JP2010141295A - 基板上シュリンクパッケージ - Google Patents

Abstract

【課題】パッケージが基板に実装されるとき、パッケージの検査を容易に行うことができるパッケージを提供する。
【解決手段】デバイスを形成する方法は、その第１表面上にダイ取付け領域を有するプリント回路基板基材１２０を提供するステップを含む。また、ダイ取付け領域１２８にダイ１１０を取り付けるステップを包含する。ダイは、前記第１表面上のダイ取付け領域の周囲に配置された第１ランドパッド１３８に電気的に接続される。均一な表面を有するキャップ１８４を作製するために、トップゲートプロセスによって、目的区域にキャップが形成される。キャップは、ダイを被覆し、少なくとも第１ランドパッドを露出したままの状態にする。
【選択図】図１ａ−ｂ

Description

［背景技術］
基板実装チップ（ＣＯＢ）パッケージは、通常、プリント回路基板（ＰＣＢ）材料から作製された基材に直接的に実装され電気的に接続されたダイを備えている。クアッドフラットノーリーズ（ＱＦＮ）パッケージと比較すると、ＰＣＢ基材は、ＱＦＮのコッパー／アロー４２リードフレーム基材よりも低価格であるだろう。

ＣＯＢパッケージは、環境からダイ及びワイヤーボンドを保護するために、グロブトップ材料で封止されている。ＣＯＢパッケージを封止するために、グロブトップ処理プロセスが採用されている。例えば、グロブトップ材料がパッケージ全体にわたるグロブとして処理されている。前記グロブトップ材料は、ダイ及び配線の相互接続を被覆している。

しかしながら、前記グロブトップ材料は、充填剤の含有量が低いため、ＣＯＢパッケージの信頼性に影響を及ぼす。グロブトップ処理プロセスは、材料をユニットごとに処理することを含み、効率的でない。また、グロブトップ処理プロセスでは、湾曲した表面又は平坦でない表面を有するパッケージとなってしまう。

従来のＣＯＢパッケージは、ＣＯＢパッケージが基板上に実装後、検査デバイスに接続するための外的なランドパッド利用できないことから、基板パッケージの段階では、検査に供することができない。

以上の議論より、改良されたパッケージ及びパッケージング技術が望まれている。

デバイスを形成する方法が開示される。前記方法は、その第１表面上にダイ取付け領域を有するプリント回路基板基材を提供するステップを含む。また、本方法は、ダイをダイ取付け領域に取り付けるステップを含む。前記ダイは、前記第１表面上の前記ダイ取付け領域の周囲に配置された第１ランドパッドに電気的に接続される。均一な表面を有するキャップを作製するために、トップゲートプロセスによって、目的区域にキャップが形成される。前記キャップは、ダイを被覆し、少なくとも第１ランドパッドを露出されたままの状態にする。

別の実施態様では、デバイスが提示される。前記デバイスは、基材の第１表面上にダイ取付け領域を有するプリント回路基板基材を含む。ダイは、前記ダイ取付け領域に配置されている。ダイは、前記第１表面の前記ダイ取付け領域の周囲に配置された第１ランドパッドに電気的に接続される。また、本デバイスは、均一な表面を有するキャップを作製するために、トップゲートプロセスによって、目的区域に形成されたキャップを包含する。前記キャップは、ダイを被覆し、上部ランドパッドを露出されたままの状態にする。

また別の実施態様では、デバイスを形成する方法が開示されている。前記方法は、基材の第１表面上にダイ取付け領域を有する基材を提供するステップを含む。また、前記方法は、前記第１表面上のダイ取付け領域の周囲に第１ランドパッドを配置するステップを含む。前記ダイ取付け領域に取り付けられるときに、ダイは第１ランドパッドに電気的に接続される。ダイがダイ取付け領域に取り付けられるとき、トップゲートプロセスによって、目的区域にキャップが形成される。キャップが形成されると、均一な表面を有するキャップが作製される。前記キャップはダイを被覆し、少なくとも第１ランドパッドを露出されたままの状態にする。

これらの目的及びその他の目的は、本明細書中に開示する本発明の有利な点及び特徴とともに、以下の説明及び添付図面を参照することで、明らかとなるであろう。また、本明細書中に記載する各種の実施態様の特徴は、互いに排他的なものではなく、各種の組合せ及び置換もありうる点、理解されるべきである。

図面中、異なる面の図面であっても、全般的に、同等の参照文字は、同じ部分について言及するものである。また、図面は必ずしも原寸大ではなく、全般的に発明の原理を説明することに重点が置かれている。以下の説明において、本発明の各種の実施態様が以下の図面を参照して説明される。

図１ａ〜ｂ及び図２ａ〜ｂは、パッケージの各種の実施態様の断面図及び平面図を示す。 図１ａ〜ｂ及び図２ａ〜ｂは、パッケージの各種の実施態様の断面図及び平面図を示す。 図２ｃは、フリップチップを示す。 図３ａ〜ｂ及び図４ａ〜ｂは、パッケージの各種の実施態様の断面図及び平面図を示す。 図３ａ〜ｂ及び図４ａ〜ｂは、パッケージの各種の実施態様の断面図及び平面図を示す。 図４ｃは、基材の別の実施態様を示す。 図５〜６は、パッケージの別の実施態様を示す。 図５〜６は、パッケージの別の実施態様を示す。 図７ａ〜ｃは、パッケージを形成するプロセスを示す。 図７ａ〜ｃは、パッケージを形成するプロセスを示す。 図７ａ〜ｃは、パッケージを形成するプロセスを示す。

実施態様は、全般的にチップ又は集積回路のための半導体パッケージに関する。各種のチップ又は集積回路のパッケージ化が可能である。例えば、集積回路は、ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ（ＤＲＡＭ）、スタティック・ランダム・アクセス・メモリ（ＳＲＡＭ）、及びプログラマブル・リード・オンリー・メモリ（ＰＲＯＭ）及びフラッシュメモリを含む各種の不揮発性メモリ、光電子デバイス、論理デバイス、通信デバイス、デジタルシグナルプロセッサ（ＤＳＰ）、マイクロコントローラ、システムオンチップ等のメモリデバイス、及びその他の種類のデバイス等である。集積回路は、電話、コンピュータ、携帯端末又はその他の種類の適切な製品等、各種の製品に組み入れることができる。

図１ａ〜ｂは、パッケージ１００の実施態様の断面図及び平面図を示す。前記パッケージは、上部主要表面１２３及び底部主要表面１２４を有する基材１２０を含んでいる。通常、前記基材は、長方形のデバイスを形成するために、長方形で構成される。その他の形状も有用である。基材は、単一層の基材又は多数層の基材であってもよい。多数層の基材については、異なる層をラミネート、すなわち積層させることができる。前記基材を形成するために、各種の材料が使用できる。

一つの実施態様では、基材はプリント回路基板（ＰＣＢ）基材を含む。かかるＰＣＢは、例えば、ＦＲ−４又はＦＲ−５を含んでいる。ＰＣＢ材料のその他の種類も有用である。代替的に、その他の種類の基材が使用されてもよい。前記上部主要表面は、ダイ取付け領域１２８を包含する。ボンドフィンガー１３２は、ダイ取付け領域の周囲に配置されている。前記ボンドフィンガーは、例えば、前記ダイ取付け領域を包囲するように配置されている。前記ボンドフィンガーは、例えば、銅を含んでいてもよい。その他の導電性材料も有用である。前記ボンドフィンガー上に形成されるワイヤーボンドの接合特性を改善するために、ボンドフィンガーは、ニッケル、金、銀又はそれらの組合せでコートしてもよい。ボンドフィンガーは、有機系はんだ付け性維持剤（ＯＳＰ）等の抗酸化材料でコートしてもよい。その他の種類の抗酸化材料も有用である。

一つの実施態様では、上部ランドパッドは、基材の上部周囲に沿って形成され、底部ランドパッドは、基材の底部周囲に沿って形成される。一つの実施態様では、キャステレーションリード１４２が、基材の側面に配置されている。前記キャステレーションリードは、基材の上面から底面へと延伸して、上部ランドパッドを底部ランドパッドに電気的に接続する。前記キャステレーションリードは、導電性材料から形成することができる。一つの実施態様では、キャステレーションリードは銅を含んでいる。その他の種類の導電性材料を使用してもよい。

上部導電性トレース１３８は、基材の上面に配置されている。前記上部導電性トレースは、ボンドフィンガーを上部ランドパッドに電気的に接続する。例えば、上部導電性トレースは、ボンドフィンガーを各上部ランドパッドに電気的に接続する。前記導電性トレースは、導電性材料から形成することができる。一つの実施態様では、前記導電性トレースは銅を含んでいる。その他の種類の導電性材料の使用も有用である。前記導電性トレースは、例えば、ソルダーレジスト等の絶縁体材料でコートされていてもよい。

前記基材の底面上に、基材の周囲に沿って底部ランドパッドが形成される。底部ランドパッドは、パッケージを外部デバイスに電気的に接続するためのパッケージの外部接続として機能する。基材の上面に、基材の周囲に沿って上部ランドパッドが形成される。特にパッケージが基板上に実装されるときに、ワイヤーとダイとの間の電気的な接続を確認するため、上部ランドパッドが試験デバイスへのアクセスを提供する。パッケージは、底部ランドパッドを基板にはんだ付けすることにより、基板上に実装することができる。上部及び底部ランドパッド並びにキャステレーションリードの別の機能は、接続を断つことによってパッケージが基板に実装されるのを可能にすることである。

半導体ダイ１１０が備えられている。半導体ダイは、アクティブ、及び非アクティブな主要表面を含む。例えば、前記アクティブな表面は、ダイの内部電気回路へのアクセスを提供するためのボンドパッドを包含する。一つの実施態様では、非アクティブな表面は、基材のダイ取付け領域に実装される。一つの実施態様では、前記ダイは接着剤１１５によって取り付けられる。例えば、前記接着剤は、エポキシとすることができる。エポキシ系接着剤の例として、Ablestik2025Dや、YiztechN7728が含まれる。テープを包むその他の種類の接着剤も有用である。

一つの実施態様では、ワイヤーボンド１５２が備えられている。前記ワイヤーボンドは、ボンドフィンガーをダイ上のボンドパッドに電気的に接続する。例えば、前記ワイヤーボンドは、ボンドフィンガーをダイ上の各ボンドパッドに電気的に接続する。ワイヤーボンド１５２は、銅ワイヤーを含んでいることが好ましい。銅ワイヤーを使用すると、例えば５０μｍ×５０μｍを下回る、より小さなボンドパッドの使用を容易にすることができる。金ワイヤー又はアルミニウムワイヤー等の、その他の種類の導電性ワイヤーも有用である。

キャップ１８０がパッケージ用に備えられている。前記キャップは、一つの実施態様では、半導体ダイ１１０とワイヤーボンド１５２とを封止する。前記キャップは、例えば、成形材料を含んでいる。エポキシ等の各種の成形材料を使用してもよい。図示のように、キャップはワイヤーボンドが配置されたボンドフィンガーを被覆している。上部ランドパッドを露出されたままの状態にすると、パッケージが基板に実装されるとき、パッケージの検査を容易に行うことができる。検査の実施が要求されない場合は、キャップは基材の上面全体を被覆していてもよい。

一つの実施態様に従えば、前記キャップは平坦すなわち均一な表面１８４を含む。図示のように、前記キャップは、キャップ上面に概ね垂直な側壁１８２を含んでいる。例えば、前記側壁は、キャップの水平方向の上面に対して垂直である。代替的に、図２ａ〜ｂに示すように、キャップの側壁２８２は、傾斜、すなわち斜めになっている。例えば、側壁の角度θは、１５〜４５°である。側壁の角度は、その他の角度であっても有用である。均一な表面を備えていると、パッケージのマーク付けが容易になる。

一つの実施態様に従えば、前記キャップは、パッケージを損傷することなく提供される。例えば、キャップは、成形材料がサイドゲートではなく、モールドの上部から注入されるトップゲート成型プロセスによって形成される。サイドゲート成型プロセスによって成形材料が注入されると、成形材料は、目的区域を越えて流出するおそれがある。例えば、成形材料は、導電性トレース及び上部ランドパッド上に流出し、これらの部品を損傷する可能性がある。

その他の実施態様では、ダイ１１０は、図２ｃに示されるようにフリップチップを含んでいてもよい。例えば、前記フリップチップは、アクティブな表面上に配置されたダイ段差１５４を含んでいる。図示のように、ダイ段差はダイの周囲近傍に配置されている。その他のダイ段差の配置も有用である。前記ダイ段差は、ダイ領域の基材上に配置された各導体パッドに接続している。基材表面上で導体パッドをランドパッドに電気的に接続するために電気トレースが備えられていてもよい。

図３ａ〜ｂ及び図４ａ〜ｂは、パッケージ１００のその他の実施態様の断面図及び平面図を示している。前記パッケージは、基材１２０を除いて図１ａ〜ｂ及び図２ａ〜ｂに記載されたパッケージと類似している。一つの実施態様では、基材はキャステレーションリードではなく、スルービア(through vias)３４２を含んでいる。前記スルービアは、基材内に配置され、上面１２３から底面１２４へ延伸する。前記スルービアは、例えば基材の周囲近傍に配置されている。一つの実施態様では、スルービアは、基材の周囲付近に配置されている。スルービアは、上部ランドパッドと底部ランドパッドとを電気的に接続する。

図３ａ〜ｂを参照すると、キャップ１８０は、垂直な側壁１８２を有する均一な上面を包含している。代替的に、キャップ１８０は、図４ａ〜ｂで説明する傾斜した側壁２８２を含んでいてもよい。

別の実施態様において、前記ランドパッドは、ランドパッドの単列又はランドパッドの多数列として配置することができる。例えば、基材１２０は、第１列及び第２（二重）列に配置されたランドパッドを有することができる。ランドパッドは、例えば基材の周囲に配置されている。ランドパッドをその他の数の列で構成することも有用である。一つの実施態様において、前記ランドパッドは、ダイ取付け領域の周囲に配置されているボンドフィンガー１３２に接続される。前記ボンドフィンガーは、ダイに電気的に接続される。ボンドフィンガーは、ボンドフィンガーの単列に配置されている。ボンドフィンガーをその他の数の列で構成することも有用である。導電性トレース１３８が上部ランドパッドをボンドフィンガーに接続する。

一つの実施態様において、前記ランドパッドは、底部ランドパッドに接続されているスルービアに接続される。ランドパッドをキャステレーションリードに接続することも有用である。別の実施態様では、図４ｃに示すように、基材１２０はダイ取付け領域１２８を包囲するランドパッドを包含することができる。前記ランドパッドは、例えば導電性トレースによってボンドフィンガーに接続される。前記ランドパッドは、スルービア３４２及びキャステレーションリード１４２に接続される。例えば、１列のランドパッドをスルービアに接続し、その他の列のランドパッドをキャステレーションリードに接続することが可能である。一つの実施態様では、ダイ取付け領域に最も近傍の第１列のランドパッドがスルービアに接続し、第２列のランドパッドがキャステレーションリードに接続する。その他の実施態様では、基材の反対側のランドパッドの列の数は、同じでなくてもよい。例えば、基材の上面は周囲に単列のランドパッドを有し、基材の底面は周囲に二重列のランドパッドを有していてもよい。ランドパッド、スルービア、キャステレーションリード及び／又はボンドフィンガーのその他の構成も有用である。

図５は、パッケージ５００の別の実施態様を示す。前記パッケージは、基材１２０を包含している。図示のように、基材は、例えば、基材の周囲付近に配置された複数のスルービア３４２を含んでいる。スルービアは、基材の上面から底面１２４へと延伸する。一つの実施態様では、スルービアは、基材の周囲付近に配置されている。別の実施態様では、スルービアではなく、キャステレーションリードを基材の側面に提供することができる。さらに別の実施態様では、基材はキャステレーションリードとスルービアとの組合せを含んでいてもよい。上面の上部導電性トレースは、既述のように、外的なランドパッドからダイの内部電気回路までの相互接続を提供する。

前記ダイは、ワイヤーボンドによってボンドフィンガーに接続されていてもよい。ダイ及びワイヤーボンドは、環境からこれらを保護するキャップによって封止されていてもよい。その他の実施態様では、前記ダイは、ダイのアクティブな表面上のダイ段差を介して基材上で基材パッドに接続されたフリップチップを含んでいてもよい。このような用途のために、ダイは環境からこれらを保護するキャップによって封止されている。例えば、キャップは、垂直の又は傾斜した側壁を有する平面的な上面を含んでいる。

一つの実施態様では、基材の底面はヒートシンク４７０を含んでいる。例えば、ヒートシンクは、上面のダイ取付け領域に対応する底面上の区域に配置されている。ヒートシンクが配置されている区域は、外的接触を欠く。一つの実施態様では、ヒートシンクは、銅等、熱を消散させる材料を含んでいる。その他の種類の熱消散材料又は熱伝導性材料も有用である。例えば、ヒートシンクは、ダイから外的な表面実装技術（ＳＭＴ）モジュールへの熱消散を可能とすることができる。

図６は、パッケージ６００のさらに別の実施態様を示す。前記パッケージは、例えば基材の周囲付近に複数のスルービア３４２が配置された基材１２０を包含する。スルービアは、基材の上面１２３から底面へ延伸している。一つの実施態様では、スルービアは、基材の周囲付近に配置されている。別の実施態様では、スルービアではなくキャステレーションリードを基材の側面に提供することができる。さらに別の実施態様では、前記基材はキャステレーションリードとスルービアとの組合せを包含していてもよい。既述のように、上面の上部導電性トレースは、外的ランドパッドからダイの内部電気回路への相互接続を提供する。

前記ダイは、ワイヤーボンドによってボンドフィンガーに接続されていてもよい。前記ダイ及びワイヤーボンドは、環境からこれらを保護するキャップによって封止されていてもよい。その他の実施態様では、ダイはダイのアクティブな表面上のダイ段差を介して基材上の基材パッドに接続されたフリップチップを含んでいてもよい。このような用途のために、ダイは環境からこれらを保護するキャップによって封止されている。前記キャップは、図示のように、傾斜した側壁２８２を有する平面的な上面を含んでいる。代替的に、前記キャップは垂直の側壁を有する平面的な上面を備えている。

一つの実施態様では、基材の上面には少なくとも１つの受動部品６７５が備えられている。図示のように、上面には２つの受動部品が備えられている。その他の数の受動部品をパッケージに提供することも有用である。例えば、受動部品は、レジスタ、キャパシタ又はその組合せとすることができる。前記受動部品は、パッケージの電気的な性能を高めるために選択することができる。図示のように、前記受動部品は、キャップの外側に配置されている。キャップ内に受動部品を提供すること、又はキャップの内側及び外側の組合せにおいて受動部品を提供することも有用である。

図７ａ〜ｃは、パッケージを封止するプロセスの一実施態様を示す。図７ａを参照すると、パッケージ１００が備えられている。前記パッケージは、上面１２３及び底面１２４を有する基材１２０を包含している。一つの実施態様では、前記基材はＰＣＢを含んでいる。その他の種類の基材も有用である。ダイ１１０が上面１２３上にあるダイ取付け領域１２８に取り付けられる。前記ダイは、例えば接着剤によってダイ取付け領域に実装される。基材の上面で、ワイヤーボンド１５２が、ダイボンドパッドをボンドフィンガーに電気的に接続する。前記上面の上部導電性トレースが外的ランドパッドからボンドフィンガーへの相互接続を提供して、次に、ダイの内部電気回路への相互接続を提供する。

他の実施態様では、パッケージは、ダイ取付け領域上の基材パッドの対となるダイ段差を有するダイを包含していてもよい。さらに別の実施態様では、パッケージは、基材の底面上にヒートシンク及び／又は基材の上面に受動部品を含んでいてもよい。その他の種類のパッケージも有用である。

パッケージは、成形材料注入システムの中に配置されている。注入システムは、注入ユニット７９０を含んでいる。注入ユニットは、一つの実施態様では、モールド７９４に接続したインジェクタ７９２を含む。モールドは、キャップの所望の形状を含む。例えば、図示のように、モールドは、平面的な上面及び垂直の側面を有する長方形状のモールドを含んでいる。このような形状は、平面的な上面及び垂直の側壁を有するキャップを作製する。その他の形状のモールドも有用である。例えば、側面は平面に対して傾斜していてもよい。

一つの実施態様によれば、インジェクタはモールドの上面７９６に接続される。例えば、注入は、モールドの上面の中心付近で接続される。前記インジェクタをモールドの上面の他の箇所で接続することも、有用である。モールドの上面でインジェクタを接続することにより、トップゲート注入ユニットが作製される。

図７ｂを参照すると、注入ユニットは、その位置を下げてパッケージ上におかれる。例えば、前記注入は、モールドがダイとワイヤーボンドとを被覆するが、ランドパッドは被覆しないように位置を下げる。位置が定まると、注入ユニットを作動させ、インジェクタが成形材料をモールド内に注入する。

図７ｃでは、プロセスが継続している。例えば、成形材料が冷却によって十分に固まると、注入ユニットが上昇する。成形材料がダイ及びワイヤーボンド上にキャップを形成し、封止のプロセスが完成する。

封止のプロセスは、並行して実施されてもよい。例えば、複数のパッケージが同時に封止されてもよい。この封止は、キャリア基材又は複数のダイが集合したＰＣＢを提供することにより、達成されてもよい。前記注入ユニットは、複数のダイを同時に封止する。その後、キャリア基材は加工されて、個々のパッケージに単一化される(singulate)。単一化は、例えば切断による単一化や、打抜きによる単一化によって行われる。

上述のように、ダイは修正された形態の設計を使用して封止される。一つの実施態様では、前記ダイは、トップゲート成型プロセスを使用して封止される。トップゲート成型プロセスは、いくつかの利点を付与する。例えば、トップゲート成型プロセスによってカプセル封入体の上面が平坦になって、これにより歪みを生じることなくインク・マーキングの実施が可能になる。別の利点は、トップゲート成型の結果、グロブトップ処理やプリント／真空プリント封止等、従来のＣＯＢパッケージのための液体封止技術に比べて処理能力が高まり、信頼性が増大することである。例えば、グロブトップ処理が、１回に１つのダイを封止するのに対して、トップゲート成型は、キャリア基材ストリップ上の多数のダイを並行して封止することができる。

また、前記成形材料によって、液体封止材料よりも高いパッケージの信頼性と性能が達成され得る。例えば、成形材料を使用するトランスファー成型は、優れたキャップ厚さのコントロール及び成形材料の収縮率低下と吸水性低下により、アレーの反りの減少を達成する。

さらに、成形材料のより低い熱膨張率の性質により、前記パッケージは、現行のＣＯＢパッケージ技術と比較して潜在的に小さいパッケージ設置面積、コスト削減解決法、より信頼性の高い性能を提供できる銅ワイヤーボンディングとの一体化が容易になる。加えて、銅ワイヤーボンディングを実施することにより、現在のパッケージングプロセスは、ファインピッチボンディングの問題点を克服し、結果としてアセンブリ費用も低減される。銅／合金４２リードフレームではなくＰＣＢ基板を使用することにより、必要な金型費及びリードタイムが大幅に削減される。また、原材料においても節約となる。本発明のパッケージは切断又は打抜きによる単一化ができ、追加的な柔軟性を付与する。

本発明は、その精神又は本質的な特徴から逸脱することなく、他の特定の形態で実施化されてもよい。したがって、上記の実施態様は、本明細書に記載された発明を限定するのではなく、全ての点において説明を目的とするものとみなされる。したがって、本発明の範囲は、上記説明ではなく、添付の特許請求の範囲によって表示され、特許請求の範囲の意味するところ及びその均等物の範囲内にある変更は全て、かかる特許請求の範囲内に包括されていると意図するものである。

Claims (20)

1. その第１表面上にダイ取付け領域を有するプリント回路基板基材を提供するステップと、
   前記ダイ取付け領域にダイを取り付けるステップであって、該ダイが、前記第１表面上の前記ダイ取付け領域の周囲に配置された第１ランドパッドに電気的に接続されるステップと、
   均一な表面を有するキャップを作製するためにトップゲートプロセスによって目的区域にキャップを形成するステップであって、前記キャップが、前記ダイを被覆し、少なくとも前記第１ランドパッドを露出したままの状態にするステップと、
   を含むデバイスを形成する方法。
2. ダイが、ワイヤーボンドによってボンドフィンガーに電気的に接続され、前記ボンドフィンガーが第１ランドパッドに接続される、請求項１に記載の方法。
3. キャップがボンドワイヤーとボンドフィンガーの一部を被覆する、請求項２に記載の方法。
4. トップゲートプロセスが、パッケージを損傷しうる、キャップ材料の目的区域外への流出を回避する、請求項３に記載の方法。
5. ダイがフリップチップを含む、請求項１に記載の方法。
6. トップゲートプロセスが、パッケージを損傷しうる、キャップ材料の目的区域外への流出を回避する、請求項５に記載の方法。
7. トップゲートプロセスが、パッケージを損傷しうる、キャップ材料の目的区域外への流出を回避する、請求項１に記載の方法。
8. 第１ランドパッドが、基材の端部に配置されたキャステレーションリードに接続され、該キャステレーションリードが前記基材の第１及び第２表面を通って延伸し、前記基材の前記第２表面上に配置された外部接点に接続される、請求項１に記載の方法。
9. 第１ランドパッドが、基材の第１及び第２表面を通って延伸するスルービアに電気的に接続され、該スルービアが前記基材の前記第２表面上に配置された外部接点に接続される、請求項１に記載の方法。
10. 第１ランドパッドが、ダイ取付け領域を包囲する少なくとも第１列及び第２列に構成されており、前記第１ランドパッドがスルービア又はキャステレーションリードに接続される、請求項１に記載の方法。
11. 第１ランドパッドがスルービア及びキャステレーションリードに電気的に接続される、請求項１０に記載の方法。
12. 第１列のランドパッドがスルービアに接続され、第２列のランドパッドが、キャステレーションリードに電気的に接続される、請求項１０に記載の方法。
13. 第１列が第２列よりもダイ取付け領域の近傍にある、請求項１２に記載の方法。
14. 第２ランドパッドが基材の第２表面上に配置されている、請求項１に記載の方法。
15. 第２ランドパッドが外部接点としての役割を果たす、請求項１４に記載の方法。
16. その第１表面上にダイ取付け領域を有するプリント回路基板基材と、
    前記ダイ取付け領域に配置されたダイであって、前記第１表面上の前記ダイ取付け領域の周囲に配置された第１ランドパッドに電気的に接続されるダイと、
    均一な表面を有するキャップを作製するためにトップゲートプロセスによって目的区域に形成されたキャップであって、ダイを被覆し、上部ランドパッドを露出したままの状態にするキャップと、
    を含むデバイス。
17. ゲートプロセスによって、目的区域に収容されたキャップ材料がデバイスの損傷を回避する、請求項１６に記載のデバイス。
18. ダイがフリップチップダイを含む、請求項１６に記載のデバイス。
19. ダイがワイヤーボンドによってボンドフィンガーを介して第１ランドパッドに電気的に接続される、請求項１６に記載のデバイス。
20. その第１表面上にダイ取付け領域を有する基材を提供するステップと、
    前記第１表面上の前記ダイ取付け領域の周囲に第１ランドパッドを配置するステップであって、ダイが、前記ダイ取付け領域に取り付けられるときに前記第１ランドパッドへ電気的に接続されるステップと、
    ダイが前記ダイ取付け領域に取り付けられるときにトップゲートプロセスによって目的区域にキャップを形成するステップであって、前記キャップの形成が均一な表面を有するキャップを作製し、該キャップが前記ダイを被覆し少なくとも前記第１パッドを露出したままの状態にするステップと、
    を含むデバイスを形成する方法。

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