JP2007212902A - 光送受信装置 - Google Patents

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Toshihiko Suzuki
俊彦 鈴木
Takashi Shimizu
敬司 清水
Shigemi Otsu
茂実 大津
Toru Fujii
徹 藤居
Kazutoshi Tanida
和敏 谷田
Hidekazu Akutsu
英一 圷
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Abstract

【課題】 簡易な構造で面型発光素子に対応可能な受信感度の高い光送受信装置を提供する。
【解決手段】 光送受信装置は、コア2とそれを覆うクラッド3とを有しコア長手方向両端部にそれぞれ同方向に45度傾斜面6a,6bを形成した光導波路1と、光導波路の一方の45度傾斜面6aに配置され入射光を透過光と反射光とに配分するビームスプリッタ4と、発光面の法線方向と受光面の法線方向を一にした発光素子66および受光素子67とを備える。例えば、受光素子67は、光導波路の一方の45度傾斜面6aおよび前記ビームスプリッタ4を介して光導波路1と光学的に結合され、発光素子66は、光導波路の他方の45度傾斜面6bおよびクラッド3を介して光導波路1と光学的に結合される。
【選択図】 図6

Description

本発明は光送受信装置に係り、特に、面型発光素子に対応した光送受信装置に関する。
波長の異なる2つの信号光を1本の光ファイバにより双方向に伝送させる1芯双方向通信に使用される光送受信モジュールにおいては、信号光は誘電体多層膜からなる光学フィルタにより反射光と透過光として分離される。1芯双方向通信において上りと下りで異なる波長を用いる場合、ひとつの機器に上り用と下り用の二つのモジュールを搭載する必要があるため、通信機器が高価になるという問題があった。一方、一つの波長で上りと下りの区別無く1芯双方向通信を実現する技術として、特許文献1に記載のように、ハーフミラーを用いて送信光と受信光を所定の方向に導く方法が知られている。しかし、この方法ではハーフミラーによって送信光と受信光がそれぞれ1/2になるため、受光素子に導かれる光量が3dB以上減少してしまい、受信感度が悪化するという問題があった。
これを解決する方法として、特許文献2などに記載のように、送信光と受信光が通る領域を空間的に分離することで、受信光を効率的に受光素子に導く方法がある。しかし、この方法は、モジュールに大きな空間を必要とする為、位置調整が難しく、実用的には大口径の光ファイバに適用することしかできないという問題がある。
また、光送受信モジュールにおいては、省電力化や高速変調性の観点から垂直共振型面発光レーザ(VCSEL)のような面発光型の発光素子が好適に用いられが、従来の技術は端面発光型のレーザーダイオードを前提としており、面発光型の素子を実装するためにはモジュールの構造が複雑になるという問題がある。
特開平10−39180号公報 特開2002−124687号公報
従って本発明の目的は、簡易な構造で面型発光素子に対応可能な受信感度の高い光送受信装置を提供することにある。
上記目的は、コアと前記コアを覆うクラッドとを有し前記コア長手方向両端部にそれぞれ同方向に傾斜面を形成した光導波路と、前記光導波路の一方の傾斜面に配置され入射光を透過光と反射光とに配分する光分配手段と、発光面の法線方向と受光面の法線方向を一にした発光素子および受光素子とを備え、前記発光素子および受光素子の一方が、前記光導波路の一方の傾斜面および前記光分配手段を介して前記光導波路と光学的に結合され、前記発光素子および受光素子の他方が、前記光導波路の他方の傾斜面および前記クラッドを介して前記光導波路と光学的に結合される光送受信装置により、達成される。
ここで、前記光分配手段は、反射率が50%以上95%未満に設定され、前記発光素子が前記光導波路の一方の傾斜面および前記光分配手段を介して前記光導波路と光学的に結合され、前記受光素子が前記光導波路の他方の傾斜面および前記クラッドを介して前記光導波路と光学的に結合されるようにすることができる。また、前記光分配手段は、反射率が5%以上50%未満に設定され、前記受光素子が前記光導波路の一方の傾斜面および前記光分配手段を介して前記光導波路と光学的に結合され、前記発光素子が前記光導波路の他方の傾斜面および前記クラッドを介して前記光導波路と光学的に結合されるようにすることができる。
また、前記光導波路の傾斜面は好適には45度傾斜面である。この「45度」は、45度丁度のほかその近傍も含む約45度を意味する。前記光分配手段は金属薄膜からなるビームスプリッタまたは誘電体多層膜からなるビームスプリッタとすることができる。前記光分配手段は前記傾斜面に直接形成することができる。前記発光素子は垂直共振型面発光レーザとすることができる。前記光導波路の他方の傾斜面に金属薄膜または誘電体多層膜による反射ミラーを配置することができる。前記コアの少なくとも一方の端部における前記コア長手方向と垂直方向の光導波路の表面上にマイクロレンズを設けることができる。前記光導波路は高分子光導波路とすることができる。
本発明に係る光導波路は、コアと前記コアを覆うクラッドとを備え、前記コア長手方向両端部にそれぞれ傾斜面を形成して側面視形状を平行四辺形とし、前記傾斜面の一方に入射光を透過光と反射光とに配分する光分配手段を配置したものである。前記傾斜面は好適には45度傾斜面である。この「45度」は、45度丁度のほかその近傍も含む約45度を意味する。前記傾斜面の他方に金属薄膜または誘電体多層膜による反射ミラーを配置することができる。前記コアの少なくとも一方の端部における前記コア長手方向と垂直方向の前記クラッドの表面上にマイクロレンズを設けることができる。前記コアの少なくとも一方の端部において前記コア長手方向と垂直方向に別のコアを設けることができる。前記コアと前記コアを覆うクラッドは高分子材料で形成することができる。
本発明によれば、簡易な構造で面型発光素子に対応可能な受信感度の高い光送受信装置を得ることができる。
以下、本発明に係る光送受信装置の実施例を説明するが、その前に、それに用いる光導波路の構成例について説明する。
<光導波路>
図1(A)は、光送受信装置において信号光の光量の分配と受発光素子との光接合を担う光導波路の構成例を示す斜視図であり、図1(B)は、図1(A)の光導波路の側面図である。図示のように、光導波路1は、コア2とそれを覆うクラッド3とを有し、コア長手方向両端部が45度傾斜面6a,6bとなっており、側面視形状は平行四辺形を呈している。一方の45度傾斜面6aには光分配手段としてビームスプリッタ4が設置される。ビームスプリッタ4を金属薄膜により作製した場合、装置コストを抑えることができる。また、ビームスプリッタ4を誘電体多層膜とすることで、光吸収が無く効率的に反射率を高めることができる。尚、ビームスプリッタ4は別体として作製されたものを光導波路端部に設置することも可能であるが、光導波路端面に直接積層することで部品点数を減らし、実装コストを抑制することができる。このビームスプリッタ4と後述する光素子(発光素子または受光素子)との間には、屈折率が1.3から1.8程度の図示しない接着剤が介在している。
このように構成された光導波路において、他方の45度傾斜面6bの下方からの第1の信号光L1は、光導波路1のコア2の45度傾斜面6bによるマイクロミラーによって反射され、図の左方向にコア2を伝搬し、ビームスプリッタ4において、一部が反射光L1rとして上方に反射されて外部へ導かれる。また、その残部は透過光L1tとしてそのまま透過する。一方、上方から入射する第2の信号光L2は、ビームスプリッタ4において、一部は透過光L2tとしてそのまま透過する。また、その残部は反射光L2rとして図の右方向にコア2を伝搬し、45度傾斜面2bによるマイクロミラーによって反射されて外部に出射される。
ここで、一方の45度傾斜面6aに設置されたビームスプリッタ4に対向して受光素子を配置し、他方の45度傾斜面6bおよびクラッド3を介して光導波路コア部に光結合する位置にレーザーダイオード等の発光素子を配置した場合、ビームスプリッタの反射率を50%未満に設定することで受光素子へ入射する信号光の光量を確保し、受信感度を高めることができる。また、発光素子からの出射光に対してはビームスプリッタは装置外へ出射する光量をレーザー安全基準内に抑える為のフィルタ代わりとなる。一方、光送受信装置が十分な通信性能を得る上で必要とされる信号光強度を確保する為にはビームスプリッタの反射率は5%以上であることが望ましい。また、一方の45度傾斜面6aに設置されたビームスプリッタ4に対向して配置される素子をレーザーダイオード等の発光素子とし、他方の45度傾斜面6bおよびクラッド3を介して光導波路コア部に光結合する素子を受光素子とした場合、上記と同様の理由によりビームスプリッタの反射率は50%以上95%未満であることが望ましい
図2(A)、(B)は、それぞれ光導波路パターンのパリエーションを示す側面図である。図2(A)に示すように、他方の45度傾斜面6bに金属薄膜からなる反射ミラー7を作製することでマイクロミラー面を保護することが可能である。また、反射ミラー7を誘電体多層膜によるミラーとすることで、光吸収が無く効率的に反射率を高めることができる。反射ミラー7は全反射ミラーとすることができる。さらに、45度傾斜面によりコアの長手方向と垂直に伝搬方向を変換される信号光の光路となる光導波路の表面上にマイクロレンズ8a,8bを設けることができる。すなわち、このマイクロレンズは、コア2の少なくとも一方の端部におけるコア長手方向と垂直方向のクラッド3の表面上に設けることができる。これにより信号光をコリメートすることができる。光導波路のコア2は直線に限られず、対向する45度面斜面間を拡散することなく光を伝搬する構造であればよい。
また、図2(B)に示すように、45度傾斜面から垂直方向にコア2a,2bによる副導波路部を設けることで、コア2による主導波路部と光導波路1の外部とを光が拡散することなく接続することが可能になる。すなわち、少なくとも一方の端部においてコア長手方向と垂直方向に別のコア2a及び/又はコア2bを設けることができる。
本光導波路としては、上記形状を満たしていれば、素材、加工方法に特に制限はない。樹脂材料(高分子材料)により構成される高分子導波路をダイシングソーによって加工することで、低コストで作製が可能である。高分子導波路の作製方法に特に制限は無く、一般によく用いられるフォトリソグラフィやRIE(反応性イオンエッチング)を利用した方法で作製可能である。特に、本発明者らが既に提案している特開2004−29507号公報に記載の方法を用いることで、剛体基板を用いる事無く高分子光導波路フィルムの作製が可能なため、その後のダイシングソーによる外形形成と同時に光学端面の形成が可能である。この方法を次に説明する。
図3(A)〜(G)は、高分子材料を用いた光導波路の製造方法の一例を説明するための図である。図3(A)は光導波路用凸部12が形成された原盤10を示す。この原盤10の光導波路用凸部12が形成された面に、図3(B)に示すように、鋳型形成用の硬化性樹脂材料の層20aを形成し硬化する。次に、硬化した鋳型形成用の樹脂材料の層20aを原盤10から剥離し(型取り)、この層に形成された凹部22(原盤の光導波路用の凸部12に対応する)が露出するようにその両端を切断して、図3(C)に示すように、鋳型20を作製する。この鋳型は例えばシリコーン樹脂製とすることができる。
この鋳型20に、図3(D)に示すように、それと密着性が良いクラッド用基材(クラッド)30を密着させる。次に、鋳型20の一端をコアとなる硬化性樹脂40aに接触させ、毛細管現象を利用して鋳型の凹部22に進入させる。図3(E)は、鋳型20の凹部に硬化性樹脂が充填された状態を示す。そして、紫外線の照射又は加熱により凹部内に充填した硬化性樹脂を硬化させ、硬化した鋳型を剥離する(図示せず)。これにより、図3(F)に示すように、クラッド30の上に光導波路用凸部(コア)40が形成される。さらに、クラッド30のコア形成面にクラッド50を形成する。これにより、図3(G)に示すように、光導波路60が作製される。以上のようにして作製された光導波路60を、ダイシングソー等により成形して光導波路1を得る。ダイシングソーによる光導波路の外形形成例を次に示す。簡単の為、ここでは対向した45度傾斜面間を直線で接続した光導波路とする。
図4は、光導波路の外形形成方法の一例を説明するための上面図である。本例では、図示のように、クラッド50に覆われた複数の直線状のコア40が互いに平行に配列された光導波路60(光導波路フィルム)について、コア40の長手方向、およびコア40の長手方向に対し45度の角度で切削を行い、平行四辺形状の光導波路1とする。このように光導波路フィルム上面形状を平行四辺形とする方法では、光導波路のすべての端面が同一のダイシングブレードにより成形可能であり、切削にかかる工数は通常の光導波路フィルムを作製する場合と同等である。また、光導波路フィルム内にコアを自由に設計できるため、図2(B)に示したようなコア2a,2bによる副導波路部を有する光導波路を作製する事ができる。
図5(A)〜(C)は、光導波路の外形形成方法の一例を説明するための側面図である。本例では、まず、図5(A)に示すように、刃先におよそ45度の傾斜角を有するダイシングブレード51を、土台52上に配置された光導波路60(光導波路フィルム)に対して垂直に当てて切削加工を行うことにより、45度傾斜面53を作製する。次に、必要に応じて、図5(B)に示すように、傾斜面53に対してスパッタリング等により金属薄膜または誘電体多層膜からなるビームスプリッタ54を形成する。この工程は必須ではなく、別の方法でビームスプリッタを形成してもよい。そして、図5(C)に示すように、光導波路60を裏返して土台52上に配置し、上記図5(A)の場合と同様にして、ダイシングブレード51を光導波路60に対して垂直に当てて切削加工を行うことにより、45度傾斜面55を作製する。このように、光導波路60の両面に対し切削を行うことにより、光導波路60の側面形状を平行四辺形とすることができる。この方法は、光導波路フィルムの片面に対し45度傾斜面を形成した後、該傾斜面に対して金属薄膜または誘電体多層膜からなるビームスプリッタを形成し、しかる後に光導波路フィルムのもう一方の面に対して切削を行うものであり、これにより複数の光導波路に対し一括してビームスプリッタを形成することが可能である。次に光送受信装置について説明する。
<光送受信装置>
図6は本発明に係る光送受信装置の一実施例を示す側面図であり、図7は本発明に係る光送受信装置の一実施例を示す上面図である。本実施例では、一芯双方向通信用の光送受信装置を示す。図示のように、光送受信装置61は、台座62と、光学的に透明な窓材63を有するカバー64とを備えたパッケージを具備している。窓材63は、例えば図示しない光ファイバに光学的に接続可能とされている。台座62上には、サブマウント基板65が配置されている。このサブマウント基板65上には、面型発光型素子66と、面型受光素子67と、受光素子用アンプ68とが搭載されており、さらに側面形状が平行四辺形状の光導波路1が、面型発光素子66および面型受光素子67の近傍に配置される。すなわち、発光素子66の発光面の法線方向と受光素子67の受光面の法線方向は一に(同方向に)されている。図示のように、発光素子66と受光素子67は所望の距離を隔てて同一平面に配置され、これにより簡易な構造で面型発光素子に対応可能となり受信感度も高くすることができる。
光導波路1は、例えばコア径が45μmであり光の伝搬方向の一方の端面に反射率を15%に設定した光分配手段としてのビームスプリッタ4を備えている。ここで、発光素子66としては、装置外へ出射する光量をレーザー安全基準内に抑えること、及び受信感度を高めることのバランスを考えると、端面発光レーザに比較して発光効率が高いVCSELを発光素子として用いることが望ましい。また、受光素子67としては、フォトダイオード、例えば、高速なシリコン系、またはガリウムヒ素系のPINフォトダイオード、或は、MSM(Metal−Semiconductor−Metal)型フォトダイオードを用いることができるが、その他の素子であってもよい。
本実施例では、面型受光素子67は、台座62上面の中央部に光導波路1のビームスプリッタ4と対向して設置される。波長選択フィルタ4の面と面型受光素子67の受光面の空間には屈折率が1.3から1.8程度の接着剤69が介在している。面型受光素子67に入射する信号光を透過率の高いビームスプリッタ4の透過光とすることで、信号光を効率よく受光することが出来る。この場合、ビームスプリッタ4の反射率は例えば5%以上50%未満に設定される。また、面型発光素子(VCSEL)66を光導波路1の他方の45度傾斜面に対向して設置することにより、45度傾斜面による2回の光路変換による損失と、ビームスプリッタの反射率、および光導波路の導波性能の最適化によって、レーザー光の光量を安全基準内に抑えるように調整することができる。面型発光素子66と面型受光素子67は、それぞれ突き当てによる位置決め機構を有するサブマウント基板65により相互の位置を精密に調整し実装する事ができる。面型発光素子66と面型受光素子67の配置位置は交換可能である。面型発光素子66が、台座62上面の中央部に光導波路1のビームスプリッタ4と対向して設置される場合、ビームスプリッタ4の反射率は例えば50%以上95%未満に設定される。
次に、本実施例の動作を説明する。図6に示すように、面型発光素子66から上方に向けて出射された第1の信号光L1は、光導波路1のコア2の45度傾斜面によって反射され、図の左方向にコア2を伝搬し、ビームスプリッタ4において、一部が反射光L1rとして上方に反射されて窓材63を介して光送受信装置61の外部へ導かれる。また、その残部は透過光L1tとしてそのまま透過する。一方、光送受信装置61の外部から窓材63を介して入射する第2の信号光L2は、光導波路1の上方より入射し、ビームスプリッタ4において、一部は透過光L2tとしてそのまま透過して面受光素子に到達する。また、その残部は反射光L2rとして図の右方向にコア2を伝搬し、45度傾斜面によって反射されて面型発光素子66方向に出射されるが、反射光L2rの光量は小さくしかも光導波路1から出射する時に発散するので面型発光素子66に悪影響を与えることはない。
光導波路1は受発光素子との光接続と受発光素子の電気結線を考慮して設計される。前者の光接続に関しては、受発光素子と光導波路コア部の45度傾斜面の距離が近い事が望まれる。レンズを介さない発光素子からの出射光は平行光ではなく広がり角を持つ事から、発光面と該発光面に接続される導波路コア部との距離の増加に伴い、良好な光結合のために必要とされる実装位置の公差は厳しくなる。また、光導波路への入射光を効率良くコアの45度傾斜面に光接続し、且つ、ビームスプリッタからの透過光を効率良く面型受光素子に入射させる為には、コア部45度傾斜面と面型受光素子の隔たりも小さい事が要求される。例えば、NAが0.2の信号光がコア部の45度傾斜面に焦点を持って入射する場合に、有効受光径が70μmのフォトダイオードの実装公差を±10μm程度確保するためには、コアと受光面との距離を150μmよりも小さくする必要がある。図2(A)に示したように、光導波路外部へ出射される、もしくは光導波路外部より入射される信号光の光路となる光導波路表面にマイクロレンズを設ける事により、光結合時の実装トレランスの向上が可能になる。
また、後者の受発光素子の電気結線に関しては、受発光素子の上方に設置される光導波路が受発光素子の電極面と干渉しないように配慮する必要がある。図8(A)、(B)は受発光素子電極面と光導波路構造との関係の一例を示す図、図9(A)、(B)は受発光素子電極面と光導波路構造との関係の他の例を示す図である。各図において符号81,82は、それぞれ発光素子66および受光素子67の電極(電極面)を示す。例えば、図8(A)、(B)に示すように、光導波路1のコア2の長手方向延長線上に発光素子(VCSEL)66の電極面を配置する場合には、光導波路45度面の下部83を切り落とすことも有効である。また、図9(A)、(B)に示すように、コア2の長手方向と垂直に光導波路側面側に発光素子(VCSEL)66および受光素子(フォトダイオード)67の電極面を配置する場合には、コア2と受発光素子電極面が配置される側の光導波路側面までの距離を小さく設計する事で、光導波路1と受発光素子の電極面との干渉を回避することができる。
このように、本発明に係る光送受信装置は、受発光素子が光導波路を介して光ファイバと接続される双方向光通信モジュールであって、光伝播方向の端面を約45度傾斜面とした側面視形状が平行四辺形の光導波路と、前記光導波路の一方の45度傾斜面に配置され、入射した光を透過光と反射光とに配分する光分配手段と、受発光面の法線方向を一にした一つの発光素子と一つの受光素子により構成され、前記受発光素子の一方が受発光面の法線方向を該モジュールの入出射方向として前記光導波路の前記光分配手段が配置された45度傾斜面に対向して配置され、他方の受発光素子が他方の45度傾斜面とクラッド部を介して光接合されるものである。これにより、簡易な構造で面型発光素子に対応可能な受信感度の高い光送受信装置を得ることができる。
本発明は光送受信装置に係り、特に、面型発光素子に対応した光送受信装置に関するものであり、産業上の利用可能性がある。
(A)は、光送受信装置において信号光の光量の分配と受発光素子との光接合を担う光導波路の構成例を示す斜視図であり、(B)は、(A)の光導波路の側面図である。 (A)、(B)はそれぞれ光導波路パターンのパリエーションを示す側面図である。 (A)〜(G)は高分子材料を用いた光導波路の製造方法の一例を説明するための図である。 光導波路の外形形成方法の一例を説明するための上面図である。 (A)〜(C)は光導波路の外形形成方法の一例を説明するための側面図である。 本発明に係る光送受信装置の一実施例を示す側面図である。 本発明に係る光送受信装置の一実施例を示す上面図である。 受発光素子電極面と光導波路構造との関係の一例を示す図である。 受発光素子電極面と光導波路構造との関係の他の例を示す図である。
符号の説明
L1第1の信号光
L2 第2の信号光
1 光導波路
2,2a,2b,2c コア
3 クラッド
4 ビームスプリッタ
6a,6b 45度傾斜面
7 反射ミラー
8a,8b マイクロレンズ

Claims (17)

  1. コアと前記コアを覆うクラッドとを有し前記コア長手方向両端部にそれぞれ同方向に傾斜面を形成した光導波路と、前記光導波路の一方の傾斜面に配置され入射光を透過光と反射光とに配分する光分配手段と、発光面の法線方向と受光面の法線方向を一にした発光素子および受光素子とを備え、前記発光素子および受光素子の一方が、前記光導波路の一方の傾斜面および前記光分配手段を介して前記光導波路と光学的に結合され、前記発光素子および受光素子の他方が、前記光導波路の他方の傾斜面および前記クラッドを介して前記光導波路と光学的に結合されることを特徴とする光送受信装置。
  2. 前記光分配手段は、反射率が50%以上95%未満に設定され、前記発光素子が前記光導波路の一方の傾斜面および前記光分配手段を介して前記光導波路と光学的に結合され、前記受光素子が前記光導波路の他方の傾斜面および前記クラッドを介して前記光導波路と光学的に結合されることを特徴とする請求項1に記載の光送受信装置。
  3. 前記光分配手段は、反射率が5%以上50%未満に設定され、前記受光素子が前記光導波路の一方の傾斜面および前記光分配手段を介して前記光導波路と光学的に結合され、前記発光素子が前記光導波路の他方の傾斜面および前記クラッドを介して前記光導波路と光学的に結合されることを特徴とする請求項1に記載の光送受信装置。
  4. 前記光導波路の傾斜面が45度傾斜面であることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の光送受信装置。
  5. 前記光分配手段が金属薄膜からなるビームスプリッタであることを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載の光送受信装置。
  6. 前記光分配手段が誘電体多層膜からなるビームスプリッタであることを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載の光送受信装置。
  7. 前記光分配手段が前記傾斜面に直接形成されていることを特徴とする請求項1から6のいずれかに記載の光送受信装置。
  8. 前記発光素子が垂直共振型面発光レーザであることを特徴とする請求項1から7に記載の光送受信装置。
  9. 前記光導波路の他方の傾斜面に金属薄膜または誘電体多層膜による反射ミラーを配置したことを特徴とする請求項1から8のいずれかに記載の光送受信装置。
  10. 前記コアの少なくとも一方の端部における前記コア長手方向と垂直方向の光導波路の表面上にマイクロレンズを設けたことを特徴とする請求項1から9のいずれかに記載の光送受信装置。
  11. 前記光導波路が高分子光導波路であることを特徴とする請求項1から10のいずれかに記載の光送受信装置。
  12. コアと前記コアを覆うクラッドとを備え、前記コア長手方向両端部にそれぞれ傾斜面を形成して側面視形状を平行四辺形とし、前記傾斜面の一方に入射光を透過光と反射光とに配分する光分配手段を配置したことを特徴とする光導波路。
  13. 前記傾斜面が45度傾斜面であることを特徴とする請求項12に記載の光導波路。
  14. 前記傾斜面の他方に金属薄膜または誘電体多層膜による反射ミラーを配置したことを特徴とする請求項12または13に記載の光導波路。
  15. 前記コアの少なくとも一方の端部における前記コア長手方向と垂直方向の前記クラッドの表面上にマイクロレンズを設けたことを特徴とする請求項12から14のいずれかに記載の光導波路。
  16. 前記コアの少なくとも一方の端部において前記コア長手方向と垂直方向に別のコアを設けたことを特徴とする請求項11から15のいずれかに記載の光導波路。
  17. 前記コアと前記コアを覆うクラッドとが高分子材料で形成されることを特徴とする請求項12から16のいずれかに記載の光導波路。
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