JP2009252005A - 不良アドレス変換装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】不良アドレスを有するメモリをそのまま使用でき、事後的に欠陥が発生してもそのメモリを使用できるようにして、冗長メモリを必要としない不良アドレス変換を行う。
【解決手段】DRAM6の不良アドレスが登録され、アクセスされたアドレスがその不良アドレスと一致するときヒット信号を有効にするCAM3と、前記不良アドレスに対応して代替アドレスが登録され、前記ヒット信号が有効のとき前記不良アドレスに対応した代替アドレスが読み出されるRAM4と、前記ヒット信号が無効のとき前記CAM3をアクセスするアドレスを選択し前記ヒット信号が有効のとき前記RAM3から読み出された代替アドレスを選択するセレクタ5とを備える。
【選択図】図1
【解決手段】DRAM6の不良アドレスが登録され、アクセスされたアドレスがその不良アドレスと一致するときヒット信号を有効にするCAM3と、前記不良アドレスに対応して代替アドレスが登録され、前記ヒット信号が有効のとき前記不良アドレスに対応した代替アドレスが読み出されるRAM4と、前記ヒット信号が無効のとき前記CAM3をアクセスするアドレスを選択し前記ヒット信号が有効のとき前記RAM3から読み出された代替アドレスを選択するセレクタ5とを備える。
【選択図】図1
Description
本発明は、半導体チップの内部メモリ、外部メモリに拘わらず、メモリの不良アドレスを管理し、不良アドレスへのアクセスがあった場合に、別アドレス空間へアクセスさせるようにした不良アドレス変換装置に関するものである。
従来から不良メモリへの対策として、ECC(Error Check and Collect)の機能をメモリに持たせることが行われている。これは、メモリからデータを読み出す際に、データの誤りを訂正するために、本来のデータとは別に冗長なデータを付加し、特定ビット数まのでエラーのチェックとその復元を可能にするものである。
ところが、このECCはメモリに冗長ビットを付加するので、ハードウエアとしてのコストが高くなる問題と、ECCでは訂正できるビット数に上限があるため特定のアドレスのデータの大半の損失が発生すると、対応が不可能になる問題がある。
そこで、メモリの1ブロックに欠陥が発見されたとき、この欠陥ブロックを冗長ブロックに置き換える手法が提案されている(特許文献1)。これは、CAMセットを用意して、特定のメモリブロックに欠陥が発見され、それを冗長ブロックに置換する必要があるとき、当該メモリブロックのアドレスと冗長ブロックのアドレスをCAMセットに蓄積して、アドレス変換を行うものである。
特開2004−342282号公報
ところが、上記特許文献1に記載の手法は、特別に冗長ブロックが必要になり、回路規模が大きくなり、さらにハードウエアのコストが高くなる問題がある。
本発明の目的は、不良アドレスを有するメモリをそのまま使用でき、事後的に欠陥が発生してもそのメモリを使用できるようにして、冗長メモリを必要としない不良アドレス変換装置を提供することである。
上記目的を達成するために、請求項1にかかる発明は、メモリの不良アドレスが登録され、アクセスされたアドレスが前記不良アドレスと一致するときヒット信号を有効にするCAMと、前記不良アドレスに対応して代替アドレスが登録され、前記ヒット信号が有効のとき前記不良アドレスに対応した代替アドレスが読み出されるRAMと、前記ヒット信号が無効のとき前記CAMをアクセスするアドレスを選択し、前記ヒット信号が有効のとき前記RAMから読み出された代替アドレスを選択するセレクタと、を備えることを特徴とする。
請求項2にかかる発明は、メモリの不良アドレスのインデックスビットに対応するインデックスのブロックに前記不良アドレスのノンインデックスビットが登録されるタグRAMと、アクセスされたアドレスのインデックスによって前記タグRAMから読み出されたノンインデックスビットが前記アクセスされたアドレスのノンインデックスビットと一致するときヒット信号を有効にする比較器と、前記タグRAMのインデックスと同一インデックスに代替アドレスが登録され、アクセスされたアドレスのインデックスに応じて代替アドレスが読み出されるデータRAMと、前記ヒット信号が無効のとき前記アクセスされたアドレスを選択し、前記ヒット信号が有効のとき前記データRAMから読み出された代替アドレスを選択するセレクタと、を備えることを特徴とする。
請求項3にかかる発明は、請求項2に記載の不良アドレス変換装置において、前記タグRAMは、不良アドレス用フラグとキャッシュ用フラグを備え、前記インデックスのブロックに、前記不良アドレスのノンインデックスビットが登録されたときは不良アドレス用フラグが有効となり、キャッシュされたデータのアドレスのノンインデックスビットが登録されるときはキャッシュ用フラグが有効となり、前記データRAMは、前記インデックスのブロックに前記代替アドレス又はキャッシュデータが登録され、アクセスされたアドレスのインデックスビットが、前記不良アドレス用フラグが有効なインデックスと一致し、且つ前記ヒット信号が有効なときは、前記データRAMから読み出された前記代替アドレスが前記セレクタから出力され、アクセスされたアドレスのインデックスビットが、前記キャッシュ用フラグが有効なインデックスと一致し、且つ前記ヒット信号が有効なときは、前記データRAMからキャッシュデータが読み出される、ことを特徴とする。
請求項4にかかる発明は、請求項3に記載の不良アドレス変換装置において、前記タグRAMは、さらに代替キャッシュ用フラグを備え、前記インデックスのブロックに、前記代替アドレスでキャッシュされた不良アドレスのノンインデックスビットが登録されたときは該代替キャッシュ用フラグが有効となり、前記データRAMは、前記インデックスのブロックにさらに前記代替アドレスでキャッシュされたキャッシュデータが登録され、アクセスされたアドレスのインデックスビットが、前記キャッシュ用フラグと前記代替キャッシュ用フラグが有効なインデックスと一致し、且つ前記ヒット信号が有効なときは、前記データRAMから前記代替アドレスでキャッシュされたキャッシュデータが読み出される、ことを特徴とする。
請求項2にかかる発明は、メモリの不良アドレスのインデックスビットに対応するインデックスのブロックに前記不良アドレスのノンインデックスビットが登録されるタグRAMと、アクセスされたアドレスのインデックスによって前記タグRAMから読み出されたノンインデックスビットが前記アクセスされたアドレスのノンインデックスビットと一致するときヒット信号を有効にする比較器と、前記タグRAMのインデックスと同一インデックスに代替アドレスが登録され、アクセスされたアドレスのインデックスに応じて代替アドレスが読み出されるデータRAMと、前記ヒット信号が無効のとき前記アクセスされたアドレスを選択し、前記ヒット信号が有効のとき前記データRAMから読み出された代替アドレスを選択するセレクタと、を備えることを特徴とする。
請求項3にかかる発明は、請求項2に記載の不良アドレス変換装置において、前記タグRAMは、不良アドレス用フラグとキャッシュ用フラグを備え、前記インデックスのブロックに、前記不良アドレスのノンインデックスビットが登録されたときは不良アドレス用フラグが有効となり、キャッシュされたデータのアドレスのノンインデックスビットが登録されるときはキャッシュ用フラグが有効となり、前記データRAMは、前記インデックスのブロックに前記代替アドレス又はキャッシュデータが登録され、アクセスされたアドレスのインデックスビットが、前記不良アドレス用フラグが有効なインデックスと一致し、且つ前記ヒット信号が有効なときは、前記データRAMから読み出された前記代替アドレスが前記セレクタから出力され、アクセスされたアドレスのインデックスビットが、前記キャッシュ用フラグが有効なインデックスと一致し、且つ前記ヒット信号が有効なときは、前記データRAMからキャッシュデータが読み出される、ことを特徴とする。
請求項4にかかる発明は、請求項3に記載の不良アドレス変換装置において、前記タグRAMは、さらに代替キャッシュ用フラグを備え、前記インデックスのブロックに、前記代替アドレスでキャッシュされた不良アドレスのノンインデックスビットが登録されたときは該代替キャッシュ用フラグが有効となり、前記データRAMは、前記インデックスのブロックにさらに前記代替アドレスでキャッシュされたキャッシュデータが登録され、アクセスされたアドレスのインデックスビットが、前記キャッシュ用フラグと前記代替キャッシュ用フラグが有効なインデックスと一致し、且つ前記ヒット信号が有効なときは、前記データRAMから前記代替アドレスでキャッシュされたキャッシュデータが読み出される、ことを特徴とする。
本発明の不良アドレス変換装置によれば、チップ検査でチップ内メモリに不良アドレスが発見されても、その代替アドレスを当該チップ内メモリに持たせることが可能になるため、予め冗長ブロック等を用意する必要はなく、チップをそのまま使用でき、チップの歩留まりが向上する。また、システム化された製品基板上のメモリに不良アドレスが発見されたときでも、その不良アドレスを当該メモリ内の別アドレスで代替できるので、当該不良メモリをそのまま使用でき、コストダウンが可能となる。さらに、製品完成の後に経年変化等でメモリに不良アドレスが発生した場合であっても、システム不良を招くことなく、そのメモリの使用を継続することができる。さらに、ECCでは対応できないような多ビットの不良に対しても、対応できる利点がある。さらに、本発明の不良アドレス変換装置自体は簡単な構成であり、チップ内に予め存在するキャッシュとの兼用も可能であり、装備のためのコストは僅かで済む。
<第1の実施例>
図1は本発明の第1の実施例の不良アドレス変換装置の構成を示す図である。1はCPU、2はこのCPU1に接続されるアドレスバス、3は不良アドレスの変換テーブルが登録されるCAM、4は代替アドレスが登録されるRAM、5はCAM3がヒット信号を「0」にすれば入力「0」側を選択し、ヒット信号を「1」にすれば入力「1」側を選択するセレクタ、6はCPU1によってアクセスされるDRAMである。
図1は本発明の第1の実施例の不良アドレス変換装置の構成を示す図である。1はCPU、2はこのCPU1に接続されるアドレスバス、3は不良アドレスの変換テーブルが登録されるCAM、4は代替アドレスが登録されるRAM、5はCAM3がヒット信号を「0」にすれば入力「0」側を選択し、ヒット信号を「1」にすれば入力「1」側を選択するセレクタ、6はCPU1によってアクセスされるDRAMである。
さて、本実施例では、システムスタート時あるいは定期的に、DRAM6のメモリチェックが行われ、そのDRAM6内のメモリ素子に不良が発見されたときは、当該不良素子をアクセスする例えばワード単位のアドレス(不良アドレス)がCAM3に登録され、変換テーブルが作成される。一方、RAM4には、DRAM6の通常使用しない部分の良品メモリ素子のアドレスが、例えばワード単位の代替アドレスとして予め複数個登録されていて、CAM3の変換テーブルの被参照側との対応が取られている。
いま、CAM3にDRAM6の不良アドレスとして、N個のADR_F(0)〜ADR_F(N-1)が登録されていて、それら不良アドレスADR_F(0)〜ADR_F(N-1)の代替アドレスとしてRAM4に同様にN個のアドレスADR_R(0)〜ADR_R(N-1)が登録されているとする。
CPU1がDRAM6をアクセスするアドレスADR_Aが、CAM3に登録されていないアドレスであるときは、サーチされてもCAM3からのヒット信号は「0」であるので、セレクタ5は入力「0」側を選択し、DRAM6は当該アドレスADR_Aによって直接アクセスされる。
一方、CPU1からアクセスされるアドレスADR_Aが、例えばADR_F(i)であるとき、CAM3にはそのアドレスADR_F(i)が不良アドレスとして登録されているので、そのCAM3はヒット信号を「1」にするとともに、CAM3の変換テーブルによってRAM4がアクセスされ、当該不良アドレスADR_F(i)の代替アドレスADR_R(i)が出力する。このとき、セレクタ5はCAM3からヒット信号が「1」となっているので、入力「1」側を選択し、その代替アドレスADR_R(i)をDRAM6に入力させる。よって、DRAM6は不良メモリ素子を含む不良アドレスADR_F(i)に代えて、代替アドレスADR_R(i)のメモリ素子がアクセスされ、そこにデータが書き込まれる。
<第2の実施例>
図2は本発明の第2の実施例の不良アドレス変換装置の構成を示す図である。図1で示したものと同じものには同じ符号を付けた。7は不良アドレスが登録されるM枚のタグRAM、8は代替アドレスが登録されるM枚のデータRAM、9は比較器である。2Aはアドレスバス2のうちの下位数ビット(インデックスビット)のアドレスバス、2Bは残り上位ビット(ノンインデックスビット)のアドレスバスである。
図2は本発明の第2の実施例の不良アドレス変換装置の構成を示す図である。図1で示したものと同じものには同じ符号を付けた。7は不良アドレスが登録されるM枚のタグRAM、8は代替アドレスが登録されるM枚のデータRAM、9は比較器である。2Aはアドレスバス2のうちの下位数ビット(インデックスビット)のアドレスバス、2Bは残り上位ビット(ノンインデックスビット)のアドレスバスである。
M枚のタグRAM7は、インデックスで識別される複数ブロックをそれぞれ備え、不良アドレスは、当該不良アドレスの下位数ビット(インデックスビット)で特定されるインデックスのブロックに、当該不良アドレスの残り上位ビット(ノンインデックスビット)が格納される。すなわち、不良アドレスが例えば「10110111」であるときは、タグRAM7のインデックスが「111」(不良アドレスの下位3ビットと同じ)のブロックに、不良アドレスの上位5ビットである「10110」が登録される。そして、当該インデックスの有効フラグVが「1」にセットされ、有効を示す。このタグRAM7はM枚が用意されるので、同一インデックスであっても、つまりインデックスビットが同一の不良アドレスがM個存在しても、それを全部登録することができる。
M枚のデータRAM8の各RAMは、前記M枚のタグRAM7の各RAMに対応しており、タグRAM7と同じインデックスのブロックに、代替アドレスが登録される。すなわち、上記のように、不良アドレスが例えば「10110111」であり、1枚目のタグRAM7のインデックスが「111」のブロックに「10110」が登録されるときは、1枚目のデータRAM8のインデックスが「111」のブロックに、代替アドレスが、例えば「00110101」として登録される。
比較器9は、タグRAM7から読み出されたノンインデックスビットと、CPU1から出力するアドレスADR_Aのノンインデックスビットとを比較し、両者が一致するときにヒット信号を「1」にする。
以上のようにして、タグRAM7には、DRAM6の最大でN×M個の不良アドレスの上位数ビット(ノンンデックスビット)がそのインデックスのブロックに登録され、データRAM8の対応するインデックスのブロックには、それら不良アドレスの代替アドレスが登録される。このときは、タグRAM7の登録されたインデックスは、そのフラグVが「1」にセットされる。
さて、CPU1がDRAM6のアドレスADR_Aをアクセスするとき、そのアドレスADR_Aのインデックスビットと同じインデックスによって、タグRAM7から取り出されたノンインデックスビットが、アドレスADR_Aのノンインデックスビットと一致しないときは、比較器9はヒット信号を「0」にする。よって、このときは、セレクタ5は入力「0」側を選択し、DRAM6は当該アドレスによって直接アクセスされる。
一方、CPU1がDRAM6をアクセスするアドレスADR_Aが、不良アドレスADR_F(i)のとき、タグRAM7にはその不良アドレスADR_F(i)のインデックスビットと同じビットのADDR_F(i)が登録されているので、比較器9はヒット信号を「1」にするとともに、データRAM8の当該インデックスのブロックの代替アドレスADR_R(i)がアクセスされ、出力する。このとき、セレクタ5は比較器9からのヒット信号が「1」になっているので、入力「1」側を選択し、その代替アドレスADR_R(i)によってDRAM6がアクセスされ、そこにデータが書き込まれる。
<第3の実施例>
図3は本発明の第3の実施例の不良アドレス変換装置の構成を示す図である。図1および図2で示したものと同じものには同じ符号を付けた。10はキャッシュ用タグとして使用され且つ不良アドレスが登録されるM枚のタグRAM、11はキャッシュ用データが格納され且つ代替アドレスが登録されるM枚のデータRAMである。すなわち、本実施例は、CPUの一般的なキャッシュを不良アドレス変換用に兼用させるものである。
図3は本発明の第3の実施例の不良アドレス変換装置の構成を示す図である。図1および図2で示したものと同じものには同じ符号を付けた。10はキャッシュ用タグとして使用され且つ不良アドレスが登録されるM枚のタグRAM、11はキャッシュ用データが格納され且つ代替アドレスが登録されるM枚のデータRAMである。すなわち、本実施例は、CPUの一般的なキャッシュを不良アドレス変換用に兼用させるものである。
M枚のタグRAM10は、図2のタグRAM7と同様に、インデックスで識別される複数ブロックを備え、不良アドレスは当該不良アドレスのインデックスビットで特定されるインデックスのブロックに、当該不良アドレスのノンインデックスビットが格納される。ただし、このタグRAM10には、各インデックスに、有効フラグVの他に、キャッシュ用フラグDと不良アドレス用フラグFが追加されている。各フラグV,D,Fはそのビットが「1」のとき有効、「0」のとき無効を表す。
M枚のデータRAM11は、前記タグRAM10と同じインデックスのブロックに、キャッシュデータあるいは代替アドレスが登録される。
本実施例では、キャッシュの初期化の後にDRAM6のメモリチェックを行い、不良アドレスが発見されると、当該不良アドレスの下位数ビットをインデックスビットと同じタグRAM10のインデックスのブロックに、当該不良アドレスの上位数ビットをノンインデックスとして登録し、当該インデックスのフラグV,Fを「1」に、Dを「0」にセットし、これにより特定枚数目の当該インデックスを不良アドレス変換用とする。また、データRAM11の同じインデックスのブロックには、代替アドレスを登録する。
以上のようにして、タグRAM10の所定のインデックスのブロックには、DRAM6の不良アドレスADR_F(i)のノンンデックスビットが、ADDR_F(i)として登録されていて、データRAM11には、その不良アドレスADR_F(i)の代替アドレスADR_R(i)が登録されているとする。
さて、CPU1がDRAM6のアドレスADR_Aをアクセスするとき、そのアドレスADR_AのインデックスビットでアクセスされたタグRAM10のインデックスのフラグFが「0」のときは、比較器9からのヒット信号は「0」であり、セレクタ5は入力「0」側を選択するので、DRAM6が直接アクセスされる。このとき、DRAM6が読み出しモードの場合は、当該アドレスADR_Aによってデータが読み出されてデータバス12からCPU1に取り込まれる。また、この読み出されたデータは、データRAM11の当該インデックスのブロックに書き込まれるとともに、タグRAM10の当該インデックスのブロックに、アドレスADR_Aのノンインデックスビットが登録され、さらに、当該インデックスのフラグV,Dが「1」にセットされる。フラグFは「0」のままである。
この後、CPU1が同一のアドレスADR_Aをアクセスすると、そのアドレスADR_Aのインデックスビットにより、タグRAM10からそのアドレスADR_Aのノンインデックスビットが読み出されるので、比較器9からのヒット信号が「1」となる。このとき、タグRAM10のアクセスされたインデックスのフラグV、Dが「1」でFが「0」であるので、DRAM6の読み出しは行われず、データRAM11の同一インデックスのブロックに登録されているデータがそこから読み出され、データバス12に転送される。つまり、キャッシュ動作が行われる。
一方、CPU1がDRAM6をアクセスするアドレスADR_Aが、不良アドレスADR_F(i)のとき、タグRAM10には、その不良アドレスADR_F(i)のインデックスビットと同じインデックスのブロックにその不良アドレスADR_F(i)のノンインデックスビットと同じADDR_F(i)が登録されているので、比較器9はヒット信号を「1」にするとともに、データRAM11の当該インデックスのブロックから代替アドレスADR_R(i)が出力する。このとき、比較器9のヒット信号が「1」であるので、セレクタ5は入力「1」側を選択し、その代替アドレスADR_R(i)でDRAM6がアクセスされ、そこにデータが書き込まれる。
このように、本実施例では、通常ではキャッシュ用として使用されるタグRAM10が、不良アドレス用として使用されるときは、その不良アドレスのインデックスビットに一致するインデックスの不良アドレス用フラグFが「1」にセットされ、キャッシュ用としては使用できなくなるが、不良アドレス変換用装置を構成する要素として特別のメモリを用意する必要がない利点がある。
<第4の実施例>
図4は本発明の第4の実施例の不良アドレス変換装置の構成を示す図である。図3で示したものと同じものには同じ符号を付けた。13はキャッシュ用タグとして使用され且つ不良アドレスが登録されるM枚のタグRAMである。本実施例では、データRAM11に、通常のキャッシュデータ、代替アドレス、および代替アドレスでアクセスされたキャッシュデータを登録可能とする。このために、データRAM11の特定のインデックスに格納されているデータが、代替アドレスでアクセスされたキャッシュデータであることを示す代替キャッシュ用フラグCを、タグRAM13の当該インデックスに追加する。
図4は本発明の第4の実施例の不良アドレス変換装置の構成を示す図である。図3で示したものと同じものには同じ符号を付けた。13はキャッシュ用タグとして使用され且つ不良アドレスが登録されるM枚のタグRAMである。本実施例では、データRAM11に、通常のキャッシュデータ、代替アドレス、および代替アドレスでアクセスされたキャッシュデータを登録可能とする。このために、データRAM11の特定のインデックスに格納されているデータが、代替アドレスでアクセスされたキャッシュデータであることを示す代替キャッシュ用フラグCを、タグRAM13の当該インデックスに追加する。
本実施例では、通常のキャッシュ動作と不良アドレスの変換動作は、図3で説明した実施例の動作と同じである。ただ、この図3の実施例では、代替アドレスでDRAM6をアクセスして読み出したデータについては、キャッシュが出来なかった。
そこで、本実施例では、代替アドレスでアクセスされることでDRAM6からデータが一度読み出されると、そのデータがキャッシュデータとしてデータRAM11に格納されようにした。つまり、CPU1からDRAM6に対して本来のアドレスADR_Aでアクセスすると、タグRAM13とデータRAM11とによって、DRAM6が代替アドレスによってアクセスされ、その代替アドレスに書き込まれているデータが読み出される。このデータは、CPU1に取り込まれるとともに、データRAM11に登録されるキャッシュ登録動作が行われる。
このキャッシュ動作では、タグRAM13のM枚のRAMの内のフラグC,F,D,Vが「0」で、且つアドレスADR_Aのインデックスビットと同じインデックスが検索されて、一致したインデックスの内の1つのブロックにアドレスADR_Aのノンインデックスビットが登録され、データRAM11のM枚のRAMの内の対応するインデックスのブロックに、前記DRAM6から読み出されたデータが格納される。そして、タグRAM13の当該インデックスのフラグC,Vが「1」にセットされる。
この後、CPU1がアドレスADR_Aをアクセスすると、そのアドレスのインデックスビットにより、タグRAM10からそのアドレスADR_Aのノンインデックスビットが読み出されるので、比較器9からのヒット信号が「1」になる。このとき、タグRAM13のアクセスされたインデックスのフラグC,Vが「1」、D,Fが「0」であるので、DRAM6からの読み出しは行われず、データRAM11の同一インデックスのブロックに登録されているデータがそこから読み出され、データバス12に転送されるキャッシュ読み出し動作が行われる。
<その他の実施例>
なお、RAM4、データRAM8,11等に登録する代替アドレスは、必ずしもDRAM6のメモリ素子をアクセスするアドレスに限られるものではなく、別の記憶装置をアクセスするアドレスであってもよい。つまり、代替アドレスには、不良アドレスが存在するメモリ内のアドレスを割り当てるのが効率的であるが、これに限られず、別のメモリのアドレスを当てても良い。また、アドレスのインデックスビットは、アドレスの下位数ビットに限られず、他の部分をインデックスビットとしてもよく、このときは、残りビット部分が、ノンインデックスビットとなる。さらに、第1の実施例の不良アドレス変換装置(CAM3、RAM4、セレクタ5)および第2の実施例の不良アドレス変換装置(セレクタ5、タグRAM7、データRAM8、比較器9)は、キャッシュ無しのCPUの間近くに限られず、レベル1キャッシュの外側に、さらにはレベル2、3、・・・のキャッシュの外側に設けても良い。第3の実施例の不良アドレス変換装置(セレクタ5、比較器9、タグRAM10、データRAM11)と第4の実施例の不良アドレス変換装置(セレクタ5、比較器9、タグRAM13、データRAM11)は、どのレベルのキャッシュとも兼用することができる。
なお、RAM4、データRAM8,11等に登録する代替アドレスは、必ずしもDRAM6のメモリ素子をアクセスするアドレスに限られるものではなく、別の記憶装置をアクセスするアドレスであってもよい。つまり、代替アドレスには、不良アドレスが存在するメモリ内のアドレスを割り当てるのが効率的であるが、これに限られず、別のメモリのアドレスを当てても良い。また、アドレスのインデックスビットは、アドレスの下位数ビットに限られず、他の部分をインデックスビットとしてもよく、このときは、残りビット部分が、ノンインデックスビットとなる。さらに、第1の実施例の不良アドレス変換装置(CAM3、RAM4、セレクタ5)および第2の実施例の不良アドレス変換装置(セレクタ5、タグRAM7、データRAM8、比較器9)は、キャッシュ無しのCPUの間近くに限られず、レベル1キャッシュの外側に、さらにはレベル2、3、・・・のキャッシュの外側に設けても良い。第3の実施例の不良アドレス変換装置(セレクタ5、比較器9、タグRAM10、データRAM11)と第4の実施例の不良アドレス変換装置(セレクタ5、比較器9、タグRAM13、データRAM11)は、どのレベルのキャッシュとも兼用することができる。
1:CPU、2:アドレスバス、2A:アドレスバス2のインデックスビット分、2B:アドレスバス2のノンインデックスビット分、3:CAM、4:RAM、5:セレクタ、6:DRAM、7:タグRAM、8:データRAM、9:比較器、10:タグRAM、11:データRAM、12:データバス、13:タグRAM。
Claims (4)
- メモリの不良アドレスが登録され、アクセスされたアドレスが前記不良アドレスと一致するときヒット信号を有効にするCAMと、
前記不良アドレスに対応して代替アドレスが登録され、前記ヒット信号が有効のとき前記不良アドレスに対応した代替アドレスが読み出されるRAMと、
前記ヒット信号が無効のとき前記CAMをアクセスするアドレスを選択し、前記ヒット信号が有効のとき前記RAMから読み出された代替アドレスを選択するセレクタと、
を備えることを特徴とする不良アドレス変換装置。 - メモリの不良アドレスのインデックスビットに対応するインデックスのブロックに前記不良アドレスのノンインデックスビットが登録されるタグRAMと、
アクセスされたアドレスのインデックスによって前記タグRAMから読み出されたノンインデックスビットが前記アクセスされたアドレスのノンインデックスビットと一致するときヒット信号を有効にする比較器と、
前記タグRAMのインデックスと同一インデックスに代替アドレスが登録され、アクセスされたアドレスのインデックスに応じて代替アドレスが読み出されるデータRAMと、
前記ヒット信号が無効のとき前記アクセスされたアドレスを選択し、前記ヒット信号が有効のとき前記データRAMから読み出された代替アドレスを選択するセレクタと、
を備えることを特徴とする不良アドレス変換装置。 - 請求項2に記載の不良アドレス変換装置において、
前記タグRAMは、不良アドレス用フラグとキャッシュ用フラグを備え、前記インデックスのブロックに、前記不良アドレスのノンインデックスビットが登録されたときは不良アドレス用フラグが有効となり、キャッシュされたデータのアドレスのノンインデックスビットが登録されるときはキャッシュ用フラグが有効となり、
前記データRAMは、前記インデックスのブロックに前記代替アドレス又はキャッシュデータが登録され、
アクセスされたアドレスのインデックスビットが、前記不良アドレス用フラグが有効なインデックスと一致し、且つ前記ヒット信号が有効なときは、前記データRAMから読み出された前記代替アドレスが前記セレクタから出力され、
アクセスされたアドレスのインデックスビットが、前記キャッシュ用フラグが有効なインデックスと一致し、且つ前記ヒット信号が有効なときは、前記データRAMからキャッシュデータが読み出される、
ことを特徴とする不良アドレス変換装置。 - 請求項3に記載の不良アドレス変換装置において、
前記タグRAMは、さらに代替キャッシュ用フラグを備え、前記インデックスのブロックに、前記代替アドレスでキャッシュされた不良アドレスのノンインデックスビットが登録されたときは該代替キャッシュ用フラグが有効となり、
前記データRAMは、前記インデックスのブロックにさらに前記代替アドレスでキャッシュされたキャッシュデータが登録され、
アクセスされたアドレスのインデックスビットが、前記キャッシュ用フラグと前記代替キャッシュ用フラグが有効なインデックスと一致し、且つ前記ヒット信号が有効なときは、前記データRAMから前記代替アドレスでキャッシュされたキャッシュデータが読み出される、
ことを特徴とする不良アドレス変換装置。
Priority Applications (1)
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| JP2008100192A JP2009252005A (ja) | 2008-04-08 | 2008-04-08 | 不良アドレス変換装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2008100192A JP2009252005A (ja) | 2008-04-08 | 2008-04-08 | 不良アドレス変換装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2009252005A true JP2009252005A (ja) | 2009-10-29 |
Family
ID=41312643
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2008100192A Withdrawn JP2009252005A (ja) | 2008-04-08 | 2008-04-08 | 不良アドレス変換装置 |
Country Status (1)
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|---|---|
| JP (1) | JP2009252005A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20170093211A (ko) * | 2014-12-31 | 2017-08-14 | 후아웨이 테크놀러지 컴퍼니 리미티드 | 메모리 액세스 방법, 저장-클래스 메모리, 및 컴퓨터 시스템 |
-
2008
- 2008-04-08 JP JP2008100192A patent/JP2009252005A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20170093211A (ko) * | 2014-12-31 | 2017-08-14 | 후아웨이 테크놀러지 컴퍼니 리미티드 | 메모리 액세스 방법, 저장-클래스 메모리, 및 컴퓨터 시스템 |
| JP2018500695A (ja) * | 2014-12-31 | 2018-01-11 | 華為技術有限公司Huawei Technologies Co.,Ltd. | メモリアクセス方法、ストレージクラスメモリ、およびコンピュータシステム |
| US10223273B2 (en) | 2014-12-31 | 2019-03-05 | Huawei Technologies Co., Ltd. | Memory access method, storage-class memory, and computer system |
| KR101968433B1 (ko) * | 2014-12-31 | 2019-04-11 | 후아웨이 테크놀러지 컴퍼니 리미티드 | 메모리 액세스 방법, 저장-클래스 메모리, 및 컴퓨터 시스템 |
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