JP2009064531A - 記録方法、追記型多層光記録媒体、プログラム、記録媒体、情報記録装置及び情報記録システム - Google Patents

Abstract

【課題】複数の記録層を有する追記型多層光記録媒体に対して、迅速に情報記録を行う
【解決手段】青色レーザに対応した追記型の２層光記録媒体である光ディスク１５に対してユーザデータを記録をする際に、ユーザデータが最初に記録される第１情報層Ｌ０での最適な記録パワーが決定されていなければ、第１情報層Ｌ０でのＯＰＣによって決定される（ステップＳ４０３〜Ｓ４１３）。そして、記録対象の情報層が第２情報層Ｌ１の場合には、第１情報層Ｌ０での最適な記録パワーから、第２情報層Ｌ１での最適な記録パワーが算出され、該第２情報層Ｌ１での最適な記録パワーを用いて、第２情報層Ｌ１に対する記録が行われる。従って、第２情報層Ｌ１でのテスト記録が不要となり、結果として、第２情報層Ｌ１に対する情報記録を迅速に行うことが可能となる。
【選択図】図２２（Ａ）

Description

本発明は、記録方法、追記型多層光記録媒体、プログラム、記録媒体、情報記録装置及び情報記録システムに係り、更に詳しくは、複数の記録層を有する追記型多層光記録媒体にレーザ光を用いて情報を記録する記録方法、複数の記録層を有する追記型多層光記録媒体、複数の記録層を有する追記型多層光記録媒体に情報記録が可能な情報記録装置で用いられるプログラム、該プログラムが記録された記録媒体、複数の記録層を有する追記型多層光記録媒体に情報記録が可能な情報記録装置及び該情報記録装置を備える情報記録システムに関する。

追記型光記録媒体は、一般にプラスチックの基板上に無機または有機材料からなる記録層を設け、その上に、記録層の光吸収率を向上させかつ熱拡散効果を有する反射層を設けた構成が基本であり、基板面側からレーザ光を照射して、情報の記録及び再生を行なう。例えば、情報を記録するときに、レーザ光照射により有機材料の屈折率に変化を起こさせ、記録マークを形成している。

近年、コンピュータ等で扱う情報量が増加したことによって、ＨＤ ＤＶＤ（Ｈｉｇｈ Ｄｅｆｉｎｉｔｉｏｎ ＤＶＤ）−Ｒ、ＢＤ（Ｂｌｕ−ｒａｙ Ｄｉｓｃ）−Ｒのような追記型光記録媒体に用いられる青色レーザの波長に対応する記録材料の研究や、追記型光記録媒体自体の開発が盛んに行なわれている。青色レーザの波長に対して、回折限界を小さくしたり、対物レンズの開口数を大きくするなどして、スポットサイズをより微小にし、記録容量の増大、及び情報の高密度化を目指している。

光記録媒体自体を改良して記録容量を高める方法として、それぞれ記録層を有する２つの情報層を、紫外線硬化樹脂等で接着して作成される２層光記録媒体が各種提案されている。この情報層間の接着部分である分離層（中間層ともいう）は、２つの情報層を光学的に分離する機能を有するもので、記録及び再生に用いられるレーザ光がなるべく奥側の情報層に到達する必要があるため、レーザ光をなるべく吸収しないような材料から構成されている。更には２層光記録媒体の作製プロセスを応用して３層や４層の記録層を有する多層光記録媒体の開発も行なわれている。

光記録媒体における最適な記録パワーを決定する方法は、ＯＰＣ（Ｏｐｔｉｍｕｍ Ｐｏｗｅｒ Ｃｏｎｔｒｏｌ）として知られている。そして、例えば、特許文献１〜３には、多層光記録媒体におけるＯＰＣについて開示されている。これらのＯＰＣ方法は、各記録層の最適パワーを決定する時に、各記録層でウォブル信号から記録条件を読み出し、その後その記録層で必ずテスト記録を行なっている。

また、特許文献４には、２層型ＤＶＤ＋Ｒが開示されている。

また、特許文献５には、有機色素材料を記録層に用いた１層型のＤＶＤ−Ｒの記録方法が開示されている。

また、特許文献６では、追記型光記録媒体の無機材料からなる記録層に対して２００〜４５０ｎｍの波長範囲のレーザ光を照射することにより、不可逆的な記録マークを形成する記録方法として、マルチパルスを用いた記録方法が開示されている。

特開２００４−２９５９４８号公報 特開２００４−３１０９９７号公報 特開２００６−１２７７５２号公報 特開２００６−２５２７５０号公報 特開２００４−１５２４０１号公報 特開２００７−００４９８３号公報

ところで、複数の記録層を有する追記型多層光記録媒体の記録容量が増大するにつれて、記録に要する時間の短縮化に対する要求が高まっている。

本発明は、かかる事情の下になされたもので、その第１の目的は、複数の記録層を有する追記型多層光記録媒体に対して、迅速に情報記録を行うことができる記録方法を提供することにある。

また、本発明の第２の目的は、迅速に情報記録を行うことができる追記型多層光記録媒体を提供することにある。

また、本発明の第３の目的は、情報記録装置の制御用コンピュータにて実行され、複数の記録層を有する追記型多層光記録媒体に対して、迅速に情報記録を行うことを可能とするプログラム及びそのプログラムが記録された記録媒体を提供することにある。

また、本発明の第４の目的は、複数の記録層を有する追記型多層光記録媒体に対して、迅速に情報記録を行うことができる情報記録装置及び情報記録システムを提供することにある。

本発明は、第１の観点からすると、複数の記録層を有する追記型多層光記録媒体にレーザ光を用いて情報を記録する記録方法であって、前記複数の記録層のうちユーザデータが最初に記録される記録層である特定記録層以外の記録層に対して記録が行われる際に、前記特定記録層での最適な記録パワーと記録が行われる記録層である対象記録層での最適な記録パワーとの関係を示す既知の係数情報を用いて、既知の前記特定記録層での最適な記録パワーから前記対象記録層での最適な記録パワーを算出する工程と；前記対象記録層での最適な記録パワーを用いて、前記対象記録層に対する記録を行う工程と；を含む記録方法である。

これによれば、複数の記録層のうち特定記録層以外の記録層に対して記録が行われる際に、特定記録層での最適な記録パワーと記録が行われる記録層である対象記録層での最適な記録パワーとの関係を示す既知の係数情報を用いて、既知の特定記録層での最適な記録パワーから対象記録層での最適な記録パワーが算出され、該対象記録層での最適な記録パワーを用いて、対象記録層に対する記録が行われる。従って、対象記録層でのテスト記録が不要となり、結果として、対象記録層に対する情報記録を従来よりも迅速に行うことが可能となる。また、複数の記録層のうち特定記録層以外の記録層では、テスト記録のための領域が不要となり、記録領域を有効に利用することが可能となる。

本発明は、第２の観点からすると、複数の記録層を有する追記型多層光記録媒体であって、前記複数の記録層のうちユーザデータが最初に記録される記録層である特定記録層での最適な記録パワーと、前記複数の記録層のうち前記特定記録層を除く記録層での最適な記録パワーとの関係を示す係数情報が、前記特定記録層に予め記録されている追記型多層光記録媒体である。

これによれば、複数の記録層のうち特定記録層を除く記録層での最適な記録パワーを、特定記録層での最適な記録パワーから算出することができる。そこで、複数の記録層のうち特定記録層以外の記録層に対して記録が行われる場合に、テスト記録が不要となり、結果として、対象記録層に対する情報記録を従来よりも迅速に行うことが可能となる。また、複数の記録層のうち特定記録層以外の記録層では、テスト記録のための領域が不要となり、記録領域を有効に利用することが可能となる。

本発明は、第３の観点からすると、複数の記録層を有する追記型多層光記録媒体に情報記録が可能な情報記録装置で用いられるプログラムあって、前記複数の記録層のうちユーザデータが最初に記録される記録層である特定記録層以外の記録層に対して記録が行われる際に、前記特定記録層での最適な記録パワーと記録が行われる記録層である対象記録層での最適な記録パワーとの関係を示す既知の係数情報を用いて、既知の前記特定記録層での最適な記録パワーから前記対象記録層での最適な記録パワーを算出する手順と；前記対象記録層での最適な記録パワーを用いて、前記対象記録層に対する記録を行う手順と；を前記情報記録装置の制御用コンピュータに実行させるプログラムである。

これによれば、本発明のプログラムが所定のメモリにロードされ、その先頭アドレスがプログラムカウンタにセットされると、情報記録装置の制御用コンピュータは、複数の記録層のうち特定記録層以外の記録層に対して記録が行われる際に、特定記録層での最適な記録パワーと記録が行われる記録層である対象記録層での最適な記録パワーとの関係を示す既知の係数情報を用いて、既知の特定記録層での最適な記録パワーから対象記録層での最適な記録パワーを算出する。そして、対象記録層での最適な記録パワーを用いて、対象記録層に対する記録を行う。この場合に、対象記録層でのテスト記録が不要となり、結果として、対象記録層に対する情報記録を従来よりも迅速に行うことが可能となる。また、複数の記録層のうち特定記録層以外の記録層では、テスト記録のための領域が不要となり、記録領域を有効に利用することが可能となる。

本発明は、第４の観点からすると、本発明のプログラムが記録されたコンピュータ読み取り可能な記録媒体である。

これによれば、本発明のプログラムが記録されているために、コンピュータに実行させることにより、従来よりも迅速に情報記録を行うことが可能となる。

本発明は、第５の観点からすると、複数の記録層を有する追記型多層光記録媒体に情報記録が可能な情報記録装置であって、光ピックアップ装置と；前記複数の記録層のうちユーザデータが最初に記録される記録層である特定記録層以外の記録層に対して記録が行われる際に、前記特定記録層での最適な記録パワーと記録が行われる記録層である対象記録層での最適な記録パワーとの関係を示す既知の係数情報を用いて、既知の前記特定記録層での最適な記録パワーから前記対象記録層での最適な記録パワーを算出する処理装置と；を備える情報記録装置である。

これによれば、複数の記録層のうち特定記録層以外の記録層に対して記録が行われる際に、処理装置により、特定記録層での最適な記録パワーと記録が行われる記録層である対象記録層での最適な記録パワーとの関係を示す既知の係数情報を用いて、既知の特定記録層での最適な記録パワーから対象記録層での最適な記録パワーが算出される。この場合に、対象記録層でのテスト記録が不要となり、結果として、対象記録層に対する情報記録を従来よりも迅速に行うことが可能となる。また、複数の記録層のうち特定記録層以外の記録層では、テスト記録のための領域が不要となり、記録領域を有効に利用することが可能となる。

本発明は、第６の観点からすると、複数の記録層を有する追記型多層光記録媒体に情報記録が可能な情報記録システムであって、本発明の情報記録装置と；前記情報記録装置を制御する制御装置と；を備える情報記録システムである。

これによれば、本発明の情報記録装置を備えているため、結果として、対象記録層に対する情報記録を従来よりも迅速に行うことが可能となる。

以下、本発明の一実施形態を図１〜図２３に基づいて説明する。

図１には、本発明の一実施形態に係る情報記録システム１の概略構成が示されている。この情報記録システム１は、情報記録装置としての光ディスク装置２０と、制御装置としての上位装置９０（例えば、パソコン）とを備えている。

『光ディスク装置』
この光ディスク装置２０は、一例として図１に示されるように、光ディスク１５を回転駆動するためのスピンドルモータ２２、光ピックアップ装置２３、該光ピックアップ装置２３を光ディスク１５の半径方向に駆動するためのシークモータ２１、レーザ制御回路２４、エンコーダ２５、駆動制御回路２６、再生信号処理回路２８、バッファＲＡＭ３４、バッファマネージャ３７、インターフェース３８、フラッシュメモリ３９、ＣＰＵ４０及びＲＡＭ４１などを備えている。なお、図１における矢印は、代表的な信号や情報の流れを示すものであり、各ブロックの接続関係の全てを表すものではない。また、本実施形態では、光ディスク装置２０は追記型多層ディスクに対応しているものとする。

光ピックアップ装置２３は、波長が４００ｎｍ帯である青色のレーザ光を射出する半導体レーザを含む光源、及び対物レンズを含み光源からのレーザ光を光ディスク１５に導く光学系などを有し、光ディスク１５の複数の記録層のうちアクセス対象の記録層（以下、便宜上「対象記録層」と略述する）にレーザ光を集光するとともに、光ディスク１５からの反射光を受光し、複数の光電変換信号を出力する。

再生信号処理回路２８は、光ピックアップ装置２３の出力信号（複数の光電変換信号）に基づいて、サーボ信号（フォーカスエラー信号やトラックエラー信号など）、アドレス情報、同期情報及びＲＦ信号などを取得する。再生信号処理回路２８で得られたサーボ信号は駆動制御回路２６に出力され、アドレス情報はＣＰＵ４０に出力され、同期信号はエンコーダ２５や駆動制御回路２６などに出力される。さらに、再生信号処理回路２８は、ＲＦ信号に対して復号処理及び誤り検出処理などを行い、誤りが検出されたときには誤り訂正処理を行った後、再生データとしてバッファマネージャ３７を介してバッファＲＡＭ３４に格納する。また、再生データに含まれるアドレス情報はＣＰＵ４０に出力される。

駆動制御回路２６は、再生信号処理回路２８からのトラックエラー信号に基づいて、トラッキング方向に関する対物レンズの位置ずれを補正するための信号を生成する。また、駆動制御回路２６は、再生信号処理回路２８からのフォーカスエラー信号に基づいて、対物レンズのフォーカスずれを補正するための信号を生成する。ここで生成された各信号は光ピックアップ装置２３に出力される。これにより、トラッキング制御及びフォーカス制御が行われる。さらに、駆動制御回路２６は、ＣＰＵ４０の指示に基づいて、シークモータ２１を駆動するための駆動信号、及びスピンドルモータ２２を駆動するための駆動信号を生成する。各モータの駆動信号は、それぞれシークモータ２１及びスピンドルモータ２２に出力される。

バッファＲＡＭ３４には、光ディスク１５に記録するデータ（記録用データ）、及び光ディスク１５から再生したデータ（再生データ）などが一時的に格納される。このバッファＲＡＭ３４へのデータの入出力は、バッファマネージャ３７によって管理されている。

エンコーダ２５は、ＣＰＵ４０の指示に基づいて、バッファＲＡＭ３４に蓄積されている記録用データをバッファマネージャ３７を介して取り出し、データの変調及びエラー訂正コードの付加などを行ない、光ディスク１５への書き込み信号を生成する。ここで生成された書き込み信号はレーザ制御回路２４に出力される。

レーザ制御回路２４は、半導体レーザの発光パワーを制御する。例えば記録の際には、上記書き込み信号、記録条件、及び半導体レーザの発光特性などに基づいて、半導体レーザの駆動信号がレーザ制御回路２４にて生成される。

インターフェース３８は、上位装置９０との双方向の通信インターフェースであり、ＡＴＡＰＩ（ＡＴ Ａｔｔａｃｈｍｅｎｔ Ｐａｃｋｅｔ Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）、ＳＣＳＩ（Ｓｍａｌｌ Ｃｏｍｐｕｔｅｒ Ｓｙｓｔｅｍ Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）及びＵＳＢ（Ｕｎｉｖｅｒｓａｌ Ｓｅｒｉａｌ Ｂｕｓ）などの標準インターフェースに準拠している。

フラッシュメモリ３９には、ＣＰＵ４０にて解読可能なコードで記述された本発明の一実施形態に係るプログラムを含む各種プログラム、及び半導体レーザの発光特性などが格納されている。

ＣＰＵ４０は、フラッシュメモリ３９に格納されている上記プログラムに従って前記各部の動作を制御するとともに、制御に必要なデータなどをＲＡＭ４１及びバッファＲＡＭ３４に保存する。

『上位装置』
上位装置９０は、一例として図２に示されるように、主制御装置９２、ハードディスク装置（ＨＤＤ）９４、入力装置９５、表示装置９６、及びドライブインターフェース９７などを備えている。

ＨＤＤ９４は、ハードディスク９４ｂと、該ハードディスク９４ｂを駆動するための駆動装置９４ａなどから構成されている。

表示装置９６は、例えばＣＲＴ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）及びプラズマ・ディスプレイ・パネル（ＰＤＰ）などを用いた表示部（図示省略）を備え、主制御装置９２から指示された各種情報を表示する。

入力装置９５は、例えばキーボード、マウス、タブレット、ライトペン及びタッチパネルなどのうち少なくとも１つの入力媒体（図示省略）を備え、ユーザから入力された各種情報を主制御装置９２に通知する。なお、入力媒体からの情報はワイヤレス方式で入力されても良い。また、表示装置９６と入力装置９５とが一体化されたものとして、例えばタッチパネル付きＬＣＤなどがある。

ドライブインターフェース９７は、主制御装置９２と、光ディスク装置２０及びＨＤＤ９４との双方向のインターフェースであり、前記光ディスク装置２０のインターフェース３８と同じ標準インターフェースに準拠している。

『光ディスク』
前記光ディスク１５は、一例として図３に示されるように、レーザ光の入射側から順に、第１基板Ｍ０、第１情報層Ｌ０、中間層ＭＬ、第２情報層Ｌ１、第２基板Ｍ１を有している。すなわち、光ディスク１５は２層ディスクである。また、ここでは、一例として、光ディスク１５は、いわゆる青色レーザに対応した追記型の光記録媒体であるものとする。そして、第１情報層Ｌ０に、ユーザデータが最初に記録されるものとする。さらに、光ディスク１５にユーザデータを記録する際の適切な線速度は、４ｍ／Ｓ〜１４ｍ／Ｓの範囲内である。

《第１基板Ｍ０》
第１基板Ｍ０は、記録及び再生のために照射されるレーザ光を十分透過する必要があり、当該技術分野において従来から知られているものが適用される。材料としては、通常、ガラス、セラミックス又は樹脂が用いられるが、特に成形性、コストの点で樹脂が好適である。

樹脂としては、例えばポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリロニトリル−スチレン共重合体樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコン系樹脂、フッ素系樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂などが挙げられるが、成形性、光学特性、コストの点で優れるポリカーボネート樹脂やポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）などのアクリル系樹脂が好ましい。

第１基板Ｍ０の第１情報層Ｌ０が形成される面には、トラッキング用の螺旋状又は同心円状の蛇行溝があり、ランド部及びグルーヴ部と称される凹凸パターンが形成されている。これは通常、射出成形法又はフォトポリマー法など、金型内に取り付けられたスタンパによって溝が転写され、第１基板Ｍ０が成形される。第１基板Ｍ０の厚さは７０〜５９０μｍ程度が好ましい。

《第１情報層Ｌ０》
第１情報層Ｌ０は、レーザ光の入射側から順に、下引層Ｌ０_１、記録層Ｌ０_２、第１上引層Ｌ０_３、第２上引層Ｌ０_４を有している。

記録層Ｌ０_２には、ビスマス（Ｂｉ）及び／又はＢｉ酸化物を主成分とした無機材料が用いられている。

ところで、複数の情報層を有する追記型の光記録媒体において、記録層に有機材料を用いる場合には、レーザ光の入射側の情報層（以下、便宜上「手前側の情報層」ともいう）は、（１）記録層／反射層、（２）下引層／記録層／反射層、（３）下引層／記録層／上引層／反射層、のように、通常、反射層を有している。この反射層の材料としては、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）などの金属やそれらの合金が用いられている。そして、手前側の情報層には、ある程度の光透過性が要求されるため、上記（１）〜（３）の構成では、吸収係数の高い反射層は、膜厚を薄くして半透明膜にする必要がある。

一方、上記Ｂｉ及び／又はＢｉ酸化物を主成分とした無機材料は、従来の有機材料よりも高い反射率が得られるため、吸収係数の高い反射層を用いる必要がない。そこで、反射層中での光学的吸収による損失を考慮する必要がなく、高い光透過率を確保することができる。

記録層Ｌ０_２に含まれる他の金属元素としては、ホウ素（Ｂ）、炭素（Ｃ）、Ｃｕ、ゲルマニウム（Ｇｅ）などが好ましい。これは、記録層Ｌ０_２の吸収効率を上げるのに効果的であり、記録特性や記録感度を向上させることができる。特に記録層Ｌ０_２の吸収係数は０．３〜０．９の範囲内にあるのが好ましい。

下引層Ｌ０_１、第１上引層Ｌ０_３、及び第２上引層Ｌ０_４には、吸収係数の低い透明導電膜や透明誘電体膜が用いられている。

第１上引層Ｌ０_３には、透明で光を良く通し、かつ融点が記録層Ｌ０_２よりも高い材料からなるものが良い。

第２上引層Ｌ０_４には、第１上引層Ｌ０_３よりも吸収が高く、かつ第２情報層Ｌ１に光を透過させるために、できるだけ吸収の少ない材料からなるものが良い。これにより、記録感度の向上を図ることができる。

また、第２上引層Ｌ０_４の光学定数として、屈折率が２．０以上、２．４以下、吸収係数が０．０５以上、０．２０以下とすることによって、記録層Ｌ０_２の記録感度や記録特性を向上させる効果がある。

第２上引層Ｌ０_４に用いられる具体的な材料としては、ニオブ（Ｎｂ）、インジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、すず（Ｓｎ）、珪素（Ｓｉ）、Ａｌ、タングステン（Ｗ）、マンガン（Ｍｎ）のうち、少なくとも１つの酸化物からなることが好ましい。

下引層Ｌ０_１及び第１上引層Ｌ０_３は、透明で光を良く通し、かつ融点が記録層Ｌ０_２よりも高い材料からなるものが好ましく、記録層Ｌ０_２の劣化、変質を防ぎ、記録層Ｌ０_２との接着強度を高め、かつ記録特性を高めるなどの作用を有するもので、金属酸化物、窒化物、硫化物、炭化物などが主に用いられる。

具体例として、ＳｉＯ、ＳｉＯ_２、ＺｎＯ、ＳｎＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２、Ｉｎ_２Ｏ_３、ＭｇＯ、ＺｒＯ_２などの金属酸化物、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＡｌＮ、ＴｉＮ、ＢＮ、ＺｒＮなどの窒化物、ＺｎＳ、Ｉｎ_２Ｓ_３、ＴａＳ_４などの硫化物、ＳｉＣ、ＴａＣ、Ｂ_４Ｃ、ＷＣ、ＴｉＣ、ＺｒＣなどの炭化物、ダイヤモンド状カーボン、あるいは、それらの混合物が挙げられる。

これらの材料は、単体で保護膜とすることもできるが、互いの混合物としても良い。また、必要に応じて不純物を含んでも良い。例えば、ＺｎＳとＳｉＯ_２の混合物や、Ｔａ_２Ｏ_５とＳｉＯ_２の混合物が挙げられる。特にＺｎＳ−ＳｉＯ_２が良く用いられるが、その場合の混合比としてはＺｎＳ：ＳｉＯ_２＝８０：２０（モル比）が最も好ましい。この材料は、屈折率ｎが高く、消衰係数ｋがほぼゼロであるため、記録層Ｌ０_２の光の吸収効率を上げることができ、かつ、熱伝導率が小さいため光吸収により発生した熱の拡散を適度に抑えることができるので、記録層Ｌ０_２を溶融可能な温度まで昇温することができる。

第１基板Ｍ０と下引層Ｌ０_１の間にＡｌ_２Ｏ_３を挟むこともできる。これにより、基板ノイズを抑制できるため、記録特性が向上する。

《中間層ＭＬ》
中間層ＭＬは、記録及び再生を行なうために照射するレーザ光の波長における光吸収が小さいことが好ましく、材料としては成形性やコストの点で樹脂が好適であり、紫外線（ＵＶ）硬化性樹脂、遅効性樹脂、熱可塑性樹脂などを用いることができる。

中間層ＭＬは、記録及び再生を行なう際に、光ピックアップ装置２０が第１情報層Ｌ０と第２情報層Ｌ１とを識別して光学的に分離可能とするものであり、その厚さは２０〜３０μｍが好ましい。２０μｍよりも薄いと、情報層間クロストークが生じる。また、３０μｍより厚いと第２情報層Ｌ１に対して記録及び再生するときに球面収差が発生し、記録及び再生が困難となる傾向がある。

《第２情報層Ｌ１》
第２情報層Ｌ１は、レーザ光の入射側から順に、下引層Ｌ１_１、記録層Ｌ１_２、上引層Ｌ１_３、反射層Ｌ１_４を有している。

下引層Ｌ１_１、上引層Ｌ１_３については、透明で光を良く通し、かつ融点が記録層Ｌ１_２よりも高い材料からなるものが好ましく、記録層Ｌ１_２の劣化、変質を防ぎ、記録層Ｌ１_２との接着強度を高め、かつ記録特性を高めるなどの作用を有するもので、金属酸化物、窒化物、硫化物、炭化物などが主に用いられる。

具体例として、ＳｉＯ、ＳｉＯ_２、ＺｎＯ、ＳｎＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２、Ｉｎ_２Ｏ_３、ＭｇＯ、ＺｒＯ_２などの金属酸化物、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＡｌＮ、ＴｉＮ、ＢＮ、ＺｒＮなどの窒化物、ＺｎＳ、Ｉｎ_２Ｓ_３、ＴａＳ_４などの硫化物、ＳｉＣ、ＴａＣ、Ｂ_４Ｃ、ＷＣ、ＴｉＣ、ＺｒＣなどの炭化物、ダイヤモンド状カーボン、或いは、それらの混合物が挙げられる。これらの材料は、単体で用いることもできるが、互いの混合物としても良い。また、必要に応じて不純物を含んでも良い。

例えば、ＺｎＳとＳｉＯ_２の混合物や、Ｔａ_２Ｏ_５などが挙げられる。特にＺｎＳ−ＳｉＯ_２が良く用いられるが、その場合の混合比としてはＺｎＳ：ＳｉＯ_２＝８０：２０（モル比）が最も好ましい。この材料は、屈折率ｎが高く、消衰係数ｋがほぼゼロであるため、記録層Ｌ１_２の光の吸収効率を上げることができ、かつ、熱伝導率が小さいため光吸収により発生した熱の拡散を適度に抑えることができるので、記録層Ｌ１_２を溶融可能な温度まで昇温することができる。

上引層Ｌ１_３の膜厚は、２０〜１００ｎｍの範囲内にあることが好ましい。２０ｎｍよりも薄いと余熱が記録層に滞りにくくなり、記録感度が悪化する。一方、１００ｎｍよりも厚い場合は、成膜時間が長くなり第２基板Ｍ１に熱的ダメージを与えるおそれがある。

下引層Ｌ１_１の膜厚は、５０〜９０ｎｍの範囲にあることが好ましい。

反射層Ｌ１_４の材料としては、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、金（Ａｕ）などや、それらの合金などを用いることができる。光を透過させる必要がないため、反射層Ｌ１_４は厚膜として良い。

反射層Ｌ１_４にＡｇを用いる場合は、上引層Ｌ１_３と反射層Ｌ１_４との間にＴｉＣ−ＴｉＯ_２などの界面層を挿入しておくことが好ましい。ＺｎＳ−ＳｉＯ_２のＳとＡｇとが反応し、Ａｇ_２Ｓができるのを防ぐためである。Ａｇ_２Ｓができると、記録媒体の保存特性が劣化するおそれがある。

反射層Ｌ１_４の膜厚は、４０〜８０ｎｍの範囲内にあることが好ましい。４０ｎｍよりも薄いと熱伝導率が低くなり始めるため信号品質が低下する。８０ｎｍよりも厚い場合は、それ以上厚くしても更なる効果は得られない。

記録層Ｌ１_２は、第１情報層Ｍ０の記録層Ｌ０_２と同様の組成比を持つ材料からなる記録層を用いても良いし、記録感度や反射率、変調度などの特性を考慮して、第１情報層Ｍ０の記録層Ｌ０_２とは組成比の異なる記録層を用いても良い。

記録層Ｌ１_２の膜厚は、３〜２０ｎｍの範囲内にあることが好ましい。３ｎｍよりも薄いと記録感度が劣化し、２０ｎｍよりも厚いと記録特性が劣化する。

《第２基板Ｍ１》
第２基板Ｍ１の材料としては、第１基板Ｍ０と同様の材料を用いても良いが、光に対して不透明な材料を用いてもよく、第１基板Ｍ０とは材質や溝形状が異なってもよい。第２基板Ｍ１の厚さは特に限定されないが、第１基板Ｍ０の厚さとの合計が１．２ｍｍになるように厚さを選択することが好ましい。

光ディスク１５は、通常、成膜工程、密着工程を経て製造される。

成膜工程では、第１基板Ｍ０のグルーヴが設けられた面上に第１情報層Ｌ０を、第２基板Ｍ１のグルーヴが設けられた面上に第２情報層Ｌ１をそれぞれ成膜する。第１情報層Ｌ０及び第２情報層Ｌ１は、各種気相成長法、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などによって成膜することができる。中でもスパッタリング法が、量産性、膜質等に優れている。このスパッタリング法は、一般にアルゴンなどの不活性ガスを流しながら成膜を行なうが、その際、酸素、窒素などを混入させながら反応スパッタリングさせても良い。

密着工程では、第１基板Ｍ０上に成膜された第１情報層Ｌ０と第２基板Ｍ１上に成膜された第２情報層Ｌ１とを向かい合わせて、中間層ＭＬを介して貼り合わせる。例えば、第１情報層Ｌ０及び第２情報層Ｌ１の一方の表面にＵＶ樹脂を塗布し、情報層面同士を向かい合わせて両基板を加圧し、紫外線を照射してＵＶ樹脂を硬化させる。

《記録ストラテジ》
第１情報層Ｌ０の記録層Ｌ０_２では、内周側に各種記録条件が予め記録（プリフォーマット）されている。

一例として、図４には、各記録層にｎ×Ｔｗ（ｎ：３以上の整数、Ｔｗ：チャネルクロックＷｃｋの周期）に対応する長さの記録マーク（以下、便宜上「ｎＴｗ記録マーク」ともいう）を形成するときの記録ストラテジが示されている。

ここでは、レーザ光は、先ず、パワーＰ１とされ、時間Ｔｔｏｐ経過後にパワーＰ２とされ、それから時間Ｔｍ経過後に再度パワーＰ１とされ、それから時間Ｔｌｐ経過後にパワーＰｂ（バイアスパワー）とされ、それから時間Ｔｌｃ経過後にパワーＰ３とされる。Ｐ１＞Ｐ２＞Ｐ３＞Ｐｂである。

図５には、記録線速度ｖが２倍速（１３．２２ｍ／ｓ）のときの、ＴｔｏｐとＰ１及びＰＲＳＮＲ（Ｐａｒｔｉａｌ Ｒｅｓｐｏｎｓｅ Ｓｉｇｎａｌ ｔｏ Ｎｏｉｓｅ Ｒａｔｉｏ）の関係が示されている。Ｔｔｏｐが、１．０Ｔｗ以上、１．７Ｔｗ以下の場合に、小さいパワーＰ１で高いＰＲＳＮＲを実現できる。Ｔｔｏｐが、この範囲から外れるとマークの形状や符号間のズレが生じ、記録特性が劣化する。

ところで、上記ＰＲＳＮＲは、再生信号のＳ／Ｎ（信号対雑音比）及び、実際の再生波形と理論的なＰＲ波形線形性とを同時に表現できる指標であり、ビット誤り率を推定するのに必要な指標の一つである。従来のＤＶＤでは、光ディスクや光ピックアップ装置の特性を評価する指標の一つとして、光ピックアップ装置から得られる再生信号のジッタ値（時間方向の揺らぎ成分）が規格に定められているが、ＨＤ ＤＶＤでは大容量化、高密度化により従来方式のジッタ値では特性を評価することが困難なため、再生波形から得られる振幅情報を特殊処理して目標とする信号を作り出し、実際の再生信号との差異がＰＲＳＮＲとして規格化された。このＰＲＳＮＲは、ＨＤ ＤＶＤ用の光ディスクや光ピックアップ装置を生産する上で欠かすことのできない評価項目の一つとなっている。

図６には、記録線速度ｖが２倍速（１３．２２ｍ／ｓ）のときの、第１情報層Ｌ０でのＰ１とＰＲＳＮＲとの関係が示されている。また、図７には、記録線速度ｖが２倍速（１３．２２ｍ／ｓ）のときの、第２情報層Ｌ１でのＰ１とＰＲＳＮＲとの関係が示されている。ＴｔｏｐとＴｍとＴｌｐとを加算した値は、（ｎ−０．２５）×Ｔｗ以上、ｎ×Ｔｗ以下であることが好ましい。この場合には、記録マークを所望の位置に所望の長さで形成することができ、符号間の乱れを小さくすることができる。そして、所望の記録感度を確保することができる。ＴｔｏｐとＴｍとＴｌｐとを加算した値が、（ｎ−０．２５）×Ｔｗよりも小さいと、記録感度が５％以上変化するため好ましくない。

一例として図８には、各記録層に２×Ｔｗに対応する長さの記録マーク（以下、便宜上「２Ｔｗ記録マーク」ともいう）を形成するときの記録ストラテジが示されている。

ここでは、レーザ光は、先ず、パワーＰ１とされ、時間Ｔ２経過後にパワーＰｂとされ、それから時間Ｔｌｃ経過後にパワーＰ３とされる。

Ｔ２は、１．７５Ｔｗ以上、２．１Ｔｗ以下であることが好ましい。２Ｔｗ記録マークは出現確率がもっとも高いため、記録特性への影響が大きい。そこで、Ｔ２が上記範囲外となると、再生信号レベルの変動が顕著になるため、アシンメトリの変動が激しくなり、好ましくない。前記特許文献４には、最短長マークのパルス長は、基本クロック周期の２５／１６倍〜４８／１６倍が特に好ましいとの記載がある。しかし、特許文献４では青色レーザで記録を行なうフォーマットに対応する最短長マーク（２Ｔ）に関する記載がなく、青色レーザ対応の高密度記録を実現させる方法は開示されていない。

Ｔｌｐ、及びＴｌｃは、ともに０．５Ｔｗ以上、１．１Ｔｗ以下であることが好ましい。Ｔｌｐ、及びＴｌｃがこの範囲から外れると、記録マークの形状が所望の形状とならず、符号間のズレが生じ、記録特性が劣化する。なお、Ｔｌｃは、レーザ光照射により生じた余熱の逃避を促進するために設けられており、特に第１情報層Ｌ０では逃避速度が遅いので重要である。

Ｔｔｏｐ、Ｔｍ、Ｔｌｐ、Ｔｃｐ、Ｔ２は、記録層Ｌ０_２における内周側にＡＤＩＰ情報に含まれて予め記録（プリフォーマット）されている。

記録層Ｌ０_２での、パワーＰ１の最適値をＰ１０、パワーＰ２の最適値をＰ２０、パワーＰ３の最適値をＰ３０とし、記録層Ｌ１_２での、パワーＰ１の最適値をＰ１１、パワーＰ２の最適値をＰ２１、パワーＰ３の最適値をＰ３１としたときに、次の（１）式〜（３）式における係数α１、α２、α３が、記録層Ｌ０_２における内周側にＡＤＩＰ情報に含まれて予め記録（プリフォーマット）されている。

Ｐ１１＝α１×Ｐ１０ ……（１）
Ｐ２１＝α２×Ｐ２０ ……（２）
Ｐ３１＝α３×Ｐ３０ ……（３）

図９（Ａ）には、記録線速度ｖが２倍速（１３．２２ｍ／ｓ）のときの、Ｐ１０をＰ２０で除算した値（ω１とする）とＰＲＳＮＲとの関係が示されている。ω１は、ＰＲＳＮＲが１５以上となる、１．０３以上、１．２９以下であることが好ましい。

図９（Ｂ）には、記録線速度ｖが２倍速（１３．２２ｍ／ｓ）のときの、Ｐ１１をＰ２１で除算した値（ω２とする）とＰＲＳＮＲとの関係が示されている。ω２は、ＰＲＳＮＲが１５以上となる、０．９８以上、１．２６以下であることが好ましい。

ω１及びω２が下限値よりも小さいと、長いマークが熱干渉の影響で所望のマーク長よりも長く形成される。また、ω１及びω２が上限値よりも大きいと、長いマークが所望のマーク長よりも短く形成される。また、ω１及びω２が上限値よりも大きいと、半径方向のマーク幅が小さくなり、変調度が低下する（図１０（Ａ）及び図１０（Ｂ）参照）。

また、ω１は、ω２と同等かもしくはそれ以上に設定されるのが好ましい。

このω１及びω２も記録層Ｌ０_２における内周側にＡＤＩＰ情報に含まれて予め記録（プリフォーマット）されている。

ところで、図１１には、比較のために、レーザ光が、パワーＰ１とパワーＰｂとの間で繰り返し制御される記録ストラテジが示されている。

なお、以下では、便宜上、図４及び図８に示される本実施形態における記録ストラテジを「Ｓｔ＿Ａ」といい、図１１に示される比較の記録ストラテジを「Ｓｔ＿Ｂ」ということとする。

そして、図１２に示される条件で記録したときの、ＰＲＳＮＲ、及びＳｂＥＲ（Ｓｉｍｕｌａｔｅｄ ｂｉｔ Ｅｒｒｏｒ Ｒａｔｅ）が、図１３〜図１６に示されている。

図１３には、記録線速度ｖが２倍速（１３．２２ｍ／ｓ）のときの、第１情報層Ｌ０でのＰ１とＰＲＳＮＲとの関係が示されている。Ｓｔ＿Ａのほうが、Ｓｔ＿Ｂに比べて、ＰＲＳＮＲが最大となるときのＰ１が小さい。

図１４には、記録線速度ｖが２倍速（１３．２２ｍ／ｓ）のときの、第１情報層Ｌ０でのＰ１とＳｂＥＲとの関係が示されている。Ｓｔ＿Ａのほうが、Ｓｔ＿Ｂに比べて、ＳｂＥＲが最小となるときのＰ１が小さい。

図１５には、記録線速度ｖが２倍速（１３．２２ｍ／ｓ）のときの、第２情報層Ｌ１でのＰ１とＰＲＳＮＲとの関係が示されている。Ｓｔ＿Ａのほうが、Ｓｔ＿Ｂに比べて、ＰＲＳＮＲが最大となるときのＰ１が小さい。

図１６には、記録線速度ｖが２倍速（１３．２２ｍ／ｓ）のときの、第２情報層Ｌ１でのＰ１とＳｂＥＲとの関係が示されている。Ｓｔ＿Ａのほうが、Ｓｔ＿Ｂに比べて、ＳｂＥＲが最小となるときのＰ１が小さい。

すなわち、Ｓｔ＿Ａは、Ｓｔ＿Ｂに比べて、記録特性を保持しつつ記録感度を大きく向上させることができる。

『実施例と比較例』
次に、実施例及び比較例により具体的に説明する。

評価装置には、パルステック社製ＯＤＵ１０００を用い、記録層への記録を行なう際に照射されるレーザ光の波長は４０５ｎｍ、対物レンズの開口数ＮＡ＝０．６５とした。再生時のレーザ光のパワーは０．８ｍＷとした。光波形発生装置にはパルステック社製のＭＳＧ３を用いた。

また、記録は５トラックに施し、それらの中央のトラック（３トラック目）を再生した。記録特性の評価項目として、Ｐｅａｋ ｐｏｗｅｒ、ＰＲＳＮＲ、ＳｂＥＲ、Ｉ１１／Ｉ１１Ｈを求めた。Ｐｅａｋ ｐｏｗｅｒは最適な記録パワーを表し、１５ｍＷ以下を合格とした。ＰＲＳＮＲはＨＤ−ＤＶＤの信号処理方式「ＰＲＭＬ」を用いた場合の信号品質であり、１５以上を合格とした。ＳｂＥＲはエラーレートを表し、０．００００５（５．０×１０^−５）以下を合格とした。Ｉ１１／Ｉ１１Ｈは、未記録部の反射強度をＩ１１Ｈ、既記録部の反射率をＩ１１Ｌ、Ｉ１１＝Ｉ１１Ｈ−Ｉ１１Ｌとしたときの変調度を表し、４０％以上を合格とした。

テストに用いた追記型２層光記録媒体は、以下のようにして作成した。

直径１２ｃｍ、厚さ０．５９ｍｍで、片面にトラックピッチ０．４μｍの蛇行した連続溝によるトラッキングガイドの凹凸（溝深さ３０ｎｍ）を持つポリカーボネート樹脂からなる第１基板Ｍ０上に、スパッタパワー４ｋＷ、Ａｒ流量１５ｓｃｃｍのもとで、ＺｎＳ−ＳｉＯ_２（８０：２０モル％）からなる膜厚５０ｎｍの下引層Ｌ０_１をＲＦマグネトロンスパッタリング法で成膜した。

次に、スパッタパワー０．８ｋＷ、Ａｒ流量１５ｓｃｃｍのもとで、Ｂｉ_２Ｏ_３−Ｂ_２Ｏ_３−Ｂ_４Ｃの記録層組成を持つターゲットを用いて、膜厚８ｎｍの記録層Ｌ０_２をＲＦマグネトロンスパッタリング法で成膜した。

次に、スパッタパワー４ｋＷ、Ａｒ流量１５ｓｃｃｍのもとで、ＺｎＳ−ＳｉＯ_２（８０：２０モル％）からなる膜厚２０ｎｍの第１上引層Ｌ０_３をＲＦマグネトロンスパッタリング法で成膜した。

次に、スパッタパワー２ｋＷ、Ａｒ流量１５ｓｃｃｍのもとで、Ｎｂ_２Ｏ_５からなる膜厚４５ｎｍの第２上引層Ｌ０_４をＤＣマグネトロンスパッタリング法で成膜し、第１情報層Ｌ０を形成した。

一方、直径１２ｃｍ、厚さ０．６ｍｍで、片面にトラックピッチ０．４μｍの蛇行した連続溝によるトラッキングガイドの凹凸（溝深さ３２ｎｍ）を持つポリカーボネート樹脂からなる第２基板Ｍ１上に、スパッタパワー３ｋＷ、Ａｒ流量２０ｓｃｃｍのもとで、Ａｇ−Ｂｉ（９９．５：０．５重量％）からなる膜厚６０ｎｍの反射層Ｌ１_４をＤＣマグネトロンスパッタリング法で成膜した。

次に、スパッタパワー２ｋＷ、Ａｒ流量１５ｓｃｃｍのもとで、ＴｉＣ−ＴｉＯ_２（７０：３０モル％）からなる膜厚４ｎｍの界面層をＤＣマグネトロンスパッタリング法で成膜した。

次に、スパッタパワー４ｋＷ、Ａｒ流量１５ｓｃｃｍのもとで、ＺｎＳ−ＳｉＯ_２（８０：２０モル％）からなる膜厚９０ｎｍの上引層Ｌ１_３をＲＦマグネトロンスパッタリング法で成膜した。

次に、スパッタパワー０．８ｋＷ、Ａｒ流量１５ｓｃｃｍのもとで、Ｂｉ−Ｏ−Ｂからなる膜厚９ｎｍの記録層Ｌ１_２をＲＦマグネトロンスパッタリング法で成膜した。

次に、スパッタパワー４ｋＷ、Ａｒ流量１５ｓｃｃｍのもとで、ＺｎＳ−ＳｉＯ２（８０：２０モル％）からなる膜厚７０ｎｍの下引層Ｌ１_１をＲＦマグネトロンスパッタリング法で成膜し、第２情報層Ｌ１を形成した。

なお、スパッタ装置は、ユナクシス社製のＤＶＤスプリンタを用いた。

次いで、第１情報層Ｌ０の第２上引層Ｌ０_４上に日本化薬製の紫外線硬化樹脂（カヤラッドＤＶＤ８０２）を塗布し、第２情報層Ｌ１の下引層Ｌ１_１の表面を貼り合わせてスピンコートし、第１基板Ｍ０側から紫外線を照射して硬化させて膜厚２５μｍの中間層とし、２つの情報層を有する追記型２層光記録媒体を作成した。

上記追記型２層光記録媒体の各情報層に対して、図１７に示されるＳｔ＿Ａを用い、記録線速度１３．２２ｍ／ｓで、記録を行った。

この場合に、第１情報層Ｌ０に対してパワーを振り最適なω１を検討したところ、ω１＝１．１７で、ＰＲＳＮＲ＝２３、ＳｂＥＲ＝２．７×１０^−９が得られ、最適な特性値となった（図２０参照）。このとき、Ｐ１＝１３ｍＷ、Ｐ２＝１１．１ｍＷ、Ｐ３＝５．４ｍＷ、Ｐｂ＝０．１ｍＷであった。

また、第２情報層Ｌ１に対して最適なω２を検討したところ、ω２＝１．１２で、ＰＲＳＮＲ＝２３．６、ＳｂＥＲ＝６．５×１０^−１０が得られ、最適な特性値となった（図２１参照）。このとき、Ｐ１＝１２．７ｍＷ、Ｐ２＝１１．３ｍＷ、Ｐ３＝４．７ｍＷ、Ｐｂ＝０．１ｍＷであった。

第１情報層Ｌ０と第２情報層Ｌ１とでは、それぞれ層構成が異なることから、熱干渉の度合いに差が生じる。ここでは、第１情報層Ｌ０は第２情報層Ｌ１に比べて放熱性が低いため、各情報層とも最適な特性値が得られるω１とω２の大小関係としてω１≧ω２とすることが好ましい。

次に、上記追記型２層光記録媒体の各情報層に対して、図１７に示されるＳｔ＿Ｃを用い、記録線速度１３．２２ｍ／ｓで、記録を行った。なお、Ｓｔ＿Ｃは、一例として、図１８及び図１９に示されるように、最初にレーザ光のパワーをＰ１とするタイミングを、Ｓｔ＿Ａに比べて、時間ＴＳＦＰだけ遅らせたものである。

この場合に、第１情報層Ｌ０に対してパワーを振り最適なω１を検討したところ、ω１＝１．２１で、ＰＲＳＮＲ＝２３．６、ＳｂＥＲ＝５．３×１０^−９が得られ最適な特性値となった。このとき、Ｐ１＝１３．５ｍＷ、Ｐ２＝１１．２ｍＷ、Ｐ３＝５．４ｍＷ、Ｐｂ＝０．１ｍＷであった。

また、第２情報層Ｌ１に対して最適なω２を検討したところ、ω２＝１．１８で、ＰＲＳＮＲ＝２４．２、ＳｂＥＲ＝６．６×１０^−９が得られ最適な特性値となった。このとき、Ｐ１＝１２．０ｍＷ、Ｐ２＝１０．２ｍＷ、Ｐ３＝３．７ｍＷ、Ｐｂ＝０．１ｍＷであった。

Ｓｔ＿Ａを用いた場合とＳｔ＿Ｂを用いた場合では、所望のマーク長を得るために必要となるＰ１が異なる。ＴＳＦＰを大きくする（Ｔｔｏｐ＋Ｔｍ＋Ｔｌｐを小さくする）につれて大きなＰ１が必要となる。ＴＳＦＰ＝０〜０．２５Ｔｗで、約４〜６％の感度差が生じるため、（ｎ−０．２５）×Ｔｗ≦Ｔｔｏｐ＋Ｔｍ＋Ｔｌｐ≦ｎ×Ｔｗの範囲とするのが好ましい。

《記録処理》
次に、上位装置９０から記録要求があったときの、光ディスク装置２０における処理について図２２（Ａ）及び図２２（Ｂ）を用いて説明する。図２２（Ａ）及び図２２（Ｂ）のフローチャートは、ＣＰＵ４０によって実行される一連の処理アルゴリズムに対応している。

上位装置９０の主制御装置９２は、ユーザが、入力装置９５を介して、光ディスク１５に対する記録要求を入力すると、記録コマンド及び記録用データを光ディスク装置２０に送信する。

光ディスク装置２０は、上位装置９０から記録コマンドを受信すると、図２２（Ａ）及び図２２（Ｂ）のフローチャートに対応するプログラムの開始アドレスがＣＰＵ４０のプログラムカウンタにセットされ、処理（記録処理）がスタートする。

最初のステップＳ４０１では、所定の線速度（又は角速度）で光ディスク１５が回転するように駆動制御回路２６に指示するとともに、上位装置９０から記録コマンドを受信した旨を再生信号処理回路２８に通知する。

次のステップＳ４０３では、第１情報層Ｌ０での記録パワーの最適値Ｐ１０、Ｐ２０、Ｐ３０がすでに決定されているか否かを判断する。ここでは、ＲＡＭ４１にＰ１０、Ｐ２０、Ｐ３０が格納されていなければ、ステップＳ４０３での判断は否定され、ステップＳ４０５に移行する。

このステップＳ４０５では、第１情報層Ｌ０をアクセス対象に設定し、駆動制御回路２６、再生信号処理回路２８などに通知する。

次のステップＳ４０７では、第１情報層Ｌ０に予め記録（プリフォーマット）されている第１情報層Ｌ０での記録条件（ω１、ω２、Ｔｔｏｐ、Ｔｍ、Ｔｌｐ、Ｔｃｐ、Ｔ２など）を、光ピックアップ装置２３及び再生信号処理回路２８などを介して読み出し、ＲＡＭ４１に保存する。

次のステップＳ４０９では、第１情報層Ｌ０に予め記録（プリフォーマット）されている前記係数α１、α２、α３を、光ピックアップ装置２３及び再生信号処理回路２８などを介して読み出し、ＲＡＭ４１に保存する。

次のステップＳ４１１では、第１情報層Ｌ０でのＯＰＣ（Ｏｐｔｉｍｕｍ Ｐｏｗｅｒ Ｃｏｎｔｒｏｌ）条件、及び発光波形を決定する。

次のステップＳ４１３では、記録層Ｌ０_２に設けられている試し書き領域（ＰＣＡ：Ｐｏｗｅｒ Ｃａｌｉｂｒａｔｉｏｎ Ａｒｅａ）を用いて、ＯＰＣを実施し、記録層Ｌ０_２での、パワーＰ１の最適値Ｐ１０、パワーＰ２の最適値Ｐ２０、パワーＰ３の最適値Ｐ３０を決定する。ここでは、パワーＰ１とパワーＰ２の比率を固定し、再生信号から得られる変調度及びアシンメトリの一方を用いて、先ずパワーＰ１及びパワーＰ２の最適値を決定する。そして、パワーＰ１及びパワーＰ２をそれぞれの最適値に固定し、再生信号から得られるＰＲＳＮＲ及びＳｂＥＲの一方を用いて、パワーＰ３の最適値を決定する。なお、光ディスク１５に、パワーＰ３とパワーＰ１の比βあるいはパワーＰ３とパワーＰ２の比γが予め記録されている場合には、Ｐ３＝β×Ｐ１あるいはＰ３＝γ×Ｐ２の式からパワーＰ３の最適値を決定しても良い。

次のステップＳ４１７では、記録対象の情報層が第２情報層Ｌ１であるか否かを判断する。記録対象の情報層が第２情報層Ｌ１であれば、ここでの判断は肯定され、ステップＳ４１９に移行する。

このステップＳ４１９では、第２情報層Ｌ１をアクセス対象に設定し、駆動制御回路２６、再生信号処理回路２８などに通知する。

次のステップＳ４２１では、上記（１）式〜（３）式に基づいて、記録層Ｌ１_２での、パワーＰ１の最適値Ｐ１１、パワーＰ２の最適値Ｐ２１、パワーＰ３の最適値Ｐ３１を算出する。

次のステップＳ４２３では、記録ストラテジを決定する。

次のステップＳ４２５では、指定アドレスに対応する目標位置近傍に光スポットが形成されるように、駆動制御回路２６に指示する。これにより、シーク動作が行なわれる。なお、シーク動作が不要であれば、ここでの処理はスキップされる。

次のステップＳ４２７では、記録を許可する。これにより、エンコーダ２５、レーザ制御回路２４、光ピックアップ装置２３などによって、記録対象の情報層に上位装置９０からの記録用データが最適な記録パワーで記録される。

次のステップＳ４２９では、記録が完了したか否かを判断する。完了していなければ、ここでの判断は否定され、所定時間経過後に再度判断する。完了していれば、ここでの判断は肯定され、ステップＳ４３１に移行する。

このステップＳ４３１では、記録完了を上位装置９０に通知する。そして、光ディスク装置２０における記録処理は終了する。

上位装置９０の主制御装置９２は、光ディスク装置２０での記録結果を表示装置９６の表示部に表示して、ユーザに通知する。

一方、上記ステップＳ４１７において、記録対象の情報層が第１情報層Ｌ０であれば、ここでの判断は否定され、前記ステップＳ４２３に移行する。

また、上記ステップＳ４０３において、ＲＡＭ４１にＰ１０、Ｐ２０、Ｐ３０が格納されていれば、ステップＳ４０３での判断は肯定され、前記ステップＳ４１７に移行する。すなわち、第１情報層Ｌ０でのＯＰＣは実施されない。

図２３（Ａ）及び図２３（Ｂ）には、光ディスク１５に予め記録（プリフォーマット）されている係数α１、α２、α３の具体例が示されている。

以上の説明から明らかなように、本実施形態に係る光ディスク装置２０では、ＣＰＵ４０及び該ＣＰＵ４０によって実行されるプログラムとによって、処理装置が構成されている。なお、ＣＰＵ４０によるプログラムに従う処理の少なくとも一部をハードウェアによって構成することとしても良いし、あるいは全てをハードウェアによって構成することとしても良い。

また、本実施形態では、記録媒体としてのフラッシュメモリ３９に記録されているプログラムのうち、図２２（Ａ）及び図２２（Ｂ）に対応するプログラムによって、本発明に係るプログラムが実行されている。

また、本実施形態では、上記記録処理にて、本発明に係る記録方法が実施されている。

以上説明したように、本実施形態に係る光ディスク装置２０によると、青色レーザに対応した追記型の２層光記録媒体である光ディスク１５に対してユーザデータを記録をする際に、ユーザデータが最初に記録される情報層である第１情報層Ｌ０での最適な記録パワーが決定されていなければ、第１情報層Ｌ０でのＯＰＣによって第１情報層Ｌ０での最適な記録パワーが決定される。そして、記録対象の情報層が第２情報層Ｌ１の場合には、既に決定されている第１情報層Ｌ０での最適な記録パワーから、第２情報層Ｌ１での最適な記録パワーが算出され、該第２情報層Ｌ１での最適な記録パワーを用いて、第２情報層Ｌ１に対する記録が行われる。従って、第２情報層Ｌ１でのテスト記録が不要となり、結果として、第２情報層Ｌ１に対する情報記録を従来よりも迅速に行うことが可能となる。また、第２情報層Ｌ１では、テスト記録のための領域が不要となり、記録領域を有効に利用することが可能となる。さらに、光ディスク１５に予め記録（プリフォーマット）される記録ストラテジ情報を従来よりも少なくすることができる。

この場合に、Ｔｔｏｐ、Ｔｍ、Ｔｌｐ、Ｔｌｃ、Ｔ２は、いずれの情報層に対しても同一とすることができるため、記録ストラテジを決定するアルゴリズムを簡略化することが可能となる。また、記録ストラテジ情報が従来よりも少なくてすむため、レーザ制御装置２４におけるレジスタの容量を従来よりも小さくすることが可能となる。

また、本実施形態に係る情報記録システム１によると、光ディスク装置２０を備えているため、結果として、第２情報層Ｌ１に対する情報記録を従来よりも迅速に行うことが可能となる。

また、本実施形態に係る光ディスク１５によると、各記録層に無機材料を用いているため、いずれの記録層においても良好な記録特性及び変調度を得ることができる。また、第１情報層Ｌ０の高い反射率を確保しつつ記録層への光吸収を効率的に行なうことが可能なため、第１情報層Ｌ０の安定した記録及び再生特性が得られる。これは、例えば、ＨＤ ＤＶＤ−Ｒ ＤＬ、ＢＤ−Ｒ ＤＬに対応した光記録媒体にも適用が可能である。

なお、上記記録処理において、光ディスク１５の第１情報層Ｌ０に予め記録されている上記各種情報は、光ディスク１５がセットされたときに読み出され、ＲＡＭ４１に格納されても良い。

また、上記実施形態では、情報層の数が２つの場合について説明したが、これに限定されるものではなく、情報層の数が３つ以上であっても良い。この場合であっても、ユーザデータが最初に記録される情報層に対してのみテスト記録を行えば良い。

また、上記実施形態では、ユーザデータが最初に記録される記録層が、ＨＤ ＤＶＤのように、レーザ光の入射面に最も近い位置に配置された記録層の場合について説明したが、これに限らず、ユーザデータが最初に記録される記録層が、例えばＢＤ−Ｒのように、レーザ光の入射面から最も遠い位置に配置された記録層であっても良い。

また、上記実施形態では、光ピックアップ装置が１つの半導体レーザを備える場合について説明したが、これに限らず、例えば互いに異なる波長の光束を射出する複数の半導体レーザを備えていても良い。

また、上記実施形態では、情報の記録及び再生が可能な光ディスク装置について説明したが、これに限らず、情報の記録、再生及び消去のうち、少なくとも情報の記録が可能な光ディスク装置であれば良い。

また、上記実施形態では、本発明に係るプログラムは、フラッシュメモリ３９に記録されているが、他の記録媒体（ＣＤ、光磁気ディスク、ＤＶＤ、メモリカード、ＵＳＢメモリ、フレキシブルディスク等）に記録されていても良い。この場合には、各記録媒体に対応する再生装置（又は専用インターフェース）を介して本発明に係るプログラムをフラッシュメモリ３９にロードすることとなる。また、ネットワーク（ＬＡＮ、イントラネット、インターネットなど）を介して本発明に係るプログラムをフラッシュメモリ３９に転送しても良い。要するに、本発明に係るプログラムがフラッシュメモリ３９にロードされれば良い。

以上説明したように、本発明の記録方法によれば、複数の記録層を有する追記型多層光記録媒体に対して、迅速に情報記録を行うのに適している。また、本発明の追記型多層光記録媒体によれば、迅速に情報記録を行うのに適している。また、本発明のプログラム及び記録媒体によれば、情報記録装置の制御用コンピュータに、複数の記録層を有する追記型多層光記録媒体に対して、迅速に情報記録を行わせるのに適している。また、本発明の情報記録装置及び情報記録システムによれば、複数の記録層を有する追記型多層光記録媒体に対して、迅速に情報記録を行うのに適している。

本発明の一実施形態に係る情報記録システムの構成を示すブロック図である。 図１における上位装置の構成を説明するためのブロック図である。 本発明の一実施形態に係る光ディスクの構成を説明するための図である。 ３Ｔｗに対応する長さ以上の記録マークを形成する場合の発光波形を説明するための図である。 Ｔｔｏｐのとりうる値の範囲を説明するための図である。 Ｌ０において、Ｔｔｏｐ＋Ｔｍ＋Ｔｌｐ＝ｎＴｗのとき、及びＴｔｏｐ＋Ｔｍ＋Ｔｌｐ＝（ｎ−０．２５）Ｔｗのときの、Ｐ１とＰＲＳＮＲとの関係を説明するための図である。 Ｌ１において、Ｔｔｏｐ＋Ｔｍ＋Ｔｌｐ＝ｎＴｗのとき、及びＴｔｏｐ＋Ｔｍ＋Ｔｌｐ＝（ｎ−０．２５）Ｔｗのときの、Ｐ１とＰＲＳＮＲとの関係を説明するための図である。 ２Ｔｗに対応する長さの記録マークを形成する場合の発光波形を説明するための図である。 図９（Ａ）はω１のとりうる値の範囲を説明するための図であり、図９（Ｂ）はω２のとりうる値の範囲を説明するための図である。 図１０（Ａ）はω１と変調度との関係を説明するための図であり、図１０（Ｂ）はω２と変調度との関係を説明するための図である。 発光波形の比較例を説明するための図である。 発光波形の各パラメータの具体例を説明するための図である。 発光波形の違いによるＬ０でのＰ１とＰＲＳＮＲとの関係を説明するための図である。 発光波形の違いによるＬ０でのＰ１とＳｂＥＲとの関係を説明するための図である。 発光波形の違いによるＬ１でのＰ１とＰＲＳＮＲとの関係を説明するための図である。 発光波形の違いによるＬ１でのＰ１とＳｂＥＲとの関係を説明するための図である。 実施例での発光波形を説明するための図である。 図１７におけるＳｔ＿Ｃを説明するための発光波形図（その１）である。 図１７におけるＳｔ＿Ｃを説明するための発光波形図（その２）である。 実施例１〜１０、比較例１〜４を説明するための図である。 実施例１１〜２３、比較例５及び６を説明するための図である。 上位装置から記録要求を受信したときの光ディスク装置での処理を説明するためのフローチャート（その１）である。 上位装置から記録要求を受信したときの光ディスク装置での処理を説明するためのフローチャート（その２）である。 図２３（Ａ）及び図２３（Ｂ）は、それぞれＬ０での最適な記録パワー（Ｐ１０、Ｐ２０、Ｐ３０）、係数（α１、α２、α３）、Ｌ１での最適な記録パワー（Ｐ１１、Ｐ２１、Ｐ３１）の具体例を説明するための図である。

符号の説明

１…情報記録システム、１５…光ディスク（追記型多層光記録媒体）、２０…光ディスク装置（情報記録装置）、２３…光ピックアップ装置、４０…ＣＰＵ（処理装置）、９０…上位装置（制御装置）、Ｌ０_２…記録層（特定記録層）、Ｌ１_２…記録層、Ｐ１…パワー（第１のパワー）、Ｐ２…パワー（第２のパワー）、Ｐ３…パワー（第３のパワー）、Ｐｂ…パワー（第４のパワー）、Ｔｗ…周期。

Claims (29)

1. 複数の記録層を有する追記型多層光記録媒体にレーザ光を用いて情報を記録する記録方法であって、
   前記複数の記録層のうちユーザデータが最初に記録される記録層である特定記録層以外の記録層に対して記録が行われる際に、前記特定記録層での最適な記録パワーと記録が行われる記録層である対象記録層での最適な記録パワーとの関係を示す既知の係数情報を用いて、既知の前記特定記録層での最適な記録パワーから前記対象記録層での最適な記録パワーを算出する工程と；
   前記対象記録層での最適な記録パワーを用いて、前記対象記録層に対する記録を行う工程と；を含む記録方法。
2. 前記最適な記録パワーを算出する工程に先立って、
   前記特定記録層での最適な記録パワーが決定されていないときに、前記特定記録層にテスト記録を行って、前記特定記録層での最適な記録パワーを決定する工程を、更に含むことを特徴とする請求項１に記載の記録方法
3. 前記最適な記録パワーを算出する工程は、
   前記対象記録層に対応した係数を取得する工程と；
   前記特定記録層での最適な記録パワーに前記係数を乗算する工程と；を含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の記録方法。
4. 前記係数は、前記特定記録層に予め記録されており、
   前記係数を取得する工程では、前記特定記録層から前記係数を読み出すことを特徴とする請求項３に記載の記録方法。
5. 前記レーザ光のパワーは、所定のタイミングで、第１のパワー、前記第１のパワーよりも小さい第２のパワー、及び前記第２のパワーよりも小さい第３のパワーを含む複数のパワーに制御され、
   前記最適な記録パワーは、前記第１〜第３のパワーの各最適値を含むことを特徴とする請求項１に記載の記録方法。
6. 前記特定記録層での、前記第１のパワーを前記第２のパワーで除算した値は、１．０３以上、１．２９以下であり、
   前記対象記録層での、前記第１のパワーを前記第２のパワーで除算した値は、０．９８以上、１．２６以下であることを特徴とする請求項５に記載の記録方法。
7. 前記特定記録層での、前記第１のパワーを前記第２のパワーで除算した値は、前記対象記録層での、前記第１のパワーを前記第２のパワーで除算した値以上であることを特徴とする請求項６に記載の記録方法。
8. 前記複数の記録層における、前記第１のパワーを前記第２のパワーで除算したそれぞれの値は、前記特定記録層に予め記録されていることを特徴とする請求項６又は７に記載の記録方法。
9. 前記記録を行う工程では、マークを形成する際に、前記レーザ光は、先ず、前記第１のパワーとされ、時間Ｔｔｏｐ経過後に前記第２のパワーとされ、それから時間Ｔｍ経過後に再度前記第１のパワーとされ、それから時間Ｔｌｐ経過後に前記第３のパワーより小さい第４のパワーとされ、それから時間Ｔｌｃ経過後に前記第３のパワーとされ、
   前記時間Ｔｔｏｐは、チャネルクロックの周期Ｔｗを用いて、１．０Ｔｗ以上、１．７Ｔｗ以下であることを特徴とする請求項５〜８のいずれか一項に記載の記録方法。
10. 前記マークの長さは、３以上の整数ｎを用いて、ｎ×Ｔｗに対応する長さであり、
    前記時間Ｔｔｏｐと前記時間Ｔｍと前記時間Ｔｌｐとを加算した値は、（ｎ−０．２５）×Ｔｗ以上、ｎ×Ｔｗ以下であることを特徴とする請求項９に記載の記録方法。
11. 前記時間Ｔｔｏｐ、前記時間Ｔｍ、及び前記時間Ｔｌｐの値は、いずれも前記特定記録層に予め記録されていることを特徴とする請求項９又は１０に記載の記録方法。
12. 前記最適な記録パワーを算出する工程は、
    前記対象記録層に対応した既知の第１の係数、第２の係数、及び第３の係数を取得する工程と；
    前記特定記録層での、前記第１のパワーの最適値に前記第１の係数を乗算し、前記第２のパワーの最適値に前記第２の係数を乗算し、前記第３のパワーの最適値に前記第３の係数を乗算する工程と；を含むことを特徴とする請求項５〜１１のいずれか一項に記載の記録方法。
13. 前記第１〜第３の係数は、いずれも前記特定記録層に予め記録されていることを特徴とする請求項１２に記載の記録方法。
14. 前記適な記録パワーを算出する工程に先立って、
    前記特定記録層での前記第１〜第３のパワーの最適値が決定されていないときに、前記特定記録層にテスト記録を行って、前記特定記録層での前記第１〜第３のパワーの最適値をそれぞれ決定する工程を、更に含むことを特徴とする請求項５〜１３のいずれか一項に記載の記録方法
15. 前記最適値をそれぞれ決定する工程は、
    前記第１のパワーと前記第２のパワーの比率を固定して、前記第１のパワーの最適値及び前記第２のパワーの最適値を決定する工程と；
    前記第１及び第２のパワーをそれぞれの最適値に固定して、前記第３のパワーの最適値を決定する工程と；を含むことを特徴とする請求項１４に記載の記録方法。
16. 前記第１のパワーの最適値及び前記第２のパワーの最適値を決定する工程では、
    前記特定記録層での再生信号から得られる変調度及びアシンメトリの一方を用いて、前記第１のパワーの最適値及び前記第２のパワーの最適値をそれぞれ決定することを特徴とする請求項１５に記載の記録方法。
17. 前記第３のパワーの最適値を決定する工程では、
    前記特定記録層での再生信号から得られるＰＲＳＮＲ及びＳｂＥＲの一方を用いて、前記第３のパワーの最適値を決定することを特徴とする請求項１５又は１６に記載の記録方法。
18. 前記特定記録層は、前記複数の記録層のうちで前記レーザ光の入射面に最も近い位置に配置された記録層、及び前記複数の記録層のうちで前記レーザ光の入射面から最も遠い位置に配置された記録層のいずれかであることを特徴とする請求項１〜１７のいずれか一項に記載の記録方法。
19. 前記レーザ光は、波長が４００ｎｍ帯のレーザ光であることを特徴とする請求項１〜１８のいずれか一項に記載の記録方法。
20. 前記記録を行う工程では、線速度４ｍ／Ｓ〜１４ｍ／Ｓの範囲内の線速度で記録が行われることを特徴とする請求項１９に記載の記録方法。
21. 複数の記録層を有する追記型多層光記録媒体であって、
    前記複数の記録層のうちユーザデータが最初に記録される記録層である特定記録層での最適な記録パワーと、前記複数の記録層のうち前記特定記録層を除く記録層での最適な記録パワーとの関係を示す係数情報が、前記特定記録層に予め記録されている追記型多層光記録媒体。
22. 前記複数の記録層への情報の記録は、レーザ光を用いて行われ、
    前記レーザ光のパワーは、所定のタイミングで、第１のパワー、前記第１のパワーよりも小さい第２のパワー、及び前記第２のパワーよりも小さい第３のパワーを含む複数のパワーに制御され、
    前記複数の記録層のそれぞれにおける前記第１のパワーを前記第２のパワーで除算した値が、前記特定記録層に予め記録されていることを特徴とする請求項２１に記載の追記型多層光記録媒体。
23. 前記レーザ光は、マークを形成する際に、先ず、前記第１のパワーとされ、時間Ｔｔｏｐ経過後に前記第２のパワーとされ、それから時間Ｔｍ経過後に再度前記第１のパワーとされ、それから時間Ｔｌｐ経過後に前記第３のパワーより小さい第４のパワーとされ、それから時間Ｔｌｃ経過後に前記第３のパワーとされ、
    前記複数の記録層のそれぞれにおける前記時間Ｔｔｏｐ、前記時間Ｔｍ、前記時間Ｔｌｐが、前記特定記録層に予め記録されていることを特徴とする請求項２１又は２２に記載の追記型多層光記録媒体。
24. 前記特定記録層は、前記複数の記録層のうちで前記レーザ光の入射面に最も近い位置に配置された記録層、及び前記複数の記録層のうちで前記レーザ光の入射面から最も遠い位置に配置された記録層のいずれかであることを特徴とする請求項２１〜２３のいずれか一項に記載の追記型多層光記録媒体。
25. 前記複数の記録層はいずれも、無機材料からなる記録層であることを特徴とする請求項２１〜２４のいずれか一項に記載の追記型多層光記録媒体。
26. 複数の記録層を有する追記型多層光記録媒体に情報記録が可能な情報記録装置で用いられるプログラムあって、
    前記複数の記録層のうちユーザデータが最初に記録される記録層である特定記録層以外の記録層に対して記録が行われる際に、前記特定記録層での最適な記録パワーと記録が行われる記録層である対象記録層での最適な記録パワーとの関係を示す既知の係数情報を用いて、既知の前記特定記録層での最適な記録パワーから前記対象記録層での最適な記録パワーを算出する手順と；
    前記対象記録層での最適な記録パワーを用いて、前記対象記録層に対する記録を行う手順と；を前記情報記録装置の制御用コンピュータに実行させるプログラム。
27. 請求項２６のプログラムが記録されたコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
28. 複数の記録層を有する追記型多層光記録媒体に情報記録が可能な情報記録装置であって、
    光ピックアップ装置と；
    前記複数の記録層のうちユーザデータが最初に記録される記録層である特定記録層以外の記録層に対して記録が行われる際に、前記特定記録層での最適な記録パワーと記録が行われる記録層である対象記録層での最適な記録パワーとの関係を示す既知の係数情報を用いて、既知の前記特定記録層での最適な記録パワーから前記対象記録層での最適な記録パワーを算出する処理装置と；を備える情報記録装置。
29. 複数の記録層を有する追記型多層光記録媒体に情報記録が可能な情報記録システムであって、
    請求項２８に記載の情報記録装置と；
    前記情報記録装置を制御する制御装置と；を備える情報記録システム。

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