JP2009111404A - 基板処理装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ポッド10とボートとの間でウエハ9を授受するウエハ授受ポートにはポッド10のドア10aを着脱してウエハ出し入れ口10bを開閉するポッドオープナが設備されており、ポッドオープナのベース21にはベース21のウエハ出し入れ口22を被覆するチャンバ60が設置され、チャンバ60にはクロージャ収容室61に窒素ガス62を流通させる給気管63、排気管64が接続されている。ポッドの開放時に窒素ガス62をチャンバ60のクロージャ収容室61に充填し、クロージャ収容室61、ポッド10のウエハ収納室10cの空気や水分を窒素ガス62によってパージする。ポッド内の大気のウエハ移載空間への放出を防止できるため、移載空間の汚染や酸素濃度の上昇、ウエハの酸化やパーティクル付着を防止できる。
【選択図】図9
Description
例えば、半導体素子を含む半導体集積回路を作り込まれる基板としての半導体ウエハ(以下、ウエハという。)に絶縁膜や金属膜等のCVD膜を形成したり不純物を拡散したりするバッチ式縦形拡散・CVD装置に利用して有効なものに関する。
従来のこの種のキャリアとして、互いに対向する一対の面が開口された略立方体の箱形状に形成されているオープンカセットと、一つの面が開口された略立方体の箱形状に形成され開口面にドアが着脱自在に装着されているFOUP(front opening unified pod 、以下、ポッドという)と、がある。
大気雰囲気になっている場合には、ポッドが開放された際に、ポッドのウエハ収納室の大気がバッチ式CVD装置におけるウエハ授受ポートの内側空間に侵入してしまうため、内側空間を汚染したり酸素濃度を上昇させてしまうという問題点が発生する。
(1)複数枚の基板が第一基板出し入れ口から収納され、この第一基板出し入れ口にはドアが着脱自在に装着されたキャリアと、
前記キャリアに対して前記基板を出し入れする基板授受ポートと、
この基板授受ポートにある前記キャリアの前記ドアを着脱して前記キャリアを開閉するクロージャを有するキャリア開閉装置と、
前記キャリア開閉装置を被覆し、前記基板授受ポート側に開設された第二基板出し入れ口と、前記基板授受ポート側とは反対側に開設された第三基板出し入れ口と、を有するチャンバと、
このチャンバに設けられ、前記チャンバの内部に不活性ガスを導入させる給気管と、
を有し、
前記キャリア開閉装置の前記クロージャは前記基板授受ポートにある前記キャリアの前記ドアを着脱する面とは反対側の背面部が前記第二基板出し入れ口を開閉可能に構成されている、ことを特徴とする基板処理装置。
(2)基板授受ポートにあるキャリアの第一基板出し入れ口からキャリア開閉装置のクロージャがドアを脱して前記第一基板出し入れ口を開くステップと、
前記キャリア開閉装置を被覆し、前記基板授受ポート側に開設された第二基板出し入れ口と、前記基板授受ポート側とは反対側に開設された第三基板出し入れ口とを有するチャンバの前記第三基板出し入れ口を前記キャリアから脱した前記ドアを保持した状態で前記クロージャの前記基板授受ポートにある前記キャリアの前記ドアを脱する面とは反対側の背面部が閉塞し、前記チャンバ内に給気管から不活性ガスを導入するステップと、
前記基板を処理室に搬入し、前記処理室内で前記基板を処理するステップと、
を備える半導体装置の製造方法。
図1に示されているバッチ式CVD装置1は気密室構造に構築された筐体2を備えている。筐体2内の一端部(以下、後端部とする。)の上部にはヒータユニット3が垂直方向に据え付けられており、ヒータユニット3の内部にはプロセスチューブ4が同心に配置されている。プロセスチューブ4にはプロセスチューブ4内に原料ガスやパージガス等を導入するためのガス導入管5と、プロセスチューブ4内を真空排気するための排気管6とが接続されている。
筐体2の後端部の下部にはボートエレベータ7が設置されており、ボートエレベータ7はプロセスチューブ4の真下に配置されたボート8を垂直方向に昇降させるように構成されている。ボート8は多数枚のウエハ9を中心を揃えて水平に配置した状態で支持して、プロセスチューブ4の処理室に対して搬入搬出するように構成されている。
筐体2内のポッド棚12の下側には基板としてのウエハ9をポッド10に対して授受するためのウエハ授受ポート13が一対、垂直方向に上下二段に配置されて設置されており、両ウエハ授受ポート13、13には後記するポッドオープナ20がそれぞれ設置されている。
また、ウエハ授受ポート13とボート8との間にはウエハ移載装置15が設置されており、ウエハ移載装置15はウエハ授受ポート13とボート8との間でウエハ9を搬送するように構成されている。さらに、ボートエレベータ7の脇にはボートチェンジャ16が設置されており、ボートチェンジャ16は二台のボート8、8をボートエレベータ7に対して入れ替えるように構成されている。
ちなみに、ベース21は上下のポッドオープナ20、20で共用されているため、ベース21には上下で一対のウエハ出し入れ口22、22が垂直方向で縦に並ぶように開設されている。
左右方向移動台31の一側面にはブラケット36が固定されており、ブラケット36にはロータリーアクチュエータ37が垂直方向上向きに据え付けられている。ロータリーアクチュエータ37のアーム37aの先端に垂直に立脚されたガイドピン38は前後方向移動台34のガイド孔35に摺動自在に嵌入されている。すなわち、前後方向移動台34はロータリーアクチュエータ37の往復回動によって前後方向に往復駆動されるように構成されている。
便宜上、図4および図5においては、後記するチャンバの図示が省略されている。
図2に示されているように、両解錠軸41、41のクロージャ40の正面側の端部にはドア10aの錠前(図示せず)に係合する係合部41aが直交して突設されている。
チャンバ60の背面側の側壁の一部には、不活性ガスとしての窒素ガス62をクロージャ収容室61に供給する給気管63がクロージャ収容室61に連通するように接続されており、チャンバ60の正面壁を形成するベース21の一部にはクロージャ収容室61に供給された窒素ガス62を排気する排気管64がクロージャ収容室61に連通するように接続されている。
チャンバ60の背面壁における上下のウエハ出し入れ口22、22に対向する位置には、チャンバ60のウエハ出し入れ口65、65がそれぞれ開設されており、各ウエハ出し入れ口65はクロージャ40の背面部を挿入し得る大きさの四角形の開口に形成されている。また、ウエハ出し入れ口65はマッピング装置53を背面側から挿入し得るように設定されている。
なお、説明を理解し易くするために、以下の説明においては、一方のウエハ授受ポート13を上段ポートAとし、他方のウエハ授受ポート13を下段ポートBとする。
ポッド棚12に保管されたポッド10はポッド搬送装置14によって適宜にピックアップされ、上段ポートAに搬送されて、ポッドオープナ20の載置台27に図3に示されているように移載される。この際、ポッド10の下面に没設された位置決め凹部が載置台27の三本の位置決めピン28とそれぞれ嵌合されることにより、ポッド10と載置台27との位置合わせが実行される。
続いて、負圧がクロージャ40の吸込口部材47に給排気路から供給されることにより、ポッド10のドア10aが吸着具46によって真空吸着保持される。この状態で、解錠軸41がエアシリンダ装置45によって回動されると、解錠軸41はドア10a側の錠前に係合した係合部41aによってドア10aの錠前の施錠を解除する。
この際、予め、チャンバ60のクロージャ収容室61およびポッド10のウエハ収納室10cが窒素ガス62によってパージされているため、大気中の空気や水分がベース21の背面側空間であるウエハ移載装置15の設置空間に放出されることはなく、それらによるウエハ移載装置15の移載空間の汚染や酸素濃度の上昇等の弊害の発生は防止されることになる。
指定されたマッピング作業が終了すると、マッピング装置53はロータリーアクチュエータ50の作動によって元の待機位置に戻される。この際、予め、チャンバ60のクロージャ収容室61およびポッド10のウエハ収納室10cが窒素ガス62によってパージされているため、ウエハ収納室10cのウエハ9が大気中の空気や水分に接触することはなく、それらによるウエハ9の自然酸化膜の堆積やパーティクルの付着等の弊害の発生は防止されることになる。
このように下段ポートBにおいてマッピング作業迄が同時進行されていると、上段ポートAにおけるウエハ9のボート8への装填作業の終了と同時に、下段ポートBに待機させたポッド10についてのウエハ移載装置15によるウエハ9のボート8への装填作業を開始することができる。すなわち、ウエハ移載装置15はポッド10の入替え作業についての待ち時間を浪費することなくウエハ移載作業を連続して実施することができるため、バッチ式CVD装置1のスループットを高めることができる。
ドア10aがウエハ出し入れ口10bに嵌入されると、解錠軸41がエアシリンダ装置45によって回動され、ドア10aの錠前を施錠する。ドア10aの施錠が終了すると、給排気路から吸込口部材47へ供給されていた負圧が切られて大気に開放されることにより、吸着具46の真空吸着保持が解除される。
続いて、載置台27がエアシリンダ装置26によってベース21から離れる方向に移動され、ポッド10の開口側端面がベース21の正面から離座される。
プロセスチューブ4の処理室が気密に閉じられた状態で、所定の真空度に排気管6によって真空排気され、ヒータユニット3によって所定の温度に加熱され、所定の原料ガスがガス導入管5によって所定の流量だけ供給される。これにより、所定の膜がウエハ9に形成される。
そして、予め設定された処理時間が経過すると、ボート8がボートエレベータ7によって下降されることにより、処理済みウエハ9を保持したボート8が元の装填および脱装ステーション(以下、装填ステーションという。)に搬出される。
10…ポッド、10a…ドア、10b…ウエハ出し入れ口、10c…ウエハ収納室、
11…ポッドステージ、12…ポッド棚、13…ウエハ授受ポート、14…ポッド搬送装置、15…ウエハ移載装置、16…ボートチェンジャ、
20…ポッドオープナ(開閉装置)、21…ベース、22…ウエハ出し入れ口、23…支持台、24…ガイドレール、25…ガイドブロック、26…エアシリンダ装置、27…載置台、28…位置決めピン、30…ガイドレール、31…左右方向移動台、32…エアシリンダ装置、32a…ピストンロッド、33…ガイドレール、34…前後方向移動台、35…ガイド孔、36…ブラケット、37…ロータリーアクチュエータ、37a…アーム、38…ガイドピン、39…ブラケット、40…クロージャ、41…解錠軸、41a…係合部、42…プーリー、43…ベルト、44…連結片、45…エアシリンダ装置、46…吸着具、47…吸込口部材、
50…ロータリーアクチュエータ、50a…回転軸、51…アーム、52…挿通孔、53…マッピング装置、54、55、56…パッキン、60…チャンバ、61…クロージャ収容室、62…窒素ガス(不活性ガス)、63…給気管、64…排気管、65…ウエハ出し入れ口。
Claims (2)
- 複数枚の基板が第一基板出し入れ口から収納され、この第一基板出し入れ口にはドアが着脱自在に装着されたキャリアと、
前記キャリアに対して前記基板を出し入れする基板授受ポートと、
この基板授受ポートにある前記キャリアの前記ドアを着脱して前記キャリアを開閉するクロージャを有するキャリア開閉装置と、
前記キャリア開閉装置を被覆し、前記基板授受ポート側に開設された第二基板出し入れ口と、前記基板授受ポート側とは反対側に開設された第三基板出し入れ口と、を有するチャンバと、
このチャンバに設けられ、前記チャンバの内部に不活性ガスを導入させる給気管と、
を有し、
前記キャリア開閉装置の前記クロージャは前記基板授受ポートにある前記キャリアの前記ドアを着脱する面とは反対側の背面部が前記第二基板出し入れ口を開閉可能に構成されている、ことを特徴とする基板処理装置。 - 基板授受ポートにあるキャリアの第一基板出し入れ口からキャリア開閉装置のクロージャがドアを脱して前記第一基板出し入れ口を開くステップと、
前記キャリア開閉装置を被覆し、前記基板授受ポート側に開設された第二基板出し入れ口と、前記基板授受ポート側とは反対側に開設された第三基板出し入れ口とを有するチャンバの前記第三基板出し入れ口を前記キャリアから脱した前記ドアを保持した状態で前記クロージャの前記基板授受ポートにある前記キャリアの前記ドアを脱する面とは反対側の背面部が閉塞し、前記チャンバ内に給気管から不活性ガスを導入するステップと、
前記基板を処理室に搬入し、前記処理室内で前記基板を処理するステップと、
を備える半導体装置の製造方法。
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