JP2009088154A - 放射線検出器 - Google Patents

Abstract

【課題】絶縁体を設置することなく、電圧印加電極端部の放電破壊を、放射線検出器を繰り返し使用する場合においても抑制可能なものとする。
【解決手段】電圧が印加される電圧印加電極２と、放射線の照射を受けることにより電荷を発生する光導電層１と、放射線の量に対応した電荷を収集する電荷収集電極３とが積層された放射線画像検出器10において、電圧印加電極２と光導電層１との間に、電圧印加電極と同極性の電荷はブロックするが、異極性の電荷は輸送する選択的電荷輸送層４を設け、この選択的電荷輸送層４が電圧印加電極２の端部において厚膜に形成されているものとする。
【選択図】図１

Description

本発明は、Ｘ線などの放射線撮像装置に適用して好適な放射線検出器に関するものである。

医療診断を目的とする放射線撮影において、放射線を検出して電気信号に変換する放射線画像検出器（半導体を主要部とするもの）を使用した放射線撮像装置が知られている。放射線画像検出器としては、放射線を直接電荷に変換し電荷を蓄積する直接変換方式と、放射線を一度CsI：Tl、GOS（Gd₂O₂S：Tb）などのシンチレータで光に変換し、その光を光導電層で電荷に変換し蓄積する間接変換方式がある。また、読取り方式からは、放射線の照射により発生した電荷を蓄電部に蓄積し、その蓄積した電荷を光の照射により電荷を発生する半導体材料を利用して読み取る、いわゆる光読取方式と、放射線の照射により発生した電荷を蓄積容量に蓄積し、その蓄積した電荷を薄膜トランジスタ（thin film transistor:TFT）などの電気的スイッチを１画素ずつON・OFFすることにより読み取る方式（以下、TFT方式ともいう）に大別される。

直接変換方式の放射線画像検出器は、放射線感応型の光導電膜の表面に形成された電圧印加電極と、基板上に形成された電荷収集電極との間で所定のバイアス電圧を印加するとともに、光導電膜の裏面に形成された電荷収集電極で放射線照射に伴って生成した電荷を収集して放射線検出信号として取り出すことにより放射線の検出を行う構成となっており、光導電膜上の電圧印加電極に高電圧を印加することで放射線による発生荷電を効率的に収集し電荷潜像としている。直接変換方式の放射線画像検出器では、この高電圧を印加する故に、電圧印加電極端部が特に高電界となることから、この端部からの放電破壊を引き起こし易いという問題を抱えている。

このような問題に鑑み、従来は、電圧印加電極端部の下に厚い絶縁体を設置することで端部の放電破壊を抑制する方法がとられていた（特許文献１）。
特開２００３−１３３５７５号公報

しかし、この絶縁体の設置により本来電圧印加電極で対消滅すべき電荷が対消滅せずに残るという新たな問題が生じる。特に放射線検出器を繰り返し使用する場合には、本来放電破壊を抑制するために設けたはずの絶縁体によって、対消滅せずに残った電荷が起因となり、さらに放電破壊が起き易いという問題があることがわかった。

本発明は上記事情に鑑みなされたものであり、絶縁体を設置することなく、電圧印加電極端部の放電破壊を、放射線検出器を繰り返し使用する場合においても抑制することが可能な放射線検出器を提供することを目的とするものである。

第１の態様として、本発明の放射線検出器は、電圧が印加される電圧印加電極と、放射線の照射を受けることにより電荷を発生する光導電層と、放射線の量に対応した電荷を収集する電荷収集電極とが積層された放射線画像検出器において、前記電圧印加電極と前記光導電層との間に、前記電圧印加電極と同極性の電荷はブロックするが、異極性の電荷は輸送する選択的電荷輸送層を設け、該選択的電荷輸送層が前記電圧印加電極の端部において厚膜に形成されていることを特徴とするものである。

第２の態様として、本発明の放射線検出器は、電圧が印加される電圧印加電極と、放射線の照射を受けることにより電荷を発生する光導電層と、放射線の量に対応した電荷を収集する電荷収集電極とが積層された放射線画像検出器において、前記電圧印加電極の端部と前記光導電層との間のみに、前記電圧印加電極と同極性の電荷はブロックするが、異極性の電荷は輸送する選択的電荷輸送層を設けたことを特徴とするものである。

前記選択的電荷輸送層は、無機の選択性輸送性材料層と有機の選択性輸送材料層との積層構造からなることが好ましい。

前記電圧印加電極が負バイアスである場合、前記選択的電荷輸送層は、少なくともトリフェニルアミン誘導体を含む層またはポリビニルカルバゾールを含む層であることがより好ましい。

本発明の放射線検出器は、第１の態様として、電圧が印加される電圧印加電極と、放射線の照射を受けることにより電荷を発生する光導電層と、放射線の量に対応した電荷を収集する電荷収集電極とが積層された放射線画像検出器において、電圧印加電極と光導電層との間に、電圧印加電極と同極性の電荷はブロックするが、異極性の電荷は輸送する選択的電荷輸送層を設け、この選択的電荷輸送層が電圧印加電極の端部において厚膜に形成されているので、第２の態様として、前記電圧印加電極の端部と前記光導電層との間のみに、電圧印加電極と同極性の電荷はブロックするが、異極性の電荷は輸送する選択的電荷輸送層を設けているので、電圧印加電極の端部と光導電層との間に電荷が滞留することが抑制され、放射線検出器を繰り返し使用する場合においても電圧印加電極端部で生じる放電破壊を防止することが可能である。

放射線検出器には、放射線を直接電荷に変換し電荷を蓄積する直接変換方式と、放射線を一度CsI：Tl、Gd₂O₂S：Tbなどのシンチレータで光に変換し、その光をa−Siフォトダイオードで電荷に変換し蓄積する間接変換方式があるが、本発明の放射線検出器は、前者の直接変換方式にも、後者の間接変換型の光-電子変換層にも用いることができる。直接変換方式においては放射線を有効に吸収し荷電の発生を行なわせるために厚い光導電層が必要となり、このために必要な電場強度を印加するために高電圧の印加が必要となるので、特に本発明の効果が高い。また、後者の間接変換方式であっても、類似構成の放射線検出器（a-Se層（光導電層）を薄くして光透過型の第１の電極層を設け、蛍光を受けるタイプのもの）には本発明を適用することができる。その場合、光導電層は1〜30μm程度の膜厚となり、TFT方式の蓄積容量も必須ではなくなる。なお、放射線としてはＸ線の他、γ線、α線などについて使用することが可能である。

また、本発明の放射線検出器は、光の照射により電荷を発生する半導体材料を利用した放射線画像検出器により読み取る、いわゆる光読取方式にも、また、放射線の照射により発生した電荷を蓄積し、その蓄積した電荷をTFTなどの電気的スイッチを１画素ずつON・OFFすることにより読み取るTFT方式にも用いることができる。

以下、図面を参照して本発明の放射線検出器について説明する。図１は、本発明の一実施の形態である放射線検出器の構成を示す概略断面図、図２は図１に示す放射線検出器のＩ−Ｉ線断面図である。図１に示す放射線検出器10は、基板６上に、電荷収集電極（下部電極）３、放射線感応型の光導電層１、電荷輸送層５、電圧印加電極（上部電極）２がこの順に積層されたもので、電圧印加電極２と電荷輸送層５との間に、電圧印加電極２と同極性の電荷はブロックするが、異極性の電荷は輸送する選択的電荷輸送層４が、電圧印加電極２の端部において厚膜に形成されている。電荷輸送層５と選択的電荷輸送層４は同質の材料であってもよく、また同様な選択透過機能を有する限りにおいて別の材料であってもよい。

放射線検出器10は、電圧印加電極２と電荷収集電極３との間で所定のバイアス電圧を印加するとともに、光導電層１の裏面に形成された電荷収集電極３で放射線照射に伴って生成した電荷を収集して放射線検出信号として取り出すことにより放射線の検出を行っているが、電圧印加電極２の端部（選択的電荷輸送層４が設けられている部分）では、特に高電界となる。本発明の放射線検出器10はこの端部に選択的電荷輸送層４が厚膜に形成されているので、電圧印加電極の端部と光導電層との間に電荷が滞留することが抑制され、放射線検出器を繰り返し使用する場合においても電圧印加電極端部で生じる放電破壊を防止することが可能である。

なお、従来から画像の欠陥を改良する目的で電圧印加電極２の下の全面（画像検出領域部分）に電荷輸送層（図１における電荷輸送層５もこれに相当するもの）を設置することは行われてきたが、このような、電圧印加電極２の下に一定膜厚の電荷輸送層を設置した場合には、画像を改善する効果は得られるものの、電圧印加電極端部での放電破壊に対しては効果的ではない。

図３は、本発明の別の実施の形態である放射線検出器の構成を示す概略断面図、図４は図３に示す放射線検出器のＩ−Ｉ線断面図である。なおこの図３および４において、図１および２中の構成要素と同等の構成要素には同番号を付し、それらについての説明は特に必要のない限り省略する。図３および４に示す放射線検出器10は、図１および図２に示す放射線検出器の光導電層１上に一定膜厚で設けられた電荷輸送層５を省略し、電圧印加電極２の端部と光導電層１との間のみに、電圧印加電極２と同極性の電荷はブロックするが、異極性の電荷は輸送する選択的電荷輸送層を設けたものである。

すなわち、図３の放射線検出器では、光導電層１上の全面には電荷輸送層が設けられておらず、電圧印加電極２の端部と光導電層１との間のみに選択的電荷輸送層４を設けた態様である。この場合にも電圧印加電極の端部と光導電層との間に電荷が滞留することが抑制され、放射線検出器を繰り返し使用する場合においても電圧印加電極端部で生じる放電破壊を防止することができる。つまり、選択的電荷輸送層４の設置が必要な範囲は、電圧印加電極２の下部に低電位の電極部分がある領域である。このような領域では、電荷収集電極と電圧印加電極のエッジとの間で高い電場強度が生じるのであって、例えば、基板上に取り出し配線が無く、高電場強度が発生しないような部分には、本発明の厚い選択輸送層の設置は必ずしも必要ではない。

選択的電荷輸送層は、画像検出領域部分の電荷輸送層で使用される材料と同組成で設けてもよいし、別組成の材料で設けてもよいが、電圧印加電極と同極性の電荷はブロックするが、異極性の電荷は輸送する材料により構成する必要がある。従って、電圧印加電極が負バイアスである場合には、正荷電輸送、すなわちホール輸送性の材料が用いられる。

このような材料の例としては下記電荷輸送層に説明に記載する硫化アンチモンのような無機材料の他、下記に示す化合物Ａのようなトリフェニルアミン誘導体化合物（アリールアミン系の化合物）、化合物Ｂのようなポリビニルカルバゾール（カルバゾール系化合物）など有機性のホール輸送材料も好ましく用いられる。

上記有機ホール輸送材料Ａを用いる場合にはバインダー中にこれらの輸送材料を含有させて用いることが好ましい。このようなバインダーポリマーとしては、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート、ノボラック樹脂等を好ましく用いることができる。

選択的電荷輸送層は、上記無機性の輸送材料、あるいは上記有機性の輸送材料それぞれ単独で製造することも可能であるが、無機性の輸送材料と有機性の輸送材料を積層する構成とすることがより好ましい。電圧印加電極での電荷の対消滅を阻害することなく、放電破壊を防止するためには、選択的電荷輸送層はホール輸送性が大きくかつ、欠陥のない構成であることが好ましく、このため、輸送性の大きな無機性の輸送材料と欠陥の発生し難い有機性の輸送材料とを積層することにより、より好ましい結果が得られる。無機性の輸送材料と有機性の輸送材料を積層する構成とする場合には、どちらを上層としてもよい。

端部に設けられる選択的電荷輸送層の層厚（厚膜部分）は、使用する材料にもよるが、概ね、画像検出領域部分に設けられる電荷輸送層の0.5〜100倍、より好ましくは1.0〜10倍、さらには1.2〜５倍の層厚であることが好ましい。なお、図３および４に示すように、光導電層上の全面には電荷輸送層が設けられておらず、電圧印加電極の端部と光導電層との間に選択的電荷輸送層を設ける場合の層厚は、0.1μm〜10μm、より好ましくは0.2μm〜５μm、さらには0.4μm〜１μmであることが好ましい。

電圧印加電極の端辺は、選択的電荷輸送層の幅方向の半分の位置の上にあることが好ましい。この場合に、電圧印加電極の端辺が電荷収集電極から電界的に最も隔離された状態となるからである。

選択的電荷輸送層の外側の端辺は、形成の簡便さと画像取得領域の最大化を考えれば、光導電層の肩の箇所（光導電層の膜厚が一定とみなせる領域の外側端辺）と一致させることが好ましい。もっとも、光導電層に勾配がついた箇所でも容易に形成できる材質のものであるならば、さらに外側に張り出してもよい。

選択的電荷輸送層の内側の端辺は、放電防止効果のためには光導電層内側深くに存在する方がよいが、一方で、あまり内側になると画像形成領域を無用に狭めることになるので、光導電層の肩の箇所から内側へ測って、0.5mm〜4mmの位置とするのが好ましい。さらに好ましくは1mm〜2mmの位置である。

光導電層の全面に設けられる電荷輸送層は、電圧印加電極と同符号電荷に対して絶縁性であり、それと逆の極性の電荷に対しては導電性を有する層であり、電圧印加電極端部に設置される選択的電荷輸送層と同じであってもまた異なった材料であってもよいが、果たすべき機能が放電破壊のみならず、画像欠陥の原因となる電圧印加電極からの不均一な電荷注入の防止でもあることから、この目的に合致する材料が選択される。例えば、アクリル系有機樹脂、ポリイミド、BCB、PVA、アクリル、ポリエチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルイミド等のポリマーや、As₂S₃、Sb₂S₃、ZnS等の硫化物、その他に酸化物、フッ化物より構成される。さらには、蓄積したい極性の電荷に対して絶縁性であり、それと逆の極性の電荷に対しては導電性を有する方がより好ましいものであり、移動度×寿命の積が、電荷の極性により３桁以上差がある物質が好ましい。このような材料としては例えばAs₂S₃、Sb₂S₃、ZnS等の硫化物、その他に酸化物、フッ化物より構成される。

さらに詳細には、As₂Se₃、As₂Se₃にCl、Br、Iを500ppmから20000ppmまでドープしたもの、As₂Se₃のSeをTeで50%程度まで置換したAS₂(Se_xTe_1-x)₃(0.5<x<1)、As₂Se₃のSeをSで50%程度まで置換したもの、As₂Se₃からAs濃度を±15%程度変化させたもの、アモルファスSe-Te系でTeが5-30wt%のもの等が望ましい。この様なカルコゲナイド系元素を含む物質を用いる場合、電荷輸送層の厚みは0.4μｍ以上3.0μｍ以下であること好ましく、より好ましくは0.5μｍ以上２μｍ以下である。この様な電荷輸送層は、１度の製膜で形成してもよいし、複数回に分けて積層してもよい。

有機膜を用いた好ましい電荷輸送層としては、アクリル系有機樹脂、ポリイミド、BCB、PVA、アクリル、ポリエチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルイミド等のポリマーに対し、電荷輸送剤をドープした化合物が好ましく用いられる。好ましい電荷輸送剤としては、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Alq₃）、Ｎ，Ｎ−ジフェニル−Ｎ，Ｎ−ジ（ｍ−トリル）ベンジジン（TPD）、ポリパラフェニレンビニレン（PPV）、ポリアルキルチオフェン、ポリビニルカルバゾール（PVK）、トリフェニレン（TNF）、金属フタロシアニン、４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピラン（DCM）、液晶分子、ヘキサペンチロキシトリフェニレン、中心部コアがπ共役縮合環あるいは遷移金属を含有するディスコティック液晶分子、カーボンナノチューブ、フラーレンからなる群より選択される分子を挙げることができる。ドープ量は0.1から50wt.％の間で設定される。

光導電層は、電磁波を吸収し電荷を発生する光導電物質であり、アモルファスセレン化合物、Bi₁₂MO₂₀ (M：Ti、Si、Ge)、Bi₄M₃O₁₂ (M：Ti、Si、Ge)、Bi₂O₃、BiMO₄（Ｍ：Nb、Ta、Ｖ）、Bi₂WO₆、Bi₂₄B₂O₃₉、ZnO、ZnS、ZnSe、ZnTe，MNbO₃(M：Li、Na、K)、PbO，HgI₂、PbI₂ ，CdS、CdSe、CdTe、BiI₃、GaAs等のうち少なくとも１つを主成分とする化合物により構成される。この中で特にアモルファスセレン化合物よりなることが好ましい。

アモルファスセレン化合物の場合には、その層中にLi、Na、K、Cs、Rb等のアルカリ金属を0.001ppmから１ppmまでの間で微量にドープしたもの、LiF、NaF、KF、CsF、RbF等のフッ化物を10ppmから10000ppmまでの間で微量にドープしたもの、P、As、Sb、Geを50ppmから0.5%までの間添加したもの、Asを10ppmから0.5%までドープしたもの、Cl、Br、Iを1ppmから100ppmの間で微量にドープしたもの、を好ましく用いることができる。

特に、Ａｓを10ppmから200ppm程度含有させたアモルファスセレン、Asを0.2％〜１％程度含有させさらにClを5ppm〜100ppm含有させたアモルファスセレン、0.001ppm〜１ppm程度のアルカリ金属を含有させたアモルファスセレンが好ましく用いられる。

また、数ナノから数ミクロンのBi₁₂MO₂₀ (M：Ti、Si、Ge)、Bi₄M₃O₁₂ (M：Ti、Si、Ge)、Bi₂O₃、BiMO₄（Ｍ：Nb、Ta、Ｖ）、Bi₂WO₆、Bi₂₄B₂O₃₉、ZnO、ZnS、ZnSe、ZnTe，MNbO3(M：Li、Na、K)、PbO，HgI₂、PbI₂ ，CdS、CdSe、CdTe、BiI₃、GaAs等の光導電性物質微粒子を含有させたものも用いることができる。

光導電層の厚みは、アモルファスセレンの場合100μｍ以上2000μｍ以下であることが好ましい。特にマンモグラフィ用途では150μｍ以上250μｍ以下、一般撮影用途においては500μｍ以上1200μｍ以下の範囲であることが特に好ましい。

光電導層の上面に形成される電圧印加電極としては金属薄膜が好ましく用いられる。材料としてはAu、Ni、Cr、Au、Pt、Ti、Al、Cu、Pd、Ag、Mg、MgAg3-20%合金、Mg-Ag系金属間化合物、MgCu3-20%合金、Mg-Cu系金属間化合物などの金属から形成するようにすればよい。

特にAuやPt、Mg-Ag系金属間化合物が好ましく用いられる。例えばAuを用いた場合、厚みとして15nm以上200nm以下であることが好ましく、さらには30nm以上100nm以下であることがより好ましい。例えばMgAg3-20%合金を用いた場合は、厚さ100nm以上400nm以下であることがより好ましい。

作製方法は任意であるが、抵抗加熱方式による蒸着により形成されることが好ましい。

たとえば、抵抗加熱方式によりボート内で金属塊が融解後にシャッターを開け、15秒間蒸着し一旦冷却する。抵抗値が十分低くなるまで複数回繰り返すことで形成される。

電荷収集電極は、光読取方式においては、信号取り出しのためにストライプ上に交互配置された櫛型電極構造を有しており、裏面より光を照射するため透明であることと、高電圧印加時の電界集中による破壊などを避けるため平坦性が必要であり、たとえばIZO、ITOが用いられる。電荷収集電極の厚さと平坦性は例えばIZOにおいて、0.2μm、Ra=1nmであることが好ましい。TFT方式においては、電荷収集電極は、光導電層において発生した電荷を収集する収集電極、収集電極によって収集された電荷を蓄積する蓄積容量、蓄積容量に蓄積された電荷を読み出すためのTFTスイッチを有する多数の画素、TFTスイッチをON・OFFするための多数の走査配線、蓄積容量に蓄積された電荷が読み出される多数のデータ配線、等を備えているアクティブマトリクス基板により構成される。

上記以外の層としては、光読取方式の放射線検出器においては読取用光導電層、電荷蓄積層、表面保護層、下引き層、上引き層、結晶化防止層等の層を必要に応じて設ける。なお、上述の光導電層は記録用光導電層として用いることができる。またTFT方式の放射線検出器の場合には、上記以外の層として表面保護層、下引き層、上引き層、結晶化防止層等の層を必要に応じて設ける。これらは従来公知の材料、方法により形成することができる。
以下に本発明の放射線検出器の実施例を示す。

（実施例１）
電荷収集電極、蓄積容量、ＴＦＴスイッチを有する画素構造、ＴＦＴスイッチをON・OFFする走査配線、電荷が読み出されるデータ配線が配列されたアクティブマトリクス基板上に、Seから成る光導電層を蒸着により200μmの厚みで形成した。次いで画像欠陥の発生を防止する為の硫化アンチモン（Sb₂S₃）層を真空蒸着により0.3μm厚で設置した。

上記ホール輸送性材料Ａ ４ｇおよびポリカーボネート樹脂４ｇを、クロロベンゼン100g に溶解した液を、インクジェット装置を用いて、Sb₂S₃被覆Se層の端部に、0.5μm厚で2 mmの幅で塗布した（厚膜部）。設けた厚膜部の中央にエッジ部が位置するように金を蒸着し、電圧印加電極を形成し、TFT方式の放射線検出器を製造した。

（比較例１）
実施例１において、ホール輸送性材料Ａを含まないポリカーボネート樹脂溶液のみを用いて同じ厚み、幅で厚膜部を設け、さらにこの厚膜部の上にシリコン樹脂からなる絶縁性層を100μm厚で設けた以外は、実施例１と同様にして放射線検出器を製造した。

（比較例２）
比較例１において、厚膜部も絶縁性層も設けなかった以外は同様にして放射線検出器を製造した。

（実施例２）
読み取り電極ラインを配したガラス基板上にSeからなる読取用光導電層を蒸着により15μmの厚みで形成し、その上に、As₂Se₃から成る電子蓄積層を1.0μm厚、Seからなる記録用光導電層を200μm厚で、順次、蒸着により製膜した。この上にインクジェット装置を用いてトリクロロエチレンに溶解したポリビニルカルバゾールを0.4μmの厚みで金電極のエッジに相当する位置（Se層の端部）に３mmの幅でスリット状に塗布した（厚膜部）。設けた厚膜部の中央にエッジ部が位置するように金を蒸着し、電圧印加電極を形成し、光読取方式の放射線検出器を製造した。光読取方式における上記以外の構成については、特開2000-105297号公報の記載に従って作製した。

（比較例３）
実施例２において、ポリビニルカルバゾールからなる厚膜部を設けることなく、絶縁体であるポリカーボネートを１μm厚みで設置した以外は、実施例２と同様にして放射線検出器を製造した。

（比較例４）
比較例３において、絶縁性層を設けなかった以外は同様にして放射線検出器を製造した。

（評価方法）
実施例１、２および比較例１〜４の放射線検出器を耐久性試験装置にセットし、実施例１、比較例１および２の放射線検出器については、バイアス電極に６kVの負バイアスを、実施例２、比較例３および４の放射線検出器については、バイアス電極に２kVの負バイアス矩形波で印加を繰り返し、放電破壊に至るまで印加を継続した。結果を表１に示す。

表１から明らかなように、電圧印加電極と光導電層との間に選択的電荷輸送層を設け、この選択的電荷輸送層が電圧印加電極の端部において厚膜に形成された実施例１および、電圧印加電極の端部と前記光導電層との間のみに選択的電荷輸送層を設けた実施例２では、共に30万回以上電圧印加を繰り返しても放電破壊は認められなかった。一方、絶縁体を設けた比較例１および３では、絶縁体を設けなかった比較例２および４よりも放電破壊が起きやすかった。特に、比較例２は全面に電荷輸送層が設けられている場合であるが、この場合には放電破壊に効果的でないことが示された。

以上のように、本発明の放射線検出器においては、電圧印加電極の端部と光導電層との間に電荷が滞留することが抑制され、放射線検出器を繰り返し使用する場合においても電圧印加電極端部で生じる放電破壊を防止することが可能であることが示された。

本発明の一実施の形態である放射線画像検出器の構成を示す概略平面図 図１に示す放射線画像検出器のＩ−Ｉ線断面図 本発明の別の実施の形態である放射線画像検出器の構成を示す概略平面図 図３に示す放射線画像検出器のＩ−Ｉ線断面図

符号の説明

１ 光導電層
２ 電圧印加電極
３ 電荷収集電極
４ 選択的電荷輸送層
５ 電荷輸送層
６ 基板
10 放射線検出器

Claims (4)

1. 電圧が印加される電圧印加電極と、放射線の照射を受けることにより電荷を発生する光導電層と、放射線の量に対応した電荷を収集する電荷収集電極とが積層された放射線画像検出器において、
   前記電圧印加電極と前記光導電層との間に、前記電圧印加電極と同極性の電荷はブロックするが、異極性の電荷は輸送する選択的電荷輸送層を設け、該選択的電荷輸送層が前記電圧印加電極の端部において厚膜に形成されていることを特徴とする放射線検出器。
2. 電圧が印加される電圧印加電極と、放射線の照射を受けることにより電荷を発生する光導電層と、放射線の量に対応した電荷を収集する電荷収集電極とが積層された放射線画像検出器において、
   前記電圧印加電極の端部と前記光導電層との間のみに、前記電圧印加電極と同極性の電荷はブロックするが、異極性の電荷は輸送する選択的電荷輸送層を設けたことを特徴とする放射線検出器。
3. 前記選択的電荷輸送層が、無機の選択性輸送性材料層と有機の選択性輸送材料層との積層構造からなることを特徴とする請求項１または２記載の放射線検出器。
4. 前記電圧印加電極が負バイアスであって、前記選択的電荷輸送層が、少なくともトリフェニルアミン誘導体を含む層またはポリビニルカルバゾールを含む層であることを特徴とする請求項１、２または３記載の放射線検出器。

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