JP2011192544A5 - - Google Patents

Description

図４は、基板導電部９を平面視したときの図であり、図３における基板導電部９１だけを取り出して図示したものである。そのため、平面視略矩形状に形成される基板導電部９１の左側の長辺が、実際には基板２の端部に沿っていることになる。そして、図４に示すように、基板導電部９の当該左側の長辺に沿って複数の孔９Ａが並んで形成されている。また、これら複数の孔９Ａが形成されている位置は、図４では二点鎖線で示す後述の接着部材７及び電気接続部材８が設けられる位置に対応し、当該接着部材７及び電気接続部材８を跨ぐように形成されている。ここでは、基板導電部９１について図示説明し、基板導電部９２について図示していないが、基板導電部９２にも同様に孔が形成されている。
孔９Ａの形成方法としては、マスクスパッタリング法等が挙げられる。
孔９Ａは、光電変換装置１の製造過程で、当該接着部材７及び電気接続部材８をレーザー照射で加熱溶融させて接合及び電気的接続を図る場合に必要となる。基板導電部９に孔９Ａが形成されていないと、基板２側からレーザーを照射しても、当該基板導電部９でレーザー照射による熱が吸収され、当該接着部材７及び電気接続部材８の加熱が不足し溶融しないおそれがある。しかし、孔９Ａが形成されていれば、レーザーは、孔９Ａを通過し、当該接着部材７及び電気接続部材８まで到達するので、当該接着部材７及び電気接続部材８は、レーザーによって円滑に加熱されて溶融し、接合及び電気的接続を行うことができる。特に当該接着部材７が溶融し、基板２と接合することで、密封性能が向上する。
なお、この孔９Ａについては、他の図の基板導電部９において図示を省略する。

ここで、光電変換装置１において内部絶縁膜３５を形成させた場合の一例として、図５に示す。
図５は、内部絶縁膜３５を基板導電部９１及び補助電極３４ｃの上に形成した光電変換装置１１の厚み方向断面を基板２に対して封止部材４を上にして見た場合の断面図である。
光電変換装置１１の構成は、光電変換装置１と略同一の構成を有するが、内部絶縁膜３５が形成されている点、及び陽極３１、陰極３２、及び有機化合物層３３の端部の形状が光電変換装置１と異なる。
陰極３２は、光電変換装置１の場合よりもさらに基板２の接続部２１側（図５の左側）まで延在し、基板導電部９１の上まで乗り上げている。しかしながら、基板導電部９１上には内部絶縁膜３５が形成されているので、基板導電部９１と陰極３２との間には内部絶縁膜３５が介在し、陰極３２と基板導電部９１との電気的接続は防止されている。
また、陰極３２は、基板２の接続部２２側（図５の右側）まで延在し、補助電極３４ｃを乗り越え、基板導電部９２の上まで乗り上げている。そして、有機化合物層３３は、補助電極３４ｃを乗り越えて形成され、補助電極３４ｃと陰極３２との間には有機化合物層３３が介在している。ここで仮に有機化合物層３３が補助電極３４ｃを乗り越える位置まで延在していなかった場合、陰極３２と補助電極３４ｃとが電気的に接続され、陰極３２と陽極３１とが短絡してしまうおそれがある。しかしながら、補助電極３４ｃの上には内部絶縁膜３５が形成されているので、補助電極３４ｃと陰極３２との間には内部絶縁膜３５が介在し、陰極３２と基板導電部９２との電気的接続は防止されている。
なお、陽極３１が基板導電部９２まで延在して電気的に接続する場合には、基板導電部９２の上に内部絶縁膜３５を形成しておけば、前述と同様に、陽極３１と陰極３２との短絡を防止できる。

次に本発明に係る第九実施形態について、図面に基づいて説明する。
ここで、第九実施形態の説明において前記実施形態と同一の構成要素は同一符号を付して説明を省略もしくは簡略にする。
図１６は、基板２の面に沿った方向の光電変換装置１９Ａの断面を基板２に向かって見た場合の平面断面図である。図１７は、基板２の面に沿った方向の光電変換装置１９Ｂの断面を基板２に向かって見た場合の平面断面図である。
第九実施形態に係る光電変換装置１９Ａ，１９Ｂは、第一実施形態に係る光電変換装置１において、基板２上に光反射部３６が設けられている点で、光電変換装置１と異なる。なお、図１６及び図１７の断面を切り取った位置は第一実施形態に係る図３の位置と略同一である。そして、図１６及び図１７においては、説明の都合上、側面導電部６１，６２、接着部材７、及び電気接続部材８１，８２を二点鎖線で示す。
光反射部３６は、光を反射させる材料で構成され、有機化合物層３３で発生した光を、光取り出し方向に反射する層である。そして、光反射部３６は、例えば、蒸着等で金属膜を形成したり、金属箔や金属板等を貼り付けたりして、形成される。また、基板導電部９をＡｌ、Ｃｕ、Ａｇ等の金属で構成する場合、当該基板導電部９の部材と同じ部材で光反射部３６を形成するのが好ましい。同じ部材で形成することで、基板導電部９及び光反射部３６の形成を同時に行うことができる。

以上のような第九実施形態によれば、第一実施形態における（１）から（７）までと同じ効果を奏するとともに、以下の効果を奏する。
（１５）有機ＥＬ素子３の有機化合物層３３から出射した光は、基板２内を伝播せずにそのまま基板２から光取出し方向へ出射するか、基板２内での伝播を経て基板２から光取出し方向若しくは反対方向に出射する。光電変換装置１９Ａ，１９Ｂでは、光反射部３６が前述のように基板２上であって、基板導電部９等が設けられた位置とは異なる位置に設けられているので、光反射部３６が設けられた位置まで基板２内を伝播した当該出射光は、光取出し方向とは反対方向に出射せずに、光取出し方向に反射される。このように反射された光は、光取出し方向に出射するか、さらに反射されながら基板２の端部方向へ向かって伝播した後に光取出し方向に出射する。
このように、光反射部３６が基板２上に形成されているため、有機ＥＬ素子３から出射された光は、有機ＥＬ素子３の形成されていない基板２の端部側にある接合部まで伝播するとともに、光取出し方向に出射する。そして、当該接合部は光で隠されるので、光電変換装置１９Ａ，１９Ｂを複数隣接配置させた場合に、光電変換装置１９Ａ，１９Ｂ間の継ぎ目や接合部がより目立たなくなる。

さらに、第一電極及び第二電極のうち少なくともいずれか一方が本発明に係る上述の電気的接続構造で接続されていればよい。そしてさらに、上記第八実施形態で説明したような、複数の取出し電極５が形成される場合には、当該複数の電極のうち少なくともいずれか１つが本発明に係る上述の電気的接続構造で接続されていればよい。

駆動試験は、以下の条件で行った。
電流値が１ｍＡ／ｃｍ^２となるように有機ＥＬ素子３に電圧を印加し、そのときの電圧値を測定した。また、そのときのＥＬ発光スペクトルを分光放射輝度計（ＣＳ−１０００：コニカミノルタ社製）にて計測した。得られた分光放射輝度スペクトルから、輝度、色度、電流効率（ｃｄ／Ａ）、外部量子効率（％）、主ピーク波長（ｎｍ）を算出した。さらに、初期輝度５０００ｃｄ／ｍ^２（ｎｉｔ）で直流の連続通電試験を行い、素子の半減寿命を測定した。