JP2012122841A - 電子カセッテ - Google Patents

Abstract

【課題】電子カセッテを小型化・薄型化する。
【解決手段】照射されたＸ線を光に変換するシンチレータ４１と、シンチレータ４１から放射された光を電気信号に変換する手段であり、Ｘ線の入射方向においてシンチレータ４１の前方に配置されるとともに、フォトダイオードとＴＦＴからなり光電変換を行う検出素子アレイ４４が設けられた光検出面６１をシンチレータ４１に向けて配置されるＴＦＴ基板４２と、ＴＦＴ基板４２が出力する電気信号を処理する回路基板３６〜３９と、ＴＦＴ基板４２と回路基板３６〜３９を接続するフレキシブルな接続手段であり、ＴＦＴ基板４２と回路基板３６〜３９を接続した状態で、ＴＦＴ基板４２の背後に隠れるようにＴＦＴ基板４２と回路基板３６〜３９を接続するフレキシブル基板４６と、を備える。
【選択図】図５

Description

本発明は、シンチレータに対して放射線の入射側に光検出素子を配置して放射線を検出する方式（ＩＳＳ（Irradiation Side Sampling）方式）の放射線検出パネルを用いて放射線画像を取得する電子カセッテに関するものである。

放射線撮影の分野においては、放射線検出パネルとして、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）アクティブマトリクス基板（以下、ＴＦＴ基板という）上にＸ線感応層（シンチレータ）を配置し、入射したＸ線をデジタルデータに変換する平面検出器（ＦＰＤ：Flat Panel Detector）が実用化されている。また、被検者を透過して照射されたＸ線により表されるＸ線画像をＦＰＤを用いて生成するとともに、生成したＸ線画像を記憶する可搬型のＸ線（放射線）画像検出装置（以下、「電子カセッテ」という）が実用化されている。

ＦＰＤとしては、Ｘ線の入射側から、シンチレータ、ＴＦＴ基板の順に配置したＰＳＳ（Penetration Side Sampling）方式のＦＰＤが知られている。通常、ＴＦＴ基板は光検出面をシンチレータに向けて配置するので、ＰＳＳ方式のＦＰＤにおいては、ＴＦＴ基板の光検出面はＸ線の入射側に向けて配置される。また、ＴＦＴ基板を制御する制御基板等は、ＴＦＴ基板の背面に配置される。このように、光検出面はＸ線の入射側に向けて配置されるとともに、制御基板等はＴＦＴ基板の背面に配置されるので、これらを接続するフレキシブル基板はＴＦＴ基板の外側に向けて延伸して取り付けられ、ＴＦＴ基板の外縁を回り込むように湾曲されて背面の制御基板等に接続される（特許文献１）。

また、ＰＳＳ方式よりも高解像度化に有利な方式としてＩＳＳ方式が知られている。ＩＳＳ方式は、Ｘ線の入射側から、ＴＦＴ基板、シンチレータの順に配置する方式である。また、ＩＳＳ方式においてもＴＦＴ基板の光検出面をシンチレータに向けて配置することはＰＳＳ方式と同様であり、ＩＳＳ方式では光検出面が背面側を向くようにＴＦＴ基板が配置される。しかし、従来のＩＳＳ方式のＦＰＤは、ＰＳＳ方式におけるフレキシブル基板による接続構造を踏襲し、フレキシブル基板をＴＦＴ基板の外側に延伸して取り付けられ、ＴＦＴ基板から突出するように湾曲されて背面の制御基板等に接続される（特許文献２）。

特開２０１０−１９７４０４号公報 特開２０１０−２３７１３８号公報

電子カセッテは、取り扱いを容易にしたり、可搬性を向上させるために、小型・薄型化することが求められている。しかし、従来のＩＳＳ方式のＦＰＤは、ＴＦＴ基板の外側にフレキシブル基板が延伸するように取り付けられ、ＴＦＴ基板からフレキシブル基板がはみ出す接続構造なので、フレキシブル基板の配置スペースが小型・薄型化の妨げになっている。

本発明は、上述の問題点に鑑みてなされたものであり、フレキシブル基板の配線スペースを小さくし、電子カセッテを小型化・薄型化することを目的とする。

本発明の電子カセッテは、照射された放射線を光に変換するシンチレータと、前記放射線の照射方向において前記シンチレータの前方に配置され、光電変換素子が設けられた光検出面が前記シンチレータに対面するように設けられており、前記シンチレータから放射された光を前記光電変換素子によって電気信号に変換する光電変換手段と、前記光電変換基板が出力する前記電気信号を処理する信号処理手段と、前記光電変換手段と前記信号処理手段を接続する接続手段であり、前記光電変換手段と前記信号処理手段を接続した状態で、前記光電変換手段の背後に隠れるように前記光電変換手段と前記信号処理手段を接続する接続手段と、を備えることを特徴とする電子カセッテ。

前記接続手段の一端は、前記光検出面に接続されるとともに、前記光検出面の内側に他端が延伸する向きに取り付けられていることが好ましい。

前記接続手段は、フレキシブルプリント基板であることが好ましい。

前記フレキシブルプリント基板上に、前記信号処理手段とともに前記光電変換手段が出力する前記電気信号の処理を担う回路素子が設けられていることが好ましい。

前記フレキシブルプリント基板上に設けられた前記回路素子は、前記フレキシブルプリント基板によって前記光電変換手段と前記信号処理手段を接続したときに、前記フレキシブルプリント基板の外面に露呈される位置に取り付けられていることが好ましい。

前記シンチレータは、前記放射線の入射線量に応じた発光量の蛍光に変換する蛍光体と、前記蛍光体を支持する支持体とからなり、前記蛍光体と前記光検出面を当接させて配置されることが好ましい。

前記支持体は、前記光電変換手段と熱膨張率が等しい材料から形成されることが好ましい。

前記支持体は、ガラス基板またはカーボン板からなることが好ましい。

前記支持体は、筐体に固定されていることが好ましい。

前記支持体は、導電性の材料からなることが好ましい。

本発明によれば、フレキシブル基板の配線スペースを小さくし、電子カセッテを小型化・薄型化することができる。

Ｘ線撮影システムの構成を示す概略図である。 電子カセッテの分解斜視図である。 電子カセッテの断面図である。 Ｘ線検出パネルの背面側の構成を示す斜視図である。 本発明の作用を示す説明図である。 本発明の作用を示す説明図である。 フレキシブル基板をＴＦＴ基板の外側に向けて延伸する場合に好適なフレキシブル基板の取り付け態様を示す説明図である。 シンチレータの構成例を示す断面図である。 前面パネルへの支持体の取り付け例を示す図である。

図１に示すように、Ｘ線撮影システム１０は、Ｘ線発生器１１、臥位撮影台１２、電子カセッテ１３、コンソール１４、モニタ１５を備えている。電子カセッテ１３は、コンソール１４の制御に基づいて、Ｘ線発生器１１から被検者Ｈに照射されて透過したＸ線を検出し、Ｘ線画像を生成する。コンソール１４は、電子カセッテ１３から送信されたＸ線画像に各種画像処理を施し、モニタ１５に表示させる。トレイ２１は、電子カセッテ１３が着脱自在に取り付けられる取付部である。

Ｘ線撮影システム１０による撮影は、臥位撮影台１２に載せられている被検者Ｈに向けてＸ線発生器１１により上方からＸ線を照射し、そのＸ線が被検者Ｈを透過して得られるＸ線像を電子カセッテ１３で検出する。また、四肢や肘等の撮影では、臥位撮影台１２の上に電子カセッテ１３を載置して撮影することもある。

電子カセッテ１３は、ほぼ直方体形状をしており、例えば、半切サイズ（３８３．５ｍｍ×４５９．５ｍｍ）のフィルム用またはＩＰ用のカセッテと同様の国際規格ＩＳＯ４０９０：２００１に準拠した外形サイズを有している。電子カセッテ１３の外形サイズは、前述した半切サイズの他、四切サイズ、六切サイズ等があり、撮影部位に応じて適宜選択される。

図２及び図３に示すように、電子カセッテ１３は、筐体３１と、筐体３１に収容されるＸ線検出パネル３２、ベース板３４、回路基板３６〜３９等からなる。

筐体３１は、前面部３１ａと背面部３１ｂとからなる中空の直方体形状に形成され、内部にＸ線検出パネル３２等、電子カセッテ１３の各部を収容する。筐体３１は、例えばステンレス等のＸ線の透過率が低い金属で形成されている。前面部３１ａは、Ｘ線を入射させる前面側からＸ線検出パネル３２を覆うとともに、カーボン板によって形成されるＸ線透過窓３３が設けられている。

Ｘ線検出パネル３２は、入射したＸ線を蛍光に変換するシンチレータ４１と、シンチレータ４１で発生した光を光電変換することにより、Ｘ線の入射線量に応じた信号電荷を蓄積するＴＦＴ基板４２とからなる。

シンチレータ４１は、Ｘ線を蛍光に変換する素子であり、例えばヨウ化セシウム（ＣｓＩ）やガドリウムオキシサルファイド（ＧＯＳ）等の蛍光体を有する。シンチレータ４１は、Ｘ線が入射されると、Ｘ線を吸収することにより、蛍光体によって入射線量に応じた発光量の蛍光を発光する。シンチレータ４１は、アルミニウム等からなる支持体４１ａ上に蛍光体を蒸着（または塗布）したり、ＴＦＴ基板４２の表面に直接蒸着する等の方法によって作製されるが、本例ではＴＦＴ基板４２とは別体の支持体４１ａ上に作製される例を説明する。

ＴＦＴ基板４２は、ガラス基板４３上に検出素子アレイ４４が形成された基板であり、Ｘ線が入射することによってシンチレータ４１で発生した光を検出して電荷に変換する。検出素子アレイ４４は、フォトダイオード（光検出素子）とＴＦＴからなる検出素子をマトリクス状に配列して形成される。ＴＦＴ基板４２は、検出素子アレイ４４によって光を検出するので、検出素子アレイ４４が設けられた表面が光検出面である。

フォトダイオードは、蛍光に感応する光導電層を有し、シンチレータ４１から入射する光を光電変換することにより、入射光量に応じた信号電荷を発生する。フォトダイオードを形成する光導電層は、例えばアモルファスシリコン（ａ‐Ｓｉ）からなる。ＴＦＴは、信号電荷の蓄積と読み出しとを切り替えるスイッチング素子であり、各フォトダイオードにそれぞれ設けられている。

電子カセッテ１３は、ＩＳＳ方式のＦＰＤである。このため、Ｘ線検出パネル３２は、Ｘ線が入射される前面部３１ａ側からＴＦＴ基板４２、シンチレータ４１の順となるように配置される。このとき、検出素子アレイ４４が設けられたＴＦＴ基板４２の光検出面は、シンチレータ４１側に向けて配置される。シンチレータ４１は、蛍光体をＴＦＴ基板４２の光検出面に向けて配置される。また、ＴＦＴ基板４２とシンチレータ４１は、光検出面と蛍光体が当接するように接着剤で固定されるとともに、ＴＦＴ基板４２の前面（前面部３１ａ側の表面）は前面部３１ａの内面に、接着剤で固定される。したがって、Ｘ線検出パネル３２は、前面部３１ａによって筐体３１に固定される。また、シンチレータ４１の発光量はＸ線が入射する入射面となる前面で最も多くなるので、シンチレータ４１の前面とＴＦＴ基板４２の光検出面を対向させることで、Ｘ線検出パネル３２は高い検出効率が得られる。

ベース板３４は、回路基板３６〜３９を筐体３１に固定するための部材であり、例えばステンレス製である。ベース板３４は、Ｘ線検出パネル３２や回路基板３６〜３９が取り付けられた状態で、ネジ止め等によって筐体３１に固定して用いられる。また、ベース板３４の端部には、切り欠き３４ａが設けられている。

回路基板３６〜３９は、ベース板３４の背面部３１ｂ側に配置され、ベース板３４の前面部３１ａ側に配置されるＸ線検出パネル３２（ＴＦＴ基板４２）と各回路基板３６〜３９は、切り欠き３４ａに挿通されるフレキシブル基板４６によって接続される。

回路基板３６は、検出素子アレイ４４のＴＦＴを駆動する駆動回路が形成された駆動用回路基板である。回路基板３７はＡ／Ｄ変換回路が形成されたＡ／Ｄ変換回路基板である。Ａ／Ｄ変換回路は、後述するＩＣチップが出力するアナログ信号をデジタル信号に変換する。

回路基板３８は、制御回路が形成された制御基板である。制御回路は、Ｘ線検出パネル３２の各部を制御するとともに、コンソール１４との通信を制御する。回路基板３９は、電源回路が形成された電源回路基板である。電源回路は、交流を直流に変換するＡＣ／ＤＣコンバータや、直流電圧を各回路の動作に必要な電圧に変換するＤＣ／ＤＣコンバータなどの回路素子からなり、各部に電力を供給する。

駆動用回路基板３６とＡ／Ｄ変換回路基板３７は、それぞれフレキシブル基板４６によってＸ線検出パネル３２（ＴＦＴ基板４２）と接続される。フレキシブル基板４６には、ＴＣＰ（テープキャリアパッケージ）型のＩＣチップ５３，５４が実装されている。

ＩＣチップ５３は、回路基板３６に形成された回路素子とともに駆動回路を構成するシフトレジスタであり、ＩＣチップ５４は、Ｘ線検出パネル３２から読み出した信号電荷を電圧信号に変換するチャージアンプと、検出素子アレイ４４の列を順次切り替えて１列ずつ電圧信号を出力するためのマルチプレクサとからなる読み出し回路を構成するＡＳＩＣである。読み出し回路とＡ／Ｄ変換回路は、Ｘ線検出パネル３２が出力する信号を処理する信号処理回路である。各回路基板３６〜３９に実装される回路素子５６やフレキシブル基板４６に実装されるＩＣチップ５３，５４は、Ｘ線検出パネル３２を機能させるための電気部品である。

図４に示すように、フレキシブル基板４６は、ＴＦＴ基板４２の光検出面６１に一端を熱圧着することにより接続される。また、フレキシブル基板４６は、各回路基板３６〜３９と接続するコネクタ６２が設けられた他端が、ＴＦＴ基板４２の内側に延伸する向きにＴＦＴ基板４２に取り付けられる。

フレキシブル基板４６の折り曲げによる断線等の接続の不具合を防ぎ、ＴＦＴ基板４２と各回路基板３６〜３９の安定接続を実現するためには、フレキシブル基板４６の導線部分の曲げ半径を一定の範囲内に収める必要がある。

図５に二点鎖線で示すように、フレキシブル基板４６をＴＦＴ基板４２の外側に延伸する向きに取り付ける場合、フレキシブル基板４６の導線部分６３の曲げ角が１８０度となり、フレキシブル基板４６の曲げ半径をフレキシブル基板４６の金属層が折れて破損しない最小半径以上にしなければならないため、ベース板３４をＸ線検出パネル３２から離して配置する必要がある。また、フレキシブル基板４６をＴＦＴ基板４２の外側に延伸する向きに取り付ける場合、導線部分６３はＴＦＴ基板４２の外側にはみだすので、ＴＦＴ基板４２と前面部３１ａとの間にフレキシブル基板４６の配置スペースを確保する必要がある。

一方、図５に実線で示すように、本実施形態では、フレキシブル基板４６をＴＦＴ基板４２の内側に延伸する向きに取り付けているので、フレキシブル基板４６は、ほぼ平坦な状態でＴＦＴ基板４２と回路基板３６〜３９とを接続することができる。このため、フレキシブル基板４６の曲げ半径を考慮する必要は殆どなく、ベース板３４とＸ線検出パネル３２とを容易に密着するところまで近づけて配置することができる。したがって、フレキシブル基板４６をＴＦＴ基板４２の内側に延伸する向きに取り付けることで、電子カセッテ１３を薄型化できる。

また、フレキシブル基板４６をＴＦＴ基板４２の内側に延伸する向きに取り付ける場合、フレキシブル基板４６は全てＴＦＴ基板４２の背後（光検出面６１側の面内）に収まる。このため、ＴＦＴ基板４２と筐体３１（前面部３１ａ）との間に、フレキシブル基板４６の導線部分６３を配置するスペースを確保する必要がない。したがって、フレキシブル基板４６をＴＦＴ基板４２の内側に延伸する向きに取り付けることで、電子カセッテ１３を小型化できる。また、フレキシブル基板４６に照射されるＸ線量が減少するので、ＩＣチップ５３，５４の誤作動や故障も防止できる。

さらに、フレキシブル基板４６をＴＦＴ基板４２の内側に向けて延伸する向きに取り付ける場合と、外側に向けて取り付ける場合とを比較すると、フレキシブル基板４６の長さは、ＴＦＴ基板４２の内側に向けて延設する場合の方が短くすることができる。このため、Ｘ線検出パネル３２と各回路基板３６〜３９をフレキシブル基板４６で接続していることによって発生するノイズを低減することができる。

また、フレキシブル基板４６をＴＦＴ基板４２の内側に延伸するように取り付けると、曲げ角が小さいことにより、熱圧着によりＴＦＴ基板４２に接続したフレキシブル基板４６の一端にかかる剥離方向の力を低減することができる。これにより、電子カセッテ１３の組み立て時等に、フレキシブル基板４６がＴＦＴ基板４２と断線してしまうことを防ぐことができる。

なお、これらのことは、図６に示すように、フレキシブル基板４６をＴＦＴ基板４２の外側に延伸する向きに取り付け、かつ、ベース板３４をＸ線検出パネル３２に密着させる場合と比較しても同様である。すなわち、フレキシブル基板４６の曲げ角を一定の角度以下に収めるためには、フレキシブル基板４６の導線部分６３を配置するスペースが電子カセッテ１３の薄型化や小型化の妨げになる。また、フレキシブル基板４６をＴＦＴ基板４２の外側に延伸する向きに取り付け、かつ、ベース板３４をＸ線検出パネル３２に密着させる場合に、フレキシブル基板４６の曲げ角を抑えるためには、フレキシブル基板４６をより長くする必要があるので、ノイズの影響が増大する。こうしたことから、フレキシブル基板４６をＴＦＴ基板４２の内側に向けて延伸するように取り付けることが好ましい。

なお、上述の実施形態では、ＴＦＴ基板４２の背面（光検出面６１）にフレキシブル基板４６を熱圧着し、フレキシブル基板４６の他端はコネクタ６２によって各回路基板３６に接続する例を説明したが、フレキシブル基板４６の接続態様はこの例に限らない。例えば、電子カセッテ１３の組み立て時に、フレキシブル基板４６の他端を各回路基板３６に熱圧着により接続しても良い。また、ＴＦＴ基板４２との接続をコネクタ６２による接続にしても良い。

なお、上述の実施形態では、ＴＦＴ基板４２の内側に延伸するようにフレキシブル基板４６を取り付けることによって、フレキシブル基板４６の全体がＴＦＴ基板４２の背面に隠れるように配置する例を説明したが、これに限らない。図７に示すように、従来と同様にしてフレキシブル基板４６をＴＦＴ基板４２の外側に延伸するように取り付ける場合であっても、ＴＦＴ基板４２の背面にフレキシブル基板４６の全体が隠れるように取り付けることが好ましい。このようにフレキシブル基板４６を取り付けるためには、例えば、フレキシブル基板４６のＴＦＴ基板４２への取り付け位置を、よりＴＦＴ基板４２の内側にすれば良い。フレキシブル基板４６がＴＦＴ基板４２の背面に全て隠れるように取り付けると、フレキシブル基板４６の配置スペースを確保するためだけに電子カセッテ１３を大型化する必要がなくなる。

なお、上述の実施形態では、ＴＦＴ基板４２にできるだけ近づけるためにフレキシブル基板４６の表面にＩＣチップ５３，５４を設けているが、フレキシブル基板４６が従来よりも短くなるので、ＩＣチップ５３，５４は各回路基板３６〜３９と同様にベース板３４に設けても良い。また、ＩＣチップ５３，５４は、各回路基板３６〜３９と一体に設けても良い。

さらに、上述の実施形態では、フレキシブル基板４６と各回路基板３６〜３９を接続したときに、フレキシブル基板４６の外側にＩＣチップ５３，５４が露呈される例を説明したが、ＩＣチップ５３，５４をフレキシブル基板４６の内側に配置し、フレキシブル基板４６と各回路基板３６〜３９を接続したときに、フレキシブル基板４６の内面側に隠れるようにしても良い。なお、フレキシブル基板４６と各回路基板３６〜３９を接続したときに、ＴＦＴ基板４２等の反対側に露呈されるフレキシブル基板４６の表面を外面とし、フレキシブル基板４６と各回路基板３６〜３９を接続したときにＴＦＴ基板等の側に向けられるフレキシブル基板４６の表面を内面とする。

なお、上述の実施形態では、筐体３１やベース板３４をステンレスで形成する例を説明したが、筐体３１やベース板３４は、Ｘ線を遮蔽する材料であれば任意の材料を用いることができる。例えば、銅系の材料や、アルミニウム板に銅箔を蒸着したもの等を筐体３１やベース板３４として好適に用いることができる。支持体７１として、ガラス基板やカーボン板等、ＴＦＴ基板４２と熱膨張率が等しい（または近い）材料を用いると、Ｘ線検出パネル３２の反りを低減しやすく、ＴＦＴ基板４２とシンチレータ４１（蛍光体７２）の剥離を防ぐことができる。

なお、上述の実施形態では、シンチレータ４１をＴＦＴ基板４２に接着して固定する例を説明したがこれに限らない。図８及び図９に示すように、アルミ製の支持体７１に蛍光体７２を蒸着（または塗布）してシンチレータ４１を形成する場合には、支持体７１を蛍光体７２よりも大きく形成しておき、支持体７１を筐体（例えば前面部３１ａ）にネジ７３等によって固定することが好ましい。この場合、支持体７１の端部にはベース板３４と同様にフレキシブル基板４６を挿通する切り欠き７４を設けておく。また、蛍光体７２とＴＦＴ基板４２は上述の実施形態と同様に接着剤で固定するが、ＴＦＴ基板４２と前面部３１ａは接着しない。

こうして支持体７１上に蛍光体７２を蒸着してシンチレータ４１を作製する場合に、シンチレータ４１の支持体７１を筐体３１に固定するとＸ線検出パネル３２の剛性を向上させることができる。蛍光体７２は、Ｘ線撮影時に熱を持つが、この熱によるシンチレータ４１やＴＦＴ基板４２の反りや、シンチレータ４１とＴＦＴ基板４２の剥離を防止することができる。

また、Ｘ線検出パネル３２を筐体３１に接着せずにネジ止めするので、Ｘ線検出パネル３２を容易に取り外すことが可能となる。これにより、Ｘ線検出パネル３２のメンテナンスや再利用を容易に行うことができる。支持体７１として、金属板等、導電性のある物質で形成すると、蛍光体７２が支持体７１を通して筐体３１に接地されるので、蛍光体７２の帯電を防止することができる。

なお、上述の実施形態では、ベース板３４の背面側（背面部３１ｂ側）に回路基板３６を設ける例を説明したが、ベース板３４とシンチレータ４１との間を離して配置し、各回路基板３６〜３９をベース板３４の前面部３１ａ側に設けるようにしても良い。

なお、上述の実施形態では、放射線の一例としてＸ線を用いる例を説明したが、他の放射線を用いても良い。

１０ Ｘ線撮影システム
１１ Ｘ線発生器
１２ 臥位撮影台
１３ 電子カセッテ
１４ コンソール
１５ モニタ
２１ トレイ
３１ 筐体
３１ａ 前面部
３１ｂ 背面部
３２ Ｘ線検出パネル
３３ Ｘ線透過窓
３４ ベース板
３４ａ 切り欠き
３６〜３９ 回路基板
４１ シンチレータ
４２ ＴＦＴ基板
４３ ガラス基板
４４ 検出素子アレイ
４６ フレキシブル基板
５３，５４ ＩＣチップ
５６ 回路素子
６１ 光検出面
６２ コネクタ
６３ 導線部分
７１ 支持体
７２ 蛍光体
７３ ネジ
７４ 切り欠き

Claims (10)

1. 照射された放射線を光に変換するシンチレータと、
   前記放射線の照射方向において前記シンチレータの前方に配置され、光電変換素子が設けられた光検出面が前記シンチレータに対面するように設けられており、前記シンチレータから放射された光を前記光電変換素子によって電気信号に変換する光電変換手段と、
   前記光電変換基板が出力する前記電気信号を処理する信号処理手段と、
   前記光電変換手段と前記信号処理手段を接続する接続手段であり、前記光電変換手段と前記信号処理手段を接続した状態で、前記光電変換手段の背後に隠れるように前記光電変換手段と前記信号処理手段を接続する接続手段と、
   を備えることを特徴とする電子カセッテ。
2. 前記接続手段の一端は、前記光検出面に接続されるとともに、前記光検出面の内側に他端が延伸する向きに取り付けられていることを特徴とする請求項１記載の電子カセッテ。
3. 前記接続手段は、フレキシブルプリント基板であることを特徴とする請求項１または２のいずれか１項に記載の電子カセッテ。
4. 前記フレキシブルプリント基板上に、前記信号処理手段とともに前記光電変換手段が出力する前記電気信号の処理を担う回路素子が設けられていることを特徴とする請求項３記載の電子カセッテ。
5. 前記フレキシブルプリント基板上に設けられた前記回路素子は、前記フレキシブルプリント基板によって前記光電変換手段と前記信号処理手段を接続したときに、前記フレキシブルプリント基板の外面に露呈される位置に取り付けられていることを特徴とする請求項４記載の電子カセッテ。
6. 前記シンチレータは、前記放射線の入射線量に応じた発光量の蛍光に変換する蛍光体と、前記蛍光体を支持する支持体とからなり、前記蛍光体と前記光検出面を当接させて配置されることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の電子カセッテ。
7. 前記支持体は、前記光電変換手段と熱膨張率が等しい材料から形成されることを特徴とする請求項６記載の電子カセッテ。
8. 前記支持体は、ガラス基板またはカーボン板からなることを特徴とする請求項７記載の電子カセッテ。
9. 前記支持体は、筐体に固定されていることを特徴とする請求項６記載の電子カセッテ。
10. 前記支持体は、導電性の材料からなることを特徴とする請求項７記載の電子カセッテ。

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