JP2009016466A - 配線基板複合体、並びに、配線基板複合体、配線基板および半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】薄い多数取り配線基板複合体であっても容易に分割できるようにする。任意形状の配線基板を容易に形成し得るようにする。
【解決手段】支持体１０６上に剥離層１０７を形成〔（ａ）〕。絶縁層１０５_１を形成し、分割領域１１３の絶縁層を除去し、その除去部分に導電性ポスト１０３を形成〔（ｂ）〕。導電性パターン１０４_１を形成〔（ｃ）〕。絶縁層１０５_２形成し、ビア形成個所と分割領域１１３の絶縁層を除去し、その部分に銅膜を埋め込んだ後、導電性パターン１０４_２を形成〔（ｄ）〕。同様の工程により、絶縁層１０５_３とその開口内に埋設された銅膜及び導電性パターン１０４_３を形成〔（ｅ）〕。支持体１０６を剥離除去〔（ｆ）〕。配線基板複合体１１１から金属パターン１１３ａを引き抜き、個々の配線基板１１２に分離〔（ｇ）〕。
【選択図】図３１

Description

本発明は、基板分割用の金属パターンを有する配線基板複合体、並びに、配線基板複合体、配線基板および半導体装置の製造方法に関し、特に、配線基板を任意形状に分割できるようにした配線基板複合体と、これを用いた配線基板と半導体装置の製造方法に関する。

近年、携帯機器に見られるように電子機器の急激な小型化、薄型化、高密度化が進んでおり、そして半導体素子の高速化、および高機能化に伴う端子数増加により、機器実装や半導体素子実装について、使用される配線基板や半導体素子を搭載した半導体装置に対して薄型化、軽量化、高密度化等の特性が求められている。さらに、より小型化への対応のために、電子機器のマザーボードの面積を有効利用するスペースマネージメントが盛んに行われている。このような機器全体としての最適空間利用において、搭載される半導体装置も空間にあわせた形状とすることが求められている。
一方、配線基板や半導体装置が小型化されたことにより、効率的に製造を行なうために多数取りの複合配線基板にて配線基板の製造を行ない、製造後に個々の配線基板に分離・分割することが一般化してきている（例えば、特許文献１参照）。特許文献１に記載された方法では、配線基板上に半導体素子を搭載し、樹脂封止を行なった後、直交するカットラインに沿ってダイシングやスライシングを行ない、個々のパッケージに分割する。また、複合配線基板を分割する際に、分割を効率的にかつ容易に行なえるようにするために、基板にブレーク溝を設けたり（例えば、特許文献２参照）、あるいはスリットを入れたり（例えば、特許文献３参照）することも提案されている。
特開２００１−３３８９３３号公報 特開２００６−８６２２１号公報 特開２０００−２２８５６６号公報

上述した従来技術は、いずれも直交する２方向での分割が基本となっており、正方形や長方形の形状の配線基板に対しては有効であるが、近年では高密度実装のために様々な形状の基板が要望されるようになってきているのに対しこの要求について対応することができない。この場合に、基板単体としては、ルータ装置により任意形状に加工できるが、200μｍより薄い基板では複数枚での加工が行いにくくなり、加工時間が増加してしまう。
また、複合基板を分割するのに特許文献２に記載されたような予めブレーク溝を形成しておく手法は、樹脂基板、特に薄型の樹脂基板に対しては適用が困難である。また、特許文献３に記載された、複合基板にスリットを設ける手法は、スリットを形成するのに、金型による打ち抜きやルータ装置による加工が必要となる。ここで、金型による打ち抜きを行なうには、様々な形状の基板に対応するために基板の形状毎に金型を用意する必要があり、コスト高になってしまう。また、ルータ加工を行なう場合は、薄型基板については上記したように加工が困難で加工時間が増加してしまう。
本発明の課題は、上述した従来技術の問題点を解決することであって、その目的は、金型による打ち抜きやルータ加工などの手段を用いることなく、任意の形状の配線基板や半導体装置を容易に製造し得るようにすることである。

上記の目的を達成するため、本発明によれば、絶縁層と配線層とを有する配線基板が間に分割領域を挟んで複数設けられた配線基板複合体であって、前記分割領域が前記配線基板複合体を分割するための金属パターンを有することを特徴とする配線基板複合体、が提供される。
そして、好ましくは、前記配線基板および前記分割領域が支持体上に設けられている。また、好ましくは、前記分割領域が前記配線基板の絶縁層と同等の絶縁層を有し、その絶縁層の一外表面に前記金属パターンが形成されているか、または、前記分割領域が、前記配線基板の絶縁層の外側の一部を除去したものと同等の絶縁層を有し、その絶縁層の除去された部分に前記金属パターンが埋設されているか、または、前記分割領域の全体が前記金属パターンにより形成されている。
また、好ましくは、前記配線基板上に半導体素子が搭載されている。そして、一層好ましくは、前記半導体素子が樹脂封止されている。

また、上記の目的を達成するため、本発明によれば、絶縁層と配線層とを有する配線基板が間に分割領域を挟んで複数設けられた、前記分割領域が前記配線基板を分割するための金属パターンを有する配線基板複合体から前記金属パターンを引き抜いて個々の配線基板に分離することを特徴とする配線基板の製造方法、が提供される。
また、上記の目的を達成するため、本発明によれば、絶縁層と配線層とを有する配線基板が間に分割領域を挟んで複数設けられた、前記分割領域が前記配線基板を分割するための金属パターンを有する配線基板複合体の前記配線基板上に半導体素子を搭載する工程と、前記配線基板複合体から前記金属パターンを引き抜いて個々の配線基板に分離する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法、が提供される。

また、上記の目的を達成するため、本発明によれば、絶縁層と配線層とを有する配線基板が間に分割領域を挟んで複数設けられた、前記分割領域が前記配線基板を分割するための金属パターンを有する配線基板複合体の前記配線基板上に半導体素子を搭載する工程と、前記半導体素子を樹脂封止する工程と、前記配線基板複合体から前記金属パターンを引き抜いて個々の配線基板に分離する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法、が提供される。

本発明の配線基板複合体によれば、任意の形状で配線基板を分割できる金属パターンを有しており、この金属パターンを引き抜くことによって配線基板複合体を個々の配線基板に分離することが可能になる。この金属パターンの機能は、タバコなどの製品の包装用フィルムを開封する際に使用するカットテープに類似している。これらの製品の包装用フィルムは、カットテープの一端を摘んで製品の周囲に沿って引き上げることによって、容易に二つに分断することができる。同様にして、本発明においては、基板分割用に設けられた金属パターンを配線基板複合体から引き抜くことによって配線基板複合体を個々の配線基板（あるいは半導体装置）に分割することができる。ここで、金属パターンの平面上のパターンは、必要な配線基板の平面形状に合わせて任意の形状に形成することができるので、最適形状の配線基板（あるいは半導体装置）を容易に形成することができる。また、配線基板の全厚に等しいあるいはそれ以上の厚さの金属パターンを形成する場合には、配線基板の側面形状は金属パターンのそれに倣うので、金属パターンの断面形状を適宜に設計することにより、実装に最適な断面形状の配線基板を容易に得ることができる。配線基板の形状を適宜に制御することができるため、搭載される半導体素子や電子部品を高密度に搭載できると共に、配線基板を搭載する実装基板の小型化にも寄与できる。また、支持体を用いる配線基板複合体では、支持体により剛性を増加させることができるため、製造および搬送におけるハンドリング性を向上させることができ、歩留まりを向上させることができる。

以下、本発明の実施の形態について図面を参照して具体的に説明する。なお、本発明の実施の形態を示す図１〜図２９において、同一機能を有する部分には同一の参照符号付せられており、重複する説明は適宜省略される。
（配線基板複合体）
図１は、本発明の配線基板複合体の第１の実施の形態の一例を示す上面図である。また、図４、図５は、同第１の実施の形態の他の例を示す部分上面図である。そして、図２、図３は、同第１の実施の形態のいくつかの例を示す断面図である。図１に示すように、本実施の形態の配線基板複合体１１は、絶縁層と配線層（図示せず）から構成される複数の配線基板１２と配線基板１２間に介在する分割領域１３とから構成される。分割領域１３には、配線基板１２を分割するための金属パターン１３ａが設けられている。
配線基板１２は、１以上の配線層と絶縁層から成り、複数層の配線層を有する場合は、配線層間を接続するビア（図示せず）が設けられて電気的に接続されている。さらに、搭載される半導体素子や電子部品に適した接続端子が形成されている。分割領域１３には、金属パターン１３ａの外、配線基板１２の絶縁層の中の幾つかと同層の絶縁層が設けられることがある。

配線層の主たる材料は、銅、金、ニッケル、アルミニウム、銀、パラジウムのいずれか若しくは複数の材料から構成されるが、銅が抵抗値やコストの面で最も望ましい。また、ニッケルは、絶縁材料等の他の材料との界面反応を防止できる。また、抵抗配線として使用することもできる。配線層は、前述の如く例えば銅により好ましく形成され、その厚さは例えば１０μｍである。配線層は、例えばサブトラクティブ法、セミアディティブ法またはフルアディティブ法等の方法により形成する。サブトラクティブ法は、基板上に設けられた銅箔上に所望のパターンのレジストを形成し、これをマスクに不要な銅箔をエッチングした後に、レジストを剥離して所望のパターンを得る方法である。セミアディティブ法は、無電解めっき法、スパッタ法、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等で給電層を形成した後、所望のパターンに開口されたレジストを形成し、レジスト開口部内に電解めっき法による金属を析出させ、レジストを除去した後に給電層をエッチングして所望の配線パターンを得る方法である。フルアディティブ法は、基板上に無電解めっき触媒を吸着させた後に、レジストでパターンを形成し、このレジストを絶縁膜として残したまま触媒を活性化し、無電解めっき法により絶縁膜の開口部に金属を析出させることで所望の配線パターンを得る方法である。また、配線層が設けられる絶縁層（図示せず）に配線パターンとなる凹部を設けておき、無電解めっき法、スパッタ法、ＣＶＤ法等で給電層を形成した後、無電解めっき法や電解めっき法により凹部を埋め込み、表面を研磨により平坦化する埋込み配線法を用いても構わない。

絶縁層は、例えば感光性または非感光性の有機材料で形成されており、有機材料としては、例えば、エポキシ樹脂、エポキシアクリレート樹脂、ウレタンアクリレート樹脂、ポリエステル樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ＢＣＢ（ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ）、ＰＢＯ（ｐｏｌｙｂｅｎｚｏｘａｚｏｌｅ）、ポリノルボルネン樹脂等や、ガラスクロスやアラミド繊維などで形成された織布や不織布にエポキシ樹脂、エポキシアクリレート樹脂、ウレタンアクリレート樹脂、ポリエステル樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ＢＣＢ（ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ）、ＰＢＯ（ｐｏｌｙｂｅｎｚｏｘａｚｏｌｅ）、ポリノルボルネン樹脂等を含浸させた材料を用いる。特に、ポリイミド樹脂、ＰＢＯ、および織布や不織布を用いた材料は、膜強度、引張弾性率および破断伸び率等の機械的特性が優れているため、高い信頼性を得ることができる。

ビアは、絶縁層内に設けられ、上下の配線層間を接続する。これは、絶縁層にビアホールを設けた後に上層の配線層を形成する際に同時にビアホール内に導電体を充填してもよく、別途、ビアホール内に導電性材料を充填若しくはビアホール壁面に導電性材料を塗布するようにしてもよい。絶縁層に設けられるビアホールは、感光性の材料を使用する場合、ビアの断面形状にあわせてフォトリソグラフィーにより形成される。非感光性の材料または、感光性の材料でパターン解像度が低い材料を使用する場合、ビアホールは、レーザ加工法、ドライエッチング法またはブラスト法により形成される。また、ビアの位置に予めめっきポストを形成した後に絶縁膜を形成し、研磨により絶縁膜表面を削ってめっきポストを露出させてビアを形成するようにしてもよい。この方法によれば、絶縁層に予めビアホールを設ける必要はない。さらに、半導体素子と配線層間および各配線層間において、インダクタ結合、キャパシタ結合、無線で信号の伝達を行う場合は、必ずしもビアは必要とならない。さらにまた、配線層を設ける絶縁層が傾斜を持った形状で開口部を設け、上下の配線層が直接接続される状態としても構わない。さらにまた、一部が光結合により信号の伝達が行われていても構わなく、この場合は、配線層が光配線となっていてもよい。

金属パターン１３ａは、図２、３に示した断面図の例の通り、少なくとも配線基板複合体１１の片側の最外層に一部が露出するように設けられている。図２（ａ）は、配線基板複合体１１の片面上に金属パターン１３ａが設けられた構造を示している。この場合、分割領域１３の絶縁層は、配線基板１２の絶縁層と一致している。また、この構造では、後から分割用の金属パターン１３ａを設けることができ、配線基板１２の仕上がりにあわせたパターン調整が容易となる。図２（ｂ）は、配線基板複合体１１の片面に金属パターン１３ａの一部が露出するように埋設されている構造を示している。この場合、分割領域１３の絶縁層は、配線基板１２の絶縁層の一部が除去された構造となっている。また、この構造では、金属パターン１３ａを設けた絶縁層や配線層とのパターン精度が向上できるため、良好な外形と内部パターンとの位置精度を達成することができる。図２（ｃ）と（ｄ）は、配線基板複合体１１を貫通するように金属パターン１３ａが設けられた構造を示している。これらの構造では、分割領域１３には絶縁層は形成されておらず、金属パターン１３ａにより配線基板１２が確実に分離した状態となっているため、安定した分割が達成できる。また、配線基板複合体１１の製造中に金属パターン１３ａを設けていくため、各層とのパターン精度が高い状態を維持できる。さらに、これらの構造の金属パターン１３ａは、図２（ｃ）では配線基板複合体１１の両表面と同じ平面上に露出面を、図２（ｄ）では配線基板複合体１１の両表面から突出した構造を示しているが、これらに限定されず配線基板複合体１１表面に対して平坦、突出、および窪んでいる構造の組合せとしても構わない。金属パターン１３ａの表面と配線基板複合体１１の表面とが平坦な場合は、配線基板複合体１１表面に半導体素子や電子部品を搭載する際に、金属パターン１３ａと搭載用ツールとの干渉を回避することができる。また、金属パターン１３ａ表面が突出している場合は、容易に金属パターン１３ａを引き抜くことが実現できる。さらに、金属パターン１３ａ表面が窪んでいる場合は、平坦な場合と同様に搭載用ツールとの干渉を防ぐことができ、さらに、配線基板１２の端部にバリや割れが発生するのを抑制できる。

さらにまた、金属パターン１３ａが配線基板複合体１１を貫通する構造では、図３に示す例のように、配線基板複合体１１を構成する層構造の積層回数にあわせて金属パターン１３ａの幅を任意に変更することができ、配線基板１２の端部形状を制御することができる。図３（ａ）〜（ｆ）に示すように、金属パターン１３ａ断面形状を階段状や凹凸のある形状とすることで、配線基板の段差部や凹凸部を部品取り付けとして利用できる。また、図３（ｆ)に示すように配線基板端面に凹・凸を設けることで、凹部や段差部を利用した部品の取り付けが実現できる外、凹凸を利用して配線基板同士を噛み合わせ接続することが可能になる。さらに、図３の例でも、図２の例と同様に、金属パターン１３ａの断面形状を配線基板複合体１１表面に対して平坦、突出、および窪んでいる構造の組合せとしても構わない。さらにまた、図３のような階段状の断面形状だけではなく、滑らかに傾斜した金属パターンとしても構わない。

金属パターン１３ａは、搭載される半導体素子や電子部品の構造や特性、さらには、配線基板１２が搭載される実装基板の構造や特性にあわせて任意の形状とすることができる。図１では配線基板が長方形となる例を示したが、図４あるいは図５で示した例のようにしてもよい。図４（ａ）ではＬ字型の配線基板１２が形成されており、図４（ｂ）ではＬ字型と長方形の２種の配線基板が形成されている。また、図４（ｃ）では、途中で分割領域１３が止まっており、配線基板１２が分割された後にスリットを持つ形状を得ることができる。また、図４（ｄ)に示すように曲線をもつ形状でも構わない。さらに、図４（ｄ）に示すように、配線基板複合体１１がウエハのように円形状である場合などに、デッドスペースを減らすことが可能な六角形などの多角形に形成することもできる。これらのように、金属パターン１３ａは、配線基板１２の取り数を効果的に増加させることができ、さらに、全体システムにあわせた形状を得ることができる。

金属パターン１３ａの主たる材料は、銅、金、ニッケル、アルミニウム、銀、パラジウムのいずれか若しくは複数の材料から構成されるが、銅がコストの面で最適である。また、ニッケルは、硬度が高い金属材料となるため、金属パターン１３ａの強度を増加させることができる。金属パターン１３ａの厚さは例えば１０μｍである。金属パターン１３ａは、配線基板の配線層と同様に例えば前述のサブトラクティブ法、セミアディティブ法またはフルアディティブ法等の方法により形成される。また、金属パターン１３ａが設けられる絶縁層に金属パターンが形成される凹部を設けておき、前述の埋込み配線法と同様の手法を用いて形成してもよい。また、配線基板の配線層の形成工程と同じ工程で同時に形成するようにしてもよい。

本実施の形態により、所望の外形と端部形状を有する配線基板１２を得るための配線基板複合体１１が実現できる。配線基板１２の形状が制御できるため、搭載される半導体素子や電子部品を高密度に搭載できると共に、配線基板１２を搭載する実装基板の小型化にも寄与できる。

図６、図７は、本発明の配線基板複合体の第２の実施の形態のいくつかの例を示す断面図である。第２の実施の形態の配線基板複合体は、第１の実施の形態の配線基板複合体に、支持体１４が設けられた構造となっている。それ以外の部分は第１の実施の形態と同じである。また、第１の実施の形態に記載したとおり、図１から図５に示す組み合わせを行っても構わない。
支持体１４は、適度な剛性を有していることが望ましいため、シリコン、ＧａＡｓ等の半導体ウエハ材料、サファイア、金属、石英、ガラス、セラミック、銅張り若しくは銅箔を有しない樹脂基板を用いることができる。また、支持体１４と配線基板１２を分離する場合は、支持体１４をウェットエッチング法、ドライエッチング法、研削法のいずれか、若しくはそれらの組合せで行ってもよい。また、剥離または切断により分離を行なうこともできる。剥離法によるときは、支持体１４表面に低密着層を形成したり、支持体に透明基板を用いて支持体と接触している材料をレーザ光や紫外線により変質させて密着性を低下させたりして分離を行い、切断法によるときは、ウォーターカッターやスライサーにより所望の位置で分割する。なお、支持体１４の分離は、金属パターンを配線基板複合体から引き抜いた後に行なってよく、またその前に行なってもよい。
図６（ａ）に示す例では、支持体１４上の分割領域１３の絶縁層に金属パターン１３ａが埋設されている。この構造では、金属パターン１３ａを、配線基板の配線層と同層に形成することができ、パターン精度を向上することができるため、外形と内部パターンとの位置精度を向上させることができる。図６（ｂ）と（ｃ）は、配線基板複合体１１を貫通するように金属パターン１３ａが設けられた構造を示している。これらの構造では、金属パターン１３ａにより配線基板１２が確実に分離した状態となるため、安定した分割が実現できる。また、配線基板複合体１１の製造中に金属パターン１３ａを設けていくため、配線基板の各層のパターン精度を高い状態に維持することができる。さらに、これらの構造の金属パターン１３ａは、図６（ｂ）では配線基板複合体１１の両表面と同じ平面上に露出面を、図６（ｃ）では配線基板複合体１１の表面から突出した構造を示しているが、これらに限定されず配線基板複合体１１表面に対して平坦、突出、および窪んでいる構造の組合せとしても構わない。金属パターン１３ａの表面と配線基板複合体１１の表面とが平坦な場合は、配線基板複合体１１表面に半導体素子や電子部品を搭載する際に、金属パターン１３ａと搭載用ツールとの干渉を回避することができる。また、金属パターン１３ａ表面が突出している場合は、容易に金属パターン１３ａを引き抜くことができる。さらに、金属パターン１３ａ表面が窪んでいる場合は、平坦な場合と同様に搭載用ツールとの干渉を防ぐことができ、さらに、配線基板１２の端部にバリや割れを抑制できる。

さらにまた、金属パターン１３ａが配線基板複合体１１を貫通する構造では、図７に示す例のように、配線基板複合体１１を構成する層構造の積層回数にあわせて金属パターン１３ａの幅を任意に変更することができ、図３に示した第１の実施の形態の場合と同様に、配線基板１２の端部形状を制御することができる。そして、本実施の形態の図７（ａ）〜（ｆ）の構造によれば、図３に示した第１の実施の形態の場合と同様の効果を享受することができる。また、第２の実施の形態の場合にも、金属パターンの断面形状を図７に示される階段形状に代え、滑らかに傾斜した形状としてもよい。
図６および図７には、支持体１４の片面に複数の配線基板１２が設けられている配線基板複合体１１の構造例を示しているが、必要に応じて支持体１４の両面に複数の配線基板複合体を設けてもよい。

本実施の形態により、所望の外形と端部形状を有する配線基板１２を得るための配線基板複合体１１が実現できる。配線基板複合体の第１の実施の形態に記載の効果に加え、支持体１４により剛性を増加させることができるため、製造および搬送におけるハンドリング性を向上させることができ、歩留まりの向上が達成できる。

（配線基板）
図８乃至図１１は、本発明の配線基板複合体の第１乃至第２の実施の形態から形成された配線基板の構造例を示す断面図である。
図８は、配線基板１２の両端部側面に凹・凸を有する配線基板１２の例を示している。この凹・凸部を利用して部品を取り付けることができる外、図９に示すように、端部凹凸を噛み合わせて配線基板１２を複数個連結することができる。また、配線基板同士が接触する部分に電気的な接合点を設けることで両配線間での信号の送受が可能となる。このため、個別に実装基板に取り付けられる状態より短距離で複数の配線基板１２が連結されるため、システム全体としての性能向上が達成される。図９では、凸型と凹型の側面形状を組み合わせたが、階段状や傾斜形状を組み合せるようにしてもよい。

図１０は、一方の端部側面は垂直で他方の端部側面に階段状の段差を有する配線基板１２の例を示している。この配線基板１２の段差部分に電気的な接続部や接着部分を設けることで、図１１に示されるように、電子部品や電線・ケーブル、光ファイバなどの接続部品を取り付けることができる。
第１、第２の実施の形態の配線基板複合体により、側面形状を利用した連結や部品搭載が可能な配線基板１２を製作することができ、高密度に部品を集積することが可能になるため、システムの高精度化や高機能化が実現できる。

（半導体装置）
図１２、図１３は、それぞれ、本発明の半導体装置の第１の実施の形態の例を示す上面図と断面図である。
図１２、図１３に示す半導体装置１９は、絶縁層と配線層（図示せず）を有する配線基板１２と配線基板上に搭載された半導体素子１５とから構成される。配線基板１２は、配線基板１２と配線基板１２間に配置された、配線基板１２を分割するための金属パターン１３ａを有する分割領域１３とから構成された配線基板複合体１１に含まれている。ここで、配線基板複合体１１としては、図１、図２（ａ）に図示された第１の実施の形態のものが用いられているが、これに限定されず、図１〜図７に示された第１乃至第２の実施の形態の適宜のものの使用が可能である。

半導体素子１５については、半導体素子１５表面の電極（図示せず）と配線基板１２の電極（図示せず）とが電気的に接続されている。接続は、半田ボールや金属バンプによるフリップチップ接続や、金を主な材料としたワイヤを用いたワイヤボンディングにより行われる。また、フリップチップ接続では、金属バンプに代え金属粒子を含む異方性導電性材料を用いてもよく、特性面で問題がなければ導電性樹脂を用いた接続を行っても構わない。また、必要に応じてアンダーフィルを施してもよい。

図１３では、半導体素子１５が配線基板複合体１１の金属パターン１３ａが設けられていない面に搭載されている例を示したが、これに限定されることなく、金属パターン１３ａが設けられている面に半導体素子１５が搭載されていても構わない。さらに、両面に半導体素子１５が搭載されていてもよく、一つの配線基板１２の片面に複数の半導体素子１５が搭載されても構わない。また、これらの状態の組合せでもよい。また、半導体装置の剛性を高めるためにスティフナなどの枠体を取り付けても構わない。
本実施の形態により、所望の外形と端部形状を有する半導体装置を得ることができる。

図１４は、本発明の半導体装置の第２の実施の形態の一例を示す断面図である。本実施の形態の半導体装置１９は、図１３に示した第１の実施の形態に対し、モールド樹脂１６により半導体素子１５を封止した構造となっている。それ以外の部分は第１の実施の形態の場合と同じである。また、第１の実施の形態の場合と同様に、図１〜図７に示したいずれの配線基板複合体１１を使用することも可能である。

モールド樹脂１６は、エポキシ系の材料にシリカフィラーを混ぜた材料からなる。樹脂封止は、金型を用いたトランスファモールド法あるいは圧縮形成モールド法、若しくは印刷法などで行なわれ、搭載されている半導体素子１５と接続部分の配線を覆うようにモールド樹脂１６が設けられる。モールド樹脂１６は、半導体素子１５を、ワイヤボンディング法を用いる場合には、ボンディングワイヤを含めて覆う構造となるが、配線基板１２の全体を覆っても、配線基板の一部が露出する構造としてもよい。
図１４に示す実施の形態でも、半導体素子１５は、金属パターン１３ａが設けられている面に搭載されても、さらに、両面に半導体素子１５が搭載されていてもよい。また、一つの配線基板１２の片面に複数の半導体素子１５が搭載されても構わない。また、これらの状態の組合せでもよい。また、半導体装置の剛性を高めるためにスティフナなどの枠体を取り付けても構わない。
本実施の形態により、半導体装置の第１の実施の形態の効果に加えて、半導体素子１５がモールド樹脂１６で覆われていることから、半導体素子１５を保護することができる。また、モールド樹脂１６を設けることで半導体装置全体の剛性を高めることができ、パッケージ全体の信頼性を向上できる。

（配線基板複合体の製造方法）
図１５（ａ）、（ｂ）は、本発明の配線基板複合体の製造方法の第１の実施の形態の一例を工程順に示す断面図である。本実施の形態の製造方法は、本発明の配線基板複合体の第１の実施の形態〔図２（ａ）〕を製造するためのものである。なお、各工程間において適宜洗浄および熱処理を行う。この洗浄および熱処理は以下の実施の形態においても同様に工程間において適宜行なわれる。
先ず、図１５（ａ）に示すように、絶縁層と配線層を所望の層数積層して、配線基板１２と、絶縁層のみからなる分割領域１３とを有する基板を作成し、その片側に金属層１８を形成して配線基板複合体前駆体１１ａを作成する。配線層を複数層形成する場合は、層間は絶縁層内に形成されるビアにより接続されている。
配線基板複合体前駆体１１ａの配線基板１２と分割領域１３は、先に説明した材料、方法を用いて形成される。また、ビアも前述の方法を用いて形成される。

金属層１８は、配線基板複合体１１の片面に形成される。形成方法は、スパッタ法、無電解めっき法、めっき法、蒸着法、および金属箔を貼り付ける方法により行う。金属箔を貼り付ける場合、真空プレス、ラミネート法、真空ラミネート法を用いることができ、金属箔側と配線基板複合体１１側のいずれか片方、若しくは両方に接着層を形成して行なってもよい。
次に、図１５（ｂ）に示すように、金属層１８をパターニングして金属パターン１３ａを形成する。金属層１８のパターニングは、セミアディティブ法やサブトラクティブ法により行う。
以上の製造方法により、図２（ａ）に示した配線基板複合体１１の第１実施の形態を効率的に作製することができる。

図１６（ａ）、（ｂ）は、本発明の配線基板複合体の製造方法の第２の実施の形態の一例を工程順に示す断面図である。本実施の形態の製造方法は、本発明の第１の実施の形態の配線基板複合体〔図２（ｂ）〕を製造するためのものである。
先ず、図１６（ａ）に示すように、絶縁層全体を貫通する形の金属パターン１３ａを有する配線基板複合体中間体１１ｂを形成する。配線基板複合体中間体１１ｂは、配線基板複合体１１の配線基板１２の絶縁層と配線層の一部および分離領域１３の金属パターン１３ａから形成されている。それらの絶縁層と配線層および金属パターンは、先に説明した材料と方法のいずれかを用いて形成されている。
次に、図１６（ｂ）に示すように、配線基板複合体１１の絶縁層と配線層を先に説明した材料と方法のいずれかを用いて所望の層数を形成し、配線基板複合体１１を形成する。
以上説明した製造方法に代え、図１５（ｂ）に示す配線基板複合体を形成した後、基板裏面に絶縁層を形成し、研磨して図１６（ｂ）に示す構造の配線基板複合体１１を得るようにすることもできる。
以上の製造方法により、図２（ｂ）に示した配線基板複合体の第１の実施の形態を効率的に作製することができる。

図１７（ａ）〜（ｃ）および図１８（ａ）〜（ｃ）は、本発明の配線基板複合体の製造方法の第３の実施の形態一例を工程順に示す断面図である。本実施の形態の製造方法は、本発明の配線基板複合体の第１の実施の形態〔図２（ｃ）、図２（ｄ）、図３（ａ）〕を製造するためのものである。
先ず、図１７（ａ）や１８（ａ）に示すように、絶縁層全体を貫通する形の金属パターン１３ａを有する配線基板複合体中間体１１ｂを形成する。配線基板複合体中間体１１ｂは、配線基板複合体１１の配線基板１２の絶縁層と配線層の一部および分離領域１３の金属パターン１３ａの一部から形成されている。これらの絶縁層と配線層および金属パターンは、先に説明した材料と方法のいずれかを用いて形成されている。配線層を複数層形成する場合は、層間は絶縁層内に形成されるビアにより接続されている。

次に、図１７（ｂ）または図１８（ｂ）に示すように、配線基板複合体中間体１１ｂの両面、若しくは片側に所望の絶縁層と配線層および金属パターンを、先に説明した材料と方法のいずれかを用いて積層して配線基板複合体１１を形成する。図１８（ｂ）においては、必要に応じて金属パターン１３ａの幅を変更して形成する。この工程において、図２（ｃ）に示された配線基板複合体を得ることができる。
さらに、図１７（ｃ）または図１８（ｃ）に示すように、金属パターン１３ａが配線基板複合体１１の配線基板表面より突出するように形成する。金属パターン１３ａは、例えばサブトラクティブ法、セミアディティブ法、またはフルアディティブ法等により形成する。この工程により、図２（ｄ）、図３（ａ）の構造を得ることができる。また、この工程は、必要に応じて行うことで構わない。
以上の製造方法により、図２（ｃ）、（ｄ）、図３（ａ）に示した配線基板複合体の第１の実施の形態を効率的に作製することができる。なお、図３（ｂ）〜（ｆ）に示した配線基板複合体も同様の手法を用いて作製することができる。

図１９（ａ）〜（ｃ）は、本発明の配線基板複合体の製造方法の第４の実施の形態の一例を工程順に示す断面図である。本実施の形態の製造方法は、本発明の配線基板複合体の第２の実施の形態〔図６（ａ）〕を製造するためのものである。
先ず、図１９（ａ）に示すように、上記した材料のいずれかの材料からなる支持体１４を用意し、必要であれば表面のウェット洗浄、ドライ洗浄、平坦化、粗化など処理を施す。
次に、図１９（ｂ）に示すように、金属パターン１３ａを、例えばサブトラクティブ法、セミアディティブ法またはフルアディティブ法等の方法により形成する。金属パターン１３ａは、配線基板複合体１１の配線基板の配線層と同時に形成しても構わない。
次に、図１９（ｃ）に示すように、前述の材料と方法のいずれかを用いて所望の配線層と絶縁層を積層し、配線基板複合体１１を形成する。

本実施の形態では、支持体１４の片側に配線基板複合体１１を形成する例を示したが、これに限定されず、支持体１４の両面に配線基板複合体１１を設けてもよい。
以上の製造方法により、図６（ａ）に示した配線基板複合体の第２の実施の形態を効率的に作製することができる。

図２０（ａ）〜（ｄ）および図２１（ａ）〜（ｅ）は、本発明の配線基板複合体の製造方法の第５の実施の形態の一例を工程順に示す断面図である。本実施の形態の製造方法は、本発明の第２の実施の形態の配線基板複合体〔図６（ｂ）、図６（ｃ）、図７（ａ）〕にを製造するためのものである。
先ず、図２０（ａ）、図２１（ａ）に示すように、上記したいずれかの材料からなる支持体１４を用意し、必要であれば表面のウェット洗浄、ドライ洗浄、平坦化、粗化など処理を施す。
次に、図２０（ｂ）、２１（ｂ）に示すように、絶縁層、配線層および金属パターン１３ａを、前述の材料、方法を用いて形成し、支持体１４上に配線基板複合体中間体１１ｂを形成する。

次に、図２０（ｃ）および図２１（ｃ）、図２１（ｄ）に示すように、先に説明した材料と方法のいずれかを用いて所望の配線層、絶縁層および金属パターンを積層し、配線基板複合体１１を形成する。図２１（ｃ）および図２１（ｄ）の工程では、金属パターンが階段状となるように所望の幅で金属パターン１３ａを形成する。金属パターン１３ａの形成は、配線層の形成と同時に行っても構わず、別々に行っても構わない。この工程において、図６（ｂ）に示した構造の配線基板複合体を得ることができる。

次に、図２０（ｄ）、図２１（ｅ）に示すように、金属パターン１３ａが配線基板複合体１１の配線基板１２表面より突出するように形成する。金属パターン１３ａは、例えばサブトラクティブ法、セミアディティブ法、またはフルアディティブ法等により形成する。この工程において、図６（ｃ）、図７（ａ）の構造を得ることができる。また、この工程は、必要に応じて行うことで構わない。図７（ｂ）〜（ｆ）に示される構造も同様の手法により形成することができる。
本実施の形態では、支持体１４の片側に配線基板複合体１１を形成する例を示したが、これに限定されず、支持体１４の両面に配線基板複合体１１を設けてもよい。
以上の製造方法により、図６（ｂ）、（ｃ）、図７に示した第２の実施の形態の配線基板複合体を効率的に作製することができる。

図２２（ａ）、（ｂ）は、本発明の配線基板複合体の製造方法の第６の実施の形態の一例を工程順に示す断面図である。本実施の形態の製造方法は、本発明の配線基板の複合体第１の実施の形態〔図２（ｂ）〕を製造するためのものである。
図１９（ａ）〜（ｃ）に示される工程を実行することにより、図２２（ａ）に示される、支持体１４上に金属パターン１３ａと配線層と絶縁層を有する配線基板複合体１１を形成する。図２２（ａ）では、図１９に示される工程を実行する例を示しているが、支持体上に配線基板複合体を形成する他の例を実行して、図２０（ｃ）、図２０（ｄ）、図２１（ｄ）、図２１（ｅ）に示される構造を用いるようにしてもよい。
次に、図２２（ｂ）に示すように、支持体１４と配線基板１２を、上記したいずれかの方法を用いて分離する。
以上の製造方法により、図２（ｂ）に示した配線基板複合体の第１の実施の形態を効率的に作製することができる。

（配線基板の製造方法）
図２３（ａ）〜（ｃ）は、本発明の配線基板の製造方法の第１の実施の形態の一例を工程順に示す断面図である。
図１５を参照して説明した配線基板複合体の製造方法を用いて、図２３（ａ）に示す配線基板複合体１１を得る。図２３（ａ）では、図１５（ｂ）の例を示しているが、図１６（ｂ）、図２２（ｂ）に示す構造のものであってもよい。
次に、図２３（ｂ）に示すように、金属パターン１３ａを矢印の方向である絶縁層が覆っている側に引き上げる。これにより、金属パターン１３ａ上の絶縁層が金属パターンと共に引き上げられる。金属パターン１３ａを引き上げる場合、配線基板複合体１１の一部に起点となる部分を設けておき、その領域の金属パターン上の絶縁層を物理的に切り取ることで金属パターン１３ａの一端を摘まめるようにしておきその部分の金属パターンを起点として引き上げるようにしてもよい。また、起点となる部分の金属パターン１３ａを配線基板複合体１１を貫通させる〔図３０（ｆ）参照〕ことで配線基板複合体１１表面でこれを摘まめるようにしておき、この部分を起点として引き上げるようにしてもよい。
図２３（ｂ）に示すように金属パターンを引き抜くと、配線基板複合体１１は分割され、図２３（ｃ）に示すように、個々に分割された配線基板１２が得られる。

図２４（ａ）〜（ｃ）は、本発明の配線基板の製造方法の第２の実施の形態の一例を工程順に示す断面図である。
図１７を参照して説明した配線基板複合体の製造方法を用いて図１７（ｂ）までの工程を行ない、図２４（ａ）に示す配線基板複合体１１を得る。図２４（ａ）では、図１７（ｂ）の例を示しているが、図１７（ｃ）、１８（ｂ）、１８（ｃ）の構造を用いてもよい。
次に、図２４（ｂ）に示すように、矢印の方向に金属パターン１３ａを絶縁層が覆っている側に引き上げることで配線基板複合体１１を分割する。金属パターン１３ａを引き上げる場合、金属パターンの一部に起点となる部分を設けてその部分の金属パターンを摘まめるようにしておき〔図３１（ｆ）参照〕、この部分を起点として金属パターン１３ａを引き上げてもよい。
図２４（ｂ）に示すように金属パターンを引き抜くと、配線基板複合体１１は分割され、図２４（ｃ）に示すように、個々に分割された配線基板１２が得られる。本実施の形態に従い、図３に示される配線基板複合体を作製し、金属パターンを引き抜くと、図８乃至１１に示した配線基板を得ることができる。

図２５（ａ）〜（ｄ）は、本発明の配線基板の製造方法の第３の実施の形態の一例を工程順に示す断面図である。
図１９を参照して説明した配線基板複合体の製造方法を用いて、図２４（ａ）に示す配線基板複合体１１を得る。本実施の形態では、図１９（ｃ）の例を用いているが、図２０（ｃ）、図２０（ｄ）、図２１（ｄ）、図２１（ｅ）の構造を用いてもよい。
次に、図２５（ｂ）に示すように、金属パターン１３ａを矢印の方向である絶縁層が覆っている側に引き上げる。これにより、金属パターン１３ａ上の絶縁層が金属パターンと共に引き上げられる。金属パターン１３ａを引き上げる場合、配線基板複合体１１の一部に起点となる部分を設けておき、その領域の金属パターン上の絶縁層を物理的に切り取ることで金属パターン１３ａの一端を摘まめるようにしておきその部分の金属パターンを起点として引き上げるようにしてよい。また、起点となる部分の金属パターン１３ａを配線基板複合体１１を貫通させることで配線基板複合体１１表面でこれを摘まめるようにしておき、この部分を起点として引き上げるようにしてもよい。いずれの場合にも、金属パターン１３ａと支持体１４との界面の密着性が低いことが望ましい。
図２５（ｂ）に示すように金属パターンを引き抜くと、図２５（ｃ）に示すように、支持体１４に連結された状態で個々の配線基板１２に分割される。次に、図２５（ｄ）に示すように、支持体１４と配線基板１２を分離する。分離法としては、先に説明したいずれかの方法が用いられる。
本実施の形態に従い、図７（ａ）〜（ｆ）に示される配線基板複合体を作製し、金属パターンを引き抜き支持体を除去すると、図８乃至１１に示した配線基板を得ることができる。

（半導体装置の製造方法）
図２６（ａ）〜（ｄ）は、本発明の半導体装置の製造方法の第１の実施の形態の一例を工程順に示す断面図である。
図１５を参照して説明した配線基板複合体の製造方法を用いて、図２６（ａ）に示す配線基板複合体１１を得る。本実施の形態では、、図１５（ｂ）の例を用いているが、図１６（ｂ）、図１７（ｂ）、図１７（ｃ）、１８（ｂ）、１８（ｃ）、図２２（ｂ）の構造のものを用いてもよい。
次に、図２６（ｂ）に示すように、半導体素子１５を配線基板複合体１１に搭載する。半導体素子１５は、半導体素子１５表面の電極（図示せず）と配線基板１２の電極（図示せず）とは、先に説明したいずれかの方法を用いて電気的に接続される。また、必要に応じてアンダーフィルを施してもよい。

次に、図２６（ｃ）に示すように、金属パターン１３ａを矢印の方向である絶縁層が覆っている側に引き上げることで配線基板複合体１１を分割する。金属パターン１３ａを引き上げ方法は、図２３（ｂ）を参照して説明した工程と同様である。
図２６（ｃ）に示すように金属パターンを引き抜くと、図２６（ｄ）に示すように、配線基板複合体は分割され、配線基板１２に半導体素子１５が搭載された半導体装置１９が個々に分離される。
図２６の例では、半導体素子１５が配線基板複合体１１の金属パターンが形成されていない面に搭載された例を示したが、これに限定されることなく、金属パターン１３ａが設けられている面に半導体素子１５が搭載されていても構わない。また、両面に半導体素子１５が搭載されていてもよく、さらに、一つの配線基板１２の片面に複数の半導体素子１５が搭載されても構わない。また、これらの状態の組合せでもよい。また、半導体装置の剛性を高めるためにスティフナなどの枠体を取り付けても構わない。

図２７（ａ）〜（ｅ）は、本発明の半導体装置の製造方法の第２の実施の形態の一例を工程順に示す断面図である。
図１５を参照して説明した配線基板複合体の製造方法を用いて、図２７（ａ）に示す配線基板複合体１１を得る。本実施の形態では、、図１５（ｂ）の例を用いているが、図１６（ｂ）、図１７（ｂ）、図１７（ｃ）、１８（ｂ）、１８（ｃ）、図２２（ｂ）の構造のものを用いてもよい。
次に、図２７（ｂ）に示すように、半導体素子１５を配線基板複合体１１に搭載する。半導体素子１５は、半導体素子１５表面の電極（図示せず）と配線基板１２の電極（図示せず）とは、先に説明したいずれかの方法を用いて電気的に接続される。また、必要に応じてアンダーフィルを施してもよい。
次に、図２７（ｃ）に示すように、先に説明した材料と方法を用いて半導体素子１５を覆うようにモールド樹脂１６を形成する。モールド樹脂１６は、配線基板１２の全体を覆っても、配線基板の一部が露出する構造としてもよい。

次に、図２７（ｄ）に示すように、金属パターン１３ａを矢印の方向である絶縁層が覆っている側に引き上げることで配線基板複合体１１を分割する。金属パターン１３ａを引き上げ方法は、図２３（ｂ）を参照して説明した工程と同様である。
図２７（ｄ）に示すように金属パターンを引き抜くと、図２７（ｅ）に示すように、配線基板複合体は分割され、配線基板１２に半導体素子１５が搭載された半導体装置１９が個々に分離される。
図２７の例では、半導体素子１５が配線基板複合体１１の金属パターンが形成されていない面に搭載されている例を示したが、これに限定されることなく、金属パターン１３ａが設けられている面に半導体素子１５が搭載されていても構わない。また、両面に半導体素子１５が搭載されていてもよく、さらに、一つの配線基板１２の片面に複数の半導体素子１５が搭載されても構わない。また、これらの状態の組合せでもよい。また、半導体装置の剛性を高めるためにスティフナなどの枠体を取り付けても構わない。

図２８（ａ）〜（ｅ）は、本発明の半導体装置の製造方法の第３の実施の形態の一例を工程順に示す断面図である。
図１９を参照して説明した配線基板複合体の製造方法を用いて、図２８（ａ）に示す配線基板複合体１１を得る。本実施の形態では、、図１９（ｃ）に示す例を用いているが、図２０（ｃ）、図２０（ｄ）、図２１（ｄ）、２１（ｅ）の構造のものを用いてもよい。
次に、図２８（ｂ）に示すように、半導体素子１５を配線基板複合体１１に搭載する。半導体素子１５は、半導体素子１５表面の電極（図示せず）と配線基板１２の電極（図示せず）とは、先に説明したいずれかの方法を用いて電気的に接続される。また、必要に応じてアンダーフィルを施してもよい。
次に、図２８（ｃ）に示すように、金属パターン１３ａを矢印の方向である絶縁層が覆っている側に引き上げることで配線基板複合体１１を分割する。金属パターン１３ａを引き上げ方法は、図２５（ｂ）を参照して説明した工程と同様である。
図２８（ｃ）に示すように金属パターンを引き抜くと、図２８（ｄ）に示すように、支持体１４に連結された状態で配線基板１２上に半導体素子１５が搭載された半導体装置１９に分割される。次に、図２８（ｅ）に示すように、支持体１４と配線基板１２（半導体装置１９）を分離する。分離法としては、先に説明したいずれかの方法が用いられる。工程中に半導体素子１５を保護するために有機材料によるレジストカバーを形成しても構わない。

図２８では、半導体素子１５が配線基板１２の片面に一個搭載されている例を示したが、これに限定されることなく、片面に複数個搭載されるようにしてもよい。また、図２８（ｅ）の状態になった後にもう片面に半導体素子１５を搭載してもよい。また、これらの状態の組合せでもよい。
また、図２８に示した例では、半導体素子１５を搭載した後に金属パターン１３ａを引き上げて配線基板複合体１１を分割していたが、先に金属パターン１３ａを引き上げて配線基板複合体１１を分割した後に、半導体素子１５を搭載しても構わない。
また、半導体装置の剛性を高めるためにスティフナなどの枠体を取り付けても構わない。

図２９（ａ）〜（ｆ）は、本発明の半導体装置の製造方法の第４の実施の形態の一例を工程順に示す断面図である。
図２８を参照して説明した第３の実施の形態の半導体装置の製造方法と同じ工程を用いて、図２９（ｂ）に示す状態とする。次に、図２９（ｃ）に示すように、先に説明した材料と方法を用いて半導体素子１５を覆うようにモールド樹脂１６を形成する。モールド樹脂１６は、配線基板１２の全体を覆っても、配線基板の一部が露出する構造としてもよい。
次に、図２９（ｄ）に示すように、金属パターン１３ａを矢印の方向である絶縁層が覆っている側に引き上げることで配線基板複合体１１を分割する。金属パターン１３ａを引き上げ方法は、図２５（ｂ）を参照して説明した工程と同様である。
図２９（ｄ）に示すように金属パターンを引き抜くと、図２９（ｅ）に示すように、支持体１４に連結された状態で配線基板１２上に半導体素子１５が搭載された半導体装置１９に分割される。次に、図２９（ｆ）に示すように、支持体１４と配線基板１２（半導体装置１９）を分離する。分離法としては、先に説明したいずれかの方法が用いられる。工程中に半導体素子１５を保護するために有機材料によるレジストカバーを形成しても構わない。
図２９では、半導体素子１５が配線基板１２の片面に一個ずつ搭載されている例を示したが、これに限定されることなく、片面に複数個搭載されるようにしてもよい。また、図２９（ｆ）の状態になった後にもう片面に半導体素子１５を搭載してもよい。また、これらの状態の組合せでもよい。
また、図２９では、半導体素子１５を搭載してモールド樹脂１６の封止を行った後に金属パターン１３ａを引き上げて配線基板複合体１１を分割する工程としたが、先に金属パターン１３ａを引き上げて配線基板複合体１１を分割した後に、半導体素子１５を搭載しても構わなく、また、半導体素子１５を搭載した後に金属パターン１３ａを引き上げて配線基板複合体１１を分割し、モールド樹脂１６による封止を行っても構わない。
また、半導体装置の剛性を高めるためにスティフナなどの枠体を取り付けても構わない。

図３０（ａ）〜（ｇ）は、本発明の実施例１の工程順の部分断面図である。初期の基材として、３０μｍ厚の銅箔１０１が３０μｍ厚のポリイミドフィルム１０２に接着された銅張り樹脂板を用意した〔図３０（ａ）〕。ポリイミドフィルム１０２の分割領域１１３となる領域の内、起点となる部分をレーザ光により除去し、その除去部分に銅を電解めっき法により成長させて導電性ポスト１０３を形成した〔図３０（ｂ）〕。次に、給電層にスパッタ膜を用いたセミアディティブ法により、導電性パターン１０４_１となる１０μｍ厚の銅膜を形成した〔図３０（ｃ）〕。次に、スピンコート法により絶縁層１０５_１となる２０μｍ厚のポリイミド膜を形成した。そして、ビア形成個所と、起点となる分割領域の絶縁層をレーザ光により除去し、給電層にスパッタ膜を用いた電解めっき法によりの銅膜を形成し、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）を行なって開口内を銅膜により埋め込んだ。その後、給電層にスパッタ膜を用いたセミアディティブ法により、導電性パターン１０４_２となる１０μｍ厚の銅膜を形成した〔図３０（ｄ）〕。同様の工程を行なって、絶縁層１０５_２とその開口内に埋設された銅膜（ビアと分割用の金属パターンの一部）および１５μｍ厚の導電性パターン１０４_３を形成した。このとき、分離領域１１３の起点となる部分には２ｍｍ角のパターンを形成した〔図３０（ｅ）〕。次に、フォトリソグラフィ法により、銅箔を分割領域にのみ残るようにパターニングして金属パターン１１３ａの形成を完了し、配線基板複合体１１１を形成した〔図３０（ｆ）〕。最後に、配線基板複合体１１１から金属パターン１１３ａを、基板を貫通した金属パターン部分を起点として引き抜いて、個々の配線基板１１２に分離した〔図３０（ｇ）〕。

図３１（ａ）〜（ｇ）は、本発明の実施例２の工程順の部分断面図である。支持体となる０．２ｍｍ厚のステンレス基板１０６上に、低密着層となる銅薄膜１０７をスパッタ法により１００ｎｍ厚に形成した〔図３０（ａ）〕。次に、スピンコート法により絶縁層１０５_１となる３０μｍ厚のポリイミド膜を形成し、分割領域１１３の絶縁層１０５_１をレーザ光により除去し、その除去部分に銅を電解めっき法により成長させて導電性ポスト１０３を形成した〔図３０（ｂ）〕。次に、給電層にスパッタ膜を用いたセミアディティブ法により、導電性パターン１０４_１となる１０μｍ厚の銅膜を形成した〔図３０（ｃ）〕。次に、スピンコート法により絶縁層１０５_２となる２０μｍ厚のポリイミド膜を形成した。そして、ビア形成個所と、分割領域１１３の絶縁層１０５_２をレーザ光により除去し、給電層にスパッタ膜を用いた電解めっき法によりの銅膜を形成し、ＣＭＰを行なって開口内を銅膜により埋め込んだ。その後、給電層にスパッタ膜を用いたセミアディティブ法により、導電性パターン１０４_２となる１０μｍ厚の銅膜を形成した〔図３０（ｄ）〕。同様の工程を行なって、絶縁層１０５_３とその開口内に埋設された銅膜（ビアと分割用の金属パターンの一部）および１５μｍ厚の導電性パターン１０４_３を形成した。このとき、分離領域１１３の起点となる部分には２ｍｍ角のパターンを形成した〔図３０（ｅ）〕。次に、ステンレス基板１０６から配線基板複合体１１１を剥離し、配線基板複合体１１１側に残る銅薄膜１０７をエッチング除去した〔図３０（ｆ）〕。最後に、配線基板複合体１１１から金属パターン１１３ａを、２ｍｍ角の導電性パターン１０４_３の形成された部分を起点として引き抜いて、個々の配線基板１１２に分離した〔図３０（ｇ）〕。

図３０（ａ）〜（ｆ）までの工程を行なって配線基板複合体１１１を形成し、その各配線基板上に、鉛フリー半田材料の半田ボールを有する半導体素子をフリップチップ接続した。そして、エポキシ樹脂によるアンダーフィルを施した後、金属パターンを引き抜いて半導体装置を作製した。

図３１（ａ）〜（ｅ）までの工程を行なってステンレス基板１０６上に配線基板複合体を形成した後、その各配線基板上に、鉛フリー半田材料の半田ボールを有する半導体素子をフリップチップ接続した。そして、エポキシ樹脂によるアンダーフィルを施し、圧縮形成モールド法を用いて半導体素子をエポキシ樹脂による樹脂封止を行なった後、ステンレス基板から配線基板複合体を剥離した。そして、配線基板複合体１１１側に残る銅薄膜１０７をエッチング除去した後、配線基板複合体から金属パターンを引き抜いて、個々に分離された半導体装置を作製した。

本発明の配線基板複合体の第１の実施の形態の例を示す上面図。 本発明の配線基板複合体の第１の実施の形態の例を示す断面図。 本発明の配線基板複合体の第１の実施の形態の例を示す断面図。 本発明の配線基板複合体の第１の実施の形態の例を示す上面図。 本発明の配線基板複合体の第１の実施の形態の例を示す上面図。 本発明の配線基板複合体の第２の実施の形態の例を示す断面図。 本発明の配線基板複合体の第２の実施の形態の例を示す断面図。 本発明の配線基板複合体の第１乃至第２の実施の形態により形成される配線基板の例を示す断面図。 本発明の配線基板複合体の第１乃至第２の実施の形態により形成される配線基板の例を示す断面図。 本発明の配線基板複合体の第１乃至第２の実施の形態により形成される配線基板の例を示す断面図。 本発明の配線基板複合体の第１乃至第２の実施の形態により形成される配線基板の例を示す断面図。 本発明の配線基板複合体の第１の実施の形態により形成される半導体装置の例を示す上面図。 本発明の配線基板複合体の第１の実施の形態により形成される半導体装置の例を示す断面図。 本発明の配線基板複合体の第１の実施の形態により形成される半導体装置の例を示す断面図。 本発明の配線基板複合体の製造方法の第１の実施の形態の例を工程順に示す断面図である。 本発明の配線基板複合体の製造方法の第２の実施の形態の配線基板複合体の製造方法の例を工程順に示す断面図。 本発明の配線基板複合体の製造方法の第３の実施の形態のの例を工程順に示す断面図。 本発明の配線基板複合体の製造方法の第３の実施の形態の例を工程順に示す断面図。 本発明の配線基板複合体の製造方法の第４の実施の形態の例を工程順に示す断面図。 本発明の配線基板複合体の製造方法の第５の実施の形態の例を工程順に示す断面図。 本発明の配線基板複合体の製造方法の第５の実施の形態の例を工程順に示す断面図。 本発明の配線基板複合体の製造方法の第６の実施の形態の例を工程順に示す断面図。 本発明の配線基板の製造方法の第１の実施の形態の例を工程順に示す断面図。 本発明の配線基板の製造方法の第２の実施の形態の例を工程順に示す断面図。 本発明の配線基板の製造方法の第３の実施の形態の例を工程順に示す断面図。 本発明の半導体装置の製造方法の第１の実施の形態の例を工程順に示す断面図。 本発明の半導体装置の製造方法の第２の実施の形態の例を工程順に示す断面図。 本発明の半導体装置の製造方法の第３の実施の形態の例を工程順に示す断面図。 本発明の半導体装置の製造方法の第４の実施の形態の例を工程順に示す断面図。 本発明の実施例１を工程順に示す断面図。 本発明の実施例２を工程順に示す断面図。

符号の説明

１１、１１１ 配線基板複合体
１１ａ 配線基板複合体前駆体
１１ｂ 配線基板複合体中間体
１１ 配線基板複合体
１２、１１２ 配線基板
１３、１１３ 分割領域
１３ａ、１１３ａ 金属パターン
１４ 支持体
１５ 半導体素子
１６ モールド樹脂
１７ 部品
１８ 金属層
１９ 半導体装置
１０１ 銅箔
１０２ ポリイミドフィルム
１０３ 導電性ポスト
１０４_１、１０４_２、１０４_３ 導電性パターン
１０５_１、１０５_２、１０５_３ 絶縁層
１０６ ステンレス基板
１０７ 銅薄膜

Claims (23)

1. 絶縁層と配線層とを有する配線基板が間に分割領域を挟んで複数設けられた配線基板複合体であって、前記分割領域が前記配線基板複合体を分割するための金属パターンを有することを特徴とする配線基板複合体。
2. 前記配線基板および前記分割領域が支持体上に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の配線基板複合体。
3. 前記支持体と前記配線基板との界面に密着力が低い低密着層が形成されていることを特徴とする請求項２に記載の配線複合体。
4. 前記分割領域が前記配線基板の絶縁層と同等の絶縁層を有し、その絶縁層の一外表面に前記金属パターンが形成されていることを特徴とする請求項１に記載の配線基板複合体。
5. 前記分割領域が、前記配線基板の絶縁層の外側の一部を除去したものと同等の絶縁層を有し、その絶縁層の除去された部分に前記金属パターンが埋設されていることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の配線基板複合体。
6. 前記分割領域の全体が前記金属パターンにより形成されていることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の配線基板複合体。
7. 前記金属パターンの一部が前記配線基板の外表面より高く突出していることを特徴とする請求項６に記載の配線基板複合体。
8. 前記金属パターンの断面パターンは、パターン幅に変位を有することを特徴とする請求項６または７に記載の配線基板複合体。
9. 前記金属パターンの断面パターンが、凹部若しくは突起、または、段差を有することを特徴とする請求項６または７に記載の配線基板複合体。
10. 前記配線基板上に半導体素子が搭載されていることを特徴とする請求項１から９のいずれかに記載の配線基板複合体。
11. 前記半導体素子が樹脂封止されていることを特徴とする請求項１０に記載の配線基板複合体。
12. 複数の配線基板とそれらを連結する分割領域とを有する配線基板複合体の製造方法であって、配線層を形成する工程と絶縁層を形成する工程とを備えた複数の配線基板を形成する工程を有し、前記分割領域において分割用の金属パターンを配線基板の少なくとも片側の最外面に接するように形成することを特徴とする配線基板複合体の製造方法。
13. 支持体上に複数の配線基板とそれらを連結する分割領域とを有する配線基板複合体の製造方法であって、支持体上に配線層を形成する工程と絶縁層を形成する工程とを備えた複数の配線基板を形成する工程を有し、前記分割領域において分割用の金属パターンを配線基板の少なくとも片側の最外面に接するように形成することを特徴とする配線基板複合体の製造方法。
14. 前記支持体上に前記配線基板と前記分割領域を形成するに先立って、前記支持体または前記配線基板および前記分割領域との密着力の小さい低密着層を形成する工程を有することを特徴とする請求項１３に記載の配線基板複合体の製造方法。
15. 前記支持体を除去する工程を有することを特徴とする請求項１３または１４に記載の配線基板複合体の製造方法。
16. 前記金属パターンが、前記配線基板の少なくとも一つの配線層の形成工程と同じ工程で形成されることを特徴とする請求項１２から１５のいずれかに記載の配線基板複合体の製造方法。
17. 請求項１から９のいずれかに記載された配線基板複合体から前記金属パターンを引き抜いて個々の配線基板に分離することを特徴とする配線基板の製造方法。
18. 前記金属パターンの引き抜き工程に先立って、若しくは、前記金属パターンの引き抜き工程の後に、前記支持基板を除去する工程が付加されることを特徴とする請求項１７に記載の配線基板の製造方法。
19. 前記支持基板の除去が、エッチング、研削若しくはそれらの組み合わせ、または、剥離若しくは切断により行なわれることを特徴とする請求項１８に記載の配線基板の製造方法。
20. 請求項１から９のいずれかに記載された配線基板複合体の前記配線基板上に半導体素子を搭載する工程と、前記配線基板複合体から前記金属パターンを引き抜いて個々の配線基板に分離する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
21. 請求項１から９のいずれかに記載された配線基板複合体の前記配線基板上に半導体素子を搭載する工程と、前記半導体素子を樹脂封止する工程と、前記配線基板複合体から前記金属パターンを引き抜いて個々の配線基板に分離する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
22. 前記金属パターンの引き抜き工程に先立って、前記支持基板を除去する工程が付加されることを特徴とする請求項２０または２１に記載の半導体装置の製造方法。
23. 前記支持基板の除去が、エッチング、研削若しくはそれらの組み合わせ、または、剥離若しくは切断により行なわれることを特徴とする請求項２２に記載の半導体装置の製造方法。

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