JP2008210941A - 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置 - Google Patents

Abstract

【課題】発光波長が制御され、高い発光効率を示し、且つ発光寿命の長い有機ＥＬ素子、照明装置及び表示装置を提供する、特に、青色〜青緑色の短波な発光で、高い発光効率を示し、且つ発光寿命の長い有機ＥＬ素子を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で表される置換基を有する化合物を含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化１】

【選択図】なし

Description

本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置に関する。

従来、発光型の電子ディスプレイデバイスとして、エレクトロルミネッセンスディスプレイ（以下、ＥＬＤともいう）がある。ＥＬＤの構成要素としては、無機エレクトロルミネッセンス素子や有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、有機ＥＬ素子ともいう）が挙げられる。

無機エレクトロルミネッセンス素子は、平面型光源として使用されてきたが、発光素子を駆動させるためには交流の高電圧が必要である。

有機エレクトロルミネッセンス素子は、発光する化合物を含有する発光層を陰極と陽極で挟んだ構成を有し、発光層に電子及び正孔を注入して、再結合させることにより励起子（エキシトン）を生成させ、このエキシトンが失活する際の光の放出（蛍光・燐光）を利用して発光する素子であり、数Ｖ〜数十Ｖ程度の電圧で発光が可能であり、さらに、自己発光型であるために視野角に富み、視認性が高く、薄膜型の完全固体素子であるために省スペース、携帯性等の観点から注目されている。

しかしながら、今後の実用化に向けた有機ＥＬ素子においては、さらに低消費電力で効率よく高輝度に発光する有機ＥＬ素子の開発が望まれている。

特許第３０９３７９６号明細書では、スチルベン誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体またはトリススチリルアリーレン誘導体に、微量の蛍光体をドープし、発光輝度の向上、素子の長寿命化を達成している。

また、８−ヒドロキシキノリンアルミニウム錯体をホスト化合物として、これに微量の蛍光体をドープした有機発光層を有する素子（例えば、特開昭６３−２６４６９２号公報）、８−ヒドロキシキノリンアルミニウム錯体をホスト化合物として、これにキナクリドン系色素をドープした有機発光層を有する素子（例えば、特開平３−２５５１９０号公報）等が知られている。

以上のように、励起一重項からの発光を用いる場合、一重項励起子と三重項励起子の生成比が１：３であるため発光性励起種の生成確率が２５％であり、光の取り出し効率が約２０％であるため、外部取り出し量子効率（ηｅｘｔ）の限界は５％とされている。

ところが、プリンストン大より励起三重項からの燐光発光を用いる有機ＥＬ素子の報告（Ｍ．Ａ．Ｂａｌｄｏ ｅｔ ａｌ．，ｎａｔｕｒｅ、３９５巻、１５１−１５４ページ（１９９８年））がされて以来、室温で燐光を示す材料の研究が活発になってきている。

例えばＭ．Ａ．Ｂａｌｄｏ ｅｔ ａｌ．，ｎａｔｕｒｅ、４０３巻、１７号、７５０−７５３ページ（２０００年）、また米国特許第６，０９７，１４７号明細書等にも開示されている。

励起三重項を使用すると、内部量子効率の上限が１００％となるため、励起一重項の場合に比べて原理的に発光効率が４倍となり、冷陰極管とほぼ同等の性能が得られる可能性があることから照明用途としても注目されている。

例えば、Ｓ．Ｌａｍａｎｓｋｙ ｅｔ ａｌ．，Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１２３巻、４３０４頁（２００１年）等においては、多くの化合物がイリジウム錯体系等重金属錯体を中心に合成検討されている。

また、前述のＭ．Ａ．Ｂａｌｄｏ ｅｔ ａｌ．，Ｎａｔｕｒｅ、４０３巻、１７号、７５０〜７５３頁（２０００年）においては、ドーパントとしてトリス（２−フェニルピリジン）イリジウムを用いた検討がされている。

その他、Ｍ．Ｅ．Ｔｏｍｐｓｏｎ等は、Ｔｈｅ １０ｔｈ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｗｏｒｋｓｈｏｐ ｏｎ Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ ａｎｄ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ（ＥＬ’００、浜松）において、ドーパントとしてＬ₂Ｉｒ（ａｃａｃ）、例えば、（ｐｐｙ）₂Ｉｒ（ａｃａｃ）を、またＭｏｏｎ−Ｊａｅ Ｙｏｕｎ．０ｇ、Ｔｅｔｓｕｏ Ｔｓｕｔｓｕｉ等は、やはりＴｈｅ １０ｔｈ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｗｏｒｋｓｈｏｐ ｏｎ Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ ａｎｄ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ（ＥＬ’００、浜松）において、ドーパントとしてトリス（２−（ｐ−トリル）ピリジン）イリジウム（Ｉｒ（ｐｔｐｙ）₃），トリス（ベンゾ［ｈ］キノリン）イリジウム（Ｉｒ（ｂｚｑ）₃）等を用いた検討を行っている（なおこれらの金属錯体は一般にオルトメタル化イリジウム錯体と呼ばれている。）。

また、前記Ｓ．Ｌａｍａｎｓｋｙ ｅｔ ａｌ．，Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１２３巻、４３０４頁（２００１年）や特開２００１−２４７８５９号公報等においても、各種イリジウム錯体を用いて素子化する試みがされている。

また、高い発光効率を得るためにＴｈｅ １０ｔｈ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｗｏｒｋｓｈｏｐ ｏｎ Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ ａｎｄ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ（ＥＬ’００、浜松）では、Ｉｋａｉ等はホール輸送性の化合物をリン光性化合物のホストとして用いている。また、Ｍ．Ｅ．Ｔｏｍｐｓｏｎ等は各種電子輸送性材料をリン光性化合物のホストとして、これらに新規なイリジウム錯体をドープして用いている。

中心金属をイリジウムの代わりに白金としたオルトメタル化錯体も注目されている。この種の錯体に関しては、配位子に特徴を持たせた例が多数知られている。

いずれの場合も発光素子とした場合の発光輝度や発光効率は、その発光する光がリン光に由来することから従来の素子に比べ大幅に改良されるものであるが、素子の発光寿命については従来の素子よりも低いという問題点があった。このように、リン光性の高効率の発光材料は、発光波長の短波化と素子の発光寿命の改善が難しく、実用に耐えうる性能を十分に達成できていないのが現状である。

また、波長の短波化に関してはこれまでフェニルピリジンにフッ素原子、トリフルオロメチル基、シアノ基等の電子吸引基を置換基として導入すること、配位子としてピコリン酸やピラザボール系の配位子を導入することが知られているが、これらの配位子では発光材料の発光波長が短波化して青色を達成し、高効率の素子を達成できる一方、素子の発光寿命は大幅に劣化するため、そのトレードオフの改善が求められていた。

配位子としてフェニルピリジンの母核にカルバゾールの部分構造を導入した金属錯体が知られている（例えば、特許文献１、２参照。）。また、配位子としてフェニルピラゾールの母核にカルバゾールの部分構造を導入した金属錯体が知られている（例えば、特許文献３参照）。

ここで開示されているように、金属錯体の配位子の構造にヘテロ原子を含む三環以上の環からなる縮環構造を導入することにより、発光の素子寿命に改善が見られるが、まだ十分ではなく色度の点でも改良の余地が残っている。

一方、配位子としてフェニルイミダゾールを基本骨格にして、種々の置換基を導入した例が開示されているが、発光寿命には大きな改善は見られず、改良の余地が残っている（例えば、特許文献４、５参照。）。

一方、これらリン光発光性ドーパントのホスト化合物として、ＣＢＰ、ｍ−ＣＰに代表されるカルバゾール誘導体がよく知られている（例えば、特許文献６、７参照。）。特に、青発光のホスト化合物としては、バンドギャップの大きなｍ−ＣＰやその誘導体が知られている。

しかしながら、これらの有機ＥＬ材料を用いても効率と寿命を十分に満足する性能に至っておらず、さらなる改善が求められていた。
特開２００４−６７６５８号公報 特開２００５−２３０７０号公報 国際公開第０４／０８５４５０号パンフレット 国際公開第０５／００７７６７号パンフレット 特開２００５−６８１１０号公報 国際公開第０３／８０７６０号パンフレット 国際公開第０４／７４３９９号パンフレット

本発明は係る課題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、発光波長が制御され、高い発光効率を示し、且つ発光寿命の長い有機ＥＬ素子、照明装置及び表示装置を提供することである。特に、青色〜青緑色の短波な発光で、高い発光効率を示し、且つ発光寿命の長い有機ＥＬ素子を提供することである。

本発明の上記目的は、下記の構成１〜２２により達成された。

１．下記一般式（１）で表される置換基を有する化合物を含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。

〔式中、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₄、Ｒ₅は、各々水素原子または置換基を表す。＊は該化合物との連結部分を表す。〕
２．下記一般式（２）で表される部分構造を有する金属錯体を含有することを特徴とする前記１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

〔式中、Ｚ１１は、芳香族炭化水素環または芳香族複素環を形成するのに必要な原子群を表し、Ｚ１２は芳香族複素環を形成するのに必要な原子群を表すが、Ｚ１１、Ｚ１２で表される環の少なくともひとつは、前記一般式（１）で表される置換基を有する。Ｙ₁₁、Ｙ₁₂、Ｙ₁₃は、各々炭素原子または窒素原子を表す。Ｙ₁₁とＹ₁₂間の結合及びＹ₁₃と窒素原子間の結合は、各々単結合または二重結合を表す。Ｍ₀₁は元素周期表における８族〜１０族の元素を表す。〕
３．前記一般式（２）で表される部分構造が、下記一般式（３）であらわされる部分構造であることを特徴とする前記２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

〔式中、Ｒ₂₁、Ｒ₂₂、Ｒ₂₃、Ｒ₂₄、Ｒ₂₅、Ｒ₂₆、Ｒ₂₇、Ｒ₂₈は、各々水素原子または置換基を表すが、該置換基の少なくとも一つは前記一般式（１）で表される置換基である。Ｍ₀₂は、元素周期表における８族〜１０族の元素を表す。〕
４．前記一般式（２）で表される部分構造が、下記一般式（４）で表される部分構造であることを特徴とする前記２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

〔式中、Ｚ２１は、芳香族炭化水素環または芳香族複素環を形成するのに必要な原子群を表す。Ｘ₃₁、Ｘ₃₂、Ｘ₃₃、Ｘ₃₄、Ｙ₃₁、Ｙ₃₂は、各々炭素原子または窒素原子を表す。Ｙ₃₁とＹ₃₂間の結合、Ｘ₃₁とＸ₃₂間の結合、Ｘ₃₂とＸ₃₃間の結合、Ｘ₃₃とＸ₃₄間の結合、Ｘ₃₄と窒素原子間の結合、窒素原子とＸ₃₁の結合、Ｘ₃₁とＹ₃₁間の結合、Ｙ₃₁とＹ₃₂間の結合は、各々単結合または二重結合を表す。Ｍ₀₃は元素周期表における８族〜１０族の元素を表す。〕
５．前記一般式（２）で表される部分構造が、下記一般式（５）であらわされる部分構造であることを特徴とする前記２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

〔式中、Ｚ３１は、芳香族炭化水素環または芳香族複素環を形成するのに必要な原子群を表す。Ｘ₄₁、Ｙ₄₁、Ｙ₄₂は各々炭素原子または窒素原子を表す。Ｙ₄₃、Ｙ₄₄、Ｙ₄₅は各々炭素原子、−ＣＲ₄₁、窒素原子、−ＮＲ₄₂、酸素原子、硫黄原子を表す。Ｒ₄₁、Ｒ₄₂は水素原子または置換基を表す。Ｘ₄₁とＹ₄₁間の結合、Ｙ₄₁とＹ₄₂間の結合、Ｙ₄₂とＹ₄₃間の結合、Ｙ₄₃とＹ₄₄間の結合、Ｙ₄₄とＹ₄₅間の結合、Ｙ₄₅とＹ₄₁間の結合は、各々単結合、または、二重結合を表す。Ｍ₀₄は元素周期表における８族〜１０族の元素を表す。〕
６．前記一般式（４）で表される部分構造が、下記一般式（６）で表される部分構造であることを特徴とする前記４に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

〔式中、Ｚ４１は、芳香族炭化水素環または芳香族複素環を形成するのに必要な原子群を表す。Ｙ₅₁、Ｙ₅₂は、各々炭素原子または窒素原子を表す。Ｒ₅₁、Ｒ₅₂、Ｒ₅₃は、各々水素原子または置換基を表す。Ｙ₅₁とＹ₅₂間の結合は、各々単結合、または、二重結合を表す。Ｍ₀₅は元素周期表における８族〜１０族の元素を表す。〕
７．前記一般式（４）で表される部分構造が、下記一般式（７）で表される部分構造であることを特徴とする前記４に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

〔式中、Ｚ５１は、芳香族炭化水素環または芳香族複素環を形成するのに必要な原子群を表す。Ｙ₆₁、Ｙ₆₂は、各々炭素原子または窒素原子を表す。Ｒ₆₁、Ｒ₆₂、Ｒ₆₃は、各々水素原子または置換基を表す。Ｙ₆₁とＹ₆₂間の結合は、各々単結合、または、二重結合を表す。Ｍ₀₆は元素周期表における８族〜１０族の元素を表す。〕
８．前記一般式（６）で表される部分構造が、下記一般式（８）で表される部分構造であることを特徴とする前記６に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

〔式中、Ｒ₈₁、Ｒ₈₂、Ｒ₈₃、Ｒ₈₄、Ｒ₈₅、Ｒ₈₆、Ｒ₈₇は、各々水素原子または置換基を表すが、該Ｒ₈₁、Ｒ₈₂、Ｒ₈₃、Ｒ₈₄、Ｒ₈₅、Ｒ₈₆、Ｒ₈₇の少なくとも一つは、前記一般式（１）で表す置換基である。Ｍ₀₇は元素周期表における８族〜１０族の元素を表す。〕
９．前記Ｒ₈₂が、前記一般式（１）で表される置換基であることを特徴とする前記８に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

１０．前記Ｒ₈₃が、前記一般式（１）で表される置換基であることを特徴とする前記８に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

１１．前記Ｒ₈₆が、前記一般式（１）で表される置換基であることを特徴とする前記８に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

１２．前記Ｒ₈₇が、前記一般式（１）で表される置換基であることを特徴とする前記８に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

１３．前記Ｒ₈₅が、前記一般式（１）で表される置換基を有することを特徴とする前記８に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

１４．前記一般式（２）で表される部分構造が、下記一般式（９）で表される部分構造であることを特徴とする前記２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

〔式中、Ｚ６１は、芳香族炭化水素環または芳香族複素環を形成するのに必要な原子群を表し、Ｚ６２は芳香族複素環を表すが、Ｚ６１、Ｚ６２で表される環の少なくともひとつは、前記一般式（１）で表される置換基を有する。Ｙ₁₁₁は炭素原子、または、窒素原子を表す。Ｙ₁₁₁と窒素原子間の結合は、各々単結合、または、二重結合を表す。Ｘ₁₀₁は酸素原子、硫黄原子、−ＮＲ₁₁₆または−Ｃ（Ｒ₁₁₇）（Ｒ₁₁₈）を表す。Ｒ₁₁₂、Ｒ₁₁₃、Ｒ₁₁₆、Ｒ₁₁₇、Ｒ₁₁₈は、各々水素原子または置換基を表す。Ｙ₁₁₁と窒素原子間の結合は、各々単結合または二重結合を表す。Ｍ₁₀₁は元素周期表における８族〜１０族の元素を表す。〕
１５．前記一般式（９）で表される部分構造が、下記一般式（１０）で表される部分構造であることを特徴とする前記１４に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

〔式中、Ｚ７１は、芳香族炭化水素環または芳香族複素環を形成するのに必要な原子群を表す。Ｘ₁₁₁は酸素原子、硫黄原子、−ＮＲ₁₂₆、または、−Ｃ（Ｒ₁₂₇）（Ｒ₁₂₈）を表す。Ｒ₁₂₁，Ｒ₁₂₂，Ｒ₁₂₃，Ｒ₁₂₄，Ｒ₁₂₅，Ｒ₁₂₆，Ｒ₁₂₇，Ｒ₁₂₈は水素原子または置換基を表す。Ｍ₁₁₁は元素周期表における８族〜１０族の元素を表す。〕
１６．前記一般式（１０）で表される部分構造が、下記一般式（１１）で表される部分構造であることを特徴とする前記１５に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

〔式中、Ｒ₁₃₁，Ｒ₁₃₂，Ｒ₁₃₃，Ｒ₁₃₄，Ｒ₁₃₅，Ｒ₁₃₆，Ｒ₁₃₇，Ｒ₁₃₈，Ｒ₁₃₉，Ｒ₁₄₀は、各々水素原子または置換基を表す。Ｍ₁₁₂は元素周期表における８族〜１０族の元素を表す。〕
１７．前記Ｒ₁₃₁が、前記一般式（１）で表す置換基を有することを特徴とする前記１６に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

１８．前記８族〜１０族の元素が、イリジウムであることを特徴とする前記１〜１６のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

１９．前記８族〜１０族の元素が、白金であることを特徴とする前記１〜１６のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

２０．構成層として発光層を有することを特徴とする前記１〜１９のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

２１．前記１〜２０のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を有することを特徴とする表示装置。

２２．前記１〜２０のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を有することを特徴とする照明装置。

本発明により、発光波長が制御され、高い発光効率を示し、且つ、発光寿命の長い有機ＥＬ素子、照明装置及び表示装置を提供することができた。特に、青色〜青緑色の短波な発光で、高い発光効率を示し、且つ、発光寿命の長い有機ＥＬ素子を提供することができた。

本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子においては、請求項１〜２０のいずれか１項に規定される構成により、高い発光効率を示し、且つ、発光寿命の長い有機ＥＬ素子、照明装置及び表示装置を提供することができた。

本発明者等は、上記の問題点について鋭意検討を行った結果、上記一般式（１）で表される置換基を有する化合物、具体的には、置換または未置換のシクロプロピル基を置換基として有する化合物を含む有機ＥＬ素子は、発光効率の向上、発光寿命の向上等の特性が大きく改善されることが分かった。

その理由としては、シクロプロピル基を有する置換基を有する化合物を有機ＥＬ素子材料として用いることにより、シクロプロピル基の立体的なかさ高さが、分子間にはたらく立体的な相互作用を打ち消し、結果的に、発光効率の改善や発光寿命を長くすることに効果があったと推定される。

更に、シクロプロピル基は、アルキル基であるにもかかわらず、その置換基としての性質は、二重結合性が高まることにより電子吸引性を示すことが判っている。

例えば、本発明に係る一般式（１）で表される置換基を有する化合物として、発光ドーパントとして用いられるシクロプロピル基を有する金属錯体を例にとって考えてみると、シクロプロピル基を有することにより、該金属錯体は、分子全体の電位が下がることが判った。そのことにより、化合物の安定性が上がり、発光寿命が改善されると推定される。

また、有機ＥＬ素子材料に適用される化合物への本発明に係る一般式（１）で表される置換基（シクロプロピル基）の導入は、発光ドーパントとして用いられる金属錯体のみでなく、発光ホストや正孔阻止材料等、その他の有機ＥＬ素子材料へ導入した場合でも、本発明に記載の改善効果が得られることが見出された。

以下、本発明に係る各構成要素の詳細について、順次説明する。

《一般式（１）で表される置換基を有する化合物》
本発明に係る一般式（１）で表される置換基を有する化合物について説明する。

一般式（１）で表される置換基において、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₄、Ｒ₅で各々表される置換基としては、アルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基等）、シクロアルキル基（例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等）、アルケニル基（例えば、ビニル基、アリル基、１−プロペニル基、２−ブテニル基、１，３−ブタジエニル基、２−ペンテニル基、イソプロペニル基等）、アルキニル基（例えば、エチニル基、プロパルギル基等）、芳香族炭化水素基（芳香族炭素環基、アリール基等ともいい、例えば、フェニル基、ｐ−クロロフェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基、アズレニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基、ピレニル基、ビフェニリル基等）、芳香族複素環基（例えば、フリル基、チエニル基、ピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、トリアジニル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、チアゾリル基、キナゾリニル基、カルバゾリル基、カルボリニル基、ジアザカルバゾリル基（前記カルボリニル基のカルボリン環を構成する任意の炭素原子の一つが窒素原子で置き換わったものを示す）、フタラジニル基等）、複素環基（例えば、ピロリジル基、イミダゾリジル基、モルホリル基、オキサゾリジル基等）、アルコキシ基（例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、ドデシルオキシ基等）、シクロアルコキシ基（例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等）、アリールオキシ基（例えば、フェノキシ基、ナフチルオキシ基等）、アルキルチオ基（例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、ドデシルチオ基等）、シクロアルキルチオ基（例えば、シクロペンチルチオ基、シクロヘキシルチオ基等）、アリールチオ基（例えば、フェニルチオ基、ナフチルチオ基等）、アルコキシカルボニル基（例えば、メチルオキシカルボニル基、エチルオキシカルボニル基、ブチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基等）、アリールオキシカルボニル基（例えば、フェニルオキシカルボニル基、ナフチルオキシカルボニル基等）、スルファモイル基（例えば、アミノスルホニル基、メチルアミノスルホニル基、ジメチルアミノスルホニル基、ブチルアミノスルホニル基、ヘキシルアミノスルホニル基、シクロヘキシルアミノスルホニル基、オクチルアミノスルホニル基、ドデシルアミノスルホニル基、フェニルアミノスルホニル基、ナフチルアミノスルホニル基、２−ピリジルアミノスルホニル基等）、アシル基（例えば、アセチル基、エチルカルボニル基、プロピルカルボニル基、ペンチルカルボニル基、シクロヘキシルカルボニル基、オクチルカルボニル基、２−エチルヘキシルカルボニル基、ドデシルカルボニル基、フェニルカルボニル基、ナフチルカルボニル基、ピリジルカルボニル基等）、アシルオキシ基（例えば、アセチルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ブチルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基、ドデシルカルボニルオキシ基、フェニルカルボニルオキシ基等）、アミド基（例えば、メチルカルボニルアミノ基、エチルカルボニルアミノ基、ジメチルカルボニルアミノ基、プロピルカルボニルアミノ基、ペンチルカルボニルアミノ基、シクロヘキシルカルボニルアミノ基、２−エチルヘキシルカルボニルアミノ基、オクチルカルボニルアミノ基、ドデシルカルボニルアミノ基、フェニルカルボニルアミノ基、ナフチルカルボニルアミノ基等）、カルバモイル基（例えば、アミノカルボニル基、メチルアミノカルボニル基、ジメチルアミノカルボニル基、プロピルアミノカルボニル基、ペンチルアミノカルボニル基、シクロヘキシルアミノカルボニル基、オクチルアミノカルボニル基、２−エチルヘキシルアミノカルボニル基、ドデシルアミノカルボニル基、フェニルアミノカルボニル基、ナフチルアミノカルボニル基、２−ピリジルアミノカルボニル基等）、ウレイド基（例えば、メチルウレイド基、エチルウレイド基、ペンチルウレイド基、シクロヘキシルウレイド基、オクチルウレイド基、ドデシルウレイド基、フェニルウレイド基ナフチルウレイド基、２−ピリジルアミノウレイド基等）、スルフィニル基（例えば、メチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、ブチルスルフィニル基、シクロヘキシルスルフィニル基、２−エチルヘキシルスルフィニル基、ドデシルスルフィニル基、フェニルスルフィニル基、ナフチルスルフィニル基、２−ピリジルスルフィニル基等）、アルキルスルホニル基（例えば、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、ブチルスルホニル基、シクロヘキシルスルホニル基、２−エチルヘキシルスルホニル基、ドデシルスルホニル基等）、アリールスルホニル基またはヘテロアリールスルホニル基（例えば、フェニルスルホニル基、ナフチルスルホニル基、２−ピリジルスルホニル基等）、アミノ基（例えば、アミノ基、エチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ブチルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、ドデシルアミノ基、アニリノ基、ナフチルアミノ基、２−ピリジルアミノ基等）、ハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等）、フッ化炭化水素基（例えば、フルオロメチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ペンタフルオロフェニル基等）、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、シリル基（例えば、トリメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、トリフェニルシリル基、フェニルジエチルシリル基等）、ホスホノ基等が挙げられる。

中でも、アルキル基、アルコキシ基、フッ化炭化水素基が好ましい。

これらの置換基は、上記の置換基によってさらに置換されていてもよい。また、これらの置換基は複数が互いに結合して環を形成していてもよい。

本発明に係る一般式（１）で表される化合物は、本発明の有機ＥＬ素子の構成層（後に詳細に説明する）として用いられる、陽極バッファー層、正孔輸送層、発光層、正孔阻止層、電子輸送層、陰極バッファー層、電子注入層、電子阻止層、正孔注入層等の各構成層を形成する材料として用いることができ、各々、本発明に記載の効果である、高い発光効率、且つ、長い発光寿命を示す有機ＥＬ素子を得ることができる。

上記の有機ＥＬ素子の構成材料の中でも、発光層の形成材料である、発光ホスト（単に、ホスト、ホスト化合物等ともいう）、発光ドーパントとして用いることが好ましく、特に好ましくは、発光ドーパントとして用いることである。

また、一般式（１）で表される置換基を有する化合物を発光ドーパントして用いる場合の好ましい態様である、下記（ａ）、（ｂ）、（ｃ）について説明する。

（ａ）一般式（１）で表される置換基を有する化合物が、上記一般式（２）で表される部分構造を有する金属錯体であることが好ましく、前記一般式（２）で表される部分構造として有する金属錯体が、上記一般式（３）、（４）、（５）または（９）で表される部分構造として有する金属錯体であることが更に好ましい。

（ｂ）一般式（４）で表される部分構造を有する金属錯体としては、上記一般式（６）または（７）で表される部分構造を有する金属錯体が好ましく、更に好ましくは、上記一般式（８）で表される部分構造を有する金属錯体である。

（ｃ）一般式（９）で表される部分構造を有する金属錯体としては、上記一般式（１０）または（１１）で表される部分構造を有する金属錯体が好ましい。

《一般式（２）で表される部分構造として有する金属錯体》
本発明に係る一般式（２）で表される部分構造を有する金属錯体について説明する。

一般式（２）において、Ｚ１１で形成される芳香族炭化水素環としては、例えば、ベンゼン環、ビフェニル環、ナフタレン環、アズレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ピレン環、クリセン環、ナフタセン環、トリフェニレン環、ｏ−テルフェニル環、ｍ−テルフェニル環、ｐ−テルフェニル環、アセナフテン環、コロネン環、フルオレン環、フルオラントレン環、ナフタセン環、ペンタセン環、ペリレン環、ペンタフェン環、ピセン環、ピレン環、ピラントレン環、アンスラアントレン環等が挙げられる。

これらの環は更に一般式（１）で表される置換基において、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₄、Ｒ₅で各々表される置換基を更に有していてもよい。

一般式（１）で表されるＺ１１で形成される芳香族複素環としては、フラン環、チオフェン環、オキサゾール環、ピロール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、ベンゾイミダゾール環、オキサジアゾール環、トリアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、チアゾール環、インドール環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、キノキサリン環、キナゾリン環、フタラジン環、カルバゾール環、カルボリン環、ジアザカルバゾール環（カルボリン環を構成する炭化水素環の炭素原子の一つが更に窒素原子で置換されている環を示す）等が挙げられる。

これらの基は更に一般式（１）で表される置換基において、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₄、Ｒ₅で各々表される置換基を更に有していてもよい。

一般式（２）において、Ｍ₀₁で表される、元素周期表における８族〜１０族の元素としては、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ等が挙げられるが、好ましくは、Ｉｒ（イリジウム）、Ｐｔ（白金）等である。

《一般式（３）、（４）、（５）または（９）で表される部分構造を有する金属錯体》
一般式（３）において、Ｒ₂₁、Ｒ₂₂、Ｒ₂₃、Ｒ₂₄、Ｒ₂₅、Ｒ₂₆、Ｒ₂₇、Ｒ₂₈で各々表される置換基としては、一般式（１）で表される置換基において、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₄、Ｒ₅で各々表される置換基と同義である。

一般式（３）において、Ｍ₀₂で表される元素周期表の８族〜１０族の元素は、一般式（２）のＭ₀₁で表される、元素周期表における８族〜１０族の元素と同義である。

一般式（４）において、Ｚ２１で形成される芳香族炭化水素環は、一般式（２）において、Ｚ₁₁で形成される芳香族炭化水素環と同義である。

一般式（４）において、Ｚ２１で形成される芳香族複素環は、一般式（２）において、Ｚ₁₁で形成される芳香族複素環と同義である。

一般式（５）において、Ｚ３１で形成される芳香族炭化水素環は、一般式（２）において、Ｚ₁₁で形成される芳香族炭化水素環と同義である。

一般式（５）において、Ｚ３１で形成される芳香族複素環は、一般式（２）において、Ｚ₁₁で形成される芳香族複素環と同義である。

一般式（５）の−ＣＲ₄₁、−ＮＲ₄₂において、Ｒ₄₁、Ｒ₄₂で各々表される置換基は、一般式（１）で表される置換基において、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₄、Ｒ₅で各々表される置換基と同義である。

一般式（５）において、Ｍ₀₄で表される元素周期表の８族〜１０族の元素は、一般式（２）のＭ₀₁で表される、元素周期表における８族〜１０族の元素と同義である。

一般式（９）において、Ｚ６１で形成される芳香族炭化水素環は、一般式（２）において、Ｚ₁₁で形成される芳香族炭化水素環と同義である。

一般式（９）において、Ｚ６１で形成される芳香族複素環は、一般式（２）において、Ｚ₁₁で形成される芳香族複素環と同義である。

一般式（９）において、Ｚ６２で形成される芳香族複素環は、一般式（２）において、Ｚ₁₁で形成される芳香族複素環と同義である。

一般式（９）において、Ｘ₁₀₁は酸素原子、硫黄原子、−ＮＲ₁₁₆または−Ｃ（Ｒ₁₁₇）（Ｒ₁₁₈）を表す。Ｒ₁₁₆、Ｒ₁₁₇、Ｒ₁₁₈は、各々水素原子または置換基を表す。

一般式（９）の−ＮＲ₁₁₆、−Ｃ（Ｒ₁₁₇）（Ｒ₁₁₈）において、Ｒ₁₁₆、Ｒ₁₁₇、Ｒ₁₁₈で各々表される置換基は、一般式（１）で表される置換基において、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₄、Ｒ₅で各々表される置換基と同義である。

一般式（９）において、Ｍ₁₀₁で表される元素周期表の８族〜１０族の元素は、一般式（２）のＭ₀₁で表される、元素周期表における８族〜１０族の元素と同義である。

《一般式（６）または（７）で表される部分構造を有する金属錯体》
一般式（６）において、Ｚ４１で形成される芳香族炭化水素環は、一般式（２）において、Ｚ₁₁でで形成される芳香族炭化水素環と同義である。

一般式（６）において、Ｚ４１で形成される芳香族複素環は、一般式（２）において、Ｚ₁₁で形成される芳香族複素環と同義である。

一般式（６）において、Ｒ₅₁、Ｒ₅₂、Ｒ₅₃で各々表される置換基は、一般式（１）で表される置換基において、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₄、Ｒ₅で各々表される置換基と同義である。

一般式（６）において、Ｍ₀₅は元素周期表の８族〜１０族の元素は、一般式（２）のＭ₀₁で表される、元素周期表における８族〜１０族の元素と同義である。

一般式（７）において、Ｚ５１で形成される芳香族炭化水素環は、一般式（２）において、Ｚ₁₁で形成される芳香族炭化水素環と同義である。

一般式（７）において、Ｚ５１で形成される芳香族複素環は、一般式（２）において、Ｚ₁₁で形成される芳香族複素環と同義である。

一般式（７）において、Ｒ₆₁、Ｒ₆₂、Ｒ₆₃で各々表される置換基は、一般式（１）で表される置換基において、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₄、Ｒ₅で各々表される置換基と同義である。

一般式（７）において、Ｍ₀₆で表される元素周期表の８族〜１０族の元素は、一般式（２）のＭ₀₁で表される、元素周期表における８族〜１０族の元素と同義である。

《一般式（８）で表される部分構造として有する金属錯体》
一般式（８）において、Ｒ₈₁、Ｒ₈₂、Ｒ₈₃、Ｒ₈₄、Ｒ₈₅、Ｒ₈₆、Ｒ₈₇で各々表される置換基は、一般式（１）で表される置換基において、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₄、Ｒ₅で各々表される置換基と同義である。

一般式（８）において、Ｍ₀₇で表される元素周期表の８族〜１０族の元素は、一般式（２）のＭ₀₁で表される、元素周期表における８族〜１０族の元素と同義である。

《一般式（１０）または（１１）で表される部分構造として有する金属錯体》
一般式（１０）において、Ｚ７１で形成される芳香族炭化水素環は、一般式（２）において、Ｚ₁₁で形成される芳香族炭化水素環と同義である。

一般式（１０）において、Ｚ７１で形成される芳香族複素環は、一般式（２）において、Ｚ₁₁で形成される芳香族複素環と同義である。
一般式（１０）において、Ｘ₁₁₁は酸素原子、硫黄原子、−ＮＲ₁₂₆、または、−Ｃ（Ｒ₁₂₇）（Ｒ₁₂₈）を表す。

一般式（１０）において、Ｒ₁₂₁，Ｒ₁₂₂，Ｒ₁₂₃，Ｒ₁₂₄，Ｒ₁₂₅，Ｒ₁₂₆，Ｒ₁₂₇，Ｒ₁₂₈で各々表される置換基は、一般式（１）で表される置換基において、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₄、Ｒ₅で各々表される置換基と同義である。

一般式（１０）において、Ｍ₁₁₁で表される元素周期表の８族〜１０族の元素は、一般式（２）のＭ₀₁で表される、元素周期表における８族〜１０族の元素と同義である。

一般式（１１）において、Ｒ₁₃₁，Ｒ₁₃₂，Ｒ₁₃₃，Ｒ₁₃₄，Ｒ₁₃₅，Ｒ₁₃₆，Ｒ₁₃₇，Ｒ₁₃₈，Ｒ₁₃₉，Ｒ₁₄₀で各々表される置換基は、一般式（１）で表される置換基において、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₄、Ｒ₅で各々表される置換基と同義である。

一般式（１１）において、Ｍ₁₁₂で表される元素周期表の８族〜１０族の元素は、一般式（２）のＭ₀₁で表される、元素周期表における８族〜１０族の元素と同義である。

以下に、一般式（１）で表される置換基を有する化合物の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されない。

これらの金属錯体は、例えば、Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｅｔｔｅｒ誌、ｖｏｌ３、Ｎｏ．１６、２５７９〜２５８１頁（２００１）、Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，第３０巻、第８号、１６８５〜１６８７頁（１９９１年）、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１２３巻、４３０４頁（２００１年）、Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，第４０巻、第７号、１７０４〜１７１１頁（２００１年）、Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，第４１巻、第１２号、３０５５〜３０６６頁（２００２年）、Ｎｅｗ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ．，第２６巻、１１７１頁（２００２年）、Ｅｕｒｏｐｅａｎ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，第４巻、６９５〜７０９頁（２００４年）、更にこれらの文献中に記載の参考文献等の方法を適用することにより合成できる。

以下に、代表的な化合物の合成例を示す。

《例示化合物７３の合成》

窒素雰囲気下で配位子１を、２ｇを２−エトキシエタノール２００ｍｌに溶解した溶液に、塩化イリジウム３水和物、０．７ｇ及び７０ｍｌの水を加え、窒素雰囲気下で５時間還流した。反応液を冷却し、メタノール１００ｍｌを加え、析出した結晶を濾取した。

得られた結晶を更にメタノールで洗浄し、乾燥後１．８ｇのμ錯体１を得た。

窒素雰囲気下でμ錯体１、１．８ｇ及び炭酸ナトリウム０．３ｇを２−エトキシエタノール１５０ｍｌに懸濁させた。

この懸濁液にアセチルアセトン０．３ｇを加え、窒素雰囲気下で２時間還流した。反応液を冷却後、減圧濾過によって炭酸ナトリウム及び無機塩を除去した。溶媒を減圧濃縮した後に得られた固体に水１Ｌを加えて懸濁後、固体を濾取した。

得られた結晶を更にメタノール／水＝１／１混合溶液で洗浄し、乾燥後１．０ｇのａｃａｃ錯体１を得た。

窒素雰囲気下でａｃａｃ錯体１、０．８ｇ及び、配位子１を０．５ｇをグリセリン１５０ｍｌに懸濁させた。窒素雰囲気下で反応温度１５０℃〜１６０℃の間で２時間反応させ、錯体Ｂの消失を確認したところで反応終了とした。

反応液を冷却し、メタノール２００ｍｌを加え、析出した結晶を濾取した。得られた結晶を更にメタノールで洗浄し、乾燥後収量０．５ｇの粗生成物を得た。この粗生成物を少量の塩化メチレンに溶解し、シカゲルカラムクロマトグラフィーによって精製し（塩化メチレン）０．３ｇの例示化合物７３を得た。

《有機ＥＬ素子の構成層》
本発明の有機ＥＬ素子の構成層について説明する。本発明において、有機ＥＬ素子の層構成の好ましい具体例を以下に示すが、本発明はこれらに限定されない。

（ｉ）陽極／発光層／電子輸送層／陰極
（ii）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
（iii）陽極／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／陰極
（iv）陽極／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／陰極バッファー層／陰極
（ｖ）陽極／陽極バッファー層／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／陰極バッファー層／陰極
本発明の有機ＥＬ素子においては、有機ＥＬ素子の構成層として、有機化合物層（例えば、陽極バッファー層、正孔輸送層、正孔注入層、電子阻止層、発光層、正孔阻止層、電子輸送層、電子注入層、陰極バッファー層等）に上記一般式（１）で表される置換基を有する化合物を用いることができる。

中でも、本発明に記載の効果を好ましく得る観点からは、発光層中に用いられることが好ましく、更に好ましくは、発光ホスト、発光ドーパントとして用いられることであり、特に好ましくは、発光ドーパントとして用いられることである。

また、本発明の有機ＥＬ素子は、青色発光層の発光極大波長は４３０ｎｍ〜４８０ｎｍにあるものが好ましく、緑色発光層は発光極大波長が５１０ｎｍ〜５５０ｎｍ、赤色発光層は発光極大波長が６００ｎｍ〜６４０ｎｍの範囲にある単色発光層であることが好ましく、これらを用いた表示装置であることが好ましい。また、これらの少なくとも３層の発光層を積層して白色発光層としたものであってもよい。更に、発光層間には非発光性の中間層を有していてもよい。本発明の有機ＥＬ素子としては白色発光層であることが好ましく、これらを用いた照明装置であることが好ましい。

本発明の有機ＥＬ素子を構成する各層について説明する。

《発光層》
本発明に係る発光層は、電極または電子輸送層、正孔輸送層から注入されてくる電子及び正孔が再結合して発光する層であり、発光する部分は発光層の層内であっても発光層と隣接層との界面であってもよい。

発光層の膜厚の総和は特に制限はないが、膜の均質性や、発光時に不必要な高電圧を印加するのを防止し、かつ、駆動電流に対する発光色の安定性向上の観点から、２ｎｍ〜５μｍの範囲に調整することが好ましく、さらに好ましくは２ｎｍ〜２００ｎｍの範囲に調整され、特に好ましくは、１０ｎｍ〜２０ｎｍの範囲である。

発光層の作製には、後述する発光ドーパントやホスト化合物を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法、インクジェット法等の公知の薄膜化法により製膜して形成することができる。

本発明の有機ＥＬ素子の発光層には、ホスト化合物と、発光ドーパント（リン光ドーパント（リン光発光性ドーパントともいう）や蛍光ドーパント等）の少なくとも１種類とを含有することが好ましい。

（ホスト化合物（発光ホスト等ともいう））
本発明に用いられるホスト化合物について説明する。

ここで、ホスト化合物とは、発光層に含有される化合物の内でその層中での質量比が２０％以上であり、且つ室温（２５℃）においてリン光発光のリン光量子収率が、０．１未満の化合物と定義される。好ましくはリン光量子収率が０．０１未満である。また、発光層に含有される化合物の中で、その層中での質量比が２０％以上であることが好ましい。

本発明に用いられるホスト化合物（発光ホスト）としては構造的には特に制限はないが、代表的にはカルバゾール誘導体、トリアリールアミン誘導体、芳香族ボラン誘導体、含窒素複素環化合物、チオフェン誘導体、フラン誘導体、オリゴアリーレン化合物等の基本骨格を有するもの、またはカルボリン誘導体や該カルボリン誘導体のカルボリン環を構成する炭化水素環の炭素原子の少なくとも一つが窒素原子で置換されている環構造を有する誘導体等が挙げられる。

中でも、カルバゾール誘導体、カルボリン誘導体や該カルボリン誘導体のカルボリン環を構成する炭化水素環の炭素原子の少なくとも一つが窒素原子で置換されている環構造を有する誘導体が好ましく用いられる。

以下に具体例を挙げるが、本発明はこれらに限定されない。これらの化合物は正孔阻止材料として使用することも好ましい。

ホスト化合物としては、公知のホスト化合物を単独で用いてもよく、または複数種併用して用いてもよい。ホスト化合物を複数種用いることで、電荷の移動を調整することが可能であり、有機ＥＬ素子を高効率化することができる。また、後述する発光ドーパントを複数種用いることで、異なる発光を混ぜることが可能となり、これにより任意の発光色を得ることができる。

また、本発明に用いられる発光ホストとしては、従来公知の低分子化合物でも、繰り返し単位をもつ高分子化合物でもよく、ビニル基やエポキシ基のような重合性基を有する低分子化合物（蒸着重合性発光ホスト）でもよい。

併用してもよい公知のホスト化合物としては、正孔輸送能、電子輸送能を有しつつ、且つ発光の長波長化を防ぎ、なお且つ高Ｔｇ（ガラス転移温度）である化合物が好ましい。

公知のホスト化合物の具体例としては、以下の文献に記載されている化合物が挙げられる。

特開２００１−２５７０７６号公報、同２００２−３０８８５５号公報、同２００１−３１３１７９号公報、同２００２−３１９４９１号公報、同２００１−３５７９７７号公報、同２００２−３３４７８６号公報、同２００２−８８６０号公報、同２００２−３３４７８７号公報、同２００２−１５８７１号公報、同２００２−３３４７８８号公報、同２００２−４３０５６号公報、同２００２−３３４７８９号公報、同２００２−７５６４５号公報、同２００２−３３８５７９号公報、同２００２−１０５４４５号公報、同２００２−３４３５６８号公報、同２００２−１４１１７３号公報、同２００２−３５２９５７号公報、同２００２−２０３６８３号公報、同２００２−３６３２２７号公報、同２００２−２３１４５３号公報、同２００３−３１６５号公報、同２００２−２３４８８８号公報、同２００３−２７０４８号公報、同２００２−２５５９３４号公報、同２００２−２６０８６１号公報、同２００２−２８０１８３号公報、同２００２−２９９０６０号公報、同２００２−３０２５１６号公報、同２００２−３０５０８３号公報、同２００２−３０５０８４号公報、同２００２−３０８８３７号公報等。

（発光ドーパント）
本発明に係る発光ドーパントについて説明する。

本発明に係る発光ドーパントとしては、蛍光ドーパント（蛍光性化合物ともいう）、リン光ドーパント（リン光発光体、リン光性化合物、リン光発光性化合物等ともいう）を用いることができるが、より発光効率の高い有機ＥＬ素子を得る観点からは、本発明の有機ＥＬ素子の発光層や発光ユニットに使用される発光ドーパント（単に、発光材料ということもある）としては、上記のホスト化合物を含有すると同時に、リン光ドーパントを含有することが好ましい。

（リン光ドーパント）
本発明に係るリン光ドーパントについて説明する。

本発明に係るリン光ドーパントは、励起三重項からの発光が観測される化合物であり、具体的には、室温（２５℃）にてリン光発光する化合物であり、リン光量子収率が、２５℃において０．０１以上の化合物であると定義されるが、好ましいリン光量子収率は０．１以上である。

上記リン光量子収率は、第４版実験化学講座７の分光IIの３９８頁（１９９２年版、丸善）に記載の方法により測定できる。溶液中でのリン光量子収率は種々の溶媒を用いて測定できるが、本発明に係るリン光ドーパントは、任意の溶媒のいずれかにおいて上記リン光量子収率（０．０１以上）が達成されればよい。

リン光ドーパントの発光は原理としては２種挙げられ、一つはキャリアが輸送されるホスト化合物上でキャリアの再結合が起こってホスト化合物の励起状態が生成し、このエネルギーをリン光ドーパントに移動させることでリン光ドーパントからの発光を得るというエネルギー移動型、もう一つはリン光ドーパントがキャリアトラップとなり、リン光ドーパント上でキャリアの再結合が起こりリン光ドーパントからの発光が得られるというキャリアトラップ型であるが、いずれの場合においても、リン光ドーパントの励起状態のエネルギーはホスト化合物の励起状態のエネルギーよりも低いことが条件である。

リン光ドーパントは、有機ＥＬ素子の発光層に使用される公知のものの中から適宜選択して用いることができる。

本発明に係るリン光ドーパントとしては、好ましくは元素の周期表で８〜１０族の金属を含有する錯体系化合物であり、さらに好ましくはイリジウム化合物、オスミウム化合物、または白金化合物（白金錯体系化合物）、希土類錯体であり、中でも最も好ましいのはイリジウム化合物である。

以下に、リン光ドーパントとして用いられる化合物の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されない。これらの化合物は、例えば、Ｉｎｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．４０巻、１７０４〜１７１１に記載の方法等により合成できる。

（蛍光ドーパント（蛍光性化合物ともいう））
蛍光ドーパント（蛍光性化合物）としては、クマリン系色素、ピラン系色素、シアニン系色素、クロコニウム系色素、スクアリウム系色素、オキソベンツアントラセン系色素、フルオレセイン系色素、ローダミン系色素、ピリリウム系色素、ペリレン系色素、スチルベン系色素、ポリチオフェン系色素、または希土類錯体系蛍光体等が挙げられる。

次に、本発明の有機ＥＬ素子の構成層として用いられる、注入層、阻止層、電子輸送層等について説明する。

《注入層：電子注入層、正孔注入層》
注入層は必要に応じて設け、電子注入層と正孔注入層があり、上記の如く陽極と発光層または正孔輸送層の間、及び陰極と発光層または電子輸送層との間に存在させてもよい。

注入層とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために電極と有機層間に設けられる層のことで、「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の第２編第２章「電極材料」（１２３〜１６６頁）に詳細に記載されており、正孔注入層（陽極バッファー層）と電子注入層（陰極バッファー層）とがある。

陽極バッファー層（正孔注入層）は、特開平９−４５４７９号公報、同９−２６００６２号公報、同８−２８８０６９号公報等にもその詳細が記載されており、具体例として、銅フタロシアニンに代表されるフタロシアニンバッファー層、酸化バナジウムに代表される酸化物バッファー層、アモルファスカーボンバッファー層、ポリアニリン（エメラルディン）やポリチオフェン等の導電性高分子を用いた高分子バッファー層等が挙げられる。

陰極バッファー層（電子注入層）は、特開平６−３２５８７１号公報、同９−１７５７４号公報、同１０−７４５８６号公報等にもその詳細が記載されており、具体的にはストロンチウムやアルミニウム等に代表される金属バッファー層、フッ化リチウムに代表されるアルカリ金属化合物バッファー層、フッ化マグネシウムに代表されるアルカリ土類金属化合物バッファー層、酸化アルミニウムに代表される酸化物バッファー層等が挙げられる。上記バッファー層（注入層）はごく薄い膜であることが望ましく、素材にもよるがその膜厚は０．１ｎｍ〜５μｍの範囲が好ましい。

《阻止層：正孔阻止層、電子阻止層》
阻止層は、上記の如く有機化合物薄膜の基本構成層の他に必要に応じて設けられるものである。例えば、特開平１１−２０４２５８号公報、同１１−２０４３５９号公報、及び「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の２３７頁等に記載されている正孔阻止（ホールブロック）層がある。

正孔阻止層とは広い意味では電子輸送層の機能を有し、電子を輸送する機能を有しつつ正孔を輸送する能力が著しく小さい正孔阻止材料からなり、電子を輸送しつつ正孔を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。また、後述する電子輸送層の構成を必要に応じて、本発明に係わる正孔阻止層として用いることができる。

本発明の有機ＥＬ素子の正孔阻止層は、発光層に隣接して設けられていることが好ましい。

正孔阻止層には、前述のホスト化合物として挙げたアザカルバゾール誘導体を含有することが好ましい。

また、本発明においては、複数の発光色の異なる複数の発光層を有する場合、その発光極大波長が最も短波にある発光層が、全発光層中、最も陽極に近いことが好ましいが、このような場合、該最短波層と該層の次に陽極に近い発光層との間に正孔阻止層を追加して設けることが好ましい。更には、該位置に設けられる正孔阻止層に含有される化合物の５０質量％以上が、前記最短波発光層のホスト化合物に対しそのイオン化ポテンシャルが０．３ｅＶ以上大きいことが好ましい。

イオン化ポテンシャルは化合物のＨＯＭＯ（最高被占分子軌道）レベルにある電子を真空準位に放出するのに必要なエネルギーで定義され、例えば下記に示すような方法により求めることができる。

（１）米国Ｇａｕｓｓｉａｎ社製の分子軌道計算用ソフトウェアであるＧａｕｓｓｉａｎ９８（Ｇａｕｓｓｉａｎ９８、Ｒｅｖｉｓｉｏｎ Ａ．１１．４，Ｍ．Ｊ．Ｆｒｉｓｃｈ，ｅｔ ａｌ，Ｇａｕｓｓｉａｎ，Ｉｎｃ．，Ｐｉｔｔｓｂｕｒｇｈ ＰＡ，２００２．）を用い、キーワードとしてＢ３ＬＹＰ／６−３１Ｇ＊を用いて構造最適化を行うことにより算出した値（ｅＶ単位換算値）の小数点第２位を四捨五入した値としてイオン化ポテンシャルを求めることができる。この計算値が有効な背景には、この手法で求めた計算値と実験値の相関が高いためである。

（２）イオン化ポテンシャルは光電子分光法で直接測定する方法により求めることもできる。例えば、理研計器社製の低エネルギー電子分光装置「Ｍｏｄｅｌ ＡＣ−１」を用いて、あるいは紫外光電子分光として知られている方法を好適に用いることができる。

一方、電子阻止層とは広い意味では正孔輸送層の機能を有し、正孔を輸送する機能を有しつつ電子を輸送する能力が著しく小さい材料からなり、正孔を輸送しつつ電子を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。また、後述する正孔輸送層の構成を必要に応じて電子阻止層として用いることができる。本発明に係る正孔阻止層、電子輸送層の膜厚としては、好ましくは３ｎｍ〜１００ｎｍであり、更に好ましくは５ｎｍ〜３０ｎｍである。

《正孔輸送層》
正孔輸送層とは正孔を輸送する機能を有する正孔輸送材料からなり、広い意味で正孔注入層、電子阻止層も正孔輸送層に含まれる。正孔輸送層は単層または複数層設けることができる。

正孔輸送材料としては、正孔の注入または輸送、電子の障壁性のいずれかを有するものであり、有機物、無機物のいずれであってもよい。例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、また導電性高分子オリゴマー、特にチオフェンオリゴマー等が挙げられる。

正孔輸送材料としては上記のものを使用することができるが、ポルフィリン化合物、芳香族第３級アミン化合物及びスチリルアミン化合物、特に芳香族第３級アミン化合物を用いることが好ましい。

芳香族第３級アミン化合物及びスチリルアミン化合物の代表例としては、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラフェニル−４，４′−ジアミノフェニル；Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（３−メチルフェニル）−〔１，１′−ビフェニル〕−４，４′−ジアミン（ＴＰＤ）；２，２−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）プロパン；１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）シクロヘキサン；Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラ−ｐ−トリル−４，４′−ジアミノビフェニル；１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）−４−フェニルシクロヘキサン；ビス（４−ジメチルアミノ−２−メチルフェニル）フェニルメタン；ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）フェニルメタン；Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ジ（４−メトキシフェニル）−４，４′−ジアミノビフェニル；Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラフェニル−４，４′−ジアミノジフェニルエーテル；４，４′−ビス（ジフェニルアミノ）クオードリフェニル；Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリ（ｐ−トリル）アミン；４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）−４′−〔４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）スチリル〕スチルベン；４−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ−（２−ジフェニルビニル）ベンゼン；３−メトキシ−４′−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノスチルベンゼン；Ｎ−フェニルカルバゾール等が挙げられる。

更には米国特許第５，０６１，５６９号明細書に記載されている２個の縮合芳香族環を分子内に有するもの、例えば、４，４′−ビス〔Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ〕ビフェニル（ＮＰＤ）、特開平４−３０８６８８号公報に記載されているトリフェニルアミンユニットが３つスターバースト型に連結された４，４′，４″−トリス〔Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ〕トリフェニルアミン（ＭＴＤＡＴＡ）等が挙げられる。

更にまた、これらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。また、ｐ型−Ｓｉ、ｐ型−ＳｉＣ等の無機化合物も正孔注入材料、正孔輸送材料として使用することができる。

また、特開平１１−２５１０６７号公報、Ｊ．Ｈｕａｎｇ ｅｔ．ａｌ．著文献（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ ８０（２００２），ｐ．１３９）に記載されているような、所謂ｐ型正孔輸送材料を用いることもできる。本発明においては、より高効率の発光素子が得られることからこれらの材料を用いることが好ましい。

正孔輸送層は上記正孔輸送材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、ＬＢ法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。正孔輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍ程度、好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。この正孔輸送層は上記材料の１種または２種以上からなる一層構造であってもよい。

また、不純物をドープしたｐ性の高い正孔輸送層を用いることもできる。その例としては、特開平４−２９７０７６号公報、特開２０００−１９６１４０号公報、同２００１−１０２１７５号公報の各公報、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，９５，５７７３（２００４）等に記載されたものが挙げられる。

本発明においては、このようなｐ性の高い正孔輸送層を用いることが、より低消費電力の素子を作製することができるため好ましい。

《電子輸送層》
電子輸送層とは電子を輸送する機能を有する材料からなり、広い意味で電子注入層、正孔阻止層も電子輸送層に含まれる。電子輸送層は単層または複数層設けることができる。

従来、単層の電子輸送層、及び複数層とする場合は発光層に対して陰極側に隣接する電子輸送層に用いられる電子輸送材料（正孔阻止材料を兼ねる）としては、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有していればよく、その材料としては従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができ、例えば、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタン及びアントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体等が挙げられる。更に上記オキサジアゾール誘導体において、オキサジアゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾール誘導体、電子吸引基として知られているキノキサリン環を有するキノキサリン誘導体も、電子輸送材料として用いることができる。更にこれらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。

また８−キノリノール誘導体の金属錯体、例えば、トリス（８−キノリノール）アルミニウム（Ａｌｑ）、トリス（５，７−ジクロロ−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（５，７−ジブロモ−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（２−メチル−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（５−メチル−８−キノリノール）アルミニウム、ビス（８−キノリノール）亜鉛（Ｚｎｑ）等、及びこれらの金属錯体の中心金属がＩｎ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｃａ、Ｓｎ、ＧａまたはＰｂに置き替わった金属錯体も、電子輸送材料として用いることができる。その他、メタルフリーもしくはメタルフタロシアニン、またはそれらの末端がアルキル基やスルホン酸基等で置換されているものも、電子輸送材料として好ましく用いることができる。また、発光層の材料として例示したジスチリルピラジン誘導体も、電子輸送材料として用いることができるし、正孔注入層、正孔輸送層と同様にｎ型−Ｓｉ、ｎ型−ＳｉＣ等の無機半導体も電子輸送材料として用いることができる。

電子輸送層は上記電子輸送材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、ＬＢ法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。電子輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍ程度、好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。電子輸送層は上記材料の１種または２種以上からなる一層構造であってもよい。

また、不純物をドープしたｎ性の高い電子輸送層を用いることもできる。その例としては、特開平４−２９７０７６号公報、同１０−２７０１７２号公報、特開２０００−１９６１４０号公報、同２００１−１０２１７５号公報、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，９５，５７７３（２００４）等に記載されたものが挙げられる。

本発明においては、このようなｎ性の高い電子輸送層を用いることがより低消費電力の素子を作製することができるため好ましい。

《陽極》
有機ＥＬ素子における陽極としては、仕事関数の大きい（４ｅＶ以上）金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる。このような電極物質の具体例としては、Ａｕ等の金属、ＣｕＩ、インジウムチンオキシド（ＩＴＯ）、ＳｎＯ₂、ＺｎＯ等の導電性透明材料が挙げられる。また、ＩＤＩＸＯ（Ｉｎ₂Ｏ₃−ＺｎＯ）等非晶質で透明導電膜を作製可能な材料を用いてもよい。

陽極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させ、フォトリソグラフィー法で所望の形状のパターンを形成してもよく、あるいはパターン精度をあまり必要としない場合は（１００μｍ以上程度）、上記電極物質の蒸着やスパッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターンを形成してもよい。

あるいは、有機導電性化合物のように塗布可能な物質を用いる場合には、印刷方式、コーティング方式等湿式成膜法を用いることもできる。この陽極より発光を取り出す場合には、透過率を１０％より大きくすることが望ましく、また陽極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましい。更に膜厚は材料にもよるが、通常１０ｎｍ〜１０００ｎｍ、好ましくは１０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。

《陰極》
一方、陰極としては仕事関数の小さい（４ｅＶ以下）金属（電子注入性金属と称する）、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム／銅混合物、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ₂Ｏ₃）混合物、インジウム、リチウム／アルミニウム混合物、希土類金属等が挙げられる。

これらの中で、電子注入性及び酸化等に対する耐久性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例えば、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ₂Ｏ₃）混合物、リチウム／アルミニウム混合物、アルミニウム等が好適である。

陰極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより、作製することができる。

陰極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましく、膜厚は通常１０ｎｍ〜５μｍ、好ましくは５０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。尚、発光した光を透過させるため、有機ＥＬ素子の陽極または陰極のいずれか一方が透明または半透明であれば発光輝度が向上し好都合である。

また、陰極に上記金属を１ｎｍ〜２０ｎｍの膜厚で作製した後に、陽極の説明で挙げた導電性透明材料をその上に作製することで、透明または半透明の陰極を作製することができ、これを応用することで陽極と陰極の両方が透過性を有する素子を作製することができる。

《支持基板》
本発明の有機ＥＬ素子に用いることのできる支持基板（以下、基体、基板、基材、支持体等とも言う）としては、ガラス、プラスチック等の種類には特に限定はなく、また透明であっても不透明であってもよい。支持基板側から光を取り出す場合には、支持基板は透明であることが好ましい。好ましく用いられる透明な支持基板としては、ガラス、石英、透明樹脂フィルムを挙げることができる。特に好ましい支持基板は、有機ＥＬ素子にフレキシブル性を与えることが可能な樹脂フィルムである。

樹脂フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、セロファン、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）、セルロースアセテートフタレート（ＴＡＣ）、セルロースナイトレート等のセルロースエステル類またはそれらの誘導体、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリエチレンビニルアルコール、シンジオタクティックポリスチレン、ポリカーボネート、ノルボルネン樹脂、ポリメチルペンテン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン類、ポリエーテルイミド、ポリエーテルケトンイミド、ポリアミド、フッ素樹脂、ナイロン、ポリメチルメタクリレート、アクリルあるいはポリアリレート類、アートン（商品名ＪＳＲ社製）あるいはアペル（商品名三井化学社製）といったシクロオレフィン系樹脂等を挙げられる。

樹脂フィルムの表面には、無機物、有機物の被膜またはその両者のハイブリッド被膜が形成されていてもよく、ＪＩＳ Ｋ ７１２９−１９９２に準拠した方法で測定された、水蒸気透過度（２５±０．５℃、相対湿度（９０±２）％ＲＨ）が０．０１ｇ／（ｍ²・２４ｈ）以下のバリア性フィルムであることが好ましく、更には、ＪＩＳ Ｋ ７１２６−１９８７に準拠した方法で測定された酸素透過度が、１０^-3ｍｌ／（ｍ²・２４ｈ・ＭＰａ）以下、水蒸気透過度が、１０^-5ｇ／（ｍ²・２４ｈ）以下の高バリア性フィルムであることが好ましい。

バリア膜を形成する材料としては、水分や酸素等素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素等を用いることができる。更に該膜の脆弱性を改良するために、これら無機層と有機材料からなる層の積層構造を持たせることがより好ましい。無機層と有機層の積層順については特に制限はないが、両者を交互に複数回積層させることが好ましい。

バリア膜の形成方法については特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスタ−イオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、コーティング法等を用いることができるが、特開２００４−６８１４３号公報に記載されているような大気圧プラズマ重合法によるものが特に好ましい。

不透明な支持基板としては、例えば、アルミ、ステンレス等の金属板、フィルムや不透明樹脂基板、セラミック製の基板等が挙げられる。

本発明の有機ＥＬ素子の発光の室温における外部取り出し効率は、１％以上であることが好ましく、より好ましくは５％以上である。

ここに、外部取り出し量子効率（％）＝有機ＥＬ素子外部に発光した光子数／有機ＥＬ素子に流した電子数×１００である。

また、カラーフィルター等の色相改良フィルター等を併用しても、有機ＥＬ素子からの発光色を蛍光体を用いて多色へ変換する色変換フィルターを併用してもよい。色変換フィルターを用いる場合においては、有機ＥＬ素子の発光のλｍａｘは４８０ｎｍ以下が好ましい。

《封止》
本発明に用いられる封止手段としては、例えば、封止部材と電極、支持基板とを接着剤で接着する方法を挙げることができる。

封止部材としては、有機ＥＬ素子の表示領域を覆うように配置されておればよく、凹板状でも平板状でもよい。また透明性、電気絶縁性は特に問わない。

具体的には、ガラス板、ポリマー板・フィルム、金属板・フィルム等が挙げられる。ガラス板としては、特にソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等を挙げることができる。

また、ポリマー板としては、ポリカーボネート、アクリル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルファイド、ポリサルフォン等を挙げることができる。金属板としては、ステンレス、鉄、銅、アルミニウム、マグネシウム、ニッケル、亜鉛、クロム、チタン、モリブテン、シリコン、ゲルマニウム及びタンタルからなる群から選ばれる一種以上の金属または合金からなるものが挙げられる。

本発明においては、素子を薄膜化できるということからポリマーフィルム、金属フィルムを好ましく使用することができる。更には、ポリマーフィルムは、ＪＩＳ Ｋ ７１２６−１９８７に準拠した方法で測定された酸素透過度が１×１０^-3ｍｌ／（ｍ²・２４ｈ・ＭＰａ）以下、ＪＩＳ Ｋ ７１２９−１９９２に準拠した方法で測定された、水蒸気透過度（２５±０．５℃、相対湿度（９０±２）％ＲＨ）が、１×１０^-3ｇ／（ｍ²・２４ｈ）以下のものであることが好ましい。

封止部材を凹状に加工するのは、サンドブラスト加工、化学エッチング加工等が使われる。

接着剤として具体的には、アクリル酸系オリゴマー、メタクリル酸系オリゴマーの反応性ビニル基を有する光硬化及び熱硬化型接着剤、２−シアノアクリル酸エステル等の湿気硬化型等の接着剤を挙げることができる。また、エポキシ系等の熱及び化学硬化型（二液混合）を挙げることができる。また、ホットメルト型のポリアミド、ポリエステル、ポリオレフィンを挙げることができる。また、カチオン硬化タイプの紫外線硬化型エポキシ樹脂接着剤を挙げることができる。

なお、有機ＥＬ素子が熱処理により劣化する場合があるので、室温から８０℃までに接着硬化できるものが好ましい。また、前記接着剤中に乾燥剤を分散させておいてもよい。封止部分への接着剤の塗布は市販のディスペンサーを使ってもよいし、スクリーン印刷のように印刷してもよい。

また、有機層を挟み支持基板と対向する側の電極の外側に該電極と有機層を被覆し、支持基板と接する形で無機物、有機物の層を形成し封止膜とすることも好適にできる。この場合、該膜を形成する材料としては、水分や酸素等素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素等を用いることができる。

更に該膜の脆弱性を改良するために、これら無機層と有機材料からなる層の積層構造を持たせることが好ましい。これらの膜の形成方法については、特に限定はなく、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスタ−イオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、コーティング法等を用いることができる。

封止部材と有機ＥＬ素子の表示領域との間隙には、気相及び液相では、窒素、アルゴン等の不活性気体やフッ化炭化水素、シリコンオイルのような不活性液体を注入することが好ましい。また真空とすることも可能である。また、内部に吸湿性化合物を封入することもできる。

吸湿性化合物としては、例えば、金属酸化物（例えば、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化カルシウム、酸化バリウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム等）、硫酸塩（例えば、硫酸ナトリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、硫酸コバルト等）、金属ハロゲン化物（例えば、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、フッ化セシウム、フッ化タンタル、臭化セリウム、臭化マグネシウム、沃化バリウム、沃化マグネシウム等）、過塩素酸類（例えば、過塩素酸バリウム、過塩素酸マグネシウム等）等が挙げられ、硫酸塩、金属ハロゲン化物及び過塩素酸類においては無水塩が好適に用いられる。

《保護膜、保護板》
有機層を挟み支持基板と対向する側の前記封止膜、あるいは前記封止用フィルムの外側に、素子の機械的強度を高めるために保護膜、あるいは保護板を設けてもよい。特に封止が前記封止膜により行われている場合には、その機械的強度は必ずしも高くないため、このような保護膜、保護板を設けることが好ましい。

これに使用することができる材料としては、前記封止に用いたのと同様なガラス板、ポリマー板・フィルム、金属板・フィルム等を用いることができるが、軽量且つ薄膜化ということからポリマーフィルムを用いることが好ましい。

《光取り出し》
有機ＥＬ素子は空気よりも屈折率の高い（屈折率が１．７〜２．１程度）層の内部で発光し、発光層で発生した光のうち１５％から２０％程度の光しか取り出せないことが一般的に言われている。これは、臨界角以上の角度θで界面（透明基板と空気との界面）に入射する光は、全反射を起こし素子外部に取り出すことができないことや、透明電極ないし発光層と透明基板との間で光が全反射を起こし、光が透明電極ないし発光層を導波し、結果として光が素子側面方向に逃げるためである。

この光の取り出しの効率を向上させる手法としては、例えば、透明基板表面に凹凸を形成し、透明基板と空気界面での全反射を防ぐ方法（米国特許第４，７７４，４３５号明細書）、基板に集光性を持たせることにより効率を向上させる方法（特開昭６３−３１４７９５号公報）、素子の側面等に反射面を形成する方法（特開平１−２２０３９４号公報）、基板と発光体の間に中間の屈折率を持つ平坦層を導入し、反射防止膜を形成する方法（特開昭６２−１７２６９１号公報）、基板と発光体の間に基板よりも低屈折率を持つ平坦層を導入する方法（特開２００１−２０２８２７号公報）、基板、透明電極層や発光層のいずれかの層間（含む、基板と外界間）に回折格子を形成する方法（特開平１１−２８３７５１号公報）等がある。

本発明においては、これらの方法を本発明の有機ＥＬ素子と組み合わせて用いることができるが、基板と発光体の間に基板よりも低屈折率を持つ平坦層を導入する方法、あるいは基板、透明電極層や発光層のいずれかの層間（含む、基板と外界間）に回折格子を形成する方法を好適に用いることができる。

本発明はこれらの手段を組み合わせることにより、更に高輝度あるいは耐久性に優れた素子を得ることができる。

透明電極と透明基板の間に低屈折率の媒質を光の波長よりも長い厚みで形成すると、透明電極から出てきた光は、媒質の屈折率が低いほど外部への取り出し効率が高くなる。

低屈折率層としては、例えば、エアロゲル、多孔質シリカ、フッ化マグネシウム、フッ素系ポリマー等が挙げられる。透明基板の屈折率は一般に１．５〜１．７程度であるので、低屈折率層は屈折率がおよそ１．５以下であることが好ましい。また、更に１．３５以下であることが好ましい。

また、低屈折率媒質の厚みは媒質中の波長の２倍以上となるのが望ましい。これは低屈折率媒質の厚みが、光の波長程度になってエバネッセントで染み出した電磁波が基板内に入り込む膜厚になると、低屈折率層の効果が薄れるからである。

全反射を起こす界面もしくはいずれかの媒質中に回折格子を導入する方法は、光取り出し効率の向上効果が高いという特徴がある。この方法は回折格子が１次の回折や２次の回折といった所謂ブラッグ回折により、光の向きを屈折とは異なる特定の向きに変えることができる性質を利用して、発光層から発生した光のうち層間での全反射等により外に出ることができない光を、いずれかの層間もしくは、媒質中（透明基板内や透明電極内）に回折格子を導入することで光を回折させ、光を外に取り出そうとするものである。

導入する回折格子は、二次元的な周期屈折率を持っていることが望ましい。これは発光層で発光する光はあらゆる方向にランダムに発生するので、ある方向にのみ周期的な屈折率分布を持っている一般的な１次元回折格子では、特定の方向に進む光しか回折されず、光の取り出し効率がさほど上がらない。

しかしながら、屈折率分布を二次元的な分布にすることにより、あらゆる方向に進む光が回折され、光の取り出し効率が上がる。

回折格子を導入する位置としては前述の通り、いずれかの層間もしくは媒質中（透明基板内や透明電極内）でもよいが、光が発生する場所である有機発光層の近傍が望ましい。

このとき、回折格子の周期は媒質中の光の波長の約１／２〜３倍程度が好ましい。

回折格子の配列は正方形のラチス状、三角形のラチス状、ハニカムラチス状等、２次元的に配列が繰り返されることが好ましい。

《集光シート》
本発明の有機ＥＬ素子は基板の光取り出し側に、例えば、マイクロレンズアレイ状の構造を設けるように加工したり、あるいは所謂集光シートと組み合わせることにより、特定方向、例えば、素子発光面に対し正面方向に集光することにより、特定方向上の輝度を高めることができる。

マイクロレンズアレイの例としては、基板の光取り出し側に一辺が３０μｍでその頂角が９０度となるような四角錐を２次元に配列する。一辺は１０μｍ〜１００μｍが好ましい。これより小さくなると回折の効果が発生して色付く、大きすぎると厚みが厚くなり好ましくない。

集光シートとしては、例えば、液晶表示装置のＬＥＤバックライトで実用化されているものを用いることが可能である。このようなシートとして、例えば、住友スリーエム社製輝度上昇フィルム（ＢＥＦ）等を用いることができる。プリズムシートの形状としては、例えば、基材に頂角９０度、ピッチ５０μｍの△状のストライプが形成されたものであってもよいし、頂角が丸みを帯びた形状、ピッチをランダムに変化させた形状、その他の形状であってもよい。

また、発光素子からの光放射角を制御するために、光拡散板・フィルムを集光シートと併用してもよい。例えば、（株）きもと製拡散フィルム（ライトアップ）等を用いることができる。

《有機ＥＬ素子の作製方法》
本発明の有機ＥＬ素子の作製方法の一例として、陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極からなる有機ＥＬ素子の作製法について説明する。

まず適当な基体上に所望の電極物質、例えば、陽極用物質からなる薄膜を１μｍ以下、好ましくは１０ｎｍ〜２００ｎｍの膜厚になるように、蒸着やスパッタリング等の方法により形成させ陽極を作製する。

次に、この上に有機ＥＬ素子材料である正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層、正孔阻止層の有機化合物薄膜を形成させる。

これら各層の形成方法としては、前記の如く蒸着法、ウェットプロセス（スピンコート法、キャスト法、インクジェット法、印刷法）等があるが、均質な膜が得られやすく、且つピンホールが生成しにくい等の点から、本発明においてはスピンコート法、インクジェット法、印刷法等の塗布法による成膜が好ましく、特にインクジェット法が好ましい。

本発明においては、発光層の形成において、本発明に係る有機金属錯体を溶解または分散した液を用いて塗布法により成膜することが好ましく、特に塗布法がインクジェット法であることが好ましい。

本発明に係る有機金属錯体を溶解または分散する液媒体としては、例えば、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、酢酸エチル等の脂肪酸エステル類、ジクロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素類、ＤＭＦ、ＤＭＳＯ等の有機溶媒を用いることができる。

また分散方法としては、超音波、高剪断力分散やメディア分散等の分散方法により分散することができる。

これらの層を形成後、その上に陰極用物質からなる薄膜を１μｍ以下、好ましくは、５０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲の膜厚になるように、例えば、蒸着やスパッタリング等の方法により形成させ、陰極を設けることにより所望の有機ＥＬ素子が得られる。

また作製順序を逆にして、陰極、電子注入層、電子輸送層、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、陽極の順に作製することも可能である。

このようにして得られた多色の表示装置に、直流電圧を印加する場合には陽極を＋、陰極を−の極性として電圧２〜４０Ｖ程度を印加すると発光が観測できる。また交流電圧を印加してもよい。なお、印加する交流の波形は任意でよい。

《用途》
本発明の有機ＥＬ素子は、表示デバイス、ディスプレイ、各種発光光源として用いることができる。発光光源として、例えば、照明装置（家庭用照明、車内照明）、時計や液晶用バックライト、看板広告、信号機、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられるがこれに限定するものではないが、特に液晶表示装置のバックライト、照明用光源としての用途に有効に用いることができる。

本発明の有機ＥＬ素子においては、必要に応じ成膜時にメタルマスクやインクジェットプリンティング法等でパターニングを施してもよい。

パターニングする場合は、電極のみをパターニングしてもよいし、電極と発光層をパターニングしてもよいし、素子全層をパターニングしてもよく、素子の作製においては、従来公知の方法を用いることができる。

本発明の有機ＥＬ素子や本発明に係る化合物の発光する色は、「新編色彩科学ハンドブック」（日本色彩学会編、東京大学出版会、１９８５）の１０８頁の図４．１６において、分光放射輝度計ＣＳ−１０００（コニカミノルタセンシング社製）で測定した結果をＣＩＥ色度座標に当てはめたときの色で決定される。

また、本発明の有機ＥＬ素子が白色素子の場合には、白色とは、２度視野角正面輝度を上記方法により測定した際に、１０００Ｃｄ／ｍ²でのＣＩＥ１９３１表色系における色度がＸ＝０．３３±０．０７、Ｙ＝０．３３±０．０７の領域内にあることを言う。

以下、実施例により本発明を説明するが、本発明はこれらに限定されない。また、実施例に使用の化合物を以下に示す。

実施例１
《有機ＥＬ素子１−１の作製》
陽極としてガラス上にＩＴＯを１５０ｎｍ成膜した基板（ＮＨテクノグラス社製：ＮＡ−４５）にパターニングを行った後、このＩＴＯ透明電極を設けた透明支持基板をｉｓｏ−プロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、ＵＶオゾン洗浄を５分間行った。

この透明支持基板を市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、一方５つのタンタル製抵抗加熱ボートにα−ＮＰＤ、Ｈ４、Ｉｒ−１２、ＢＣＰ、Ａｌｑ₃をそれぞれ入れ、真空蒸着装置（第１真空槽）に取り付けた。

更に、タンタル製抵抗加熱ボートにフッ化リチウムを、タングステン製抵抗加熱ボートにアルミニウムをそれぞれ入れ、真空蒸着装置の第２真空槽に取り付けた。

まず、第１の真空槽を４×１０^-4Ｐａまで減圧した後、α−ＮＰＤの入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／秒〜０．２ｎｍ／秒で透明支持基板に膜厚２０ｎｍの厚さになるように蒸着し、正孔注入／輸送層を設けた。

更に、Ｈ４の入った前記加熱ボートとＩｒ−１２の入ったボートをそれぞれ独立に通電して、発光ホストであるＨ４と発光ドーパントであるＩｒ−１２の蒸着速度が１００：６になるように調節し、膜厚３０ｎｍの厚さになるように蒸着し、発光層を設けた。

次いで、ＢＣＰの入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／秒〜０．２ｎｍ／秒で厚さ１０ｎｍの正孔阻止層を設けた。

更にＡｌｑ₃の入った前記加熱ボートを通電して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／秒〜０．２ｎｍ／秒で膜厚２０ｎｍの電子輸送層を設けた。

次に、電子輸送層まで成膜した素子を真空のまま第２真空槽に移した後、電子輸送層の上にステンレス鋼製の長方形穴あきマスクが配置されるように装置外部からリモートコントロールして設置した。

第２真空槽を２×１０^-4Ｐａまで減圧した後、フッ化リチウム入りのボートに通電して蒸着速度０．０１ｎｍ／秒〜０．０２ｎｍ／秒で膜厚０．５ｎｍの陰極バッファー層を設け、次いでアルミニウムの入ったボートに通電して、蒸着速度１ｎｍ／秒〜２ｎｍ／秒で膜厚１５０ｎｍの陰極をつけ、有機ＥＬ素子１−１を作製した。

《有機ＥＬ素子１−２〜１−１５の作製》
有機ＥＬ素子１−１の作製において、表１に記載のように発光ホスト及び発光ドーパントを変更した以外は同様にして、有機ＥＬ素子１−２〜１−１５を作製した。

《有機ＥＬ素子の評価》
得られた有機ＥＬ素子１−１〜１−１５を評価するに際しては、作製後の各有機ＥＬ素子の非発光面をガラスケースで覆い、厚み３００μｍのガラス基板を封止用基板として用いて、周囲にシール材として、エポキシ系光硬化型接着剤（東亞合成社製ラックストラックＬＣ０６２９Ｂ）を適用し、これを上記陰極上に重ねて前記透明支持基板と密着させ、ガラス基板側からＵＶ光を照射して、硬化させて、封止して、図３、図４に示すような照明装置を形成して評価した。

図３は照明装置の概略図を示し、有機ＥＬ素子１０１はガラスカバー１０２で覆われている（なお、ガラスカバーでの封止作業は、有機ＥＬ素子１０１を大気に接触させることなく窒素雰囲気下のグローブボックス（純度９９．９９９％以上の高純度窒素ガスの雰囲気下）で行った）。

図４は照明装置の断面図を示し、図４において、１０５は陰極、１０６は有機ＥＬ層、１０７は透明電極付きガラス基板を示す。なお、ガラスカバー１０２内には窒素ガス１０８が充填され、捕水剤１０９が設けられている。

（外部取り出し量子効率）
有機ＥＬ素子を室温（約２３℃〜２５℃）、２．５ｍＡ／ｃｍ²の定電流条件下による点灯を行い、点灯開始直後の発光輝度（Ｌ）［ｃｄ／ｍ²］を測定することにより、外部取り出し量子効率（η）を算出した。

ここで、発光輝度の測定はＣＳ−１０００（コニカミノルタセンシング製）を用いた。外部取り出し量子効率は有機ＥＬ素子１−１を１００とする相対値で表した。

（発光寿命）
有機ＥＬ素子を室温下、２．５ｍＡ／ｃｍ²の定電流条件下による連続点灯を行い、初期輝度の半分の輝度になるのに要する時間（τ^1/2）を測定した。発光寿命は有機ＥＬ素子１−１を１００と設定する相対値で表した。

（発光色）
有機ＥＬ素子を室温下、２．５ｍＡ／ｃｍ²の定電流条件下による連続点灯を行った際の発光色を目視で評価した。

得られた結果を表１に示す。

表１から、本発明に係る金属錯体を用いて作製した有機ＥＬ素子は、比較例の有機ＥＬ素子に比べ、純青〜青緑色の短波な発光を持ちながら高い発光効率と発光寿命の長寿命化が達成できることが明らかである。加えて、比較例の有機ＥＬ素子に比べ、青色純度が高く、青色発光素子として有用であることがわかる。

実施例２
《有機ＥＬ素子２−１の作製》
実施例１の有機ＥＬ素子１−１の作製において、発光ホストをＨ４からＣＢＰに、Ｉｒ−１２をＩｒ−１に変更した以外は同様にして有機ＥＬ素子２−１を作製した。

《有機ＥＬ素子２−２〜２−４の作製》
有機ＥＬ素子２−１の作製において、表２に記載のように発光ホスト及び発光ドーパントを変更した以外は同様にして、有機ＥＬ素子２−２〜２−４を作製した。

《有機ＥＬ素子の評価》
得られた有機ＥＬ素子２−１〜２−４の評価（外部取り出し量子効率、発光寿命、発光色）は、実施例１に記載の評価方法と同様に行った。

（発光色）
有機ＥＬ素子を室温下、２．５ｍＡ／ｃｍ²の定電流条件下による連続点灯を行った際の発光色を目視で評価した。

得られた結果を表２に示す。

表２から、本発明に係る金属錯体を用いて作製した有機ＥＬ素子は、比較例の有機ＥＬ素子に比べ、高い発光効率と発光寿命の長寿命化が達成できることが明らかである。

実施例３
《有機ＥＬ素子３−１の作製》
２５ｍｍ×２５ｍｍ×０．５ｍｍのガラス支持基板上に直流電源を用い、スパッタ法にてインジウム錫酸化物（ＩＴＯ、インジウム／錫＝９５／５モル比）の陽極を形成した（厚み２００ｎｍ）。

この陽極の表面抵抗は１０Ω／□であった。これにポリビニルカルバゾール（正孔輸送性バインダーポリマー）／Ｉｒ−１３（青発光性オルトメタル化錯体）／２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（電子輸送材）＝２００／２／５０質量比を溶解したジクロロエタン溶液をスピンコーターで塗布し、１００ｎｍの発光層を得た。

この有機化合物層の上にパターニングしたマスク（発光面積が５ｍｍ×５ｍｍとなるマスク）を設置し、蒸着装置内で陰極バッファー層としてフッ化リチウム０．５ｎｍ及び陰極としてアルミニウム１５０ｎｍを蒸着して陰極を設けて、青色発光の有機ＥＬ素子３−１を作製した。

《有機ＥＬ素子３−２〜３−７の作製》
有機ＥＬ素子３−１の作製において、表３に記載のように発光ドーパントを変更した以外は同様にして、有機ＥＬ素子３−２〜３−７を作製した。

《有機ＥＬ素子の評価》
得られた有機ＥＬ素子３−１〜３−７を評価するに際しては、作製後の各有機ＥＬ素子の非発光面をガラスケースで覆い、厚み３００μｍのガラス基板を封止用基板として用いて、周囲にシール材として、エポキシ系光硬化型接着剤（東亞合成社製ラックストラックＬＣ０６２９Ｂ）を適用し、これを上記陰極上に重ねて前記透明支持基板と密着させ、ガラス基板側からＵＶ光を照射して、硬化させて、封止して、図３、図４に示すような照明装置を形成して評価した。

次いで、下記のようにして発光輝度及び発光効率を測定した。

（発光輝度、発光効率）
東洋テクニカ製ソースメジャーユニット２４００型を用いて、直流電圧を有機ＥＬ素子に印加して発光させ、１０Ｖの直流電圧を印加した時の発光輝度（ｃｄ／ｍ²）と２．５ｍＡ／ｃｍ²の電流を通じた時の発光効率（ｌｍ／Ｗ）を測定した。得られた結果を表２に示す。尚、表３では、有機ＥＬ素子３−１を１００とする相対値で表した。

表３から、本発明に係る金属錯体を用いて作製した有機ＥＬ素子は、比較例の有機ＥＬ素子に比べ、高い発光効率と高い輝度が達成できることが明らかである。

実施例４
《フルカラー表示装置の作製》
（青色発光素子の作製）
実施例１の有機ＥＬ素子１−５を青色発光素子として用いた。

（緑色発光素子の作製）
実施例２の有機ＥＬ素子２−２を緑色発光素子として用いた。

（赤色発光素子の作製）
実施例１の有機ＥＬ素子１−１において、Ｉｒ−１２をＩｒ−９に変更した以外は同様にして、赤色発光素子を作製し、これを赤色発光素子として用いた。

上記で作製した赤色、緑色、青色発光有機ＥＬ素子を同一基板上に並置し、図１に記載のような形態を有するアクティブマトリクス方式フルカラー表示装置を作製した。

図２には、作製した前記表示装置の表示部Ａの模式図のみを示した。即ち、同一基板上に複数の走査線５及びデータ線６を含む配線部と並置した複数の画素３（発光の色が赤領域の画素、緑領域の画素、青領域の画素等）とを有し、配線部の走査線５及び複数のデータ線６はそれぞれ導電材料からなり、走査線５とデータ線６は格子状に直交して、直交する位置で画素３に接続している（詳細は図示せず）。

前記複数画素３は、それぞれの発光色に対応した有機ＥＬ素子、アクティブ素子であるスイッチングトランジスタと駆動トランジスタそれぞれが設けられたアクティブマトリクス方式で駆動されており、走査線５から走査信号が印加されるとデータ線６から画像データ信号を受け取り、受け取った画像データに応じて発光する。

このように赤、緑、青の画素を適宜、並置することによって、フルカラー表示装置を作製した。

このフルカラー表示装置は駆動することにより、輝度が高く、高耐久性を有し、且つ鮮明なフルカラー動画表示が得られることが分かった。

実施例５
《白色発光素子及び白色照明装置の作製》
実施例１の透明電極基板の電極を２０ｍｍ×２０ｍｍにパターニングし、その上に実施例１と同様に正孔注入／輸送層としてα−ＮＰＤを２５ｎｍの厚さで成膜し、更に、ＣＢＰの入った前記加熱ボートと例示化合物３の入ったボート及びＩｒ−９の入ったボートをそれぞれ独立に通電して、発光ホストであるＣＢＰと発光ドーパントである例示化合物３及びＩｒ−９の蒸着速度が１００：５：０．６になるように調節し、膜厚３０ｎｍの厚さになるように蒸着し、発光層を設けた。

次いで、ＢＣＰを１０ｎｍ成膜して正孔阻止層を設けた。更に、Ａｌｑ₃を４０ｎｍで成膜し電子輸送層を設けた。

次に、実施例１と同様に電子注入層の上にステンレス鋼製の透明電極とほぼ同じ形状の正方形穴あきマスクを設置し、陰極バッファー層としてフッ化リチウム０．５ｎｍ及び陰極としてアルミニウム１５０ｎｍを蒸着成膜した。

この素子を実施例１と同様な方法及び同様な構造の封止缶を具備させ、図３、図４に示すような平面ランプを作製した。この平面ランプに通電したところほぼ白色の光が得られ、照明装置として使用できることが分かった。

実施例６
《白色発光素子及び白色照明装置の作製−２》
陽極として１００ｍｍ×１００ｍｍ×１．１ｍｍのガラス基板上にＩＴＯ（インジウムチンオキシド）を１００ｎｍ製膜した基板（ＮＨテクノグラス社製ＮＡ−４５）にパターニングを行った後、このＩＴＯ透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、ＵＶオゾン洗浄を５分間行った。

この透明支持基板上に、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）−ポリスチレンスルホネート（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ、Ｂａｙｅｒ社製、Ｂａｙｔｒｏｎ Ｐ Ａｌ ４０８３）を純水で７０％に希釈した溶液を３０００ｒｐｍ、３０秒でスピンコート法により製膜した後、２００℃にて１時間乾燥し、膜厚３０ｎｍの第１正孔輸送層を設けた。

この基板を窒素雰囲気下に移し、第１正孔輸送層上に、５０ｍｇの化合物Ａを１０ｍｌのトルエンに溶解した溶液を１０００ｒｐｍ、３０秒の条件下、スピンコート法により製膜した。１８０秒間紫外光を照射し、光重合・架橋を行った後、６０℃で１時間真空乾燥し第２正孔輸送層とした。

次に、化合物Ｂ（６０ｍｇ）、Ｉｒ−１４（３．０ｍｇ）、Ｉｒ−１５（３．０ｍｇ）をトルエン６ｍｌに溶解した溶液を用い、１０００ｒｐｍ、３０秒の条件下、スピンコート法により製膜した。１５秒間紫外光を照射し、光重合・架橋を行わせ、さらに真空中１５０℃で１時間加熱を行い、発光層とした。

更に、化合物Ｃ（２０ｍｇ）をトルエン６ｍｌに溶解した溶液を用い、１０００ｒｐｍ、３０秒の条件下、スピンコート法により製膜した。１５秒間紫外光を照射し、光重合・架橋を行わせ、さらに真空中８０℃で１時間加熱を行い、正孔阻止層とした。

続いて、この基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、モリブデン製抵抗加熱ボートにＡｌｑ₃を２００ｍｇ入れ、真空蒸着装置に取り付けた。真空槽を４×１０^-4Ｐａまで減圧した後、Ａｌｑ₃の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／秒で前記正孔阻止層の上に蒸着して、更に膜厚４０ｎｍの電子輸送層を設けた。

なお、蒸着時の基板温度は室温であった。

引き続き、フッ化リチウム０．５ｎｍ及びアルミニウム１１０ｎｍを蒸着して陰極を形成し、白色発光有機ＥＬ素子を作製した。

この素子に通電したところほぼ白色の光が得られ、照明装置として使用出来ることが判った。

有機ＥＬ素子から構成される表示装置の一例を示した模式図である。 表示部Ａの模式図である。 照明装置の概略図である。 照明装置の模式図である。

符号の説明

１ ディスプレイ
３ 画素
５ 走査線
６ データ線
Ａ 表示部
Ｂ 制御部
１０２ ガラスカバー
１０５ 陰極
１０６ 有機ＥＬ層
１０７ 透明電極付きガラス基板
１０８ 窒素ガス
１０９ 捕水剤

Claims (22)

1. 下記一般式（１）で表される置換基を有する化合物を含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
   

   

   〔式中、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₄、Ｒ₅は、各々水素原子または置換基を表す。＊は該化合物との連結部分を表す。〕
2. 下記一般式（２）で表される部分構造を有する金属錯体を含有することを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
   

   

   〔式中、Ｚ１１は、芳香族炭化水素環または芳香族複素環を形成するのに必要な原子群を表し、Ｚ１２は芳香族複素環を形成するのに必要な原子群を表すが、Ｚ１１、Ｚ１２で表される環の少なくともひとつは、前記一般式（１）で表される置換基を有する。Ｙ₁₁、Ｙ₁₂、Ｙ₁₃は、各々炭素原子または窒素原子を表す。Ｙ₁₁とＹ₁₂間の結合及びＹ₁₃と窒素原子間の結合は、各々単結合または二重結合を表す。Ｍ₀₁は元素周期表における８族〜１０族の元素を表す。〕
3. 前記一般式（２）で表される部分構造が、下記一般式（３）であらわされる部分構造であることを特徴とする請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
   

   

   〔式中、Ｒ₂₁、Ｒ₂₂、Ｒ₂₃、Ｒ₂₄、Ｒ₂₅、Ｒ₂₆、Ｒ₂₇、Ｒ₂₈は、各々水素原子または置換基を表すが、該置換基の少なくとも一つは前記一般式（１）で表される置換基である。Ｍ₀₂は、元素周期表における８族〜１０族の元素を表す。〕
4. 前記一般式（２）で表される部分構造が、下記一般式（４）で表される部分構造であることを特徴とする請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
   

   

   〔式中、Ｚ２１は、芳香族炭化水素環または芳香族複素環を形成するのに必要な原子群を表す。Ｘ₃₁、Ｘ₃₂、Ｘ₃₃、Ｘ₃₄、Ｙ₃₁、Ｙ₃₂は、各々炭素原子または窒素原子を表す。Ｙ₃₁とＹ₃₂間の結合、Ｘ₃₁とＸ₃₂間の結合、Ｘ₃₂とＸ₃₃間の結合、Ｘ₃₃とＸ₃₄間の結合、Ｘ₃₄と窒素原子間の結合、窒素原子とＸ₃₁の結合、Ｘ₃₁とＹ₃₁間の結合、Ｙ₃₁とＹ₃₂間の結合は、各々単結合または二重結合を表す。Ｍ₀₃は元素周期表における８族〜１０族の元素を表す。〕
5. 前記一般式（２）で表される部分構造が、下記一般式（５）であらわされる部分構造であることを特徴とする請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
   

   

   〔式中、Ｚ３１は、芳香族炭化水素環または芳香族複素環を形成するのに必要な原子群を表す。Ｘ₄₁、Ｙ₄₁、Ｙ₄₂は各々炭素原子または窒素原子を表す。Ｙ₄₃、Ｙ₄₄、Ｙ₄₅は各々炭素原子、−ＣＲ₄₁、窒素原子、−ＮＲ₄₂、酸素原子、硫黄原子を表す。Ｒ₄₁、Ｒ₄₂は水素原子または置換基を表す。Ｘ₄₁とＹ₄₁間の結合、Ｙ₄₁とＹ₄₂間の結合、Ｙ₄₂とＹ₄₃間の結合、Ｙ₄₃とＹ₄₄間の結合、Ｙ₄₄とＹ₄₅間の結合、Ｙ₄₅とＹ₄₁間の結合は、各々単結合、または、二重結合を表す。Ｍ₀₄は元素周期表における８族〜１０族の元素を表す。〕
6. 前記一般式（４）で表される部分構造が、下記一般式（６）で表される部分構造であることを特徴とする請求項４に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
   

   

   〔式中、Ｚ４１は、芳香族炭化水素環または芳香族複素環を形成するのに必要な原子群を表す。Ｙ₅₁、Ｙ₅₂は、各々炭素原子または窒素原子を表す。Ｒ₅₁、Ｒ₅₂、Ｒ₅₃は、各々水素原子または置換基を表す。Ｙ₅₁とＹ₅₂間の結合は、各々単結合、または、二重結合を表す。Ｍ₀₅は元素周期表における８族〜１０族の元素を表す。〕
7. 前記一般式（４）で表される部分構造が、下記一般式（７）で表される部分構造であることを特徴とする請求項４に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
   

   

   〔式中、Ｚ５１は、芳香族炭化水素環または芳香族複素環を形成するのに必要な原子群を表す。Ｙ₆₁、Ｙ₆₂は、各々炭素原子または窒素原子を表す。Ｒ₆₁、Ｒ₆₂、Ｒ₆₃は、各々水素原子または置換基を表す。Ｙ₆₁とＹ₆₂間の結合は、各々単結合、または、二重結合を表す。Ｍ₀₆は元素周期表における８族〜１０族の元素を表す。〕
8. 前記一般式（６）で表される部分構造が、下記一般式（８）で表される部分構造であることを特徴とする請求項６に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
   

   

   〔式中、Ｒ₈₁、Ｒ₈₂、Ｒ₈₃、Ｒ₈₄、Ｒ₈₅、Ｒ₈₆、Ｒ₈₇は、各々水素原子または置換基を表すが、該Ｒ₈₁、Ｒ₈₂、Ｒ₈₃、Ｒ₈₄、Ｒ₈₅、Ｒ₈₆、Ｒ₈₇の少なくとも一つは、前記一般式（１）で表す置換基である。Ｍ₀₇は元素周期表における８族〜１０族の元素を表す。〕
9. 前記Ｒ₈₂が、前記一般式（１）で表される置換基であることを特徴とする請求項８に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
10. 前記Ｒ₈₃が、前記一般式（１）で表される置換基であることを特徴とする請求項８に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
11. 前記Ｒ₈₆が、前記一般式（１）で表される置換基であることを特徴とする請求項８に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
12. 前記Ｒ₈₇が、前記一般式（１）で表される置換基であることを特徴とする請求項８に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
13. 前記Ｒ₈₅が、前記一般式（１）で表される置換基を有することを特徴とする請求項８に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
14. 前記一般式（２）で表される部分構造が、下記一般式（９）で表される部分構造であることを特徴とする請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
    

    

    〔式中、Ｚ６１は、芳香族炭化水素環または芳香族複素環を形成するのに必要な原子群を表し、Ｚ６２は芳香族複素環を表すが、Ｚ６１、Ｚ６２で表される環の少なくともひとつは、前記一般式（１）で表される置換基を有する。Ｙ₁₁₁は炭素原子、または、窒素原子を表す。Ｙ₁₁₁と窒素原子間の結合は、各々単結合、または、二重結合を表す。Ｘ₁₀₁は酸素原子、硫黄原子、−ＮＲ₁₁₆または−Ｃ（Ｒ₁₁₇）（Ｒ₁₁₈）を表す。Ｒ₁₁₂、Ｒ₁₁₃、Ｒ₁₁₆、Ｒ₁₁₇、Ｒ₁₁₈は、各々水素原子または置換基を表す。Ｙ₁₁₁と窒素原子間の結合は、各々単結合または二重結合を表す。Ｍ₁₀₁は元素周期表における８族〜１０族の元素を表す。〕
15. 前記一般式（９）で表される部分構造が、下記一般式（１０）で表される部分構造であることを特徴とする請求項１４に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
    

    

    〔式中、Ｚ７１は、芳香族炭化水素環または芳香族複素環を形成するのに必要な原子群を表す。Ｘ₁₁₁は酸素原子、硫黄原子、−ＮＲ₁₂₆、または、−Ｃ（Ｒ₁₂₇）（Ｒ₁₂₈）を表す。Ｒ₁₂₁，Ｒ₁₂₂，Ｒ₁₂₃，Ｒ₁₂₄，Ｒ₁₂₅，Ｒ₁₂₆，Ｒ₁₂₇，Ｒ₁₂₈は水素原子または置換基を表す。Ｍ₁₁₁は元素周期表における８族〜１０族の元素を表す。〕
16. 前記一般式（１０）で表される部分構造が、下記一般式（１１）で表される部分構造であることを特徴とする請求項１５に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
    

    

    〔式中、Ｒ₁₃₁，Ｒ₁₃₂，Ｒ₁₃₃，Ｒ₁₃₄，Ｒ₁₃₅，Ｒ₁₃₆，Ｒ₁₃₇，Ｒ₁₃₈，Ｒ₁₃₉，Ｒ₁₄₀は、各々水素原子または置換基を表す。Ｍ₁₁₂は元素周期表における８族〜１０族の元素を表す。〕
17. 前記Ｒ₁₃₁が、前記一般式（１）で表す置換基を有することを特徴とする請求項１６に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
18. 前記８族〜１０族の元素が、イリジウムであることを特徴とする請求項１〜１６のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
19. 前記８族〜１０族の元素が、白金であることを特徴とする請求項１〜１６のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
20. 構成層として発光層を有することを特徴とする請求項１〜１９のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
21. 請求項１〜２０のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を有することを特徴とする表示装置。
22. 請求項１〜２０のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を有することを特徴とする照明装置。

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