種を生成することを特徴とする請求項1〜10のいずれかに記載のイオン発生素子。
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