JP2007142190A - 露光装置及びデバイス製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】温度変化に起因するミラー部材の変形による収差変動を低減する技術の実現。
【解決手段】原版のパターンを基板に露光する露光装置であって、前記原版を照明する照明光を照射する照明光学系と、照明光により照明された前記パターンを前記基板に投影する投影光学系と、前記照明光学系及び前記投影光学系の少なくともいずれかを収容する真空容器と、を備え、前記照明光学系及び前記投影光学系の少なくともいずれかの温度変化を抑制するために、前記真空容器内で発生する熱及び外部から前記真空容器内に入り込む熱を吸収する吸熱手段を設けた。
【選択図】 図１

Description

本発明は、例えば、波長２００ｎｍ乃至１０ｎｍの極端紫外線又はＸ線を用いて、半導体ウエハ用の単結晶基板や液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）用のガラス基板等を露光する技術に関する。

従来より、フォトリソグラフィー（焼き付け）技術を用いて半導体メモリや論理回路などの微細な半導体素子を製造する際に、レチクル又はマスク（以下、原版という。）に描画された回路パターンを投影光学系を通じてウエハ等に投影して転写する縮小投影露光装置が使用されている。

この縮小投影露光装置では、転写できる最小の寸法（解像度）は、露光に用いる光の波長に比例し、投影光学系の開口数（ＮＡ）に反比例する。従って、波長を短くするほど、解像度は向上する。このため、近年の半導体素子の微細化への要求に伴い露光光の短波長化が進められている。そして、超高圧水銀ランプ（ｉ線（波長約３６５ｎｍ））、ＫｒＦエキシマレーザー（波長約１４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザー（波長約１９３ｎｍ）と用いられる紫外線光の波長は短くなってきている。

しかしながら、半導体素子は急速に微細化しており、紫外線光を用いたリソグラフィーでは限界がある。そこで、０．１μｍ以下の非常に微細な回路パターンを効率よく転写するために、紫外線光よりも波長が短い、波長１０〜１５ｎｍ程度の極端紫外線領域（Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａ Ｖｉｏｌｅｔ）の光を用いたＥＵＶ露光装置が開発されている。

露光光の短波長化が進むと物質による光の吸収が非常に大きくなるので、可視光や紫外光で用いられるような光の屈折を利用した屈折素子、即ち、レンズを用いることは難しい。更に、ＥＵＶ光の波長領域では使用できる硝材が存在しなくなり、光の反射を利用した反射素子、即ち、ミラー部材（例えば、多層膜ミラー）のみで光学系を構成する反射型光学系が用いられる。

ミラー部材は露光光を全て反射するわけではなく、３０％以上の露光光を吸収する。吸収した露光光は、分熱となりミラーの表面形状を変形させて光学性能（特に、結像性能）の劣化を引き起こしてしまう。そこで、ミラーは、温度変化によるミラー形状の変化を小さくするために線膨張係数の小さな、例えば、線膨張係数が１０ｐｐｂといった低熱膨張ガラスで構成される。

上記低熱膨張ガラスで代表的なゼロデュア（ＳＨＯＴＴ製）はその熱膨張率が室温付近でゼロとなる温度（ゼロクロス温度）が存在するので、その温度付近で用いることが考えられている。

ＥＵＶ露光装置は、０．１μｍ以下の回路パターンの露光に使用されるため、線幅精度が非常に厳しく、ミラーの表面形状は０．１ｎｍ程度以下の変形しか許されない。従って、ミラーの線膨張係数を１０ｐｐｂとしても、温度が除々に上昇し、ミラー表面の形状が変化してしまう。例えば、ミラーの厚さが５０ｍｍであるとすると、０．２℃の温度上昇により、ミラー表面の形状が０．１ｎｍ変化することになる。

この課題を解決するために、ＥＵＶ露光装置が真空中に設置されることから、光学系のミラーを取り囲むように配置された冷却板からの輻射や伝熱による方法等が種々提案されている。

しかしながら、ＥＵＶ露光装置にて発生する熱は露光熱ばかりでない。熱源の代表的なものが真空容器に取り付けられた真空ポンプ（真空容器に対しての外部からの熱）や、照明光学系、投影光学系等の内部に配置されたアクチュエータやセンサ（真空容器に対しての内部からの熱）である。

そして、特開２００２−１２４４６１号公報（特許文献１）には、この課題を解決する方法が提案されている。

ここで、上記特許文献１記載の方法について図５を用いて説明する。

図５において、光源ＬＡから射出されたＥＵＶ光ＰＢは放射システムＩＬを介してマスクＭＡに集光され、更に投影システムＰＬを介して基板Ｗ上に集光する。ＭＴ、ＷＴは、マスクＭＡ、基板Ｗをそれぞれ走査するためのテーブルである。

そして、これらの光学系は真空ポンプＶＰを持つ真空容器ＶＣに収容されており、真空ポンプＶＰの輻射熱を輻射率の低い熱そらせ板ＴＢで回避して投影システムＰＬ等に影響が出ないように構成されている。更に、投影システムＰＬや基板テーブルＷＴ等から発生する熱を密閉体である輻射率の高い板ＴＥで囲むように構成している。
特開２００２−１２４４６１号公報

上述したように、真空雰囲気を必要とする露光装置では、真空ポンプＶＰからの輻射熱を輻射率の低い板ＴＢ等で回避したり、その他の熱源からの熱を輻射率の高い板ＴＥ等で吸収している。

しかしながら、回避された熱や吸収された熱は、真空雰囲気であるために真空容器ＶＣ外にはなかなか放出されないため、真空容器ＶＣ内の温度は高くなる。そして、真空雰囲気内で使用される低熱膨張ガラス（ゼロデュア）は、前述したようにゼロクロス温度付近で使用される。このため、真空容器ＶＣの温度を一定に保っていたとしても、真空ポンプＶＰ等からの輻射熱の影響でガラス周辺の温度はゼロクロス温度より高くなってしまい、理想的な温度環境で使用できないという課題があった。

本発明は、上記課題に鑑みてなされ、その目的は、よって、温度変化に起因するミラー部材の変形による収差変動を低減できる技術を実現することである。

上記課題を解決し、目的を達成するため、本発明は、原版のパターンを基板に露光する露光装置であって、前記原版を照明する照明光を照射する照明光学系と、照明光により照明された前記パターンを前記基板に投影する投影光学系と、前記照明光学系及び前記投影光学系の少なくともいずれかを収容する真空容器と、を備え、前記照明光学系及び前記投影光学系の少なくともいずれかの温度変化を抑制するために、前記真空容器内で発生する熱及び外部から前記真空容器内に入り込む熱を吸収する吸熱手段を設けた。

本発明によれば、真空容器内で発生する熱や外部から真空容器に入り込む熱による温度上昇を抑え、真空容器内の温度を一定に保つことが可能となる。よって、真空容器内のミラー温度を一定に保つ（ゼロクロス温度）ことができ、ミラー部材の変形を低減することが可能となる。そして、この温度変化に起因するミラー部材の変形による収差変動が低減されることになる。

以下に、本発明の実施の形態を添付の図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下に説明する実施の形態は、本発明の実現手段としての一例であり、本発明が適用される装置の構成や各種条件によって適宜修正又は変更されるべきものである。例えば、本発明は、ＥＵＶ光の他、Ｘ線を光源として利用して、半導体ウエハ用の単結晶基板や液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）用のガラス基板等を露光する露光装置やデバイス製造方法にも適用できる。

［第１の実施形態］
図１は、本発明に係る第１の実施形態の露光装置の全体構成を示す側面図（ａ）、Ａ方向からみた矢視図（ｂ）、Ｂ部の詳細図（ｃ）である。

図１において、１００は光源部、１２は光源部１００を囲む真空容器、２１は真空容器１２内を真空雰囲気にするための真空ポンプ、２２は真空容器１２と真空ポンプ２１を連結する結合部材である。

また、２００は照明光学系（鏡筒）、４００は投影光学系（鏡筒）、３５０はマスク３００を駆動するマスクステージ、５５０は被処理体（ウエハ）５００を駆動するウエハステージである。更に、１４は上記各構成物を囲む真空容器、２３は真空容器１４内を真空雰囲気にするための真空ポンプ、２４は真空容器１４と真空ポンプ２３とを連結する結合部材である。

ここで、光源部１００、照明光学系２００、及び投影光学系４００について図４を用いて詳細に説明する。

図４において、露光装置１０は露光用の照明光としてＥＵＶ光（例えば、波長１３．４ｎｍ）を用いてステップ・アンド・スキャン方式の投影露光を行い、光源部１００、照明光学系２００、マスク３００、投影光学系４００、被処理体５００を有する。また、露光装置１０は、マスク３００を載置するマスクステージ３５０及び被処理体５００を載置するウエハステージ５５０を更に有し、マスクステージ３５０とウエハステージ５５０は図示しない制御部に接続されて駆動制御される。

真空容器１２内で発生したＥＵＶ光束１６０は、窓部２１０を通って照明光学系２００及び投影光学系４００が配置されている真空容器１４内に入る。その後、照明光学系２００のミラー群で反射し、ミラー２８６で跳ね上げられてマスク３００に入射する。そして、このマスク３００上のパターンが投影光学系４００を通じて被処理体（ウエハ）５００に結像する。

図１の説明に戻り、真空容器１４の内壁付近には、光源部１００から光を通す窓部２１０、真空ポンプ２３が結合部材２４を介して取り付けられている部分等を除いて、全面に熱吸収板２６が配置されている。更に熱吸収板２６は熱伝導部材３３を介して真空容器１４の壁部に熱交換可能に連結されている。

上記構成を詳細に示したのが図１（ｃ）である。熱伝導部材３３は、例えば両端に雄ネジが切ってあり、一端を真空容器１４の壁部に形成された雌ネジにねじ込み、他端は熱吸収板２６をはめ込んだ後、ナット３５で締結する。

また、別の構成として、熱吸収板２６と真空容器１４の壁部の間にインジウム等の熱伝導率の大きい、柔らかい金属で埋め、熱吸収板２６をネジ等で真空容器１４の壁部に締結しても良い。柔らかいという条件は、熱吸収板２６及び真空容器１４の壁部に密着させるために必要である。

以上の例の他、熱吸収板２６が真空容器１４の壁部に熱交換可能に連結されていれば別の形態でも良い。

熱吸収板２６に求められる条件は、真空容器１４内部に向く面の輻射率が大きいことと熱吸収板２６の母材の熱伝導率が大きいことである。この条件は、例えば、母材を銅（熱伝導率：４０３Ｗ／ｍ・Ｋ）或いはアルミニウム（熱伝導率：２３８Ｗ／ｍ・Ｋ）とし、表面処理として、Ａｌ₂Ｏ₃（アルミナセラミクス、輻射率：０．６程度）或いはＡｌ₂Ｏ₃とＳｉＯ₂の混合物（輻射率：０．８５程度）を溶射することで達成される。

また、熱伝導部材３３に求められる条件は、熱伝導率が大きいことである。これは例えば銅（熱伝導率：４０３Ｗ／ｍ・Ｋ）、アルミニウム（熱伝導率：２３８Ｗ／ｍ・Ｋ）或いはＳｉＣ（熱伝導率：１５０Ｗ／ｍ・Ｋ）で達成される。

更に真空容器１４の壁部も熱伝導率が大きいほうが良いので、例えばアルミニウム（熱伝導率：２３８Ｗ／ｍ・Ｋ）を用いることでこの条件が達成される。

真空容器１４は、温調チャンバ２７の中に配置される。温調チャンバ２７からは、一定の温度に管理された空気流３１が噴き出している。一定の温度とは、投影光学系４００内、或いは照明光学系２００内の温度がゼロクロス温度になる温度が考えられる。なお、上記空気流３１に代えて、ゼロクロス温度に管理された他の冷却媒体（不活性ガス等）を用いて熱を取り去っても良い。

投影光学系（鏡筒）４００内には、鏡筒内温度センサ３９が配置されており、その温度情報が温調チャンバ２７の温度制御を行う温調チャンバ温度制御部３８に伝えられる。そして、例えば、鏡筒内温度センサ３９が検出した鏡筒内の温度がゼロクロス温度より高ければ温調チャンバ２７から噴き出す空気流３１の温度を下げることで、投影光学系（鏡筒）４００内の温度をゼロクロス温度にすることが可能となる。

また、投影光学系４００内の温度と真空容器１４外の温度との相互関係が予めわかれば、鏡筒内温度センサ３９の検出温度を温調チャンバ温度制御部３８にフィードバックするのではなく、真空容器壁温度センサ４０の検出温度をフィードバックしても良い。更に、フィードバック制御の基本情報となる温度は、鏡筒内温度センサ３９ではなく、不図示の照明光学系（鏡筒）２００内に配置された温度センサでも良い。

上記真空容器１４内に配置される照明光学系２００及び投影光学系４００の各ミラーは、一定の温度環境で使用されることが好ましい。なぜならば、温度が変化することで、面変形が起こり、その変形の大きさが変化し収差変動を引き起こすからである。特に、ミラーの中でもＥＵＶ露光装置で使用する可能性の高い低熱膨張ガラスで代表的なゼロデュア（ＳＨＯＴＴ製）はその熱膨張率が室温付近でゼロとなる温度（ゼロクロス温度）が存在する。よって、その温度にて一定に保つことで面変形をゼロ（或いは低減）させることが可能となるので、温度をゼロクロス温度に保つことはなおさら重要である。

しかしながら、真空容器１４内では様々な要因により熱が発生し温度が上昇する。

先ず考えられるのは、露光光がミラーに照射されることで発生する熱や、照明光学系２００及び投影光学系４００内に配置されるミラー駆動用のアクチュエータや、ミラー位置計測用センサから発生される、真空容器１４の内部で発生する熱である。

これらの熱は、発生すると、最終的には輻射熱となり、真空容器１４の内壁付近に配置された熱吸収板２６に達する。そしてその熱は熱伝導部材３３、真空容器１４の壁部を通って真空容器１４の外壁に達する。真空容器１４の外壁は、温調チャンバ２７から噴き出されている空気流３１にさらされているので、その熱が取り去られ、一定の温度に管理された空気流３１によって、真空容器１４内の温度は一定になる。

次に考えられるのは、真空容器１４に取り付けられた真空ポンプ２３等、外部からの熱である。図１（ｂ）に示すように、この熱３４は投影光学系４００等に輻射熱として達する場合がある。光学系に達した熱は、投影光学系４００内に配置されたミラーの温度を上昇させ、面変形を悪化させることになる。

このような問題を解決するためには、投影光学系４００の外壁に少なくとも一部を輻射率の小さい（反射率の大きい）熱反射板３２で覆えば良い。こうすることで、投影光学系４００に達した熱は熱反射板３２で反射され、熱吸収板２６に達する。その後は内部から発生する熱と同様になるので、その原理や効果等に関する説明は省略する。

上記熱反射板３２は、真空ポンプ２３からの熱など、外部からの輻射熱に対して効果的な部分に配置することが重要である。本実施形態では、投影光学系４００付近に設けたが、露光装置全体の配置から、効果的な場所が照明光学系２００である場合は照明光学系２００の外壁に、或いは、照明光学系２００及び投影光学系４００両方に配置すれば良い。

また、熱反射板３２は、投影光学系４００の鏡筒に、別部材で取り付けられるようにしても良いし、或いは、投影光学系４００の鏡筒そのものが輻射率の小さい部材で構成されていても良い。

以上のように、真空容器１４内で発生する熱も、真空容器１４外で発生する熱も、最終的に熱吸収板２６に達し、熱伝導部材３３及び真空容器１４を通じて外壁に至り、一定温度に管理された温調チャンバ２７からの空気流３１に晒される。このため、真空容器１４内部の温度はゼロクロス温度で一定に保つことが可能となる。よって、温度変化に起因するミラー部材の変形による収差変動をゼロ或いは低減することが可能となる。

［第２の実施形態］
第２の実施形態は、特に真空容器１４外で発生する真空ポンプ２３からの熱を効果的に取り去る構成に関するものである。

図２は、本発明に係る第２の実施形態として、図１のＣ部を詳細に示す図である。

図２において、真空ポンプ２３と真空容器１４とを連結する結合部材２４の内壁には表面処理層３０が形成されている。表面処理層３０に求められる条件とは、輻射率の大きいことである。これは、第１の実施形態でも説明した通り、Ａｌ₂Ｏ₃（アルミナセラミクス、輻射率：０．６程度）或いは、Ａｌ₂Ｏ₃とＳｉＯ₂の混合物（輻射率：０．８５程度）を溶射することで達成される。

このような構成にすれば、真空ポンプ２３で発生した熱３４は、表面処理層３０で吸収されて結合部材２４の外壁に達し、温調チャンバ２７から噴き出される空気流３１にて冷却される。このため、熱３４は真空容器１４内部に侵入することが無くなる、或いは低減され、真空容器１４内部の温度環境をゼロクロス温度にて一定にする効果が高くなる。

本実施形態では、結合部材２４の冷却を温調チャンバ２７からの空気流３１として説明したが、冷却ジャケットを結合部材２４に巻き、ゼロクロス温度に管理された冷却媒体を流すことで熱３４を取り去っても良い。また、結合部材２４の内壁を輻射率の大きい表面処理層３０で覆う構成にしているが、図１（ａ）に示すような、熱伝導部材３３を介して熱吸収板２６を結合部材２４の内壁付近に配置しても良い。

［第３の実施形態］
第３の実施形態は、真空容器１４の冷却に空気流３１ではなく、冷却ジャケット２５を用いている点で第１の第１の実施形態と相違している。

図３は、本発明に係る第３の実施形態の露光装置の全体構成を示す側面図（ａ）及び真空容器に配された冷却ジャケットの図（ｂ）である。なお、以下では、図１と同一の構成には同一の符号を付して説明は省略する。

図３に示すように、真空容器１４内部或いは外部で発生した熱は、熱吸収板２６及び熱伝導部材３３を介して真空容器１４の壁部に達する。

真空容器１４の外部は、熱交換可能に連結された冷却ジャケット２５で覆われている。冷却ジャケット２５は、具体的には、図３（ｂ）に示すように、パイプ２５Ａ及びチューブ２５Ｂから成り立っており、その中をチラー３６で温度制御された冷却媒体が流通している。冷却媒体としては、水等の熱容量の大きい流体が良い。

チラー３６の役目は、冷却媒体を一定に保つことで投影光学系４００或いは照明光学系２００内をゼロクロス温度にすることと、その冷却媒体を供給管２８を介して供給すると共に回収管２９を介して回収し循環させることである。

投影光学系（鏡筒）４００内には、鏡筒内温度センサ３９が配置されており、その温度情報がチラー３６の温度制御を行うチラー温度制御部４１に伝えられる。そして、例えば、鏡筒内温度センサ３９が検出した鏡筒内の温度がゼロクロス温度より高ければチラー３６から流す冷却媒体の温度を下げることで、投影光学系（鏡筒）４００内の温度をゼロクロス温度にすることが可能となる。

また、投影光学系４００内の温度と真空容器１４外の温度との相互関係が予めわかっていれば、鏡筒内温度センサ３９の検出温度をチラー温度制御部４１にフィードバックするのではなく、真空容器壁温度センサ４０の検出温度をフィードバックしても良い。

更に、フィードバック制御の基本情報となる温度は、投影光学系（鏡筒）４００内に配置された鏡筒内温度センサ３９ではなく、不図示の照明光学系（鏡筒）２００内に配置された温度センサでも良い。

以上のように、真空容器１４内で発生する熱も、真空容器１４外で発生する熱も、最終的に熱吸収板２６に達し、熱伝導部材３３、真空容器１４を通じて外壁に至り、一定温度に管理されたチラー３６からの冷却媒体が通る冷却ジャケット２５に触れる。このため、投影光学系（鏡筒）４００内の温度、或いは照明光学系（鏡筒）２００内の温度はゼロクロス温度で一定に保つことが可能となる。よって、温度変化に起因するミラー部材の変形による収差変動をゼロ或いは低減することが可能となる。

［デバイス製造方法］
次に、上述した露光装置を利用したデバイス製造方法の実施形態を説明する。

図６は微小デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製造のフローを示す。ステップＳ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行う。ステップＳ２（露光制御データ作成）では設計した回路パターンに基づいて露光装置の露光制御データを作成する。一方、ステップＳ３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップＳ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意した露光制御データが入力された露光装置とウエハを用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップＳ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップＳ４によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含む。ステップＳ６（検査）ではステップＳ５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷（ステップＳ７）される。

図７は上記ウエハプロセスの詳細なフローを示す。ステップＳ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化させる。ステップＳ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁膜を形成する。ステップＳ１３（電極形成）ではウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップＳ１４（イオン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップＳ１５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステップＳ１６（露光）では上記説明した露光装置によって回路パターンをウエハに焼付露光する。ステップＳ１７（現像）では露光したウエハを現像する。ステップ１８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップＳ１９（レジスト剥離）ではエッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンが形成される。

本発明に係る第１の実施形態の露光装置の全体構成を示す側面図（ａ）、Ａ方向からみた矢視図（ｂ）、Ｂ部の詳細図（ｃ）である。 本発明に係る第２の実施形態として、図１のＣ部を詳細に示す図である。 本発明に係る第３の実施形態の露光装置の全体構成を示す側面図（ａ）及び真空容器に配された冷却ジャケットの図（ｂ）である。 図１乃至図３に共通する光学系の詳細構成を示す図である。 従来例の露光装置の全体構成を示す図である。 微小デバイスの製造フローを説明する図である。 ウエハプロセスを説明する図である。

符号の説明

１２，１４：真空容器
２１，２３：真空ポンプ
２２，２４：結合部材
２５：冷却ジャケット
２５Ａ：パイプ
２５Ｂ：チューブ
２６：熱吸収板
２７：温調チャンバ
２８：供給管
２９：回収管
３０：表面処理層
３１：空気流
３２：熱反射板
３３：熱伝導部材
３４：熱
３５：ナット
３６：チラー
３７：窓
３８：温調チャンバ温度制御部
３９：鏡筒内温度センサ
４０：真空容器壁温度センサ
４１：チラー温度制御部
１００：光源部
２００：照明光学系（鏡筒）
２１０：窓部
３００：マスク
３５０：マスクステージ
４００：投影光学系（鏡筒）
５００：被処理体（ウエハ）
５５０：ウエハステージ

Claims (9)

1. 原版のパターンを基板に露光する露光装置であって、
   前記原版を照明する照明光を照射する照明光学系と、
   前記照明光により照明された前記パターンを前記基板に投影する投影光学系と、
   前記照明光学系及び前記投影光学系の少なくともいずれかを収容する真空容器と、を備え、
   前記照明光学系及び前記投影光学系の少なくともいずれかの温度変化を抑制するために、前記真空容器内で発生する熱及び外部から前記真空容器内に入り込む熱を吸収する吸熱手段を設けたことを特徴とする露光装置。
2. 前記吸熱手段は、前記照明光学系及び前記投影光学系における前記真空容器外に面する部位の少なくとも一部に配置される第１の輻射率を持つ第１の板材と、前記照明光学系及び前記投影光学系の周囲に配置される前記第１の輻射率より大きい輻射率を持つ第２の板材と、所定の熱伝導率を持つ前記真空容器の壁部と、前記各板材及び前記壁部に熱交換可能に接合された所定の熱伝導率を持つ熱伝導部材と、前記真空容器を取り囲むチャンバから当該真空容器の外壁に噴き出される空気流又は冷却媒体と、を有することを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
3. 前記真空容器内に入り込む熱とは、当該真空容器に連結された真空ポンプの輻射熱であり、
   この輻射熱を、前記真空容器と前記真空ポンプを連結する結合部材で吸収し、当該結合部材を前記チャンバから噴き出される空気流又は冷却媒体により冷却することを特徴とする請求項１又は２に記載の露光装置。
4. 前記真空容器の壁部は、当該真空容器内の熱を吸収し、前記チャンバから噴き出される空気流又は冷却媒体にて冷却されるように所定の表面処理が施されていることを特徴とする請求項３に記載の露光装置。
5. 前記結合部材の内壁は、前記真空ポンプで発生した熱を吸収し、前記チャンバから噴き出される空気流又は冷却媒体にて冷却されるように所定の表面処理が施されていることを特徴とする請求項３に記載の露光装置。
6. 前記吸熱手段は、前記照明光学系及び前記投影光学系における前記真空容器外に面する部位の少なくとも一部に配置される第１の輻射率を持つ第１の板材と、前記照明光学系及び前記投影光学系の周囲に配置される前記第１の輻射率より大きい輻射率を持つ第２の板材と、所定の熱伝導率を持つ前記真空容器の壁部と、前記各板材及び前記壁部に熱交換可能に接合された所定の熱伝導率を持つ熱伝導部材と、前記真空容器の外壁に冷却媒体を流通させる冷却通路と、を有することを特徴とする請求項１又は２に記載の露光装置。
7. 前記真空容器内は、前記空気流又は冷却媒体の温度を制御することにより、前記照明光学系及び前記投影光学系の少なくともいずれかに含まれる光学部材の熱に対する線膨張率が所定値以下乃至ゼロになるような温度に保持されることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の露光装置。
8. 前記照明光学系は波長２００ｎｍから１０ｎｍの極端紫外線領域又はＸ線領域の光を発生し、
   前記照明光学系及び投影光学系は、前記極端紫外線領域又はＸ線領域の光を反射させるミラー部材で構成されていることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の露光装置。
9. 請求項１乃至８のいずれか１項に記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、前記基板を現像する工程とを備えることを特徴とするデバイス製造方法。

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