JP2012124191A - 発光装置及びその製造方法 - Google Patents

発光装置及びその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2012124191A
JP2012124191A JP2010271036A JP2010271036A JP2012124191A JP 2012124191 A JP2012124191 A JP 2012124191A JP 2010271036 A JP2010271036 A JP 2010271036A JP 2010271036 A JP2010271036 A JP 2010271036A JP 2012124191 A JP2012124191 A JP 2012124191A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
emitting device
hole
light emitting
circuit board
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2010271036A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroshi Tsukada
浩 塚田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Citizen Holdings Co Ltd
Citizen Electronics Co Ltd
Original Assignee
Citizen Holdings Co Ltd
Citizen Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Citizen Holdings Co Ltd, Citizen Electronics Co Ltd filed Critical Citizen Holdings Co Ltd
Priority to JP2010271036A priority Critical patent/JP2012124191A/ja
Publication of JP2012124191A publication Critical patent/JP2012124191A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

【課題】封止樹脂がスルーホールに浸入することを防止するとともに、製造が容易な発光装置を提供する。
【解決手段】回路基板11と、回路基板11の上面に形成した電極パターン14,24上に載置したLED素子13と、LED素子13を被覆するように設ける封止樹脂16とを備え、マザーボード18に対し平行に発光するように実装される発光装置20において、回路基板11はマザーボード18との接続面に設ける凹部電極15a,25aと、凹部電極15a,25aと電極パターン14,24とを電気的に接続するスルーホール17,27とを有し、スルーホール17,27に導電性部材17a,27aが充填されている。
【選択図】図2

Description

本発明は、発光素子を回路基板に実装した発光装置に関し、詳しくはその発光装置をマザー基板に実装したときに発光方向がマザー基板と略平行になる側面発光型の発光装置及びその製造方法に関する。
発光ダイオード(LED)を用いた発光装置は、その低消費電力および長寿命といった素子の特徴から、携帯電話機器に代表される多くの小型携帯機器に搭載されている。このような携帯機器に用いられる発光装置の具体例として側面発光型の発光装置の例が開示されている。図11はこの側面発光型の発光装置の断面図である。図11に示すように、この従来の発光装置10は、平面が略長方形形状の回路基板1にLED素子3を実装し、LED素子3を覆うように透光性の封止樹脂6で樹脂封止されている。回路基板1には、LED素子3をダイボンドした位置にスルーホール5が形成され、LED素子3に直接つながる電極パターンをスルーホール5を介して回路基板1の裏面まで配線した電極パターン4が形成されている。この電極パターン4は実装用スルーホール9へと配線され、マザーボード8の配線パターン8aと半田2で接続されている(例えば、特許文献1参照。)。
しかしながら、この発光装置10を集合基板方式で製造しようとすると封止樹脂形成工程において、封止樹脂6がスルーホール9に浸入してしまうという問題があった。そこで、この侵入を防ぐ構造としてマザーボードの配線パターンと接続するための電極を確保するための積層基板をベース基板に積層して回路基板とし、ベース基板のスルーホールを積層基板が塞いでいる側面発光型の発光装置の例が開示されている。図12は、この側面発光型の発光装置の断面図である。図12に示すように、この発光装置50の回路基板1は、ベース基板1Aと、ベース基板1Aに積層した積層基板1Bとで構成されている。積層基板1BにはLED素子3が実装され、LED素子3を覆うように透光性の封止樹脂6で樹脂封止されている。さらに積層基板1Bには、スルーホール7が形成され、LED素子3とワイヤーボンディングで接続された電極パターンをスルーホール7を介して積層基板1Bの裏面まで配線した電極パターン4が形成されている。一方ベース基板1Aの側端部には半円の実装用スルーホール電極9が形成されていて、このスルーホール電極9は前述の電極パターン4に接続されるとともに、マザーボード8の配線パターン8aと半田2で接続されている(例えば、特許文献2参照。)。
特許第4056598号公報(第4頁、図1) 特開2004−186514号公報(第4頁、図2)
しかしながら図12に示す従来の発光装置50は、集合基板方式で製造する場合における封止樹脂の形成工程において、封止樹脂6がスルーホール9に浸入することを防止することができるが、回路基板1が2層構造となっているため構造が複雑化し、基板同士の貼り合わせなど製造工程が煩瑣になるという問題があった。
(目的)
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、回路基板を一層構造で構成して構造を簡素化し、集合基板方式で製造する場合の封止樹脂形成工程において、封止樹脂がスルーホールに浸入することを防止することを可能とするとともに、製造が容易な側面発光型の発光装置及びその製造方法を提供することを目的とするものである。
上記課題を解決ために本発明の発光装置は、回路基板と、該回路基板の上面に形成した電極パターン上に載置したLED素子と、該LED素子を被覆するように設ける封止樹脂とを備え、マザーボードに対し平行に発光するように実装される発光装置において、 前記回路基板は前記マザーボードとの接続面に設ける凹部電極と、該凹部電極と前記電極パターンとを電気的に接続するスルーホールとを有し、該スルーホールに導電性部材が充填されていることを特徴とする。
また、前記凹部電極は、前記回路基板における前記マザーボードとの接続面と、前記回路基板の下面との角部に設けられていることを特徴とする。
また、本発明の発光装置の製造方法は、集合基板の所定の位置にスルーホールを形成する工程と、該スルーホールに対応する前記集合基板の下面に凹部を形成する工程と、前記集合基板の上面に電極パターンを形成工程と、前記スルーホールにスルーホール電極を形成して前記電極パターンと前記スルーホール電極とを電気的に接続する工程と、前記凹部に凹部電極を形成して前記スルーホール電極と前記凹部電極とを電気的に接続する工程と、前記集合基板の上面に形成した電極パターン上にLED素子を実装する工程と、前記集合基板の上面に前記LED素子を囲むように枠体を形成する工程と、前記LED素子を覆うように封止樹脂を形成する工程と、前記集合基板を縦横に切断して個々の発光装置に分割する工程とを有することを特徴とすることを特徴とする。
また、前記スルーホールに導電性部材を充填する工程を有することを特徴とする。
本発明によれば、凹部電極をマザーボードとの接続電極としているので、回路基板を一層で構成し、集合基板での製造時に封止樹脂が凹部電極を形成した領域に侵入するのを防止することができる。これにより、構造が簡単で製造が容易な発光装置及びその製造方法を実現することができる。
本発明の実施形態における発光装置をマザーボードに実装した状態示す斜視図である。 図1におけるA−A断面図である。 本発明の実施形態における発光装置の回路基板の表面側を示す斜視図である。 本発明の実施形態における発光装置の回路基板の裏面側を示す斜視図である。 本発明の実施形態における発光装置の表面側の配線状態を示す斜視図である。 本発明の実施形態における発光装置の凹部電極を示す斜視図である。 本発明の実施形態における発光装置とマザーボードとの電気的な接続状態を示す斜視図である。 本発明の実施形態における発光装置の製造工程を示す図である。 本発明の実施形態における発光装置の製造工程を示す断面図である。 本発明の実施形態における発光装置の製造工程を示す断面図である。 従来技術における発光装置をマザーボードに実装した状態を示す断面図である。 従来技術の他の例における発光装置をマザーボードに実装した状態を示す断面図である。
図1から図7は本発明の実施形態における発光装置を示す図である。また、図8から図10は、本発明の実施形態における発光装置の製造工程を示す図である。以下、図に基づいて具体的実施例について説明する。
図1は本実施形態における発光装置を示す斜視図、図2は図1におけるA−A断面図である。実施例1における発光装置の平面図、図3は図2におけるA−A断面図である。図1、図2に示すように本実施形態における発光装置20は、回路基板11と、回路基板11の上面11aに形成した電極パターン14、24上に載置したLED素子13と、LED素子13被覆するように設ける封止樹脂16と、LED素子13及び封止樹脂16を囲むように設ける枠体19とを備えており、マザーボード18に対し平行に発光するように実装されている。また、回路基板11にはマザーボード18との接続面となる側面11cと下面11bとの角部に設ける凹部電極15aと、凹部電極15aと電極パターン14とを電気的に接続するスルーホール17とが備えられており、スルーホール17に導電性部材17aが充填されている。さらに、詳細については、後述するが、回路基板11には側面11cと下面11bとの角部における電極パターン24に対応する位置に凹部電極25a(図示せず)が設けられている。また、この凹部電極25aと電極パターン24とを電気的に接続するスルーホール27(図示せず)が設けられており、このスルーホール27(図示せず)に導電性部材27aが充填されている。
図3は、回路基板11を上面11a側から見た斜視図、図4は回路基板11を下面11b側から見た斜視図である。図3、図4に示すように回路基板11は、ガラスエポキシ樹脂等からなり、側面11cと下面11bとの角部に凹部15、25が設けられている。また、上面11a側から下面11b側の凹部15に貫通するスルーホール17、及び上面11a側から下面11b側の凹部25に貫通するスルーホール27が設けられている。
図5は、回路基板11にLED素子13を実装した状態を上面11a側から見た斜視図、図6は回路基板11に凹部電極15a、25aを形成した状態を下面11b側から見た斜視図である。図5、図6に示すように、回路基板11の上面11aに電極パターン14、24が形成されていて、この電極パターン14にLED素子がダイボンディングされ、LED素子13の上面電極13aが電極パターン24にワイヤーボンディングされている。また、図6に示すように、回路基板11の下面11b側には図4に示した凹部15、25にそれぞれ凹部電極15a、25aが形成されている。さらに、電極パターン14と凹部電極15aとが導電性部材17aが充填されたスルーホール17により電気的に接続され、電極パターン24と凹部電極25aとが導電性部材27aが充填されたスルーホール27により電気的に接続されている。
以上のように構成された本実施形態における発光装置20によれば、回路基板11に載置されたLED素子13は、電極パターン14、24により導電性部材17a、27aが充填されたスルーホール17、27に接続され、このスルーホール17、27が凹部電極15a、25aに接続される。これにより、凹部電極15a、25aは、回路基板11の下面11b側と側面11c側が露出され、後述するマザーボード18との電気的な接続が容易で且つ確実に行うことができる。また、マザーボード18との接続電極として凹部電極15a、25aを設け、スルーホール17、27を導電性部材17a、27aで充填することにより、回路基板を一層で構成し、且つ製造時に封止樹脂が凹部電極を形成した領域に侵入するのを防止することができる。これにより、構造が簡単な発光装置20を実現することができる。
なお、導電性部材17a、27aとしては、銅(Cu)ペースト等の導電性材料が用いられる。また、封止樹脂16としては光透光性のエポキシ、シリコーン樹脂などが用いられる。また、枠体19は光反射性部材からなり、酸化チタンを含有させた白色樹脂や、その他の金属微粒子等の高反射性材料を含有させた樹脂材料が適用され、樹脂材料としては、エポキシ、シリコーン樹脂などが用いられる。
図7は本発明の実施形態における発光装置とマザーホーホドとの接続状態を示す斜視図である。図7に示すように、発光装置20における凹部電極15a、25aは、回路基板11の下面11bと、側面11cとに露出している。従って発光装置20をマザーボード18に回路基板の側面11cが下方となるように配置して、凹部電極15a、25aをマザーボード18の電極18a、18bにそれぞれ半田12によって電気的に接続して固定することにより、発光装置20がマザーボード18に対し平行に発光するように実装される。
次に、本実施形態における発光装置の製造方法について説明する。図8(a)は最初の製造工程を示す平面図であり、(a)を除く図8、図9、図10は発光装置の製造工程を示す断面図ある。図8(a)に示すように、集合基板100の所定の位置にスルーホール17、27を形成する。図8(b)は、図8(a)におけるB−B断面図で、スルーホール17を示している。スルーホール27についてもスルーホール17と同様であるため断面図は省略する。なお、以後の製造工程もスルーホール17の位置の断面について説明するがスルーホール27についても同様である。
次に、図8(c)に示すようにスルーホール17に導電性部材17aを充填する。導電性部材17aは、導電性の金属材料が用いられる。同様に、図示していないがスルーホール27に導電性部材27aを充填する。
次に、図9(a)に示すように集合基板100の下面100bにおけるスルーホール17に対応する位置に凹部15を形成する。この凹部15はサンドブラスト法で簡単に形成することができる。同様に、図示していないが、集合基板100の下面100bにおけるスルーホール27に対応する位置に凹部25を形成する。
次に、図9(b)に示すように集合基板100の上面100aに電極パターン14をメッキ法で形成し、凹部15に凹部電極15aを同じくメッキ法で形成して、電極パターン14と凹部電極15aとをスルーホール17に充填されている導電性部材17aで電気的に接続する。同様に、図示していないが、集合基板100の上面100aに電極パターン24を形成し、凹部25に凹部電極25aを形成して、電極パターン24と凹部電極25aとをスルーホール27に充填されている導電性部材27aで電気的に接続する。
次に、図9(c)に示すように電極パターン14上にLED素子13をダイボンドする。さらに図示しないが、LED素子13の上面電極13aを電極パターン24にワイヤーボンドする。これにより、LED素子13が回路基板に実装される。
次に、図10(a)に示すようにLED素子13を囲むように枠体19を形成し、その後、図10(b)に示すようにLED素子13を覆うように枠体の内部に封止樹脂16を形成する。このとき、スルーホール17、27には導電性部材17a、27aが充填されているため封止樹脂16がスルーホール17、27や、凹部電極15a、25aが形成されている領域に浸入することはない。
次に、枠体19の位置で枠体19と集合基板100とを回転ブレードで切断して図10(c)に示すように個片化された発光装置20を形成する。このとき、凹部電極15a、25aも分断され、凹部電極15a、25aは回路基板11の下面11b側だけてなく、マザーボード18(図示せず)との接続面となる回路基板11の側面11c側も露出される。
なお、スルーホール17、27に導電性部材17a、27aを充填する例で説明したが、メッキ法で電極パターン14、24または凹部電極15a、25aを形成する工程でスルーホール17、27の内面に電極を形成し、同時にスルーホール17、27を塞いでも良い。この場合には、スルーホール17、27に導電性部材17a、27aを充填する工程を省略しても良い。また予め集合基板の上面100aに銅箔を貼りつけておいても良い。図10(a)、(b)に対し、封止樹脂16を形成していから枠体19を形成しても良く、この場合は封止樹脂16を集合基板の上面100a全体に塗布してから溝を形成し、その溝に枠体19用の樹脂を注入する。本実施形態ではLED素子13にワイヤーボンディングを採用していたが、熱伝導性や実装面積効率の良いフリップチップ実装を採用しても良い。
以上のように、本実施形態における発光装置の製造方法によれば、マザーボード18との接続電極として凹部電極15a、25aを形成し、スルーホール17、27を導電性部材17a、27aで充填することにより、集合基板での製造方法における封止樹脂形成工程時に封止樹脂が凹部電極を形成した領域に侵入するのを防止することができる。これにより、回路基板11が一層で構成することが可能となり、構造が簡単で製造が容易な発光装置20の製造方法を実現することができる。
11 回路基板
11a 回路基板の上面
11b 回路基板の下面
11c 回路基板の側面
12 半田
13 LED素子
13a LED素子の上面電極
14、24 電極パターン
15、25 凹部
15a、25a 凹部電極
16 封止樹脂
17、27 スルーホール
17a、27a 導電性部材
18 マザーボード
18a マザーボードの電極
19 枠体
20 発光装置
100 集合基板
100a 集合基板の上面
100b 集合基板の下面

Claims (4)

  1. 回路基板と、該回路基板の上面に形成した電極パターン上に載置したLED素子と、該LED素子を被覆するように設ける封止樹脂とを備え、マザーボードに対し平行に発光するように実装される発光装置において、
    前記回路基板は前記マザーボードとの接続面に設ける凹部電極と、該凹部電極と前記電極パターンとを電気的に接続するスルーホールとを有し、該スルーホールに導電性部材が充填されていることを特徴とする発光装置。
  2. 前記凹部電極は、前記回路基板における前記マザーボードとの接続面と、前記回路基板の下面との角部に設けられていることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
  3. 集合基板の所定の位置にスルーホールを形成する工程と、該スルーホールに対応する前記集合基板の下面に凹部を形成する工程と、前記集合基板の上面に電極パターンを形成工程と、前記スルーホールにスルーホール電極を形成して前記電極パターンと前記スルーホール電極とを電気的に接続する工程と、前記凹部に凹部電極を形成して前記スルーホール電極と前記凹部電極とを電気的に接続する工程と、前記集合基板の上面に形成した電極パターン上にLED素子を実装する工程と、前記集合基板の上面に前記LED素子を囲むように枠体を形成する工程と、前記LED素子を覆うように封止樹脂を形成する工程と、前記集合基板を縦横に切断して個々の発光装置に分割する工程とを有することを特徴とすることを特徴とする発光装置の製造方法。
  4. 前記スルーホールに導電性部材を充填する工程を有することを特徴とする請求項3に記載の発光装置の製造方法。

JP2010271036A 2010-12-06 2010-12-06 発光装置及びその製造方法 Pending JP2012124191A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010271036A JP2012124191A (ja) 2010-12-06 2010-12-06 発光装置及びその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010271036A JP2012124191A (ja) 2010-12-06 2010-12-06 発光装置及びその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2012124191A true JP2012124191A (ja) 2012-06-28

Family

ID=46505369

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010271036A Pending JP2012124191A (ja) 2010-12-06 2010-12-06 発光装置及びその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2012124191A (ja)

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180121422A (ko) * 2017-04-28 2018-11-07 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 발광장치
JP2019016766A (ja) * 2017-04-28 2019-01-31 日亜化学工業株式会社 発光装置
KR20190020603A (ko) * 2017-08-21 2019-03-04 서울반도체 주식회사 발광 다이오드 패키지
JP2019036713A (ja) * 2017-08-21 2019-03-07 ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッド 発光ダイオードパッケージ
JP2019054248A (ja) * 2018-09-19 2019-04-04 日亜化学工業株式会社 発光装置
EP3503225A1 (en) 2017-12-22 2019-06-26 Nichia Corporation Light emitting device
JP2019134150A (ja) * 2018-01-29 2019-08-08 日亜化学工業株式会社 発光装置
CN110299352A (zh) * 2018-03-22 2019-10-01 日亚化学工业株式会社 发光装置
JP2019220694A (ja) * 2017-12-22 2019-12-26 日亜化学工業株式会社 発光装置
KR20200030483A (ko) * 2018-09-12 2020-03-20 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 광원 장치의 제조 방법
KR20200056930A (ko) 2018-11-15 2020-05-25 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 발광 장치의 제조 방법
KR20200056934A (ko) 2018-11-15 2020-05-25 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 발광 장치의 제조 방법, 발광 장치 및 광원 장치
US10804442B2 (en) 2018-01-29 2020-10-13 Nichia Corporation Light emitting device
JP2021166315A (ja) * 2014-05-21 2021-10-14 日亜化学工業株式会社 発光装置
KR20250021975A (ko) 2023-08-07 2025-02-14 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 발광 장치 및 발광 모듈

Cited By (55)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7148826B2 (ja) 2014-05-21 2022-10-06 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2021166315A (ja) * 2014-05-21 2021-10-14 日亜化学工業株式会社 発光装置
US11411144B2 (en) 2017-04-28 2022-08-09 Nichia Corporation Light-emitting device
USD930857S1 (en) 2017-04-28 2021-09-14 Nichia Corporation Light-emitting unit
KR102161062B1 (ko) * 2017-04-28 2020-09-29 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 발광장치
US12520635B2 (en) 2017-04-28 2026-01-06 Nichia Corporation Light-emitting device
JP2019068100A (ja) * 2017-04-28 2019-04-25 日亜化学工業株式会社 発光装置
US11652192B2 (en) 2017-04-28 2023-05-16 Nichia Corporation Light-emitting device
KR20200112782A (ko) * 2017-04-28 2020-10-05 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 발광모듈
JP2019016766A (ja) * 2017-04-28 2019-01-31 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2020150265A (ja) * 2017-04-28 2020-09-17 日亜化学工業株式会社 発光モジュール
KR102246855B1 (ko) 2017-04-28 2021-04-29 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 발광모듈
US11264542B2 (en) 2017-04-28 2022-03-01 Nichia Corporation Light-emitting device
CN108807652A (zh) * 2017-04-28 2018-11-13 日亚化学工业株式会社 发光装置
KR20180121422A (ko) * 2017-04-28 2018-11-07 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 발광장치
EP3396724B1 (en) * 2017-04-28 2021-05-26 Nichia Corporation Light-emitting device
EP3863070A1 (en) * 2017-04-28 2021-08-11 Nichia Corporation Light-emitting device
KR20190020603A (ko) * 2017-08-21 2019-03-04 서울반도체 주식회사 발광 다이오드 패키지
US11335837B2 (en) 2017-08-21 2022-05-17 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting diode package
KR102450622B1 (ko) * 2017-08-21 2022-10-07 서울반도체 주식회사 발광 다이오드 패키지
JP2019036713A (ja) * 2017-08-21 2019-03-07 ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッド 発光ダイオードパッケージ
JP2019220662A (ja) * 2017-12-22 2019-12-26 日亜化学工業株式会社 発光装置
US11581465B2 (en) 2017-12-22 2023-02-14 Nichia Corporation Light emitting device
KR102146833B1 (ko) * 2017-12-22 2020-08-21 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 발광 장치
US10727387B2 (en) 2017-12-22 2020-07-28 Nichia Corporation Light emitting device
TWI867461B (zh) * 2017-12-22 2024-12-21 日商日亞化學工業股份有限公司 發光裝置
CN110010751B (zh) * 2017-12-22 2024-06-11 日亚化学工业株式会社 发光装置
EP3503225A1 (en) 2017-12-22 2019-06-26 Nichia Corporation Light emitting device
US10950772B2 (en) 2017-12-22 2021-03-16 Nichia Corporation Light emitting device
KR20200101317A (ko) 2017-12-22 2020-08-27 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 발광 장치
KR102255992B1 (ko) * 2017-12-22 2021-05-25 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 발광 장치
KR20190076893A (ko) 2017-12-22 2019-07-02 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 발광 장치
US10608154B2 (en) 2017-12-22 2020-03-31 Nichia Corporation Light emitting device
EP3872874A1 (en) 2017-12-22 2021-09-01 Nichia Corporation Light emitting device
CN110010751A (zh) * 2017-12-22 2019-07-12 日亚化学工业株式会社 发光装置
JP2019220694A (ja) * 2017-12-22 2019-12-26 日亜化学工業株式会社 発光装置
US11195977B2 (en) 2018-01-29 2021-12-07 Nichia Corporation Light emitting device
US10804442B2 (en) 2018-01-29 2020-10-13 Nichia Corporation Light emitting device
JP2019134150A (ja) * 2018-01-29 2019-08-08 日亜化学工業株式会社 発光装置
US11605617B2 (en) 2018-03-22 2023-03-14 Nichia Corporation Light emitting device
JP2019169557A (ja) * 2018-03-22 2019-10-03 日亜化学工業株式会社 発光装置
CN110299352A (zh) * 2018-03-22 2019-10-01 日亚化学工业株式会社 发光装置
JP7089159B2 (ja) 2018-03-22 2022-06-22 日亜化学工業株式会社 発光装置
CN110299352B (zh) * 2018-03-22 2024-10-11 日亚化学工业株式会社 发光装置
KR20200030483A (ko) * 2018-09-12 2020-03-20 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 광원 장치의 제조 방법
KR102315049B1 (ko) 2018-09-12 2021-10-19 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 광원 장치의 제조 방법
KR20210011044A (ko) * 2018-09-12 2021-01-29 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 광원 장치의 제조 방법
KR102208711B1 (ko) 2018-09-12 2021-01-27 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 광원 장치의 제조 방법
JP2019054248A (ja) * 2018-09-19 2019-04-04 日亜化学工業株式会社 発光装置
KR20200056930A (ko) 2018-11-15 2020-05-25 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 발광 장치의 제조 방법
KR20200056934A (ko) 2018-11-15 2020-05-25 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 발광 장치의 제조 방법, 발광 장치 및 광원 장치
US11990560B2 (en) 2018-11-15 2024-05-21 Nichia Corporation Method of manufacturing light-emitting device, light-emitting device, and light source device
US11411133B2 (en) 2018-11-15 2022-08-09 Nichia Corporation Method of manufacturing light-emitting device, light-emitting device, and light source device
US11201258B2 (en) 2018-11-15 2021-12-14 Nichia Corporation Method for manufacturing light emitting device
KR20250021975A (ko) 2023-08-07 2025-02-14 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 발광 장치 및 발광 모듈

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2012124191A (ja) 発光装置及びその製造方法
US8247833B2 (en) LED package and manufacturing method thereof
US10193040B2 (en) LED package with a plurality of LED chips
CN105990499A (zh) 发光二极管封装结构及其制作方法
JP2011146752A (ja) 側面型発光ダイオード及び側面型発光ダイオードの製造方法
JP4516320B2 (ja) Led基板
TW201631722A (zh) 功率轉換電路的封裝模組及其製造方法
JP2012074724A (ja) 薄膜基板、薄膜基板を備えた化合物半導体デバイスのパッケージ封入構造及びその作製方法
KR20110041398A (ko) 발광다이오드 패키지 구조 및 그 제작방법
US9735320B2 (en) LED packages and manufacturing method thereof
JP7283938B2 (ja) 半導体発光装置
JP3219881U (ja) 発光素子パッケージ
TW201511347A (zh) 發光二極體封裝結構及其製造方法
CN101630668A (zh) 化合物半导体元件及光电元件的封装结构及其制造方法
US20070278483A1 (en) Light emitting device and method of manufacturing the same
JP2009152482A (ja) 反射枠付表面実装型led
JP5745784B2 (ja) 発光ダイオード
JP2002043632A (ja) 発光ダイオード
JP2008288487A (ja) 表面実装型発光ダイオード
JP2008205107A (ja) 裏面実装型led
CN103107273B (zh) 发光二极管封装
JP5405602B2 (ja) Ledパッケージ及びledパッケージ用フレーム
CN100570910C (zh) 表面安装型led
JP2012216654A (ja) 樹脂成形フレーム及び光半導体装置
JP5675210B2 (ja) 半導体発光装置