JP2009129947A - 光半導体用反射体及びそれを用いた光半導体装置 - Google Patents

Abstract

【課題】優れた耐紫外線性、耐熱性及び紫外線反射率を有する光半導体用反射体を提供する。
【解決手段】アナタース型酸化チタンを含む組成物からなる基体、及び下記成分（１）及び（２）を含む組成物からなる反射層の積層体である光半導体用反射体。
（１）熱硬化性化合物及び／又は光硬化性化合物：４０〜８０質量％
（２）波長３５０ｎｍの紫外線に対する透過率が５０％以上である材料からなる中空粒子：２０〜６０質量％
【選択図】図１

Description

本発明は、光半導体用反射体及びそれを用いた光半導体装置に関する。

１９９０年代以降、発光ダイオード（ＬＥＤ）の進歩は目覚しく、高出力化とともに多色化が進んでいる。なかでも白色ＬＥＤは従来の白色電球、ハロゲンランプ、ＨＩＤランプ等を代替する次世代の光源として期待されている。実際、ＬＥＤは長寿命、省電力、温度安定性、低電圧駆動等の特長が評価され、ディスプレイ、行き先表示板、車載照明、信号灯、非常灯、携帯電話、ビデオカメラ等へ応用されている。かかる発光装置は、通常、合成樹脂をリードフレームと一体成形してなる凹形状の反射層にＬＥＤを固定し、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂等の封止材料で封止することにより製造されている。

最近では、波長が３８０ｎｍ〜４００ｎｍの紫外線を発するＬＥＤが用いられるようになった。このようなＬＥＤの高輝度化には、紫外線を高効率で反射する反射層が必要であるが、現行のＬＥＤに用いられている反射層の多くは紫外線反射率が極めて低く、改良が望まれていた。

ポリアミド系樹脂に酸化チタンを添加した樹脂組成物が（例えば、特許文献１）、ＬＥＤ反射体としてよく用いられている。この材料は、可視光領域では高い反射率を有する。しかしながら、酸化チタンは波長４００ｎｍ以下の紫外線をよく吸収するため、酸化チタンを含む前記材料は波長４００ｎｍ以下の紫外線をほとんど反射しない。
アナタース型酸化チタンはルチル型酸化チタンより紫外線反射能が高いことが知られている。そこで、ポリアミド系樹脂にアナタース型酸化チタンを添加したところ、紫外線に対する反射率が改良された（波長３８０ｎｍで６０％程度）が、長期に紫外線を照射したところ、反射率が低下することが分かった。

特許文献２は、発光素子の周辺に光反射性フィラーを含有する樹脂層を備えたる光半導体装置が開示されている。光反射性フィラーとしては、酸化チタンやチタン酸カリウムなどチタンと酸素を含む化合物が開示されている。特に好適な光反射フィラーとしてチタン酸カリウムが挙げられている。チタン酸カリウムを用いた場合、４００ｎｍでは反射率８５％と高くなるが、反射率は３８０ｎｍで７０％程度であり、十分な紫外線反射率を有するとは言えなかった。

特許文献３は、ルチル系酸化チタンを含有する樹脂組成物からなる成形体表面に、熱硬化性樹脂又は光硬化性化合物に中空粒子を混合した組成物を塗布し硬化させた光半導体装置を開示している。上記光半導体装置中の反射体の反射率は、中空粒子層の厚みに依存し、薄膜では反射率が十分でなかった。例えば中空粒子層の厚みが３００μｍの場合、３８０ｎｍでの反射率が７５％程度、４００ｎｍでの反射率は８０％弱であり、さらなる反射率向上が必要であった。
特開平２−２８８２７４号公報 特開２０００−１５０９６９号公報 国際公開第０７／０３７０９３号パンフレット

本発明は、優れた耐紫外線性、耐熱性及び紫外線反射率を有する光半導体用反射体を提供することを目的とする。

本発明者は、上記課題を解決するため鋭意検討を行った結果、アナタース型酸化チタンを含む組成物からなる基体及び中空粒子を含む組成物からなる反射層の積層体が優れた耐紫外線性、耐熱性及び紫外線反射率を有することを見出し、本発明を完成させた。
本発明によれば、以下の光半導体用反射体等が提供される。
１．アナタース型酸化チタンを含む組成物からなる基体、及び
下記成分（１）及び（２）を含む組成物からなる反射層の積層体である光半導体用反射体。
（１）熱硬化性化合物及び／又は光硬化性化合物：４０〜８０質量％
（２）波長３５０ｎｍの紫外線に対する透過率が５０％以上である材料からなる中空粒子：２０〜６０質量％
２．前記熱硬化性化合物又は光硬化性化合物がシリコーン系化合物、エポキシ系化合物又は（メタ）アクリル酸エステル系化合物である１に記載の光半導体用反射体。
３．前記中空粒子が、架橋樹脂又は無機化合物である１又は２に記載の光半導体用反射体。
４．前記中空粒子が、架橋スチレン樹脂、架橋アクリル樹脂、無機ガラス又はシリカである１〜３のいずれかに記載の光半導体用反射体。
５．前記アナタース型酸化チタンを含む組成物が結晶性ポリスチレン、液晶ポリマー又はポリアミド樹脂を含む１〜４のいずれかに記載の光半導体用反射体。
６．前記基体の波長４００ｎｍの紫外線に対する反射率が６０％以上である１〜５のいずれかに記載の光半導体用反射体。
７．１〜６のいずれかに記載の光半導体用反射体を含む光半導体装置。

本発明によれば、優れた耐紫外線性、耐熱性及び紫外線反射率を有する光半導体用反射体を提供することができる。

本発明の光半導体用反射体は、アナタース型酸化チタンを含む組成物からなる基体、及び下記成分（１）及び（２）を含む組成物からなる反射層の積層体である。
（１）熱硬化性化合物及び／又は光硬化性化合物：４０〜８０質量％
（２）波長３５０ｎｍの紫外線に対する透過率が５０％以上である材料からなる中空粒子：２０〜６０質量％

中空粒子は紫外線を反射するが、吸収はせず透過する性質を有する。アナタース型酸化チタンは優れた紫外線反射率を有する。本発明では、中空粒子を含む反射層とアナタース型酸化チタンを含む基体を積層体とすることによって、両者の相乗効果により、紫外線反射率が飛躍的に向上できる。

アナタース型酸化チタンとは、アナタース型結晶構造を有する酸化チタンであり、好ましくは白色顔料として用いられている酸化チタンである。上記アナタース型酸化チタンは、石原産業株式会社製のＡ２２０、堺化学工業株式会社製のＡ１９７、Ａ９５０、ＦＴＡ等の市販品を用いることができる。

基体を構成する組成物において、アナタース型酸化チタンの含有量は、通常５〜５０質量％であり、好ましくは８〜４０質量％である。アナタース型酸化チタンの含有量が５質量％未満では、得られる基体の波長４００ｎｍの紫外線に対する反射率が６０％に満たないおそれある。一方、アナタース型酸化チタンの含有量が５０質量％超の場合、得られる基体の機械的特性が低下するおそれがある。

基体を構成する組成物に含まれる樹脂（以下、マトリックス樹脂という場合がある）としては、結晶性ポリスチレン、液晶ポリマー、ポリアミド樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリエーテル系樹脂、ポリエーテルケトン樹脂等の耐熱性樹脂が挙げられ、光吸収が少ないことから、好ましくは結晶性ポリスチレン、液晶ポリマー、ポリアミド樹脂であり、熱による色変化が少ないことから、より好ましくは結晶性ポリスチレン、特に好ましくはシンジオタクチックポリスチレンである。
上記樹脂を１種又は２種以上を混合した樹脂をマトリックス樹脂として用いることができる。

基体を構成する組成物は、アスペクト比が１０以上の無機化合物を５〜５０質量％含んでもよく、好ましくは１０〜４０質量％含む。上記無機化合物を含むことにより、基体の線膨張率を低くすることができ、光半導体装置の信頼性を高めることができる。
上記無機化合物の含有量が５質量％未満の場合、基体線膨張率が増大するおそれがある。一方、無機化合物の含有量が５０質量％越の場合、基体の成形性が低下するおそれがある。

アスペクト比が１０以上の無機化合物としては、ガラス繊維、チタン酸カリウムウィスカー、炭化ケイ素ウィスカー、ホウ酸アルミニウムウィスカー、炭酸カルシウムウィスカー、ナノクレイ等が挙げられ、好ましくは、ガラス繊維、チタン酸カリウムウィスカー又はナノクレイを用いる。

また、基体を構成する組成物は、本発明の効果を損なわない範囲で、結晶核剤、酸化防止剤、光安定剤、滑剤、可塑剤、耐電防止剤、離型剤等の各種公知の添加剤、熱可塑性樹脂、相溶化剤等を含んでもよい。

熱可塑性樹脂としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリペンテン等のポリオレフィン；ポリフェニレンスルフィド等のポリチオエーテル；ポリカーボネート、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリメタクリル酸メチル、エチレン−アクリル酸共重合体、アクリロニトリル−スチレン共重合体、アクリロニトリル−塩素化ポリエチレン−スチレン共重合体、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−ビニルアルコール共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体、塩化ビニル樹脂、塩素化ポリエチレン、フッ素化ポリエチレン、ポリアセタール、熱可塑性ポリウレタンエラストマー、ポリブタジエン、スチレン系エラストマー（ＳＢＲ、ＳＢＳ、ＳＥＢＳ、ＳＥＰＳ等）、スチレン−無水マレイン酸共重合体等が挙げられる。

相溶化剤としては、ポリフェニレンエーテル系重合体の変性体を用いることができる。例えば、無水マレイン酸、マレイン酸、フマール酸、マレイミド、マレイン酸ヒドラジド；アミノ基、カルボン酸基、水酸基、エポキシ基等を導入したポリ（２，６−ジメチレンフェニレン−１，４−エーテル）を用いることができる。

基体を構成する組成物は、アナタース型酸化チタン及びマトリックス樹脂から実質的になっていてもよく、また、これらの成分のみからなっていてもよい。「実質的になる」とは、基体を構成する組成物が、アナタース型酸化チタン及びマトリックス樹脂のみからなり、これらの成分の他に下記添加剤を含みうることである。

基体は、アナタース型酸化チタンを含む組成物及び上記添加剤を所定の割合で混合し、得られた混合物をバンバリーミキサー、単軸スクリュー押出機、二軸スクリュー押出機等を用いて混練して、公知の成形法を用いることにより作製することができる。

反射層を構成する組成物に含まれる熱硬化性化合物及び光硬化性化合物は、モノマー、オリゴマー及びポリマーのいずれでもよい。
上記熱硬化性化合物及び光硬化性化合物としては、高耐熱性重合体を与えるシリコーン系化合物、（メタ）アクリル酸エステル系化合物、エポキシ系化合物が好ましい。中でも、耐紫外線性に優れた重合体を与えることからシリコーン系化合物、（メタ）アクリル酸エステル系化合物がより好ましい。

シリコーン系化合物としては、信越化学工業株式会社製のＫＥＲ２５００Ａ／Ｂ、ＳＣＲ１１００Ａ／Ｂ、日本ペルノックス株式会社製のＸＪＬ−００１２Ａ／Ｂ、ＸＪＬ−００１６Ａ／Ｂ等の市販品を使用することができる。

（メタ）アクリル酸エステル系化合物としては、炭素数７以上の脂環式炭化水素基含有（メタ）アクリル酸エステル化合物が耐熱黄変性に優れた重合体を与えることから好ましい。上記炭素数７以上の脂環式炭化水素基としては、アダマンチル基、ノルボニル基、ジシクロペンタニル基等が挙げられる。また、炭素数７以上の脂環式炭化水素基含有（メタ）アクリル酸エステル化合物と他の（メタ）アクリル酸エステルを混合して使用してもよい。

反射層を構成する組成物は、中空粒子を含む。当該中空粒子の材料は、その材料が厚み２５０μｍである場合において、波長３５０ｎｍの紫外線に対する透過率が５０％以上であり、好ましくは６０％〜１００％である。

中空粒子の外殻を通過した紫外線は、中空部で反射されるため、紫外線透過率の高い材質が必要となる。中空部での反射率を高めるためには、中空粒子を構成する部分と中空粒子内部に存在する気体との屈折率の差が大きいほうがよい。中空粒子内部に存在する気体は、通常、空気であるが、窒素やアルゴン等の不活性ガスでもよく、また、真空であってもよい。

中空粒子は、粒子内部に１つ以上の独立気泡を内包する粒子であることが好ましいが、中空部が形成されている２次粒子であってもよい。中空粒子を構成する材料は、有機化合物でも無機化合物でも構わない。しかし、中空粒子の外殻で光が吸収されると中空粒子内部に届く紫外線が減少し、中空部での反射率が低下するので、紫外線をあまり吸収しないものが好ましい。また、熱処理により中空部が破壊され、中空部が無くなると反射特性が失われるので、耐熱性が高いものが好ましい。

中空粒子の材料としては、好ましくは無機化合物又は架橋樹脂を用いる。
上記無機化合物としては、無機ガラス、シリカ、アルミナ等の金属酸化物、炭酸カルシウム、炭酸バリウム、珪酸カルシウム、炭酸ニッケル等の金属塩等が挙げられ、好ましくは無機ガラス又はシリカを用いる。
上記架橋樹脂としては、スチレン系樹脂、アクリル系樹脂、及び、これらの架橋体等を好適に用いることができ、これらを１種又は２種以上含んでいてもよい。好ましくは、架橋スチレン樹脂又は架橋アクリル樹脂を用いる。

中空粒子の外径は特に限定されない。光反射性、取扱性の観点から０．０１〜５００μｍが好ましい。中空粒子の外径が０．０１μｍ未満の場合、熱又は光硬化性化合物と中空粒子を含む組成物の硬化前の粘度が高くなり、賦形しにくくなるおそれがある。一方、中空粒子の外径が５００μｍ超の場合、反射層の表面荒れが生じ、反射率が低下するおそれがある。中空粒子の内径も特に限定されない。光反射性の観点から、中空粒子の内径は好ましくは０．００５〜１００μｍであり、より好ましくは０．１〜５０μｍである。

反射層を構成する組成物に含まれる中空粒子の含有量は２０〜６０質量％であり、好ましくは２５〜５５質量％である。中空粒子の含有量が２０質量％未満である場合、得られる反射体の反射率が低下するおそれがある。一方、中空粒子の含有量が６０質量％超の場合、反射層を構成する組成物の重合前の粘度が高くなり、賦形が難しくなるおそれがある。

反射層を構成する組成物は、熱硬化性化合物及び／又は光硬化性化合物、及び中空粒子から実質的になっていてもよく、また、これらの成分のみからなっていてもよい。「実質的になる」とは、反射層を構成する組成物が、熱硬化性化合物及び／又は光硬化性化合物、及び中空粒子のみからなり、これらの成分の他に下記添加剤を含みうることである。

また、反射層を構成する組成物は、本発明の効果を損なわない範囲で、添加剤として公知の酸化防止剤及び光安定剤等を含んでもよい。
酸化防止剤としては、フェノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤、イオウ系酸化防止剤、ラクトン系酸化防止剤、アミン系酸化防止剤等が挙げられる。これら酸化防止剤の含有量は、組成物に含まれる樹脂成分（熱硬化性化合物及び光硬化性化合物）１００質量部に対して、通常、０．００５〜５質量部、好ましくは０．０２〜２質量部である。これらの酸化防止剤は２種以上組み合わせても用いてもよい。

光安定剤としては、ヒンダードアミン系光安定剤が好適に用いることができる。光安定剤の含有量は、組成物に含まれる樹脂成分（熱硬化性化合物及び光硬化性化合物）１００質量部に対して、通常、０．００５〜５質量部、好ましくは０．０２〜２質量部である。これら光安定剤は２種以上組み合わせて用いてもよい。

反射層は、（１）熱硬化性化合物及び／又は光硬化性化合物に（２）中空粒子を混合し、その後、熱又は光で重合し硬化することにより、作製することができる。反射層作製過程において、重合反応を促進するため、さらに重合開始剤を添加してもよい。用いる重合開始剤は特に限定されないが、例えばラジカル重合開始剤を使用することができる。

ラジカル重合開始剤の具体例としては、メチルエチルケトンパーオキサイド、メチルイソブチルケトンパーオキサイド、アセチルアセトンパーオキサイド、シクロヘキサノンパーオキサイド、メチルシクロヘキサノンパーオキサイド等のケトンパーオキサイド類、１，１，３，３−テトラメチルブチルハイドロパーオキサイド、クメンハイドロパーオキサイド、ｔ−ブチルハイドロパーオキサイド等のハイドロパーオキサイド類、ジイソブチリルパーオキサイド、ビス−３，５，５−トリメチルヘキサノールパーオキサイド、ラウロイルパーオキサイド、ベンゾイルパーオキサイド、ｍ−トルイルベンゾイルパーオキサイド等のジアシルパーオキサイド類、ジクミルパーオキサイド、２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔ−ブチルペルオキシ）ヘキサン、１，３−ビス（ｔ−ブチルペルオキシイソプロピル）ヘキサン、ｔ−ブチルクミルパーオキサイド、ジ−ｔ−ブチルパーオキサイド、２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔ−ブチルペルオキシ）ヘキセン等のジアルキルパーオキサイド類、１，１−ジ（ｔ−ブチルペルオキシ−３，５，５−トリメチル）シクロヘキサン、１，１−ジ−ｔ−ブチルペルオキシシクロヘキサン、２，２−ジ（ｔ−ブチルペルオキシ）ブタン等のパーオキシケタール類、１，１，３，３−テトラメチルブチルペルオキシネオジカーボネート、α−クミルペルオキシネオジカーボネート、ｔ−ブチルペルオキシネオジカーボネート、ｔ−ヘキシルペルオキシピバレート、ｔ−ブチルペルオキシピバレート、１，１，３，３−テトラメチルブチルペルオキシ−２−エチルヘキサノエート、ｔ−アミルペルオキシ−２−エチルヘキサノエート、ｔ−ブチルペルオキシ−２−エチルヘキサノエート、ｔ−ブチルペルオキシイソブチレート、ジ−ｔ−ブチルペルオキシヘキサヒドロテレフタレート、１，１，３，３−テトラメチルブチルペルオキシ−３，５，５−トリメチルヘキサネート、ｔ−アミルペルオキシ３，５，５−トリメチルヘキサノエート、ｔ−ブチルペルオキシ３，５，５−トリメチルヘキサノエート、ｔ−ブチルペルオキシアセテート、ｔ−ブチルペルオキシベンゾエート、ジブチルペルオキシトリメチルアジペート等のアルキルパーエステル類、ジ−３−メトキシブチルペルオキシジカーボネート、ジ−２−エチルヘキシルペルオキシジカーボネート、ビス（１，１−ブチルシクロヘキサオキシジカーボネート）、ジイソプロピルオキシジカーボネート、ｔ−アミルペルオキシイソプロピルカーボネート、ｔ−ブチルペルオキシイソプロピルカーボネート、ｔ−ブチルペルオキシ−２−エチルヘキシルカーボネート、１，６−ビス（ｔ−ブチルペルオキシカルボキシ）ヘキサン等のパーオキシカーボネート類等が挙げられる。また、パーヘキサ３Ｍ−９５（日本油脂（株））やアゾビスイソブチロニトリル等も挙げられる。

上記ラジカル重合開始剤はそれぞれ単独で使用してもよく、また、２以上を併用してもよい。その使用量は、熱重合性化合物及び光重合性化合物の全量を１００質量部とした場合、通常、０．０１〜５質量部、好ましくは０．０５〜１．０質量部である。

本発明では、好ましくは熱硬化性化合物又は光硬化性化合物を重合すると同時に反射体とする。「重合すると同時に反射体とする」とは、例えば、熱硬化性化合物又は光硬化性化合物を基体上で硬化させる操作のみで反射体を得ることである。例えば、液状の反射層を構成する組成物を、溶剤を用いずに直接基体に塗布し、その後、光や熱等のエネルギーにより重合を完了させ、反射体にすることをいう。

下記（Ａ）及び（Ｂ）の反射体の製造方法は、「重合すると同時に反射体とする」には該当しない。
（Ａ） 反射層を構成する組成物の重合体を溶剤等に溶かし、基体に塗布、乾燥して反射体とする。
（Ｂ） 反射層を構成する組成物の重合体を射出成形や押出成形し、得られた反射層と基体を組み合わせて反射体とする。

図１は、本発明の反射体を用いた光半導体装置の一実施形態を示す概略断面図である。
図１の光半導体装置１において、アナタース型酸化チタン含有基体１０（以下、単に基体１０という場合がある）は発光方向に開口しており、その開口面には中空粒子含有反射層２０（以下、単に反射層２０という場合がある）が積層されている。基体１０には２つリードフレーム１２（導電部）が差し込まれており、一方のリードフレーム１２上に光半導体素子２４が実装されており、他方のリードフレーム１２と光半導体素子２４はワイヤーボンディング２２を介して電気的に接続されている。また、基体１０が形成している開口部は封止材３０で封止されている。

通常、図１に示す光半導体装置は、リードフレームと一体成形されたアナタース型酸化チタン含有基体に、光半導体素子を固定した後、この光半導体素子をワイヤーボンディングで配線し、中空粒子含有組成物を塗布・硬化させることにより製造できる。

上記（Ａ）の方法で、例えば、図１に示す反射層２０を形成する場合、基体１０の凹部に重合性組成物溶液を充填する必要がある。しかし、基体１０の開口部には光半導体素子が固定されているので、（Ａ）の方法で反射層２０を形成すると、同時に光半導体素子の表面も反射層で覆われることになり、光半導体素子から光を取り出すことが困難となる。
また、上記（Ｂ）の方法のように、重合体を賦形すれば、凹状に成形することは可能である。しかしながら、（Ｂ）の方法では重合体をかなりの高温に数分間さらす必要がある。この間に重合体が劣化し、着色するため、反射率低下を免れない。

光半導体装置２の基体１０は５ｍｍサイズであるが、本発明は当該サイズに限定されず、用途に応じて２ｍｍサイズ、１０ｍｍサイズ等でもよい。
図２に示すように基体が凹形状である場合、中空粒子含有反射層の厚みは一定ではなないが、好ましくは最大厚みが０．０５ｍｍ〜３ｍｍであり、より好ましくは０．２５〜２ｍｍである。

基体１０の形状は、凹形状のほかに平面状でもよい。基体１０の形状が平面状の場合、基体１０の厚みは、基体の強度と反射率のバランスから、好ましくは０．０１〜３ｍｍであり、より好ましくは０．０３〜２ｍｍである。基体１０上に積層する反射層２０の厚みは、反射率の観点から厚いほど好ましいが、光半導体装置の小型化を考慮すると、好ましくは０．０１〜３ｍｍであり、より好ましくは０．２５〜２ｍｍである。

下記実施例及び比較例で使用した材料を以下に示す。
［マトリックス樹脂］
ザレック１３０ＺＣ（結晶性ポリスチレン、出光興産株式会社製）
［酸化チタン］
Ａ２２０（アナタース型酸化チタン、石原産業株式会社製）
Ａ９５０（アナタース型酸化チタン、堺化学工業株式会社製）
ＰＦ−７２６（ルチル型酸化チタン、石原産業株式会社製）
［熱硬化性樹脂及び光硬化性樹脂］
アダマンテートＡＭ（メタクリル酸エステル系組成物、１−アダマンチルメタクリレート、出光興産株式会社製）／パーヘキサＨＣ（日油株式会社製）＝１００／０．１（質量比）
ＸＪＬ−００１２Ａ（シリコーン樹脂、日本ペルノックス株式会社製）
ＸＪＬ−００１２Ｂ（シリコーン樹脂、日本ペルノックス株式会社製）
ＫＥＲ２５００Ａ（シリコーン樹脂、信越化学工業株式会社製）
ＫＥＲ２５００Ｂ（シリコーン樹脂、信越化学工業株式会社製）
［中空粒子］
ＸＸ０６ＢＺ（架橋アクリル系中空粒子、平均粒径５μｍ、平均孔径１−２μｍ、架橋アクリルの紫外線透過率８４％（波長３５０ｎｍ、厚み２５０μｍ）、積水化成品工業株式会社製）
ＨＳＣ−１１０Ｃ（ガラス系中空粒子、平均粒径１３μｍ、平均孔径９μｍ、ガラスの紫外線透過率＞９０％（波長３５０ｎｍ、厚み２５０μｍ）、ポッターズ・バロティーニ株式会社製）
［非中空反射フィラー］
ティスモＤ１０１（チタン酸カリウム繊維、大塚化学株式会社製）
［ラジカル重合開始剤］
パーヘキサＨＣ（日油株式会社製）

製造例１
シンジオタクチックポリスチレン１３０ＺＣを６０質量部、アナタース型二酸化チタンＡ２２０を３０質量部、及びガラス繊維ＪＡＦＴ１６４Ｇ（旭ファイバーグラス株式会社製）を１０質量部配合し、ドライブレンドした後、内径３０ｍｍの二軸押出機のホッパーに投入し、バレル温度２８５℃で溶融混練後、ペレットとした。得られたペレットを１００℃で一昼夜乾燥した後、バレル温度２８０℃及び金型温度１５０℃（鏡面金型）で射出成形し、３ｃｍ×３ｃｍ×１ｍｍの角板状白色成形体１を得た。

製造例２
シンジオタクチックポリスチレン１３０ＺＣを５５質量部、アナタース型二酸化チタンＡ９５０を２５質量部、及びガラス繊維ＪＡＦＴ１６４Ｇを２０質量部配合し、ドライブレンドした後、内径３０ｍｍの二軸押出機のホッパーに投入し、バレル温度２８５℃で溶融混練後、ペレットとした。得られたペレットを１００℃で一昼夜乾燥後、バレル温度２８０℃、金型温度１５０℃（鏡面金型）で射出成形し、３ｃｍ×３ｃｍ×１ｍｍの角板状白色成形体２を得た。

製造例３
シンジオタクチックポリスチレン１３０ＺＣを５５質量部、ルチル型酸化チタンＰＦ−７２６を２５質量部、及びガラス繊維ＪＡＦＴ１６４Ｇを２０質量部配合し、ドライブレンドした後、内径３０ｍｍの二軸押出機のホッパーに投入し、バレル温度２８５℃で溶融混練後、ペレットとした。得られたペレットを１００℃で一昼夜乾燥後、バレル温度２８０℃、金型温度１５０℃（鏡面金型）で射出成形し、３ｃｍ×３ｃｍ×１ｍｍの角板状白色成形体３を得た。

実施例１
表１に示す配合比に従って、アダマンテートＡＭ及びパーヘキサＨＣの混合物（アダマンテートＡＭ／パーヘキサＨＣ＝１００／０．１（質量比））７０質量部とＸＸ０６ＢＺ（架橋アクリル系中空粒子）３０質量部を混合し、中空粒子を含む組成物を調製した。得られた組成物を白色成形体１に塗布し、１１０℃で３時間加熱処理後、さらに１６０℃で１時間加熱処理して組成物を硬化させ、厚み約３００μｍの積層体を得た。
得られた積層体について下記評価を行った。結果を表２に示す。

［積層体の初期反射率］
マルチパーパス大形試料室ユニットＭＰＣ−２２００形（株式会社島津製作所製）を取り付けた自記分光光度計ＵＶ−２４００ＰＣ（株式会社島津製作所製）を用いて、波長７００〜３００ｎｍの範囲で積層体の反射率（％）を測定した。尚、レファレンスとして硫酸バリウムを用いた。

［紫外線照射後の積層体の反射率］
耐候性試験機ｓｏｌａｒｂｏｘ１５００ｅ（ジャスコインタナショナル株式会社製）を用い、５００Ｗ／ｍ^２の出力で１０００時間、積層体の反射層に紫外光を照射した。紫外線照射後、上記の方法で積層体の反射率を測定した。

［加熱処理後の積層体の反射率］
１６０℃にセットしたオーブンに積層体を投入し、５時間加熱処理した。加熱処理後、上記の方法で積層体の反射率を測定した。

実施例２〜７及び比較例１〜５
表１に示す配合比で組成物をそれぞれ調製した。得られた組成物を表１に示す成形体上に塗布し、表１に示す熱処理条件で組成物を硬化して、厚み約３００μｍの積層体を得た。尚、表１に記載のシリコーン系組成物Ａは、ＸＪＬ００１２Ａ：ＸＪＬ００１２Ｂ＝１００：５（質量比）であるシリコーン樹脂組成物であり、シリコーン系組成物Ｂは、ＫＥＲ２５００Ａ：ＫＥＲ２５００Ｂ＝５０：５０（質量比）であるシリコーン樹脂組成物である。
得られた積層体について、実施例１と同様にして評価した。結果を表２に示す。尚、比較例４の積層体の表面には多少の荒れが確認された。また、比較例５では、組成物を均一に基体に塗布することができなかったうえ、反射層の厚みが１ｍｍ以上かつ表面の荒れが激しかったため、評価できる積層体が得られなかった。

比較例６
製造例１で作製した白色成形体１について、実施例１と同様にして評価した。結果を表２に示す。

本発明の反射体は、液晶ディスプレイ用ランプリフレクタ、ショーケース用反射板、各程照明用反射板、ＬＥＤ用反射体等に使用できる。ＬＥＤ用反射体は、ディスプレイ、行き先表示板、車載照明、信号灯、非常灯、携帯電話、ビデオカメラ等の、様々なＯＡ機器、電気電子機器及び部品、自動車部品等に使用できる。

本発明の反射体を用いた光半導体装置の一実施形態を示す概略断面図である。

符号の説明

１ 光半導体装置
１０ アナタース型酸化チタン含有基体
１２ リードフレーム
２０ 中空粒子含有反射層
２２ ワイヤーボンディング
２４ 光半導体素子
３０ 封止材

Claims (7)

1. アナタース型酸化チタンを含む組成物からなる基体、及び
   下記成分（１）及び（２）を含む組成物からなる反射層の積層体である光半導体用反射体。
   （１）熱硬化性化合物及び／又は光硬化性化合物：４０〜８０質量％
   （２）波長３５０ｎｍの紫外線に対する透過率が５０％以上である材料からなる中空粒子：２０〜６０質量％
2. 前記熱硬化性化合物又は光硬化性化合物がシリコーン系化合物、エポキシ系化合物又は（メタ）アクリル酸エステル系化合物である請求項１に記載の光半導体用反射体。
3. 前記中空粒子が、架橋樹脂又は無機化合物である請求項１又は２に記載の光半導体用反射体。
4. 前記中空粒子が、架橋スチレン樹脂、架橋アクリル樹脂、無機ガラス又はシリカである請求項１〜３のいずれかに記載の光半導体用反射体。
5. 前記アナタース型酸化チタンを含む組成物が結晶性ポリスチレン、液晶ポリマー又はポリアミド樹脂を含む請求項１〜４のいずれかに記載の光半導体用反射体。
6. 前記基体の波長４００ｎｍの紫外線に対する反射率が６０％以上である請求項１〜５のいずれかに記載の光半導体用反射体。
7. 請求項１〜６のいずれかに記載の光半導体用反射体を含む光半導体装置。

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