JP2007199676A

JP2007199676A - 液晶表示装置

Info

Publication number: JP2007199676A
Application number: JP2006318228A
Authority: JP
Inventors: Keiichi Ina; 恵一伊奈; Keisuke Yoshida; 圭介吉田
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 2005-12-28
Filing date: 2006-11-27
Publication date: 2007-08-09

Abstract

【課題】表示品位が良好で且つ高開口率を実現する液晶表示装置を提供する。
【解決手段】液晶表示装置は、複数の画素のそれぞれが、表示面側からの光を反射して表示を行う光反射表示部分と、背面側からの光を透過して表示を行う光透過表示部分と、を有すると共に、光反射表示部分及び光透過表示部分のいずれか一方が他方を囲むように設けられ、液晶層に電圧を印加したときに液晶層の液晶分子を軸対称配向させる配向制御手段が画素の中央部に設けられている。
【選択図】図１

Description

本発明は、液晶表示装置に関する。

近年、通信機器、さらには一般の電気機器にも液晶表示装置が急速に適用されている。特に、携帯型液晶表示装置については、その消費電力を抑制するためにバックライトを必要としない反射型の液晶表示装置が用いられている。しかし、反射型液晶表示装置は、外部からの光を光源とするため、暗い室内などでは見えにくくなる。そこで、近年、透過型及び反射型の性質を併せ持つ半透過型の液晶表示装置が研究・開発されている。

この半透過型の液晶表示装置は、一つの画素内に透過部と反射部とを有しており、暗い場所ではバックライトを点灯して画素領域の透過部を利用して画像を表示し、明るい場所ではバックライトを点灯することなく反射部において外光を利用して画像を表示する。このため、バックライトを常に点灯しなくてもよく、消費電力が抑制されるという利点を有している。

また、これらの液晶表示装置は、本体の扱う情報量の増加に伴いより多くの情報を表示することが望まれ、高コントラスト化及び広視野角化への市場の要求が高まっている。

そこで、近年、高コントラスト化及び広視野角化を実現できる半透過型の液晶表示装置の表示モードとして、垂直配向型液晶層を利用した垂直配向モードが注目されている。垂直配向型液晶層は、一般に、垂直配向膜と誘電異方性が負の液晶材料とで構成されるものである。

このような液晶表示装置として、特許文献１には、第１基板上の第１電極と、第２基板上の第２電極と、第１電極と第２電極の間に設けられた液晶層とを含む複数の画素を備え、第１基板は複数の画素の間隙に遮光領域を有し、遮光領域の液晶層側に規則的に配列された壁構造体を有し、第１電極は画素内の所定の位置に少なくとも１つの第１開口部を有し、第２電極は画素内の所定の位置に少なくとも１つの第２開口部を有し、かつ液晶層は少なくとも所定の電圧を印加した時に軸対称配向を呈する少なくとも１つの液晶ドメインを形成し、少なくとも１つの液晶ドメインの軸対称配向の中心軸は少なくとも１つの第１開口部および少なくとも１つの第２開口部の内の少なくとも１つの開口部内またはその近傍に形成するものが開示されている。そして、これによれば、液晶の配向を十分に安定化し、コントラスト比または実効開口率の低下を抑制した液晶表示装置を提供することができる、と記載されている。

また、特許文献２には、第１電極が形成された第１基板と、第１電極に対向する第２電極が形成された第２基板と、第１電極と第２電極との間に介在する垂直配向型の液晶層とを有し、第１電極と第２電極とにより複数の画素領域が規定されて、複数の画素領域のうち少なくとも１つの画素領域は、第１基板上に規則的に配置された誘電体構造物によって、複数のサブ画素領域に分割され、サブ画素領域における液晶層中の液晶分子は、第１電極と第２電極との間に所定の電圧を印加したとき第１基板の表面に垂直な軸を中心に軸対称配向するものが開示されている。そして、これによれば、液晶の配向を十分に安定化でき、従来と同等以上の表示品位が得られる液晶表示装置を提供することができる、と記載されている。
特開2005-172944号公報特開2005-257809号公報

ここで、図１６及び１７に、上記特許文献１又は２に記載した従来の垂直配向モードを構成する半透過型の液晶表示装置の画素構造１００を示す。画素構造１００は、光反射表示部分と光透過表示部分とがその画素内にそれぞれ独立して形成されている。そして、領域ごとに配向制御手段１０１が設けられて配向制御がなされているため、画素電極１０２を分割して領域ごとに配置しなければならない。この場合、各領域で配向制御のための電界の勾配を形成するため、光反射表示部分と光透過表示部分との間で画素電極が存在しない開口部を設ける必要がある。そのためには、画素電極のくびれ部１０３を設ける必要がある。

しかし、光反射表示部分と光透過表示部分との間に画素電極１０２のくびれ部１０３を設けると、くびれ部の領域の画素電極が他領域のものに比べて細くなる。このため、製造工程や使用時の熱膨張・熱収縮等により断切れが発生し、表示品位が低下するおそれがあるという問題がある。

また、画素電極１０２にくびれ部１０３を設けることにより形成された開口部、即ちくびれ部１０３の両側に形成された画素電極１０２が存在しない領域が生じると、図１６に示すように表示領域内であるのに表示に寄与しない無効領域が発生してしまう。このため、開口率が減少するという問題もある。

さらに、図１７に示すように、開口部、即ち画素電極が存在しない領域における下地配線１０４による電位が光反射表示部分及び光透過表示部分の配向制御に影響し、表示異常が発生するおそれがあるという問題もある。

本発明は、斯かる諸点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、表示品位が良好で且つ高開口率を実現する液晶表示装置を提供することである。

本発明に係る液晶表示装置は、互いに対向するように設けられた第１基板及び第２基板と、第１基板と該第２基板との間に挟持された液晶層を有し、液晶層は、負の誘電異方性を有する液晶材料で形成されており、電圧無印加状態において、液晶材料の液晶分子は、第１基板及び第２基板に概ね垂直に配向し、液晶表示パネルの表示領域が複数の画素で構成された液晶表示装置であって、複数の画素のそれぞれは、表示面側からの光を反射して表示を行う光反射表示部分と、背面側からの光を透過して表示を行う光透過表示部分と、を有すると共に、光反射表示部分及び光透過表示部分のいずれか一方が他方を囲むように設けられ、液晶層に電圧を印加したときに液晶層の液晶分子を軸対称配向させる配向制御手段が画素の中央部に設けられていることを特徴とする。

ここで、図１８及び１９に、本発明に係る液晶表示装置の表示部分の構造１１０の概略を示す。このような構成によれば、液晶表示パネルの複数の画素のそれぞれが、光反射表示部分及び光透過表示部分のいずれか一方が他方を囲むように設けられているため、画素電極１１２に開口部を設けるためのくびれ部が存在しない。従って、画素電極１１２が細く形成された領域がないためその部分で生じていた断切れが発生せず、表示品位の低下を回避することができる。

また、画素電極１１２にくびれ部を設けて開口部を形成する必要がなく表示領域内に表示に寄与しない無効領域が発生しない。従って、開口率の減少を回避することができる。

さらに、表示領域内に画素電極１１２が存在しない無効領域がないため、下地配線１１４の電位による影響を受けることがなく、表示異常が発生しない。

また、本発明に係る液晶表示装置は、光透過表示部分が光反射表示部分を囲むように設けられており、光反射表示部分が光透過表示部分の中央部に形成されていてもよい。

このような構成によれば、光反射表示部分が光透過表示部分の中央部に形成されているため、図１９に示すように、配向制御手段から放射状に液晶分子を配向させる際に画素全体にバランス良く液晶分子を配向させることができる。従って、表示品位がより良好となる。

さらに、本発明に係る液晶表示装置は、光反射表示部分が光透過表示部分を囲むように設けられており、光透過表示部分が光反射表示部分の中央部に形成されていてもよい。

このような構成によれば、光透過表示部分が光反射表示部分の中央部に形成されているため、上述のように、配向制御手段から放射状に液晶分子を配向させる際に画素全体にバランス良く液晶分子を配向させることができる。従って、表示品位がより良好となる。

また、本発明に係る液晶表示装置は、光反射表示部分の外形と光透過表示部分の外形とが相似であってもよい。

このような構成によれば、光反射表示部分の外形と光透過表示部分の外形とが相似であるため、配向制御手段から放射状に液晶分子を配向させる際に画素全体にバランス良く行うことができ、表示品位が向上する。

さらに、本発明に係る液晶表示装置は、光反射表示部分及び光透過表示部分がいずれも外形が正方形であってもよい。

このような構成によれば、光反射表示部分及び光透過表示部分がいずれも外形が正方形であるため、光反射表示部分の中心から光透過表示部分の端までバランス良く液晶分子を配向させることができる。従って、表示品位がより良好となる。

また、本発明に係る液晶表示装置は、光反射表示部分の外形が六角形であると共に、光透過表示部分の外形が円形であってもよい。

このような構成によれば、光反射表示部分の外形が六角形であると共に、光透過表示部分の外形が円形であるため、光反射表示部分の端から光透過表示部分の中心までバランス良く液晶分子を配向させることができる。従って、表示品位がより良好となる。

さらに、本発明に係る液晶表示装置は、配向制御手段が光反射表示部分の中央部に形成されていてもよい。

このような構成によれば、配向制御手段が光反射表示部分の中央部に形成されているため、表示部分の中心部を配向の中心として全体に亘りバランス良く放射状に液晶分子を配向させることができ、表示品位が向上する。

また、本発明に係る液晶表示装置は、配向制御手段が第１基板又は第２基板に形成された凸部であってもよい。

このような構成によれば、通常のパターン処理等によって凸部を形成すればよく、既存の設備を用いて容易に配向制御手段を形成することができる。

さらに、本発明に係る液晶表示装置は、配向制御手段が第１基板又は第２基板に形成された切り欠き部であってもよい。

このような構成によれば、通常のパターン処理等によって切り欠き部を形成すればよく、既存の設備を用いて容易に配向制御手段を形成することができる。

また、本発明に係る液晶表示装置は、複数の画素のそれぞれが第１基板の第１電極及び第２基板の第２電極を有し、切り欠き部が第１電極又は第２電極に形成されていてもよい。

このような構成によれば、画素電極のパターン処理の際に同時に配向制御手段を形成することができる。従って、製造コスト及び製造効率が良好となる。

以上説明したように、本発明によれば、表示品位が良好で且つ高開口率を実現する液晶表示装置を提供することができる。

以下、本発明の実施形態１〜８に係る液晶表示装置を図面に基づいて詳細に説明する。尚、本発明は、以下の実施形態に限定されるものではない。また、実施形態１〜８に係る液晶表示装置はいずれも透過モードの表示と反射モードの表示の両方を行うことのできる半透過型の液晶表示装置である。さらに、以下、画素内において、表示面側からの光を反射して表示を行う部分を光反射表示部分と、光反射表示部分を囲むように設けられ背面側からの光を透過して表示を行う部分を光透過表示部分と記載する。

（実施形態１）
（液晶表示装置１０の構成）
図１に、本実施形態１に係る液晶表示装置１０の１つの画素構成の断面図を示す。また、図２は液晶表示装置１０の１つの画素構成の平面図を示す。

液晶表示装置１０は、対向する薄膜トランジスタ基板（ＴＦＴ基板１１）及びカラーフィルタ基板（ＣＦ基板１２）、それらの間に設けられた液晶層１３を有する液晶表示パネル１４、及び、不図示のバックライト等から構成されている。

ＴＦＴ基板１１は、絶縁性基板１５、絶縁性基板１５の表面に形成された回路要素、絶縁性基板１５上に形成された反射膜１６、反射膜１６を覆うように形成された透明絶縁層１７、透明絶縁層１７上に設けられた画素電極１８及び画素電極１８上に形成された不図示の垂直配向膜で構成されている。

ＴＦＴ基板１１には、いずれも不図示のゲート電極、ソース電極及びドレイン電極等で構成される薄膜トランジスタ８９が形成されている。ゲート電極は走査配線９０に、ドレイン電極は信号配線９１に、またソース配線は画素電極１８に接続されている。ＴＦＴ基板１１は、各画素電極１８内に蓄積容量を設けている。蓄積容量は、画素電極１８と参照電極配線９２で構成されている。

反射膜１６は、絶縁性基板１５上に、平面視で正方形状に形成されている。反射膜１６によって表示部分９３内の光反射表示部分１３０が規定される。従って、本実施形態の場合、光反射表示部分１３０は正方形状となる。反射膜１６は、凹凸形状に形成された樹脂層上にＡｌ層等が蒸着されることで、その表面が凹凸状に形成されている。反射膜１６は、画素電極１８の中央部に形成されている。

透明絶縁層１７は、反射膜１６を覆うように形成されて、反射膜１６の凹凸形状を表面において平坦化している。

画素電極１８は、透明絶縁層１７の平坦な表面上に形成されている。画素電極１８は、ＩＴＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ）等を用いて形成されており、透明電極を構成している。画素電極１８は、所定の位置に形成された切り欠き部９５を有しており、各画素は、この切り欠き部９５によって図２に示すような正方形の画素パターンに分割されている。画素電極１８によって表示部分９３が規定される。液晶層１３に所定の電圧を印加すると、画素電極１８の周囲及び切り欠き部９５の近傍に生成される斜め電界の配向規制によって、複数の画素パターンのそれぞれに放射状傾斜配向を施す液晶ドメインが形成される。

ＣＦ基板１２は、ガラス等で形成された絶縁性基板９６、絶縁性基板９６上に形成されたＣＦ層９７、ＣＦ層９７上に形成された透明誘電体層９８、ＣＦ層９７上及び透明誘電体層９８上にそれぞれ形成された対向電極９９、対向電極９９上に形成された凸部１２０（配向制御手段）及び対向電極９９及び凸部１２０上に形成された不図示の垂直配向膜で構成されている。

ＣＦ層９７は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）及び青（Ｂ）の３原色からなる画素パターンで構成されている。これらの画素パターンは、その間に、コントラストを得るための縁取りとしてブラックマトリクス１２１が設けられている。そして、このブラックマトリクス１２１で画素パターンが区切られている。ブラックマトリクス１２１で区切られた画素パターンは、ＴＦＴ基板１１上の正方形の画素電極１８と同形状且つ直上に形成されている。即ち、表示部分９３を平面視した際に画素パターンと画素電極１８とが同一に重なって見えるような位置にそれぞれ形成されている。また、画素パターンを構成するものとしては、ＲＧＢの組合せ以外に、シアン、マゼンタ、イエローの補色を用いてもよく、無色としてもよい。

透明誘電体層９８は、ＣＦ基板１２の光反射表示部分１３０に形成されている。透明誘電体層９８は、ＴＦＴ基板１１上の正方形の反射膜１６と同形状且つ直上に形成されている。即ち、光反射表示部分１３０を平面視した際に透明誘電体層９８と反射膜１６とが同一に重なって見えるような位置に形成されている。透明誘電体層９８は、所定の厚さをもって切頭四角錐状に形成されている。透明誘電体層９８に対応する液晶層１３の厚さｂは、液晶層１３の厚さａの略半分程度であるのが好ましい。反射モードの表示では、表示に用いられる光は液晶層１３を２回通過するのに対し、透過モードの表示では、表示に用いられる光は液晶層１３を１回通過するだけである。従って、光透過表示部分１３１の液晶層１３の厚さａを光反射表示部分１３０の液晶層１３の厚さｂの略２倍に設定すると、両者の光路長が等しくなり、両方の表示モードで良好な表示を実現できる。

対向電極９９は、ＣＦ層９７上及び透明誘電体層９８上にそれぞれ形成されている。対向電極９９は、ＩＴＯ等を用いて形成されており、透明電極を構成している。

凸部１２０は、対向電極９９上で、且つ、透明誘電体層９８の中央部、即ち、光反射表示部分１３０の中央部に形成されている。凸部１２０は、その構成材料は特に限定されず、樹脂製材料、セラミック製又は金属製の材料であってもよい。また、凸部１２０は、対向するＴＦＴ基板１１へ延びるような切頭円錐状に形成されており、その頭頂部とＴＦＴ基板１１との間に間隙が形成されている。凸部１２０は、その形状は限定されず、円錐形状、角錐形状又は切頭角錐形状等に形成されていてもよい。

液晶層１３は、ＴＦＴ基板１１及びＣＦ基板１２の間に設けられている。液晶層１３は、誘電異方性が負のネマティック液晶材料を含み、必要に応じてカイラル剤をさらに含む。液晶層１３は、電圧無印加状態において、その液晶材料の液晶分子がＴＦＴ基板１１及びＣＦ基板１２に概ね垂直に配向されている。

（液晶表示装置１０の製造方法）
次に、液晶表示装置１０の製造方法について説明する。

（ＣＦ基板１２の製造方法）
まず、絶縁性基板９６を用意する。そして、絶縁性基板９６上の遮光部分となる領域に幅５〜５０μｍのブラックマトリクス１２１をスパッタリング法により形成する。次に、絶縁性基板９６上の表示部分９３となる領域に赤の顔料が分散された樹脂フィルム（ドライフィルム）を全面にラミネートし、露光、現像及びベーク（熱処理）を行って、第１色層１２２（赤）を形成する。次に、第１色層１２２に重ねて、緑色の顔料が分散された樹脂フィルムを全面にラミネートし、露光、現像及びベーク（熱処理）を行って、第２色層１２２（緑）を形成する。同様に、第３色層１２２（青）を形成する。

尚、色層１２２は、ストライプ配列となるように形成してもよく、デルタ配列であってもよい。また、色層１２２の形成方法は、ドライフィルムをラミネートする代わりに、顔料が分散された感光性樹脂材料をスピン、スリットコートにより全面に塗布してもよい。更に、着色層１２２の各色の形成順序は、特に限定されず、他の順序でもよい。

次に、色層１２２上の光反射表示部分１３０となる領域に透明誘電体層９８を形成する。

次いで、色層１２２、ブラックマトリクス１２１及び透明誘電体層９８上にＩＴＯを蒸着し、対向電極９９を形成する。

次に、凸部１２０を透明誘電体層９８の中央部に位置するように対向電極９９上に形成する。凸部１２０は、フォトリソグラフィ法により形成される。

次いで、対向電極９９上に垂直配向膜を形成する。

以上の工程により、ＣＦ基板１２が完成する。

（ＴＦＴ基板１１の製造工程）
続いて、絶縁性基板１５を用意し、Ｔａ又はＡｌ／Ｔｉからなるゲート電極をスパッタ法により形成し、パターニングする。次に、ゲート絶縁膜としてＳｉＮｘ、薄膜として半導体ａ−Ｓｉを形成する。次いで、エッチング保護膜としてＳｉＮｘを形成し、パターン形成を行う。尚、薄膜トランジスタはP−Ｓｉあるいは単結晶Ｓｉでも良く、トランジスタ構造はトップゲート構造でもよい。次に、コンタクトホール、ドレイン電極及びソース電極を形成する。さらに、同一工程又は別工程によって、基板端部にドライバを設け、薄膜トランジスタ８９を形成する。さらに、光反射表示部分１３０となる領域に反射膜１６を形成し、パターン形成を行い、これらの上層に透明絶縁層１７を形成する。次に、ＩＴＯを真空蒸着してさらにパターン形成し、所定の切り欠き部９５を有する画素電極１８を形成する。画素電極１８は表示部分９３となる領域に形成する。続いて、セル厚を規定するための柱状スペーサ（不図示）を、フォトリソグラフィ工程を経て表示部分９３外の所定位置に複数形成する。なお、柱状スペーサはＣＦ側に形成してもよく、表示部９３内の所定位置に形成してもよく、また球状スペーサを散布する方式を用いてもよい。

（液晶表示パネル１４の形成工程）
次に、ディスペンサ等を用いて、例えば１ショット当り２ｍｇの液晶材料をＴＦＴ基板１１に滴下する。この際、液晶材料はＴＦＴ基板１１の遮光領域外周囲に枠状に塗布されたシール剤の内方に滴下する。続いて、液晶材料が滴下されたＴＦＴ基板１１にＣＦ基板１２を位置合わせして貼り付ける。この工程は真空中で行われる。次いで、大気中に戻すと貼り合わされたＴＦＴ基板１１及びＣＦ基板１２間の液晶材料が大気圧により拡散する。次に、シール剤の塗布領域に沿ってＵＶ光源を移動させながらＵＶ光をシール剤に照射し、シール剤を硬化させる。このようにして、拡散した液晶材料は２枚の基板間に封止されて液晶表示パネル１４を形成し、これに不図示のバックライトユニット等を設けて液晶表示装置１０を完成させる。

また、液晶表示パネル１４は、本実施形態のように形成されなくてもよく、液晶表示パネル１４の側方に液晶注入口を設けて、そこへ液晶材料を注入し、その後液晶注入口を紫外線硬化樹脂等で封止するものであってもよい。

（実施形態２）
（液晶表示装置２０の構成）
図５に、本実施形態２に係る液晶表示装置２０の１つの画素構成の断面図を示す。また、上記実施形態で示したものと同様の部分については同符号を付し、その説明を省略する。

液晶表示装置２０は、対向するＴＦＴ基板１１及びＣＦ基板２２、それらの間に設けられた液晶層１３を有する液晶表示パネル２４、及び、不図示のバックライト等から構成されている。

ＣＦ基板２２は、ガラス等で形成された絶縁性基板９６、絶縁性基板９６上に形成されたＣＦ層９７、ＣＦ層９７上に形成された透明誘電体層９８、ＣＦ層９７上及び透明誘電体層９８上にそれぞれ形成された対向電極９９及び対向電極９９上に形成された不図示の垂直配向膜で構成されている。

対向電極９９は、ＣＦ層９７上及び透明誘電体層９８上にそれぞれ形成されている。対向電極９９は、透明誘電体層９８上の中央部に円形状の切り欠き部２５（配向制御手段）が形成されている。切り欠き部２５は円形状でなくてもよく、楕円形状や多角形状に形成されていてもよい。

（液晶表示装置２０の製造方法）
次に、液晶表示装置２０の製造方法について説明する。

（ＣＦ基板２２の製造方法）
まず、実施形態１と同様にして、絶縁性基板９６上に色層１２２、ブラックマトリクス１２１及び透明誘電体層９８を形成する。次に、透明誘電体層９８上にＩＴＯを蒸着し、対向電極９９を形成する。

次いで、透明誘電体層９８の中央部に円形状の切り欠き部２５が位置するように対向電極９９をパターニングし、さらに、対向電極９９上に垂直配向膜を形成する。以上の工程により、ＣＦ基板２２が完成する。

（ＴＦＴ基板１１の製造工程）
続いて、実施形態１と同様にして、ＴＦＴ基板１１を形成する。

（液晶表示パネル２４の形成工程）
次に、実施形態１と同様にして、液晶材料を２枚の基板間に設けて封止した液晶表示パネル２４を形成し、これに不図示のバックライトユニット等を設けて液晶表示装置２０を完成させる。

（実施形態３）
（液晶表示装置３０の構成）
図６に、本実施形態３に係る液晶表示装置３０を示す。また、上記実施形態で示したものと同様の部分については同符号を付し、その説明を省略する。

液晶表示装置３０は、対向するＴＦＴ基板１１及びＣＦ基板３２、それらの間に設けられた液晶層１３を有する液晶表示パネル３４、及び、不図示のバックライト等から構成されている。

ＣＦ基板３２は、ガラス等で形成された絶縁性基板９６、絶縁性基板９６上に形成されたＣＦ層９７、ＣＦ層９７上に形成された透明誘電体層９８、ＣＦ層９７上及び透明誘電体層９８上にそれぞれ形成された対向電極９９及び対向電極９９上に形成された不図示の垂直配向膜で構成されている。

対向電極９９は、ＣＦ層９７上及び透明誘電体層９８上にそれぞれ形成されており、さらにその上には垂直配向膜が形成されている。

ＣＦ基板３２の垂直配向膜、対向電極９９及びその直下の透明誘電体層９８には、それらの厚さ方向に亘って切り欠き部３５（配向制御手段）が形成されている。切り欠き部３５は、透明誘電体層９８内に頂点を有し、垂直配向膜の表面に底辺を有する円錐形状に形成されている。切り欠き部３５は、透明誘電体層９８上の中央部に位置するように形成されている。切り欠き部３５は円錐形状でなくてもよく、切頭円錐形状、角錐形状又は切頭角錐形状等に形成されていてもよい。

（液晶表示装置３０の製造方法）
次に、液晶表示装置３０の製造方法について説明する。

（ＣＦ基板３２の製造方法）
まず、実施形態１と同様にして、絶縁性基板９６上に色層１２２、ブラックマトリクス１２１及び透明誘電体層９８を形成する。次に、透明誘電体層９８上にＩＴＯを蒸着し、対向電極９９を形成し、さらに対向電極９９上に垂直配向膜を形成する。次いで、透明誘電体層９８の中央部に円錐形状の切り欠き部３５が位置するように垂直配向膜、対向電極９９及び透明誘電体層９８をパターニングする。

以上の工程により、ＣＦ基板３２が完成する。

（液晶表示パネル３４の形成工程）
次に、実施形態１と同様にして、液晶材料を２枚の基板間に設けて封止した液晶表示パネル３４を形成し、これに不図示のバックライトユニット等を設けて液晶表示装置３０を完成させる。

（実施形態４）
（液晶表示装置４０の構成）
図７に、本実施形態４に係る液晶表示装置４０を示す。また、上記実施形態で示したものと同様の部分については同符号を付し、その説明を省略する。

液晶表示装置４０は、対向するＴＦＴ基板４１及びＣＦ基板４２、それらの間に設けられた液晶層１３を有する液晶表示パネル４４、及び、不図示のバックライト等から構成されている。

ＴＦＴ基板４１は、絶縁性基板１５、絶縁性基板１５の表面に形成された回路要素、絶縁性基板１５上に形成された反射膜１６、反射膜１６を覆うように形成された透明絶縁層１７、透明絶縁層１７上に設けられた画素電極１８及び画素電極１８上に形成された不図示の垂直配向膜で構成されている。

画素電極１８は、透明絶縁層１７の平坦な表面上に形成されている。画素電極１８は、所定の位置に形成された切り欠き部９５を有しており、各画素は、この切り欠き部９５によって図２に示すような正方形の画素パターンに分割されている。画素電極１８によって表示部分９３が規定される。液晶層１３に所定の電圧を印加すると、画素電極１８の周囲及び切り欠き部９５の近傍に生成される斜め電界の配向規制によって、複数の画素パターンのそれぞれに放射状傾斜配向を施す液晶ドメインが形成される。画素電極１８は、画素中央部、即ち表示部分９３の中央部に円形状の切り欠き部４５（配向制御手段）が形成されている。切り欠き部４５は円形状でなくてもよく、楕円形状や多角形状に形成されていてもよい。

ＣＦ基板４２は、ガラス等で形成された絶縁性基板９６、絶縁性基板９６上に形成されたＣＦ層９７、ＣＦ層９７上に形成された透明誘電体層９８、ＣＦ層９７上及び透明誘電体層９８上にそれぞれ形成された対向電極９９、対向電極９９上に形成された不図示の垂直配向膜で構成されている。

（液晶表示装置４０の製造方法）
次に、液晶表示装置４０の製造方法について説明する。

（ＣＦ基板４２の製造方法）
まず、実施形態１と同様に、絶縁性基板９６を用意し、絶縁性基板９６上の遮光部分となる領域にブラックマトリクス１２１を、絶縁性基板９６上の表示部分９３となる領域に色層１２２を、それぞれ形成する。次に、色層１２２上の光反射表示部分１３０となる領域に透明誘電体層９８を形成する。次いで、色層１２２、ブラックマトリクス１２１及び透明誘電体層９８上にＩＴＯを蒸着し、対向電極９９を形成し、次いで対向電極９９上に垂直配向膜を形成する。以上の工程により、ＣＦ基板４２が完成する。

（ＴＦＴ基板４１の製造工程）
続いて、絶縁性基板１５を用意し、実施形態１と同様にして回路要素を設ける。さらに、光反射表示部分１３０となる領域に反射膜１６を形成し、パターン形成を行い、これらの上層に層間絶縁膜を形成する。次に、ＩＴＯを真空蒸着してさらにパターン形成し、所定の切り欠き部４５を有する画素電極１８を形成する。画素電極１８は表示部分９３となる領域に形成する。

ここで、切り欠き部４５は、表示部分９３を規定するように各画素単位に区切るために設けるもの、及び、配向制御手段として表示部分９３の中央部に設けるためのものをそれぞれ同時に形成する。

続いて、セル厚を規定するための柱状スペーサを、フォトリソグラフィ工程を経て表示部分９３外の所定位置に複数形成する。

（液晶表示パネル４４の形成工程）
次に、実施形態１と同様にして、液晶材料を２枚の基板間に設けて封止した液晶表示パネル４４を形成し、これに不図示のバックライトユニット等を設けて液晶表示装置４０を完成させる。

（実施形態５）
（液晶表示装置５０の構成）
図８に、本実施形態５に係る液晶表示装置５０を示す。また、上記実施形態で示したものと同様の部分については同符号を付し、その説明を省略する。

液晶表示装置５０は、対向するＴＦＴ基板５１及びＣＦ基板４２、それらの間に設けられた液晶層１３を有する液晶表示パネル５４、及び、不図示のバックライト等から構成されている。

ＴＦＴ基板５１は、絶縁性基板１５、絶縁性基板１５の表面に形成された回路要素、絶縁性基板１５上に形成された透明絶縁層５６及び遮光層５７、透明絶縁層５６上に設けられた画素電極１８、画素電極１８上に形成された反射膜１６、透明絶縁層１７及び不図示の垂直配向膜で構成されている。

透明絶縁層５６は、回路要素が形成された絶縁性基板１５上に形成されている。透明絶縁層５６は表示部分９３の中央部が円形状に欠損しており、ここに遮光層５７が形成されている。このため、遮光層５７も円形状に形成されている。

遮光層５７は、後述するＴＦＴ基板５１表面に形成した切り欠き部５５（配向制御手段）の真下に位置して、反射層の切り欠き部５５からの光洩れを規制する働きをするため、反射層の切り欠き部５５と同一又はそれ以上の大きさに形成されている。

画素電極１８は、透明絶縁層５６上に形成されている。画素電極１８は、所定の位置に形成された切り欠き部９５を有しており、各画素は、この切り欠き部９５によって図２に示すような正方形の画素パターンに分割されている。画素電極１８によって表示部分９３が規定される。液晶層１３に所定の電圧を印加すると、画素電極１８の周囲及び切り欠き部９５の近傍に生成される斜め電界の配向規制によって、複数の画素パターンのそれぞれに放射状傾斜配向を施す液晶ドメインが形成される。

反射膜１６は、画素電極１８上でその中央部に平面視で正方形状に形成されている。反射膜１６によって表示部分９３内の光反射表示部分１３０が規定される。従って、本実施形態の場合、光反射表示部分１３０は正方形状となる。反射膜１６は、凹凸形状に形成された樹脂層上にＡｌ層等が蒸着されることで、その表面が凹凸状に形成されている。

ＴＦＴ基板５１の透明絶縁層５６及び反射膜１６には、それらの厚さ方向に亘って切り欠き部５５が形成されている。切り欠き部５５は、反射膜１６内に頂点を有し、透明絶縁層５６の表面に底辺を有する円錐形状に形成されている。切り欠き部５５は、反射膜１６上であって、その中央部に位置するように形成されている。切り欠き部５５は円錐形状でなくてもよく、切頭円錐形状、角錐形状又は切頭角錐形状等に形成されていてもよい。

ＣＦ基板４２は、ガラス等で形成された絶縁性基板９６、絶縁性基板９６上に形成されたＣＦ層９７、ＣＦ層９７上に形成された透明誘電体層９８、ＣＦ層９７上及び透明誘電体層９８上にそれぞれ形成された対向電極９９及び対向電極９９上に形成された不図示の垂直配向膜で構成されている。

（液晶表示装置５０の製造方法）
次に、液晶表示装置５０の製造方法について説明する。

（ＣＦ基板４２の製造方法）
まず、実施形態４と同様にして、ＣＦ基板４２を作製する。

（ＴＦＴ基板５１の製造工程）
続いて、絶縁性基板１５を用意し、実施形態１と同様にして回路要素を設け、この絶縁性基板１５上に透明絶縁層５６を形成した後、パターニングにより切り欠き部５５を形成し、形成した切り欠き部５５に遮光層５７を設ける。

次に、ＩＴＯを真空蒸着してさらにパターン形成し、所定の切り欠き部９５を有する画素電極１８を形成する。画素電極１８は表示部分９３となる領域に形成する。

次いで、画素電極１８上の光反射表示部分１３０となる領域に反射膜１６を形成し、さらに透明絶縁層１７を形成して表面を平坦化し、その上に垂直配向膜を形成する。

続いて、反射部分の中央部に円錐形状の切り欠き部５５が位置するように垂直配向膜、透明絶縁層１７及び反射膜１６をパターニングする。

（液晶表示パネル５４の形成工程）
次に、実施形態１と同様にして、液晶材料を２枚の基板間に設けて封止した液晶表示パネル５４を形成し、これに不図示のバックライトユニット等を設けて液晶表示装置５０を完成させる。

（実施形態６）
（液晶表示装置６０の構成）
図９に、本実施形態６に係る液晶表示装置６０を示す。また、上記実施形態で示したものと同様の部分については同符号を付し、その説明を省略する。

液晶表示装置６０は、対向するＴＦＴ基板６１及びＣＦ基板４２、それらの間に設けられた液晶層１３を有する液晶表示パネル６４、及び、不図示のバックライト等から構成されている。

ＴＦＴ基板６１は、絶縁性基板１５、絶縁性基板１５の表面に形成された回路要素、絶縁性基板１５上に形成された透明絶縁層５６、透明絶縁層５６上に設けられた画素電極１８、画素電極１８上に形成された反射膜１６、透明絶縁層１７及び不図示の垂直配向膜で構成されている。

凸部６３（配向制御手段）は、透明絶縁層１７上で、且つ、反射膜１６の中央部、即ち、光反射表示部分１３０の中央部に形成されている。凸部６３は、その構成材料は特に限定されず、樹脂製材料、セラミック製又は金属製の材料であってもよい。また、凸部６３は、対向するＣＦ基板４２へ延びるような切頭円錐状に形成されており、その頭頂部とＣＦ基板４２との間に間隙が形成されている。凸部６３は、その形状は限定されず、円錐形状、角錐形状又は切頭角錐形状等に形成されていてもよい。

（液晶表示装置６０の製造方法）
次に、液晶表示装置６０の製造方法について説明する。

（ＴＦＴ基板６１の製造工程）
続いて、絶縁性基板１５を用意し、実施形態１と同様にして回路要素を設け、この絶縁性基板１５上に透明絶縁層５６を形成する。

続いて、凸部６３を光反射部表示部分９４の中央部に位置するように垂直配向膜上に形成する。凸部６３は、フォトリソグラフィ法により形成される。

次に、セル厚を規定するための柱状スペーサを、フォトリソグラフィ工程を経て表示部分９３外の所定位置に複数形成する。

（液晶表示パネル６４の形成工程）
次に、実施形態１と同様にして、液晶材料を２枚の基板間に設けて封止した液晶表示パネル６４を形成し、これに不図示のバックライトユニット等を設けて液晶表示装置６０を完成させる。

（実施形態７）
（液晶表示装置７０の構成）
図１０に、本実施形態７に係る液晶表示装置７０を示す。また、上記実施形態で示したものと同様の部分については同符号を付し、その説明を省略する。

液晶表示装置７０は、対向するＴＦＴ基板１１及びＣＦ基板４２、それらの間に設けられた液晶層１３を有する液晶表示パネル７４、及び、不図示のバックライト等から構成されている。

透明誘電体層９８は、側面がテーパ状に形成された切頭円錐形状に形成されている。透明誘電体層９８は、光反射表示部分１３０の中央部に形成されており、この透明誘電体層９８が配向制御手段を構成している。

（液晶表示装置７０の製造方法）
液晶表示装置７０は、実施形態４と同様にして作製したＣＦ基板４２と、実施形態１と同様にして作製したＴＦＴ基板１１との間に液晶材料を設けて封止して液晶表示パネル７４を形成し、これに不図示のバックライトユニット等を設けて完成させる。

（実施形態８）
（液晶表示装置８０の構成）
図１１に、本実施形態８に係る液晶表示装置８０を示す。また、上記実施形態で示したものと同様の部分については同符号を付し、その説明を省略する。

液晶表示装置８０は、対向するＴＦＴ基板８１及びＣＦ基板２２、それらの間に設けられた液晶層１３を有する液晶表示パネル８４、及び、不図示のバックライト等から構成されている。

ＴＦＴ基板８１は、絶縁性基板１５、絶縁性基板１５の表面に形成された回路要素、絶縁性基板１５上に形成された反射膜１６、反射膜１６を覆うように形成された透明絶縁層１７、透明絶縁層１７上に設けられた画素電極１８、画素電極１８上に形成された不図示の垂直配向膜及び凸部８３で構成されている。

凸部８３は、画素電極１８上の中央部、即ち、光反射表示部分１３０の中央部に形成されている。凸部８３は、その構成材料は特に限定されず、樹脂製材料、セラミック製又は金属製の材料であってもよい。また、凸部８３は、対向するＣＦ基板２２へ延びるような切頭円錐状に形成されており、その頭頂部とＣＦ基板２２との間に間隙が形成されている。この凸部８３は、平面視においてＣＦ基板２２上に形成された切り欠き部２５と重なる位置に形成されている。凸部８３は、その形状は限定されず、円錐形状、角錐形状又は切頭角錐形状等に形成されていてもよい。

液晶表示装置８０は、切り欠き部２５と凸部８３とが配向の中心に位置しており、これら両方の配向制御手段により配向制御を行っている。

尚、液晶表示装置８０のように、ＴＦＴ基板とＣＦ基板との両基板上に配向制御手段をそれぞれ形成するものは、上記のようにＴＦＴ基板上に凸部があり、さらにＣＦ基板の対向電極上に切り欠き部があるものに限らない。即ち、ＴＦＴ基板の画素電極上に切り欠き部があり、さらにＣＦ基板上に凸部があるものであってもよい。

（液晶表示装置８０の製造方法）
次に、液晶表示装置８０の製造方法について説明する。

（ＣＦ基板２２の製造方法）
実施形態２と同様にしてＣＦ基板２２を作製する。

（ＴＦＴ基板８１の製造工程）
続いて、実施形態１と同様にして、回路要素を設けた絶縁性基板１５上の光反射表示部分１３０となる領域に反射膜１６を形成し、パターン形成を行い、これらの上層に透明絶縁層１７を形成する。次に、ＩＴＯを真空蒸着してさらにパターン形成し、所定の切り欠き部９５を有する画素電極１８を形成する。画素電極１８は表示部分９３となる領域に形成する。次いで、表示部分９３の中央部に凸部８３をパターニングにより形成する。続いて、セル厚を規定するための柱状スペーサを、フォトリソグラフィ工程を経て表示部分９３外の所定位置に複数形成する。

（液晶表示パネル８４の形成工程）
次に、実施形態１と同様にして、液晶材料を２枚の基板間に設けて封止した液晶表示パネル８４を形成し、これに不図示のバックライトユニット等を設けて液晶表示装置８０を完成させる。

上記の液晶表示装置１０〜８０は、いずれも、画素電極１８で規定される正方形の表示部分９３の中央部に反射膜１６で規定される正方形の光反射表示部分１３０が設けられている。このため、図２に示すように、光反射表示部分１３０を囲むように光透過表示部分１３１が位置することになる。

また、液晶表示装置１０〜８０は、各画素において配向制御を行う凸部１２０，６３，８３や切り欠き部２５，３５，４５，５５が光反射表示部分１３０の中央部に形成されている。このため、中央部の光反射表示部分１３０及びそれを囲む光透過表示部分１３１を合わせた１つの画素において、凸部１２０，６３，８３や切り欠き部２５，３５，４５，５５を画素内の中心として電圧を印加したときに液晶層１３の液晶分子を軸対称配向させることができる。従って、表示装置の高コントラスト化及び広視野角化を実現できる。

尚、光透過表示部分１３１及び光反射表示部分１３０の形状は、それぞれ正方形でなくてもよく、図３又は図４に示すように長方形であってもよい。ただし、この場合、それぞれが相似の関係となるような形状であるのが好ましい。

（実施形態９）
（液晶表示装置２００の構成）
図１２は本実施形態９に係る液晶表示装置２００の１つの画素構成の平面図を、図１３は液晶表示装置２００の１つの画素構成の断面図を示す。また、上記実施形態で示したものと同様の部分については同符号を付し、その説明を省略する。

液晶表示装置２００は、対向するＴＦＴ基板２０１及びＣＦ基板２０２、それらの間に設けられた液晶層１３を有する液晶表示パネル２０４、及び、不図示のバックライト等から構成されている。

ＴＦＴ基板２０１は、絶縁性基板１５、絶縁性基板１５の表面に形成された回路要素、絶縁性基板１５上に形成された反射膜１６、反射膜１６を覆うように形成された透明絶縁層１７、透明絶縁層１７上に設けられた画素電極１８、画素電極１８上に形成された不図示の垂直配向膜で構成されている。

ＴＦＴ基板２０１には、薄膜トランジスタ８９が形成されており、そのゲート電極は走査配線９０に、ドレイン電極は信号配線９１に、またソース配線は画素電極１８に接続されている。ＴＦＴ基板２０１は、各画素電極１８内に蓄積容量を設けている。蓄積容量は、画素電極１８と参照電極配線９２で構成されている。

反射膜１６は、絶縁性基板１５上に、平面視で中央に正方形状の切り欠きが形成された正方形状に形成されている。反射膜１６によって表示部分９３内の光反射表示部分２１０が規定される。従って、本実施形態の場合、光反射表示部分２１０は平面視で中央に正方形状の切り欠きが形成された正方形状になる。反射膜１６は、凹凸形状に形成された樹脂層上にＡｌ層等が蒸着されることで、その表面が凹凸状に形成されている。

ＣＦ基板２０２は、ガラス等で形成された絶縁性基板９６、絶縁性基板９６上に形成されたＣＦ層９７、ＣＦ層９７上に形成された透明誘電体層９８、ＣＦ層９７上及び透明誘電体層９８上にそれぞれ形成された対向電極９９、対向電極９９上に形成された凸部１２０（配向制御手段）及び対向電極９９及び凸部１２０上に形成された不図示の垂直配向膜で構成されている。

透明誘電体層９８は、ＣＦ基板１２の光反射表示部分２１０に形成されている。透明誘電体層９８は、ＴＦＴ基板１１上の反射膜１６と同形状且つ直上に形成されている。即ち、光反射表示部分２１０を平面視した際に透明誘電体層９８と反射膜１６とが同一に重なって見えるような位置に形成されている。透明誘電体層９８は、所定の厚さをもって切頭四角錐状に形成されている。透明誘電体層９８に対応する液晶層１３の厚さは、液晶層１３の厚さａの略半分程度であるのが好ましい。

光透過表示部分２１１は、光反射表示部分２１０の中央に形成された正方形状の切り欠きに位置している。

凸部１２０は、対向電極９９上で、且つ、光透過表示部分２１１の中央部に形成されている。

（液晶表示装置２００の製造方法）
次に、液晶表示装置２００の製造方法について説明する。

（ＣＦ基板２０２の製造方法）
まず、実施形態１と同様にして、色層１２２まで形成し、次に、色層１２２上の光反射表示部分２１０となる領域に透明誘電体層９８を形成する。

次に、凸部１２０を光透過表示部分２１１の中央部に位置するように対向電極９９上に形成する。凸部１２０は、フォトリソグラフィ法により形成する。

次いで、対向電極９９上に垂直配向膜を形成する。

以上の工程により、ＣＦ基板２０２が完成する。

（ＴＦＴ基板２０１の製造工程）
続いて、実施形態１と同様の方法により薄膜トランジスタ８９まで形成する。さらに、光反射表示部分２１０となる領域に反射膜１６を形成し、パターン形成を行い、これらの上層に透明絶縁層１７を形成する。次に、画素電極１８を形成する。続いて、実施形態１と同様の方法によりセル厚を規定するための柱状スペーサ（不図示）を表示部分９３外の所定位置に複数形成してＴＦＴ基板２０１を完成させる。

続いて上述のように作製したＣＦ基板２０２及びＴＦＴ基板２０１を用いて液晶表示装置２００を完成させる。

また、液晶表示装置２００は、光透過表示部分２１１が正方形状に形成されているが、これに限らず、例えば、図１４の液晶表示装置３００のように光透過表示部分２１１が円形状に形成されていてもよい。さらに、図１５の液晶表示装置４００のように、光反射表示部分２１０の外形が六角形であると共に、光反射表示部分２１０の中央部の光透過表示部分２１１の外形が円形に形成されていてもよい。

また、上述の実施形態１〜９において、光反射表示部分及び光透過表示部分のうち、一方が他方の中央部に形成されていたが、これに限られない。また、凸部や切り欠き部の位置も光反射表示部分或いは光透過表示部分の中央部に形成されていなくてもよい。

さらに、上述の実施形態１〜９において、ＣＦ基板及びＴＦＴ基板の絶縁性基板は、それぞれその厚さは特に限定されず、ＴＦＴ基板のほうが薄く形成されていてもよく、また、同じ厚さに形成されていてもよい。

（作用効果）
次に、作用効果について説明する。

本実施形態に係る液晶表示装置１０〜４００は、互いに対向するように設けられたＴＦＴ基板１１，４１，５１，６１，８１，２０１及びＣＦ基板１２，２２，３２，４２，２０２と、それらの間に挟持された液晶層１３を有し、液晶層１３は、負の誘電異方性を有する液晶材料で形成されており、電圧無印加状態において、液晶材料の液晶分子は、ＴＦＴ基板１１，４１，５１，６１，８１，２０１及びＣＦ基板１２，２２，３２，４２，２０２に概ね垂直に配向し、液晶表示パネル１４〜２０４の表示領域が複数の画素で構成された液晶表示装置であって、複数の画素のそれぞれは、表示面側からの光を反射して表示を行う光反射表示部分１３０，２１０と、背面側からの光を透過して表示を行う光透過表示部分１３１，２１１と、を有すると共に、光反射表示部分及び光透過表示部分のいずれか一方が他方を囲むように設けられ、液晶層１３に電圧を印加したときに液晶層１３の液晶分子を軸対称配向させる配向制御手段（凸部１２０，６３，８３又は／及び切り欠き部２５，３５，４５，５５）が画素の中央部に設けられていることを特徴とする。

このような構成によれば、液晶表示パネル１４〜２０４の複数の画素のそれぞれが、光反射表示部分１３０，２１０とそれを囲むように設けられた光透過表示部分１３１，２１１とを有しているため、画素電極１８に開口部を設けるためのくびれ部が存在しない。従って、画素電極１８が細く形成された領域がないためその部分で生じていた断切れが発生せず、表示品位の低下を回避することができる。

また、画素電極１８にくびれ部を設けて開口部を形成する必要がなく表示領域内に表示に寄与しない無効領域が発生しない。従って、開口率の減少を回避することができる。

さらに、表示領域内に画素電極１８が存在しない無効領域がないため、下地配線の電位による影響を受けることがなく、表示異常が発生しない。

また、本実施形態に係る液晶表示装置１０〜８０は、光透過表示部分１３１が光反射表示部分１３０を囲むように設けられており、光反射表示部分１３０が光透過表示部分１３１の中央部に形成されていることを特徴とする。

このような構成によれば、光反射表示部分１３０が光透過表示部分１３１の中央部に形成されているため、配向制御手段から放射状に液晶分子を配向させる際に画素全体にバランス良く液晶分子を配向させることができる。従って、表示品位がより良好となる。

さらに、本実施形態に係る液晶表示装置２００〜４００は、光反射表示部分２１１が光透過表示部分２１０を囲むように設けられており、光透過表示部分２１１が光反射表示部分２１０の中央部に形成されていることを特徴とする。

このような構成によれば、光透過表示部分２１１が光反射表示部分２１０の中央部に形成されているため、上述のように、配向制御手段から放射状に液晶分子を配向させる際に画素全体にバランス良く液晶分子を配向させることができる。従って、表示品位がより良好となる。

また、本実施形態に係る液晶表示装置１０〜２００は、光反射表示部分１３０，２１０の外形と光透過表示部分１３１，２１１の外形とが相似であることを特徴とする。

このような構成によれば、光反射表示部分１３０，２１０の外形と光透過表示部分１３１，２１１の外形とが相似であるため、配向制御手段（凸部１２０，６３，８３又は／及び切り欠き部２５，３５，４５，５５）から放射状に液晶分子を配向させる際に画素全体にバランス良く行うことができ、表示品位が向上する。

さらに、本実施形態に係る液晶表示装置１０〜２００は、光反射表示部分１３０，２１０及び光透過表示部分１３１，２１１がいずれも外形が正方形であることを特徴とする。

このような構成によれば、光反射表示部分１３０，２１０及び光透過表示部分１３１，２１１がいずれも外形が正方形であるため、光反射表示部分１３０，２１０の中心から光透過表示部分１３１，２１１の端までバランス良く液晶分子を配向させることができる。従って、表示品位がより良好となる。

また、本発明に係る液晶表示装置４００は、光反射表示部分２１０の外形が六角形であると共に、光透過表示部分２１１の外形が円形であることを特徴とする。

このような構成によれば、光反射表示部分２１０の外形が六角形であると共に、光透過表示部分２１１の外形が円形であるため、光反射表示部分２１０の端から光透過表示部分２１１の中心までバランス良く液晶分子を配向させることができる。従って、表示品位がより良好となる。

さらに、本実施形態に係る液晶表示装置１０〜８０は、配向制御手段（凸部１２０，６３，８３又は／及び切り欠き部２５，３５，４５，５５）が光反射表示部分１３０の中央部に形成されていることを特徴とする。

このような構成によれば、配向制御手段（凸部１２０，６３，８３又は／及び切り欠き部２５，３５，４５，５５）が光反射表示部分１３０の中央部に形成されているため、表示部分９３の中心部を配向の中心として全体に亘りバランス良く放射状に液晶分子を配向させることができ、表示品位が向上する。

また、本実施形態に係る液晶表示装置１０，６０，８０は、配向制御手段がＴＦＴ基板又はＣＦ基板上に形成された凸部１２０，６３，８３であることを特徴とする。

このような構成によれば、通常のパターン処理等によって凸部１２０，６３，８３を形成すればよく、既存の設備を用いて容易に配向制御手段を形成することができる。

さらに、本実施形態に係る液晶表示装置２０，３０，４０，５０，８０は、配向制御手段がＴＦＴ基板又はＣＦ基板上に形成された切り欠き部２５，３５，４５，５５であってもよい。

このような構成によれば、通常のパターン処理等によって切り欠き部２５，３５，４５，５５を形成すればよく、既存の設備を用いて容易に配向制御手段を形成することができる。

また、本実施形態に係る液晶表示装置２０，４０，８０は、複数の画素のそれぞれがＴＦＴ基板の画素電極１８及びＣＦ基板の対向電極９９を有し、切り欠き部２５，４５が画素電極１８又は対向電極９９に形成されていてもよい。

このような構成によれば、画素電極１８のパターン処理の際に同時に配向制御手段（切り欠き部２５，４５）を形成することができる。従って、製造コスト及び製造効率が良好となる。

以上説明したように、本発明は、液晶表示装置について有用である。

本実施形態１に係る液晶表示装置１０の１つの画素構成の断面図である。本実施形態１〜８に係る液晶表示装置１０〜８０の１つの画素構成の平面図である。表示部分９３が横長長方形状である液晶表示装置１０〜８０の１つの画素構成の平面図である。表示部分９３が縦長長方形状である液晶表示装置１０〜８０の１つの画素構成の平面図である。本実施形態２に係る液晶表示装置２０の１つの画素構成の断面図である。本実施形態３に係る液晶表示装置３０の１つの画素構成の断面図である。本実施形態４に係る液晶表示装置４０の１つの画素構成の断面図である。本実施形態５に係る液晶表示装置５０の１つの画素構成の断面図である。本実施形態６に係る液晶表示装置６０の１つの画素構成の断面図である。本実施形態７に係る液晶表示装置７０の１つの画素構成の断面図である。本実施形態８に係る液晶表示装置８０の１つの画素構成の断面図である。本実施形態９に係る液晶表示装置２００の１つの画素構成の平面図である。本実施形態９に係る液晶表示装置２００〜４００の１つの画素構成の断面図である。本実施形態１０に係る液晶表示装置３００の１つの画素構成の平面図である。本実施形態１１に係る液晶表示装置４００の１つの画素構成の平面図である。従来の垂直配向モードを構成する半透過型の液晶表示装置の画素構造１００の概略図である。従来の垂直配向モードを構成する半透過型の液晶表示装置に対する下地配線１０４の影響を表す概略図である。本発明に係る液晶表示装置の表示部分の構造１１０の概略図である。本発明に係る液晶表示装置に対する下地配線１１４の影響を表す概略図である。

符号の説明

１０，２０，３０，４０，５０，６０，７０，８０，２００，３００，４００液晶表示装置
１１，４１，５１，６１，８１，２０１ＴＦＴ基板
１２，２２，３２，４２，２０２ＣＦ基板
１３液晶層
１４，２４，３４，４４，５４，６４，７４，８４，２０４液晶表示パネル
１５，９６絶縁性基板
１６反射膜
１７透明絶縁層
１８画素電極
５６透明絶縁層
６３，８３，１２０凸部
２５，３５，４５，５５切り欠き部
９３表示部分
９７ＣＦ層
９８透明誘電体層
９９対向電極
１３０，２１０光反射表示部分
１３１，２１１光透過表示部分

Claims

互いに対向するように設けられた第１基板及び第２基板と、該第１基板と該第２基板との間に挟持された液晶層を有し、
上記液晶層は、負の誘電異方性を有する液晶材料で形成されており、電圧無印加状態において、該液晶材料の液晶分子は、上記第１基板及び第２基板に概ね垂直に配向し、液晶表示パネルの表示領域が複数の画素で構成された液晶表示装置であって、
上記複数の画素のそれぞれは、表示面側からの光を反射して表示を行う光反射表示部分と、背面側からの光を透過して表示を行う光透過表示部分と、を有すると共に、
上記光反射表示部分及び上記光透過表示部分のいずれか一方が他方を囲むように設けられ、
上記液晶層に電圧を印加したときに該液晶層の液晶分子を軸対称配向させる配向制御手段が上記画素の中央部に設けられている液晶表示装置。
請求項１に記載された液晶表示装置において、
上記光透過表示部分が上記光反射表示部分を囲むように設けられており、
上記光反射表示部分は、上記光透過表示部分の中央部に形成されている液晶表示装置。
請求項１に記載された液晶表示装置において
上記光反射表示部分が上記光透過表示部分を囲むように設けられており、
上記光透過表示部分は、上記光反射表示部分の中央部に形成されている液晶表示装置。
請求項１乃至３のいずれかに記載された液晶表示装置において、
上記光反射表示部分の外形と上記光透過表示部分の外形とが相似である液晶表示装置。
請求項４に記載された液晶表示装置において、
上記光反射表示部分及び上記光透過表示部分は、いずれも外形が正方形である液晶表示装置。
請求項３に記載された液晶表示装置において、
上記光反射表示部分の外形が六角形であると共に、上記光透過表示部分の外形が円形である液晶表示装置。
請求項１乃至６のいずれかに記載された液晶表示装置において、
上記配向制御手段は、上記光反射表示部分の中央部に形成されている液晶表示装置。
請求項１に記載された液晶表示装置において、
上記配向制御手段は、上記第１基板又は上記第２基板に形成された凸部である液晶表示装置。
請求項１に記載された液晶表示装置において、
上記配向制御手段は、上記第１基板又は上記第２基板に形成された切り欠き部である液晶表示装置。
請求項９に記載された液晶表示装置において、
上記複数の画素のそれぞれは、上記第１基板の第１電極及び上記第２基板の第２電極を有し、
上記切り欠き部は、上記第１電極又は上記第２電極に形成されている液晶表示装置。