JP2007011377A - 液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】液晶表示装置の開口率を高めながら応答速度及び透過率を向上させる。
【解決手段】基板と、基板上に行列形態に形成されており、第１及び第２副画素電極を含む画素電極と、画素電極と対向する共通電極とを含み、第１副画素電極は、行方向に延長され互いに対向する第１辺及び第２辺、第１辺及び第２辺に対して斜角をなして連続し互いに平行に形成される一対の第１斜辺を有し、第２副画素電極は、行方向に延長され互いに対向する第１辺及び第２辺、第１辺から連続し第１副画素電極の第１斜辺と実質的に平行であるかまたは垂直である一対の第１斜辺を有し、第１及び第２副画素電極の第１辺が互いに隣接し、第１及び第２副画素電極の第１辺の長さは互いに異なり、第１副画素電極の第１斜辺と第２副画素電極の第１斜辺とは互いに行方向に異なる位置に配置される
【選択図】図９

Description

本発明は液晶表示装置に関する。

液晶表示装置は、現在、最も広く使用されている平板表示装置のうちの１つであって、画素電極と共通電極など電場生成電極が形成されている２枚の表示板と、その間に入っている液晶層とを含む。液晶表示装置は、電場生成電極に電圧を印加して液晶層に電場を生成し、電場の強さを調節して液晶層の液晶分子の配向を決定し、入射光の偏光を制御することによって映像を表示する。

液晶表示装置は、また、各画素電極に接続されているスイッチング素子、及びスイッチング素子を制御して画素電極に電圧を印加するためのゲート線とデータ線など複数の信号線を含む。
このような液晶表示装置の中でも、電場が印加されない状態で液晶分子の長軸を上下表示板に対して垂直をなすように配列した垂直配向方式（ｖｅｒｔｉｃａｌｌｙ ａｌｉｇｎｅｄ ｍｏｄｅ）の液晶表示装置は、コントラスト比が大きく、基準視野角が広いため、脚光を浴びている。ここで、基準視野角とは、コントラスト比が１:１０の視野角または階調間輝度反転限界角度を意味する。

垂直配向方式の液晶表示装置において、広い基準視野角を実現するための具体的な方法としては、電場生成電極に切開部を形成する方法と、電場生成電極の上または下に突起を形成する方法などがある。切開部と突起は、液晶分子が傾く方向（ｔｉｌｔ ｄｉｒｅｃｔｉｏｎ）を決定するので、これらを適切に配置して液晶分子の傾斜方向をいろいろな方向に分散することによって、基準視野角を広くすることができる。

ところが、突起や切開部がある部分は光の透過が難しいので、これらが多いほど透過率が落ちる。透過率を高めるために、画素電極の面積を大きくする超高開口率の構造が提示されている。しかし、この場合、画素電極の間の距離が近く、画素電極とデータ線との間の距離も近いため、画素電極の周縁付近に強い側方電場（ｌａｔｅｒａｌ ｆｉｅｌｄ）が形成される。このような側方電場によって液晶分子の配向が乱れ、そのためテクスチャ（テキスチャ）や光漏れが生じて応答時間が長くなる。

また、垂直配向モードの液晶表示装置は、前面視認性に比べて側面視認性が落ちる。例えば、切開部を具備するＰＶＡ（ｐａｔｔｅｒｎｅｄ ｖｅｒｔｉｃａｌｌｙ ａｌｉｇｎｅｄ）方式の液晶表示装置の場合には、側面に行くほど映像が明るくなって、激しい場合には高階調間での輝度差がなくなり、映像が歪んで見える場合もある。

本発明が目的とする技術的課題は、液晶表示装置の開口率を高めながら応答速度及び透過率を向上させることにある。
本発明の他の技術的課題は、側面視認性を向上させることにある。

本発明の実施形態による液晶表示装置は、基板と、前記基板上に行列形態に形成されており、第１及び第２副画素電極を含む画素電極と、前記画素電極と対向する共通電極とを含み、前記第１副画素電極は、行方向に延長され互いに対向する第１辺及び第２辺、前記第１辺及び前記第２辺に対して斜角をなして連続し互いに平行に形成される一対の第１斜辺を有し、前記第２副画素電極は、行方向に延長され互いに対向する第１辺及び第２辺、前記第１辺から連続し、前記第１副画素電極の第１斜辺と実質的に平行であるかまたは垂直である一対の第１斜辺を有し、前記第１及び第２副画素電極の第１辺が互いに隣接し、前記第１及び第２副画素電極の第１辺の長さは互いに異なり、前記第１副画素電極の第１斜辺と前記第２副画素電極の第１斜辺とは互いに行方向に異なる位置に配置される。

ここで、前記第１副画素電極の第１斜辺及び前記第２副画素電極の第１斜辺と実質的に４５゜をなす偏光軸を有する偏光子をさらに含むことが好ましい。
また、前記第１副画素電極の第１辺中央は、前記第２副画素電極の第１辺中央と整列されていることが好ましい。
さらに、前記第１副画素電極は、前記第１副画素電極の第１斜辺と直角をなして連続する一対の第２斜辺をさらに有することが好ましい。

また、前記第２副画素電極は、前記第２副画素電極の第１斜辺と直角をなして連続する一対の第２斜辺をさらに有することが好ましい。
前記第１副画素電極の第１斜辺は、前記第２副画素電極の第１斜辺と直角方向に形成されることが好ましい。
前記第２副画素電極は、前記第１副画素電極を間に置いて互いに分離されている第１及び第２電極片を含むことが好ましい。

前記第１電極片は前記第２副画素電極の第１斜辺を有し、前記第２電極片は前記第２副画素電極の第１斜辺と直角である一対の第２斜辺を有することが好ましい。
前記第１副画素電極の第１斜辺は、前記第２副画素電極の第１斜辺と平行であることが好ましい。
前記第１副画素電極の高さと前記第２副画素電極の高さとは実質的に同一であることが好ましい。

前記第２副画素電極の第１辺の長さは、前記第１副画素電極の第２辺の長さの１．８倍〜２倍であることが好ましい。
前記第１副画素電極と前記第２副画素電極との間の距離は、５．５〜７．５μｍであることが好ましい。
前記共通電極に形成されている第１傾斜方向決定部材をさらに含むことが好ましい。

この第１傾斜方向決定部材は、前記第１及び第２副画素電極各々を横切り、前記第１及び第２副画素電極の第１斜辺と実質的に平行な斜線部を有する第１切開部を含むことが好ましい。
前記第１切開部の幅は９．５〜１０．５μｍであることが好ましい。
前記第１切開部は、前記第１切開部の斜線部と連結され、前記第１または第２副画素電極の第１辺または第２辺と重畳し、前記斜線部と１３５°よりも大きい角度をなす辺を有する縦断部をさらに含むことが好ましい。

前記第２副画素電極に形成されている第２傾斜方向決定部材をさらに含むことが好ましい。
前記第２傾斜方向決定部材は、前記第２副画素電極を２等分し、前記第２副画素電極の第１斜辺と実質的に平行な斜線部を有する第２切開部を含むことが好ましい。
前記第２切開部の幅は８〜１０μｍであることが好ましい。

前記基板上に形成されている維持電極をさらに含み、前記維持電極は行方向に隣接した第１副画素電極と第２副画素電極との境界部分に位置し、前記第１切開部の縦断部は前記維持電極と重畳し、前記維持電極の辺とこれに隣接した前記縦断部の辺との間の距離は１μｍ以上であることが好ましい。
前記第１切開部の斜線部と前記第１または第２副画素電極の第１斜辺との間の距離、及び前記第２切開部の斜線部と前記第１切開部の斜線部との間の距離は２５〜４０μｍであることが好ましい。

前記第１切開部と前記第２切開部との間の距離は、前記第１切開部と前記第１または第２副画素電極の第１斜辺との間の距離より短いことが好ましい。
前記第２切開部の斜線部と前記第１切開部の斜線部との間の距離は２０〜３０μｍであり、前記第２副画素電極の第１斜辺と前記第１切開部の斜線部との間の距離は３０〜４０μｍであることが好ましい。

前記第２切開部の斜線部は、前記第１副画素電極を横切る前記第１切開部の斜線部と連結されることが好ましい。
前記第１副画素電極と前記第２副画素電極の電圧は互いに異なることが好ましい。
前記第１副画素電極の面積が前記第２副画素電極の面積より小さく、前記第１副画素電極の電圧が前記第２副画素電極の電圧より高いことが好ましい。

前記第２副画素電極の面積は、前記第１副画素電極面積の１．８倍〜２倍であることが好ましい。
前記第１副画素電極と前記第２副画素電極とは、１つの映像情報から得られた互いに異なるデータ電圧の印加を受けることが好ましい。
前記第１副画素電極と接続されている第１薄膜トランジスタと、前記第２副画素電極と接続されている第２薄膜トランジスタと、前記第１薄膜トランジスタと接続されている第１信号線と、前記第２薄膜トランジスタと接続されている第２信号線と、前記第１及び第２薄膜トランジスタと接続されていて、前記第１及び第２信号線と交差する第３信号線とをさらに含むことが好ましい。

前記第１及び第２薄膜トランジスタは、それぞれ前記第１及び第２信号線からの信号によって導通して前記第３信号線からの信号を伝達することが好ましい。
前記第１及び第２薄膜トランジスタは、それぞれ前記第３信号線からの信号によって導通して前記第１及び第２信号線からの信号を伝達することが好ましい。
前記第１副画素電極と前記第２副画素電極とは容量性結合されていることが好ましい。

本発明の他の実施形態に係る液晶表示装置は、前記第１副画素電極と接続されている薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタと接続されている第１信号線と、前記薄膜トランジスタと接続されていて、前記第１信号線と交差する第２信号線とをさらに含むことが好ましい。
前記第１及び第２副画素電極が互いに連結されていることが好ましい。

互いに対向する一対の平行な斜辺を各々有し、前記斜辺と斜角をなす方向に配列されている第１及び第２副画素電極を含む画素電極と、前記画素電極と対向する共通電極と、前記画素電極と前記共通電極との間に入っている液晶層と、前記第２副画素電極に設けられていて、前記斜辺と平行であり、前記液晶層の液晶分子の傾斜方向を決定する複数の第１傾斜方向決定部材と、前記共通電極に設けられていて、前記斜辺と実質的に平行な第１部分を含み、前記斜辺の間または前記斜辺と前記第１傾斜方向決定部材との間に配置されており、前記液晶層の液晶分子の傾斜方向を決定する複数の第２傾斜方向決定部材とを含み、前記第１及び第２副画素電極はそれぞれ前記第１または第２傾斜方向決定部材と前記斜辺によって複数の副領域に分れて、前記第１副画素電極の副領域の数と前記第２副画素電極の副領域の数とは互いに異なり、前記第１副画素電極の斜辺と前記第２副画素電極の斜辺とは画素電極配列方向に対して異なる位置に配置される。

ここで、前記第１副画素電極の斜辺及び前記第２副画素電極の斜辺と実質的に４５゜をなす偏光軸を有する偏光子をさらに含むことが好ましい。
前記副領域の面積は実質的に同一であることが好ましい。
前記副領域の面積は前記斜辺から遠いほど小さいことが好ましい。
本発明のさらに他の実施形態に係る液晶表示装置は、前記基板上に形成されていて、第１及び第２副画素電極を含む第１画素電極と、前記基板上に形成されていて、第３及び第４副画素電極を含む第２画素電極と、前記第１及び第２画素電極と対向する共通電極とを含み、前記第１及び第３副画素電極は、互いに対向する第１辺及び第２辺、前記第１辺及び第２辺から斜角をなして連続し、互いに平行な一対の第１斜辺を有し、前記第２及び第４副画素電極は、互いに対向する第１辺及び第２辺、前記第１辺から連続し、前記第１及び第３副画素電極の第１斜辺の一部と実質的に平行であるかまたは垂直である一対の第１斜辺を有し、前記第１副画素電極の第１辺と前記第２副画素電極の第１辺とが互いに隣接し、前記第３副画素電極の第１辺と前記第４副画素電極の第１辺が互いに隣接し、前記第１副画素電極の第１辺の長さと前記第２副画素電極の第１辺の長さとは互いに異なり、前記第３副画素電極の第１辺の長さと前記第４副画素電極の第１辺の長さは互いに異なり、前記第１副画素電極の第１斜辺と前記第２副画素電極の第１斜辺とは互いに画素電極の配列方向に対して異なる位置に配置され、前記第３副画素電極の第１斜辺と前記第４副画素電極の第１斜辺とは互いに画素電極の配列方向に対して異なる位置に配置される。

ここで、前記第１〜第４副画素電極は、前記第１〜第４副画素電極の第１斜辺と直角をなして連続する一対の第２斜辺をさらに有し、前記第１及び第３副画素電極の第１斜辺は、それぞれ前記第２及び第４副画素電極の第１斜辺と直角を成し、前記第１副画素電極の第１及び第２斜辺と前記第３副画素電極の第１及び第２斜辺とがそれぞれ隣接し、前記第４副画素電極の第１及び第２斜辺と前記第２副画素電極の第１及び第２斜辺とがそれぞれ隣接し、前記第１部画素電極の第１辺中央は前記第２副画素電極の第１辺中央と整列されており、前記第３副画素電極の第１辺中央は前記第４部画素電極の第１辺中央と整列されていることが好ましい。

前記第２副画素電極は、前記第１副画素電極を間に置いて互いに分離されている第１及び第２電極片を含み、前記第４副画素電極は、前記第３副画素電極を間に置いて互いに分離されている第１及び第２電極片を含み、前記第１及び第３副画素電極は、各々前記第１及び第３副画素電極の第１斜辺と直角をなして連続する一対の第２斜辺をさらに有し、前記第１電極片は前記第２及び第４副画素電極の第１斜辺を有し、前記第２電極片は前記第２及び第４副画素電極の第１斜辺と直角である一対の第２斜辺を有し、前記第１及び第３副画素電極の第１斜辺は前記第２及び第４副画素電極の第１斜辺と平行であり、前記第２副画素電極の第１電極片の第１斜辺と前記第４副画素電極の第１電極片の第１斜辺とが隣接し、前記第１副画素電極の第１及び第２斜辺と前記第３副画素電極の第１及び第２斜辺とがそれぞれ隣接することが好ましい。

前記第１〜第４副画素電極の第１辺または第２辺と前記第１斜辺または第２斜辺とは実質的に４５゜または１３５゜をなすことが好ましい。
前記第１〜第４副画素電極の高さは互いに実質的に同一であることが好ましい。
前記第２及び第３副画素電極の第１辺の長さは、前記第１及び第４副画素電極の第２辺の長さの１．８倍〜２倍であることが好ましい。

本発明のさらに他の実施形態に係る液晶表示装置は、基板と、前記基板上に形成されていて第１及び第２副画素電極を含む画素電極と、前記画素電極と対向する共通電極とを含み、前記第１及び第２副画素電極はそれぞれ互いに平行な一対の屈曲辺を有し、前記共通電極は第１切開部を有し、前記第１及び第２副画素電極は第２切開部を有し、前記第２切開部の幅が前記第１切開部の幅より大きい。

ここで、前記第２切開部の幅が前記第１切開部の幅より１〜２μｍ大きいことが好ましい。
前記第１切開部の幅は９．５〜１０．５μｍであり、前記第２切開部の幅は８〜１０μｍであることが好ましい。
前記第１副画素電極と前記第２副画素電極との間の距離は５．５〜７．５μｍであることが好ましい。

前記基板上に形成されており、前記第１副画素電極と前記第２副画素電極との間の境界部分に位置する維持電極をさらに含み、前記第１切開部または前記第２切開部は前記維持電極と重畳する部分を含み、前記維持電極の辺とこれに隣接した前記第１切開部または前記第２切開部が前記維持電極と重畳する部分の辺の間の距離は１μｍ以上であることが好ましい。

前記第１切開部または前記第２切開部における前記維持電極と重畳する部分は端部に行くほど幅が狭くなることが好ましい。

本発明によれば、視認性を良くしながら開口率も高めることができる電極を作ることができる。また、液晶制御力が強化され、応答速度及び透過率が顕著に良くなる。そしてテクスチャによる画質の劣化を防止することができ、色間のバランスを取りやすい。

添付した図面を参照して、本発明の実施形態について本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳細に説明する。しかし、本発明は多様な相異な形態で実現でき、ここに説明する実施形態に限定されない。
図面において、いろいろな層及び領域を明確に表現するために厚さを拡大して示した。明細書全体にわたって類似な部分については同一の図面符号を付けた。層、膜、領域、板などの部分が他の部分の“上”にあるとする時、これは他の部分の“すぐ上”にある場合だけでなく、その中間に他の部分がある場合も含む。逆に、ある部分が他の部分の“すぐ上”にあるとする時には、中間に他の部分がないことを意味する。

まず、図１及び図２を参照して、本発明の一実施形態による液晶表示装置について詳細に説明する。
図１は、本発明の一実施形態による液晶表示装置のブロック図であり、図２は本発明の一実施形態による液晶表示装置の２つの副画素に対する等価回路図である。
図１に示したように、本発明の一実施形態による液晶表示装置は、液晶表示板組立体（ｌｉｑｕｉｄ ｃｒｙｓｔａｌ ｐａｎｅｌ ａｓｓｅｍｂｌｙ）３００、これと接続されたゲート駆動部４００及びデータ駆動部５００、データ駆動部５００に接続された階調電圧生成部８００、並びにこれらを制御する信号制御部６００を含む。

液晶表示板組立体３００を等価回路で見れば、複数の信号線（図示せず）と、これに接続されていてほぼ行列状に配列された複数の画素ＰＸを含む。反面、図２に示した構造で見れば、液晶表示板組立体３００は、互いに対向する下部及び上部表示板１００、２００と、その間に入っている液晶層３とを含む。
信号線は、下部表示板１００に設けられており、ゲート信号（“走査信号"とも言う）を伝達する複数のゲート線（図示せず）と、データ信号を伝達する複数のデータ線（図示せず）とを含む。ゲート線はほぼ行方向に延長されており互いにほぼ平行であり、データ線はほぼ列方向に延長されており互いにほぼ平行である。

各画素ＰＸは一対の副画素を含み、各副画素は液晶キャパシタ（ｌｉｑｕｉｄ ｃｒｙｓｔａｌ ｃａｐａｃｉｔｏｒ）Ｃｌｃ１、Ｃｌｃ２を含む。２つの副画素のうちの少なくとも１つは、ゲート線、データ線及び液晶キャパシタＣｌｃ１、Ｃｌｃ２と接続されたスイッチング素子（図示せず）を含む。
液晶キャパシタＣｌｃ１／Ｃｌｃ２は、下部表示板１００の副画素電極ＰＥ１／ＰＥ２と上部表示板２００の共通電極ＣＥ（２７０）とを２つの端子とし、副画素電極ＰＥ１／ＰＥ２と共通電極ＣＥ（２７０）との間の液晶層３は誘電体として機能する。一対の副画素電極ＰＥ１、ＰＥ２は互いに分離されていて、１つの画素電極ＰＥ（１９１）をなす。共通電極ＣＥ（２７０）は上部表示板２００の全面に形成されていて、共通電圧Ｖｃｏｍの印加を受ける。液晶層３は負の誘電率異方性を有し、液晶層３の液晶分子は、電場がない状態でその長軸が２つの表示板１００、２００の表面に対し垂直をなすように配向されている。

一方、色表示を実現するためには、各画素ＰＸが基本色（ｐｒｉｍａｒｙ ｃｏｌｏｒ）のうちの１つを固有に表示するように構成でき（空間分割）、各画素ＰＸが時間によって交互に基本色を表示するように構成することもでき（時間分割）、何れの場合もこれら基本色の空間的、時間的合計によって所望の色相が認識されるようにする。基本色の例としては、赤色、緑色、青色など三原色がある。図２は空間分割の一例として、各画素ＰＸが上部表示板２００の領域に基本色のうちの１つを示すカラーフィルタＣＦ（２３０）を備える例を示している。図２とは異なって、カラーフィルタＣＦ（２３０）は下部表示板１００の副画素電極ＰＥ１、ＰＥ２上のまたは下に形成することもできる。

表示板１００、２００の外側面には偏光子（ｐｏｌａｒｉｚｅｒ）（図示せず）が設けられている。２つの偏光子の偏光軸は直交するように設定でき、このような直交偏光子である場合、電場がない状態で液晶層３に入った入射光を遮断する。反射型液晶表示装置の場合には、２つの偏光子のうちの１つが省略できる。
また、図１に示す階調電圧生成部８００は、画素ＰＸの透過率に対応する複数の階調電圧を生成する。階調電圧生成部８００が、全ての階調に対する階調電圧を直接生成せずに、階調電圧を生成する基準となる階調基準電圧のみを生成して出力するように構成することもできる。

ゲート駆動部４００は液晶表示板組立体３００のゲート線と接続され、ゲートオン電圧Ｖｏｎとゲートオフ電圧Ｖｏｆｆとの組み合わせからなるゲート信号Ｖｇをゲート線に印加する。
データ駆動部５００は液晶表示板組立体３００のデータ線と接続されており、階調電圧生成部８００からの階調電圧を選択し、これをデータ信号Ｖｄとしてデータ線に印加する。このとき、階調電圧生成部８００が全ての階調に対する電圧を提供するものではなく、決められた数の基準階調電圧のみを提供する場合、データ駆動部５００は基準階調電圧を分圧して全体階調に対する階調電圧を生成し、この中でデータ信号Ｖｄを選択するように構成できる。

信号制御部６００は、ゲート駆動部４００及びデータ駆動部５００などを制御する。
このようなゲート駆動部４００、データ駆動部５００、信号制御部６００、階調電圧生成部８００のそれぞれは、少なくとも１つの集積回路チップの形態で液晶表示板組立体３００上に直接装着することができ、可撓性印刷回路膜（ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ ｆｉｌｍ）（図示せず）上に装着されてＴＣＰ（ｔａｐｅ ｃａｒｒｉｅｒ ｐａｃｋａｇｅ）の形態で液晶表示板組立体３００に付着することができ、また別途の印刷回路基板（ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ ｂｏａｒｄ）（図示せず）上に装着することができる。これとは異なって、これらゲート駆動部４００、データ駆動部５００、信号制御部６００、階調電圧生成部８００を液晶表示板組立体３００に集積することもできる。また、ゲート駆動部４００、データ駆動部５００、信号制御部６００、階調電圧生成部８００は単一チップに集積することができ、また、これらのうちの少なくとも１つまたはこれらをなす少なくとも１つの回路素子を単一チップの外側に形成することもできる。

以下、図３〜図７Ｂを参照して前述した、液晶表示板組立体の画素電極、共通電極、カラーフィルタ及びデータ線の詳細構造について説明する。
図３〜図５は本発明のいろいろな実施形態による液晶表示板組立体の画素電極と共通電極、カラーフィルタ及びデータ線の配置図であり、図６は図３〜図５に示したいろいろな副画素電極の基本になる単位電極の平面図であり、図７Ａ及び図７Ｂは本発明の他の実施形態による液晶表示板組立体の画素電極と共通電極の配置図である。

図３〜図７Ｂに示したように、本発明の一実施形態による液晶表示装置の各画素電極（ｐｉｘｅｌ ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）１９１は、互いに分離されていて、列方向に隣接した一対の第１及び第２副画素電極１９１ａ、１９１ｂを含む。第１及び第２副画素電極１９１ａ、１９１ｂは切開部９１、９２、９３、９４、９５を有し、共通電極（図２のＣＥ）は第１及び第２副画素電極１９１ａ、１９１ｂと対向する切開部（ｃｕｔｏｕｔ）７１、７２、７３、７４、７５、７６、７７、７８、７９を有する。また、赤色、緑色及び青色カラーフィルタ２３０Ｒ、２３０Ｇ、２３０Ｂは、それぞれ列方向に隣接した画素電極１９１に沿ってのびている。

１つの画素電極１９１をなす第１副画素電極１９１ａと第２副画素電極１９１ｂとは、各々別個のスイッチング素子（図示せず）に接続される。これとは異なって、第１副画素電極１９１ａをスイッチング素子（図示せず）に接続し、第２副画素電極１９１ｂを第１副画素電極１９１ａと容量性結合するように構成できる。各スイッチング素子は１つのゲート線と１つのデータ線に接続されている。図３〜図５における図面符号１７１は、２つの副画素電極１９１ａ、１９１ｂがそれぞれ対応するスイッチング素子に接続される場合のデータ線を示す。

まず、図３及び図４に示した構造について説明する。
図３及び図４において、第１及び第２副画素電極１９１ａ、１９１ｂは、図６に示した単位電極１９３と同様の形状であるか、行方向に隣接した一対の単位電極１９３が、例えば、上端及び下端で接続されている形状であり、共通電極２７０の切開部７１〜７３は図６に示した切開部７０と実質的に互いに同一の形状である。図３及び図４に示した副画素電極１９１ａ、１９１ｂ及び切開部７１〜７３、９１〜９３の配置は、図６に示した単位電極１９３及び切開部７０の配置が行方向及び列方向に繰り返して形成される。

図６に示したように、単位電極１９３は一対の屈曲辺（ｃｕｒｖｅｄ ｅｄｇｅ）１９３ｏ１、１９３ｏ２及び一対の横辺（ｔｒａｎｓｖｅｒｓｅ ｅｄｇｅ）１９３ｔを有し、ほぼＶ字形状（ｃｈｅｖｒｏｎ）に形成されている。一対の屈曲辺は、中央部が外側に突出する凸辺（ｃｏｎｖｅｘ ｅｄｇｅ）１９３ｏ１と、中央部が内側に入り込む凹辺（ｃｏｎｃａｖｅ ｅｄｇｅ）１９３ｏ２を含んでおり、凸辺１９３ｏ１と横辺１９３ｔとが接続する角部は鈍角（例えば、約１３５゜）を形成し、凹辺１９３ｏ２と横辺１９３ｔとが接続する角部は鋭角（例えば、約４５゜）を形成している。屈曲辺１９３ｏ１、１９３ｏ２は、一対の斜辺が中央部においてほぼ直角で接続しており、その屈曲角度はほぼ直角である。単位電極１９３には、凹辺１９３ｏ２上の凹部頂点ＣＶから凸辺１９３ｏ１上の凸頂点ＶＶに向かってほぼ単位電極１９３の中心付近まで延びる切開部９０が形成されている。

共通電極２７０の切開部７０は、屈曲点ＣＰを有する屈曲部７０ｏ、屈曲部７０ｏの屈曲点ＣＰに連結する中央横部７０ｔ１、及び屈曲部７０ｏの両端に連結する一対の縦断横部７０ｔ２を含む。切開部７０の屈曲部７０ｏは中央部において直角で接続する一対の斜線部でなり、単位電極１９３の屈曲辺１９３ｏ１、１９３ｏ２とほとんど平行であり、単位電極１９３を左半部と右半部に二等分する。切開部７０の中央横部７０ｔ１は、屈曲部７０ｏの各斜辺と鈍角（例えば、約１３５゜）を構成して接続し、ほぼ単位電極１９３の凸頂点（ＶＶ）に向かって延びている。縦断横部７０ｔ２は単位電極１９３の横辺１９３ｔに対応する位置に配置されており、屈曲部７０ｏと鈍角（例えば、約１３５゜）を構成して接続している。

単位電極１９３は、切開部９０、７０によって４つの副領域（ｓｕｂ-ａｒｅａ）Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４に分割され、各副領域Ｓ１〜Ｓ４は切開部７０の屈曲部７０ｏ及び単位電極１９３の屈曲辺１９３ｏ１，１９３ｏ２によって定義される２つの主辺（ｐｒｉｍａｒｙ ｅｄｇｅ）を有する。主辺間の距離、つまり、副領域Ｓ１〜Ｓ４の幅は約２５〜４０μｍ程度であることが好ましい。

単位電極１９３と切開部７０は、単位電極１９３の凸頂点ＶＶと凹頂点ＣＶとを連結する仮想の直線（今後、“横中心線”と言う）に対してほぼ反転対称である。
図３及び図４に示したように、第２副画素電極１９１ｂは２つの単位電極１９３が、凹辺と凸辺とが隣接するように上端と下端で連結された形状であって、一方の単位電極１９３の切開部９０に連続する新たな切開部９２を構成するように、２つの単位電極１９３間に所定の間隙を形成して配置する。この切開部９２は、第２副画素電極１９１ｂを左半部と右半部に二等分する屈曲部と、これに連結された横部とを含むもの構成となっている。

図６に示したように、横辺１９３ｔの長さＬをその単位電極１９３の長さとし、横辺１９３ｔの間の距離Ｈをその単位電極１９３の高さと定義し、単位電極１９３を含む副画素電極の長さと高さも同一の方式で定義すれば、図３及び図４に示した第１副画素電極１９１ａと第２副画素電極１９１ｂの高さは実質的に同一であり、第２副画素電極１９１ｂの長さは第１副画素電極１９１ａの長さＬのほぼ１．８倍〜２倍である。従って、第２副画素電極１９１ｂの面積が第１副画素電極１９１ａの面積のほぼ１．８倍〜２倍である。

図３及び図４に示すように、第１副画素電極１９１ａと第２副画素電極１９１ｂは行方向及び列方向に交互に配置されている。
副画素電極１９１ａ、１９１ｂの行方向配置を見れば、第１副画素電極１９１ａの横中心線と第２副画素電極１９１ｂの横中心線とが同一直線上にあり、第１副画素電極１９１ａの凸辺と第２副画素電極１９１ｂの凹辺とが隣接し、第１副画素電極１９１ａの凹辺と第２副画素電極１９１ｂの凸辺とが隣接する。

列方向には、２つの副画素電極１９１ａ、１９１ｂの長さが異なるので、多様な形態の配置を考慮することができる。たとえば、２つの副画素電極１９１ａ、１９１ｂの屈曲辺がそれぞれ行方向にずれた位置に配置することが考えられる。図３に示した例では、第１副画素電極１９１ａの行方向位置が第２副画素電極１９１ｂの行方向中央に位置するように配置されている。他の方法としては、副画素電極１９１ａ、１９１ｂの２つの屈曲辺のうちのいずれか一方が行方向に同一位置となるように配置する場合が考えられる。図４に示した例では、列方向に隣接する第１副画素電極１９１ａと第２副画素電極１９１ｂの凸辺（左側辺）が行方向に同一位置である場合に、行方向に隣接する次の第２副画素電極１９１ｂとこれと列方向に隣接する第１副画素電極１９１ａの凹辺（右側辺）とが行方向に同一位置であるように配置されている。

具体的に説明すれば、図３に示した例では、第１副画素電極１９１ａを二等分する切開部７１の屈曲部が、第２副画素電極１９１ｂを二等分する切開部９２の屈曲部と行方向に同一位置に配置される。従って、第１副画素電極１９１ａの凸辺及び凹辺は各々第２副画素電極１９１ｂの単位電極を二等分する切開部７２、７３の屈曲部と行方向に同一位置に配置される。言い換えると、隣接する２つの副画素行で副画素電極１９１ａ、１９１ｂの屈曲辺または切開部９２の屈曲部は、共通電極２７０の切開部７１〜７３の屈曲部と行方向に同一位置に配置される。

これに反し、図４に示した例では、第１副画素電極１９１ａの凸辺が第２副画素電極１９１ｂの凸辺または第２副画素電極１９１ｂを二等分する切開部９２の屈曲部と行方向に同一位置に配置され、第１副画素電極１９１ａの凹辺は第２副画素電極１９１ｂの切開部９２の屈曲部または第２副画素電極１９１ｂの凹辺と行方向に同一位置に配置される。言い換えると、隣接した２つの副画素行で副画素電極１９１ａ、１９１ｂの屈曲辺または切開部９２の屈曲部とが行方向に同一位置に配置され、共通電極２７０の切開部７１〜７３の屈曲部も行方向同一位置に配置される。

一方、図３では、第１副画素電極１９１ａの行方向位置が、第２副画素電極１９１ｂの行方向位置の中央に位置していることから、データ線１７１も規則的に一定の周期で配列することができる。しかし、図４では、長さが１：２の第１副画素電極１９１ａと第２副画素電極１９１ｂとを左側、右側交互に配列していることから、データ線１７１間の間隔も１：２の比率で交互に現れる。

次に、図５に示した配置について説明する。
図５に示した例では、図３に示した各画素電極１９１の第１副画素電極１９１ａを２つに分離した形状である一対の電極片１９１ａ１、１９１ａ２を第２画素電極１９１ｂの上下に配置し、第２画素電極１９１ｂを２つに分離した形状である１対の電極片１９１ｂ１、１９１ｂ２を第１画素電極１９１ａの上下に配置している。ここで、各副画素電極１９１ａ、１９１ｂを分離した形状である電極片１９１ａ１、１９１ａ２、１９１ｂ１、１９１ｂ２に対応するように、共通電極２７０の切開部７１〜７３も同様の方式で２つに分離した形状である小切開部７４、７５、７６、７７、７８、７９を構成して、対応する位置に配置している。分離された一対の電極片１９１ａ１、１９１ａ２、１９１ｂ１、１９１ｂ２は電気的に互いに接続されている。

各電極片１９１ａ１、１９１ａ２、１９１ｂ１、１９１ｂ２と各小切開部７４〜７９は、図３に示した副画素電極１９１ａ、１９１ｂを横切開部９１、９３または切開部９２の横部を連結する横中心線に沿って分離した形態である。
各電極片１９１ａ１、１９１ａ２、１９１ｂ１、１９１ｂ２は、実質的に互いに平行な一対の横辺と、実質的に互いに平行な一対の斜辺とを有し、ほぼ平行四辺形である。また、分離線に沿って延びる横方向の切開部９１、９３または切開部９２の横部は各電極片１９１ａ１、１９１ｂ１、１９１ａ２、１９１ｂ２の境界となり、切開部９２の屈曲部をなす２つの斜線部は分離線によって切断されて斜線形態の小切開部９４、９５となる。これと同様に、分離線に沿って切断された共通電極２７０の小切開部７４〜７９はそれぞれ斜線部とその両端の横部とを含む。小切開部７４〜７９の横部は斜線部と鈍角をなし、電極片１９１ａ１、１９１ａ２、１９１ｂ１、１９１ｂ２の横辺に沿ってこれと重畳するように延びている。

次に、図７Ａ及び図７Ｂに示した配置について説明する。
図７Ａ及び図７Ｂに示した配置はそれぞれ図３及び図５に示した配置と基本的に同一であるが、第２副画素電極１９１ｂ上の副領域の大きさが一定でない。具体的には、第２副画素電極１９１ｂ上の副領域の幅が均一でない。図面を見れば、行方向に配列された４個の副領域の中で内側にある２つの副領域ＳＡ１の幅Ｌ１が、外側にある２つの副領域ＳＡ２の幅Ｌ２より小さい。内側副領域ＳＡ１の幅Ｌ１は約２０〜３０μｍ、外側副領域ＳＡ２の幅Ｌ２は約３０〜４０μｍとすることが好ましい。

このような配置では、行方向または列方向に第１及び第２副画素電極１９１ａ、１９１ｂが交互に配置されて全体的な均衡がよく取れ、面積比が１:２の副画素電極１９１ａ、１９１ｂが無効な空間が生じることなく配置密度を高くすることができるので開口率も高くすることができる。
また、各カラーフィルタ２３０Ｒ、２３０Ｇ、２３０Ｂの面積が同一であるため、色間のバランスを取りやすい。

次に、図１〜図７Ｂに示した液晶表示装置の動作について詳細に説明する。
信号制御部６００は、外部のグラフィック制御機（図示せず）から入力映像信号Ｒ、Ｇ、Ｂ及びその表示を制御する入力制御信号を受信する。入力映像信号Ｒ、Ｇ、Ｂは各画素ＰＸの輝度（ｌｕｍｉｎａｎｃｅ）情報を含んでおり、輝度は決められた数、例えば、１０２４（＝２１０）、２５６（＝２８）または６４（＝２６）個の階調（ｇｒａｙ）を有している。入力制御信号の例としては、垂直同期信号Ｖｓｙｎｃ、水平同期信号Ｈｓｙｎｃ、メインクロックＭＣＬＫ及びデータイネーブル信号ＤＥなどがある。

信号制御部６００は、入力映像信号Ｒ、Ｇ、Ｂと入力制御信号に基づいて入力映像信号Ｒ、Ｇ、Ｂを液晶表示板組立体３００及びデータ駆動部５００の動作条件に合うように適切に処理し、ゲート制御信号ＣＯＮＴ１及びデータ制御信号ＣＯＮＴ２などを生成した後、ゲート制御信号ＣＯＮＴ１をゲート駆動部４００に送出し、データ制御信号ＣＯＮＴ２と処理した映像信号ＤＡＴをデータ駆動部５００に出力する。出力映像信号ＤＡＴはデジタル信号であって、決められた数の値（または階調）を有する。

ゲート制御信号ＣＯＮＴ１は、走査開始を指示する走査開始信号ＳＴＶと、ゲートオン電圧Ｖｏｎの出力周期を制御する少なくとも１つのクロック信号とを含む。ゲート制御信号ＣＯＮＴ１は、また、ゲートオン電圧Ｖｏｎの持続時間を限定する出力イネーブル信号ＯＥをさらに含むことができる。
データ制御信号ＣＯＮＴ２は、一束の副画素に対する映像データの伝送開始を知らせる水平同期開始信号ＳＴＨ、液晶表示板組立体３００にデータ信号の印加を指示するロード信号ＬＯＡＤ及びデータクロック信号ＨＣＬＫを含む。データ制御信号ＣＯＮＴ２は、また、共通電圧Ｖｃｏｍに対するデータ信号の電圧極性（以下、“共通電圧に対するデータ信号の電圧極性”を略して“データ信号の極性”と言う）を反転させる反転信号ＲＶＳをさらに含むことができる。

信号制御部６００からのデータ制御信号ＣＯＮＴ２によって、データ駆動部５００は一束の副画素に対するデジタル映像信号ＤＡＴを受信し、各デジタル映像信号ＤＡＴに対応する階調電圧を選択することによって、デジタル映像信号ＤＡＴをアナログデータ信号に変換した上で、これを該当データ線に印加する。
ゲート駆動部４００は、信号制御部６００からのゲート制御信号ＣＯＮＴ１によってゲートオン電圧Ｖｏｎをゲート線に印加し、このゲート線に接続されたスイッチング素子を導通させる。このことにより、データ線に印加されたデータ信号が導通したスイッチング素子を通じて該当副画素に印加される。

図３〜図７Ｂにおいて、１つの画素電極１９１をなす第１副画素電極１９１ａと第２副画素電極１９１ｂとが別個のスイッチング素子と接続されている場合、つまり、各副画素が各自のスイッチング素子を有している場合には、２つの副画素が互いに異なる時間に同一のデータ線を通じて別個のデータ電圧の印加を受けるか、または同一の時間に互いに異なるデータ線を通じて別個のデータ電圧の印加を受けるように構成することができる。

これとは異なって、第１副画素電極１９１ａがスイッチング素子（図示せず）と接続されており、第２副画素電極１９１ｂが第１副画素電極１９１ａと容量性結合されている場合には、第１副画素電極１９１ａを含む副画素だけがスイッチング素子を通じてデータ電圧の印加を受け、第２副画素電極１９１ｂを含む副画素は第１副画素電極１９１ａの電圧変化によって変化する電圧を受けるように構成できる。この時、面積が相対的に小さい第１副画素電極１９１ａの電圧が、面積が相対的に大きい第２副画素電極１９１ｂの電圧より高い。

これとは異なって、２つの副画素電極１９１ａ、１９１ｂに同一の電圧を充電した後、ストレージキャパシタ（図示せず）などを通じて２つの副画素電極１９１ａ、１９１ｂの電圧を異なるように設定することもできる。
このように液晶キャパシタＣｌｃ１、Ｃｌｃ２の両端に電位差が生じれば、表示板１００、２００の表面にほとんど垂直である主電場（電界）（ｐｒｉｍａｒｙ ｅｌｅｃｔｒｉｃ ｆｉｅｌｄ）が液晶層３に生成される （今後、画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＥを共に“電場生成電極（ｆｉｅｌｄ ｇｅｎｅｒａｔｉｎｇ ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）”と言う）。このことにより、液晶層３の液晶分子は電場に応答してその長軸が電場の方向に垂直をなすように傾き、液晶分子が傾いた程度によって液晶層３への入射光の偏光の変化程度が変わる。このような偏光の変化は偏光子によって透過率の変化と現れ、これを通じて液晶表示装置は映像信号ＤＡＴが示す映像を表示する。

液晶分子が傾く角度は電場の強さによって変わるが、２つの液晶キャパシタＣｌｃ１、Ｃｌｃ２の電圧が互いに異なるので、液晶分子の傾く角度が異なり、そのため２つの副画素の輝度が異なる。従って、第１液晶キャパシタＣｌｃ１の電圧と第２液晶キャパシタＣｌｃ２の電圧を適切に設定することにより、側面から見る映像を正面から見る映像に最大限近くすることができ、つまり、側面ガンマ曲線を正面ガンマ曲線に最大限に近くすることができ、これによって側面視認性を向上することができる。

また、高い電圧の印加を受ける第１副画素電極１９１ａの面積を第２副画素電極１９１ｂの面積より小さくすれば、側面ガンマ曲線を正面ガンマ曲線にさらに近くすることができる。特に、第１及び第２副画素電極１９１ａ、１９１ｂの面積比がほぼ１:２であるので、側面ガンマ曲線が正面ガンマ曲線により一層近くなって側面視認性がさらに良くなる。

液晶分子が傾く方向は、一次的に電場生成電極１９１、２７０の切開部９１〜９３、７１〜７３及び切開小部９４、９５（以下、切開部と小切開部を共に“切開部”と言う）と副画素電極１９１ａ、１９１ｂ及び電極片１９１ａ１、１９１ａ２、１９１ｂ１、１９１ｂ２（以下、副画素電極と電極片を共に“副画素電極”と言う）の辺が主電場を歪曲して作りだす水平成分によって決定する。このような主電場の水平成分は、切開部９１〜９５、７１〜７９の辺と副画素電極１９１ａ、１９１ｂ、１９１ａ１、１９１ａ２、１９１ｂ１、１９１ｂ２の辺にほとんど垂直である。

図３〜図７ｂを参照すれば、切開部９１〜９５、７１〜７９によって分割された各副領域上の液晶分子は、ほとんど主辺に垂直な方向に傾くので、傾く方向は大体４方向である。このように液晶分子が傾く方向を多様にすれば、液晶表示装置の基準視野角が大きくなる。
副領域の幅、つまり、共通電極２７０切開部７１〜７９の斜線部と副画素電極１９１ａ、１９１ｂ、１９１ａ１、１９１ａ２、１９１ｂ１、１９１ｂ２の斜辺または切開部９１〜９５との間の間隔は、前述したように２５〜４０μｍ程度であることが好ましい。このようにすると、主電場の水平成分を適切に活用しながらも切開部７１〜７９、９１〜９５などによる開口率の低下を減らすことができる。

一方、隣接する画素電極１９１の間の電圧差によって副次的に生成される副電場（ｓｅｃｏｎｄａｒｙ ｅｌｅｃｔｒｉｃ ｆｉｅｌｄ）の方向は副領域の主辺と垂直である。従って、副電場の方向と主電場の水平成分の方向とが一致する。結局、隣接する画素電極１９１の間の副電場は、液晶分子の傾斜方向の決定を強化する方に作用する。従って、他の構造の画素電極と比較して液晶制御力が強化され、必要に応じて副領域の幅を広めてもテキスチャの増加による応答速度の遅延を防ぐことができる。

しかし、第２副画素電極１９１ｂ、１９１ｂ１、１９１ｂ２で内側副領域は画素電極１９１の境界から遠いため副電場から受ける影響は少ない。従って、図７Ａ及び図７Ｂに示したように、内側副領域ＳＡ１の幅Ｌ１を外側副領域Ｌ２の幅より狭めることによって、内側副領域ＳＡ１と外側副領域ＳＡ２の液晶分子を全て適切に制御することができる。
このような液晶表示装置の動作は、１水平周期（“１Ｈ”とも記し、水平同期信号Ｈｓｙｎｃ及びデータイネーブル信号ＤＥの一周期と同一である）を単位として繰り返され、全ての画素ＰＸに１回ずつデータ信号が印加されると、１フレーム（ｆｒａｍｅ）の映像が表示される。

１フレームが終了すれば、次のフレームが始まり、各画素ＰＸに印加されるデータ信号の極性が直前のフレームでの極性と反対になるように、データ駆動部５００に印加される反転信号ＲＶＳの状態を制御する（“フレーム反転”）。
この時、１フレーム内でも反転信号ＲＶＳの特性によって１つのデータ線を通じて流れるデータ信号の極性を反転したり（例:行反転、点反転）、一束の画素に印加されるデータ信号の極性も反転することができる（例:列反転、点反転）。この中で、点反転などの場合には、隣接したデータ線に流れるデータ電圧の極性が反対であり、各データ線の電圧が正極性と負極性を往復し続ける。例えば、図３及び図４で左側と右側のデータ線１７１に流れるデータ電圧は正極性（＋）であるが、中間にあるデータ線１７１に流れるデータ電圧は負極性（−）である。しかし、これらの極性は次には反対になり、これを引続き繰り返す。

しかし、隣接した画素電極１９１とデータ線１７１とは寄生キャパシタを構成し、この寄生キャパシタによって画素電極１９１の電圧が変動する。例えば、データ線１７１の電圧が上がれば画素電極１９１の電圧も上がり、反対にデータ線１７１の電圧が下がれば画素電極１９１の電圧も下がる。従って、データ線１７１の電圧が負極性から正極性に変われば、画素電極１９１の電圧が上昇し、反対にデータ線１７１の電圧が正極性から負極性に変われば、画素電極１９１の電圧が下降する。図３及び図４に示した構造においては、１つの画素電極１９１が極性の異なる２つのデータ線１７１と重畳または隣接するので、一方のデータ線１７１と寄生キャパシタは画素電極１９１の電圧を上げる方に作用し、他方のデータ線１７１と寄生キャパシタは画素電極１９１の電圧を下げる方に作用する。

このような画素電極１９１の電圧変動量は、画素電極１９１とデータ線１７１との間の寄生容量に依存し、寄生容量は画素電極１９１とデータ線１７１との重畳面積に比例する。
図３及び図４において、いずれも１つの画素電極１９１が２つのデータ線１７１と重畳するが、図４の場合に比べて図３の場合が画素電極１９１が２つのデータ線１７１と重畳する面積がほとんど同一であるため、寄生キャパシタによる電圧上昇分と電圧下降分とが相殺され、画素電極１９１の電圧変動が小さい。

一方、液晶キャパシタＣｌｃａ、Ｃｌｃｂの両端に電圧を印加すれば、液晶層３の液晶分子はその電圧に対応する安定した状態で再配列しようとするが、液晶分子の応答速度が遅いため安定した状態に至るまではある程度の時間がかかる。液晶キャパシタＣｌｃａ、Ｃｌｃｂに印加される電圧を引続き維持していれば、液晶分子は安定した状態に至るまで引続き動き、その間光透過率（または輝度）も変化する。液晶分子が安定した状態に至ってそれ以上動かなければ、光透過率も一定になる。

このように安定した状態での画素電圧を“目標画素電圧”とし、この時の光透過率を“目標光透過率”とすれば、目標画素電圧と目標光透過率とは一対一の対応関係がある。
しかし、各画素ＰＸのスイッチング素子をターンオンしてデータ電圧を印加する時間が制限されているため、データ電圧を印加する間に液晶分子が安定した状態に至ることは難しい。ところが、スイッチング素子がターンオフしても液晶キャパシタＣｌｃａ、Ｃｌｃｂの両端の電圧差は依然として存在し、そのため液晶分子が安定した状態を向かって引続き動く。このように液晶分子の配列状態が変われば液晶層３の誘電率が変わり、そのため液晶キャパシタＣｌｃａ、Ｃｌｃｂの静電容量が変化する。スイッチング素子がターンオフされた状態では液晶キャパシタＣｌｃａ、Ｃｌｃｂの一方の端子が浮遊（ｆｌｏａｔｉｎｇ）状態にあるので、漏洩電流を考慮しなければ液晶キャパシタＣｌｃａ、Ｃｌｃｂに保存された全ての電荷は変わらずに一定である。従って、液晶キャパシタＣｌｃａ、Ｃｌｃｂの静電容量の変化は液晶キャパシタＣｌｃａ、Ｃｌｃｂの両端の電圧、つまり、画素電圧の変化を招く。

従って、安定した状態を基準として１つの目標画素電圧に対応するデータ電圧（以下、“目標データ電圧”と言う）をそのまま画素ＰＸに印加すれば、実際画素電圧は目標画素電圧と異なり、そのため目標透過率を得られない。特に、目標透過率がその副画素が当初に有していた透過率と差が出れば出るほど、実際画素電圧と目標画素電圧との差はさらに激しくなる。

従って、副画素に印加するデータ電圧を目標データ電圧より大きいかまたは小さくする必要があり、その方法のうちの１つがまさにＤＣＣ（ｄｙｎａｍｉｃ ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ ｃｏｍｐｅｎｓａｔｉｏｎ）である。
ＤＣＣは信号制御部６００または別途の映像信号補正部で行われ、任意の副画素に対する１フレームの映像信号（以下、“現在映像信号（ｃｕｒｒｅｎｔ ｉｍａｇｅ ｓｉｇｎａｌ）”と言う）をその副画素に対する直前フレームの映像信号（以下、“直前映像信号（ｐｒｅｖｉｏｕｓ ｉｍａｇｅ ｓｉｇｎａｌ）”と言う）に基づいて補正し、補正された現在映像信号（以下“補正映像信号（ｍｏｄｉｆｉｅｄ ｉｍａｇｅ ｓｉｇｎａｌ）”と言う）を作りだす。補正映像信号は基本的に実験結果に応じて決定され、補正された現在映像信号と直前映像信号との差は補正前の現在映像信号と直前映像信号との差より大きい。しかし、現在映像信号と直前映像信号とが同一であるかまたは両者の差が小さい時には、補正映像信号を現在映像信号と同一にすることができる（つまり、補正しないように構成できる）。

このようにすれば、データ駆動部５００から各副画素に印加するデータ電圧は、目標データ電圧より高いかまたは低い電圧になる。
しかし、このような方法によっても目標透過率を得難いことがあり、この場合には所定大きさの電圧などを予め与えて液晶分子が予め傾くようにした後（これをプレチルト（ｐｒｅｔｉｌｔ）と言い、この際印加する電圧をプレチルト電圧と言う）、再び本電圧を印加する方法を用いる。

このために、信号制御部６００または映像信号補正部は現在フレームの映像信号を補正する時、以前フレームの映像信号だけでなく、次のフレームの映像信号（以下、“次の映像信号（ｎｅｘｔ ｉｍａｇｅ ｓｉｇｎａｌ）”と言う）までも考慮する。例えば、現在映像信号が直前映像信号と同一であるが、次の映像信号が現在映像信号と差が多く出れば、現在映像信号を補正して次のフレームに備えるようにする。

このような映像信号及びデータ電圧の補正は、映像信号が示すことができる階調のうちの最高階調または最低階調に対しては行わないように構成することができ、最高階調または最低階調に対する補正を行うように構成することも可能である。最高階調または最低階調に対して補正を行うために、階調電圧生成部８００が生成する階調電圧の範囲を映像信号の階調が示す目標輝度範囲（または目標透過率範囲）を得るために必要な目標データ電圧の範囲より広める方法を用いることができる。

このように本実施形態による液晶表示装置にＤＣＣを適用すれば、液晶の応答速度が速くなって副領域の幅を広めることができ、これによって開口率を高めることができる。
以下、図８〜図１０及び前述した図１、図２及び図５を参照して、本発明の一実施形態による液晶表示板組立体について詳細に説明する。
図８は本発明の一実施形態による液晶表示板組立体の１つの画素に対する等価回路図である。

図８に示すように、本実施形態による液晶表示板組立体は、複数対のゲート線ＧＬａ、ＧＬｂ、複数のデータ線ＤＬ及び複数の維持電極線ＳＬを含む信号線と、これに接続された複数の画素ＰＸとを含む。
各画素ＰＸは一対の副画素ＰＸａ、ＰＸｂを含み、各副画素ＰＸａ／ＰＸｂは、それぞれ該当ゲート線ＧＬａ／ＧＬｂ及びデータ線ＤＬに接続されているスイッチング素子Ｑａ／Ｑｂ、これに接続された液晶キャパシタＣｌｃａ/Ｃｌｃｂ、そしてスイッチング素子Ｑａ／Ｑｂ及び維持電極線ＳＬに接続されているストレージキャパシタ（ｓｔｏｒａｇｅ ｃａｐａｃｉｔｏｒ）Ｃｓｔａ/Ｃｓｔｂを含む。

各スイッチング素子Ｑａ／Ｑｂは、下部表示板１００に設けられている薄膜トランジスタなどの三端子素子であって、その制御端子はゲート線ＧＬａ／ＧＬｂと接続されており、入力端子はデータ線ＤＬと接続されており、出力端子は液晶キャパシタＣｌｃａ／Ｃｌｃｂ及びストレージキャパシタＣｓｔａ／Ｃｓｔｂと接続されている。
液晶キャパシタＣｌｃａ／Ｃｌｃｂの補助的な役割を果たすストレージキャパシタＣｓｔａ／Ｃｓｔｂは、下部表示板１００に設けられた維持電極線ＳＬと画素電極ＰＥとが絶縁体を間に置いて重畳してなり、維持電極線ＳＬには共通電圧Ｖｃｏｍなどの決められた電圧が印加される。しかし、ストレージキャパシタＣｓｔａ、Ｃｓｔｂは、副画素電極ＰＥａ、ＰＥｂが絶縁体を媒介としてすぐ上の前段ゲート線と重畳して構成することができる。

液晶キャパシタＣｌｃａ、Ｃｌｃｂなどについては前述したので、詳細な説明は省略する。
このような液晶表示板組立体を含む液晶表示装置においては、信号制御部６００が１つの画素ＰＸに対する入力映像信号Ｒ、Ｇ、Ｂを受信し、２つの副画素ＰＸａ、ＰＸｂに対する出力映像信号ＤＡＴに変換してデータ駆動部５００に伝送することができる。これとは異なって、階調電圧生成部８００で２つの副画素ＰＸａ、ＰＸｂに対する階調電圧集合を別途構成し、これを交互にデータ駆動部５００に提供したり、データ駆動部５００でこれを交互に選択したりすることによって、２つの副画素ＰＸａ、ＰＸｂに互いに異なる電圧を印加することができる。但し、この時、２つの副画素ＰＸａ、ＰＸｂの合成ガンマ曲線が正面での基準ガンマ曲線に近くなるように、映像信号を補正するかまたは階調電圧集合を作ることが好ましい。例えば、正面での合成ガンマ曲線は、この液晶表示板組立体に最も適するように決められた正面での基準ガンマ曲線と一致するようにし、側面での合成ガンマ曲線は正面での基準ガンマ曲線と最も近くなるようにする。

以下、図８に示した液晶表示板組立体の一例について、図９及び図１０を参照して詳細に説明する。
図９は本発明の一実施形態による液晶表示板組立体の配置図であり、図１０は図９の液晶表示板組立体のX-X線による断面図である。
図９及び図１０に示すように、本実施形態による液晶表示板組立体は、互いに対向する下部表示板１００と上部表示板２００及びこれら２つの表示板１００、２００の間に入っている液晶層３を含む。

まず、下部表示板１００について説明する。
透明なガラスまたはプラスチックなどで作られた絶縁基板１１０上に、複数対の第１及び第２ゲート線（ｇａｔｅ ｌｉｎｅ）１２１ａ、１２１ｂと、複数対の第１及び第２維持電極線（ｓｔｏｒａｇｅ ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ ｌｉｎｅｓ）１３１ａ、１３１ｂとを含む複数のゲート導電体が形成されている。

第１及び第２ゲート線１２１ａ、１２１ｂはゲート信号を伝達し、主に図の横方向に延長されており、それぞれ上側及び下側に位置する。
第１ゲート線１２１ａは、下に突出した複数の第１ゲート電極（ｇａｔｅ ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）１２４ａと、他の層またはゲート駆動部４００との接続のための広い端部１２９ａとを含む。第２ゲート線１２１ｂは、上に突出した複数の第２ゲート電極１２４ｂと、他の層またはゲート駆動部４００との接続のための広い端部１２９ｂとを含む。ゲート駆動部４００が基板１１０上に集積されている場合、ゲート線１２１ａ、１２１ｂが延長されてこれと直接接続され得る。

第１及び第２維持電極線１３１ａ、１３１ｂは、共通電圧Ｖｃｏｍなど所定の電圧の印加を受け、ゲート線１２１ａ、１２１ｂとほぼ平行に延長された幹線と、これから分岐する複数の維持電極１３７ａ１、１３７ａ２、１３７ｂとを含む。第１及び第２維持電極線１３１ａ、１３１ｂは第１ゲート線１２１ａと第２ゲート線１２１ｂとの間に位置し、第１維持電極線１３１ａの幹線は第１ゲート線１２１ａに近い位置であり、第２維持電極線１３１ｂの幹線は第２ゲート線１２１ｂに近い位置に配置される。隣接したゲート線１２１ａ、１２１ｂと維持電極線１３１ａ、１３１ｂとの間の距離と、隣接する維持電極線１３１ａと１３１ｂとの間の距離はほぼ同一である。

第１維持電極線１３１ａは、図の上下方向に延長された複数対の第１及び第２維持電極（ｓｔｏｒａｇｅ ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）１３７ａ１、１３７ａ２を含む。第２維持電極線１３１ｂは下方に延長された複数の第３維持電極１３７ｂを含み、第３維持電極１３７ｂは第２維持電極１３７ａ２とほとんど一直線上に位置する。しかし、維持電極１３７ａ１、１３７ａ２、１３７ｂをはじめとする維持電極線１３１ａ、１３１ｂの形状及び配置は多様に変更され得る。

ゲート導電体１２１ａ、１２１ｂ、１３１ａ、１３１ｂは、アルミニウム（Ａｌ）やアルミニウム合金などアルミニウム系金属、銀（Ａｇ）や銀合金などは系金属、銅（Ｃｕ）や銅合金など銅系金属、モリブデン（Ｍｏ）やモリブデン合金などモリブデン系金属、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）及びチタニウム（Ｔｉ）などで構成することができる。しかし、これらは物理的性質が異なる２つの導電膜（図示せず）を含む多重膜構造とすることもできる。このうちの１つの導電膜は信号遅延や電圧降下を減らすことができるように比抵抗（ｒｅｓｉｓｔｉｖｉｔｙ）が低い金属、例えば、アルミニウム系金属、銀系金属、銅系金属などで構成される。これとは異なって、他の導電膜は、他の物質、特にＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）及びＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）との物理的、化学的、電気的接触特性に優れた物質、例えば、モリブデン系金属、クロム、タンタル、チタニウムなどで構成される。このような組み合わせの良い例としては、クロム下部膜とアルミニウム（合金）上部膜、及びアルミニウム（合金）下部膜とモリブデン（合金）上部膜がある。しかし、ゲート導電体１２１ａ、１２１ｂ、１３１はその他にも多様な金属または導電体で構成することができる。

ゲート導電体１２１ａ、１２１ｂ、１３１ａ、１３１ｂの側面は基板１１０面に対して傾斜しており、その傾斜角は約３０゜〜約８０゜であることが好ましい。
ゲート導電体１２１ａ、１２１ｂ、１３１ａ、１３１ｂ上には窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）または酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）などで作られたゲート絶縁膜（ｇａｔｅ ｉｎｓｕｌａｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ）１４０が形成されている。

ゲート絶縁膜１４０上には水素化非晶質シリコン（ｈｙｄｒｏｇｅｎａｔｅｄ ａｍｏｒｐｈｏｕｓ ｓｉｌｉｃｏｎ）（非晶質シリコンは、略してａ−Ｓｉと記す）または多結晶シリコン（ｐｏｌｙｓｉｌｉｃｏｎ）などで作られた複数の第１及び第２島型半導体１５４ａ、１５４ｂが形成されている。第１及び第２半導体１５４ａ、１５４ｂはそれぞれ第１及び第２ゲート電極１２４ａ、１２４ｂ上に位置する。

それぞれの第１半導体１５４ａ上には一対の島型オーミックコンタクト部材（ｏｈｍｉｃ ｃｏｎｔａｃｔ）（図示せず）が形成されており、それぞれの第２半導体１５４ｂ上にも一対の島型オーミックコンタクト部材１６３ｂ、１６５ｂが形成されている。オーミックコンタクト部材１６３ｂ、１６５ｂは、リンなどのｎ型不純物が高濃度にドーピングされているｎ+水素化非晶質シリコンなどの物質またはシリサイド（ｓｉｌｉｃｉｄｅ）で構成することができる。

半導体１５４ａ、１５４ｂとオーミックコンタクト部材１６３ｂ、１６５ｂの側面も基板１１０面に対して傾斜しており、傾斜角は３０゜〜８０゜程度である。
オーミックコンタクト部材１６３ｂ、１６５ｂ及びゲート絶縁膜１４０上には、複数のデータ線１７１と複数対の第１及び第２ドレイン電極１７５ａ、１７５ｂとを含むデータ導電体が形成されている。

データ線１７１はデータ信号を伝達し、主に図の縦方向に延長されてゲート線１２１ａ、１２１ｂ及び維持電極線１３１ａ、１３１ｂと交差する。各データ線１７１は、第１及び第２ゲート電極１２４ａ、１２４ｂに向かってそれぞれ延長されたＵ字またはＣ字状に曲がった複数対の第１及び第２ソース電極１７３ａ、１７３ｂと、他の層またはデータ駆動部５００との接続のために面積が拡張された端部１７９とを含む。データ駆動部５００が基板１１０上に集積されている場合、データ線１７１が延長されてこれと直接接続され得る。

第１及び第２ドレイン電極１７５ａ、１７５ｂは互いに分離されていて、データ線１７１とも分離されている。第１／第２ドレイン電極１７５ａ/１７５ｂは、第１／第２ゲート電極１２４ａ／１２４ｂを中心に第１／第２ソース電極１７３ａ／１７３ｂと対向する。
第１ドレイン電極１７５ａは、第１ソース電極１７３ａで一部囲まれた一端部から始まって第１維持電極１３７ａ１に沿って下方にまっすぐに延長されている。第１ドレイン電極１７５ａは第１維持電極線１３１ａとの交差点の付近で第１維持電極線１３１ａに沿って左右に拡張された拡張部１７７ａを含む。

第２ドレイン電極１７５ｂは、第２ソース電極１７３ｂで一部囲まれた一端部から始まって第３維持電極１３７ｂと第２維持電極１３７ａ２とに沿って上方に延長され、第１ゲート線１２１ａを至っている。第２ドレイン電極１７５ｂは、第２維持電極線１３１ｂとの交差点の付近で第２維持電極線１３１ｂに沿って左右に拡張されている拡張部１７７ｂ１を含み、第１ゲート線１２１ａの向い側の端部１７７ｂ２は幅が多少広く形成されている。

第１／第２ゲート電極１２４ａ／１２４ｂ、第１／第２ソース電極１７３ａ／１７３ｂ及び第１／第２ドレイン電極１７５ａ／１７５ｂは、第１／第２半導体１５４ａ／１５４ｂと共に第１／第２薄膜トランジスタ（ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、ＴＦＴ）Ｑａ／Ｑｂをなし、第１／第２薄膜トランジスタＱａ／Ｑｂのチャネルは、第１／第２ソース電極１７３ａ／１７３ｂと第１／第２ドレイン電極１７５ａ／１７５ｂとの間の第１／第２半導体１５４ａ／１５４ｂに形成される。

データ導電体１７１、１７５ａ、１７５ｂは、モリブデン、クロム、タンタル及びチタニウムなど耐火性金属（ｒｅｆｒａｃｔｏｒｙ ｍｅｔａｌ）またはこれらの合金で構成されることが好ましく、耐火性金属膜（図示せず）と低抵抗導電膜（図示せず）とを含む多重膜構造とすることができる。多重膜構造の例としては、クロムまたはモリブデン（合金）下部膜とアルミニウム（合金）上部膜の二重膜、モリブデン（合金）下部膜とアルミニウム（合金）中間膜とモリブデン（合金）上部膜の三重膜がある。しかし、データ導電体１７１、１７５ａ、１７５ｂはその他にも多様な金属または導電体で形成することができる。

データ導電体１７１、１７５ａ、１７５ｂもその側面が、基板１１０面に対して３０゜〜８０゜程度の傾斜角で傾斜していることが好ましい。
オーミックコンタクト部材１６３ｂ、１６５ｂはその下の半導体１５４ａ、１５４ｂとその上のデータ導電体１７１、１７５ａ、１７５ｂとの間にだけ存在し、これらの間の接触抵抗を低くする。半導体１５４ａ、１５４ｂにはソース電極１７３ａ、１７３ｂとドレイン電極１７５ａ、１７５ｂとの間をはじめとして、データ導電体１７１、１７５ａ、１７５ｂで覆われずに露出された部分がある。

データ導電体１７１、１７５ａ、１７５ｂ及び半導体１５４ａ、１５４ｂの露出された部分の上には保護膜（ｐａｓｓｉｖａｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ）１８０が形成されている。保護膜１８０は無機絶縁物または有機絶縁物などからなり、表面を平坦に形成することができる。有機絶縁物は４．０以下の誘電定数を有することが好ましく、感光性（ｐｈｏｔｏｓｅｎｓｉｔｉｖｉｔｙ）を有するように構成できる。しかし、保護膜１８０は有機膜の優れた絶縁特性を生かしながらも露出された半導体１５４ａ、１５４ｂの部分に損傷を与えないように、下部無機膜と上部有機膜との二重膜構造とすることができる。

保護膜１８０には、データ線１７１の端部１７９を露出する複数のコンタクトホール（ｃｏｎｔａｃｔ ｈｏｌｅ）１８２、第１ドレイン電極１７５ａの拡張部１７７ａを露出する複数のコンタクトホール１８５ａ、そして第２ドレイン電極１７５ｂの拡張部１７７ｂ１及び端部１７７ｂ２を各々露出する複数対のコンタクトホール１８５ｂ１、１８５ｂ２が形成されている。保護膜１８０とゲート絶縁膜１４０には、ゲート線１２１ａ、１２１ｂの端部１２９ａ、１２９ｂをそれぞれ露出する複数のコンタクトホール１８１ａ、１８１ｂが形成されている。

保護膜１８０上には複数の画素電極１９１及び複数のコンタクト補助部材（ｃｏｎｔａｃｔａｓｓｉｓｔａｎｔ）８１ａ、８１ｂ、８２が形成されている。これらはＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明な導電物質やアルミニウム、銀、クロムまたはその合金などの反射性金属から構成することができる。
各画素電極１９１は第１及び第２副画素電極１９１ａ、１９１ｂを含み、第２副画素電極１９１ｂは下部及び上部電極片１９１ｂ１、１９１ｂ２を含む。第１副画素電極１９１ａには切開部９１ａが形成されており、下部及び上部電極片１９１ｂ１、１９１ｂ２にはそれぞれ切開部９２ｂ、９３ｂが形成されている。

第１副画素電極１９１ａはコンタクトホール１８５ａを通じて第１ドレイン電極１７５ａと接続されており、第２副画素電極１９１ｂの第１及び第２電極片１９１ｂ１、１９１ｂ２は各々コンタクトホール１８５ｂ１、１８５ｂ２を通じて第２ドレイン電極１７５ｂと接続されている。
第１維持電極線１３１ａ、第１ドレイン電極１７５ａの拡張部１７７ａ及びコンタクトホール１８５ａは、第１副画素電極１９１ａの屈曲点を接続する直線上に位置しており、第２維持電極線１３１ｂ、第２ドレイン電極１７５ｂの拡張部１７７ｂ１及びコンタクトホール１８５ｂ１は、第１副画素電極１９１ａと下部電極片１９１ｂ１との境界付近に位置している。また、第１ゲート線１２１ａは第１副画素電極１９１ａと上部電極片１９１ｂ１との境界に位置し、第２ゲート線１３１ｂは画素電極１９１の境界に位置している。第１副画素電極１９１ａの屈曲点を接続する直線や第１及び第２副画素電極１９１ａ、１９１ｂの境界は前述した副領域の境界であって、この部分では液晶分子の配列が乱れてテキスチャが現れ得るが、このように配置すればテキスチャの発生を抑制しながら開口率を向上することができる。

画素電極１９１のその他の形状及び配置については図５を参照して前述したので、詳細な説明は省略する。
第１／第２副画素電極１９１ａ／１９１ｂと上部表示板２００の共通電極２７０とは、その間の液晶層３の部分と共に第１／第２液晶キャパシタＣｌｃａ/Ｃｌｃｂを構成し、薄膜トランジスタＱａ／Ｑｂがターンオフした後にも印加された電圧を維持する。

第１副画素電極１９１ａ及びこれと接続された第１ドレイン電極１７５ａは、ゲート絶縁膜１４０を間に置いて第１維持電極１３７ａ１をはじめとする第１維持電極線１３１ａと重畳して第１ストレージキャパシタＣｓｔａを構成する。また、第２副画素電極１９１ｂ及びこれと接続された第２ドレイン電極１７５ｂは、ゲート絶縁膜１４０を間に置いて第２維持電極１３７ａ２及び第３維持電極１３７ｂをはじめとする第２維持電極線１３１ｂと重畳して第２ストレージキャパシタＣｓｔｂを構成する。このような第１／第２ストレージキャパシタＣｓｔａ／Ｃｓｔｂは第１／第２液晶キャパシタＣｌｃａ／Ｃｌｃｂの電圧維持能力を強化する。

コンタクト補助部材８１ａ、８１ｂ、８２は、それぞれコンタクトホール１８１ａ、１８１ｂ、１８２を通じてゲート線１２１ａ、１２１ｂの端部１２９ａ、１２９ｂ及びデータ線１７１の端部１７９と接続される。コンタクト補助部材８１ａ、８１ｂ、８２は、ゲート線１２１ａ、１２１ｂの端部１２９ａ、１２９ｂ及びデータ線１７１の端部１７９と外部装置との接着性を補完し、これらを保護する。

次に、上部表示板２００について説明する。
透明なガラスまたはプラスチックなどで構成された絶縁基板２１０上に遮光部材（ｌｉｇｈｔ ｂｌｏｃｋｉｎｇ ｍｅｍｂｅｒ）２２０が形成されている。遮光部材２２０は、画素電極１９１の屈曲辺に対応する屈曲部（図示せず）と、薄膜トランジスタＱａ、Ｑｂに対応する幅が拡張された部分（図示せず）とを含むことができる。遮光部材２２０は画素電極１９１周囲の光漏れを防止し、ブラックマトリックス（ｂｌａｃｋ ｍａｔｒｉｘ）とも言う。しかし、遮光部材２２０は他の形態であり得る。

基板２１０及び遮光部材２２０上には、また、複数のカラーフィルタ２３０が形成されている。カラーフィルタ２３０は遮光部材２３０で囲まれた領域のほぼ全域に存在し、画素電極１９１の列に沿って長く延長することができる。各カラーフィルタ２３０は、赤色、緑色及び青色の三原色など基本色（ｐｒｉｍａｒｙ ｃｏｌｏｒ）のうちの１つを表示することができる。

カラーフィルタ２３０及び遮光部材２２０上には蓋膜（ｏｖｅｒｃｏａｔ）２５０が形成されている。蓋膜２５０は（有機）絶縁物で構成することができ、カラーフィルタ２３０が露出されることを防止し、平坦面を提供する。蓋膜２５０は省略することができる。
蓋膜２５０上には共通電極２７０が形成されている。共通電極２７０はＩＴＯ、ＩＺＯなどの透明な導電体などで構成され、複数の切開部７１ａ、７２ｂ、７３ｂを有する。共通電極２７０の切開部７１ａ、７２ｂ、７３ｂの形状及び配置については図３を参照して前述したので、詳細な説明は省略する。

切開部７１ａ、７２ｂ、７３ｂの数は設計要素によって変わることがあり、遮光部材２２０が切開部７１ａ、７２ｂ、７３ｂと重畳して切開部７１ａ、７２ｂ、７３ｂ付近の光漏れを遮断することができる。
表示板１００、２００の内側面には配向膜（ａｌｉｇｎｍｅｎｔ ｌａｙｅｒ）１１、２１が形成されていて、これらは垂直配向膜とすることができる。

表示板１００、２００の外側面には偏光子（ｐｏｌａｒｉｚｅｒ）１２、２２が設けられており、２つの偏光子１２、２２の偏光軸は直交して副画素電極１９１ａ、１９１ｂの屈曲辺とほぼ４５゜の角度をなすことが光効率の側面で好ましい。反射型液晶表示装置の場合には２つの偏光子１２、２２のうちの１つが省略され得る。
液晶表示装置は、液晶層３の遅延を補償する少なくとも１つの位相遅延膜（図示せず）をさらに含むことができ、偏光子１２、２２、位相遅延膜、表示板１００、２００及び液晶層３に光を供給する照明部（ｂａｃｋｌｉｇｈｔ ｕｎｉｔ）（図示せず）を含む構成とすることもできる。

液晶層３は負の誘電率異方性を有し、液晶層３の液晶分子は、電場がない状態でその長軸が２つの表示板の表面に対して垂直をなすように配向されている。
切開部７１ａ、７２ｂ、７３ｂ、９２ｂ、９３ｂの形状と配置は変更され得る。
切開部７１ａ、７２ｂ、７３ｂ、９２ｂ、９３ｂは突起（ｐｒｏｔｒｕｓｉｏｎ）（図示せず）や陥没部（ｄｅｐｒｅｓｓｉｏｎ）（図示せず）に代替することができる。突起は有機物または無機物で構成することができ、電場生成電極１９１、２７０の上または下に配置され得る。

次に、図１１〜図１３、そして前述した図１、図２及び図５を参照して、本発明の他の実施形態による液晶表示板組立体について詳細に説明する。
図１１は本発明の他の実施形態による液晶表示板組立体の１つの画素に対する等価回路図である。
図１１に示すように、本実施形態による液晶表示板組立体は、複数のゲート線ＧＬ、複数対のデータ線ＤＬａ、ＤＬｂ及び複数の維持電極線ＳＬを含む信号線と、これに接続された複数の画素ＰＸとを含む。

各画素ＰＸは一対の副画素ＰＸｃ、ＰＸｄを含み、各副画素ＰＸｃ／ＰＸｄは、それぞれ該当ゲート線ＧＬ及びデータ線ＤＬａ／ＤＬｂに接続されているスイッチング素子Ｑｃ／Ｑｄ、これに接続された液晶キャパシタＣｌｃｃ／Ｃｌｃｄ、そしてスイッチング素子Ｑｃ／Ｑｄ及び維持電極線ＳＬに接続されているストレージキャパシタＣｓｔｃ／Ｃｓｔｄを含む。

各スイッチング素子Ｑｃ／Ｑｄも下部表示板１００に備えられている薄膜トランジスタなどの三端子素子であって、その制御端子はゲート線ＧＬと接続されており、入力端子はデータ線ＤＬａ／ＤＬｂと接続されており、出力端子は液晶キャパシタＣｌｃｃ／Ｃｌｃｄ及びストレージキャパシタＣｓｔｃ／Ｃｓｔｄと接続されている。
液晶キャパシタＣｌｃｃ、ＣｌｃｄとストレージキャパシタＣｓｔｃ、Ｃｓｔｄ及びこのような液晶表示板組立体を含む液晶表示装置の動作などについては前述した実施形態と実質的に同一であるので、詳細な説明は省略する。但し、図８に示した液晶表示装置においては１つの画素ＰＸを構成する２つの副画素ＰＸａ、ＰＸａが時差を置いてデータ電圧の印加を受ける反面、本実施形態においては２つの副画素ＰＸｃ、ＰＸｄが同一の時間にデータ電圧の印加を受ける。

以下、図１１に示した液晶表示板組立体の一例について、図１２及び図１３を参照して詳細に説明する。
図１２は本発明の他の実施形態による液晶表示板組立体の配置図であり、図１３は図１２の液晶表示板組立体のXIII-XIII線による断面図である。
図１２及び図１３に示したように、本実施形態による液晶表示板組立体は、互いに対向する下部表示板１００と上部表示板２００、これら２つの表示板の間に入っている液晶層３及び表示板１００、２００の外側面に付着されている一対の偏光子１２、２２を含む。

本実施形態による液晶表示板組立体の層状構造は、ほとんど図９及び図１０に示した液晶表示板組立体の層状構造と同一である。
下部表示板１００について説明すると、絶縁基板１００上に複数のゲート線１２１と複数対の第１及び第２維持電極線１３１ｃ、１３１ｄとを含む複数のゲート導電体が形成されている。各ゲート線１２１は複数対の第１及び第２ゲート電極１２４ｃ、１２４ｄと端部１２９とを含む。第１維持電極線１３１ｃは複数の第１及び第２維持電極１３７ｃ１、１３７ｃ２を含み、第２維持電極線１３１ｄは複数の第３維持電極１３７ｄを含む。ゲート導電体１２１、１３１ｃ、１３１ｄ上にはゲート絶縁膜１４０が形成されている。ゲート絶縁膜１４０上には第１及び第２突出部１５４ｃ、１５４ｄを含む複数の線状半導体１５１が形成されており、その上には突出部１６３ｃを有する複数の線状オーミックコンタクト部材１６１及び複数の島型オーミックコンタクト部材１６５ｃが形成されている。オーミックコンタクト部材１６１、１６５ｃ上には、複数対の第１及び第２データ線１７１ａ、１７１ｂと複数の第１及び第２ドレイン電極１７５ｃ、１７５ｄとを含むデータ導電体が形成されている。第１及び第２データ線１７１ａ、１７１ｂは、それぞれ複数の第１及び第２ソース電極１７３ｃ、１７３ｄと端部１７９ａ、１７９ｂとを含み、第１ドレイン電極１７５ｃは拡張部１７７ｃを含み、第２ドレイン電極１７５ｄは拡張部１７７ｄ１及び端部１７１ｄ２を含む。データ導電体１７１ａ、１７１ｂ、１７５ｃ、１７５ｄ、ゲート絶縁膜１４０及び半導体１５４ｃ、１５４ｄの露出された部分の上には保護膜１８０が形成されており、保護膜１８０及びゲート絶縁膜１４０には複数のコンタクトホール１８１、１８２ａ、１８２ｂ、１８５ｃ、１８５ｄ１、１８５ｄ２が形成されている。保護膜１８０上には、第１及び第２副画素電極１９１ｃ、１９１ｄを含む複数の画素電極１９１と、複数のコンタクト補助部材８１、８２ａ、８２ｂとが形成されている。第２副画素電極１９１ｄは下部及び上部電極片１９１ｄ１、１９１ｄ２を含み、第１副画素電極１９１ｃには切開部９１ｃが形成されており、第２副画素電極１９１ｄには切開部９２ｄ、９３ｄが形成されている。画素電極１９１及び保護膜１８０上には配向膜１１が形成されている。

上部表示板２００について説明すると、絶縁基板２１０上に遮光部材２２０、複数のカラーフィルタ２３０、蓋膜２５０、切開部７１ｃ、７２ｄ、７３ｄを有する共通電極２７０及び配向膜２１が形成されている。
しかし、実施形態による液晶表示板組立体においては、図９及び図１０に示した液晶表示板組立体と比較する時、ゲート線１２１の数が半分であり、その代わりデータ線１７１ａ、１７１ｂの数が２倍である。そして１つの画素電極１９１をなす第１及び第２副画素電極１９１ｃ、１９１ｄに接続された第１及び第２薄膜トランジスタＱｃ、Ｑｄが、同一のゲート線１２１、互いに異なるデータ線１７１ａ、１７１ｂに接続されている。

第１薄膜トランジスタＱｃは第１データ線１７１ａの右側に位置し、第２薄膜トランジスタＱｄは第２データ線１７１ｂの左側に位置する。
また、半導体１５４ｃ、１５４ｄはデータ線１７１ａ、１７１ｂ及びドレイン電極１７５ｃ、１７５ｄに沿って延長され線状半導体１５１をなし、オーミックコンタクト部材１６３ｃはデータ線１７１に沿って延長されて線状オーミックコンタクト部材１６１をなす。線状半導体１５１は、データ導電体１７１ａ、１７１ｂ、１７５ｃ、１７５ｄ及びその下部のオーミックコンタクト部材１６１、１６５ｃと実質的に同一の平面形状を有している。

このような薄膜トランジスタ表示板を本発明の一実施形態によって製造する方法においては、データ導電体１７１ａ、１７１ｂ、１７５ｃ、１７５ｃ、半導体１５１及びオーミックコンタクト部材１６１、１６５ｃを一度の写真工程によって形成する。
このような写真工程で用いる感光膜は位置によって厚さが異なり、特に、順に厚さが薄くなる第１部分と第２部分を含む。第１部分はデータ導電体１７１ａ、１７１ｂ、１７５ｃ、１７５ｄが占める配線領域に位置し、第２部分は薄膜トランジスタＱｃ、Ｑｄのチャネル領域に位置する。

位置によって感光膜の厚さを異なるように構成する方法として多様なものがあり得るが、例えば、光マスクに透光領域（ｌｉｇｈｔ ｔｒａｎｓｍｉｔｔｉｎｇ ａｒｅａ）及び遮光領域（ｌｉｇｈｔ ｂｌｏｃｋｉｎｇ ａｒｅａ）以外に、半透明領域（ｔｒａｎｓｌｕｃｅｎｔａｒｅａ）を設ける方法がある。半透明領域にはスリットパターン（ｓｌｉｔ ｐａｔｔｅｒｎ）、格子パターン（ｌａｔｔｉｃｅ ｐａｔｔｅｒｎ）または透過率が中間であるか厚さが中間であるような薄膜を設ける。スリットパターンを用いる時には、スリットの幅やスリット間の間隔が写真工程に用いる露光器の分解能（ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ）より小さいことが好ましい。他の例としては、リフローが可能な感光膜を用いる方法がある。つまり、透光領域と遮光領域のみを有した通常の露光マスクでリフロー可能な感光膜を形成した後、リフローさせて感光膜が残留しない領域に流れるようにすることによって、薄い部分を形成することである。

このようにすれば１回の写真工程を減らすことができるので、製造方法が簡単になる。
図９及び図１０に示した液晶表示板組立体の多くの特徴が図１２及び図１３に示した液晶表示板組立体にも適用できる。
次に、図１４〜図１８及び前述した図１〜図３を参照して、本発明の他の実施形態による液晶表示板組立体について詳細に説明する。

図１４は本発明の他の実施形態による液晶表示板組立体の１つの画素に対する等価回路図である。
図１４に示すように、本実施形態による液晶表示板組立体は、複数のゲート線ＧＬと複数のデータ線ＤＬを含む信号線と、これに接続されている複数の画素ＰＸとを含む。
各画素ＰＸは、一対の第１及び第２副画素ＰＸｅ、ＰＸｆと、２つの副画素ＰＸｅ、ＰＸｆの間に接続されている結合キャパシタＣｃｐとを含む。

第１副画素ＰＸｅは、該当ゲート線ＧＬ及びデータ線ＤＬに接続されているスイッチング素子Ｑと、これに接続された第１液晶キャパシタＣｌｃｅ及びストレージキャパシタＣｓｔとを含み、第２副画素ＰＸｆは、結合キャパシタＣｃｐと接続されている第２液晶キャパシタＣｌｃｆを含む。
スイッチング素子Ｑも下部表示板１００に設けられている薄膜トランジスタなどの三端子素子であって、その制御端子はゲート線ＧＬと接続されており、入力端子はデータ線ＤＬと接続されており、出力端子は液晶キャパシタＣｌｃｅ、ストレージキャパシタＣｓｔｅ及び結合キャパシタＣｃｐと接続されている。

スイッチング素子Ｑは、ゲート線ＧＬからのゲート信号によって、データ線ＤＬからのデータ電圧を第１液晶キャパシタＣｌｃｅ及び結合キャパシタＣｃｐに印加し、結合キャパシタＣｃｐはこの電圧をその大きさを変えて第２液晶キャパシタＣｌｃｆに伝達する。
ストレージキャパシタＣｓｔｅに共通電圧Ｖｃｏｍが印加され、キャパシタＣｌｃｅ、Ｃｓｔｅ、Ｃｌｃｆ、Ｃｃｐとその静電容量を同一の図面符号で示せば、第１液晶キャパシタＣｌｃｅに充電された電圧Ｖｅと第２液晶キャパシタＣｌｃｆに充電された電圧Ｖｆとは、次のような関係を有する。
（数式１）
Ｖｆ＝Ｖｅ×（Ｃｃｐ／（Ｃｃｐ＋Ｃｌｃｆ））
Ｃｃｐ／（Ｃｃｐ＋Ｃｌｃｆ）の値が１より小さいため、第２液晶キャパシタＣｌｃｆに充電された電圧Ｖｆは、第１液晶キャパシタＣｌｃｅに充電された電圧Ｖｅに比べ常に小さい。この関係は、ストレージキャパシタＣｓｔｅに印加された電圧が共通電圧Ｖｃｏｍでない場合にも同様に成立する。

第１液晶キャパシタＣｌｃｅの電圧Ｖｅと第２液晶キャパシタＣｌｃｆの電圧Ｖｆとの適正な比率は、結合キャパシタＣｃｐの静電容量を調節することによって得ることができる。
次に、このような液晶表示板組立体の構造について、図１５〜図１９を参照して詳細に説明する。

図１５は本発明の他の実施形態による液晶表示板組立体の下部表示板の配置図であり、図１６は本発明の他の実施形態による液晶表示板組立体の上部表示板の配置図であり、図１７は図１５の下部表示板と図１６の上部表示板とを含む液晶表示板組立体の配置図であり、図１８は図１７の液晶表示板組立体のXVIII-XVIII線による断面図であり、図１９は本発明の他の実施形態による液晶表示板組立体の配置図である。

図１５〜図１９に示すように、本実施形態による液晶表示板組立体も、互いに対向する下部表示板１００と上部表示板２００及びこれら２つの表示板１００、２００の間に入っている液晶層３を含む。
まず、図１５、図１７〜図１９を参照して、下部表示板１００について説明する。
絶縁基板１１０上に複数のゲート線１２１と複数の維持電極線１３１とを含む複数のゲート導電体が形成されている。

ゲート線１２１は主に図の横方向に延長され、上下に突出した複数のゲート電極１２４ｅと端部１２９とを含む。
各維持電極線１３１はゲート線１２１とほぼ平行に延長され、隣接した２つのゲート線１２１からほぼ同一の距離に位置する。図１７の場合、維持電極線１３１は、下に拡張されている第１類型の維持電極１３７ｅと、上に拡張されている第２類型の維持電極１３７ｆとを含み、２つの類型の維持電極１３７ｅ、１３７ｆは交互に配置されている。図１９の場合、維持電極線１３１は上限に拡張されている維持電極１３７ｅ、１３７ｆを含む。

ゲート導電体１２１、１３１上にはゲート絶縁膜１４０が形成されており、その上には複数の島型半導体１５４ｅが形成されている。半導体１５４ｅはゲート電極１２４ｅ上に位置する。
半導体１５４ｅ上には複数対の島型オーミックコンタクト部材１６３ｅ、１６５ｅが形成されている。

オーミックコンタクト部材１６３ｅ、１６５ｅ及びゲート絶縁膜１４０上には、複数のデータ線１７１と複数のドレイン電極１７５ｅ、１７５ｆとを含むデータ導電体が形成されている。
データ線１７１は主に図の縦方向に延長されてゲート線１２１及び維持電極線１３１と交差する。各データ線１７１は左側に突出した複数の屈曲部（ｃｕｒｖｅｄ ｐｏｒｔｉｏｎ）を含み、各屈曲部は互いに連結されてＶ字形状（ｃｈｅｖｒｏｎ）をなす一対の斜線部を含み、斜線部はゲート線１２１と約４５゜の角をなす。

また、各データ線１７１は、ゲート電極１２４ｅに向かって延びた複数のソース電極１７３ｅと広い端部１７９とを含む。
ドレイン電極１７５ｅ、１７５ｆはデータ線１７１と分離されていて、ゲート電極１２４を中心にソース電極１７３と対向し、次のような２つの類型がある。
第１類型のドレイン電極１７５ｅは、第１及び第２屈曲部１７６ｅ、１７８と、拡張部１７７ｅとを含む。第１屈曲部１７６ｅの一端部はゲート電極１２４ｅを中心に曲がったソース電極１７３ｅで一部囲まれており、他端部は拡張部１７７ｅと接続されている。拡張部１７７ｅは第１及び第２屈曲部１７６ｅ、１７８と接続されており、第１類型の維持電極１３７ｅと重畳する。第２屈曲部１７８は拡張部１７７ｅから上側ゲート線１２１の付近まで上方に延長されている。第１及び第２屈曲部１７６ｅ、１７８はそれぞれ互いに接続されてＶ字形状または不等号（＜）形状をなす一対の斜線部を含み、一対の斜線部はゲート線１２１と約４５゜の角をなす。

反面、第２類型のドレイン電極１７５ｆは、一端部がソース電極１７３ｅで一部囲まれた屈曲部１７６ｆとこれに接続された拡張部１７７ｆのみを含む。屈曲部１７６ｆも不等号（＜）形状に折曲されており、拡張部１７７ｆは第２類型の維持電極１３７ｆと重畳する。
ゲート電極１２４ｅ、ソース電極１７３ｅ及びドレイン電極１７５ｅ、１７５ｆは、半導体１５４ｅと共に薄膜トランジスタＱを構成し、薄膜トランジスタＱのチャネルは、ソース電極１７３ｅとドレイン電極１７５ｅとの間の半導体１５４ｅに形成される。

データ導電体１７１、１７５ｅ、１７５ｆ及び半導体１５４ｅの露出された部分の上には保護膜１８０が形成されている。
保護膜１８０には、データ線１７１の端部１７９とドレイン電極１７５ｅ、１７５ｆの拡張部１７７ｅ、１７７ｆとをそれぞれ露出する複数のコンタクトホール１８２、１８５ｅ、１８５ｆが形成されており、保護膜１８０とゲート絶縁膜１４０にはゲート線１２１の端部１２９を露出する複数のコンタクトホール１８１が形成されている。

保護膜１８０上には複数の画素電極１９１及び複数のコンタクト補助部材８１、８２が形成されている。
各画素電極１９１は第１及び第２副画素電極１９１ｅ、１９１ｆを含み、各副画素電極１９１ｅ、１９１ｆには切開部９１ｅ、９２ｆ、９３ｆが形成されている。
データ線１７１は、一部分が画素電極１９１の行方向の境界を通るように構成されており、特に画素電極１９１の行方向の境界に沿って折れる屈曲部を備えるように構成される。このようにデータ線１７１を画素電極１９１の境界に沿って延びるように構成すれば、データ線１７１と副画素電極１９１ａ、１９１ｂとの間に生成される電場の水平成分が、主電場の水平成分と同じ方向であるので、液晶分子の傾斜方向の決定を強化するように作用する。それだけでなく、高い開口率を確保できることは勿論である。

また、維持電極線１３１は第１及び第２副画素電極１９１ａ、１９１ｂの境界付近に位置し、テキスチャを覆いながら開口率を向上させることができる。
一方、図１９の場合、第１副画素電極１９１ｅは、維持電極１３７ｅ、１３７ｆに向かって上または下に突出した部分を含む。
画素電極１９１のその他の形状及び配置については図３を参照して前述したので、詳細な説明は省略する。

第１副画素電極１９１ｅはコンタクトホール１８５ｅ、１８５ｆを通じてドレイン電極１７５ｅ、１７５ｆと接続されている。図１９に示した例では、第１副画素電極１９１ｅの突出部がコンタクトホール１８５ｅ、１８５ｆを通じてドレイン電極１７５ｅ、１７５ｆと接続されている。また、ドレイン電極１７５ｅ、１７５ｆの屈曲部１７８、１７６ｆは第２副画素電極１９１ｆと重畳して結合キャパシタＣｃｐをなす。

第１／第２副画素電極１９１ｅ／１９１ｆと上部表示板２００の共通電極２７０とは、その間の液晶層３部分と共に第１／第２液晶キャパシタＣｌｃｅ/Ｃｌｃｆを構成し、薄膜トランジスタＱがターンオフした後にも印加された電圧を維持する。
第１副画素電極１９１ｅと接続されたドレイン電極１７５ｅの拡張部１７７ｅ、１７７ｆは、ゲート絶縁膜１４０を間に置いて維持電極１３７ｅ、１３７ｆと重畳してストレージキャパシタＣｓｔｅをなし、液晶キャパシタＣｌｃｅの電圧維持能力を強化する。

コンタクト補助部材８１、８２は、それぞれコンタクトホール１８１、１８２を通じてゲート線１２１ａ、１２１ｂの端部１２９ａ、１２９ｂ及びデータ線１７１の端部１７９と接続される。コンタクト補助部材８１、８２は、ゲート線１２１ａ、１２１ｂの端部１２９ａ、１２９ｂ及びデータ線１７１の端部１７９と外部装置との接着性を補完し、これらを保護する。

次に、図１６〜図１９を参照して、上部表示板２００について説明する。
絶縁基板２１０上に遮光部材２２０が形成されている。遮光部材２２０は、ゲート線１２１に対応する横部と、画素電極１９１の屈曲片に対応する屈曲部と、薄膜トランジスタに対応する幅が拡張された部分とを含む。
基板２１０及び遮光部材２２０上には、また、複数のカラーフィルタ２３０が形成されており、カラーフィルタ２３０及び遮光部材２２０上には蓋膜２５０が形成されている。蓋膜２５０上には共通電極２７０が形成されていて、複数の切開部７１ｅ、７２ｆ、７３ｆを有する。

共通電極２７０の切開部７１ｅ、７２ｆ、７３ｆの形状及び配置については図３を参照して前述したので、詳細な説明は省略する。
表示板１００、２００の内側面には配向膜１１、２１が形成されていて、表示板１００、２００の外側面には偏光子１２、２２が備えられている。
図９及び図１０に示した液晶表示板組立体の多くの特徴が図１５〜図１９に示した液晶表示板組立体にも適用できる。

次に、図２０〜図２２、そして前述した図１〜図３を参照して、本発明の他の実施形態による液晶表示板組立体について詳細に説明する。
図２０は本発明の他の実施形態による液晶表示装置の１つの画素に対する等価回路図である。
図２０に示すように、本実施形態による液晶表示板組立体は、互いに対向する下部及び上部表示板１００、２００と、その間に入っている液晶層３とを含む。

下部表示板１００には、複数のゲート線ＧＬ、複数のデータ線ＤＬ及び複数の維持電極線ＳＬを含む信号線が設けられており、各画素はスイッチング素子Ｑ、これに接続された液晶キャパシタＣｌｃ、そしてスイッチング素子Ｑ及び維持電極線ＳＬに接続されているストレージキャパシタＣｓｔを含む。
スイッチング素子Ｑは下部表示板１００に設けられている薄膜トランジスタなどの三端子素子であって、その制御端子はゲート線ＧＬと接続されており、入力端子はデータ線ＤＬと接続されており、出力端子は液晶キャパシタＣｌｃ及びストレージキャパシタＣｓｔと接続されている。

液晶キャパシタＣｌｃは、下部表示板１００の画素電極ＰＥと、上部表示板２００の共通電極ＣＥとを２つの端子とし、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間の液晶層３は誘電体として機能する。共通電極ＣＥは上部表示板２００の全面に形成されていて、共通電圧Ｖｃｏｍの印加を受ける。液晶層３は負の誘電率異方性を有し、液晶層３の液晶分子は、電場がない状態でその長軸が２つの表示板の表面に対して垂直をなすように配向されているものとする。

ストレージキャパシタＣｓｔ及びこのような液晶表示板組立体を含む液晶表示装置の動作などについては、前述した実施形態と実質的に同一であるので、詳細な説明は省略する。但し、図２０に示した液晶表示装置においては１つの画素ＰＸが分離されていない。
次に、図２０に示した液晶表示板組立体の例について、図２１及び図２２を参照して詳細に説明する。

図２１及び図２２は本発明の他の実施形態による液晶表示板組立体の配置図である。
図２１及び図２２を参照すれば、本実施形態による液晶表示板組立体も、互いに対向する下部表示板（図示せず）と上部表示板（図示せず）及びこれら２つの表示板の間に入っている液晶層（図示せず）を含む。
本実施形態による液晶表示板組立体の層状構造はほぼ図１５〜図１９に示した液晶表示板組立体の層状構造と同一である。

下部表示板について説明すると、絶縁基板（図示せず）上に複数のゲート線１２１と複数の維持電極線１３１とを含む複数のゲート導電体が形成されている。各ゲート線１２１はゲート電極１２４と端部１２９とを含み、各維持電極線１３１は維持電極１３７を含む。ゲート導電体１２１、１３１上にはゲート絶縁膜（図示せず）が形成されている。ゲート絶縁膜上には複数の半導体１５４が形成されており、その上には複数のオーミックコンタクト部材（図示せず）が形成されている。オーミックコンタクト部材及びゲート絶縁膜上には複数のデータ線１７１と複数のドレイン電極１７５とを含むデータ導電体が形成されている。データ線１７１は複数のソース電極１７３と端部１７９とを含み、ドレイン電極１７５は幅が拡張された端部１７７を含む。データ導電体１７１、１７５及び露出された半導体１５４部分上には保護膜１８０が形成されており、保護膜１８０及びゲート絶縁膜には複数のコンタクトホール１８１、１８２、１８５が形成されている。保護膜１８０上には互いに接続されている第１及び第２副画素電極１９１ｇ、１９１ｈを含む複数の画素電極１９１と複数のコンタクト補助部材８１、８２とが形成されている。第１副画素電極１９１ｇには切開部９１ｇが形成されており、第２副画素電極１９１ｈには切開部９２ｈ、９３ｈが形成されている。画素電極１９１及び保護膜１８０上には配向膜（図示せず）が形成されている。

上部表示板（図示せず）について説明すると、絶縁基板（図示せず）上に遮光部材（図示せず）、複数のカラーフィルタ（図示せず）、蓋膜（図示せず）、切開部７１ｇ、７２ｈ、７３ｈ）を有する共通電極及び配向膜（図示せず）が形成されている。
しかし、本実施形態による液晶表示板組立体においては図１５〜図１９に示した液晶表示板組立体と比較する時、画素電極１９１の第１副画素電極１９１ｇと第２副画素電極１９１ｈとは互いに接続されており、図１５〜図１９に示されたドレイン電極１７５ｅの屈曲部１７８が本実施形態による液晶表示板組立体にはない。従って、第１及び第２副画素電極１９１ｇ、１９１ｈは同じ電圧の印加を受ける。

また、図２２に示した液晶表示板組立体は図２１に示した液晶表示板組立体と比較する時、画素電極１９１の切開部９１ｇ、９２ｈ、９３ｈの幅が共通電極２７０切開部の幅よりさらに狭く、行方向に隣接した第１副画素電極１９１ｇと第２副画素電極１９１ｈとの間の間隔も共通電極２７０の切開部の幅よりさらに狭い。第１副画素電極１９１ｇと第２副画素電極１９１ｈとの間の距離または間隔は、約５．５〜７．５μｍであることが好ましい。

このように画素電極１９１の切開部９１ｇ、９２ｈ、９３ｈの幅及び副画素電極１９１ｇ、１９１ｈの間の間隔を減らすことによって、光の実際透過面積を増加することができ、透過率を高めることができる。
また、図２２に示したように、共通電極２７０の切開部７１ｇ、７２ｈ、７３ｈの縦断横部は画素電極１９１と重畳し、屈曲部と１３５°よりも大きい角度をなす横辺を有する。このようにすれば、画素電極１９１の横辺の近くでの主電場の水平成分が該当副領域上で大部分の液晶分子が傾く方向と近くなるので、配列が乱れることで現れ得るテキスチャを減らすことができる。共通電極２７０の切開部７１ｇ、７２ｈ、７３ｈの幅は、約９．５〜１０．５μｍ程度であることが好ましい。

切開部９１ｇ、９２ｈ、９３ｈの幅は、約８〜１０μｍであり、特に８〜９μｍまで狭めれば光の実際透過面積を増加させ、透過率を高めることができる。
また、図２１に示した液晶表示板組立体と比較して、維持電極１３７の幅がさらに狭く、維持電極１３７の横辺と、これに隣接しながら維持電極１３７上に位置する切開部７１ｇ、７２ｈ、７３ｈ、９２ｈの縦断横部の横辺との間の距離は、１μｍ以上である。つまり、維持電極１３７の横辺から隣接した切開部７１ｇ、７２ｈ、７３ｈ、９２ｈの縦断横部の横辺まで至る最も近い距離Ｌａは、最も遠い距離Ｌｂより小さく、１μｍ以上である。このようにすれば、切開部７１ｇ、７２ｈ、７３ｈ、９２ｈの付近で生じるテキスチャによる画質の劣化を防止することができる。

図１５〜図１９に示した液晶表示板組立体の多くの特徴が図２１及び図２２に示した液晶表示板組立体にも適用できる。図２２に示した液晶表示板組立体の特徴は図８〜図１９に示した液晶表示板組立体またはその他の構造の液晶表示板組立体にも適用できる。
以上、本発明の好ましい実施形態について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されるわけではなく、添付した請求範囲で定義している本発明の基本概念を利用した当業者の種々の変形及び改良形態も本発明の権利範囲に属するものである。

本発明の一実施形態による液晶表示装置のブロック図である。 本発明の一実施形態による液晶表示装置の２つの副画素に対する等価回路図である。 本発明の実施形態による液晶表示板組立体の画素電極と共通電極の配置図である。 本発明の実施形態による液晶表示板組立体の画素電極と共通電極の配置図である。 本発明の実施形態による液晶表示板組立体の画素電極と共通電極の配置図である。 図３〜図５に示したいろいろな副画素電極の基本となる単位電極の平面図である。 本発明の他の実施形態による液晶表示板組立体の画素電極と共通電極の配置図である。 本発明の他の実施形態による液晶表示板組立体の画素電極と共通電極の配置図である。 本発明の一実施形態による液晶表示板組立体の１つの画素に対する等価回路図である。 本発明の一実施形態による液晶表示板組立体の配置図である。 図９の液晶表示板組立体のX-X線による断面図である。 本発明の他の実施形態による液晶表示板組立体の１つの画素に対する等価回路図である。 本発明の他の実施形態による液晶表示板組立体の配置図である。 図１２の液晶表示板組立体のXIII-XIII線による断面図である。 本発明の他の実施形態による液晶表示板組立体の１つの画素に対する等価回路図である。 本発明の他の実施形態による液晶表示板組立体の下部表示板の配置図である。 本発明の他の実施形態による液晶表示板組立体の上部表示板の配置図である。 図１５の下部表示板と図１６の上部表示板とを含む液晶表示板組立体の配置図である。 図１７の液晶表示板組立体のXVIII-XVIII線による断面図である。 本発明の他の実施形態による液晶表示板組立体の配置図である。 本発明の他の実施形態による液晶表示装置の１つの画素に対する等価回路図である。 本発明の他の実施形態による液晶表示板組立体の配置図である。 本発明の他の実施形態による液晶表示板組立体の配置図である。

符号の説明

１２、２２ 偏光板
１１、２１ 配向膜
７１〜７９、７１ｃ、７１ｅ、７１ｇ、７２ｄ、７２ｆ、７２ｈ、７３ｄ、７３ｆ、７３ｈ 共通電極切開部
９１〜９５、９１ｃ、９１ｅ、９１ｇ、９２ｄ、９３ｄ、９２ｆ、９３ｆ、９２ｈ、９３ｈ 画素電極切開部
８１、８１ａ、８１ｂ、８２、８２ａ、８２ｂ コンタクト補助部材
１１０、２１０ 基板
１２１、１２１ａ、１２１ｂ、１２９ａ、１２９ｂ ゲート線
１２４、１２４ａ〜１２４ｅ ゲート電極
１３１、１３１ａ〜１３１ｅ 維持電極線
１３７、１３７ａ１、１３７ａ２、１３７ｂ、１３７ｃａ、１３７ｃｂ、１３７ｄ〜１３７ｆ 維持電極
１４０ ゲート絶縁膜
１５４、１５４ａ〜１５４ｅ 半導体
１６３ｂ、１６３ｅ、１６５ａ、１６５ｂ、１６５ｅ オーミックコンタクト部材
１７１、１７１ａ、１７１ｂ、１７９、１７９ａ、１７９ｂ データ線
１７３、１７３ａ-１７３ｅ ソース電極
１７５、１７５ａ-１７５ｅ、１７７、１７７ａ-１７７ｅ、１７８ ドレイン電極
１８０ 保護膜
１８１ａ、１８１ｂ、１８２、１８２ａ、１８２ｂ、１８５、１８５ａ、１８５ｂ、１８５ｃ、１８５ｄ コンタクトホール
１９１、１９１ａ〜１９１ｈ、１９３ 画素電極
２２０ 遮光部材
２３０ カラーフィルタ
２５０ 蓋膜
２７０ 共通電極
３００ 液晶表示板組立体
４００ ゲート駆動部
５００ データ駆動部
６００ 信号制御部
８００ 階調電圧生成部

Claims (50)

1. 基板と、
   前記基板上に行列形態に形成されており、第１及び第２副画素電極を含む画素電極と、
   前記画素電極と対向する共通電極と、
   を含み、
   前記第１副画素電極は、行方向に延長され互いに対向する第１辺及び第２辺、前記第１辺及び前記第２辺に対して斜角をなして連続し互いに平行に形成される一対の第１斜辺を有し、
   前記第２副画素電極は、行方向に延長され互いに対向する第１辺及び第２辺、前記第１辺から連続し、前記第１副画素電極の第１斜辺と実質的に平行であるかまたは垂直である一対の第１斜辺を有し、
   前記第１及び第２副画素電極の第１辺が互いに隣接し、
   前記第１及び第２副画素電極の第１辺の長さは互いに異なり、
   前記第１副画素電極の第１斜辺と前記第２副画素電極の第１斜辺とは互いに行方向に異なる位置に配置される液晶表示装置。
2. 前記第１副画素電極の第１斜辺及び前記第２副画素電極の第１斜辺と実質的に４５゜をなす偏光軸を有する偏光子をさらに含む、請求項１に記載の液晶表示装置。
3. 前記第１副画素電極の第１辺中央は、前記第２副画素電極の第１辺中央と整列されている、請求項１に記載の液晶表示装置。
4. 前記第１副画素電極は、前記第１副画素電極の第１斜辺と直角をなして連続する一対の第２斜辺をさらに有する、請求項１に記載の液晶表示装置。
5. 前記第２副画素電極は、前記第２副画素電極の第１斜辺と直角をなして連続する一対の第２斜辺をさらに有する、請求項４に記載の液晶表示装置。
6. 前記第１副画素電極の第１斜辺は、前記第２副画素電極の第１斜辺と直角方向に形成される、請求項５に記載の液晶表示装置。
7. 前記第２副画素電極は、前記第１副画素電極を間に置いて互いに分離されている第１及び第２電極片を含む、請求項４に記載の液晶表示装置。
8. 前記第１電極片は前記第２副画素電極の第１斜辺を有し、前記第２電極片は前記第２副画素電極の第１斜辺と直角である一対の第２斜辺を有する、請求項７に記載の液晶表示装置。
9. 前記第１副画素電極の第１斜辺は、前記第２副画素電極の第１斜辺と平行である、請求項８に記載の請求項液晶表示装置。
10. 前記第１副画素電極の高さと前記第２副画素電極の高さとは実質的に同一である、請求項１〜９のうちのいずれか１項に記載の液晶表示装置。
11. 前記第２副画素電極の第１辺の長さは、前記第１副画素電極の第２辺の長さの１．８倍〜２倍である、請求項１０に記載の液晶表示装置。
12. 前記第１副画素電極と前記第２副画素電極との間の距離は、５．５〜７．５μｍである、請求項１〜９のうちのいずれか１項に記載の液晶表示装置。
13. 前記共通電極に形成されている第１傾斜方向決定部材をさらに含む、請求項１〜９のうちのいずれか１項に記載の液晶表示装置。
14. 前記第１傾斜方向決定部材は、前記第１及び第２副画素電極各々を横切り、前記第１及び第２副画素電極の第１斜辺と実質的に平行な斜線部を有する第１切開部を含む、請求項１３に記載の液晶表示装置。
15. 前記第１切開部の幅は９．５〜１０．５μｍである、請求項１４に記載の液晶表示装置。
16. 前記第１切開部は、前記第１切開部の斜線部と連結され、前記第１または第２副画素電極の第１辺または第２辺と重畳し、前記斜線部と１３５°よりも大きい角度をなす辺を有する縦断部をさらに含む、請求項１４に記載の液晶表示装置。
17. 前記第２副画素電極に形成されている第２傾斜方向決定部材をさらに含む、請求項１４に記載の液晶表示装置。
18. 前記第２傾斜方向決定部材は、前記第２副画素電極を２等分し、前記第２副画素電極の第１斜辺と実質的に平行な斜線部を有する第２切開部を含む、請求項１７に記載の液晶表示装置。
19. 前記第２切開部の幅は８〜１０μｍである、請求項１８に記載の液晶表示装置。
20. 前記基板上に形成されている維持電極をさらに含み、
    前記維持電極は行方向に隣接した第１副画素電極と第２副画素電極との境界部分に位置し、
    前記第１切開部の縦断部は前記維持電極と重畳し、
    前記維持電極の辺とこれに隣接した前記縦断部の辺との間の距離は１μｍ以上である、請求項１８に記載の液晶表示装置。
21. 前記第１切開部の斜線部と前記第１または第２副画素電極の第１斜辺との間の距離、及び前記第２切開部の斜線部と前記第１切開部の斜線部との間の距離は２５〜４０μｍである、請求項１８に記載の液晶表示装置。
22. 前記第１切開部と前記第２切開部との間の距離は、前記第１切開部と前記第１または第２副画素電極の第１斜辺との間の距離より短い、請求項１８に記載の液晶表示装置。
23. 前記第２切開部の斜線部と前記第１切開部の斜線部との間の距離は２０〜３０μｍであり、
    前記第２副画素電極の第１斜辺と前記第１切開部の斜線部との間の距離は３０〜４０μｍである、請求項２２に記載の液晶表示装置。
24. 前記第２切開部の斜線部は、前記第１副画素電極を横切る前記第１切開部の斜線部と連結される、請求項１８に記載の液晶表示装置。
25. 前記第１副画素電極と前記第２副画素電極の電圧は互いに異なる、請求項１〜９のうちのいずれか１項に記載の液晶表示装置。
26. 前記第１副画素電極の面積が前記第２副画素電極の面積より小さく、前記第１副画素電極の電圧が前記第２副画素電極の電圧より高い、請求項２５に記載の液晶表示装置。
27. 前記第２副画素電極の面積は、前記第１副画素電極面積の１．８倍〜２倍である、請求項２６に記載の液晶表示装置。
28. 前記第１副画素電極と前記第２副画素電極とは、１つの映像情報から得られた互いに異なるデータ電圧の印加を受ける、請求項２５に記載の液晶表示装置。
29. 前記第１副画素電極と接続されている第１薄膜トランジスタと、
    前記第２副画素電極と接続されている第２薄膜トランジスタと、
    前記第１薄膜トランジスタと接続されている第１信号線と、
    前記第２薄膜トランジスタと接続されている第２信号線と、
    前記第１及び第２薄膜トランジスタと接続されていて、前記第１及び第２信号線と交差する第３信号線と、
    をさらに含む、請求項２８に記載の液晶表示装置。
30. 前記第１及び第２薄膜トランジスタは、それぞれ前記第１及び第２信号線からの信号によって導通して前記第３信号線からの信号を伝達する、請求項２９に記載の液晶表示装置。
31. 前記第１及び第２薄膜トランジスタは、それぞれ前記第３信号線からの信号によって導通して前記第１及び第２信号線からの信号を伝達する、請求項２９に記載の液晶表示装置。
32. 前記第１副画素電極と前記第２副画素電極とは容量性結合されている、請求項２５に記載の液晶表示装置。
33. 前記第１副画素電極と接続されている薄膜トランジスタと、
    前記薄膜トランジスタと接続されている第１信号線と、
    前記薄膜トランジスタと接続されていて、前記第１信号線と交差する第２信号線と、
    をさらに含む、請求項３２に記載の液晶表示装置。
34. 前記第１及び第２副画素電極が互いに連結されている、請求項１〜９のうちのいずれか１項に記載の液晶表示装置。
35. 互いに対向する一対の平行な斜辺を各々有し、前記斜辺と斜角をなす方向に配列されている第１及び第２副画素電極を含む画素電極と、
    前記画素電極と対向する共通電極と、
    前記画素電極と前記共通電極との間に入っている液晶層と、
    前記第２副画素電極に設けられていて、前記斜辺と平行であり、前記液晶層の液晶分子の傾斜方向を決定する複数の第１傾斜方向決定部材と、
    前記共通電極に設けられていて、前記斜辺と実質的に平行な第１部分を含み、前記斜辺の間または前記斜辺と前記第１傾斜方向決定部材との間に配置されており、前記液晶層の液晶分子の傾斜方向を決定する複数の第２傾斜方向決定部材と、
    を含み、
    前記第１及び第２副画素電極はそれぞれ前記第１または第２傾斜方向決定部材と前記斜辺によって複数の副領域に分れて、
    前記第１副画素電極の副領域の数と前記第２副画素電極の副領域の数とは互いに異なり、
    前記第１副画素電極の斜辺と前記第２副画素電極の斜辺とは画素電極配列方向に対して異なる位置に配置される、液晶表示装置。
36. 前記第１副画素電極の斜辺及び前記第２副画素電極の斜辺と実質的に４５゜をなす偏光軸を有する偏光子をさらに含む、請求項３５に記載の液晶表示装置。
37. 前記副領域の面積は実質的に同一である、請求項３５に記載の液晶表示装置。
38. 前記副領域の面積は前記斜辺から遠いほど小さい、請求項３５に記載の液晶表示装置。
39. 前記基板上に形成されていて、第１及び第２副画素電極を含む第１画素電極と、
    前記基板上に形成されていて、第３及び第４副画素電極を含む第２画素電極と、
    前記第１及び第２画素電極と対向する共通電極と、
    を含み、
    前記第１及び第３副画素電極は、互いに対向する第１辺及び第２辺、前記第１辺及び第２辺から斜角をなして連続し、互いに平行な一対の第１斜辺を有し、
    前記第２及び第４副画素電極は、互いに対向する第１辺及び第２辺、前記第１辺から連続し、前記第１及び第３副画素電極の第１斜辺の一部と実質的に平行であるかまたは垂直である一対の第１斜辺を有し、
    前記第１副画素電極の第１辺と前記第２副画素電極の第１辺とが互いに隣接し、
    前記第３副画素電極の第１辺と前記第４副画素電極の第１辺が互いに隣接し、
    前記第１副画素電極の第１辺の長さと前記第２副画素電極の第１辺の長さとは互いに異なり、
    前記第３副画素電極の第１辺の長さと前記第４副画素電極の第１辺の長さは互いに異なり、
    前記第１副画素電極の第１斜辺と前記第２副画素電極の第１斜辺とは互いに画素電極の配列方向に対して異なる位置に配置され、
    前記第３副画素電極の第１斜辺と前記第４副画素電極の第１斜辺とは互いに画素電極の配列方向に対して異なる位置に配置される液晶表示装置。
40. 前記第１〜第４副画素電極は、前記第１〜第４副画素電極の第１斜辺と直角をなして連続する一対の第２斜辺をさらに有し、
    前記第１及び第３副画素電極の第１斜辺は、それぞれ前記第２及び第４副画素電極の第１斜辺と直角を成し、
    前記第１副画素電極の第１及び第２斜辺と前記第３副画素電極の第１及び第２斜辺とがそれぞれ隣接し、
    前記第４副画素電極の第１及び第２斜辺と前記第２副画素電極の第１及び第２斜辺とがそれぞれ隣接し、
    前記第１部画素電極の第１辺中央は前記第２副画素電極の第１辺中央と整列されており、前記第３副画素電極の第１辺中央は前記第４部画素電極の第１辺中央と整列されている、請求項３９に記載の液晶表示装置。
41. 前記第２副画素電極は、前記第１副画素電極を間に置いて互いに分離されている第１及び第２電極片を含み、
    前記第４副画素電極は、前記第３副画素電極を間に置いて互いに分離されている第１及び第２電極片を含み、
    前記第１及び第３副画素電極は、各々前記第１及び第３副画素電極の第１斜辺と直角をなして連続する一対の第２斜辺をさらに有し、
    前記第１電極片は前記第２及び第４副画素電極の第１斜辺を有し、前記第２電極片は前記第２及び第４副画素電極の第１斜辺と直角である一対の第２斜辺を有し、
    前記第１及び第３副画素電極の第１斜辺は前記第２及び第４副画素電極の第１斜辺と平行であり、
    前記第２副画素電極の第１電極片の第１斜辺と前記第４副画素電極の第１電極片の第１斜辺とが隣接し、
    前記第１副画素電極の第１及び第２斜辺と前記第３副画素電極の第１及び第２斜辺とがそれぞれ隣接する、請求項３９に記載の液晶表示装置。
42. 前記第１〜第４副画素電極の第１辺または第２辺と前記第１斜辺または第２斜辺とは実質的に４５゜または１３５゜をなす、請求項３９〜４１のうちのいずれか１項に記載の液晶表示装置。
43. 前記第１〜第４副画素電極の高さは互いに実質的に同一である、請求項３９〜４１のうちのいずれか１項に記載の液晶表示装置。
44. 前記第２及び第３副画素電極の第１辺の長さは、前記第１及び第４副画素電極の第２辺の長さの１．８倍〜２倍である、請求項４３に記載の液晶表示装置。
45. 基板と、
    前記基板上に形成されていて第１及び第２副画素電極を含む画素電極と、
    前記画素電極と対向する共通電極と、
    を含み、
    前記第１及び第２副画素電極はそれぞれ互いに平行な一対の屈曲辺を有し、
    前記共通電極は第１切開部を有し、
    前記第１及び第２副画素電極は第２切開部を有し、
    前記第２切開部の幅が前記第１切開部の幅より大きい液晶表示装置。
46. 前記第２切開部の幅が前記第１切開部の幅より１〜２μｍ大きい、請求項４５に記載の液晶表示装置。
47. 前記第１切開部の幅は９．５〜１０．５μｍであり、前記第２切開部の幅は８〜１０μｍである、請求項４６に記載の液晶表示装置。
48. 前記第１副画素電極と前記第２副画素電極との間の距離は５．５〜７．５μｍである、請求項４５に記載の液晶表示装置。
49. 前記基板上に形成されており、前記第１副画素電極と前記第２副画素電極との間の境界部分に位置する維持電極をさらに含み、
    前記第１切開部または前記第２切開部は前記維持電極と重畳する部分を含み、
    前記維持電極の辺とこれに隣接した前記第１切開部または前記第２切開部が前記維持電極と重畳する部分の辺の間の距離は１μｍ以上である、請求項４５に記載の液晶表示装置。
50. 前記第１切開部または前記第２切開部における前記維持電極と重畳する部分は端部に行くほど幅が狭くなる、請求項４９に記載の液晶表示装置。

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