JP2006351299A - 自発光パネル、自発光パネル用の封止部材、および自発光パネルの製造方法 - Google Patents

自発光パネル、自発光パネル用の封止部材、および自発光パネルの製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】 基板が撓む場合であっても、基板に形成された自発光素子部と封止部材または封止空間内に配置された乾燥部材との接触を防止して、かつ封止部材の強度が比較的大きく、パネル全体の大型化や薄型化が可能な自発光パネル、自発光パネル用の封止部材、および自発光パネルの製造方法を提供する。
【解決手段】 自発光パネル1は、基板2上に自発光素子部3を形成し、基板2と封止部材4とを貼り合わせて形成される封止空間24内に自発光素子部3を配置しており、この封止部材4は、自発光素子部3を囲む支持部41で基板2に接着支持され、封止部材4における自発光素子部3の対向面に、支持部41内の中央部付近42cで最も深く支持部41の近傍に向かって浅くなる凹部42を備える。
【選択図】図2

Description

本発明は、自発光パネル、自発光パネル用の封止部材、および自発光パネルの製造方法に関するものである。
例えば、一般的な有機EL(エレクトロ・ルミネッセンス)パネルは、基板上に第1電極を形成し、その上に有機化合物からなる発光層を含む有機層を形成し、その上に第2電極を形成してなる有機EL素子を基本構成としており、この有機EL素子を単位面発光素子として平面基板上に配列させたものである。
この有機ELパネルでは、前述の有機層や電極が外気にさらされると特性が劣化することが知られている。これは、有機層と電極との界面に水分が浸入することにより電子の進入が妨げられ、未発光領域としてのダークスポットが発生したり、電極が腐食する現象によるもので、有機EL素子の安定性や耐久性を高めるためには、有機EL素子を外気から遮断する封止技術が不可欠となっている。この封止技術に関しては、電極および有機層が形成された基板上に、この電極および有機層を覆う封止部材を接着剤を介して接着する手段が一般に採用されている。
このような有機ELパネルの従来技術(下記特許文献1参照)を図1に示す。一般的な有機ELパネル1rは、例えば図1(a)に示すように、基板(ガラス基板)2、ITO(Indium Tin Oxside)電極(第1電極)と有機発光材料層(有機層)と陰極(第2電極)からなる有機EL積層体(自発光素子部)3、封止部材(ガラス封止部材)4、封止材(接着剤)5、および乾燥部材6により構成されている。
特開2004−79467号公報(図1)
有機EL表示パネル等の自発光パネルは、表示性能の向上や搭載機器内でスペース確保等のためにパネルの大面積化や薄型化の要求が高い。これに対して、例えば単純にパネルを大型化した場合には、封止部材4と基板2との支持間隔が大きくなるので押し圧強度が低下し、例えば基板2側から力が加わった際に、図1(b)に示すように基板2が封止部材4に向かって凸状に撓み、基板2に形成された自発光素子部3が乾燥部材6や封止部材4の内面と接触する虞がある。このような接触が生じると、自発光素子部3が損傷するか、或いは自発光素子部3の表面に性能劣化因子が付着するなどして、自発光パネルの発光性能の低下や表示寿命の低下を招くという問題が生じる。
また、パネルを薄型化するために、基板2に形成された自発光素子部3と、封止部材4や乾燥部材6との隙間(クリアランス)を単純に小さく形成した場合には、例えば基板2側から外力が加わった際に、前述したような接触が生じる虞があり、封止空間のクリアランスをある程度確保しながらパネルの薄型化を達成するために、単純に封止部材4の厚みを薄くした場合には、封止部材4の強度が低下してしまう問題が生じる。
本発明は、このような問題に対処することを課題の一例とするものである。すなわち、基板が撓む場合であっても、基板に形成された自発光素子部と封止部材または封止空間内に配置された乾燥部材との接触を回避すること、封止部材の強度を十分に確保すること、これによって、不具合なくパネル全体の大型化や薄型化が可能なこと、等が本発明の目的である。
このような目的を達成するために、本発明は、以下の各独立請求項に係る構成を少なくとも具備するものである。
請求項1に係る発明の自発光パネルは、基板上に自発光素子部を形成し、前記基板と封止部材とを貼り合わせて形成される封止空間内に前記自発光素子部を配置した自発光パネルにおいて、前記封止部材は、前記自発光素子部を囲む支持部で前記基板に接着支持され、前記封止部材における前記自発光素子部の対向面に、前記支持部内の中央部付近で最も深く前記支持部の近傍に向かって浅くなる凹部を形成したことを特徴とする。
また、請求項3に係る自発光パネル用の封止部材は、自発光素子部が形成された基板と封止部材とを貼り合わせて形成される封止空間内に前記自発光素子部が配置される自発光パネルの封止部材であって、前記封止部材は、前記自発光素子部を囲み、前記基板に接着支持する支持部と、前記封止部材における前記自発光素子部の対向面に、前記支持部内の中央部付近で最も深く前記支持部の近傍に向かって浅くなる凹部とを備えることを特徴とする。
また、請求項5に係る自発光パネルの製造方法は、自発光素子部が形成された基板と封止部材とを貼り合わせて形成される封止空間内に前記自発光素子部を配置した自発光パネルの製造方法であって、前記自発光素子部を囲み、前記基板に接着支持する支持部と、前記封止部材における前記自発光素子部の対向面に、前記支持部内の中央部付近で最も深く前記支持部の近傍に向かって浅くなる凹部とを有する前記封止部材を形成する第1の工程と、前記基板上に形成された前記自発光素子部を囲むように、前記基板と、前記第1の工程により形成された前記封止部材とを前記支持部を介して貼り合わせる第2の工程とを有する。
本発明の一実施形態に係る自発光パネルは、基板上に自発光素子部を形成し、前記基板と封止部材とを貼り合わせて形成される封止空間内に自発光素子部を配置している。この封止部材は、自発光素子部を囲む支持部で基板に接着支持されている。また、この封止部材は、封止部材における自発光素子部の対向面に、支持部内の中央部付近で最も深くその支持部の近傍に向かって浅くなる凹部が備えられている。
上記構成の自発光パネルでは、封止部材が上記凹部を備えるので、例えば基板が外力または封止空間の内と外との圧力差によって撓みが生じた場合であっても、撓みの最も大きくなる支持部内の中央付近で上記凹部を最も深くしていることで、基板に形成された自発光素子部が他の構成要素、例えば封止部材の内面に接触することを防ぐことができ、また、前述した中央付近から支持部の近傍に向かっては凹部を浅くして封止部材の厚みを確保しているので、封止部材としては十分な強度を確保することができる。そして、上記構成の封止部材を採用することで、上記の接触や封止部材の強度を問題にすることなく、自発光パネルの大型化や薄型化が可能になる。
以下、本発明の実施形態を図面を参照して説明する。
図2は、本発明の第1実施形態に係る自発光パネルの断面図である。本実施形態に係る自発光パネル1は、例えば図2に示すように、基板2、自発光素子部3、封止部材4、および接着剤5を構成要素として有する。基板2の一方の面側に自発光素子部3が形成され、その自発光素子部3を覆うように封止部材4が形成されている。本実施形態では封止部材4と基板2とが接着剤5を介して接着している。
自発光素子部3は、例えば外部から供給される電気エネルギーによって発光する自発光素子を単数又は複数備えるものである。本実施形態に係る自発光素子部3は、例えば有機EL(エレクトロ・ルミネッセンス)素子によって形成することができ、有機EL素子は、例えば、基板2の一方の面上に、陽極として第1電極(ITO)と、その第1電極上に有機化合物からなる発光層を含む有機層と、その有機層上に陰極として第2電極とが形成されている。
封止部材4は、自発光素子部3を外気から遮断する機能を有する。詳細には封止部材4は、例えば基板2上に形成された自発光素子部3を囲むように形成されている。また、封止部材4は、自発光素子部3が形成された基板2上に、この自発光素子部3を囲むように接着剤5を介して接着する。また、封止部材4は、例えば図2に示すように、支持部41、および凹部42を有する。
支持部41は、例えば図2に示すように、封止部材4の端部に形成され、凹部42の周縁部に形成されている。支持部41は、自発光パネル1製造時には、自発光素子部3を囲むように基板2に接着し、基板2に対して封止部材4を支持する。
凹部42は、例えば封止部材4における自発光素子部3の対向面に形成され、支持部41内の中央部付近42cで最も深く、支持部41の近傍に向かって浅くなる形状を有する。詳細には凹部42の形状は、基板2と封止部材4とを貼り合わせて形成される封止空間24内における撓み量に応じて設定することが好ましい。また、凹部42の形状は、基板2の封止空間24内における予め規定された撓み時の形状や略最大撓み時の形状に応じて設定してもよい。つまり、凹部42の形状を、基板2の予め規定された撓み時や略最大撓み時であっても、封止部材4が基板2や基板2に形成された自発光素子部3と接触しない形状に設定することで、上記接触を防止することができる。
この際、凹部42の最大深さは、基板2と封止部材4とを貼り合わせて形成される封止空間24内における最大撓み量に応じて設定されることが好ましい。より詳細には凹部42の最大深さは、基板2の最大撓み量よりも大きくなるように規定する。こうすることにより、基板2と封止部材4の内面部との接触を防止することができる。また、凹部42の最大深さは、基板2の予め規定された撓み量に応じて設定してもよい。こうすることで例えば基板2の最大撓み時でなくとも、規定された撓み量の範囲内であれば、上記接触を防止することができる。
また、凹部42の形状は、基板2の撓みによる上記接触を防止できれば、曲面形状であってもよいし段形状にであってもよい。また、本実施形態に係る封止部材4は、上述した形状の凹部42を有しているので、薄型化のために単純に封止部材4の厚みを薄くした封止部材と比べて、凹部42以外の厚みを薄くする必要がないので、封止部材4の強度を比較的大きくすることができる。また、本実施形態に係る封止部材4は、凹部42の平面領域が、自発光素子部3の形成領域よりも狭く形成されていることが好ましい。
接着剤5は、基板2と封止部材4を接着する。この接着剤5は、例えば、熱硬化型、化学硬化型(2液混合)、光(紫外線)硬化型等の接着剤を使用し、材料としてアクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリエステル、ポリオレフィン等を用いることができる。特に、紫外線硬化型のエポキシ樹脂の使用が好ましい。このような接着剤5は、基板2側或いは封止部材4側の一方又は両方に塗布又は印刷によって封止空間24を区画するようにパターン形成される。この際、例えば1〜100μmのスペーサ(ガラスやプラスチックのスペーサが好ましい)を適量混合(0.1〜0.5重量%ほど)して、スペーサの大きさによって封止空間24の厚さを確保するようにしても良い。
図3は、図2に示した自発光パネルの動作を説明するための図である。上記構成の自発光パネル1の動作について、図3を参照しながら説明する。
基板2は、例えば何らかの外力または封止部材4内と外部との圧力差によって、例えば図3に示すように撓みが生じることがある。この際、封止部材4と基板2は、支持部41により接着支持されているので、基板2の略中央部2cが封止部材4に向かって凸状に撓むことになる。封止部材4には基板2が規定した撓み範囲内で撓んだ時や最大撓み時に応じた形状の凹部42が形成されているので、これによって、基板2に形成された自発光素子部3が封止部材4の内面に接触することを回避することができる。
以上説明したように、本実施形態に係る自発光パネル1は、基板2上に自発光素子部3を形成し、基板2と封止部材4とを貼り合わせて形成される封止空間24内に自発光素子部3を配置しており、封止部材4は、自発光素子部3を囲む支持部41で基板2に接着支持され、封止部材4における自発光素子部3の対向面に、支持部41内の中央部付近42cで最も深く支持部41の近傍に向かって浅くなる凹部42を備えるので、基板2が撓む場合であっても、基板2に形成された自発光素子部3と封止部材4の内面との接触を防止することができる。
また、支持部41内の封止空間24における幅(支持間隔)が比較的大きい場合であっても、封止部材4は上記形状の凹部42を備えるので、基板2に形成された自発光素子部3と封止部材4との接触を避けながら、自発光パネル1の大型化や薄型化を実現することができる。
また封止部材4は、上述した形状の凹部42を有しているので、薄型化のために単純に厚みを薄くした封止部材と比べて、支持部41に近づくに連れて凹部42以外の厚みを十分に確保することができるので封止部材4の強度を比較的大きくすることができる。
本実施形態に係る凹部42は滑らかな曲線状の対向面に形成することもできるし、中央部分から直線的に支持部41に向かって凹部が浅くなるようにしてもよい。曲線状にした場合には、例えば角部を有する対向面と比較して応力集中を避けることができる分、大きな強度を得ることができる。
また、本実施形態に係る封止部材4の凹部42の最大深さは、基板2の封止空間24内における最大撓み量に応じて設定されるので、例えば基板2が最大撓み時より深く設定することで、基板2の最大撓み時であっても、自発光素子部3と封止部材4との接触を防止することができる。
また、封止部材4の凹部42の形状を、例えば基板2の予め規定した撓み時の形状に応じて設定することで、具体的には凹部42の各部分の深さを、例えば基板2の規定した撓み量より深く設定することで、基板2が規定した撓み量で撓んだ場合であっても、自発光素子部3と封止部材4との接触を防止することでき、効率よく封止部材4の凹部以外の厚さを確保することができる。
図4は、本発明の第2実施形態に係る自発光パネル1aを説明するための断面図である。本実施形態に係る自発光パネル1aは、図4に示すように、封止空間24内に乾燥部材6を設けたものである。詳細には乾燥部材6は、封止部材4の基板2と対向する面側に備えられている。
乾燥部材6は、例えば封止部材4と基板2を接着後に、封止空間24内に存在する初期水分および自発光素子部3から計時的に放出するか若しくは封止部材4から僅かに浸入してきた水分を吸収除去するために設けられる。特に自発光素子部3として有機EL素子を採用した場合に、有機EL素子を形成する有機層は熱に弱く、封止前に加熱処理して水分を除去することができないことから、封止空間24内に乾燥部材6を設けて、このような水分を除去する。例えば乾燥部材6としては、化学的に水分を吸着するとともに吸湿しても固体状態を維持する化合物等を用いることができる。
本実施形態に係る封止部材4は、第1実施形態と略同様に、支持部41および凹部42を有する。凹部42は、乾燥部材6の配置を考慮して形状が設定される。つまり、凹部42の形状は、基板2の封止空間内における撓み量、および乾燥部材6の形状や大きさ、厚さに応じて設定される。詳細には、凹部42は、基板2の封止空間内における撓みにより、凹部42の内面に備えられた乾燥部材6と接触しないように形状が設定される。例えば凹部42は、基板2の封止空間内における規定された撓み量または最大撓み量よりも、自発光素子部3と対向する面上に形成される乾燥部材6が接触しない深さとなるように形状が設定される。
図5は、図4に示した自発光パネル1aの動作を説明するための図である。上記構成の自発光パネル1aについて、図5を参照しながら説明するが、第1実施形態と共通する部分については一部説明を省略する。
基板2は、例えば何らかの外力または封止部材4内と外部との圧力差によって、例えば図5に示すように基板2の略中央部2cが封止部材4に向かって凸形状に撓む。この際、封止部材4と基板2は、支持部41により接着支持されている。封止部材4は、基板2が予め規定した範囲内または略最大撓み時の撓み形状に応じて、基板2に形成された自発光素子部3と封止部材4とが接触しない深さ形状の凹部42を備えることで、基板2に形成された自発光素子部3と乾燥部材6の接触を防止することができる。
図6は、本発明の他の実施形態に係る自発光パネル用の封止部材4を説明するための断面図である。例えば図6(a)に示すように封止部材4aは、凹部42の内面部全部が曲面形状、詳細には中央部付近42cや支持部近傍42aが曲面形状に設定されていてもよい。また、図6(b)に示すように封止部材4bの凹部42は、支持部近傍に、基板2と対向する面に対して直交する面を含む角部42bを備える。また、図6(c)に示すように封止部材4cの凹部42は、中央部付近42cが曲面形状で、凹部42の支持部近傍に平面部42dおよび角部42bを備えていてもよい。つまり封止部材4は、基板2が撓み時に、基板2や自発光素子部3と、封止部材4の内面部または封止部材4の凹部42の内側に備えられた乾燥部材6とが接触しない形状であればよい。
図7は、本発明の一実施形態に係る自発光パネルの製造方法を説明するためのフローチャートである。図7を参照しながら、本発明の第4実施形態に係る自発光パネルの製造方法を説明する。先ず、自発光素子部形成工程S1Aとして、基板2上に、例えば第1電極、有機層、および第2電極を順に積層した有機EL積層体を形成して、一対の電極間に少なくもと有機層を狭持してなる自発光素子部3を形成する。ここでは、有機EL素子の形成に採用される周知の成膜工程およびパターン形成工程が採用される。この自発光素子部3は、多数の有機EL素子がドットマトリクス状に配列されたものであっても、所望のパターンを有する有機EL素子が単数または複数配列されたものであってもよい。
一方、封止部材形成工程S1Bとして、上述した本発明に係る封止部材4を形成する。この際、自発光素子部3を囲み、基板2に接着支持する支持部41と、封止部材4における自発光素子部3の対向面に、支持部41内の中央部付近42cで最も深く支持部41の近傍に向かって浅くなる凹部42とを有する封止部材4を形成する。具体的な封止部材4を形成する工程については後述する。次に、封止部材形成工程S1Bにおいて、封止部材4の凹部42の内側面に対して例えば切り込みによって所望のパターンに形成されるシート状乾燥部材6を設ける。
次に、封止工程S2として、基板2の周辺、または封止部材4の支持部41の接着面に接着剤5が塗布され、基板2上に封止部材4が貼り付けられて自発光素子部3等の封止がなされる。詳細には、基板2上に形成された自発光素子部3を囲むように、基板2と封止部材形成工程S1Bにより形成された封止部材4とを支持部41を介して貼り合わせることで、上記封止を行う。その後、必要に応じて適宜の検査工程S3を行い、実施形態に係る自発光パネルを形成する。
図7に示した封止部材4の封止部材形成工程S1B(図示しない)は、サンドブラスト法、エッチング法やプレス法等で、封止部材(ガラス、金属板等)を所定の形状に加工する。
また、サンドブラスト法により凹部42を有する封止部材4を形成しても、マスクの開口部を順次大きくしながらエッチング法により基板を掘り込むことにより、封止部材4の凹部42および支持部41を形成してもよい。
図8は、本発明の他の実施形態に係る自発光パネルの製造方法を説明するための図である。複数個の自発光パネルを形成する製造方法の一実施形態を図9を参照しながら説明する。例えば図8(a)に示すように、自発光素子部形成工程S1Aにより、自発光素子部3が形成された基板2を形成し、封止部材形成工程S1Bにより、乾燥部材6が形成された封止部材4を形成し、封止部材4の接合面に接着剤5を塗布する。この際、封止部材4や基板2それぞれには、規定間隔で複数個の自発光素子部3や凹部42などを形成する。次に、図8(b)に示すように、封止工程S2により、接着剤5を介して基板2と封止部材4を貼り合わせ、支持部41中央部付近の分割面(A−A)に沿って切り分けることにより、図8(c)に示すように、複数個の自発光パネル1を形成する。
以上説明したように、本実施形態に係る製造方法では、封止部材4に本発明に係る凹部42を規定間隔で複数個形成し、それに対応して基板2上に自発光素子部3を形成して、それぞれを貼り合わせることにより封止して、支持部41の中央部付近の分割面に沿って切り分ける簡単な工程により、複数個の自発光パネル1を簡単に得ることができる。
図9は、本発明の他の実施形態に係る自発光パネルを説明するための断面図である。上述した実施形態との相違点は、封止部材4が、段形状の凹部42を有する点である。この段形状の凹部42も同様に、基板2の撓みにより、基板2に形成された自発光素子部3と、封止部材4の内面部や乾燥部材6とが接触しないような形状に形成されている。
以上説明したように、本実施形態に係る封止部材4は段形状の凹部42を有するので、例えば凹部42を形成する場合に、曲面形状の凹部42を形成する場合と比べて、掘り込み精度を荒く設定でき、削り込み時間を短縮することができる。この際、自発光素子部3の形成領域301よりも、凹部42の平坦部分を狭く設定することが好ましい。
図10は、本発明の他の実施形態に係る自発光パネル1gを説明するための断面図である。本実施形態に係る自発光パネル1gは、例えば図10に示すように、封止部材4を金属材料により形成された封止缶によって形成したものである。この封止缶(封止部材4)は、例えば図11(a),(b)に示すように、金型600(凸形状金型600a,凹形状金型600b)により、金属板400aをプレス加工して形成する。そして、この封止部材4を基板2に貼り付けて封止することにより、自発光パネル1gを得る。
以上説明したように、プレス加工により本発明に係る機能を有する封止部材4を簡単な工程により、短時間に得ることができる。
なお、本発明は上述した実施形態に限られるものではない。
例えば図12に示すように、封止部材4の凹部42は、乾燥部材6が形成された状態で、支持部41内の中央部付近41cで最も深く支持部41の近傍に向かって浅くなる形状としてもよい。こうすることにより、封止部材4をより薄型化することができ、さらに自発光パネル装置全体を薄型化することができる。
以下、図13によって、前述した自発光パネルの具体例として有機ELパネルを例に挙げて、具体構成を説明する。
有機ELパネル100の基本構成は、第1電極(下部電極)31と第2電極(上部電極)32との間に有機発光機能層を含む有機材料層33を挟持して支持基板110上に複数の有機EL素子30を形成したものである。図示の例では、支持基板110上にシリコン被覆層120aを形成しており、その上に形成される第1電極31をITO等の透明電極からなる陽極に設定し、第2電極32をAl等の金属材料からなる陰極に設定して、支持基板110側から光を取り出すボトムエミッション方式を構成している。また、有機材料層33としては、正孔輸送層33A,発光層33B,電子輸送層33Cの3層構造の例を示している。そして、支持基板110と封止部材111とを接着層112を介して貼り合わせることによって封止領域Sを形成し、この封止領域S内に有機EL素子30からなる自発光素子部を形成している。
有機EL素子30からなる自発光素子部は、図示の例では、第1電極31を絶縁層34で区画しており、区画された第1電極31の下に各有機EL素子30による単位表示領域(30R,30G,30B)を形成している。また、封止領域Sを形成する封止部材111の内面には乾燥手段40が取り付けられて、湿気による有機EL素子30の劣化を防止している。
また、支持基板110の端部に形成される引出領域110A上には、第1電極31と同材料,同工程で形成される第1の電極層121Aが、第1電極31とは絶縁層34で絶縁された状態でパターン形成されている。第1の電極層121Aの引出配線部分には、銀合金等を含む低抵抗配線部分を形成する第2の電極層121Bが形成されており、更にその上に、必要に応じてIZO等の保護被膜121Cが形成されて、第1の電極層121A,第2の電極層121B,保護被膜121Cからなる引出配線部121が形成されている。そして、封止領域S内端部で第2電極32の端部32aが引出配線121に接続されている。
第1電極31の引出配線は、図示省略しているが、第1電極31を延出して封止領域S外に引き出すことによって形成することができる。この引出配線においても、前述した第2電極32の場合と同様に、Ag合金等を含む低抵抗配線部分を形成する電極層を形成することもできる。
そして、封止部材111の引出配線部121に臨む端縁111E0は支持基板110と封止部材111の貼り合わせ前に加工された孔加工縁によって形成されている。
以下、有機ELパネル100の細部について、更に具体的に説明する。
a.電極;
第1電極31,第2電極32は、一方が陰極側、他方が陽極側に設定される。陽極側は陰極側より仕事関数の高い材料で構成され、クロム(Cr)、モリブデン(Mo)、ニッケル(Ni)、白金(Pt)等の金属膜やITO、IZO等の酸化金属膜等の透明導電膜が用いられる。逆に陰極側は陽極側より仕事関数の低い材料で構成され、アルカリ金属(Li,Na,K,Rb,Cs)、アルカリ土類金属(Be,Mg,Ca,Sr,Ba)、希土類金属等、仕事関数の低い金属、その化合物、又はそれらを含む合金、ドープされたポリアニリンやドープされたポリフェニレンビニレン等の非晶質半導体、Cr2O3、NiO、Mn2O5等の酸化物を使用できる。また、第1電極31,第2電極32ともに透明な材料により構成した場合には、光の放出側と反対の電極側に反射膜を設けた構成にすることもできる。
引出配線部(図示の引出配線部121及び第1電極31の引出配線)には、有機ELパネル100を駆動する駆動回路部品やフレキシブル配線基板が接続されるが、可能な限り低抵抗に形成することが好ましく、前述したように、Ag合金或いはAPC,Cr,Al等の低抵抗金属電極層を積層するか、或いはこれらの低抵抗金属電極単独で形成することができる。
b.有機材料層;
有機材料層33は、少なくとも有機EL発光機能層を含む単層又は多層の有機化合物材料層からなるが、層構成はどのように形成されていても良い。一般には、図14に示すように、陽極側から陰極側に向けて、正孔輸送層33A、発光層33B、電子輸送層33Cを積層させたものを用いることができるが、発光層33B、正孔輸送層33A、電子輸送層33Cはそれぞれ1層だけでなく複数層積層して設けても良く、正孔輸送層33A、電子輸送層33Cについてはどちらかの層を省略しても、両方の層を省略しても構わない。また、正孔注入層、電子注入層等の有機材料層を用途に応じて挿入することも可能である。正孔輸送層33A、発光層33B、電子輸送層33Cは従来の使用されている材料(高分子材料、低分子材料を問わない)を適宜選択して採用できる。
また、発光層33Bを形成する発光材料においては、1重項励起状態から基底状態に戻る際の発光(蛍光)と3重項励起状態から基底状態に戻る際の発光(りん光)のどちらを採用しても良い。
c.封止部材;
有機ELパネル100において、有機EL素子30を気密に封止するための封止部材111としては、ガラス製,プラスチック製等による板状部材を用いることができる。ガラス製の封止基板にプレス成形,エッチング,ブラスト処理等の加工によって封止用凹部(一段掘り込み、二段掘り込みを問わない)を形成したものを用いることもできるし、或いは平板ガラスを使用してガラス(プラスチックでも良い)製のスペーサにより支持基板110との間に封止領域Sを形成することもできる。
d.接着剤;
接着層112を形成する接着剤は、熱硬化型,化学硬化型(2液混合),光(紫外線)硬化型等を使用することができ、材料としてアクリル樹脂,エポキシ樹脂,ポリエステル,ポリオレフィン等を用いることができる。特には、加熱処理を要さず即硬化性の高い紫外線硬化型のエポキシ樹脂製接着剤の使用が好ましい。
e.乾燥手段;
乾燥手段40は、ゼオライト,シリカゲル,カーボン,カーボンナノチューブ等の物理的乾燥剤、アルカリ金属酸化物,金属ハロゲン化物,過酸化塩素等の化学的乾燥剤、有機金属錯体をトルエン,キシレン,脂肪族有機溶剤等の石油系溶媒に溶解した乾燥剤、乾燥剤粒子を透明性を有するポリエチレン,ポリイソプレン,ポリビニルシンナエート等のバインダに分散させた乾燥剤により形成することができる。
f.有機ELパネルの各種方式等;
本発明の実施例である有機ELパネル100としては、本発明の要旨を逸脱しない範囲で各種の設計変更が可能である。例えば、有機EL素子30の発光形態は、前述したように支持基板110側から光を取り出すボトムエミッション方式でも、封止部材111側から光を取り出すトップエミッション方式でも構わない(この場合封止部材111を透明材にして、乾燥手段40の配置を考慮する必要がある)。また、有機ELパネル100は単色表示であっても複数色表示であっても良く、複数色表示を実現するためには、塗り分け方式を含むことは勿論のこと、白色や青色等の単色の発光機能層にカラーフィルタや蛍光材料による色変換層を組み合わせた方式(CF方式、CCM方式)、単色の発光機能層の発光エリアに電磁波を照射する等して複数発光を実現する方式(フォトブリーチング方式)、2色以上の単位表示領域を縦に積層し一つの単位表示領域を形成した方式(SOLED(transparent Stacked OLED)方式)、異なる発光色の低分子有機材料を予め異なるフィルム上に成膜してレーザによる熱転写で一つの基板上に転写するレーザ転写方式、等を採用することができる。また、図示の例ではパッシブ駆動方式を示しているが、支持基板110としてTFT基板を採用し、その上に平坦化層を形成した上に第1電極31を形成するようにして、アクディブ駆動方式を採用したものであってもよい。
以上説明したように、本発明の実施形態に係る自発光パネル及びその製造方法、或いは自発光パネル用封止部材によると、基板が撓む場合であっても、基板に形成された自発光素子部と封止部材または封止空間内に配置された乾燥部材との接触を回避することができる。また、このような接触を回避しながら、封止部材の強度を十分に確保することができる。したがって、不具合なくパネル全体の大型化及び薄型化を可能にすることができる。
一般的な有機ELパネルを説明するための断面図である。(a)は一般的な有機ELパネルの断面図であり、(b)はその問題点を説明するための図である。 本発明の第1実施形態に係る自発光パネルの断面図である。 図2に示した自発光パネルの動作を説明するための図である。 本発明の第2実施形態に係る自発光パネル1aを説明するための断面図である。 図4に示した自発光パネル1aの動作を説明するための図である。 本発明の他の実施形態に係る自発光パネル用の封止部材4を説明するための断面図である。(a)は第3実施形態、(b)は第4実施形態、(c)は第5実施形態に係る封止部材を説明するための断面図である。 本発明の一実施形態に係る自発光パネルの製造方法を説明するためのフローチャートである。 本発明の他の実施形態に係る自発光パネルの製造方法を説明するための図である。 本発明の他の実施形態に係る自発光パネルを説明するための断面図である。 本発明の他の実施形態に係る自発光パネル1gを説明するための断面図である。 図10に示した封止部材の製造方法を説明するための図である。(a)はプレス加工工程、(b)はプレス加工により形成された封止部材を説明するための図である。 本発明の他の実施形態に係る自発光パネル1hを説明するための断面図である。 本発明の実施形態に係る自発光パネルの一具体例として、有機ELパネルの構造を示した説明図である。
符号の説明
1 自発光パネル
2 基板
3 自発光素子部
4 封止部材
5 接着剤(封止材)
6 乾燥部材
41 支持部
42 凹部

Claims (6)

  1. 基板上に自発光素子部を形成し、前記基板と封止部材とを貼り合わせて形成される封止空間内に前記自発光素子部を配置した自発光パネルにおいて、
    前記封止部材は、前記自発光素子部を囲む支持部で前記基板に接着支持され、
    前記封止部材における前記自発光素子部の対向面に、前記支持部内の中央部付近で最も深く前記支持部の近傍に向かって浅くなる凹部を形成した
    ことを特徴とする自発光パネル。
  2. 前記凹部の最大深さは、前記基板の前記封止空間内における最大撓み量に応じて設定される
    ことを特徴とする請求項1に記載の自発光パネル。
  3. 自発光素子部が形成された基板と封止部材とを貼り合わせて形成される封止空間内に前記自発光素子部が配置される自発光パネルの封止部材であって、
    前記封止部材は、
    前記自発光素子部を囲み、前記基板に接着支持する支持部と、
    前記封止部材における前記自発光素子部の対向面に、前記支持部内の中央部付近で最も深く前記支持部の近傍に向かって浅くなる凹部と
    を備えることを特徴とする自発光パネル用の封止部材。
  4. 前記凹部の最大深さは、前記基板の前記封止空間内における最大撓み量に応じて設定される
    ことを特徴とする請求項3に記載の自発光パネル用の封止部材。
  5. 自発光素子部が形成された基板と封止部材とを貼り合わせて形成される封止空間内に前記自発光素子部を配置した自発光パネルの製造方法であって、
    前記自発光素子部を囲み、前記基板に接着支持する支持部と、前記封止部材における前記自発光素子部の対向面に、前記支持部内の中央部付近で最も深く前記支持部の近傍に向かって浅くなる凹部とを有する前記封止部材を形成する第1の工程と、
    前記基板上に形成された前記自発光素子部を囲むように、前記基板と、前記第1の工程により形成された前記封止部材とを前記支持部を介して貼り合わせる第2の工程と
    を有することを特徴とする自発光パネルの製造方法。
  6. 前記第1の工程において、前記封止部材の基板上に設けられたマスクの開口部を順次大きくしながら、当該マスクの開口部を介して前記基板を掘り込み、前記封止部材の前記凹部を形成する
    請求項5に記載の自発光パネルの製造方法。
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