JP2007041602A - 液晶表示装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 光センサーと他の感知部を内蔵することによって接触の有無及び接触の位置を検出することができる液晶表示装置を提供する。
【解決手段】第1表示板と、前記第1表示板と対向し、前記第1表示板と離隔される第2表示板と、前記第1表示板と前記第2表示板との間に挟持される液晶層と、圧力によって静電容量が変化する複数の可変キャパシタと、前記第2表示板に形成され、前記可変キャパシタに接続される複数の基準キャパシタとを備える。
【選択図】 図3
Description
このような液晶表示装置は、二つの電極に電圧を印加して液晶層に電界を生成し、この電界の強さを調節して、液晶層を通過する光の透過率を調節することによって所望の画像を得る。
また、光センサーを画素に内蔵する場合、光センサー自体と光センサーに接続される配線によって画素の開口率が減少し、画質が悪化するという問題点があった。
前記第1容量電極と前記第2容量電極との間の距離は前記圧力によって変化し、このために前記静電容量が変化することを特徴とする。
前記第1容量電極は、二つの値を往復する所定の電圧の印加を受けることを特徴とする。
前記第2表示板に形成され、前記基準キャパシタに接続される複数の感知走査線をさらに備えることを特徴とする。
前記第2表示板に形成され、前記可変キャパシタ及び前記基準キャパシタに接続される複数の感知データ線をさらに備えることを特徴とする。
前記感知データ線に接続され、前記基準キャパシタ及び前記可変キャパシタの間の接続点を所定の電圧で充電する複数のスイッチング回路をさらに備えることを特徴とする。
前記第2表示板に形成される複数の画像走査線と、前記画像走査線と絶縁して交差する複数の画像データ線と、前記画像走査線と前記画像データ線に接続されている複数の画素とをさらに備えることを特徴とする。
前記基準キャパシタは、前記画像走査線に接続されることを特徴とする。
前記感知データ線は、前記感知電極を有することを特徴とする。
前記液晶キャパシタは、互いに対向する画素電極及び共通電極と、前記画素電極と共通電極との間に挟持される液晶誘電体とを有することを特徴とする。
画像走査信号を前記画像走査線に印加する画像走査部と、画像データ信号を前記画像データ線に印加する画像データ駆動部と、前記感知データ線から感知信号を受信して処理する感知信号処理部と、前記画像走査部、前記画像データ駆動部、及び前記感知信号処理部を制御する信号制御部とをさらに備えることを特徴とする。
前記基準キャパシタは前記画像走査線に接続されることを特徴とする。
前記基準キャパシタに接続されている複数の感知走査線をさらに備えることを特徴とする。
画像走査信号を前記画像走査線に印加する画像走査部と、画像データ信号を前記画像データ線に印加する画像データ駆動部と、感知走査信号を前記感知走査線に印加する感知走査部と、前記感知データ線から感知信号を受信して処理する感知信号処理部と、前記画像走査部、前記画像データ駆動部、前記感知走査部、及び前記感知信号処理部を制御する信号制御部とをさらに備えることを特徴とする。
前記第2基板上に形成され、前記画像走査線と平行に延びている感知走査線をさらに備え、前記基準電極は前記感知走査線から延長されて出ていることを特徴とする。
前記感知データ線は、前記画像データ線と同一層に形成されることを特徴とする。
前記感知データ線は、前記画素電極と同一層に形成されることを特徴とする。
前記画素電極は透明電極と反射電極とを有し、前記感知データ線は前記透明電極及び反射電極のいずれか一つと同一層に形成されることを特徴とする。
前記第1基板と前記第2基板とを支持する間隔材をさらに備えることを特徴とする。
前記基準電極と前記感知データ線との間に位置する絶縁体をさらに備えることを特徴とする。
図1は本発明の一実施形態に係る液晶表示装置のブロック図であり、液晶表示装置の画素を備える部分のブロック図であり、図2は本発明の一実施形態に係る液晶表示装置の一つの画素に対する等価回路図である。図3は本発明の一実施形態に係る液晶表示装置のブロック図であり、液晶表示装置の感知部を内蔵した部分のブロック図であり、図4は本発明の一実施形態に係る液晶表示装置の一つの感知部に対する等価回路図である。
液晶表示板組立体300は、等価回路的には、複数の表示信号線(G1−Gn、D1−Dm)とこれに接続され、ほぼ行列状に配列された複数の画素(PX)、及び複数の感知信号線(S1−SN、P1−PM)と、これに接続され、ほぼ行列状に配列された複数の感知部を備える。また、、図2及び図4に示した構造によれば、液晶表示板組立体300は、互いに対向する下部及び上部表示板100、200とその間に挟持された液晶層3、下部及び上部表示板100、200の間に間隙を形成し、ある程度圧縮変更される間隔材(図示せず)を備える。
スイッチング素子(Q)は、下部表示板100に具備されている薄膜トランジスタなどの三端子素子であって、その制御端子は画像走査線(Gi)と接続されており、入力端子は画像データ線(Dj)と接続されており、出力端子は液晶キャパシタ(CLC)及びストレージキャパシタ(CST)と接続されている。
液晶キャパシタ(CLC)の補助的な役割を果たすストレージキャパシタ(CST)は、下部表示板100に具備された別個の信号線(図示せず)と、画素電極191が絶縁体を介在して重畳してなり、この別個の信号線には共通電圧(Vcom)などの定められた電圧が印加される。しかし、ストレージキャパシタ(CST)は、画素電極191が絶縁体を媒介としてすぐ上の前段画像走査線と重畳してなることができる。
可変キャパシタ(Cv)は、下部表示板100の感知データ線(Pj)と、上部表示板の共通電極270を二つの端子とし、二つの端子間の液晶層3は誘電体として機能する。可変キャパシタ(Cv)の静電容量(capacitance)は、液晶表示板組立体300に加わる使用者の接触などの外部からの刺激によってその値が変化する。このような外部刺激には圧力があり、圧力が加わるときに可変キャパシタ(Cv)の端子間の距離を変化させる等の方法によって静電容量を変えることができる。可変キャパシタ(Cv)の静電容量が変化して基準キャパシタ(Cp)と可変キャパシタ(Cv)の間の接続点電圧(Vp)が変わるようになり、これは感知データ信号として感知データ線(Pj)に出力される。
感知走査線(S1−SN)を備えることなく画像走査線(G1−Gn)を用いて感知走査線(S1−SN)の機能を行うこともできる。この場合、例えば画素(PX)の縦解像度が感知部の縦解像度の4倍である場合、画像走査線(G4、G8、G12、…、G4k)を感知走査線(S1−SN)として使用することができる。
画像走査部400は、液晶表示板組立体300の画像走査線(G1−Gn)に接続されスイッチング素子(Q)を導通状態にする第1高電圧(Von)と、非導通状態にする第1低電圧(Voff)の組み合わせからなる画像走査信号を画像走査線(G1−Gn)に印加する。
感知走査部700は、感知走査線(S1−SN)に接続され、これらを順次に選択する第2高電圧と第2低電圧からなる感知走査信号を感知走査線(S1−SN)に印加する。感知走査信号に従って各感知走査線(S1−SN)に接続されている基準キャパシタ(Cp)の一端には順次に第2高電圧が印加される。画像走査線(G1−Gn)を感知走査線(S1−SN)として使用する場合、感知走査部700を別途備える必要はなく、画像走査部400が感知走査部700の機能を行う。
初期化回路900はスイッチング素子(図示せず)からなり、感知データ線(P1−PM)と初期化電圧(Vd)の間に接続され、感知データ線(P1−PM)に初期化電圧(Vd)を印加する。
信号制御部600は、画像走査部400、画像データ駆動部500、感知走査部700、感知信号処理部800及び初期化回路900などを制御する。
信号制御部600は、外部のグラフィック制御部(図示せず)から入力画像信号(R、G、B)及びその表示を制御する入力制御信号を受信する。入力画像信号(R、G、B)は各画素(PX)の輝度(luminance)情報を有し、輝度は定められた数、例えば1024(=210)、256(=28)または64(=26)個の階調(gray)を有する。入力制御信号の例としては、垂直同期信号(Vsync)と水平同期信号(Hsync)、メインクロック(MCLK)、データイネーブル信号(DE)などがある。
信号制御部600は、入力画像信号(R、G、B)と入力制御信号に基づいて入力画像信号(R、G、B)を液晶表示板組立体300及び画像データ駆動部500の動作条件に合うように適切に処理し、画像走査制御信号(CONT1)、画像データ制御信号(CONT2)、感知走査制御信号(CONT3)及び感知データ制御信号(CONT4)などを生成した後、画像走査制御信号(CONT1)を画像走査部400に送出し、画像データ制御信号(CONT2)と処理した画像信号(DAT)を画像データ駆動部500に送出し、感知走査制御信号(CONT3)は感知走査部700に送出し、感知データ制御信号(CONT4)は感知信号処理部800に送出する。
画像データ制御信号(CONT2)は、一群の画像データ(DAT)の伝送開始を知らせる水平同期開始信号(STH)と画像データ線(D1−Dm)に画像データ信号の印加を指示するロード信号(LOAD)及びデータクロック信号(HCLK)を含む。画像データ制御信号(CONT2)はまた、共通電圧(Vcom)に対する画像データ信号の電圧極性(以下、“共通電圧に対する画像データ信号の電圧極性”を略して“画像データ信号の極性”という)を反転させる反転信号(RVS)をさらに含むことができる。
画像走査部400は、信号制御部600からの画像走査制御信号(CONT1)に従って第1高電圧(Von)を画像走査線(G1−Gn)に印加し、この画像走査線(G1−Gn)に接続されたスイッチング素子(Q)を導通状態にする。すると、画像データ線(D1−Dm)に印加された画像データ信号が導通したスイッチング素子(Q)を介して当該画素(PX)に印加される。
1水平周期(1Hとも言い、水平同期信号Hsync及びデータイネーブル信号DEの一周期と同一である。)を単位として上記過程を反復することによって、全画像走査線(G1−Gn)に対して順次に第1高電圧(Von)を印加し、全画素(PX)に画像データ信号を印加することで、1フレームの画像を表示する。
図5は本発明の一実施形態に係る液晶表示装置の共通電圧と感知走査信号のタイミング図の一例である。
図5に示すように、共通電圧(Vcom)は、第3高電圧と第3低電圧を2H周期で往復し、信号制御部600は、共通電圧(Vcom)が第3高電圧であるとき、高レベルのスイッチング信号(SW)を初期化回路900に送って2H周期で感知データ線(P1−PM)を初期電圧(Vd)に初期化し、感知データ信号を読み取る間、低レベルのスイッチング信号(SW)を初期化回路900に印加して、感知データ線(P1−PM)を浮遊(floating)状態にする。スイッチング信号(SW)のパルスは、その幅が1Hより小さく、共通電圧(Vcom)のレベルが変換される間は印加されないようにする。このように、共通電圧(Vcom)が第3高電圧になる度に、基準キャパシタ(Cp)と可変キャパシタ(Cv)の間の接続点電圧(Vp)を初期化電圧(Vd)に初期化することによって感知データ信号の一貫性を維持することができる。
図5と異なり、共通電圧(Vcom)が第3低電圧であるときに感知データ線(P1−PM)を初期化し、共通電圧(Vcom)が第3高電圧であるときに感知走査を行ってもよい。また、共通電圧(Vcom)は一定の直流電圧であっても構わない。
このような感知動作は、フレームごとに反復するか、複数のフレームごとに反復してもよい。
図6は、本発明の一実施形態に係る液晶表示装置に接触したときの感知信号を示したグラフであり、1フレームの間に感知走査線(S1−SN)に順次に第2高電圧を印加するときに一つの感知データ線(P1−PM)に沿って流れる感知データ信号を測定し、適当な信号処理を行なって抽出した感知信号を示すグラフである。感知走査線(S1−SN)の数が84個である液晶表示板組立体300に指先を接触して測定した。グラフにおいて、X軸は液晶表示板組立体300における列方向の位置を、Y軸は正規化された感知信号を示す。
このように、液晶表示板組立体300に使用者の指先などで接触する場合、感知信号処理部800は、1フレーム分の感知信号を分析することによって行と列方向の接触の位置を検出することができる。
図7は本発明の一実施形態に係る液晶表示板組立体の配置図であり、図8乃至図10はそれぞれ図7に示した液晶表示板組立体のVIII−VIII線、IX−IX線、及びX−X線に沿った断面図である。
本発明の一実施形態に係る液晶表示板組立体は、互いに対向する下部表示板100と上部表示板200、及び二つの表示板100、200の間に挟持された液晶層3を備える。
透明なガラスまたはプラスチックなどからなる絶縁基板110上に、複数の画像走査線121と、複数の維持電極線131が形成されている。
画像走査線121は、画像走査信号を伝達し、主に横方向に延びている。各画像走査線121は、上方に突出した複数の制御電極124、他の層または外部駆動回路との接続のために広い面積の端部129、及び維持電極線131に向かって下方に長く延びた基準電極122を有する。画像走査信号を生成する画像走査駆動回路(図示せず)は、基板110上に付着されたフレキシブル印刷回路膜(図示せず)上に装着されたり、基板110上に直接装着されたり、基板110に集積されることができる。画像走査駆動回路が基板110上に集積されている場合、画像走査線121が延びてそれと直接接続できる。
画像走査線121及び維持電極線131は、アルミニウム(Al)やアルミニウム合金などアルミニウム系金属、銀(Ag)や銀合金など銀系金属、銅(Cu)や銅合金など銅系金属、モリブデン(Mo)やモリブデン合金などモリブデン系金属、クロム(Cr)、タンタル(Ta)及びチタニウム(Ti)などからなることができる。しかし、これらは物理的性質が異なる二つの導電膜(図示せず)を含む多重膜構造を有することもできる。
画像走査線121及び維持電極線131上には、窒化シリコン(SiNx)または酸化シリコン(SiOx)などからなる絶縁膜140が形成されている。
絶縁膜140上には、水素化非晶質シリコン(非晶質シリコンはa−Siと略称する)または多結晶シリコンなどからなる複数の線状半導体151が形成されている。線状半導体151は、主に縦方向に延びており、制御電極124に向かって延び出た複数の突出部154、及びこれから維持電極133に向かって延び出た複数の突出部157を有する。線状半導体151は、画像走査線121及び維持電極線131と出会う近傍で幅が広くなり、これらを幅広く覆う。
線状半導体151とオーミック接触部材161、165の側面もまた、基板110面に対して傾斜しており、その傾斜角は約30゜〜約80゜である。
オーミック接触部材161、165及び絶縁膜140上には、複数の画像データ線171、複数の出力電極175、及び複数の感知データ線172を含む複数のデータ導電体が形成されている。
一つの制御電極124、一つの入力電極173及び一つの出力電極175は、線状半導体151の突出部154と共に一つの薄膜トランジスタ(TFT)を構成し、薄膜トランジスタのチャンネルは、入力電極173と出力電極175の間の突出部154に形成される。
データ導電体(171、172、175)は、モリブデン、クロム、タンタル及びチタニウムなど耐火性金属またはこれらの合金からなることが好ましく、耐火性金属膜(図示せず)と低抵抗導電膜(図示せず)を含む多重膜構造を有することができる。多重膜構造の例としては、クロムまたはモリブデン(合金)下部膜とアルミニウム(合金)上部膜の二重膜、モリブデン(合金)下部膜とアルミニウム(合金)中間膜とモリブデン(合金)上部膜の三重膜がある。しかし、データ導電体(171、172、175)はこれ以外にも種々の金属または導電体からなることができる。
データ導電体(171、172、175)もまた、その側面が基板110面に対して30゜〜80゜程度の角度で傾斜していることが好ましい。
保護膜180には画像データ線171の端部179と出力電極175をそれぞれ露出させる複数のコンタクトホール(接触孔)182、185が形成されており、保護膜180と絶縁膜140には画像走査線121の端部129を露出させる複数のコンタクトホール181が形成されている。
保護膜180上には、複数の画素電極191及び複数の接触補助部材81、82が形成されている。
反射電極194は、上部保護膜180qの開口部に位置し、透明電極192を露出させる透過窓195を有する。
透過領域(TA)では、下部表示板100の下に配置されたバックライト部(図示せず)からの光が液晶層3を通過し、上面つまり上部表示板200側に出射することで表示を行う。反射領域(RA)では、上面からの光が液晶層3に入射し反射電極194で反射され、液晶層3を再び通過して上面に出射することで表示を行う。この時、反射電極194の屈曲(凹凸)は、光の反射効率を向上させる。
基準キャパシタ(Cp)は、絶縁膜140を介在して基準電極122と感知データ線172が重畳してなり、可変キャパシタ(Cv)は、保護膜180及び液晶層3を介在して感知データ線172と上部表示板200の共通電極270が重畳してなる。よって図3に示したように、一つの感知データ線172に沿って複数個の可変キャパシタ(Cv)は連続的に形成されるが、一つの感知データ線172に沿って形成される複数の基準キャパシタ(Cp)はそれぞれ独立的に形成されている。
透明なガラスまたはプラスチックなどからなる絶縁基板210上に(図8、9上では下に)遮光部材220が形成されている。遮光部材220はブラックマトリックスともいい、画素電極191と対向する複数の開口領域を定義する一方、画素電極191間の光漏れを防止する。
また、基板210上には、複数のカラーフィルタ230が形成されており、遮光部材220で覆われた開口領域内にほとんど入るように配置されている。カラーフィルタ230は、画素電極191に沿って縦方向に長く延び、帯(stripe)をなすことができる。各カラーフィルタ230は赤色、緑色及び青色の三原色など、基本色のうちの一つを表示することができる。
オーバーコート膜250上には共通電極270が形成されている。共通電極270は、ITOやIZOなど透明な導電体からなることが好ましい。
液晶層3は垂直配向または水平配向を有する。透過領域(TA)における液晶層3の厚さは、反射領域(RA)における液晶層3の厚さの2倍程度であるが、これは透過領域(TA)に上部保護膜180qがないためである。
また、液晶表示板組立体300は、下部表示板100と上部表示板200を結合する封止材(sealant)(図示せず)をさらに備えることができる。封止材は上部表示板200の周縁に位置する。
なお、別途の感知走査線を画像走査線121と同一層に形成し、画像走査線121の代りに感知走査線を感知データ線172と重畳させて基準キャパシタ(Cp)を形成することもできる。
400 画像走査部
500 画像データ駆動部
550 階調電圧生成部
600 信号制御部
700 感知走査部
800 感知信号処理部
900 初期化回路
121 画像走査線
131 維持電極線
161、165 オーミック接触部材
180 保護膜
191 画素電極
192 透明電極
194 反射電極
270 共通電極
181、182、185 コンタクトホール(接触孔)
320 弾性間隔材
3 液晶層
Claims (25)
- 第1表示板と、
前記第1表示板と対向し、前記第1表示板と離隔される第2表示板と、
前記第1表示板と前記第2表示板との間に挟持される液晶層と、
圧力によって静電容量が変化する複数の可変キャパシタと、
前記第2表示板に形成され、前記可変キャパシタに接続される複数の基準キャパシタとを備えることを特徴とする液晶表示装置。 - 前記可変キャパシタは、前記第1表示板に形成される第1容量電極と、前記第2表示板に形成される第2容量電極とを有することを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記第1容量電極と前記第2容量電極との間の距離は前記圧力によって変化し、このために前記静電容量が変化することを特徴とする請求項2に記載の液晶表示装置。
- 前記第1容量電極は、二つの値を往復する所定の電圧の印加を受けることを特徴とする請求項2に記載の液晶表示装置。
- 前記第2表示板に形成され、前記基準キャパシタに接続される複数の感知走査線をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記第2表示板に形成され、前記可変キャパシタ及び前記基準キャパシタに接続される複数の感知データ線をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記感知データ線に接続され、前記基準キャパシタ及び前記可変キャパシタの間の接続点を所定の電圧で充電する複数のスイッチング回路をさらに備えることを特徴とする請求項6に記載の液晶表示装置。
- 前記第2表示板に形成される複数の画像走査線と、
前記画像走査線と絶縁して交差する複数の画像データ線と、
前記画像走査線と前記画像データ線に接続されている複数の画素とをさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。 - 前記基準キャパシタは、前記画像走査線に接続されていることを特徴とする請求項8に記載の液晶表示装置。
- 複数の画像走査線と、
前記画像走査線と交差する複数の画像データ線と、
前記画像走査線と交差する複数の感知データ線と、
前記画像走査線及び前記画像データ線に接続される複数の画素と、
前記感知データ線に接続される複数の感知部とを備え、
前記画素は、液晶キャパシタと、
前記液晶キャパシタと前記画像走査線のうちの一つと前記画像データ線のうちの一つとに接続されているスイッチング素子とを有し、
前記感知部は、前記感知データ線に接続され、接触によって静電容量が変化する可変キャパシタと、
前記感知データ線及び前記可変キャパシタに接続される基準キャパシタとを有することを特徴とする液晶表示装置。 - 前記可変キャパシタは、互いに対向する感知電極及び共通電極と、前記感知電極と前記共通電極の間に挟持される液晶誘電体とを有することを特徴とする請求項10に記載の液晶表示装置。
- 前記感知データ線は、前記感知電極を有することを特徴とする請求項11に記載の液晶表示装置。
- 前記液晶キャパシタは、互いに対向する画素電極及び前記共通電極と、前記画素電極と共通電極の間に挟持される液晶誘電体とを有することを特徴とする請求項10に記載の液晶表示装置。
- 画像走査信号を前記画像走査線に印加する画像走査部と、
画像データ信号を前記画像データ線に印加する画像データ駆動部と、
前記感知データ線から感知信号を受信して処理する感知信号処理部と、
前記画像走査部、前記画像データ駆動部、及び前記感知信号処理部を制御する信号制御部とをさらに備えることを特徴とする請求項10に記載の液晶表示装置。 - 前記基準キャパシタは、前記画像走査線に接続されていることを特徴とする請求項10に記載の液晶表示装置。
- 前記基準キャパシタに接続されている複数の感知走査線をさらに備えることを特徴とする請求項10に記載の液晶表示装置。
- 画像走査信号を前記画像走査線に印加する画像走査部と、
画像データ信号を前記画像データ線に印加する画像データ駆動部と、
感知走査信号を前記感知走査線に印加する感知走査部と、
前記感知データ線から感知信号を受信して処理する感知信号処理部と、
前記画像走査部、前記画像データ駆動部、前記感知走査部、及び前記感知信号処理部を制御する信号制御部とをさらに備えることを特徴とする請求項16に記載の液晶表示装置。 - 第1基板と、
前記第1基板上に形成される共通電極と、
前記第1基板と対向し、前記第1基板と離隔される第2基板と、
前記第2基板上に形成される画像走査線と、
前記第2基板上に形成され、前記画像走査線と交差する画像データ線と、
前記画像走査線及び前記画像データ線に接続される薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタに接続され、前記共通電極と対向する画素電極と、
前記第2基板上に形成され、前記画像データ線と平行に延びて前記共通電極と対向する感知データ線と、
前記第2基板上に形成され、前記感知データ線と対向する基準電極と、
前記第1基板と前記第2基板の間に挟持される液晶層とを備えることを特徴とする液晶表示装置。 - 前記基準電極は前記画像走査線から延長されて出ていることを特徴とする請求項18に記載の液晶表示装置。
- 前記第2基板上に形成され、前記画像走査線と平行に延びている感知走査線をさらに備え、
前記基準電極は、前記感知走査線から延長されて出ていることを特徴とする請求項18に記載の液晶表示装置。 - 前記感知データ線は、前記画像データ線と同一層に形成されることを特徴とする請求項18に記載の液晶表示装置。
- 前記感知データ線は、前記画素電極と同一層に形成されることを特徴とする請求項18に記載の液晶表示装置。
- 前記画素電極は透明電極と反射電極とを有し、
前記感知データ線は、前記透明電極及び反射電極のうちのいずれか一つと同一層に形成されることを特徴とする請求項18に記載の液晶表示装置。 - 前記第1基板と前記第2基板とを支持する間隔材をさらに備えることを特徴とする請求項18に記載の液晶表示装置。
- 前記基準電極と前記感知データ線の間に位置する絶縁体をさらに備えることを特徴とする請求項18に記載の液晶表示装置。
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