JP2010141050A - 太陽電池用リード線およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】太陽電池を薄板化した場合でもリード線の接合時にシリコンセルの反りもしくは破損が生じにくく、かつ、屈曲疲労特性に優れる太陽電池用リード線を提供する。
【解決手段】平角状に形成された導体、あるいは前記導体の表面の一部又は全部にはんだめっきが被覆された太陽電池用リード線において、前記導体の引張り試験における0.2%耐力値が、30MPa以上、90MPa以下であり、かつ前記導体の結晶粒径が6μm以上、20μm以下である太陽電池用リード線13である。
【選択図】図1
Description
本発明は、太陽電池用リード線およびその製造方法に係り、特に、太陽電池のシリコンセルとはんだ接続するのに好適な太陽電池用リード線およびその製造方法に関するものである。
基板上にシリコン結晶を成長させた太陽電池50においては、図3に示すように、通常、シリコン結晶ウェハ(シリコンセル)51の所定の領域に接続用リード線53を接合し、これを通じて電力を伝送する構成としている。
上記接続用リード線53は、平角導体の表面に、シリコンセルとの接続のためのはんだめっき膜が形成される。例えば、図4に示すように、平角導体52としてタフピッチ銅や無酸素銅などの純銅を用い、その外側に形成されたはんだめっき膜54として、Sn−Pb共晶はんだを用いたものがある(例えば、特許文献1参照)。
また、近年、環境への配慮から、はんだめっき膜54の構成材として、Pbを含まないはんだ(Pbフリーはんだ)への切り替えが検討されている(例えば、特許文献2参照)。
ところで、太陽電池50を構成する部材のうち、シリコン結晶ウェハ51が材料コストの大半を占めていることから、製造コストの低減を図るべくシリコン結晶ウェハ51の薄板化が検討されている。しかし、シリコン結晶ウェハ51を薄板化すると、接続用リード線53のはんだ接合時における加熱プロセスや、太陽電池使用時における温度変化により、図5(a)に示すように、はんだ接続前は、フラットであったシリコンセル51及び接続用リード線53が、図5(b)に示すように、はんだ接続後にはんだめっき55を介して接続したシリコンセル51と接続用リード線53が反ったり、破損したりするおそれがあった。このため、これに対処すべく、接続用リード線53として、シリコンセル51を薄板化した場合でも接続用リード線の接合時にシリコンセル51の反りもしくは破損が生じにくい(0.2%耐力の低い)太陽電池用リード線への切り替えが検討されている(例えば、特許文献3参照)。
0.2%耐力の低い太陽電池用リード線を用いると、従来のリード線を用いた場合と比べて、リード線が塑性変形しやすく、はんだ接合時の熱応力を小さくできるので、シリコンセルと接続用リード線が反ったり、破損したりするおそれが低減する。
しかしながら、リード線の0.2%耐力を小さくする為に結晶粒を大きくし過ぎると、変形に伴う亀裂発生が起こりやすく、発生した亀裂の拡大と応力集中により、容易に疲労破壊が生じる問題があった。
すなわち、太陽電池モジュールとして製造した後でも、設置後にモジュールに機械的なストレスが繰り返し加わることで、シリコンセルの間ではんだめっき線がL字型に曲げられている部分、すなわちシリコンセル同士を接続する部分で、破断が生じることがあった。
従って、本発明の目的は、太陽電池を薄板化した場合でもリード線の接合時にシリコンセルの反りもしくは破損が生じにくく、かつ、屈曲疲労特性に優れる太陽電池用リード線を提供することにある。
また、本発明の他の目的は、導電率が良好な太陽電池用リード線を提供することにある。
更に、本発明の他の目的は、製造コストの上昇を抑えることが可能な太陽電池用リード線の製造方法を提供することにある。
上記目的を達成するために本発明は、平角状に形成された導体、あるいは前記導体の表面の一部又は全部にはんだめっきが被覆された太陽電池用リード線において、前記導体の引張り試験における0.2%耐力値が、30MPa以上、90MPa以下であり、かつ前記導体の結晶粒径が6μm以上、20μm以下である太陽電池用リード線が提供される。
好ましくは前記導体の体積抵抗率を50μΩ・mm以下とする。また、好ましくは、前記はんだめっきが、Sn系はんだ、または第2成分としてPb、In、Bi、Sb、Ag、Zn、Ni、Cuから選択される少なくとも1種の元素を0.1wt%以上含むSn系合金はんだとする。また、好ましくは、前記導体が、Al、Ag、およびAuからなる群から選ばれた1種とする。また、好ましくは前記導体が、タフピッチCu、無酸素Cu、リン脱酸Cu、および高純度Cu(99.9999%以上)からなる群から選ばれた1種とする。
また本発明は、導体を圧延またはスリット加工によって平角状断面に成形し、前記平角状断面に形成された導体に熱処理を施して、前記導体の引張り試験における0.2%耐力値を、30MPa以上、90MPa以下とし、かつ前記導体の結晶粒径を6μm以上、20μm以下とし、さらに前記導体の表面の一部又は全部にはんだめっきを被覆した太陽電池用リード線の製造方法が提供される。
好ましくは、前記導体を、その体積抵抗率が50μΩ・mm以下とする。また、好ましくは前記熱処理の条件を、温度450〜1000℃で、かつ時間5秒〜60秒とする。また、好ましくは前記導体がCu、Al、Ag、およびAuからなる群から選ばれた1種とする。
本発明によれば、次のような優れた効果を発揮する。
(1)太陽電池を薄板化した場合でも接続用リード線の接合時に太陽電池の反りもしくは破損が生じにくく、かつ屈曲疲労特性に優れる太陽電池用リード線とすることができる。
(2)導電率が良好な太陽電池用リード線とすることができる。
(3)熱処理の際に材料間に粘着が発生せず、かつ製造コストの上昇を抑えることができる太陽電池用リード線の製造方法を提供することができる。
以下、本発明の好適な一実施の形態を添付図面に基づいて詳述する。
先ず本発明の太陽電池用リード線は、太陽電池用導体の表面の一部又は全部にはんだめっき膜が被覆されたものをいう。
図1、図2は、本発明の太陽電池用リード線13を用いた太陽電池10を示し、特に複数のシリコンセル11を太陽電池用リード線13で接続してモジュール化した太陽電池10を示し、図1は平面図、図2は正面図を示したものである。
図1、図2において、シリコンセル11を接続する太陽電池用リード線13は、詳細断面は図示していないが、図4の従来例で説明したように平角導体からなる太陽電池用導体の表面の一部又は全部にはんだめっき膜を形成してなるものである。
この太陽電池用リード線13は、はんだめっき(図示せず)を介してシリコンセル11に接続される。この際、シリコンセル11を直列に接続してモジュール化するために、一の太陽電池用リード線13aは、並設したシリコンセル11、11の幅と同じ長さになるように形成される。この太陽電池用リード線13aは、一方のシリコンセル11の表面に接続され、途中がシリコンセル11、11間でL字上に折り曲げられて、他方のシリコンセル11の裏面に接続される。また、他の太陽電池用リード線13bは、シリコンセル11の幅よりやや長く形成され、それぞれ一の太陽電池用リード線13aと対向する側の面に接続される。
本発明においては、太陽電池用リード線13に用いる太陽電池用導体は、平角状に形成された導体からなり、引張り試験における0.2%耐力値が、30MPa以上、90MPa以下であり、かつ導体の結晶粒径が6μm以上、20μm以下としたものであり、導体の表面の一部又は全部にはんだめっきを被覆して形成される。
以下この太陽電池用導体とはんだめっき膜を説明する。
(太陽電池用導体)
太陽電池用導体(以下、導体という)は、太陽電池モジュール(シリコン結晶ウェハ)のシリコンセル面ヘのはんだ接続が容易となるように、軟質材の導体の外形形状が断面平角状とされている。
太陽電池用導体(以下、導体という)は、太陽電池モジュール(シリコン結晶ウェハ)のシリコンセル面ヘのはんだ接続が容易となるように、軟質材の導体の外形形状が断面平角状とされている。
(導体の体積抵抗率)
上記導体は、太陽電池の発電ロスを軽減する観点から、体積抵抗率が比較的小さい導体材料、例えば、体積抵抗率が50μΩ・mm以下の材料を用いることが好ましい。
上記導体は、太陽電池の発電ロスを軽減する観点から、体積抵抗率が比較的小さい導体材料、例えば、体積抵抗率が50μΩ・mm以下の材料を用いることが好ましい。
体積抵抗率が比較的小さい導体材料としては、表1に示すように、Cuの他にAu、Ag、Alなどがある。この中で体積抵抗率が最も低いのはAgであり、発電効率を最大限にすることが可能である。一方、低コスト化を優先するときにはCuが良く、軽量化を図りたいときにはAlを選択するのが望ましい。
特にCuの種類としてはタフピッチCu、無酸素Cu、リン脱酸Cu、高純度Cu(純度99.9999%以上)のいずれを用いることも可能である。導体の引張り試験における0.2%耐力を最も小さくするためには純度が高いCuが有利であり、すなわち高純度Cu(純度99.9999%以上)を選択する。一方、不純物が入り0.2%耐力は大きくなるが低コスト化を図りたい時には、タフピッチCuもしくはリン脱酸Cuを選択する。
(導体の0.2%耐力値)
一般に熱膨張率の異なる異種金属を高温で接続した場合には、温度変化に熱膨張率、ヤング率を積算した値が反りを発生させる力となる。しかし、太陽電池のように接続する両部材の剛性が著しく異なり、また、はんだ接続温度も200℃以上と高温のものでは、断面積が小さい導体の方が降伏してしまい、上記熱膨張率、ヤング率による力がそのまま反り発生力とはならない。
一般に熱膨張率の異なる異種金属を高温で接続した場合には、温度変化に熱膨張率、ヤング率を積算した値が反りを発生させる力となる。しかし、太陽電池のように接続する両部材の剛性が著しく異なり、また、はんだ接続温度も200℃以上と高温のものでは、断面積が小さい導体の方が降伏してしまい、上記熱膨張率、ヤング率による力がそのまま反り発生力とはならない。
導体の場合、降伏応力が小さいと少ない力で塑性変形してしまい、それ以上の変形抵抗とならない。即ち、低強度および低耐力であるほど、接合時のシリコン結晶ウェハへの負荷が軽減する。このため、塑性変形の指標として引張り試験における0.2%耐力値を用い、導体の0.2%耐力を90MPa以下とする。このような0.2%耐力値の低い軟質の導体を選択することにより、シリコン結晶ウェハヘ導体接合の際の熱応力(シリコンセルを反らせる力)を低減することができる。ただし、0.2%耐力の低過ぎる導体は疲労特性に劣る為、導体の0.2%耐力は30MPa以上であることが望ましい。
(導体の結晶粒径)
また、上記0.2%耐力は導体の結晶粒径との相関が大きいことが知られており、一方で粒界が少ないほど、すなわち結晶粒径が大きいほど変形抵抗は小さい。他方で粒径が大きくなりすぎると材料の疲労特性は低下し、脆い材料となる。従って、結晶粒径および導体の0.2%耐力は一定条件範囲に入っている必要がある。ここでの結晶粒径とは、導体の結晶粒径を平均化したものである。
また、上記0.2%耐力は導体の結晶粒径との相関が大きいことが知られており、一方で粒界が少ないほど、すなわち結晶粒径が大きいほど変形抵抗は小さい。他方で粒径が大きくなりすぎると材料の疲労特性は低下し、脆い材料となる。従って、結晶粒径および導体の0.2%耐力は一定条件範囲に入っている必要がある。ここでの結晶粒径とは、導体の結晶粒径を平均化したものである。
導体の結晶粒径が20μm以上であると、導体が脆くなるため耐クラック性が落ちる。そのため導体の結晶粒径が20μm以上だと太陽電池モジュールへ組み込み設置した後、太陽電池用リード線、特にセル間の平角線をL字に折り曲げる部分で亀裂が発生したり、長期信頼性が不十分になるといった不具合の原因になる。また、結晶粒径が6μm以下だと、耐クラック性は問題ないが、導体の軟質性が失われるため、シリコンセルの反りが大きくなる。従って、導体の結晶粒径としては6〜20μmの範囲が好ましい。
(好適な導体の0.2%耐力値、および結晶粒径)
上述したことから、導体の0.2%耐力は、30MPa以上、90MPa以下で、また、導体の結晶粒径としては6〜20μmの条件が好ましい。この範囲であれば、従来方式よりも大幅にシリコンセルの反りを低減出来、尚かつ結晶粒径粗大化による脆性を防止できるため、クラックや長期信頼性の低下を防止することができる。
上述したことから、導体の0.2%耐力は、30MPa以上、90MPa以下で、また、導体の結晶粒径としては6〜20μmの条件が好ましい。この範囲であれば、従来方式よりも大幅にシリコンセルの反りを低減出来、尚かつ結晶粒径粗大化による脆性を防止できるため、クラックや長期信頼性の低下を防止することができる。
(太陽電池用平角導体の製造方法)
導体の加工法としては圧延加工、スリット加工のいずれも適用可能である。丸線から圧延して平角化する方式は長尺で均一なものが製造できる。スリット方式では種々の幅の材料に対応できるメリットがある。
導体の加工法としては圧延加工、スリット加工のいずれも適用可能である。丸線から圧延して平角化する方式は長尺で均一なものが製造できる。スリット方式では種々の幅の材料に対応できるメリットがある。
例えば、好適な太陽電池用平角導体は、導体をダイス伸線もしくはロール圧延、あるいはそれらの複合工程により平角状に成形した後、通電方式もしくはバッチ式の設備もしくは連続式の設備で熱処理して0.2%耐力を低減することで得られる。ここで、0.2%耐力を低減するための熱処理方式としては、通電加熱方式よりも熱エネルギーを十分に与えられるヒータによるバッチ式加熱方式もしくは連続式加熱方式が望ましい。あるいは酸化を防止する観点から窒素などの不活性ガス雰囲気や水素還元雰囲気の炉を用いることもできる。
熱処理する場合、所望の結晶粒径を得るためには、時間と温度を規定する必要がある。
高温では比較的短時間で熱処理が完了する。低温では長時間を必要とするが、設備的には安価なものを用いることができる。
導体がCuの場合、温度が450〜1000℃の時には加熱時間は5〜60秒程度のときが最も適正であり、結晶粒径6〜20μmを得ることができる。
熱処理条件は上記の場合に限定されず温度と時間の組み合わせで、結晶粒径を制御できる。例えば、温度が200〜450℃の時には加熱時間は1〜60分程度のときが適正であり、結晶粒径6〜20μmを得ることができる。
なお、導体としてCu以外のAg、Au、Alについても、Cuの場合と同様に熱処理条件で結晶粒径を制御できる。
(太陽電池用リード線)
本発明の太陽電池用リード線は、導体の表面全体に、はんだめっき膜を施したものである。はんだめっきは、環境面から、好ましくは鉛フリー品とし、導体の表面の外周の一部又は全部について実施する。
本発明の太陽電池用リード線は、導体の表面全体に、はんだめっき膜を施したものである。はんだめっきは、環境面から、好ましくは鉛フリー品とし、導体の表面の外周の一部又は全部について実施する。
また、はんだ組成については、これまで導体にCuを用いたものではシリコンセルとの熱膨張整合を考慮して低温接続が可能なものが求められていたが、本発明の導体を用いることで、シリコンセルの反りが小さいことから、接続温度が高いSn−Ag−Cu系の組成のはんだを用いることが可能となる。
導体の被覆に用いるはんだは、Sn系はんだ、あるいは第2成分としてPb、In、Bi、Sb、Ag、Zn、Ni、Cuから選択される少なくとも1種の元素を0.1wt%以上含むSn系合金はんだであるが、第3成分として1000ppm以下の微量元素を含んでいるものを用いてもよい。
この太陽電池用リード線を、シリコン結晶ウェハ(太陽電池モジュール)におけるシリコンセル面の所定の接点領域(例えば、Ag電極領域)に接続することで、太陽電池アセンブリが得られる。
(太陽電池用リード線の効果)
以上説明したように、本発明の太陽電池用リード線は、太陽電池のシリコンセルとはんだ接続しても、従来方式よりもシリコンセルの反りが少なく、結晶粒粗大化による脆化を防止でき、かつ電気的特性にも優れる。
以上説明したように、本発明の太陽電池用リード線は、太陽電池のシリコンセルとはんだ接続しても、従来方式よりもシリコンセルの反りが少なく、結晶粒粗大化による脆化を防止でき、かつ電気的特性にも優れる。
すなわち、導体の0.2%耐力値として30MPa以上、90MPa以下のものを用いているので、はんだ接続後の導体の熱収縮によって、シリコンセルに発生する熱応力を低減できる。このため、シリコンセルとはんだ接続後の熱収縮の際に、シリコンセルの反りを減少させることができる。
また、導体の結晶粒径が6〜20μmの範囲に入るものを用いて、結晶粒径の最大値を規制しているので、導体の脆化を防止することができ、結晶粒径の最小値を規制しているので結晶粒径の面からもシリコンセルの反りを防止することができる。
また、Cuの結晶粒径が20μm以上だと太陽電池パネルなどへ組み込む成型加工の際、平角線に亀裂が発生したり、長期信頼性が不十分になるといった不具合の原因になるが、本発明のCuの結晶粒径は6〜20μmであるため、太陽電池用はんだめっき線の好適な疲労特性を十分に得ることができ、成型加工、長期にわたる信頼性に優れる。
また、本発明の太陽電池用リード線は、体積抵抗率が50μΩ・mm以下の高導電性を有する導体を用いているので、太陽電池としての発電効率を良好に維持することができる。
更に、本発明の製造方法によれば、熱処理条件により、導体の0.2%耐力値を所定値以下となるようにし、かつ導体の結晶粒径が所定の範囲に入るようにしているので、コストがかからず簡易な方法で太陽電池用リード線を提供することができる。
(実施例1〜14および比較例1〜4)
幅1.5mm、厚さ0.15mmのCu材料(OFC:無酸素銅、TPC:タフピッチ銅)を平角線状に圧延成形して導体とし、熱処理条件を1010℃/30秒(比較例1)、1000℃/62秒(比較例2)、1000℃/60秒(実施例1)、・・・450℃/5秒(実施例14)、および450℃/4秒(比較例3)、500℃/30秒(比較例4)と変えて熱処理した。
幅1.5mm、厚さ0.15mmのCu材料(OFC:無酸素銅、TPC:タフピッチ銅)を平角線状に圧延成形して導体とし、熱処理条件を1010℃/30秒(比較例1)、1000℃/62秒(比較例2)、1000℃/60秒(実施例1)、・・・450℃/5秒(実施例14)、および450℃/4秒(比較例3)、500℃/30秒(比較例4)と変えて熱処理した。
熱処理後導体の周囲をSn−3%Ag−0.5%Cu系の鉛フリーはんだで被覆してはんだめっき膜を設け、はんだ被覆Cu平角線を形成し、そのときのCuの結晶粒径、Cu及びはんだ被覆Cuの0.2%耐力を調べた。その結果を表2に示す。
ここでの結晶粒径とは、はんだめっき平角線の断面120μm四方における結晶粒の径を平均化したものである。具体的には、JIS H0501に示される切断法に基づき、顕微鏡写真上で120μmの長さの線分6本(縦線×3、横線×3)によって完全に切られる結晶粒数を数え、その切断長さの平均値を求めている。
また、はんだ被覆品Cuの0.2%耐力σは、はんだを除く導体の断面積Aで、導体に0.2%の歪を与える引張試験における荷重(外力)Fを除算して求めている。式で示せば、次の通りである。
σ=F/A
熱処理条件を1000℃/60秒(実施例1)、・・・450℃/5秒(実施例14)と変えて処理した場合、平角Cuの結晶粒径は20〜6μmであった。また、平角Cuの0.2%耐力は30〜90MPaであり、すべて90MPa以下であった。
熱処理条件を1000℃/60秒(実施例1)、・・・450℃/5秒(実施例14)と変えて処理した場合、平角Cuの結晶粒径は20〜6μmであった。また、平角Cuの0.2%耐力は30〜90MPaであり、すべて90MPa以下であった。
これに対して、熱処理条件を1010℃/30秒(比較例1)、1000℃/62秒(比較例2;導体はTPC)、450℃/4秒(比較例3)、500℃/30秒(比較例4;導体はTPC)と変えて処理した場合は、平角Cuの結晶粒径はそれぞれ21.8μm、21.3μm、5.8μm、5.6μmであった。また、Cuの0.2%耐力はそれぞれ28MPa、29MPa、91MPa、92MPaであった。
上述したはんだ被覆Cu平角線を縦155mm×横155mm、厚さ180μmのシリコンセルにはんだ接続したものの耐クラックとシリコンセルの反りを調べた。耐クラックは10枚のシリコンセルを平角線で接続したストリングスで小型モジュールを作製し、その小型モジュールの両端を固定し、中央部を水平の位置より上下に2cmずつ機械的にたわませ、平角線が破断するまでのサイクル数(屈曲回数)で評価した。その結果を同じく表2に示した。
表2おいて、屈曲回数はn=5の平均値を示す。また、シリコンセルの反りの欄における評価印の○、△、×は、それぞれ良(<3mm)、やや良(3mm)、不良(>3mm)を意味する。
実施例14〜1において、結晶粒径の大径化に伴ってCuの0.2%耐力は減少する。Cuの0.2%耐力が90MPaを示す結晶粒径が6.1μm(実施例14)のとき、シリコンセルの反りは減少傾向にあるため、やや良(△)であったCuの0.2%耐力が89MPaを示す結晶粒径が6.2μm(実施例13)のとき、シリコンセルの反りは減少させることができ、良(○)であった。Cuの結晶粒径が20μm(実施例1)になると、19.8μm(実施例2)までは良であった耐クラック性がやや良に落ちた。
Cuの結晶粒径が21.3μm(比較例2)のときは耐クラック性は不良であった。また、Cuの0.2%耐力が91MPaを示す結晶粒径が5.8μm(比較例3)のとき、シリコンセルの反りが大きく、不良であった。
以上より、導体の0.2%耐力は、30MPa以上、90MPa以下で、また、導体の結晶粒径としては6〜20μmの範囲が好ましい。
10 太陽電池
11 シリコンセル
13 太陽電池用リード線
11 シリコンセル
13 太陽電池用リード線
Claims (10)
- 平角状に形成された導体、あるいは前記導体の表面の一部又は全部にはんだめっきが被覆された太陽電池用リード線において、前記導体の引張り試験における0.2%耐力値が30MPa以上、90MPa以下であり、かつ前記導体の結晶粒径が、6μm以上、20μm以下であることを特徴とする太陽電池用リード線。
- 前記導体の体積抵抗率が、50μΩ・mm以下である請求項1に記載の太陽電池用リード線。
- 前記はんだめっきが、Sn系はんだ、または第2成分としてPb、In、Bi、Sb、Ag、Zn、Ni、Cuから選択される少なくとも1種の元素を0.1mass%以上含むSn系合金はんだである請求項1又は2に記載の太陽電池用リード線。
- 前記導体が、Al、Ag、およびAuからなる群から選ばれた1種である請求項1〜3のいずれかに記載の太陽電池用リード線。
- 前記導体が、タフピッチCu、無酸素Cu、リン脱酸Cu、および高純度Cu(99.9999%以上)からなる群から選ばれた1種である請求項1〜3のいずれかに記載の太陽電池用リード線。
- 前記導体の酸素含有量が、25ppm〜450ppmである請求項5に記載の太陽電池用リード線。
- 導体を圧延またはスリット加工によって平角状断面に成形し、
前記平角状断面に形成された導体に熱処理を施して、前記導体の引張り試験における0.2%耐力値を、30MPa以上、90MPa以下とし、かつ前記導体の結晶粒径を6μm以上、20μm以下とし、さらに前記導体の表面の一部又は全部にはんだめっきを被覆したことを特徴とする太陽電池用リード線の製造方法。 - 前記導体の体積抵抗率が、50μΩ・mm以下である請求項7に記載の太陽電池用リード線の製造方法。
- 前記熱処理の条件が、温度450〜1000℃で、かつ時間5秒〜60秒である請求項7又は8に記載の太陽電池用リード線の製造方法。
- 前記導体が、Cu、Al、Ag、およびAuからなる群から選ばれた1種である請求項7〜9のいずれかに記載の太陽電池用リード線の製造方法。
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