JP2009141000A

JP2009141000A - 半導体装置

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Publication number: JP2009141000A
Application number: JP2007313488A
Authority: JP
Inventors: Shin Soyano; 伸征矢野; Katsumichi Kamiyanagi; 勝道上▲柳▼
Original assignee: Fuji Electric Device Technology Co Ltd
Current assignee: Fuji Electric Co Ltd
Priority date: 2007-12-04
Filing date: 2007-12-04
Publication date: 2009-06-25
Anticipated expiration: 2027-12-04
Also published as: US8030749B2; CN101452925A; DE102008060300B4; CN103151325A; CN101452925B; JP5176507B2; CN103151325B; US20090140414A1; DE102008060300A1

Abstract

【課題】複数の半導体素子を樹脂ケースにより包容した半導体装置の配線用端子の配置を、簡便に変更する。
【解決手段】樹脂ケース４０に固定支持された複数の外部接続用端子５０，５１，５２，５３，５４，５５と、樹脂ケース４０内に包容された、ＩＧＢＴ素子３０ａ，３０ｂ並びにＦＷＤ素子３１ａ，３１ｂと、このような半導体素子と外部接続用端子５０，５１，５２，５３，５４，５５との電気的接続をする少なくとも一つの配線用端子６０を配設した、少なくとも一つの端子ブロックと、を備えたことを特徴とする半導体装置１が提供される。このような半導体装置１の構成によれば、複数の半導体素子を樹脂ケース４０により包容した半導体装置１の配線用端子６０の配置を、簡便に変更することができる。
【選択図】図１

Description

本発明は半導体装置に関し、特に複数の半導体素子を樹脂ケースにより包容した半導体装置に関する。

インバータ装置、無停電電源装置、工作機械、産業用ロボット等では、その本体装置とは独立して、パワー半導体素子を搭載した半導体装置（汎用モジュール）が使用されている。そして、このような半導体装置は、複数のパワー半導体素子を樹脂ケース内に封止（パッケージ）させた構造をしている（例えば、特許文献１，２参照）。

このような半導体装置の内部配線は、配線用端子（リードフレーム）で行うのが一般的である（例えば、特許文献３）。
例えば、図１１に、パワー半導体素子を樹脂ケース内に封止させた半導体装置の要部模式図を示す。この図では、配線用端子で内部配線を行った半導体装置の一例が示されている。

図示するように、半導体装置は、樹脂ケース４００内に、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）素子１００を配置している。ここで、ＩＧＢＴ素子１００は、縦型のパワー半導体素子であり、その上面にエミッタ電極、下面にコレクタ電極を配設している。そして、ＩＧＢＴ素子１００のエミッタ電極と配線基板２００とは、配線用端子６００を通じて導通している。また、ＩＧＢＴ素子１００のコレクタ電極は、配線基板２００に直接的に導通している。

そして、配線用端子６００の上記エミッタ電極、配線基板２００との接合は、例えば、半田付け、超音波接合、レーザー溶接にて行うのが一般的である。
特開平６−０４５５１８号公報特開２００２−３６８１９２号公報特開２００５−０６４４４１号公報

しかし、上述した半導体装置では、配線用端子６００の配置を簡便に変更できないという問題があった。
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、複数の半導体素子を樹脂ケースにより包容した半導体装置の配線用端子の配置を、簡便に変更し得る半導体装置を提供することを目的とする。

上記課題を解決するために、本発明の一態様では、樹脂ケースに固定支持された複数の外部接続用端子と、前記樹脂ケース内に包容された、少なくとも一つの半導体素子と、前記半導体素子と前記外部接続用端子との電気的接続をする少なくとも一つの配線用端子を配設した、少なくとも一つの端子ブロックと、を備えたことを特徴とする半導体装置が提供される。

上記の手段によれば、複数の半導体素子を樹脂ケースにより包容した半導体装置の配線用端子の配置を、簡便に変更し得る半導体装置が実現する。

以下、本実施の形態に係る半導体装置を、図面を参照して詳細に説明する。
＜第１の実施の形態＞
図１は第１の実施の形態に係る半導体装置の要部模式図である。ここで、図（ａ）には、半導体装置の平面模式図が例示され、図（ｂ）には図（ａ）の破線Ｘ−Ｘの位置における断面を矢印の方向に矢視する図が表示されている。尚、図１では、インバータ回路一相分の半導体モジュールの一例が例示されている。

図示する半導体装置１は、板厚が数ミリの金属ベース板１０を基体とし、当該金属ベース板１０上に、錫（Ｓｎ）−銀（Ａｇ）系の鉛フリー半田層（図示しない）を介して絶縁基板２０が接合・搭載されている。そして、絶縁基板２０上層には、パワー半導体素子であるＩＧＢＴ素子３０ａ，３０ｂ、並びにＦＷＤ素子３１ａ，３１ｂを、夫々複数個、実装している。更に、半導体装置１は、上記半導体素子等を樹脂ケース４０によりパッケージングし、所謂、汎用ＩＧＢＴモジュール（パワーモジュール）として機能する。

絶縁基板２０は、絶縁板２０ａと、絶縁板２０ａの下面にＤＣＢ（Direct Copper Bonding）法で形成された金属箔２０ｂと、絶縁板２０ａの上面に同じくＤＣＢ法で形成された金属箔２０ｃを備えている。

更に、夫々の絶縁基板２０の金属箔２０ｃ上には、半田層（図示しない）を介して、少なくとも一つのＩＧＢＴ素子３０ａ，３０ｂがその裏面側（例えば、コレクタ電極側）を金属箔２０ｃ上に接合させた状態にて、搭載されている。

また、ＩＧＢＴ素子３０ａ，３０ｂのコレクタ電極とは反対側の主面、即ち、ＩＧＢＴ素子３０ａ，３０ｂの上面側には、エミッタ電極が配設されている。更に、ＩＧＢＴ素子３０ａ，３０ｂの上面の一部には、制御電極３０ｇが配設されている。そして、制御電極３０ｇは、金属ワイヤ２１を通じて、樹脂ケース４０にインサート成形（封止）されたピン端子（制御用端子）２２の一端に導通している。また、ピン端子２２のもう一方の端は、半導体装置１の上方へ延出され、樹脂ケース４０の上面より高い位置にまで設定されている。

また、ＦＷＤ素子３１ａ，３１ｂにおいては、半田層（図示しない）を介して、カソード側を金属箔２０ｃに接合させた状態にて、金属箔２０ｃ上に搭載されている。そして、ＦＷＤ素子３１ａ，３１ｂの当該カソード側とは反対側の主面、即ち、上面には、アノード側を配置している。

また、ＩＧＢＴ素子３０ａ，３０ｂのエミッタ電極（ＩＧＢＴ素子３０ａ，３０ｂの上面側）とＦＷＤ素子３１ａ，３１ｂのアノード側（ＦＷＤ素子３１ａ，３１ｂの上面側）には、屈曲構造を備えた一体の端子２３ａ，２３ｂが、例えば、半田付け、超音波接合、レーザー溶接、或いはねじ止めの何れかの手段（以下、半田付け等）によって架設されている。これにより、端子２３ａ，２３ｂを通じて、ＩＧＢＴ素子３０ａ，３０ｂのエミッタ電極とＦＷＤ素子３１ａ，３１ｂのアノード側との導通が確保されている。

更に、端子２３ａ，２３ｂは、Ｌ字上に樹脂ケース４０内にパターン形成された金属箔２０ｄにまで延出し、端子２３ａ，２３ｂと金属箔２０ｄとは、半田付け等により電気的に接続されている。

また、ＩＧＢＴ素子３０ａ，３０ｂのコレクタ電極とＦＷＤ素子３１ａ，３１ｂのカソード側は、ＩＧＢＴ素子３０ａ，３０ｂ並びにＦＷＤ素子３１ａ，３１ｂの下地である金属箔２０ｃを通じて互いに導通している。

尚、絶縁板２０ａは、例えば、アルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）焼結体のセラミックで構成され、金属箔２０ｂ，２０ｃ，２０ｄは、銅（Ｃｕ）を主成分とする金属で構成されている。また、端子２３ａ，２３ｂは、例えば、銅（Ｃｕ）またはアルミニウム（Ａｌ）またはこれらの合金を主成分とした材質により構成されている。

また、金属箔２０ｃに搭載する半導体素子においては、上述したＩＧＢＴ素子３０ａ，３０ｂに限らず、パワーＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）を用いてもよい。

また、半導体装置１にあっては、金属ベース板１０の上端縁に、例えば、ＰＰＳ（ポリ・フェニレン・サルファイド）製の樹脂ケース４０が固設されている。また、樹脂ケース４０の一部には、例えば、ＩＧＢＴ素子３０ａ，３０ｂの主電極に導通する外部接続用端子５０，５１，５２，５３，５４，５５がインサート成形されている。

そして、半導体装置１にあっては、外部接続用端子５１が、例えば、インバータ回路の正極入力端子（Ｐ端子）であり、外部接続用端子５４が、インバータ回路の負極入力端子（Ｎ端子）となるように配設されている。そして、これらの外部接続用端子５１，５４は、半導体装置１の外部に設置された直流電源の正極、負極に夫々電気的に接続される。

また、外部接続用端子５３，５５は、インバータ回路の交流出力端子（例えばＵ相）となるように配設されている。
尚、上記はインバータ回路の例で説明したが、当該回路構成は、インバータ回路に限るものではなく、チョッパ回路など他の電力変換回路にも用いることができる。

尚、残りの外部接続用端子５０，５２は、予備端子である。
例えば、外部接続用端子５１には、端子台２４ａの一端が半田付け等により接合されている。更に、当該端子台２４ａのもう一方の端は、半田付け等により金属箔２０ｃに接合されている。

このように、半導体装置１においては、樹脂ケース４０内に固設された外部接続用端子５１と金属箔２０ｃとが、端子台２４ａを通じて電気的に接続している。即ち、外部接続用端子５１は、ＩＧＢＴ素子３０ａのコレクタ電極並びにＦＷＤ素子３１ａのカソード側に導通している。

また、外部接続用端子５４には、端子台２４ｂの一端が半田付け等により接合されている。更に、当該端子台２４ｂのもう一方の端は、半田付け等により金属箔２０ｄに接合されている。

このように、半導体装置１においては、樹脂ケース４０内に固設された外部接続用端子５４と金属箔２０ｄとが、端子台２４ｂを通じて電気的に接続している。即ち、外部接続用端子５４は、ＩＧＢＴ素子３０ｂのエミッタ電極並びにＦＷＤ素子３１ｂのアノード側に導通している。

また、外部接続用端子５３，５５には、Ｕ字状の配線用端子（リードフレーム）６０の端が夫々、半田付け等より接合されている。また、配線用端子６０の中央部は、半田付け等により、端子台２５の上面に接合されている。そして、当該端子台２５の下面は、金属箔２０ｃ，２０ｄに半田付け等により接合されている。

このように、半導体装置１においては、樹脂ケース４０内に固設された外部接続用端子５３，５５に配線用端子６０の端が電気的に接続されている。また、配線用端子６０の中央部が端子台２５を通じて、ＩＧＢＴ素子３０ａのエミッタ電極並びにＦＷＤ素子３１ａのアノード側に電気的に接続されている。更に、配線用端子６０の中央部は、端子台２５を通じて、ＩＧＢＴ素子３０ｂのコレクタ電極並びにＦＷＤ素子３１ｂのカソード側に電気的に接続されている。

また、半導体装置１にあっては、上述した配線用端子６０が樹脂或いはセラミックを主成分とする絶縁板（支持基板）７０に、接着部材（図示しない）を介して、固定されている。そして、絶縁板７０の端には切欠７０ａが設けられ、当該切欠７０ａを樹脂ケース４０内部の端に固設された固定ピン７０ｐに嵌合している。

このような嵌合により、絶縁板７０は、樹脂ケース４０に対し、精度よく位置決めされている。また、当該絶縁板７０には、延出部７０ｃが設けられ、延出部７０ｃを端子台２４ａ，２４ｂ上に載置することにより、絶縁板７０の水平方向における安定性が確実なものになる。

更に、絶縁板７０には、ピン端子２２の側部を受容する切欠７０ｂが設けられ、当該切欠７０ｂがピン端子２２の側部を支持している。
そして、樹脂ケース４０及び金属ベース板１０で取り囲まれた空間には、半導体素子、金属ワイヤ２１等の保護を目的として、封止用樹脂（図示しない）が充填されている。ここで、封止用樹脂の材質は、例えば、ゲルまたはエポキシ樹脂を主成分とする樹脂により構成されている。

また、外部接続用端子５０，５１，５２，５３，５４，５５、配線用端子６０、並びに端子台２４ａ，２４ｂ，２５は、例えば、銅（Ｃｕ）またはアルミニウム（Ａｌ）またはこれらの合金を主成分とした材質により構成されている。

尚、配線用端子６０においては、絶縁板７０に固定するほか、絶縁板７０内にインサート成形してもよい。
また、図１に示した配線用端子６０と絶縁板７０の一体を、端子ブロック（配線ユニット）と称する。

このように、半導体装置１では、樹脂ケース４０に固定支持された複数の外部接続用端子５０，５１，５２，５３，５４，５５と、樹脂ケース４０内に包容された、少なくとも一つの半導体素子（例えば、ＩＧＢＴ素子３０ａ，３０ｂ等）と、当該半導体素子と外部接続用端子５０，５１，５２，５３，５４，５５との電気的接続をする、少なくとも一つの配線用端子６０を配設した、少なくとも一つの端子ブロックと、を備えたことを特徴としている。

次に、このような構造の半導体装置１にもたらされる有利な効果について説明する。
例えば、図２乃至図７は半導体装置の効果を説明するための要部模式図が例示されている。

尚、以下に示す全て実施の形態に係る図では、図１と同一の部材には同一の符号を付し、一度説明した部材の説明の詳細については省略する。
先ず、半導体装置１においては、樹脂ケース４０内での配線用端子６０の引き回しを簡便に実施することができる。

図２には、半導体装置１から配線用端子６０が固定された絶縁板７０を取り除いた半導体装置１ａの状態が例示され、図３には、取り除いた配線用端子６０が固定された絶縁板７０（端子ブロック７０ｂｌ）が例示されている。

例えば、図３に示す端子ブロック７０ｂｌを、図２に示す半導体装置１ａの上方に位置させた後、端子ブロック７０ｂｌを半導体装置１ａに接近させ、半導体装置１ａの固定ピン７０ｐに、端子ブロック７０ｂｌの切欠７０ａを嵌合させる。

これにより、端子ブロック７０ｂｌが樹脂ケース４０に精度よく位置決めされる。また、絶縁板７０の延出部７０ｃが端子台２４ａ，２４ｂ上に接触し、絶縁板７０が、その水平方向において安定する。

また、端子ブロック７０ｂｌの樹脂ケース４０への嵌め込みにより、配線用端子６０の接合部分６０ｃと、外部接続用端子５３の接合部分５３ｃ、外部接続用端子５５の接合部分５５ｃ、並びに端子台２５の接合部分２５ｃとが互いに接触する。また、絶縁板７０の切欠７０ｂがピン端子２２の側部を受容し、ピン端子２２の側部を支持する。

そして、この後においては、配線用端子６０の接合部分６０ｃと、外部接続用端子５３の接合部分５３ｃ、外部接続用端子５５の接合部分５５ｃ、並びに端子台２５の接合部分２５ｃとを半田付け等により接合する。

これにより、樹脂ケース４０内の配線用端子の引き回しを簡便に実施することができる。
また、半導体装置１においては、外部接続用端子５０，５１，５２，５３，５４，５５が樹脂ケース４０内に固定・支持されたとしても、配線用端子６０の配線パターンを変形させた端子ブロック７０ｂｌを、予め数種類、準備することにより、外部接続用端子５０，５１，５２，５３，５４，５５から引き回す配線用端子の配置を自由に変更することができる。

例えば、図４に示す端子ブロック７０ｂｌでは、Ｔ字型の配線用端子６０を絶縁板７０に固着させている。このような端子ブロック７０ｂｌを、図２に示す半導体装置１ａに嵌合させた後、配線用端子６０の接合部分６０ｃと、外部接続用端子５０の接合部分５０ｃ、外部接続用端子５３の接合部分５３ｃ、並びに端子台２５の接合部分２５ｃとを半田付け等により接合する。

このような配線用端子６０の配置により、外部接続用端子５０，５３を交流出力端子とすることができる。
また、図５には、半導体装置１から配線用端子６０が固定された絶縁板７０を取り除いた別の半導体装置の状態が例示されている。ここで、図５では、図２に示す半導体装置１ａの端子台２５を中央で分離させた構造の半導体装置１ｂが例示されている。

このような半導体装置１ｂにも、端子ブロック７０ｂｌを設置することもできる。
例えば、図６に示す端子ブロック７０ｂｌを、半導体装置１ｂに取り付ける場合について説明する。ここで、図６に示す端子ブロック７０ｂｌでは、Ｔ字型の配線用端子６０が絶縁板７０に線対称になるように固定されている。

このような端子ブロック７０ｂｌを、図５に示す半導体装置１ｂに嵌合させた後、配線用端子６０の接合部分６０ｃと、外部接続用端子５０の接合部分５０ｃ、外部接続用端子５２の接合部分５２ｃ、外部接続用端子５３の接合部分５３ｃ、外部接続用端子５５の接合部分５５ｃ、並びに端子台２５の接合部分２５ｃとを半田付け等により接合する。接合した後の半導体装置２の形態を図７に示す。

図７に示すように、半導体装置２では、外部接続用端子５０及び外部接続用端子５３と、外部接続用端子５２及び外部接続用端子５５とで、位相等の異なる２組の交流出力端子を備えている。

このように、本実施の形態においては、交流出力端子の配置を変更し、インバータ回路の相までを簡便に変更することができる。
また、本実施の形態においては、図２または図５に例示した半導体装置１ａ，１ｂの構成までを共通化している。そして、使用者の要望に応じて、種々の形態の端子ブロック７０ｂｌを半導体装置１ａ，１ｂに嵌め込み、外部接続用端子５０，５１，５２，５３，５４，５５と、対応する配線用端子６０とを接合することにより、配線用端子６０の配置を自由に選択することができる。

また、外部接続用端子５０，５１，５２，５３，５４，５５に接続する外部配線の配置においても、使用者側の要望に応じて自由に選択することもできる。
即ち、絶縁板７０に固定された配線用端子６０の形態を変更することにより、外部接続用端子５０，５１，５２，５３，５４，５５の何れかを、正極入力端子とすることもでき、外部接続用端子５０，５１，５２，５３，５４，５５の何れかを、負極入力端子とすることもできる。また、外部接続用端子５０，５１，５２，５３，５４，５５の何れかを、交流出力端子とすることもできる。更に、インバータ回路の相において、必要に応じて、簡便に変更可能である。

また、配線用端子６０の長さ、幅、厚みを調整することにより、配線抵抗、リアクタンス、放熱量等を回路の性能に応じて自由に調整することができる。
また、端子ブロック７０ｂｌを半導体装置１ａ，１ｂから独立させていることから、半導体装置１ａ，１ｂとは別の製造工程にて、配線用端子６０の少なくとも一部に、例えば、その下層からニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）、或いはニッケル（Ｎｉ）、錫（Ｓｎ）等の鍍金を施すことができる。

尚、半導体装置１，２にあっては、半導体装置の更なる小型化、軽量化を図るために、金属ベース板１０を取り除き、絶縁基板２０を半導体装置１の基体とした、所謂金属ベースレス構造であってもよい。

また、絶縁板７０においては、上述した形態に限るものではない。
例えば、図８に第１の実施の形態に係る半導体装置の変形例の要部模式図を示す。尚、この図では、樹脂ケース４０内に配置された半導体素子等が表示されていない。

図示するように、半導体装置３では、樹脂ケース４０内に、外部接続用端子５０，５１，５２の列と、外部接続用端子５３，５４，５５の列とが直角になるように固定・支持されている。そして、複数の配線用端子６０ａ，６０ｂ，６０ｃ，６０ｄがＬ字状の絶縁板７０に接着部材（図示しない）を介して固定されている。

また、絶縁板７０には、切欠７０ａが設けられ、当該切欠７０ａを樹脂ケース４０内に固設された固定ピン７０ｐに嵌合している。そして、配線用端子６０ａ，６０ｂ，６０ｃ，６０ｄの端を、夫々、外部接続用端子５０，５１，５２，５５に半田付け等により接合させている。

このように、複数の配線用端子６０ａ，６０ｂ，６０ｃ，６０ｄの一部を支持したＬ字状の絶縁板７０を、端子ブロックとしてもよい。
＜第２の実施の形態＞
次に、半導体装置１の形態を変形させた、更に別の半導体装置４について説明する。

図９は第２の実施の形態に係る半導体装置の要部模式図である。ここで、図（ａ）には、半導体装置の平面模式図が例示され、図（ｂ）には図（ａ）の破線Ｘ−Ｘの位置における断面を矢印の方向に矢視する図が表示されている。

図示するように、半導体装置４では、配線用端子６０と、当該配線用端子６０の被接合部材である端子台２５との接合部分の外周を包囲するように、絶縁板７０に延出部７０ｗを設けている。

このような延出部７０ｗを絶縁板７０に形成することにより、例えば、配線用端子６０と端子台２５とを半田付け等により接合するときに発する微小な金属片が絶縁板７０並びに延出部７０ｗで囲まれる空間で確実に捕獲される。

従って、このような金属片が生じても、延出部７０ｗの存在により、当該金属片がＩＧＢＴ素子３０ａ，３０ｂ、ＦＷＤ素子３１ａ，３１ｂ、金属箔２０ｃ，２０ｄ等に付着することを回避できる。これにより、半導体素子の劣化、或いは、回路の短絡等が生じることはない。

＜第３の実施の形態＞
次に、半導体装置１の形態を変形させた、更に別の半導体装置５について説明する。
図１０は第３の実施の形態に係る半導体装置の要部模式図である。ここで、図（ａ）には、半導体装置の平面模式図が例示され、図（ｂ）には図（ａ）の破線Ｘ−Ｘの位置における断面を矢印の方向に矢視する図が表示されている。

図示するように、半導体装置５では、金属板８０が絶縁板７０上に選択的に固着・配置されている。また、金属板８０は、延出部８０ａを有し、当該延出部８０ａが端子台２４ｂを通じて、負極入力端子である外部接続用端子５４に電気的に接続されている。

このような構造であれば、金属板８０は、半導体素子等から発せられる電磁波のシールド板として機能し、例えば、半導体装置５は、半導体装置５外に取り付ける制御回路等を安定して作動させることができる。

尚、図１においては、一個の端子ブロック７０ｂｌを取り付けた半導体装置１が例示されている。しかし、端子ブロック７０ｂｌを装着する数においては、この数に限定されるものではない。即ち、複数の端子ブロック７０ｂｌを取り付け、配線用端子６０の立体的な配置を実施してもよい。

また、上述した第１乃至第３の実施の形態は、独立した形態ではなく、少なくとも２つ以上の実施の形態を複合させてもよい。

第１の実施の形態に係る半導体装置の要部模式図である。半導体装置の効果を説明するための要部模式図である（その１）。半導体装置の効果を説明するための要部模式図である（その２）。半導体装置の効果を説明するための要部模式図である（その３）。半導体装置の効果を説明するための要部模式図である（その４）。半導体装置の効果を説明するための要部模式図である（その５）。半導体装置の効果を説明するための要部模式図である（その６）。第１の実施の形態に係る半導体装置の変形例の要部模式図である。第２の実施の形態に係る半導体装置の要部模式図である。第３の実施の形態に係る半導体装置の要部模式図である。パワー半導体素子を樹脂ケース内に封止させた半導体装置の要部模式図である。

符号の説明

１，１ａ，１ｂ，２，３，４，５半導体装置
１０金属ベース板
２０絶縁基板
２０ａ，７０絶縁板
２０ｂ，２０ｃ，２０ｄ金属箔
２１金属ワイヤ
２２ピン端子
２３ａ，２３ｂ端子
２４ａ，２４ｂ，２５端子台
２５ｃ，５０ｃ，５２ｃ，５３ｃ，５５ｃ，６０ｃ接合部分
３０ａ，３０ｂＩＧＢＴ素子
３０ｇ制御電極
３１ａ，３１ｂＦＷＤ素子
４０樹脂ケース
５０，５１，５２，５３，５４，５５外部接続用端子
６０，６０ａ，６０ｂ，６０ｃ，６０ｄ配線用端子
７０ａ，７０ｂ切欠
７０ｂｌ端子ブロック
７０ｃ，７０ｗ，８０ａ延出部
７０ｐ固定ピン
８０金属板

Claims

樹脂ケースに固定支持された複数の外部接続用端子と、
前記樹脂ケース内に包容された、少なくとも一つの半導体素子と、
前記半導体素子と前記外部接続用端子との電気的接続をする少なくとも一つの配線用端子を配設した、少なくとも一つの端子ブロックと、
を備えたことを特徴とする半導体装置。
前記端子ブロックは、少なくとも一つの前記配線用端子と前記配線用端子を支持する支持基板とからなることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
前記端子ブロックに、前記配線用端子と前記配線用端子の被接合部分との接合部外周を包囲する延出部が形成されていることを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置。
前記端子ブロックに、前記半導体素子の制御電極に導通するピン端子を支持する切欠が設けられていることを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の半導体装置。
前記端子ブロックに、シールド層が選択的に配置されていることを特徴とする請求項１乃至４の何れか一項に記載の半導体装置。