JP2006269727A - Metallized film capacitors - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は自動車用インバータ回路等に最適な金属化フィルムコンデンサに関するものである。 The present invention relates to a metallized film capacitor optimal for an inverter circuit for automobiles and the like.
近年、金属化フィルムコンデンサは従来の家電分野だけではなく、車両分野を始めとしてあらゆる分野に展開されており、自動車用においては、耐電圧が高く、温度特性、周波数特性に優れているという特徴から積極的に使用されるようになってきたものである。特に、金属化フィルムコンデンサの電極として用いられる金属蒸着フィルムは自己回復作用（以下、セルフヒーリング性という）を有することから好ましいものであり、この点も自動車用として高く評価されているものである。 In recent years, metallized film capacitors have been developed not only in the field of conventional home appliances but also in various fields including the vehicle field. For automobiles, the withstand voltage is high and the temperature characteristics and frequency characteristics are excellent. It has come to be actively used. In particular, a metal vapor deposition film used as an electrode of a metallized film capacitor is preferable because it has a self-healing action (hereinafter referred to as self-healing property), and this point is also highly evaluated for automobiles.
また、特に自動車用においては小型軽量化が求められ、使用する誘電体フィルムの薄膜化が必須となってきており、これまでに金属化フィルムコンデンサの薄膜化による耐電圧の向上に関しては、いくつかの提案がなされている。例えば、誘電体フィルムの表面粗さ（Ｒａ）をより小さくし、両面または片面に金属蒸着電極を設け、これを巻回することにより金属化フィルムコンデンサを構成するようにしたものであり、このようにして構成された金属化フィルムコンデンサは耐電圧、ならびに長期寿命に優れるというものであった。 In addition, especially for automobiles, a reduction in size and weight is required, and it is essential to reduce the thickness of the dielectric film to be used. Proposals have been made. For example, the surface roughness (Ra) of the dielectric film is made smaller, metal deposited electrodes are provided on both sides or one side, and this is wound to constitute a metallized film capacitor. The metallized film capacitor thus constructed was excellent in withstand voltage and long life.
なお、この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献１が知られている。
しかしながら上記従来の金属化フィルムコンデンサでは、薄膜化による耐電圧の向上を目的として誘電体フィルムの表面粗さをより小さく、すなわち平滑化した場合には、製品の安全性から考えると金属化フィルムコンデンサ自体の破壊に繋がる可能性が高くなり、逆に誘電体フィルムの表面粗さを大きくすると耐電圧の低下が問題となる。 However, in the case of the above conventional metallized film capacitor, when the surface roughness of the dielectric film is made smaller, that is, smoothed for the purpose of improving the withstand voltage by thinning the film, the metallized film capacitor is considered from the viewpoint of product safety. If the surface roughness of the dielectric film is increased, there is a problem that the withstand voltage is lowered.
また、誘電体フィルムの平滑化による安全性の確保を図る目的で、金属蒸着電極の抵抗値を上げる際にも、金属蒸着電極の酸化による容量減少が問題になるという課題があった。 In addition, for the purpose of ensuring safety by smoothing the dielectric film, there has been a problem that capacity reduction due to oxidation of the metal vapor deposition electrode becomes a problem when increasing the resistance value of the metal vapor deposition electrode.
本発明はこのような従来の課題を解決し、耐電圧性と耐湿性が良好で、かつ安全性が高い金属化フィルムコンデンサを提供することを目的とするものである。 An object of the present invention is to solve such a conventional problem and to provide a metallized film capacitor having good withstand voltage and moisture resistance and high safety.
上記課題を解決するために本発明は、誘電体フィルムの幅方向の一端側に非金属蒸着部が長手方向に連続して残るようにして金属蒸着電極を形成すると共に、幅方向の他端側に上記金属蒸着電極の膜抵抗値より低い抵抗値となる低抵抗部を長手方向に連続して形成した第１の金属化フィルムと、この第１の金属化フィルムと同様に形成され、かつ、金属蒸着電極部において非金属蒸着部が幅方向に等間隔で残るように設けられたスリットにより分割電極が形成され、この分割電極がヒューズにより並列接続された第２の金属化フィルムを一対とし、上記低抵抗部が互いに逆方向になるようにして一対の金属蒸着電極が誘電体フィルムを介して対向するように巻回し、両端に夫々電極を形成して構成された金属化フィルムコンデンサにおいて、第２の金属化フィルムを構成する誘電体フィルムの金属蒸着電極側の表面粗さが第１の金属化フィルムを構成する誘電体フィルムの金属蒸着電極側の表面粗さよりも小さくなるようにしたという構成のものである。 In order to solve the above problems, the present invention forms a metal vapor deposition electrode so that a non-metal vapor deposition portion remains continuously in the longitudinal direction on one end side in the width direction of the dielectric film, and the other end side in the width direction. A first metallized film in which a low resistance portion having a resistance value lower than the film resistance value of the metal vapor deposition electrode is continuously formed in the longitudinal direction, and is formed in the same manner as the first metallized film, and A split electrode is formed by slits provided so that non-metal vapor-deposited portions remain at equal intervals in the width direction in the metal vapor-deposited electrode portion. In the metallized film capacitor formed by winding a pair of metal vapor deposition electrodes so as to face each other through a dielectric film so that the low resistance portions are opposite to each other, and forming electrodes on both ends, The surface roughness of the dielectric film constituting the metallized film 2 on the metal vapor deposition electrode side is smaller than the surface roughness of the dielectric film constituting the first metallized film on the metal vapor deposition electrode side. belongs to.
以上のように本発明による金属化フィルムコンデンサは、分割電極を設ける方の誘電体フィルムの表面粗さを他方の誘電体フィルムの表面粗さより小さくしたことにより、表面粗さが大きい側により保安性が向上し、表面粗さが小さい側により耐電圧性と寿命性が向上するようになり、このように表面粗さの異なるフィルムが互いに個々に有する長所を発揮し、耐電圧性と長期寿命に優れ、かつ高い安全性を確保することができるという優れた効果が得られるものである。 As described above, in the metallized film capacitor according to the present invention, the surface roughness of the dielectric film on which the divided electrodes are provided is made smaller than the surface roughness of the other dielectric film, so that the side with the larger surface roughness is more secure. As the surface roughness is reduced, the withstand voltage and the service life are improved. Thus, the films having different surface roughnesses exhibit the advantages of the individual films, and the withstand voltage and the long service life are improved. The excellent effect that it is excellent and can ensure high safety is obtained.
（実施の形態１）
以下、実施の形態１を用いて、本発明の特に請求項１〜３に記載の発明について説明する。
(Embodiment 1)
Hereinafter, the invention described in the first to third aspects of the present invention will be described using the first embodiment.
図１は本発明の実施の形態１による金属化フィルムコンデンサの構成を示した要部断面図、図２は同一対の誘電体フィルムを示した要部平面図であり、図１と図２において、２はポリプロピレンからなる誘電体フィルム、３はこの誘電体フィルム２の片面に形成されたアルミニウムからなる金属蒸着電極であり、この金属蒸着電極３は誘電体フィルム２の幅方向の一端側に誘電体フィルム２の露出部分である非金属蒸着部６が長手方向に連続して残るようにして形成されているものである。 FIG. 1 is a cross-sectional view of a main part showing the configuration of a metallized film capacitor according to Embodiment 1 of the present invention, and FIG. 2 is a plan view of the main part showing the same pair of dielectric films. 2 is a dielectric film made of polypropylene, 3 is a metal vapor deposition electrode made of aluminum formed on one side of the dielectric film 2, and this metal vapor deposition electrode 3 is dielectric on one end side in the width direction of the dielectric film 2. The non-metal vapor deposition part 6 which is an exposed part of the body film 2 is formed so as to remain continuously in the longitudinal direction.
４はこの金属蒸着電極３の幅方向の他端側に設けられたアルミニウムと亜鉛の合金からなる低抵抗部であり、この低抵抗部４は上記金属蒸着電極３の膜抵抗値より低い抵抗値になるように形成されたものであり、これにより第１の金属化フィルムが構成されているものである。 Reference numeral 4 denotes a low resistance portion made of an alloy of aluminum and zinc provided on the other end side in the width direction of the metal vapor deposition electrode 3. The low resistance portion 4 has a resistance value lower than the film resistance value of the metal vapor deposition electrode 3. In this way, the first metallized film is formed.
１はポリプロピレンからなる誘電体フィルム、７はこの誘電体フィルム１の片面に形成されたアルミニウムからなる金属蒸着電極であり、この金属蒸着電極７は誘電体フィルム１の幅方向の一端側に誘電体フィルム１の露出部分である非金属蒸着部６が長手方向に連続して残るようにして形成されているものである。 1 is a dielectric film made of polypropylene, and 7 is a metal vapor-deposited electrode made of aluminum formed on one side of the dielectric film 1. The metal vapor-deposited electrode 7 has a dielectric on one end side in the width direction of the dielectric film 1. The non-metal vapor deposition part 6 which is the exposed part of the film 1 is formed so as to remain continuously in the longitudinal direction.
４はこの金属蒸着電極７の幅方向の他端側に設けられたアルミニウムと亜鉛の合金からなる低抵抗部であり、この低抵抗部４は上記金属蒸着電極７の膜抵抗値より低い抵抗値になるように形成されたものである。 Reference numeral 4 denotes a low resistance portion made of an alloy of aluminum and zinc provided on the other end side in the width direction of the metal vapor deposition electrode 7. The low resistance portion 4 has a resistance value lower than the film resistance value of the metal vapor deposition electrode 7. It was formed to become.
８は上記金属蒸着電極７を分割するように幅方向に等間隔で設けられたスリットであり、このスリット８は誘電体フィルム１の露出部分である非金属蒸着部が残るようにして形成されており、これにより静電容量を形成する有効電極部が連続して連なった分割電極部が形成され、この分割電極部は上記低抵抗部４に夫々接続されることにより並列に接続された構成となっているものである。５は上記分割電極部を接続したヒューズ部であり、これにより第２の金属化フィルムが構成されているものである。 Reference numeral 8 denotes a slit provided at equal intervals in the width direction so as to divide the metal vapor deposition electrode 7. The slit 8 is formed so that a non-metal vapor deposition portion which is an exposed portion of the dielectric film 1 remains. In this way, a divided electrode portion is formed in which effective electrode portions that form a capacitance are continuously connected. The divided electrode portions are connected in parallel by being connected to the low resistance portion 4 respectively. It is what has become. Reference numeral 5 denotes a fuse portion to which the divided electrode portions are connected, and this constitutes a second metallized film.
このように構成された第１の金属化フィルムと第２の金属化フィルムを一対とし、誘電体フィルム１、２の幅方向の一端側に長手方向に連続して設けた低抵抗部４が互いに逆方向になるようにして一対の金属蒸着電極３、７が誘電体フィルム１を介して対向するように巻回し、両端面に夫々配設された低抵抗部４を電極引き出し部として、図示しないメタリコンからなる電極を低抵抗部４上に形成することにより本実施の形態の金属化フィルムコンデンサが構成されているものである。 A pair of the first metallized film and the second metallized film thus configured, and the low resistance portions 4 provided continuously in the longitudinal direction on one end side in the width direction of the dielectric films 1 and 2 are mutually connected. A pair of metal vapor-deposited electrodes 3 and 7 are wound so as to face each other with the dielectric film 1 facing each other in the opposite direction, and the low resistance portions 4 respectively disposed on both end faces are used as electrode lead portions, not shown. The metallized film capacitor of the present embodiment is configured by forming an electrode made of metallicon on the low resistance portion 4.
なお、上記第１の金属化フィルムを構成する誘電体フィルム２の金属蒸着電極３側の表面粗さはＲａで０．０６〜０．０８μｍとし、第２の金属化フィルムを構成する誘電体フィルム１の金属蒸着電極７側の表面粗さはＲａで０．０３〜０．０５μｍとした。 The surface roughness of the dielectric film 2 constituting the first metallized film on the side of the metal vapor deposition electrode 3 is 0.06 to 0.08 μm in Ra, and the dielectric film constituting the second metallized film. The surface roughness of the metal deposition electrode 7 side of 1 was 0.03 to 0.05 μm in Ra.
このように誘電体フィルムの表面粗さを異ならせるということは、従来より誘電体フィルムの薄膜化による高耐圧化において、誘電体フィルムの表面を平滑化させることはよく知られており、このように平滑化することによりセルフヒーリング性自体をより少なくし、容量減少を防ぐためである。しかしながら、誘電体フィルムの平滑化によってコンデンサの破壊の危険性が増し、安全性の面で問題が生じるようになる。 Thus, it is well known that the surface roughness of the dielectric film is smoothed by increasing the breakdown voltage by reducing the thickness of the dielectric film. This is because the self-healing property itself is further reduced by smoothing to prevent a decrease in capacity. However, the smoothing of the dielectric film increases the risk of destruction of the capacitor, causing problems in terms of safety.
そこで、本発明においては、分割電極が設けられた誘電体フィルム１の対となる誘電体フィルム２の金属蒸着電極３側の表面粗さＲａを０．０６〜０．０８μｍとすることによって高い耐電圧を維持し、これによりヒューズ部５の動作性を向上させて安全性を確保することができるようにしたものである。 Therefore, in the present invention, the surface roughness Ra on the metal vapor deposition electrode 3 side of the dielectric film 2 which is a pair of the dielectric film 1 provided with the divided electrodes is set to 0.06 to 0.08 μm to achieve high resistance. The voltage is maintained, thereby improving the operability of the fuse portion 5 and ensuring the safety.
なお、誘電体フィルム２の表面粗さＲａが０．０６μｍ未満の場合には保安性を満足することができなくなり、同０．０８μｍを超える場合には寿命が低下するために好ましくなく、また、誘電体フィルム１の表面粗さＲａが０．０３μｍ未満の場合には保安性を満足することができなくなり、同０．０５μｍを超える場合には耐圧性が低下するために好ましくないものであり、このような誘電体フィルム１、２の表面粗さによる特性の差を確認した結果を（表１）に示す。 In addition, when the surface roughness Ra of the dielectric film 2 is less than 0.06 μm, the safety cannot be satisfied, and when the surface roughness Ra exceeds 0.08 μm, it is not preferable because the life is reduced, When the surface roughness Ra of the dielectric film 1 is less than 0.03 μm, the safety cannot be satisfied, and when it exceeds 0.05 μm, the pressure resistance is lowered, which is not preferable. The results of confirming the difference in characteristics depending on the surface roughness of the dielectric films 1 and 2 are shown in Table 1.
（表１）から明らかなように、第１の金属化フィルムを構成する誘電体フィルム２の金属蒸着電極３側の表面粗さはＲａで０．０６〜０．０８μｍの範囲が適しており、また分割電極が設けられる第２の金属化フィルムを構成する誘電体フィルム１の金属蒸着電極７側の表面粗さはＲａで０．０３〜０．０５μｍの範囲が適していることが分かる。 As is clear from (Table 1), the surface roughness on the metal vapor deposition electrode 3 side of the dielectric film 2 constituting the first metallized film is suitably in the range of 0.06 to 0.08 μm in Ra, Moreover, it turns out that the range of 0.03-0.05 micrometer is suitable for the surface roughness by the side of the metal vapor deposition electrode 7 of the dielectric film 1 which comprises the 2nd metallization film in which a division | segmentation electrode is provided.
また、上記金属蒸着電極３、７は５〜２０Ω／ｃｍ2の膜抵抗を有するアルミニウムにより形成し、低抵抗部４は１〜５Ω／ｃｍ2の膜抵抗を有するアルミニウムと亜鉛の合金により形成したものである。 The metal deposition electrodes 3 and 7 are made of aluminum having a film resistance of 5 to 20 Ω / cm 2 , and the low resistance portion 4 is made of an alloy of aluminum and zinc having a film resistance of 1 to 5 Ω / cm 2 . Is.
なお、上記金属蒸着電極３、７の膜抵抗が５Ω／ｃｍ2未満の場合にはセルフヒーリング性が悪くなり、また、２０Ω／ｃｍ2を超える場合には抵抗値が高いことから金属蒸着電極が酸化してｔａｎδの増加に繋がるために好ましくない。 Note that the film resistance of the metallized electrodes 3 and 7 self-healing property is deteriorated in the case of less than 5 [Omega / cm 2, also has metal deposition electrode because of high resistance if it exceeds 20 [Omega / cm 2 Since it oxidizes and leads to increase of tan δ, it is not preferable.
また、低抵抗部４の膜抵抗が１Ω／ｃｍ2未満の場合にはセルフヒーリング性が悪くなり、また、５Ω／ｃｍ2を超える場合には両端面に形成する電極とのコンタクトが悪化してｔａｎδの増加に繋がるために好ましくない。 Moreover, self-healing property is deteriorated when the film resistance of the low resistance portion 4 is less than 1 [Omega / cm 2, also in the case of more than 5 [Omega / cm 2 is deteriorated the contact with the electrode to be formed on both end faces This is not preferable because it leads to an increase in tan δ.
このように構成された本実施の形態による金属化フィルムコンデンサの寿命試験における容量減少率と絶縁抵抗値を測定した結果を、比較例としての従来品と共に（表２）に示す。なお、寿命試験後の容量減少率は、１００℃の恒温槽中でＤＣ６５０Ｖを２０００時間連続印加した後のコンデンサの室温における静電容量を測定して評価した。また、絶縁抵抗値はＤＣ５００Ｖを印加し、１分後の電流値を測定して算出した。 The results of measuring the capacity reduction rate and the insulation resistance value in the life test of the metalized film capacitor according to the present embodiment configured as described above are shown in Table 2 together with the conventional product as a comparative example. The capacity reduction rate after the life test was evaluated by measuring the capacitance at room temperature of the capacitor after DC650V was continuously applied for 2000 hours in a constant temperature bath at 100 ° C. The insulation resistance value was calculated by applying DC 500 V and measuring the current value after 1 minute.
また、従来品１は、本実施の形態における分割電極が設けられる第２の金属化フィルムの誘電体フィルム１の表面粗さと、第１の金属化フィルムの誘電体フィルム２の表面粗さを、同じ表面粗さである０．０３μｍとしたものであり、従来品２は、分割電極が設けられる第２の金属化フィルムの誘電体フィルム１の表面粗さと、第１の金属化フィルムの誘電体フィルム２の表面粗さを、同じ表面粗さである０．０８μｍとしたものである。 Moreover, the conventional product 1 has the surface roughness of the dielectric film 1 of the second metallized film provided with the divided electrodes in the present embodiment and the surface roughness of the dielectric film 2 of the first metallized film. The conventional product 2 has the same surface roughness of 0.03 μm, and the conventional product 2 has the surface roughness of the dielectric film 1 of the second metallized film provided with the divided electrodes and the dielectric of the first metallized film. The surface roughness of the film 2 is 0.08 μm which is the same surface roughness.
（表２）から明らかなように、本実施の形態による金属化フィルムコンデンサは、平滑化した誘電体フィルム１によって耐電圧を保ち、粗面化した誘電体フィルム２によってヒューズ動作が正常に行われるため、容量減少が小さく、かつ、絶縁抵抗値が悪化しない良好な結果が得られることが分かる。 As is clear from Table 2, the metallized film capacitor according to the present embodiment maintains the withstand voltage by the smoothed dielectric film 1 and the fuse operation is normally performed by the roughened dielectric film 2. Therefore, it can be seen that good results can be obtained in which the capacity reduction is small and the insulation resistance value does not deteriorate.
これに対して、従来品１では、誘電体フィルムの表面が平滑なため、誘電体の絶縁破壊時のセルフヒーリングのエネルギーが小さいためにヒューズが溶断せず、破壊箇所が回路から遮断されないために絶縁抵抗値が低い値になり、従来品２では、誘電体フィルムの表面が粗いため、セルフヒーリングのエネルギーが大きく、ヒューズが溶断し易くなっているために容量減少が大きくなるものである。 On the other hand, in the conventional product 1, since the surface of the dielectric film is smooth, the energy of self-healing at the time of dielectric breakdown is small, so the fuse is not blown, and the broken part is not cut off from the circuit. The insulation resistance value becomes a low value, and in the conventional product 2, the surface of the dielectric film is rough, the energy of self-healing is large, and the fuse is easily blown, so that the capacity reduction is large.
（実施の形態２）
以下、実施の形態２を用いて、本発明の特に請求項４に記載の発明について説明する。
(Embodiment 2)
The second aspect of the present invention will be described below with reference to the second embodiment.
本実施の形態は、上記実施の形態１で説明した金属化フィルムコンデンサの金属蒸着電極の構成が一部異なるようにしたものであり、これ以外の構成は実施の形態１と同様であるために同一部分には同一の符号を付与してその詳細な説明は省略し、異なる部分についてのみ以下に図面を用いて説明する。 In the present embodiment, the configuration of the metal vapor deposition electrode of the metallized film capacitor described in the first embodiment is partially different, and other configurations are the same as those in the first embodiment. The same reference numerals are given to the same parts, and detailed description thereof is omitted, and only different parts will be described below with reference to the drawings.
図３（ａ）、（ｂ）は本発明の実施の形態２による金属化フィルムコンデンサを構成する第１の金属化フィルムと第２の金属化フィルムを示した平面図であり、図３において、９は分割電極、４は幅方向の一端側に形成された低抵抗部、１０は幅方向の他端側に形成された非金属蒸着部、１１は長手方向に形成されたスリット、１２は幅方向に形成されたスリット、１３はヒューズ部、１４はオーバーラップ部を示す。 FIGS. 3A and 3B are plan views showing a first metallized film and a second metallized film constituting the metallized film capacitor according to the second embodiment of the present invention. 9 is a divided electrode, 4 is a low resistance portion formed on one end side in the width direction, 10 is a non-metal vapor deposition portion formed on the other end side in the width direction, 11 is a slit formed in the longitudinal direction, and 12 is a width. Slits formed in the direction, 13 indicates a fuse portion, and 14 indicates an overlap portion.
上記長手方向に形成されたスリット１１は、誘電体フィルムの幅方向の中央から低抵抗部４側に寄った位置、すなわち誘電体フィルムの幅方向の１／２を超える位置に長手方向に連続して形成されたものである。また、この長手方向のスリット１１と上記非金属蒸着部１０とを結ぶように幅方向に等間隔で形成されたスリット１２により分割電極９が形成され、この分割電極９は低抵抗部４側に形成された金属蒸着電極に夫々接続されることにより並列接続されるように構成されたものである。 The slit 11 formed in the longitudinal direction is continuous in the longitudinal direction at a position near the low resistance portion 4 side from the center in the width direction of the dielectric film, that is, at a position exceeding 1/2 of the width direction of the dielectric film. Is formed. Further, a divided electrode 9 is formed by slits 12 formed at equal intervals in the width direction so as to connect the slit 11 in the longitudinal direction and the non-metal vapor-deposited portion 10, and the divided electrode 9 is formed on the low resistance portion 4 side. It is comprised so that it may connect in parallel by connecting to the formed metal vapor deposition electrode, respectively.
また、このように構成された金属化フィルムを一対で重ね合わせて巻回する際に、上記長手方向に形成されたスリット１１は互いに重なり合わないように、すなわちオーバーラップ部１４が確保されるように構成されたものである。 Further, when the metallized film thus configured is overlapped and wound in a pair, the slits 11 formed in the longitudinal direction do not overlap each other, that is, the overlap portion 14 is secured. It is composed of.
このように構成された本実施の形態による金属化フィルムコンデンサは、ヒューズ部１３を低抵抗部４に比べて高抵抗部分である分割電極９に配置することにより、セルフヒーリング性に優れ、高耐圧化が可能になるものである。また、低抵抗部４の近傍にヒューズ部１３がなく、ヒューズ部１３が電極引き出し部となる低抵抗部４から離れて配置されることになるため、優れた充放電特性を得ることができるようになるものである。 The metallized film capacitor according to the present embodiment configured as described above is superior in self-healing property and has a high breakdown voltage by disposing the fuse portion 13 on the divided electrode 9 which is a high resistance portion compared to the low resistance portion 4. It becomes possible. In addition, since there is no fuse portion 13 in the vicinity of the low resistance portion 4 and the fuse portion 13 is disposed away from the low resistance portion 4 serving as an electrode lead portion, excellent charge / discharge characteristics can be obtained. It will be.
このように構成された本実施の形態による金属化フィルムコンデンサの充放電試験における容量減少率、１ｋＨｚにおけるｔａｎδ特性の推移を測定した結果を比較例としての従来品と共に（表３）に示す。なお、充放電試験後の容量減少率は、コンデンサにＤＣ７５０Ｖを充電し、強制短絡させ、これを１００回繰り返した後の室温における静電容量、１ｋＨｚにおけるｔａｎδを測定した値を示す。 Table 3 shows the results of measuring the capacity reduction rate in the charge / discharge test of the metallized film capacitor thus configured according to this embodiment and the transition of the tan δ characteristic at 1 kHz together with the conventional product as a comparative example. In addition, the capacity | capacitance reduction rate after a charging / discharging test shows the value which charged the capacitor | condenser DC750V, forcedly short-circuited, and repeated this 100 times, and measured the electrostatic capacitance in room temperature, and tan-delta in 1kHz.
また、従来品３は、上記実施の形態１で図２を用いて説明した、ヒューズ部５を設けた第２の金属化フィルム２枚を一対として用いて構成したものである。 Further, the conventional product 3 is configured by using a pair of the second metallized films provided with the fuse portion 5 described in the first embodiment with reference to FIG.
（表３）から明らかなように、本実施の形態による金属化フィルムコンデンサは、ヒューズ部１３が電極引き出し部から離れた位置に配置されるようにしているために優れた放電特性が得られるのに対し、従来品３は電極引き出し部の近傍にヒューズ部５があるために、充放電時の電流によってヒューズ部５が溶断し易くなっていることから、容量減少が大きくなるという結果が得られ、本実施の形態による効果が顕著に分かるものである。 As is clear from Table 3, the metalized film capacitor according to the present embodiment provides excellent discharge characteristics because the fuse portion 13 is arranged at a position away from the electrode lead portion. On the other hand, since the conventional product 3 has the fuse portion 5 in the vicinity of the electrode lead-out portion, the fuse portion 5 is easily melted by the current at the time of charging / discharging, resulting in a large capacity reduction. The effect of this embodiment can be clearly understood.
（実施の形態３）
以下、実施の形態３を用いて、本発明の特に請求項５に記載の発明について説明する。
(Embodiment 3)
The third aspect of the present invention will be described below with reference to the third embodiment.
本実施の形態は、上記実施の形態１で説明した金属化フィルムコンデンサの金属蒸着電極にオイルをコーティングした構成のものであり、これ以外の構成は実施の形態１と同様であるために同一部分には同一の符号を付与してその詳細な説明は省略し、異なる部分についてのみ以下に図面を用いて説明する。 In the present embodiment, the metal vapor deposition electrode of the metallized film capacitor described in the first embodiment is coated with oil, and other configurations are the same as those in the first embodiment. The same reference numerals are given to them, and detailed description thereof is omitted, and only different portions will be described below with reference to the drawings.
図４は本発明の実施の形態３による金属化フィルムコンデンサの構成を示した要部断面図であり、図４において、１５は金属蒸着電極３にコーティングを施されたオイルであり、このようにオイル１５によるコーティングを行うことにより、金属蒸着膜の酸化を防止することができるようになるために耐湿性を向上させることができるものである。 FIG. 4 is a cross-sectional view of the principal part showing the configuration of the metallized film capacitor according to Embodiment 3 of the present invention. In FIG. 4, 15 is oil in which the metal vapor-deposited electrode 3 is coated. By performing the coating with the oil 15, it becomes possible to prevent the metal deposited film from being oxidized, so that the moisture resistance can be improved.
このように構成された本実施の形態による金属化フィルムコンデンサの耐湿試験における容量減少率、１ｋＨｚにおけるｔａｎδ特性の推移を測定した結果を比較例としての従来品と共に（表４）に示す。なお、耐湿試験後の容量減少率は、コンデンサにＤＣ７５０Ｖを印加し、８５℃、８５％の雰囲気中に２０００時間連続通電した後の室温における静電容量、１ｋＨｚにおけるｔａｎδを測定した値を示す。 Table 4 shows the results of measuring the capacity reduction rate in the moisture resistance test of the metallized film capacitor thus configured according to this embodiment and the transition of the tan δ characteristic at 1 kHz together with the conventional product as a comparative example. In addition, the capacity | capacitance reduction rate after a moisture-proof test shows the value which measured the electrostatic capacity in room temperature after applying DC750V to a capacitor | condenser and carrying out continuous electricity supply for 2000 hours in 85 degreeC and 85% atmosphere, and 1 tan.
また、従来品４は、オイル１５をコーティングしない、すなわち実施の形態１による金属化フィルムコンデンサを用いたものである。 Further, the conventional product 4 does not coat the oil 15, that is, uses the metallized film capacitor according to the first embodiment.
（表４）から明らかなように、本実施の形態による金属化フィルムコンデンサは、金属蒸着電極にオイルをコーティングしているために金属蒸着膜が酸化に至り難いことから容量減少が小さくなるのに対し、従来品４はオイルによるコーティングが施されていないために、金属蒸着膜の酸化による容量減少が大きくなるという結果が得られ、本実施の形態による効果が顕著に分かるものである。 As is clear from Table 4, the metallized film capacitor according to the present embodiment has a reduced capacity reduction because the metal vapor deposition film is difficult to be oxidized because the metal vapor deposition electrode is coated with oil. On the other hand, since the conventional product 4 is not coated with oil, the result is that the capacity reduction due to oxidation of the metal vapor deposition film becomes large, and the effect of this embodiment can be clearly seen.
本発明による金属化フィルムコンデンサは、分割電極を設ける方の誘電体フィルムの表面粗さを他方の誘電体フィルムの表面粗さより小さくしたことにより、耐電圧性と耐湿性、ならびに長期寿命に優れ、かつ高い安全性を確保することができるという効果を有し、自動車用インバータ回路の平滑用等に最適なものである。 The metallized film capacitor according to the present invention is superior in voltage resistance and moisture resistance, as well as long life, by making the surface roughness of the dielectric film on which the split electrodes are provided smaller than the surface roughness of the other dielectric film, In addition, it has the effect of ensuring high safety, and is optimal for smoothing inverter circuits for automobiles.
１、２ 誘電体フィルム
３、７ 金属蒸着電極
４ 低抵抗部
５、１３ ヒューズ部
６、１０ 非金属蒸着部
８、１１、１２ スリット
９ 分割電極
１４ オーバーラップ部
１５ オイル
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1, 2 Dielectric film 3, 7 Metal vapor deposition electrode 4 Low resistance part 5, 13 Fuse part 6, 10 Non-metal vapor deposition part 8, 11, 12 Slit 9 Divided electrode 14 Overlap part 15 Oil
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